JP4707749B2 - 基板交換方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板交換方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4707749B2
JP4707749B2 JP2009089509A JP2009089509A JP4707749B2 JP 4707749 B2 JP4707749 B2 JP 4707749B2 JP 2009089509 A JP2009089509 A JP 2009089509A JP 2009089509 A JP2009089509 A JP 2009089509A JP 4707749 B2 JP4707749 B2 JP 4707749B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate processing
substrate
wafer
chamber
load lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009089509A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010245127A (ja
Inventor
繁 石沢
浩 小泉
達也 大木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009089509A priority Critical patent/JP4707749B2/ja
Priority to KR1020100022633A priority patent/KR101170357B1/ko
Priority to US12/732,451 priority patent/US8663489B2/en
Priority to TW099109775A priority patent/TWI427729B/zh
Priority to CN2010101511538A priority patent/CN101859723B/zh
Publication of JP2010245127A publication Critical patent/JP2010245127A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4707749B2 publication Critical patent/JP4707749B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41815—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the cooperation between machine tools, manipulators and conveyor or other workpiece supply system, workcell
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/4189—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/31—From computer integrated manufacturing till monitoring
    • G05B2219/31002—Computer controlled agv conveys workpieces between buffer and cell
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers

Description

本発明は、基板処理室内で処理する被処理基板を搬送装置を用いて交換する基板搬送方法及びそのような基板交換を行うことができる基板処理装置に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウェハ（以下、単に基板又はウェハと記す。）に対し、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気で行われる真空処理が多用されている。最近では、このような真空処理の効率化の観点、および酸化やコンタミネーション等の汚染を抑制する観点から、複数の真空処理を行う基板処理室を真空に保持される搬送室に連結し、搬送室に設けられた搬送装置により各基板処理室にウェハを搬送することを可能としたクラスターツール型のマルチチャンバタイプの基板処理装置が注目されている。
マルチチャンバタイプの基板処理装置においては、大気中に置かれているウェハカセットから真空に保持された搬送室へウェハを搬送するために、搬送室とウェハカセットとの間にロードロック室を設け、ロードロック室を介してウェハが搬送される。
従来のロードロック室と基板処理室との間でのウェハの受け渡しは、搬送室に設けられた搬送装置により行う。従来の搬送装置は、必要最小限の空間で旋回可能とするとともに遠方までウェハを搬送可能とするために伸縮可能になされた２つの搬送アームを有している。各々の搬送アームには、自在に回転及び伸縮を行うため、回転軸とアームとの組が搬送装置の基台から数段結合して設けられ、更にその先端に設けられた先端アームの両端には、ウェハを載置して搬送するための搬送部材（ピック）が一つずつ設けられている。
このような搬送アーム及び搬送部材が設けられた搬送装置を用いてウェハを搬送し、複数の基板処理室で多数のウェハを１枚ずつ処理するような場合、どのチャンバでウェハの処理を行うかスケジュールを決定しなくてはならない場合がある。例えば、複数のチャンバの各チャンバに優先順位を割当て、最も優先順位が高いチャンバにウェハを搬送して基板処理を行う基板処理装置の例が開示されている（例えば特許文献１参照）。
また、複数の基板処理室が運転可能か否かの状態判断を行い、搬送装置を用いてウェハを運転有効な基板処理室のみに搬送して基板処理を行う基板処理装置の例が開示されている（例えば特許文献２参照）。
特開平１０−１８９６８７号公報 特開平１１−６７８６９号公報
ところが、上記の基板処理装置を用いて、基板処理室内のウェハを交換する場合、次のような問題があった。
特許文献１、２に記載されるような基板処理装置では、予め搬送する基板処理室を選択することはできる。しかしながら、昨今では、基板処理室内の状態を維持するために、あるウェハの基板処理が完了して処理済みウェハを搬出した後、次の未処理ウェハを搬入して基板処理を行う前に、基板処理室内で例えばプラズマクリーニング等のクリーニング処理を行う場合がある。クリーニング処理を行う間は、基板処理室へ次のウェハを搬入することはできない。従って、搬送装置は、次に処理を行う未処理ウェハを搬送部材（ピック）に支持したまま、待機しなくてはならないという問題があった。
特に、半導体デバイスのデザインルールの微細化に伴って、ウェハ上に形成され、半導体デバイスを構成する各層の膜厚が薄くなってきているため、基板処理室において成膜処理又はエッチング処理を行う処理時間が短くなっている。その結果、基板処理室の基板処理の処理時間に対するクリーニング処理の処理時間の占める割合は増大している。従って、基板処理室におけるクリーニング処理の間、搬送装置がその基板処理室で次に処理を行う未処理ウェハを支持して待機していると、搬送装置が他の作業を行うことができないため、搬送装置が本来有する単位時間当たりの基板の搬送枚数、すなわちスループットを発揮することができないという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板処理装置の基板処理室のクリーニング処理を行う間も搬送装置に仕事をさせることで、搬送装置が本来有するスループットを発揮させ、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板交換方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
第１の発明は、基板処理室と、ロードロック室と、２つの搬送部材により基板を前記基板処理室及び前記ロードロック室に搬入出可能な搬送装置とを備えた基板処理装置における、前記基板処理室で処理する基板の交換を行う基板交換方法において、第１の基板を第１の搬送部材により前記基板処理室から搬出する第１の搬出工程と、第２の基板を第２の搬送部材により前記基板処理室へ搬入する第１の搬入工程とを有し、前記第１の搬出工程を行った後、前記第１の搬入工程を行う前に、前記第２の基板を前記第２の搬送部材によりロードロック室から搬出する第２の搬出工程と、前記第１の基板を前記第１の搬送部材によりロードロック室へ搬入する第２の搬入工程とを行うことを特徴とする。
第２の発明は、第１の発明に係る基板交換方法において、前記第２の搬入工程において、前記第２の搬出工程を行った後、前記第２の搬出工程で前記第２の基板を搬出したロードロック室へ前記第１の基板を搬入することを特徴とする。
第３の発明は、第２の発明に係る基板交換方法において、前記基板処理装置は、複数の基板処理室を備え、前記第１の搬出工程を行った後、前記第２の搬出工程を行う前に、第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入する第３の搬入工程と、前記第２の搬入工程を行った後、前記第１の搬入工程を行う前に、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出する第３の搬出工程とを行うことを特徴とする。
第４の発明は、第１の発明に係る基板交換方法において、前記基板処理装置は、複数のロードロック室を備え、前記第２の搬入工程において、前記第１の基板を第１のロードロック室へ搬入し、前記第２の搬出工程において、前記第２の搬入工程を行った後、前記第２の基板を第２のロードロック室から搬出することを特徴とする。
第５の発明は、第４の発明に係る基板交換方法において、前記基板処理装置は、複数の基板処理室を備え、前記第１の搬出工程を行った後、前記第２の搬入工程を行う前に、第３の基板を前記第２の搬送部材により前記第１のロードロック室から搬出する第４の搬出工程を行い、前記第２の搬入工程を行った後、前記第２の搬出工程を行う前に、前記第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入する第４の搬入工程と、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出する第５の搬出工程とを行い、前記第２の搬出工程を行った後、前記第１の搬入工程を行う前に、前記第４の基板を前記第１の搬送部材により前記第２のロードロック室に搬入する第５の搬入工程を行うことを特徴とする。
第６の発明は、基板処理室と、ロードロック室と、基板を搬送する２つの搬送部材を有し、該２つの搬送部材により基板を前記基板処理室及び前記ロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、前記搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、前記制御部は、第１の基板を第１の搬送部材により前記基板処理室から搬出した後、第２の基板を第２の搬送部材により前記基板処理室へ搬入する前に、前記第２の基板を前記第２の搬送部材により前記ロードロック室から搬出し、次に、前記第１の基板を前記第１の搬送部材により前記ロードロック室へ搬入するように、前記搬送装置による基板の搬入出を制御することを特徴とする。
第７の発明は、複数の基板処理室と、ロードロック室と、基板を搬送する２つの搬送部材を有し、該２つの搬送部材により基板を前記複数の基板処理室及び前記ロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、前記搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、前記制御部は、第１の基板を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出した後、第２の基板を第２の搬送部材により前記第１の基板処理室へ搬入する前に、第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入し、次に、前記第２の基板を前記第２の搬送部材により前記ロードロック室から搬出し、次に、前記第１の基板を前記第１の搬送部材により前記ロードロック室へ搬入し、次に、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出するように、前記搬送装置による基板の搬入出を制御することを特徴とする。
第８の発明は、複数の基板処理室と、複数のロードロック室と、基板を搬送する２つの搬送部材を有し、該２つの搬送部材により基板を前記複数の基板処理室及び前記複数のロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、前記搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、前記制御部は、第１の基板を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出した後、第２の基板を第２の搬送部材により前記第１の基板処理室へ搬入する前に、第３の基板を前記第２の搬送部材により第１のロードロック室から搬出し、次に、前記第１の基板を前記第１の搬送部材により前記第１のロードロック室へ搬入し、次に、前記第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入し、次に、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出し、次に、前記第２の基板を前記第２の搬送部材により第２のロードロック室から搬出し、次に、前記第４の基板を前記第１の搬送部材により前記第２のロードロック室に搬入するように、前記搬送装置による基板の搬入出を制御することを特徴とする。
本発明によれば、基板処理装置の基板処理室のクリーニング処理を行う間も搬送装置に仕事をさせることで、搬送装置が本来有するスループットを発揮させ、基板処理装置全体のスループットを向上させることができることができる。
本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。 本発明の実施の形態に係る基板交換方法を説明するための図であり、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに搬送部材及びウェハの動きを模式的に説明する平面図である。 従来の基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。 従来の基板交換方法を説明するための図であり、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに搬送部材及びウェハの動きを模式的に説明する平面図である。 本発明の実施の形態に係る基板交換方法及び従来の基板交換方法における１枚当たりの基板処理時間と基板処理装置のスループットとの関係を模式的に示すグラフである。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。 本発明の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（実施の形態）
最初に、図１を参照し、本発明の実施の形態に係る基板交換機構を備える基板処理装置について説明する。
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。
基板処理装置１００は、被処理基板であるウェハＷに対して成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行う処理ユニット１０と、処理ユニット１０に対してウェハＷを搬入出させる搬送ユニット２０とを備える。搬送ユニット２０は、ウェハＷを搬送する際に共用される搬送室（搬送ユニット側搬送室）３０を有している。
搬送室３０は、例えばＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略多角形状の箱体により構成されている。搬送室３０における断面略多角形状の長辺を構成する一側面には、複数のカセット台３２（ここでは３２ａ及び３２ｂ）が並設されている。カセット台３２ａ、３２ｂはそれぞれ、基板収容容器の１例としてのカセット容器３４ａ、３４ｂを載置可能に構成されている。
各カセット容器３４ａ、３４ｂには、例えば最大２５枚のウェハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており、内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。搬送室３０はその内部へゲートバルブ３６ａ、３６ｂを介してウェハＷを搬入出可能に構成されている。
ここでは、カセット容器３４ａ、３４ｂにはそれぞれ、後述する基板処理室４０ａ〜４０ｆで処理されるウェハが収納される。ただし、どのウェハがどの基板処理室で処理されるかが分かっていれば、必ずしも各基板処理室４０ａ〜４０ｆで処理されるウェハがそれぞれカセット容器３４ａ、３４ｂに分けて収納されている必要はない。例えばカセット容器３４ａ、３４ｂの一方又は両方に各基板処理室４０ａ〜４０ｆで処理されるウェハが混在していてもよい。また、図１では例えば各カセット台３２ａ、３２ｂに２台のカセット容器３４ａ、３４ｂをそれぞれ１台ずつ載置することができる例を挙げているが、カセット台とカセット容器の数はこれに限られず、例えば３台以上あってもよい。
搬送室３０の端部、すなわち断面略多角形状の短辺を構成する一側面には、位置決め装置としてのオリエンタ３７が設けられている。オリエンタ３７は、ウェハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合わせを行うものである。
処理ユニット１０は、ウェハに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理を施すための基板処理室４０を有している。図１では、基板処理室４０を６つ（４０ａ〜４０ｆ）有する場合が例示される。各基板処理室４０ａ〜４０ｆには、ウェハＷを載置するための載置台４２ａ〜４２ｆが設けられている。なお、基板処理室４０は６つに限定されるものではなく、６つより少なくてもよく、６つより多くてもよい。
各基板処理室４０ａ〜４０ｆで行われる処理は同種の処理であってもよく、また異なる処理であってもよい。各ウェハは予め制御部のメモリなどに記憶されたエッチング処理などの処理工程等を示す情報（プロセス・レシピ）に基づいて各基板処理室４０ａ〜４０ｆにおいて所定の処理が施される。各ウェハがどの基板処理室で処理されるものかについては、例えば上記プロセス・レシピにより判断してもよい。
処理ユニット１０は、基板処理室４０ａ〜４０ｆにウェハを搬入出する搬送室（処理ユニット側搬送室）５０を備える。搬送室５０は多角形（例えば六角形）に形成されており、その周りに各基板処理室４０ａ〜４０ｆがそれぞれゲートバルブ４４ａ〜４４ｆを介して配設されている。
搬送室５０の周りには、搬送ユニット２０と接続する真空準備室の１例としての第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂが配設されている。具体的には、第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂの先端は、搬送室５０の周りにゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）５４ａ、５４ｂをそれぞれ介して接続されており、第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂの基端部は、搬送室３０における断面略多角形状の長辺を構成する他側面にゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）６４ａ、６４ｂをそれぞれ介して接続されている。
第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂは、真空引き可能に構成されており、ウェハＷを一時的に保持して圧力調整後に、次段へパスさせる機能を有している。また、各第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂには、ウェハＷを載置するための載置台６２ａ、６２ｂがそれぞれ設けられている。なお、第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂは、さらに冷却機構や加熱機構を有するように構成してもよい。
このように、搬送室５０と各基板処理室４０ａ〜４０ｆとの間及び搬送室５０と上記各ロードロック室６０ａ、６０ｂとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され、クラスターツール化されており、必要に応じて搬送室５０と連通可能になっている。また、上記第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂと搬送室５０との間も、それぞれ気密に開閉可能に構成されている。
搬送室５０には、例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送装置（以下、単に「搬送装置」という。）８０が設けられている。この搬送装置８０は各ロードロック室６０ａ、６０ｂ及び各基板処理室４０ａ〜４０ｆにアクセス可能となっている。例えば上記各ロードロック室６０ａ、６０ｂへウェハが搬入されると、そのウェハは搬送装置８０によりそのウェハが処理される基板処理室４０ａ〜４０ｆのいずれかに搬入される。
搬送装置８０は、２つのピックを有するダブルアーム機構より構成されており、一度に２枚のウェハを取り扱うことができるようになっている。これにより、例えば各基板処理室４０ａ〜４０ｆのいずれかに対してウェハを搬入出する際に、処理済みウェハと未処理ウェハとを交換することができる。
一方、搬送ユニット２０の搬送室３０には、ウェハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する搬送ユニット側搬送装置７０が設けられている。搬送ユニット側搬送装置７０についても、処理ユニット側搬送装置（搬送装置）８０と同様に、２つのピックを有するダブルアーム機構より構成されており、一度に２枚のウェハを取り扱うことができるようになっている。これにより、例えばカセット容器３４（３４ａ、３４ｂ）、オリエンタ３７、ロードロック室６０ａ、６０ｂなどに対して、ウェハを交換するように搬入出することができる。なお、処理ユニット側搬送装置８０のピックの数は上記のものに限られず、例えば１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。
上記基板処理装置１００には、各搬送装置７０、８０、各ゲートバルブ３６（３６ａ、３６ｂ）、４４（４４ａ〜４４ｆ）、５４（５４ａ、５４ｂ）、６４（６４ａ、６４ｂ）、オリエンタ３７などの制御の他、カセット容器３４からのウェハの搬送タイミングを求める処理やそのウェハ搬送タイミングに基づいてカセット容器３４からウェハを搬出する制御なども含めてこの基板処理装置全体の動作を制御する制御部９０が設けられている。制御部９０は、例えばこの制御部９０の全体を構成するマイクロコンピュータ、各種のデータ等を記憶するメモリなどを備える。なお、制御部９０は、本発明においては、処理ユニット側搬送装置（搬送装置）８０によるウェハＷの搬入出を制御するためのものでもある。
次に、図２及び図３を参照し、本実施に係る基板処理装置の基板交換方法について説明する。
本実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法では、第１の基板処理室のウェハを処理済みウェハから未処理ウェハへ交換する第１の搬出工程と第１の搬入工程との間に、第２の搬出工程と、第２の搬入工程という２つの別のステップを行う。
また、本実施の形態に係る基板交換方法を行うことができる基板処理装置は、基板処理室と、ロードロック室と、基板を搬送する２つの搬送部材を有し、２つの搬送部材により基板を基板処理室及びロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部とを備える。すなわち、図１に示す基板処理装置において、少なくとも１つの基板処理室を備え、少なくとも１つのロードロック室を備えていればよい。また、本実施の形態では、一例として、２つの基板処理室と２つのロードロック室を備えている場合について説明する。
また、以下、搬送装置というときは、処理ユニット側搬送装置のことを指すものとする。
図２は、本実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。図３は、本実施の形態に係る基板交換方法を説明するための図であり、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに搬送部材及びウェハの動きを模式的に説明する平面図である。
図２に示すタイムチャートでは、上の行から順に、ステップ番号、搬送装置８０の第１の搬送部材８０ａの支持ウェハのウェハ番号、搬送装置８０の第２の搬送部材８０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの状態、第２の基板処理室４０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２の基板処理室４０ｂの状態、第１のロードロック室６０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１のロードロック室６０ａの状態、第２のロードロック室６０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２のロードロック室６０ｂの状態を表す。図３（ａ）は、後述するステップＳ１を開始する直前（ステップＳ１の直前のステップＳ０が終了した時）の状態を示す。図３（ｂ）から図３（ｅ）のそれぞれは、ステップＳ１からステップＳ４が終了した時の状態を示す。
本実施の形態に係る基板処理装置の基板交換作業の最小単位は、図２に示されるステップＳ１からステップＳ４を含む。ステップＳ１、ステップＳ２、ステップＳ３、及びステップＳ４のそれぞれは、本発明における第１の搬出工程、第２の搬出工程、第２の搬入工程、及び第１の搬入工程のそれぞれに相当する。すなわち、本実施の形態に係る基板交換方法では、ステップＳ１の第１の搬出工程を行った後、ステップＳ４の第１の搬入工程を行う前に、ステップＳ２の第２の搬出工程と、ステップＳ３の第２の搬入工程を行う。
ステップＳ１は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。ステップＳ２は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出する工程である。ステップＳ３は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａへ搬入する工程である。ステップＳ４は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。また、ウェハＷ１は、本発明における第１の基板に相当し、ウェハＷ３は、本発明における第２の基板に相当する。
ステップＳ１を開始する前の状態は、図２のステップＳ０が終了した状態、すなわち、第１の基板処理室４０ａで第１の基板の基板処理を行った後の状態である。図２のステップＳ０の列及び図３（ａ）に示すように、第１の搬送部材８０ａ及び第２の搬送部材８０ｂのいずれにもウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａには処理済みウェハとしてウェハＷ１が支持されており、第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａには未処理ウェハとしてウェハＷ３が支持されている。
最初に、ステップＳ１を行う。ステップＳ１は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。第１の基板処理室４０ａの基板処理が完了している状態で、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを開き、第１の搬送部材８０ａを第１の基板処理室４０ａ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａに支持されているウェハＷ１を支持し、ウェハＷ１を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第１の基板処理室４０ａから退却させ、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じる。図２のステップＳ１の列及び図３（ｂ）に示すように、ステップＳ１が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ３が支持されている。
ここで、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じた後、載置台４２ａにウェハが支持されていない状態で、第１の基板処理室４０ａ内において、クリーニング処理を開始する。例えば、第１の基板処理室４０ａに設けられた図示しないプラズマ発生手段を用い、第１の基板処理室４０ａ内にプラズマを発生させ、成膜処理等の基板処理の間に第１の基板処理室４０ａの内壁に付着した付着物をエッチング除去することによって、クリーニング処理を行うことができる。
次に、ステップＳ２を行う。ステップＳ２は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出する工程である。第１のロードロック室６０ａが真空の状態で、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを開き、第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａに支持されているウェハＷ３を支持し、ウェハＷ３を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内から退却させてウェハＷ３を搬出し、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを閉じる。図２のステップＳ２の列及び図３（ｃ）に示すように、ステップＳ２が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハ３が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにもウェハが支持されていない。
また、ステップＳ２を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ３を行う。ステップＳ３は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａへ搬入する工程である。第１のロードロック室６０ａが真空の状態で、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを開き、ウェハＷ１を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第１のロードロック室６０ａ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａにウェハＷ１を支持させ、ウェハを支持していない第１の搬送部材８０ａを第１のロードロック室６０ａ内から退却させ、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを閉じる。図２のステップＳ３の列及び図３（ｄ）に示すように、ステップＳ３が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハが支持されておらず、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されている。
また、ステップＳ３が終了するのと略同時に、又はステップＳ３が終了した後、次のステップＳ４が開始される前に、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理を終了する。
次に、ステップＳ４を行う。ステップＳ４は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理が終了している状態で、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを開き、ウェハＷ３を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第１の基板処理室４０ａに進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａにウェハＷ３を支持させ、ウェハを支持していない第２の搬送部材８０ｂを第１の基板処理室４０ａ内から退却させ、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じる。図２のステップＳ４の列及び図３（ｅ）に示すように、ステップＳ４が行われた後は、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハＷ３が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されている。
以上のように、ステップＳ１からステップＳ４を行うことにより、第１の基板処理室４０ａの基板をウェハＷ１からウェハＷ３に交換する作業を行うことができる。図２に示すように、第１の基板処理室４０ａから処理済みウェハであるウェハＷ１を搬出するステップであるステップＳ１から、第１の基板処理室４０ａへ未処理ウェハであるウェハＷ３を搬入するステップの直前のステップであるステップＳ３までの３ステップの間、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理を行うことができ、その間に搬送装置８０は、第１のロードロック室６０ａの基板をウェハＷ３からウェハＷ１に交換する作業を行うことができる。
その後、ステップＳ５からステップＳ８を行うことにより、今度は第２の基板処理室４０ｂの基板をウェハＷ２からウェハＷ４に交換する作業を行うことができる。図２に示すように、第２の基板処理室４０ｂから処理済みウェハであるウェハＷ２を搬出するステップであるステップＳ５から、第２の基板処理室４０ｂへ未処理ウェハであるウェハＷ４を搬入するステップの直前のステップであるステップＳ７までの３ステップの間、第２の基板処理室４０ｂのクリーニング処理を行うことができ、その間に搬送装置８０は、第２のロードロック室６０ｂの基板をウェハＷ４からウェハＷ２に交換する作業を行うことができる。
また、ステップＳ５からステップＳ７の間は、第１の基板処理室４０ａでウェハＷ３の基板処理を行うことができる。
なお、第１、第２の２つの基板処理室４０ａ、４０ｂ、第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂを使用する場合には、ステップＳ９以降において、ステップＳ１からステップＳ８と同様の動作を繰り返すことができる。すなわち、２つの基板処理室及び２つのロードロック室を備えた基板処理装置において、基板処理も含めた基板処理室の処理の最小単位は、ステップＳ１からステップＳ８の８ステップである。
次に、図４から図６を参照し、本実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法において、搬送装置を待機させず、搬送装置のスループットを向上させることができる作用効果について説明する。
始めに、図４及び図５を参照し、本実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法において、搬送装置を待機させずに基板交換を行うことができる作用効果を、従来の基板交換方法と比較して説明する。
図４は、従来の基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。図５は、従来の基板交換方法を説明するための図であり、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに搬送部材及びウェハの動きを模式的に説明する平面図である。
図４に示すタイムチャートでも、図２に示すタイムチャートと同様に、上の行から順に、ステップ番号、搬送装置８０の第１の搬送部材８０ａの支持ウェハのウェハ番号、搬送装置８０の第２の搬送部材８０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの状態、第２の基板処理室４０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２の基板処理室４０ｂの状態、第１のロードロック室６０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１のロードロック室６０ａの状態、第２のロードロック室６０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２のロードロック室６０ｂの状態を表す。図５（ａ）は、ステップＳ１´を開始する直前（ステップＳ１´の直前のステップＳ０´が終了した時）の状態を示す。図５（ｂ）から図５（ｅ）のそれぞれは、ステップＳ１´からステップＳ４´が終了した時の状態を示す。
従来の基板処理装置の基板交換作業の最小単位も、図４に示されるステップＳ１´からステップＳ４´を含む。ステップＳ１´は、図４のステップＳ１´の列及び図５（ｂ）に示すように、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。ステップＳ４´は、図４のステップＳ４´の列及び図５（ｅ）に示すように、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。また、図４のステップＳ１´の列からステップＳ３´の列に示すように、ステップＳ１´からステップＳ３´までの間、第１の基板処理室４０ａではクリーニング処理が行われる。
しかしながら、従来の基板処理装置の基板交換作業においては、ステップＳ１´の前のステップＳ０´において、図４及び図５（ａ）に示すように、予め第２の搬送部材８０ｂにウェハＷ３が支持された状態になっている。また、図５（ｂ）に示すステップＳ１´を行ってウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出した後、図５（ｅ）に示すステップＳ５´を行ってウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａに搬入する前に、搬送装置８０に他の作業をさせることがない。従って、図５（ｃ）に示すステップＳ２´、図５（ｄ）に示すステップＳ３´において、第１の基板処理室４０ａでクリーニング処理が行われる間、搬送措置８０は、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂにウェハを支持したまま、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理が終了するまで待機する。
その結果、本実施の形態と同様に、第１、第２の基板処理室４０ａ、４０ｂ、第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂを備えた基板処理装置における搬送装置８０を動作させる場合、ステップＳ２´、ステップＳ３´で他の作業を行うことができないことに起因して、第１、第２の基板処理室４０ａ、４０ｂで待ち時間が発生する。例えば図４の例では、ステップＳ４´を行った後、第１の基板処理室４０ａで基板処理を行う場合、本実施の形態と同様にステップＳ５´からステップＳ７´の間、基板処理を行っても、その後すぐにウェハＷ３を第１の基板処理室４０ａから搬出することができない。搬送装置８０が、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂがウェハＷ２、ウェハＷ４を支持した状態で、第２の基板処理室４０ｂのクリーニング処理が終了するまで待機しているからである。その結果、基板処理も含めた基板処理室の処理の最小単位は、ステップＳ１からステップＳ１２の１２ステップとなる。また、基板処理も含めた基板処理室の処理の最小単位に要する時間は、後述する基板処理装置のスループットの説明における律速時間Ｔ０であり、Ｔ０の中に基板処理室のクリーニング処理の待ち時間が含まれている。
一方、前述したように、本実施の形態では、基板処理も含めた基板処理室の処理の最小単位は、ステップＳ１からステップＳ８の８ステップである。従って、同一の時間のクリーニング処理を行う場合、本実施の形態の方が、１つの基板処理室におけるウェハ１枚の基板処理に要する時間を短縮することができる。また、本実施の形態では、基板処理も含めた基板処理室の処理の最小単位に要する時間は、後述する律速時間Ｔ１に相当する時間であり、Ｔ１の中に基板処理室のクリーニング処理の待ち時間は含まれていない。
次に、図６を参照し、本実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法において、基板処理装置全体のスループットを向上させ、搬送装置が本来有するスループットを発揮させることができる作用効果を、従来の基板交換方法と比較して説明する。
図６は、本実施の形態に係る基板交換方法及び従来の基板交換方法における１枚当たりの基板処理時間と基板処理装置のスループットとの関係を模式的に示すグラフである。図６（ａ）は、本実施の形態に係る基板交換方法について示し、図６（ｂ）は、従来の基板交換方法について示している。
基板処理装置のスループットは１枚当たりの基板処理時間に逆比例すると仮定したとき、１枚当たりの基板処理時間が短くなるほど、基板処理装置のスループットは大きくなる。しかし、基板処理時間以外の待ち時間等を含むある時間Ｔ０が律速時間Ｔ０であるとした場合、基板処理時間がＴ０より短くなったとしても、基板処理装置のスループットを律速時間Ｔ０に対応するスループットＰ０よりも大きくすることはできない。図６（ｂ）に示すように、従来の基板交換方法では、基板処理室のクリーニング処理の待ち時間を含む時間Ｔ０が律速時間であった。
一方、本実施の形態に係る基板交換方法では、前述したように、基板処理室のクリーニング処理を含まないある時間Ｔ１が律速時間となる。基板処理室のクリーニング処理を含まない律速時間Ｔ１は、基板処理室のクリーニング処理を含む律速時間Ｔ０よりも小さい。すなわち、Ｔ１＜Ｔ０である。従って、図６（ａ）に示すように、基板処理室のクリーニング処理を含まない律速時間Ｔ１に対応する基板処理装置のスループットＰ１は、基板処理室のクリーニング処理を含む律速時間Ｔ０に対応する基板処理装置のスループットＰ０よりも大きい。すなわち、Ｐ１＞Ｐ０である。従って、本実施の形態に係る基板交換方法によれば、基板処理装置全体のスループットを向上させ、搬送装置が本来有するスループットを発揮させることができる。
更に、本実施の形態に係る基板交換方法では、基板処理室のクリーニング処理の時間を更に長くしても、律速時間Ｔ１はほとんど増加せず、基板処理装置のスループットＰ１はほとんど減少しない。従って、従来の基板処理装置と同じスループットを確保しながら、基板処理室のクリーニング処理を充分長く行うことができる。
なお、本実施の形態では、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出するステップＳ２を行った後、ステップＳ３において、ウェハＷ１を、ウェハＷ３を搬出した第１のロードロック室６０ａへ搬入する。しかしながら、ステップＳ３において、ウェハＷ１を、第１の搬送部材８０ａにより、第１のロードロック室６０ａ以外のロードロック室へ搬入してもよく、例えば第２のロードロック室６０ｂへ搬入してもよい。
また、ステップＳ２とステップＳ３の動作を逆順に行ってもよい。すなわち、ステップＳ２において、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第２のロードロック室６０ｂへ搬入し、次に、ステップＳ３において、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出してもよい。更に、ステップＳ１を開始する際に、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂ、第１、第２のロードロック室６０ａ、６０ｂの第１、第２のそれぞれを互いに入れ替えて各ステップの動作を行ってもよい。
（実施の形態の第１の変形例）
次に、図７を参照し、本発明の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理装置の基板交換方法について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法は、第１の基板処理室のウェハを処理済みウェハから未処理ウェハへ交換する第１の搬出工程と第１の搬入工程との間に、４つのステップを行う点で、実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法と相違する。すなわち、実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法において、第１の搬出工程を行った後、第１の搬入工程を行う前に、第２の搬出工程と、第２の搬入工程という２つのステップを行うのと相違し、本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法では、第１の搬出工程と第１の搬入工程との間に、第２の搬出工程と、第２の搬入工程という２つのステップを行うのに加え、第１の搬出工程と第２の搬出工程との間に、第３の搬入工程を行い、第２の搬入工程と第１の搬入工程との間に、第３の搬出工程を行う。
すなわち、本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法では、第１の搬出工程を行った後、第１の搬入工程を行う前に、第３の搬入工程、第２の搬出工程、第２の搬入工程、第３の搬出工程の４つのステップを行う。
また、本変形例に係る基板交換方法を行うことができる基板処理装置は、複数の基板処理室と、ロードロック室と、基板を搬送する２つの搬送部材を有し、２つの搬送部材により基板を複数の基板処理室及びロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部とを備えている。すなわち、図１に示す基板処理装置において、少なくとも２つの基板処理室を備え、少なくとも１つのロードロック室を備えていればよい。また、本変形例では、一例として、３つの基板処理室と２つのロードロック室を備えている場合について説明する。
また、実施の形態と同様に、以下、搬送装置というときは、処理ユニット側搬送装置のことを指すものとする。
図７は、本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。
図７に示すタイムチャートでは、上の行から順に、ステップ番号、搬送装置８０の第１の搬送部材８０ａの支持ウェハのウェハ番号、搬送装置８０の第２の搬送部材８０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの状態、第２の基板処理室４０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２の基板処理室４０ｂの状態、第３の基板処理室４０ｃの支持ウェハのウェハ番号、第３の基板処理室４０ｃの状態、第１のロードロック室６０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１のロードロック室６０ａの状態、第２のロードロック室６０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２のロードロック室６０ｂの状態を表す。
本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法の最小単位は、図７に示されるステップＳ１０１からステップＳ１０６を含む。ステップＳ１０１からステップＳ１０６のそれぞれは、順に、本発明における第１の搬出工程、第３の搬入工程、第２の搬出工程、第２の搬入工程、第３の搬出工程及び第１の搬入工程の各工程に相当する。
ステップＳ１０１は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。ステップＳ１０２は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第２の基板処理室４０ｂへ搬入する工程である。ステップＳ１０３は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出する工程である。ステップＳ１０４は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａへ搬入する工程である。ステップＳ１０５は、ウェハＷ２を第１の搬送部材８０ａにより第３の基板処理室４０ｃから搬出する工程である。ステップＳ１０６は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。また、ウェハＷ１は、本発明における第１の基板に相当し、ウェハＷ４は、本発明における第２の基板に相当し、ウェハＷ３は、本発明における第３の基板に相当し、ウェハＷ２は、本発明における第４の基板に相当する。
ステップＳ１０１を開始する前の状態は、図７のステップＳ１００が終了した状態、すなわち、第１の基板処理室４０ａでウェハＷ１の基板処理を行った後の状態である。図７のステップＳ１００の列に示すように、第１の搬送部材８０ａにはウェハが支持されておらず、第２の搬送部材８０ｂには未処理ウェハとしてウェハＷ３が支持されており、第１の基板処理室４０ａには処理済みウェハとしてウェハＷ１が支持されており、第２の基板処理室４０ｂにはウェハが支持されておらず、第３の基板処理室４０ｃには処理中のウェハとしてウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａには未処理ウェハとしてウェハＷ４が支持されている。
最初に、ステップＳ１０１を行う。ステップＳ１０１は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。第１の基板処理室４０ａの基板処理が完了している状態で、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを開き、第１の搬送部材８０ａを第１の基板処理室４０ａ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａに支持されているウェハＷ１を支持し、ウェハＷ１を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第１の基板処理室４０ａ内から退却させ、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じる。図７のステップＳ１０１の列に示すように、ステップＳ１０１が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第１、第２の基板処理室４０ａ、４０ｂにはウェハが支持されておらず、第３の基板処理室４０ｃには処理中のウェハとしてウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａには未処理ウェハとしてウェハＷ４が支持されている。
ここで、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じた後、載置台４２ａにウェハが支持されていない状態で、第１の基板処理室４０ａにおいて、クリーニング処理を開始する。実施の形態と同様に、例えば、第１の基板処理室４０ａに設けられた図示しないプラズマ発生手段を用い、第１の基板処理室４０ａ内にプラズマを発生させ、成膜処理等の基板処理の間に第１の基板処理室４０ａの内壁に付着した付着物をエッチング除去することによって、クリーニング処理を行うことができる。
次に、ステップＳ１０２を行う。ステップＳ１０２は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第２の基板処理室４０ｂへ搬入する工程である。第２の基板処理室４０ｂのクリーニング処理が終了している状態で、第２の基板処理室４０ｂのゲートバルブ４４ｂを開き、ウェハＷ３を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第２の基板処理室４０ｂ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第２の基板処理室４０ｂの載置台４２ｂにウェハＷ３を支持させ、ウェハを支持していない第２の搬送部材８０ｂを第２の基板処理室４０ｂ内から退却させ、第２の基板処理室４０ｂのゲートバルブ４４ｂを閉じる。図２のステップＳ１０２の列に示すように、ステップＳ１０２が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ４が支持されている。
また、ステップＳ１０２を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ１０３を行う。ステップＳ１０３は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出する工程である。第１のロードロック室６０ａが真空の状態で、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを開き、第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａに支持されているウェハＷ４を支持し、ウェハＷ４を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内から退却させ、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを閉じる。図７のステップＳ１０３の列に示すように、ステップＳ１０３が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ４が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハが支持されていない。
また、ステップＳ１０３を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ１０４を行う。ステップＳ１０４は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａへ搬入する工程である。第１のロードロック室６０ａが真空の状態で、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを開き、ウェハＷ１を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第１のロードロック室６０ａ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａにウェハＷ１を支持させ、ウェハを支持していない第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内から退却させ、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを閉じる。図７のステップＳ１０４に示すように、ステップＳ１０４が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハが支持されておらず、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ４が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されている。
また、ステップＳ１０４を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ１０５を行う。ステップＳ１０５は、ウェハＷ２を第１の搬送部材８０ａにより第３の基板処理室４０ｃから搬出する工程である。第３の基板処理室４０ｃの基板処理が完了している状態で、第３の基板処理室４０ｃのゲートバルブ４４ｃを開き、第１の搬送部材８０ａを第３の基板処理室４０ｃ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第３の基板処理室４０ｃの載置台４２ｃに支持されているウェハＷ２を支持し、ウェハＷ２を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第３の基板処理室４０ｃ内から退却させ、第３の基板処理室４０ｃのゲートバルブ４４ｃを閉じる。図７のステップＳ１０５に示すように、ステップＳ１０５が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ２が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ４が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されている。
また、ステップＳ１０５が終了するのと略同時に、又はステップＳ１０５が終了した後、次のステップＳ１０６が開始される前に、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理を終了する。
次に、ステップＳ１０６を行う。ステップＳ１０６は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理が終了している状態で、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを開き、ウェハＷ４を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第１の基板処理室４０ａ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａにウェハＷ４を支持させ、ウェハを支持していない第２の搬送部材８０ｂを第１の基板処理室４０ａ内から退却させ、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じる。図２に示すように、ステップＳ１０６が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ２が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハＷ４が支持されており、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されている。
以上のように、ステップＳ１０１からステップＳ１０６を行うことにより、第１の基板処理室４０ａの基板をウェハＷ１からウェハＷ４に交換する作業を行うことができる。図７に示すように、第１の基板処理室４０ａから処理済みウェハであるウェハＷ１を搬出するステップＳ１から、第１の基板処理室４０ａへ未処理ウェハであるウェハＷ４を搬入するステップの直前のステップであるステップＳ１０５までの５ステップの間、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理を行うことができ、その間に搬送装置８０は、ウェハＷ３を第２の基板処理室４０ｂへ搬入し、ウェハＷ４を第１のロードロック室６０ａから搬出し、ウェハＷ１を第１のロードロック室６０ａへ搬入し、ウェハＷ２を第３の基板処理室４０ｃから搬出する作業を行うことができる。
その後、ステップＳ１０７からステップＳ１１２の動作を行うことにより、ウェハＷ５を第２のロードロック室６０ｂから搬出（ステップＳ１０７）して第３の基板処理室４０ｃへ搬入（ステップＳ１１０）する作業、ウェハＷ２を第２のロードロック室６０ｂへ搬入（ステップＳ１０８）する作業、ウェハＷ３を第２の基板処理室４０ｂから搬出（ステップＳ１０９）して第１のロードロック室６０ａへ搬入（ステップＳ１１２）する作業、ウェハＷ６を第１のロードロック室６０ａから搬出（ステップＳ１１１）する作業を行うことができる。図７に示すように、ステップＳ１０５からステップＳ１０９の５ステップの間、第３の基板処理室４０ｃのクリーニング処理を行うことができる。
また、ステップＳ１０７からステップＳ１１１の間は、第１の基板処理室４０ａでウェハＷ４の基板処理を行うことができる。
なお、第１〜第３の３つの基板処理室４０ａ〜４０ｃ、第１、第２の２つのロードロック室６０ａ、６０ｂを使用する場合には、ステップＳ１１３以降において、ステップＳ１０１からステップＳ１１２と同様の動作を繰り返すことができる。すなわち、２つの基板処理室の処理の最小単位は、ステップＳ１０１からステップＳ１１２の１２ステップである。
本変形例でも、実施の形態と同様に、搬送装置が、第１及び第２の搬送部材にウェハを支持させたまま各基板処理室のクリーニング処理が終了するのを待機することがない。従って、従来の方法に比べ、１つの基板処理室におけるウェハ１枚の基板処理に要する時間を短縮することができる。
また、本変形例でも、実施の形態で図６を用いて説明したのと同様に、基板処理室のクリーニング処理を含まない律速時間Ｔ１が、従来の基板処理室のクリーニング処理を含む律速時間Ｔ０よりも小さい。従って、本変形例に係る基板処理装置のスループットＰ１は、従来の基板処理装置のスループットＰ０より大きい。すなわち、基板処理装置全体のスループットを向上させ、搬送装置が本来有するスループットを発揮させることができる。
更に、本変形例でも、搬送装置に本来有するスループットを発揮させた状態で、実施の形態よりも長い間、各基板処理室のクリーニング処理を行うことができる。
（実施の形態の第２の変形例）
次に、図８を参照し、本発明の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理装置の基板交換方法について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法は、第１の基板処理室のウェハを処理済みウェハから未処理ウェハへ交換する第１の搬出工程と第１の搬入工程との間に、６つの別のステップを行う点で、実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法と相違する。すなわち、実施の形態に係る基板処理装置の基板交換方法において、第１の搬出工程を行った後、第１の搬入工程を行う前に、第２の搬出工程と、第２の搬入工程という２つの別のステップを行うのと相違し、本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法では、第１の搬出工程を行った後、第２の搬入工程を行う前に、第４の搬出工程を行い、第２の搬入工程を行った後、第２の搬出工程を行う前に、第４の搬入工程と、第５の搬出工程とを行い、第２の搬出工程を行った後、第１の搬入工程を行う前に、第５の搬入工程を行う。
すなわち、本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法では、第１の搬出工程を行った後、第１の搬入工程を行う前に、第４の搬出工程、第２の搬入工程、第４の搬入工程、第５の搬出工程、第２の搬出工程、第５の搬入工程の６つのステップを行う。
また、本変形例に係る基板交換方法を行うことができる基板処理装置は、複数の基板処理室と、複数のロードロック室と、基板を搬送する２つの搬送部材を有し、２つの搬送部材により基板を複数の基板処理室及び複数のロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部とを備えている。すなわち、図１に示す基板処理装置において、少なくとも２つの基板処理室を備え、少なくとも２つのロードロック室を備えていればよい。また、本変形例では、一例として、３つの基板処理室と２つのロードロック室を備えている場合について説明する。
また、実施の形態と同様に、以下、搬送装置というときは、処理ユニット側搬送装置のことを指すものとする。
図８は、本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法における、搬送部材、基板処理室及びロードロック室の支持ウェハの有無並びに基板処理室及びロードロック室の内部の状態を説明するタイムチャートである。
なお、図８に示すタイムチャートでは、上の行から順に、ステップ番号、搬送装置８０の第１の搬送部材８０ａの支持ウェハのウェハ番号、搬送装置８０の第２の搬送部材８０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１の基板処理室４０ａの状態、第２の基板処理室４０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２の基板処理室４０ｂの状態、第３の基板処理室４０ｃの支持ウェハのウェハ番号、第３の基板処理室４０ｃの状態、第１のロードロック室６０ａの支持ウェハのウェハ番号、第１のロードロック室６０ａの状態、第２のロードロック室６０ｂの支持ウェハのウェハ番号、第２のロードロック室６０ｂの状態を表す。
本変形例に係る基板処理装置の基板交換方法の最小単位は、図８に示されるステップＳ２０１からステップＳ２０８を含む。ステップＳ２０１からステップＳ２０８のそれぞれは、本発明における第１の搬出工程、第４の搬出工程、第２の搬入工程、第４の搬入工程、第５の搬出工程、第２の搬出工程、第５の搬入工程及び第１の搬入工程の各工程に相当する。
ステップＳ２０１は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。ステップＳ２０２は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出する工程である。ステップＳ２０３は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａへ搬入する工程である。ステップＳ２０４は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第２の基板処理室４０ｂへ搬入する工程である。ステップＳ２０５は、ウェハＷ２を第１の搬送部材８０ａにより第３の基板処理室４０ｃから搬出する工程である。ステップＳ２０６は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第２のロードロック室６０ｂから搬出する工程である。ステップＳ２０７は、ウェハＷ２を第１の搬送部材８０ａにより第２のロードロック室６０ｂへ搬入する工程である。ステップＳ２０８は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。また、ウェハＷ１は、本発明における第１の基板に相当し、ウェハＷ４は、本発明における第２の基板に相当し、ウェハＷ３は、本発明における第３の基板に相当し、ウェハＷ２は、本発明における第４の基板に相当する。
ステップＳ２０１を開始する前の状態は、図８のステップＳ２００が終了した状態、すなわち、第１の基板処理室４０ａでウェハＷ１の基板処理を行った後の状態である。図８のステップＳ２００の列に示すように、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａには処理済みウェハとしてウェハＷ１が支持されており、第２の基板処理室４０ｂにはウェハが支持されておらず、第３の基板処理室４０ｃには未処理ウェハとしてウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａには未処理ウェハとしてウェハＷ３が支持されている。なお、第２のロードロック室６０ｂには、ウェハが支持されていなくてもよく、支持されていてもよい。
最初に、ステップＳ２０１を行う。ステップＳ２０１は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａから搬出する工程である。第１の基板処理室４０ａの基板処理が完了している状態で、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを開き、第１の搬送部材８０ａを第１の基板処理室４０ａ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａに支持されているウェハＷ１を支持し、ウェハＷ１を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第１の基板処理室４０ａ内から退却させ、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じる。図８のステップＳ２０１の列に示すように、ステップＳ２０１が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１、第２の基板処理室４０ａ、４０ｂにはウェハが支持されておらず、第３の基板処理室４０ｃには処理中のウェハとしてウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａには未処理ウェハとしてウェハＷ３が支持されている。なお、第２のロードロック室６０ｂには、ウェハが支持されていなくてもよく、支持されていてもよい。
ここで、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じた後、載置台４２ａにウェハが支持されていない状態で、第１の基板処理室４０ａにおいて、クリーニング処理を開始する。実施の形態と同様に、例えば、第１の基板処理室４０ａに設けられた図示しないプラズマ発生手段を用い、第１の基板処理室４０ａ内にプラズマを発生させ、成膜処理等の基板処理の間に第１の基板処理室４０ａの内壁に付着した付着物をエッチング除去することによって、クリーニング処理を行うことができる。
次に、ステップＳ２０２を行う。ステップＳ２０２は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａから搬出する工程である。第１のロードロック室６０ａが真空の状態で、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを開き、第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａに支持されているウェハＷ３を支持し、ウェハＷ３を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第１のロードロック室６０ａ内から退却させ、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを閉じる。図８のステップＳ２０２の列に示すように、ステップ２０２が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第１、第２の基板処理室４０ａ、４０ｂにはウェハが支持されておらず、第３の基板処理室４０ｃにはウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハが支持されておらず、第２のロードロック室６０ｂにはウェハＷ４が支持されている。
また、ステップＳ２０２を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ２０３を行う。ステップＳ２０３は、ウェハＷ１を第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａへ搬入する工程である。第１のロードロック室６０ａが真空の状態で、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを開き、ウェハＷ１を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第１のロードロック室６０ａ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第１のロードロック室６０ａの載置台６２ａにウェハＷ１を支持させ、ウェハを支持していない第１の搬送部材８０ａを第１のロードロック室６０ａ内から退却させ、第１のロードロック室６０ａの搬送室５０側のゲートバルブ５４ａを閉じる。図８のステップＳ２０３の列に示すように、ステップＳ２０３が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハが支持されておらず、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第１、第２の基板処理室４０ａ、４０ｂにはウェハが支持されておらず、第３の基板処理室４０ｃにはウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２のロードロック室６０ｂにはウェハＷ４が支持されている。
また、ステップＳ２０３を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ２０４を行う。ステップＳ２０４は、ウェハＷ３を第２の搬送部材８０ｂにより第２の基板処理室４０ｂへ搬入する工程である。第２の基板処理室４０ｂのクリーニング処理が終了している状態で、第２の基板処理室４０ｂのゲートバルブ４４ｂを開き、ウェハＷ３を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第２の基板処理室４０ｂに進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第２の基板処理室４０ｂの載置台４２ｂにウェハＷ３を載置し、ウェハを支持していない第２の搬送部材８０ｂを第２の基板処理室４０ｂから退却させ、第２の基板処理室４０ｂのゲートバルブ４４ｂを閉じる。図８のステップＳ２０４の列に示すように、ステップＳ２０４が行われた後は、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハＷ２が支持されており、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２のロードロック室６０ｂにはウェハＷ４が支持されている。
また、ステップＳ２０４を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ２０５を行う。ステップＳ２０５は、ウェハＷ２を第１の搬送部材８０ａにより第３の基板処理室４０ｃから搬出する工程である。第３の基板処理室４０ｃの基板処理が完了している状態で、第３の基板処理室４０ｃのゲートバルブ４４ｃを開き、第１の搬送部材８０ａを第３の基板処理室４０ｃ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第３の基板処理室４０ｃの載置台４２ｃに支持されているウェハＷ２を支持し、ウェハＷ２を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第３の基板処理室４０ｃから退却させ、第３の基板処理室４０ｃのゲートバルブ４４ｃを閉じる。図８のステップＳ２０５の列に示すように、ステップＳ２０５が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ２が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ１が支持されており、第２のロードロック室６０ｂにはウェハＷ４が支持されている。
また、ステップＳ２０５を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ２０６を行う。ステップＳ２０６は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第２のロードロック室６０ｂから搬出する工程である。第２のロードロック室６０ｂの内部が真空の状態で、第２のロードロック室６０ｂの搬送室５０側のゲートバルブ５４ｂを開き、第２の搬送部材８０ｂを第２のロードロック室６０ｂ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第２のロードロック室６０ｂの載置台６２ｂに支持されているウェハＷ４を支持し、ウェハＷ４を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第２のロードロック室６０ｂ内から退却させ、第２のロードロック室６０ｂの搬送室５０側のゲートバルブ５４ｂを閉じる。図８のステップＳ２０６の列に示すように、ステップＳ２０６が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハＷ２が支持されており、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ４が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ５が支持されており、第２のロードロック室６０ｂにはウェハが支持されていない。
また、ステップＳ２０６を行う間、第１の基板処理室４０ａの内部では、引き続きクリーニング処理が行われている。
次に、ステップＳ２０７を行う。ステップＳ２０７は、ウェハＷ２を第１の搬送部材８０ａにより第２のロードロック室６０ｂへ搬入する工程である。第２のロードロック室６０ｂの内部が真空の状態で、第２のロードロック室６０ｂの搬送室５０側のゲートバルブ５４ｂを開き、ウェハＷ２を支持したまま第１の搬送部材８０ａを第２のロードロック室６０ｂ内に進出させ、第１の搬送部材８０ａにより第２のロードロック室６０ｂの載置台６２ｂにウェハＷ２を支持させ、ウェハを支持していない第１の搬送部材８０ａを第２のロードロック室６０ｂ内から退却させ、第２のロードロック室６０ｂの搬送室５０側のゲートバルブ５４ｂを閉じる。図８のステップＳ２０７の列に示すように、ステップＳ２０７が行われた後は、第１の搬送部材８０ａにはウェハが支持されておらず、第２の搬送部材８０ｂにはウェハＷ４が支持されており、第１の基板処理室４０ａにはウェハが支持されておらず、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ５が支持されており、第２のロードロック室６０ｂにはウェハＷ２が支持されている。
また、ステップＳ２０７が終了するのと略同時に、又はステップＳ２０７が終了した後、次のステップＳ２０８が開始される前に、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理を終了する。
次に、ステップＳ２０８を行う。ステップＳ２０８は、ウェハＷ４を第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａへ搬入する工程である。第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理が終了している状態で、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを開き、ウェハＷ４を支持したまま第２の搬送部材８０ｂを第１の基板処理室４０ａ内に進出させ、第２の搬送部材８０ｂにより第１の基板処理室４０ａの載置台４２ａにウェハＷ４を支持させ、ウェハを支持していない第２の搬送部材８０ｂを第１の基板処理室４０ａ内から退却させ、第１の基板処理室４０ａのゲートバルブ４４ａを閉じる。図８に示すように、ステップＳ２０８が行われた後は、第１、第２の搬送部材８０ａ、８０ｂにはウェハが支持されておらず、第１の基板処理室４０ａにはウェハＷ４が支持されており、第２の基板処理室４０ｂにはウェハＷ３が支持されており、第３の基板処理室４０ｃにはウェハが支持されておらず、第１のロードロック室６０ａにはウェハＷ５が支持されており、第２のロードロック室６０ｂにはウェハＷ２が支持されている。
以上のように、ステップＳ２０１からステップＳ２０８を行うことにより、第１の基板処理室４０ａの基板をウェハＷ１からウェハＷ４に交換する作業を行うことができる。図８に示すように、第１の基板処理室４０ａから処理済みウェハであるウェハＷ１を搬出するステップＳ２０１から、第１の基板処理室４０ａへ未処理ウェハであるウェハＷ４を搬入するステップの直前のステップであるステップ２０７までの７ステップの間、第１の基板処理室４０ａのクリーニング処理を行うことができ、その間に搬送装置８０は、ウェハＷ３を第１のロードロック室６０ａから搬出し、ウェハＷ１を第１のロードロック室６０ａへ搬入し、ウェハＷ３を第２の基板処理室４０ｂへ搬入し、ウェハＷ２を第３の基板処理室４０ｃから搬出し、ウェハＷ４を第２のロードロック室６０ｂから搬出し、ウェハＷ２を第２のロードロック室６０ｂへ搬入する作業を行うことができる。
その後、ステップＳ２０９からステップＳ２１２を行うことにより、ウェハＷ３を第２の基板処理室４０ｂから搬出する（ステップＳ２０９）等の作業を行うことができる。図８に示すように、ステップＳ２０５からステップＳ２１１の７ステップの間、第３の基板処理室４０ｃのクリーニング処理を行うことができる。
また、ステップＳ２０９からステップＳ２１１の間は、第１の基板処理室４０ａでウェハＷ４の基板処理を行うことができる。
なお、第１〜第３の３つの基板処理室４０ａ〜４０ｃ、第１、第２の２つのロードロック室６０ａ、６０ｂを使用する場合には、ステップＳ２１３以降において、ステップＳ２０１からステップＳ２１２と同様の動作を繰り返すことができる。すなわち、１つの基板処理室の処理の最小単位は、ステップＳ２０１からステップＳ２１２の１２ステップである。
本変形例でも、実施の形態と同様に、搬送装置が、第１及び第２の搬送部材にウェハを支持したまま各基板処理室のクリーニング処理が終了するのを待機することがない。従って、従来の方法に比べ、１つの基板処理室におけるウェハ１枚の基板処理に要する時間を短縮することができる。
また、本変形例でも、実施の形態で図６を用いて説明したのと同様に、基板処理室のクリーニング処理を含まない律速時間Ｔ１が、従来の基板処理室のクリーニング処理を含む律速時間Ｔ０よりも小さい。従って、本半径例に係る基板処理装置のスループットＰ１は、従来の基板処理装置のスループットＰ０より大きい。すなわち、基板処理装置全体のスループットを向上させ、搬送装置が本来有するスループットを発揮させることができる。
更に、本変形例でも、搬送装置に本来有するスループットを発揮させた状態で、実施の形態及び実施の形態の第１の変形例よりも長い間、各基板処理室のクリーニング処理を行うことができる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 処理ユニット
２０ 搬送ユニット
３０ 搬送室
３２ａ、３２ｂ カセット台
３４ａ、３４ｂ カセット容器
３６ａ、３６ｂ ゲートバルブ
３７ オリエンタ
４０ａ〜４０ｆ 基板処理室
４２ａ〜４２ｆ 載置台
４４ａ〜４４ｆ ゲートバルブ
５０ 搬送室
５４ａ、５４ｂ ゲートバルブ
６０ａ、６０ｂ ロードロック室
６２ａ、６２ｂ 載置台
６４ａ、６４ｂ ゲートバルブ
７０ 搬送ユニット側搬送装置
８０ 処理ユニット側搬送装置（搬送装置）
８０ａ 第１の搬送部材
８０ｂ 第２の搬送部材
９０ 制御部
１００ 基板処理装置
Ｗ、Ｗ１〜Ｗ６ ウェハ

Claims (8)

  1. 基板処理室と、ロードロック室と、２つの搬送部材により基板を前記基板処理室及び前記ロードロック室に搬入出可能な搬送装置とを備えた基板処理装置における、前記基板処理室で処理する基板の交換を行う基板交換方法において、
    第１の基板を第１の搬送部材により前記基板処理室から搬出する第１の搬出工程と、
    第２の基板を第２の搬送部材により前記基板処理室へ搬入する第１の搬入工程と
    を有し、
    前記第１の搬出工程を行った後、前記第１の搬入工程を行う前に、
    前記第２の基板を前記第２の搬送部材によりロードロック室から搬出する第２の搬出工程と、
    前記第１の基板を前記第１の搬送部材によりロードロック室へ搬入する第２の搬入工程と
    を行うことを特徴とする基板交換方法。
  2. 前記第２の搬入工程において、前記第２の搬出工程を行った後、前記第２の搬出工程で前記第２の基板を搬出したロードロック室へ前記第１の基板を搬入することを特徴とする請求項１に記載の基板交換方法。
  3. 前記基板処理装置は、複数の基板処理室を備え、
    前記第１の搬出工程を行った後、前記第２の搬出工程を行う前に、第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入する第３の搬入工程と、
    前記第２の搬入工程を行った後、前記第１の搬入工程を行う前に、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出する第３の搬出工程と
    を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板交換方法。
  4. 前記基板処理装置は、複数のロードロック室を備え、
    前記第２の搬入工程において、前記第１の基板を第１のロードロック室へ搬入し、
    前記第２の搬出工程において、前記第２の搬入工程を行った後、前記第２の基板を第２のロードロック室から搬出することを特徴とする請求項１に記載の基板交換方法。
  5. 前記基板処理装置は、複数の基板処理室を備え、
    前記第１の搬出工程を行った後、前記第２の搬入工程を行う前に、
    第３の基板を前記第２の搬送部材により前記第１のロードロック室から搬出する第４の搬出工程を行い、
    前記第２の搬入工程を行った後、前記第２の搬出工程を行う前に、
    前記第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入する第４の搬入工程と、
    第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出する第５の搬出工程とを行い、
    前記第２の搬出工程を行った後、前記第１の搬入工程を行う前に、
    前記第４の基板を前記第１の搬送部材により前記第２のロードロック室に搬入する第５の搬入工程を行うことを特徴とする請求項４に記載の基板交換方法。
  6. 基板処理室と、
    ロードロック室と、
    基板を搬送する２つの搬送部材を有し、該２つの搬送部材により基板を前記基板処理室及び前記ロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、
    前記搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部と
    を備えた基板処理装置において、
    前記制御部は、
    第１の基板を第１の搬送部材により前記基板処理室から搬出した後、第２の基板を第２の搬送部材により前記基板処理室へ搬入する前に、
    前記第２の基板を前記第２の搬送部材により前記ロードロック室から搬出し、次に、前記第１の基板を前記第１の搬送部材により前記ロードロック室へ搬入するように、
    前記搬送装置による基板の搬入出を制御することを特徴とする基板処理装置。
  7. 複数の基板処理室と、
    ロードロック室と、
    基板を搬送する２つの搬送部材を有し、該２つの搬送部材により基板を前記複数の基板処理室及び前記ロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、
    前記搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部と
    を備えた基板処理装置において、
    前記制御部は、
    第１の基板を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出した後、第２の基板を第２の搬送部材により前記第１の基板処理室へ搬入する前に、
    第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入し、次に、前記第２の基板を前記第２の搬送部材により前記ロードロック室から搬出し、次に、前記第１の基板を前記第１の搬送部材により前記ロードロック室へ搬入し、次に、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出するように、
    前記搬送装置による基板の搬入出を制御することを特徴とする基板処理装置。
  8. 複数の基板処理室と、
    複数のロードロック室と、
    基板を搬送する２つの搬送部材を有し、該２つの搬送部材により基板を前記複数の基板処理室及び前記複数のロードロック室に搬入出可能な搬送装置と、
    前記搬送装置による基板の搬入出を制御する制御部と
    を備えた基板処理装置において、
    前記制御部は、
    第１の基板を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出した後、第２の基板を第２の搬送部材により前記第１の基板処理室へ搬入する前に、
    第３の基板を前記第２の搬送部材により第１のロードロック室から搬出し、次に、前記第１の基板を前記第１の搬送部材により前記第１のロードロック室へ搬入し、次に、前記第３の基板を前記第２の搬送部材により第２の基板処理室へ搬入し、次に、第４の基板を前記第１の搬送部材により第３の基板処理室から搬出し、次に、前記第２の基板を前記第２の搬送部材により第２のロードロック室から搬出し、次に、前記第４の基板を前記第１の搬送部材により前記第２のロードロック室に搬入するように、
    前記搬送装置による基板の搬入出を制御することを特徴とする基板処理装置。
JP2009089509A 2009-04-01 2009-04-01 基板交換方法及び基板処理装置 Active JP4707749B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089509A JP4707749B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 基板交換方法及び基板処理装置
KR1020100022633A KR101170357B1 (ko) 2009-04-01 2010-03-15 기판 교환 방법 및 기판 처리 장치
US12/732,451 US8663489B2 (en) 2009-04-01 2010-03-26 Substrate replacing method and substrate processing apparatus
TW099109775A TWI427729B (zh) 2009-04-01 2010-03-31 The method of exchanging the substrate and a substrate processing apparatus
CN2010101511538A CN101859723B (zh) 2009-04-01 2010-04-01 基板交换方法以及基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089509A JP4707749B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 基板交換方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010245127A JP2010245127A (ja) 2010-10-28
JP4707749B2 true JP4707749B2 (ja) 2011-06-22

Family

ID=42825327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009089509A Active JP4707749B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 基板交換方法及び基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8663489B2 (ja)
JP (1) JP4707749B2 (ja)
KR (1) KR101170357B1 (ja)
CN (1) CN101859723B (ja)
TW (1) TWI427729B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101717409B1 (ko) * 2009-03-18 2017-03-16 에바텍 어드벤스드 테크놀로지스 아크티엔게젤샤프트 태양 전지 패널의 인라인 제조 방법
CN102479877A (zh) * 2010-11-19 2012-05-30 金元求 太阳能电池制造装置及其系统及太阳能电池
JP2013191802A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
JP2013197232A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体。
JP6013792B2 (ja) * 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置
CN103515172B (zh) * 2012-06-22 2016-07-20 日新离子机器株式会社 离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法
JP6002532B2 (ja) * 2012-10-10 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
CN105762100A (zh) * 2014-12-17 2016-07-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于真空加工设备的基片传输方法
KR102173658B1 (ko) * 2016-11-30 2020-11-03 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템
TWI768849B (zh) 2017-10-27 2022-06-21 美商應用材料股份有限公司 具有空間分離的單個晶圓處理環境
KR20200118319A (ko) * 2019-04-05 2020-10-15 주식회사 디엠에스 기판 이송장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2001160584A (ja) * 1995-12-12 2001-06-12 Tokyo Electron Ltd 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置
JP2002541657A (ja) * 1999-04-02 2002-12-03 シリコン ヴァレイ グループ サーマル システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム
JP2004265947A (ja) * 2003-02-24 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
JP2005019960A (ja) * 2003-06-02 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2007088279A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び方法
JP2008166370A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置、基板載置棚および基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306761A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板交換方法
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
JP3193904B2 (ja) * 1997-08-01 2001-07-30 株式会社日立国際電気 基板搬送制御方法及び基板製品の製造方法
JP3384292B2 (ja) 1997-08-20 2003-03-10 株式会社日立製作所 真空処理装置の運転方法及び真空処理装置
TW418429B (en) * 1998-11-09 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
KR100595135B1 (ko) 2004-12-29 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 두 개의 웨이퍼 이송용 모듈을 갖는 웨이퍼 이송장치
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
JP4925650B2 (ja) * 2005-11-28 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US7738987B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
US7949425B2 (en) * 2006-12-06 2011-05-24 Axcelis Technologies, Inc. High throughput wafer notch aligner
US20080219807A1 (en) * 2007-03-05 2008-09-11 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
US20080225261A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Noriyuki Hirayanagi Exposure apparatus and device manufacturing method
US8041450B2 (en) * 2007-10-04 2011-10-18 Asm Japan K.K. Position sensor system for substrate transfer robot
US7879698B2 (en) * 2008-03-24 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160584A (ja) * 1995-12-12 2001-06-12 Tokyo Electron Ltd 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置
JP2002541657A (ja) * 1999-04-02 2002-12-03 シリコン ヴァレイ グループ サーマル システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2004265947A (ja) * 2003-02-24 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
JP2005019960A (ja) * 2003-06-02 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2007088279A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び方法
JP2008166370A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置、基板載置棚および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8663489B2 (en) 2014-03-04
US20100252532A1 (en) 2010-10-07
TW201108346A (en) 2011-03-01
CN101859723A (zh) 2010-10-13
KR20100109844A (ko) 2010-10-11
TWI427729B (zh) 2014-02-21
JP2010245127A (ja) 2010-10-28
KR101170357B1 (ko) 2012-08-01
CN101859723B (zh) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4707749B2 (ja) 基板交換方法及び基板処理装置
JP5212165B2 (ja) 基板処理装置
JP4668286B2 (ja) 処理装置
JP2008258188A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI408766B (zh) Vacuum processing device
TWI753655B (zh) 雙裝載鎖定腔室以及包括雙裝載鎖定腔室的處理系統
JP2011071293A (ja) プロセスモジュール、基板処理装置、および基板搬送方法
JP4348921B2 (ja) 被処理体の搬送方法
KR20230010799A (ko) 시스템 생산성을 개선하기 위한 플랫폼 아키텍처
TW201707118A (zh) 基板運送方法及基板處理裝置
US11600503B2 (en) High-throughput, multi-chamber substrate processing system
JP5610009B2 (ja) 基板処理装置
JP6747136B2 (ja) 基板処理装置
JP5518550B2 (ja) 被処理体処理装置
JP2011119468A (ja) 被処理体の搬送方法および被処理体処理装置
JPH06314729A (ja) 真空処理装置
JP5614352B2 (ja) ローディングユニット及び処理システム
JP2003115518A (ja) 基板処理装置
JP2001250780A (ja) 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法
JP2010239023A (ja) 基板搬送装置及び基板処理装置
JP2008034858A (ja) 処理装置
JP4359109B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2005333076A (ja) ロードロック装置、処理システム及びその使用方法
KR20070000280A (ko) 반도체소자 제조설비의 기판 이송장치
KR20060136250A (ko) 반도체소자 제조설비의 기판 이송장치

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4707749

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250