JP2628335B2 - マルチチャンバ型ｃｖｄ装置 - Google Patents
マルチチャンバ型ｃｖｄ装置Info
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- JP2628335B2 JP2628335B2 JP7906188A JP7906188A JP2628335B2 JP 2628335 B2 JP2628335 B2 JP 2628335B2 JP 7906188 A JP7906188 A JP 7906188A JP 7906188 A JP7906188 A JP 7906188A JP 2628335 B2 JP2628335 B2 JP 2628335B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、マルチチャンバ型CVD装置に関する。
（従来の技術） 近年の半導体製造工程で使用する半導体の製造装置例
えばCVD装置等では、多品種・少量生産化に対応するた
めに、各半導体ウエハ毎に生産管理が可能な枚葉処理方
式の製造装置が普及しており、このような枚葉処理方式
の半導体製造装置では、予備真空室となるロードロック
室にウエハキャリアを収容し、このウエハキャリアから
所定の半導体ウエハを搬送装置により取出して、所定の
処理室へと搬送するような構成となっている。
えばCVD装置等では、多品種・少量生産化に対応するた
めに、各半導体ウエハ毎に生産管理が可能な枚葉処理方
式の製造装置が普及しており、このような枚葉処理方式
の半導体製造装置では、予備真空室となるロードロック
室にウエハキャリアを収容し、このウエハキャリアから
所定の半導体ウエハを搬送装置により取出して、所定の
処理室へと搬送するような構成となっている。
このような半導体製造装置の搬送装置は、ロードロッ
ク室から半導体ウエハを取出して装置内に搬送するロー
ドロック室側搬送系と、このロードロック室側搬送系に
より搬送された半導体ウエハを移載して所定の処理室ま
でこれを搬送する処理室側搬送系とから構成されてお
り、処理室側搬送系により所望の処理室へと半導体ウエ
ハを搬送して一連の処理が可能となっている。
ク室から半導体ウエハを取出して装置内に搬送するロー
ドロック室側搬送系と、このロードロック室側搬送系に
より搬送された半導体ウエハを移載して所定の処理室ま
でこれを搬送する処理室側搬送系とから構成されてお
り、処理室側搬送系により所望の処理室へと半導体ウエ
ハを搬送して一連の処理が可能となっている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来のマルチチャンバ型CVD
装置では、ロードロック室側の搬送系と処理室側の搬送
系に処理能力差がある場合には、全体の搬送処理能力が
処理能力の低い搬送系の処理能力となり、さらに処理能
力の低い搬送系に待ち時間を生じた時等、装置全体の処
理能力を低下させる原因となっていた。
装置では、ロードロック室側の搬送系と処理室側の搬送
系に処理能力差がある場合には、全体の搬送処理能力が
処理能力の低い搬送系の処理能力となり、さらに処理能
力の低い搬送系に待ち時間を生じた時等、装置全体の処
理能力を低下させる原因となっていた。
例えば、処理室側搬送系が半導体ウエハを各処理室に
搬送している間は、ロードロック室側の搬送系は、次処
理の半導体ウエハを保持したまま処理室側搬送系への移
載場所で待機していなければならず、逆に処理室側搬送
系の処理が早い場合には、ロードロック室側搬送系が次
処理の半導体ウエハを移載場所まで搬送するまで待機し
なければならなくなる。
搬送している間は、ロードロック室側の搬送系は、次処
理の半導体ウエハを保持したまま処理室側搬送系への移
載場所で待機していなければならず、逆に処理室側搬送
系の処理が早い場合には、ロードロック室側搬送系が次
処理の半導体ウエハを移載場所まで搬送するまで待機し
なければならなくなる。
本発明は、上述した従来の問題点を解決するためにな
されたもので、処理室側搬送系とロードロック室側搬送
系間に半導体ウエハの一時収容機構を設けることで、各
搬送系の待機時間がなくなり、ウエハ搬送効率を向上さ
せ、装置全体の処理能力が向上するマルチチャンバ型CV
D装置に関する。
されたもので、処理室側搬送系とロードロック室側搬送
系間に半導体ウエハの一時収容機構を設けることで、各
搬送系の待機時間がなくなり、ウエハ搬送効率を向上さ
せ、装置全体の処理能力が向上するマルチチャンバ型CV
D装置に関する。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明のマルチチャンバ型CVD装置は、内部を真空雰
囲気とされるウエハ搬送室と、 前記ウエハ搬送室の一端側に設けられ、複数枚の半導
体ウエハを収容可能とされたウエハキャリアを収納する
ロードロック室と、 前記ウエハ搬送室の他端側に設けられ、半導体ウエハ
を内部に収容して所定の処理を施す複数の処理室と、 前記ウエハ搬送室内に設けられ、前記ウエハキャリア
に対して、前記半導体ウエハの取出し及び収容を行う第
１のウエハ搬送機構と、 前記ウエハ搬送室内に設けられ、複数の前記処理室に
対して、前記半導体ウエハの取出し及び収容を行う第２
のウエハ搬送機構と、 前記ウエハ搬送室内の前記第１のウエハ搬送機構と前
記第２のウエハ搬送機構との間に設けられ、前記第１の
ウエハ搬送機構側と前記第２のウエハ搬送機構側の双方
から前記半導体ウエハを載置および取出し可能とされた
ウエハ収容機構であって、上下動可能とされ、複数枚の
前記半導体ウエハを棚状に収容可能とされたウエハ収容
機構と を具備したことを特徴とする。
囲気とされるウエハ搬送室と、 前記ウエハ搬送室の一端側に設けられ、複数枚の半導
体ウエハを収容可能とされたウエハキャリアを収納する
ロードロック室と、 前記ウエハ搬送室の他端側に設けられ、半導体ウエハ
を内部に収容して所定の処理を施す複数の処理室と、 前記ウエハ搬送室内に設けられ、前記ウエハキャリア
に対して、前記半導体ウエハの取出し及び収容を行う第
１のウエハ搬送機構と、 前記ウエハ搬送室内に設けられ、複数の前記処理室に
対して、前記半導体ウエハの取出し及び収容を行う第２
のウエハ搬送機構と、 前記ウエハ搬送室内の前記第１のウエハ搬送機構と前
記第２のウエハ搬送機構との間に設けられ、前記第１の
ウエハ搬送機構側と前記第２のウエハ搬送機構側の双方
から前記半導体ウエハを載置および取出し可能とされた
ウエハ収容機構であって、上下動可能とされ、複数枚の
前記半導体ウエハを棚状に収容可能とされたウエハ収容
機構と を具備したことを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１記載のマルチチャ
ンバ型CVD装置において、前記ウエハ収容機構に、前記
半導体ウエハを冷却するための機構を設けたことを特徴
とする。
ンバ型CVD装置において、前記ウエハ収容機構に、前記
半導体ウエハを冷却するための機構を設けたことを特徴
とする。
（作用） ウエハ搬送室内の第１のウエハ搬送機構と第２のウエ
ハ搬送機構との間に設けられ、第１のウエハ搬送機構と
第２のウエハ搬送機構側の双方から半導体ウエハを載置
および取出し可能とされたウエハ収容機構であって、上
下動可能とされ、複数枚の半導体ウエハを棚状に収容可
能とされたウエハ収容機構を設けることによって、両搬
送機構の待機時間がなくなり、ウエハ搬送効率が向上
し、装置全体の処理能力を向上させることができる。
ハ搬送機構との間に設けられ、第１のウエハ搬送機構と
第２のウエハ搬送機構側の双方から半導体ウエハを載置
および取出し可能とされたウエハ収容機構であって、上
下動可能とされ、複数枚の半導体ウエハを棚状に収容可
能とされたウエハ収容機構を設けることによって、両搬
送機構の待機時間がなくなり、ウエハ搬送効率が向上
し、装置全体の処理能力を向上させることができる。
また、請求項２の発明では、例えば、処理の終了した
半導体ウエハを、一時ウエハ収容機構に収容した際に冷
却し、この後ウエハキャリアに収容することができる。
半導体ウエハを、一時ウエハ収容機構に収容した際に冷
却し、この後ウエハキャリアに収容することができる。
（実施例） 以下、本発明をマルチチャンバ型CVD装置に適用した
一実施例について図を参照して説明する。
一実施例について図を参照して説明する。
中央部に配置されたウエハ搬送室１の一方には、これ
を挟んで両側に夫々ウエハキャリア２を収容するロード
ロック室３が配設されており、また、ウエハ搬送室１の
他方には、ウエハ搬送室１を中心としてほぼ90゜の角度
間隔をおいて３つのチャンバ4a、4b、4cが同心円上に配
設されている。
を挟んで両側に夫々ウエハキャリア２を収容するロード
ロック室３が配設されており、また、ウエハ搬送室１の
他方には、ウエハ搬送室１を中心としてほぼ90゜の角度
間隔をおいて３つのチャンバ4a、4b、4cが同心円上に配
設されている。
ウエハ搬送室１内には、各ロードロック室３内のウエ
ハキャリア２とウエハ搬送室１間で、半導体ウエハ５の
搬送を行うためのロードロック室側搬送機構６と、この
ロードロック室側搬送機構６により搬送室１に搬送され
た半導体ウエハ５を各処理室4a、4b、4cの所定の処理室
へと搬送するための処理室側搬送機構７、そして、これ
ら両搬送機構６、７の間に設けられ、両搬送機構６、７
により搬送された半導体ウエハ５を一時収容するための
バッファ棚８が設けられている。
ハキャリア２とウエハ搬送室１間で、半導体ウエハ５の
搬送を行うためのロードロック室側搬送機構６と、この
ロードロック室側搬送機構６により搬送室１に搬送され
た半導体ウエハ５を各処理室4a、4b、4cの所定の処理室
へと搬送するための処理室側搬送機構７、そして、これ
ら両搬送機構６、７の間に設けられ、両搬送機構６、７
により搬送された半導体ウエハ５を一時収容するための
バッファ棚８が設けられている。
このようなCVD装置における半導体ウエハの処理は、
まず、ロードロック室側搬送機構６のウエハ保持部例え
ば搬送アーム6a等により、ウエハキャリア２から所定の
半導体ウエハ５を取出して、これを搬送室１内のバッフ
ァ棚８へ移載する。そして、処理室側搬送機構７のウエ
ハ保持部例えば搬送アーム7aにより、このバッファ棚８
から所定の半導体ウエハを取出し、所定のチャンバへと
搬送し、一連の処理を行う。処理終了後の半導体ウエハ
は、上記動作と逆の動作で搬送して所定のウエハキャリ
アへ収容する。
まず、ロードロック室側搬送機構６のウエハ保持部例え
ば搬送アーム6a等により、ウエハキャリア２から所定の
半導体ウエハ５を取出して、これを搬送室１内のバッフ
ァ棚８へ移載する。そして、処理室側搬送機構７のウエ
ハ保持部例えば搬送アーム7aにより、このバッファ棚８
から所定の半導体ウエハを取出し、所定のチャンバへと
搬送し、一連の処理を行う。処理終了後の半導体ウエハ
は、上記動作と逆の動作で搬送して所定のウエハキャリ
アへ収容する。
ところで、バッファ棚８は、多数の半導体ウエハを収
容できるように、例えば第２図に示すように、多段式の
棚とし、各棚（以下、スロット）8aに夫々半導体ウエハ
５を収容するように構成されている。
容できるように、例えば第２図に示すように、多段式の
棚とし、各棚（以下、スロット）8aに夫々半導体ウエハ
５を収容するように構成されている。
このバッファ棚８は、昇降台９上に搭載されており、
この昇降台９を駆動させて所定のスロット8aをウエハ搬
送機構６、７の搬送アーム6a、7aと同レベルの高さに
し、半導体ウエハ５の移載を行う。
この昇降台９を駆動させて所定のスロット8aをウエハ搬
送機構６、７の搬送アーム6a、7aと同レベルの高さに
し、半導体ウエハ５の移載を行う。
また、バッファ棚８の昇降路に沿って、例えばフォト
センサ等のスロット位置検出機構10がバッファ棚８の昇
降路を水平に横切るように対向して配設されており、こ
のスロット位置検出機構10により何段目のスロットが半
導体ウエハの移載を行ったかを知ることができ、該位置
情報をこのときの半導体ウエハの品種情報とともに装置
制御部11の記憶機構12に記憶させておくことで、バッフ
ァ棚８の各スロットに収容された半導体ウエハの収容管
理を行うことができる。そして、この記憶情報に基づい
て搬送系制御機構13が各ウエハ搬送系６、７の動作を制
御することで、バッファ棚８と各ウエハ搬送系６、７間
のウエハ移載動作を予め定められたプログラムに基づい
て行うことができる。
センサ等のスロット位置検出機構10がバッファ棚８の昇
降路を水平に横切るように対向して配設されており、こ
のスロット位置検出機構10により何段目のスロットが半
導体ウエハの移載を行ったかを知ることができ、該位置
情報をこのときの半導体ウエハの品種情報とともに装置
制御部11の記憶機構12に記憶させておくことで、バッフ
ァ棚８の各スロットに収容された半導体ウエハの収容管
理を行うことができる。そして、この記憶情報に基づい
て搬送系制御機構13が各ウエハ搬送系６、７の動作を制
御することで、バッファ棚８と各ウエハ搬送系６、７間
のウエハ移載動作を予め定められたプログラムに基づい
て行うことができる。
このように、各ウエハ搬送機構６、７間にバッファ棚
８を設け、このバッファ棚８に半導体ウエハを一時収容
する構成とすることで、各ウエハ搬送機構６、７の処理
能力の差により生じるウエハ搬送系の待機時間がなくな
り、装置全体の処理能力が向上する。
８を設け、このバッファ棚８に半導体ウエハを一時収容
する構成とすることで、各ウエハ搬送機構６、７の処理
能力の差により生じるウエハ搬送系の待機時間がなくな
り、装置全体の処理能力が向上する。
ところで上述実施例では、バッファ棚８の設置数を１
つとしたが、特に設置数に限定されるものではなく、例
えば、未処理の半導体ウエハを収容するバッファ棚と処
理済の半導体ウエハを収容するバッファ棚とを別々に設
ければ、各ウエハ搬送系の待機時間をさらに短縮するこ
とができる。
つとしたが、特に設置数に限定されるものではなく、例
えば、未処理の半導体ウエハを収容するバッファ棚と処
理済の半導体ウエハを収容するバッファ棚とを別々に設
ければ、各ウエハ搬送系の待機時間をさらに短縮するこ
とができる。
また、バッファ棚近傍にウエハ冷却媒体を配設すれ
ば、処理プロセス中でウエハの冷却を行うこともでき
る。
ば、処理プロセス中でウエハの冷却を行うこともでき
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のマルチチャンバ型CVD
装置によれば、半導体ウエハの搬送系の搬送効率が向上
し、装置全体の処理能力の向上が図れる。
装置によれば、半導体ウエハの搬送系の搬送効率が向上
し、装置全体の処理能力の向上が図れる。
第１図は本発明をマルチチャンバ型CVD装置に適用した
実施例の装置構成を示す図、第２図（ａ）は第１図のバ
ッファ棚の構成を示す平面図であり、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）の側面図である。 １……搬送室、３……ロードロック室、4a、4b、4c……
チャンバ、５……半導体ウエハ、６、７……ウエハ搬送
機構、８……バッファ棚、９……昇降台、10……スロッ
ト位置検出機構、11……装置制御部、12……記憶機構。
実施例の装置構成を示す図、第２図（ａ）は第１図のバ
ッファ棚の構成を示す平面図であり、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）の側面図である。 １……搬送室、３……ロードロック室、4a、4b、4c……
チャンバ、５……半導体ウエハ、６、７……ウエハ搬送
機構、８……バッファ棚、９……昇降台、10……スロッ
ト位置検出機構、11……装置制御部、12……記憶機構。
Claims (2)
- 【請求項１】内部を真空雰囲気とされるウエハ搬送室
と、 前記ウエハ搬送室の一端側に設けられ、複数枚の半導体
ウエハを収容可能とされたウエハキャリアを収納するロ
ードロック室と、 前記ウエハ搬送室の他端側に設けられ、半導体ウエハを
内部に収納して所定の処理を施す複数の処理室と、 前記ウエハ搬送室内に設けられ、前記ウエハキャリアに
対して、前記半導体ウエハの取出し及び収容を行う第１
のウエハ搬送機構と、 前記ウエハ搬送室内に設けられ、複数の前記処理室に対
して、前記半導体ウエハの取出し及び収容を行う第２の
ウエハ搬送機構と、 前記ウエハ搬送室内の前記第１のウエハ搬送機構と前記
第２のウエハ搬送機構との間に設けられ、前記第１のウ
エハ搬送機構側と前記第２のウエハ搬送機構側の双方か
ら前記半導体ウエハを載置および取出し可能とされたウ
エハ収容機構であって、上下動可能とされ、複数枚の前
記半導体ウエハを棚状に収容可能とされたウエハ収容機
構と を具備したことを特徴とするマルチチャンバ型CVD装
置。 - 【請求項２】請求項１記載のマルチチャンバ型CVD装置
において、 前記ウエハ収容機構に、前記半導体ウエハを冷却するた
めの機構を設けたことを特徴とするマルチチャンバ型CV
D装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7906188A JP2628335B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | マルチチャンバ型ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7906188A JP2628335B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | マルチチャンバ型ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251734A JPH01251734A (ja) | 1989-10-06 |
| JP2628335B2 true JP2628335B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13679374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7906188A Expired - Lifetime JP2628335B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | マルチチャンバ型ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628335B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2799471B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1998-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理装置 |
| US5186594A (en) * | 1990-04-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
| JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| USRE39823E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US5578520A (en) | 1991-05-28 | 1996-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for annealing a semiconductor |
| US5766344A (en) | 1991-09-21 | 1998-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor |
| JP3493725B2 (ja) * | 1994-05-24 | 2004-02-03 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| TW353772B (en) * | 1996-09-09 | 1999-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Workpiece relaying apparatus |
| JP3661138B2 (ja) | 1998-04-04 | 2005-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | アライメント高速処理機構 |
| KR100407568B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2003-12-01 | 삼성전자주식회사 | 장치설치영역 내에 지지대를 갖는 반도체 제조 장치 |
| JP5518550B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267623A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-27 | Canon Inc | ウエハ搬送装置 |
| EP0246453A3 (en) * | 1986-04-18 | 1989-09-06 | General Signal Corporation | Novel multiple-processing and contamination-free plasma etching system |
| JPS62290610A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-17 | Daifuku Co Ltd | 倉庫用クレ−ン |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7906188A patent/JP2628335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01251734A (ja) | 1989-10-06 |
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Legal Events
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