CN107731710B - 用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具 - Google Patents

用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具 Download PDF

Info

Publication number
CN107731710B
CN107731710B CN201710681134.8A CN201710681134A CN107731710B CN 107731710 B CN107731710 B CN 107731710B CN 201710681134 A CN201710681134 A CN 201710681134A CN 107731710 B CN107731710 B CN 107731710B
Authority
CN
China
Prior art keywords
loading station
valve
actuator
substrate processing
airlock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710681134.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107731710A (zh
Inventor
理查德·H·古尔德
坎迪·克里斯托弗森
古斯塔沃·G·弗兰肯
詹姆斯·范高赫
本杰明·W·莫瑞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN107731710A publication Critical patent/CN107731710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107731710B publication Critical patent/CN107731710B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/0084—Programme-controlled manipulators comprising a plurality of manipulators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/0096—Programme-controlled manipulators co-operating with a working support, e.g. work-table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)

Abstract

本发明涉及用于衬底处理系统的装载站，含第一和第二竖直堆叠的装载站。第一装载站含第一气锁容积及布置在第一装载站相应端部的第一和第二阀。第一和第二阀构造成选择性提供到第一气锁容积的路径并包括分别构造成打开和关闭第一阀和第二阀的第一和第二致动器且第一和第二致动器从第一装载站向下延伸。第二装载站含第二气锁体积及布置在第二装载站相应端部的第三和第四阀。第三和第四阀构造成选择性提供到第二气锁容积的路径并包括分别构造成打开和关闭第三和第四阀的第三和第四致动器。涉及衬底处理工具，包括装载站；与装载站相邻的第一处理模块，其中第一处理模块配置为经由装载站接收晶片；和布置在第一处理模块上方的第二处理模块。

Description

用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年8月10日提交的美国临时申请No.62/373,035、于2016年8月24日提交的美国临时申请No.62/378,789、于2016年8月24日提交的美国临时申请No.62/378,799以及于2016年10月3日提交的美国临时申请No.62/403,343的优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及衬底处理系统，更具体地涉及衬底处理系统中的衬底处理工具的配置。
背景技术
这里提供的背景描述是为了通常呈现本公开的背景的目的。目前所冠名的发明人的工作在本背景部分中以及在提交时不会被另外认定为现有技术的本描述的方面中描述的范围，既不明确地或隐含地被承认为针对本公开的现有技术。
可以使用衬底处理系统来执行诸如半导体晶片之类的衬底的沉积、蚀刻和/或其它处理。在处理过程中，衬底被布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上。在蚀刻或沉积期间，将包括一种或更多种蚀刻气体或气体前体的气体混合物分别引入处理室中，并且可以激励等离子体以激活化学反应。
衬底处理系统可以包括布置在制造室内的多个衬底处理工具。每个衬底处理工具可以包括多个处理模块。通常，衬底处理工具包括多达6个处理模块。
现在参考图1，示出了示例性衬底处理工具100的自顶向下视图。衬底处理工具100包括多个处理模块104。例如，每个处理模块104可以被配置为在衬底上执行一个或多个相应的处理。要处理的衬底通过设备前端模块(EFEM)108的装载站的端口被装载到衬底处理工具100中，然后被传送到一个或多个处理模块104中。例如，可以将衬底连续地装入每个处理模块104中。现在参考图2，示出了包括多个衬底处理工具208的制造室204的示例性布置200。
发明内容
一种用于衬底处理系统的装载站具有竖直堆叠构造，并且包括第一装载站和布置在第一装载站上方并与第一装载站相邻的第二装载站。第一装载站包括第一气锁容积和布置在第一装载站的相应端部的第一阀和第二阀。第一阀和第二阀构造成选择性地提供到第一气锁容积的路径，第一阀和第二阀分别包括构造成打开和关闭第一阀和第二阀的第一致动器和第二致动器，并且第一致动器和第二致动器从第一装载站向下延伸。第二装载站包括第二气锁容积和布置在第二装载站的相应端部的第三阀和第四阀。第三阀和第四阀构造成选择性地提供到第二气锁容积的路径，并且第三阀和第四阀分别包括构造成打开和关闭第三阀和第四阀的第三致动器和第四致动器。
本公开的其它适用范围将从详细描述、权利要求书和附图变得显而易见。详细描述和具体实施例仅仅是为了说明的目的，并不意图限制本公开的范围。本发明的一些方面可具体描述如下：
1.一种用于衬底处理系统的装载站，所述装载站具有竖直堆叠配置，并且包括：
第一装载站，所述第一装载站包括
第一气锁容积，和
布置在所述第一装载站的相应端部处的第一阀和第二阀，其中所述第一阀和所述第二阀被配置为选择性地提供到所述第一气锁容积的路径，其中所述第一阀和所述第二阀包括分别构造成打开和关闭所述第一阀和所述第二阀的第一致动器和第二致动器，并且其中所述第一致动器和所述第二致动器从所述第一装载站向下延伸；和
第二装载站，其布置在所述第一装载站的上方并与所述第一装载站相邻，所述第二装载站包括
第二气锁容积，和
布置在所述第二装载站的相应端部处的第三阀和第四阀，其中所述第三阀和所述第四阀被配置为选择性地提供到所述第二气锁容积的路径，其中所述第三阀和所述第四阀包括分别构造成打开和关闭所述第三阀和所述第四阀的第三致动器和第四致动器。
2.根据条款1所述的装载站，其中所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀和所述第四阀对应于具有相应闸门的闸阀。
3.根据条款1所述的装载站，其中所述第一装载站的长度小于所述第二装载站的长度，并且其中所述第四致动器从所述第二装载站向下延伸以与由所述第一装载站限定的水平面重叠。
4.根据条款3所述的装载站，其中所述第三致动器从所述第二装载站向上延伸。
5.根据条款3所述的装载站，其中所述第三致动器从所述第二装载站向下延伸并与由所述第一装载站限定的所述水平面重叠。
6.根据条款3所述的装载站，其中所述第四致动器包括成对的闸门致动器，并且其中所述成对的闸门致动器之间的距离至少为所述第二阀的槽的宽度。
7.根据条款1所述的装载站，其中所述第三致动器和所述第四致动器中的每一个从所述第二装载站向上延伸。
8.根据条款1所述的装载站，其还包括布置在所述第二装载站上方并与所述第二装载站相邻的处理室。
9.根据条款8所述的装载站，其中所述处理室的长度小于所述第二装载站的长度。
10.根据条款1所述的装载站，其中所述第一装载站的长度小于所述第二装载站的长度，并且其中所述第三致动器和所述第四致动器各自从所述第二装载站向下延伸以与由所述第一装载站限定的水平面重叠，所述装载站还包括：
布置在所述第二装载站的上方并与所述第二装载站相邻的第三装载站，所述第三装载站包括
第三气锁容积，和
布置在第三装载站的相应端部处的第五阀和第六阀，其中所述第五阀和所述第六阀构造成选择性地提供到所述第三气锁容积的路径，其中所述第五阀和所述第六阀包括分别构造成打开和关闭所述第五阀和所述第六阀的第五致动器和第六致动器。
11.根据条款10所述的装载站，其中所述第二装载站的长度小于所述第三装载站的长度，并且其中所述第六致动器从所述第三装载站向下延伸以与由所述第二装载站限定的水平面重叠。
12.根据条款11所述的装载站，其中所述第五致动器从所述第三装载站向上延伸。
13.根据条款10所述的装载站，其中所述第五致动器和所述第六致动器中的每一个从所述第三装载站向上延伸。
14.根据条款13所述的装载站，其中所述第三装载站的长度小于所述第二装载站的长度。
15.根据条款10所述的装载站，其还包括布置在所述第三装载站上方并与所述第三装载站相邻的处理室。
16.根据条款15所述的装载站，其中所述处理室的长度小于所述第三装载站的长度。
17.一种衬底处理工具，其包括：
根据条款1所述的装载站；
与所述装载站相邻的第一处理模块，其中所述第一处理模块被配置为经由所述装载站接收晶片；和
布置在所述第一处理模块上方的第二处理模块。
18.根据条款17所述的衬底处理工具，其中
所述第二处理模块被配置为经由所述装载站和所述第一处理模块接收晶片。
19.根据条款17所述的衬底处理工具，其还包括：具有竖直堆叠配置的另一个所述装载站，其中所述第二处理模块被配置为经由所述另一个装载站接收晶片。
附图说明
从详细描述和附图将更全面地理解本公开，其中：
图1是示例性衬底处理工具；
图2示出了在制造室内的衬底处理工具的示例性布置；
图3是衬底处理工具的第一示例性配置；
图4是衬底处理工具的第二示例性配置；
图5是衬底处理工具的第三示例性配置；
图6是衬底处理工具的第四示例性配置；
图7是衬底处理工具的第五示例性配置；
图8是衬底处理工具的第六示例性配置；
图9是衬底处理工具的第七示例性配置。
图10是衬底处理工具的第八示例性配置。
图11是衬底处理工具的第九示例性配置。
图12是第一竖直堆叠配置的示例性装载站；
图13是用于装载站的示例性传送阀；
图14是第二竖直堆叠配置的示例性装载站；
图15是第三竖直堆叠配置的示例性装载站；
图16是第四竖直堆叠配置的示例性装载站；
图17是第五竖直堆叠配置的示例性装载站；
图18是第六竖直堆叠配置的示例性装载站；
图19是第七竖直堆叠配置的示例性装载站；
图20是第八竖直堆叠配置的示例性装载站；
图21是堆叠处理模块的示例性配置；
图22是堆叠处理模块的另一示例性配置；和
图23是包括真空传送机械手的衬底处理工具的示例。
在附图中，附图标记可以重复使用来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
衬底处理工具在制造室内的数量、位置等可受到衬底处理工具的尺寸和相应构造的约束。因此，衬底处理工具的配置定义了工具占用面积、间距(spacing)和/或节距(pitch)，其进一步限定制造室的工具密度。工具密度可以指制造室的每单位面积的多个衬底处理工具和/或处理模块。根据本公开的原理的系统和方法提供了各种衬底处理工具配置以最大化衬底处理工具密度。
图3示出了根据本公开的原理的包括第一衬底处理工具304和第二衬底处理工具308的第一示例性配置300。第一衬底处理工具304和第二衬底处理工具308依次布置并且通过真空下的传送台312连接。如图所示，传送台312包括枢转传送机构，该枢转传送机构构造成在第一衬底处理工具304的真空传送模块(VTM)316和第二衬底处理工具308的VTM 320之间传送衬底。然而，在其他示例中，传送台312可以包括其它合适的传送机构，例如线性传送机构。仅作为示例，VTM 316的第一机械手(未示出)可以将衬底放置在布置在第一位置的支撑件324上，支撑件324枢转到第二位置，并且VTM 320的第二机械手(未示出)从处于第二位置的支撑件324取回衬底。在一些示例中，第二衬底处理工具308可以包括被配置为在处理阶段之间存储一个或多个衬底的存储缓冲装置328。
传送机构也可以被堆叠以在衬底处理工具308和304之间提供两个或更多个传送系统。传送台324还可以具有多个槽以一次传送或缓冲多个衬底。
在配置300中，第一衬底处理工具304和第二衬底处理工具308被配置为共享单个设备前端模块(EFEM)332。
图4示出了第二示例性配置400，其包括顺序地布置并通过传送台412连接的第一衬底处理工具404和第二衬底处理工具408。配置400类似于图3的配置300，不同在于，在配置400中，EFEM被消除。因此，衬底可以直接通过气锁装载站416加载到第一衬底处理工具408中(例如，使用诸如真空晶片载体、前端开启式晶片传送盒(FOUP)等的存储或运输载体或其它合适的机构)。
图5示出了包括衬底处理工具504的第三示例性配置500。配置500消除了EFEM并且仅使用单个装载站508，允许更多数量的(例如7个)处理模块512。在装载站508处，衬底可以直接通过气锁装载站416加载到第一衬底处理工具408中(例如，使用诸如真空晶片载体、前端开启式晶片传送盒(FOUP)等的存储或运输容器或其它合适的机构)。
图6示出了包括共享单个EFEM 612的第一衬底处理工具604和第二衬底处理工具608的第四示例性配置600。更具体地，第一衬底处理工具604和第二衬底处理工具608经由相应的装载站616和620连接到EFEM 612的相应端部。装载站616和620可以各自具有堆叠配置。
图7示出了包括共享单个EFEM 712的第一衬底处理工具704和第二衬底处理工具708的第五示例性配置700。第一衬底处理工具704和第二衬底处理工具708经由相应的装载站716和720连接到EFEM712的相应端部。装载站716和720可以各自具有堆叠配置。
图8示出了包括一行或多行顺序布置的衬底处理工具804、808等的第六示例性配置800。在配置800中，每行可以包括经由相应的传送台812连接的3个或更多个衬底处理工具。传送台812可以包括枢转传送机构、线性传送机构等。第一EFEM 816设置在衬底处理工具804、808行的第一端处，并且第二EFEM 820设置在衬底处理工具804、808行的第二端处。例如，衬底可以在第一EFEM 816处被加载，并被顺序地通过衬底处理工具804、808的各种处理模块进行处理和传送，然后被从第二EFEM 820卸载/取出。在一些示例中，传送台812内的传送机构可以竖直堆叠，以在相邻的衬底处理工具之间提供两个或更多个传送系统。传送台812还可以具有多个槽以一次移动或缓冲多个衬底。
图9示出了包括衬底处理工具904的第七示例性配置900。在配置900中，衬底处理工具904包括例如8个处理模块908，并且消除了EFEM和任何外部装载站。相反，在衬底处理工具904的内部916中提供一个或多个输送载体(例如，真空晶片载体)912。例如，载体912可以使用诸如自动化材料处理系统(AMHS)之类的自动化输送系统从衬底处理工具904上方输送。机械手920从载体912取回衬底，并将衬底传送到处理模块908。
图10示出了包括具有多个处理模块1008的衬底处理工具1004的第八示例性配置1000。衬底处理工具1004包括线性VTM 1012和机械手1016，其被配置为在EFEM 1020和处理模块1008之间传送衬底。VTM 1012被配置为调整机械手1016相对于处理模块1008的线性位置(即，调整机械手1016相对于VTM 1012的端对端位置)。
图11示出了包括衬底处理工具1104的第九示例性配置1100。衬底处理工具1104包括处理模块1108的集群布置和可选的端部处理模块1112。处理模块1108共享单个EFEM1116。
在一些示例中，本文所述的任何处理工具可以实现具有堆叠配置的装载站。例如，如图5和图7所示的装载站508、716、720等可以实现堆叠配置。换句话说，在堆叠配置中，装载站可以包括两个或更多个竖直堆叠的装载站。在一些示例中，堆叠配置还可以包括与一个或多个装载站竖直堆叠的处理模块或室(诸如集成关键带(ICS)室)。
现在参考图12，具有竖直堆叠配置的示例性装载站1200包括第一(例如，下方的)气锁装载站1204、布置在第一气锁装载站1204上方的第二(例如，上方的)气锁装载站1208、以及布置在第二气锁装载站1208上方的处理室(例如，ICS室)1212。
晶片经由阀1220和1224被传送到第一气锁装载站1204的气锁室容积1216中和从气锁室容积1216传送出。例如，晶片经由阀1220在制造室中在第一气锁装载站1204和输送载体、真空晶片载体、AHMS等之间传送。相反，晶片经由阀1224在第一气锁装载站1204和VTM1228之间传送(例如用于传送到处理模块)。类似地，晶片经由阀1236和1240被传送到第二气锁装载站1208的气锁室容积1232中和从气锁室容积1232传送出。晶片经由阀1248被传送到处理室1212的处理室容积1244中并从处理室容积1244传送出。阀1220、1224、1236、1240和1248中的每一个可以包括被配置为选择性地打开和关闭相应的一个阀的相关联的致动器1252。
现在参考图13并且继续参考图12，示出了示例性阀1300。阀1300可对应于大气转换阀或真空传送阀。例如，阀1220和1236可对应于大气传送阀，而阀1224、1240和1248可对应于真空传送阀。在一个示例中，阀1300是具有闸门1304的闸阀。致动器1308和1312构造成打开和关闭闸门1304，以通过阀1300中的槽1316选择性地提供进入室容积的路径。
如图13所示，致动器1308和1312从阀1300向下(或向上)延伸。例如，在如图12所示的配置中，致动器1252从相应的阀向相邻的一个装载站1204和1208或朝向处理室1212延伸。因此，一个装载站(在该示例中为第一气锁装载站1204)相对于第二气锁装载站1204和处理室1212被缩短。换句话说，第一气锁装载站1204的长度小于第二气锁装载站1208和处理室1212的相应长度。以这种方式，第二气锁装载站1208的阀1240的致动器1252能够从阀1240向下延伸(例如，以与由第一气锁装载站1204限定的水平面交叉/重叠)，而不被第一气锁装载站1204的阀1224阻挡。
相反地，阀1236和1248被布置成与阀1220、1224和1240相对的构造。换句话说，阀1236和1248相对于阀1220、1224和1240倒置地配置。因此，阀1236和1248的致动器1252向上延伸，而阀1220、1224和1240的致动器向下延伸。
此外，晶片通过槽1316(例如，使用机械手)传送到室1216、1232、1244中的相应一个。在图12所示的配置中，阀1240的致动器1252朝向阀1224向下延伸，并且可能阻碍机械手，并将晶片传送到第一气锁装载站1204中和从第一气锁装载站1204传送出。因此，如图13所示，致动器1308和1312被充分间隔开以允许访问槽1316。例如，致动器1308和1312之间的距离可以至少为槽1316的宽度。以这种方式，晶片能够在阀1240的致动器1252之间被传送并经由阀1224进入第一气锁装载站1204。
现在参考图14，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该示例中，处理室1212相对于第一气锁装载站1204和第二气锁装载站1208缩短以容纳阀1248。因此，第一气锁装载站1204和第二气锁装载站1208可以具有相同的长度。
现在参考图15，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该示例中，装载站1200具有与图12所示的装载站1200相似的构造，并且包括布置在第一气锁装载站1204下方的附加的第三气锁装载站1320。第三气锁装载站1320包括气锁室容积1324、阀1328和1332以及相应的致动器1252。
第三气锁装载站1320的长度相对于第一气锁装载站1204进一步减小以容纳阀1328和1332。第一气锁装载站1204的阀1220和1224的致动器1252朝向第三气锁装载站1320向下延伸。因此，致动器1252如上在图13中所述间隔开，以允许访问阀1328和1332。
现在参考图16，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该示例中，装载站1200具有与图14中所示的装载站1200相似的构造并且包括布置在第一气锁装载站1204下方的第三气锁装载站1320。因此，第一气锁装载站1204和第二气锁装载站1208可以具有相同的长度，而减小第三气锁装载站1320的长度。
现在参见图17，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该示例中，第二气锁装载站1208和处理室1212以图14和图16所示的方式构造。然而，第一气锁装载站1204相对于第二气锁装载站1204延伸。因此，阀1220相对于第三气锁装载站1320进一步向外定位。以这种方式，如图17所示的第三气锁装载站的长度可以如图15和16中所示相对于第三气锁装载站1320延伸。
现在参考图18，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该示例中，第一气锁装载站1204、第二气锁装载站1208和处理室1212被构造成类似于图17所示的布置。然而，尽管阀1224被布置成使得致动器1252朝向第三气锁装载站1320向下延伸，但阀1220被布置成使得致动器1252朝向第二气锁装载站1208向上延伸。因此，第三气锁装载站1320的长度可以进一步延伸。例如，第二气锁装载站1208和第三气锁装载站1320可以具有相同的长度。
现在参考图19，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该构造中，装载站1200包括第三气锁装载站1320，但不包括处理室1212。如图所示，第三气锁装载站1320布置在第二气锁装载站1208的上方并与第二气锁装载站1208相邻，并且阀1328和1332的致动器1252向上延伸。然而，如在其他示例中那样，第三气锁装载站1320可布置在第一气锁装载站1204的下方并与第一气锁装载站1204相邻。第三气锁装载站1320和第一气锁装载站1204可以具有相同的长度，其是相对于第二气锁装载站1208的长度缩短的长度。
现在参考图20，示出了装载站1200的另一示例性配置。在该配置中，与图19中所示的结构类似，装载站1200包括第三气锁装载站1320，但不包括处理室1212。然而，第一气锁装载站1204相对于第二气锁装载站1208和第三气锁装载站1320进一步缩短。因此阀1236被布置成使得致动器1252朝向第一气锁装载站1204向下延伸，并且第三气锁装载站1320的长度可以延伸。第三气锁装载站1320和第二气锁装载站1208可以具有相同的长度。
现在参考图21，示出了堆叠处理模块(包括上处理模块1404-1、1404-2和1404-3以及下处理模块1404-4、1404-5和1404-6，统称为处理模块1404)的示例性布置1400。在该示例中，晶片经由堆叠的装载站1412在EFEM 1408和下处理模块1404-4之间传送。晶片可以随后在相邻的下处理模块1404-4、1404-5和1404-6之间、在下处理模块1404-4、1404-5和1404-6与上处理模块1404-1、1404-2和1404-3之间、在相邻的上处理模块1404-1、1404-2和1404-3之间等被传送。
现在参考图22，示出了堆叠处理模块1404的另一示例性布置1440。在该示例中，晶片经由堆叠的装载站1412在EFEM 1408和下处理模块1404-4之间以及经由第二堆叠的装载站1444在EFEM 1408和上处理模块1404-1之间传送。经由堆叠的装载站1412传送的晶片可以在相邻的下处理模块1404-4、1404-5和1404-6之间传送。相反，经堆叠的装载站1444传送的晶片可以在相邻的上处理模块1404-1、1404-2和1404-3等之间传送。在一些示例中，晶片也可以在下处理模块1404-4、1404-5和1404-6和上处理模块1404-1、1404-2和1404-3之间传送。
现在参考图23，示出了具有多个处理模块1504的衬底处理工具1500的另一示例性配置。衬底处理工具1500包括线性VTM 1508和单个真空传送机械手1512，其被配置为在EFEM 1516和处理模块1504之间传送衬底。如图所示，衬底处理工具1500包括六个处理模块1504。然而，衬底处理工具1500的其它配置可以包括六个以上的处理模块1504。例如，VTM1508的长度可以延伸以容纳另外的处理模块1504。
在该配置中，单个真空传送机械手1512的衬底处理工具1500相对于VTM 1508的中心纵向轴线偏离中心(off-center)(即朝向处理模块1504向右或向左偏移)地布置。换句话说，机械手1512的主枢转点1520偏离中心。尽管示出了机械手1512仅具有一个臂1524，其具有第一臂部1528、第二臂部1532和末端执行器1536，但是在其它构造中，机械手1512可以包括两个或更多个臂。
机械手1512被配置为访问装载站1540和每个处理模块1504。例如，第一臂部1528、第二臂部1532和末端执行器1536具有相应的长度，使得臂1524能够在如图所示延伸时访问装载站1540。相反，机械手1512构造成在各种位置(例如，如1544处的虚线所示)铰接和缩回以访问每个处理模块1504。例如，至少第一臂部1528的长度(在一些示例中，和第二臂部1532和端部执行器1536的相应长度)不超过枢转点1520与VTM 1508的与枢转点1520相对的内壁1548之间的横向距离d。因此，当臂1524处于如1552所示的完全缩回位置时，臂1525构造成在不与内壁1548接触的情况下沿着VTM 1508内的弧1556致动。
尽管如图23所示在非堆叠(即，单个水平)配置下，但在一些示例中，EFEM 1516、VTM 1508、处理模块1504和装载站1540中的一个或多个可以具有如上所述的堆叠配置。例如，每个处理模块1504可以对应于处于竖直堆叠配置的两个处理模块1504(即，布置在另一个处理模块的上方/下方的一个处理模块1504)，装载站1540可对应于处于竖直堆叠配置的两个装载站1540等。类似地，VTM 1508可以对应于处于竖直堆叠配置的两个VTM 1508。或者，机械手1512可以被配置为在VTM 1508内被升高和降低到不同的水平以访问处理模块1504、装载站1540等的多个水平。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，尽管本公开包括特定示例，但本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个可以在任何其它实施方式中实现和/或与任何其它实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述也如此。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的交换保持在本公开的范围内。
元件之间(例如，模块、电路元件、半导体层等之间)的空间和功能关系使用包括“连接”、“接合”、“联接”、“相邻”、“邻近”、“在...上”、“上方”、“下方”和“设置”之类的各种术语进行描述。当在上述公开中描述第一和第二元件之间的关系时，除非明确地描述为“直接”，否则这种关系可以是其中没有其他中间元件存在于所述第一和第二元件之间的直接的关系，但也可以是其中一个或多个中间元件(或者在空间上或功能上)存在于所述第一和第二元件之间的间接的关系。如本文所使用的，短语A、B和C中的至少一个应该被解释为指使用非排他性的逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，且不应该被解释为指“A中的至少一个，B中的至少一个，和C中的至少一个”。
在一些实施方案中，控制器是系统的一部分，该系统的一部分可以是上述实施例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个加工工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定的处理部件(晶片基座、气体流动系统等)。这些系统可与电子器件集成，以便在半导体晶片或衬底的处理之前、期间或之后控制这些系统的操作。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种组件或子部分。根据处理要求和/或系统的类型，控制器可以被编程，以控制本发明所公开的工艺中的任何一些，包括控制处理气体的输送、温度的设置(例如，加热和/或冷却)、压力的设置、真空的设置、功率的设置、射频(RF)产生器的设置、RF匹配电路的设置、频率的设置，流率的设置、流体输送的设置、位置和操作的设置、晶片的进出工具和其他输送工具和/或连接到特定系统的或与特定系统接口的装载锁的传送。
从广义上讲，控制器可以被定义为接收指令、发出指令、控制操作、使能清洁操作、使能终点测量等的具有各种集成电路、逻辑、存储器、和/或软件的电子器件。这些集成电路可以包括固件形式的存储程序指令的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单个的设置(或程序文件)形式传输到控制器或系统的指令，所述设置(或程序文件)定义在半导体晶片上或针对半导体晶片进行特定处理的操作参数。在一些实施方式中，所述操作参数可以是由工艺工程师定义的以完成晶片的一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或管芯的制造过程中的一个或多个处理步骤的配方的一部分。
在一些实施方案中，控制器可以是与系统集成、耦接或者说是通过网络连接系统或它们的组合的计算机的一部分或者与该计算机耦接。例如，控制器可以在“云端”或者是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，它们可以允许远程访问晶片处理。计算机可以启用对系统的远程访问以监测制造操作的当前处理，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数，设置处理步骤以跟随当前的处理或者开始新的工艺。在一些实例中，远程计算机(例如，服务器)可以通过网络给系统提供工艺配方，网络可以包括本地网络或互联网。远程计算机可以包括允许输入或编程参数和/或设置的用户界面，这些输入或编程的参数和/或设置然后从远程计算机传送到系统。在一些实例中，控制器接收数据形式的指令，这些指令指明在一个或多个操作期间将要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，这些参数可以针对将要执行的工艺类型以及工具类型，控制器被配置成连接或控制该工具类型。因此，如上所述，控制器可以例如通过包括一个或多个分立的控制器而分布，这些分立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标(例如，本发明所述的工艺和控制)工作。用于这些目的的分布式控制器的实例可以是与一个或多个远程集成电路(例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分)通信的室内的一个或多个集成电路，它们结合以控制室内工艺。
示例的系统可以包括但不限于，等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转冲洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及在半导体晶片的制备和/或制造中可以关联上或使用的任何其他的半导体处理系统。
如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，控制器可以与一个或多个其他的工具电路或模块、其他工具组件、组合工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者在将晶片的容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口搬运的材料搬运中使用的工具通信。

Claims (16)

1.一种用于衬底处理系统的装载站，所述装载站具有竖直堆叠配置，并且包括：
第一装载站，所述第一装载站包括
第一气锁容积，和
布置在所述第一装载站的相应端部处的第一阀和第二阀，其中所述第一阀和所述第二阀被配置为选择性地提供到所述第一气锁容积的路径，其中所述第一阀和所述第二阀包括分别构造成打开和关闭所述第一阀和所述第二阀的第一致动器和第二致动器，并且其中所述第一致动器和所述第二致动器从所述第一装载站向下延伸；和
第二装载站，其布置在所述第一装载站的上方并与所述第一装载站相邻，所述第二装载站包括
第二气锁容积，和
布置在所述第二装载站的相应端部处的第三阀和第四阀，其中所述第三阀和所述第四阀被配置为选择性地提供到所述第二气锁容积的路径，其中所述第三阀和所述第四阀包括分别构造成打开和关闭所述第三阀和所述第四阀的第三致动器和第四致动器，
布置在所述第二装载站的上方并与所述第二装载站相邻的第三装载站，所述第三装载站包括：
第三气锁容积，和
布置在所述第三装载站的相应端部处的第五阀和第六阀，其中所述第五阀和所述第六阀构造成选择性地提供到所述第三气锁容积的路径，其中所述第五阀和所述第六阀包括分别构造成打开和关闭所述第五阀和所述第六阀的第五致动器和第六致动器，
其中所述第一装载站的长度小于所述第二装载站的长度，并且其中所述第三致动器和所述第四致动器各自从所述第二装载站向下延伸以与由所述第一装载站限定的水平面重叠。
2.根据权利要求1所述的装载站，其中所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀和所述第四阀对应于具有相应闸门的闸阀。
3.根据权利要求1所述的装载站，其中所述第三致动器从所述第二装载站向上延伸。
4.根据权利要求1所述的装载站，其中所述第四致动器包括成对的闸门致动器，并且其中所述成对的闸门致动器之间的距离至少为所述第二阀的槽的宽度。
5.根据权利要求1所述的装载站，其中所述第三致动器和所述第四致动器中的每一个从所述第二装载站向上延伸。
6.根据权利要求1所述的装载站，其还包括布置在所述第二装载站上方并与所述第二装载站相邻的处理室。
7.根据权利要求6所述的装载站，其中所述处理室的长度小于所述第二装载站的长度。
8.根据权利要求1所述的装载站，其中所述第二装载站的长度小于所述第三装载站的长度，并且其中所述第六致动器从所述第三装载站向下延伸以与由所述第二装载站限定的水平面重叠。
9.根据权利要求8所述的装载站，其中所述第五致动器从所述第三装载站向上延伸。
10.根据权利要求1所述的装载站，其中所述第五致动器和所述第六致动器中的每一个从所述第三装载站向上延伸。
11.根据权利要求10所述的装载站，其中所述第三装载站的长度小于所述第二装载站的长度。
12.根据权利要求1所述的装载站，其还包括布置在所述第三装载站上方并与所述第三装载站相邻的处理室。
13.根据权利要求12所述的装载站，其中所述处理室的长度小于所述第三装载站的长度。
14.一种衬底处理工具，其包括：
根据权利要求1所述的装载站；
与所述装载站相邻的第一处理模块，其中所述第一处理模块被配置为经由所述装载站接收晶片；和
布置在所述第一处理模块上方的第二处理模块。
15.根据权利要求14所述的衬底处理工具，其中
所述第二处理模块被配置为经由所述装载站和所述第一处理模块接收晶片。
16.根据权利要求14所述的衬底处理工具，其还包括：具有竖直堆叠配置的另一个所述装载站，其中所述第二处理模块被配置为经由所述另一个装载站接收晶片。
CN201710681134.8A 2016-08-10 2017-08-10 用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具 Active CN107731710B (zh)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662373035P 2016-08-10 2016-08-10
US62/373,035 2016-08-10
US201662378789P 2016-08-24 2016-08-24
US201662378799P 2016-08-24 2016-08-24
US62/378,799 2016-08-24
US62/378,789 2016-08-24
US201662403343P 2016-10-03 2016-10-03
US62/403,343 2016-10-03
US15/671,827 US10559483B2 (en) 2016-08-10 2017-08-08 Platform architecture to improve system productivity
US15/671,827 2017-08-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107731710A CN107731710A (zh) 2018-02-23
CN107731710B true CN107731710B (zh) 2023-08-18

Family

ID=61160347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710681134.8A Active CN107731710B (zh) 2016-08-10 2017-08-10 用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10559483B2 (zh)
KR (2) KR20180018403A (zh)
CN (1) CN107731710B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020072507A1 (en) 2018-10-04 2020-04-09 Applied Materials, Inc. Transport system
US20220139740A1 (en) * 2020-11-02 2022-05-05 Applied Materials, Inc. Chamber interface for linked processing tools
CN116848629A (zh) * 2021-02-17 2023-10-03 应用材料公司 用于支持多个半导体处理模块或腔室的模块化主机布局
US11935770B2 (en) 2021-02-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Modular mainframe layout for supporting multiple semiconductor process modules or chambers
US11935771B2 (en) 2021-02-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Modular mainframe layout for supporting multiple semiconductor process modules or chambers

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6152070A (en) * 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US7351291B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-01 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system
US20040141832A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-22 Jang Geun-Ha Cluster device having dual structure
US7246985B2 (en) * 2004-04-16 2007-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece processing system
US20060177288A1 (en) * 2005-02-09 2006-08-10 Parker N W Multiple loadlocks and processing chamber
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7695232B2 (en) * 2006-06-15 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US20080056647A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Mark Margolin Active modular optoelectronic components
KR102110585B1 (ko) * 2007-05-17 2020-05-13 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 측면 개방형 기판 캐리어 및 로드 포트
JP5795162B2 (ja) * 2007-05-18 2015-10-14 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド ロードロック高速排気および通気
US20090050468A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Applied Materials, Inc. Controlled surface oxidation of aluminum interconnect
US8033769B2 (en) * 2007-11-30 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Loadlock designs and methods for using same
JP2010034505A (ja) * 2008-06-30 2010-02-12 Canon Anelva Corp 積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置
JP5635270B2 (ja) * 2009-02-13 2014-12-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理システム及び基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のパラメータ設定方法及び記録媒体
CN102646613A (zh) * 2011-02-16 2012-08-22 三星电子株式会社 衬底处理系统
KR102068186B1 (ko) * 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
US9355876B2 (en) * 2013-03-15 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
JP2015076458A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US10278501B2 (en) * 2014-04-25 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Load lock door assembly, load lock apparatus, electronic device processing systems, and methods
US9502275B1 (en) * 2015-10-20 2016-11-22 Lam Research Corporation Service tunnel for use on capital equipment in semiconductor manufacturing and research fabs

Also Published As

Publication number Publication date
US20180047598A1 (en) 2018-02-15
CN107731710A (zh) 2018-02-23
US10559483B2 (en) 2020-02-11
KR20180018403A (ko) 2018-02-21
KR20230010799A (ko) 2023-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107731710B (zh) 用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具
KR102656329B1 (ko) 최적화된 저 에너지/고 생산성 디포지션 시스템
US9818633B2 (en) Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers
US11908714B2 (en) Transfer robot for reduced footprint platform architecture
CN111742400A (zh) 移动衬底传送室
US20230085987A1 (en) Linear arrangement for substrate processing tools

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant