JP2005019960A - 基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理室2と基板搬送室3の間のゲートバルブGを開く前に両方の室内の圧力が66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件にゲートバルブGを開くようにする。この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。また両方の室内のいずれもが9.98Paよりも低いことを条件にゲートバルブGを開くことも有効である。
【選択図】図15
Description
前記基板搬送装置が設けられる搬送室と、
この搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の受け渡しが行われる基板処理室と、
前記搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の搬出入が行われる搬出入室と、
前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも長い時に、第1及び第2の基板保持部により同時に基板処理室内の処理後の基板と搬出入室内の処理前の基板とを夫々受け取る動作を行い、次いで第1及び第2の基板保持部により同時に搬出入室内と基板処理室内とに対して、夫々処理後の基板と処理前の基板とを受け渡す動作を行うように、前記第1及び第2の進退駆動部と、前記第1及び第2の旋回駆動部と、を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する圧力調整用のパージガス供給手段と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する工程と、
次いで、第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開く工程と、を含むことを特徴とする。
前記基板処理室内及び搬送室内の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くことを特徴とする。
され、この第1の搬送室13には、左右に並ぶ2個のロードロック室(待機室)である予備真空室14,15を介して真空雰囲気とされる第2の搬送室16が気密に接続されている。ここで予備真空室14,15は本発明の搬出入室であるチャンバに相当する。なお図中10は壁面部を構成するパネルである。第1の搬送室13内には、ウエハWを回転させてその向きを合わせるための位置合わせステージ17,18と、カセット室11,12及び予備真空室14,15並びに位置合わせステージ17,18との間でウエハWを搬送するための第1の基板搬送装置19と、が設けられている。カセット室11,12及び第1の搬送室13は、例えば不活性ガス雰囲気とされるが、真空雰囲気としてもよい。
載置台21及び処理ガスを供給するためのガス供給部22などが設けられ、各真空チャンバ2における載置台21上に載置されるウエハWの中心部は、第2の搬送室16の中心を中心とする円の上にある。
旋回アーム41が基準位置からα度だけ回転すると中段アーム42は−2α度回転する。また中段アーム42が時計方向に回転すると、中間プーリ66が中段アーム42に対して相対的に反時計方向に回転するので、第1の基板保持部43は反時計方向に回転し、中間プーリ66と先端プーリ67との歯数比が1:2であるから、第1の基板保持部43はα度回転する。従って図6に示すように、第1の多関節アーム3Aを基準位置から伸長させて第1の基板保持部43を前進させると、第1の基板保持部43、詳しくは第1の基板保持部43に保持されるウエハWの中心位置の軌跡は、旋回中心100を通り、前記基準位置にある旋回アーム41に直交する直線を描くこととなる。
あるいは受け渡す)とは、完全に同じタイミングでウエハWを受け取る(あるいは受け渡す)場合に限らず、互いの受け取り(あるいは受け渡し)のタイミングのずれが0.5秒以内の場合も含むものとする。
そして図14に示すように、第1の基板保持部43により第1の予備真空室14にアクセスし、第1の基板保持部43に保持されている処理後のウエハW1を第1の予備真空室14に搬入する。
、その後バルブ204を開き、パーティクル剥離用のパージガスであるC4F8ガスを流量調整部203を調整して流量Q0で基板処理室2内に流入させいわばプーリパージを行う(ステップS2)。この基板搬送装置が運転されている間は開閉バルブ26は開いている状態にあるから、C4F8ガスが基板処理室2内を通流し、その粘性力により壁面や載置台21の表面に付着しているパーティクルが剥離される。
このような実施の形態によれば、搬送室2内の圧力P0及び基板処理室2内の圧力P1のいずれも66.5Pa(500mTorr)よりも小さくし、更にP0よりもP1を小さくしかつP0がP1の2倍よりも小さいこと(圧力差が2倍以内であること)を条件としてゲートバルブGを開いているので、衝撃波が十分に小さく抑えられ、このためウエハに対するパーティクルの汚染を抑制できる。また圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力及び処理ガスを供給するときの粘性力のいずれよりも大きい粘性力でパーティクル剥離防止用のパージガスを基板処理室2内に通流しているため、圧力調整用のパージガスを供給するとき、及びプロセスを行うときのいずれにおいてもガスの通流によるパージガスの剥離を抑えられ、この点からもウエハに対するパーティクルの汚染を抑制できる。
13.3Pa(100mTorr)よりも低くなるように制御しているが、この設定値は後述の実験例から分かるように9.98Pa(75mTorr)であることがより好ましい。
11,12 カセット室
13 第1の搬送室
14,15 予備真空室
16 第2の搬送室
19 第1の基板搬送装置
2(2A〜2F) 真空チャンバ
3 第2の基板搬送装置
3A 第1の多関節アーム
3B 第2の多関節アーム
25,32 圧力調整部
28,35 圧力検出部
202 パーティクル剥離用のパージガス供給源
302 圧力調整用のパージガス供給源
80 制御部
501 レーザ光照射装置
502 CCDカメラ
41,51 旋回アーム
42,52 中段アーム
43,53 基板保持部
44,54 保持部位
60,70 旋回軸
61,71 回転軸
62,72 基端プーリ
63,73 支持プーリ
66,76 中間プーリ
67,77 先端プーリ
100 旋回中心
Claims (26)
- 共通の旋回中心の回りに旋回自在な第1及び第2の旋回部と、これら第1及び第2の旋回部に夫々進退自在に設けられ、同一平面上に位置する第1及び第2の基板保持部と、これら第1及び第2の基板保持部を夫々進退させる第1及び第2の進退駆動部と、前記第1及び第2の旋回部を夫々駆動するための第1及び第2の旋回駆動部と、を備えた基板搬送装置と、
前記基板搬送装置が設けられる搬送室と、
この搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の受け渡しが行われる基板処理室と、
前記搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の搬出入が行われる搬出入室と、
前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも長い時に、第1及び第2の基板保持部により同時に基板処理室内の処理後の基板と搬出入室内の処理前の基板とを夫々受け取る動作を行い、次いで第1及び第2の基板保持部により同時に搬出入室内と基板処理室内とに対して、夫々処理後の基板と処理前の基板とを受け渡す動作を行うように、前記第1及び第2の進退駆動部と前記第1及び第2の旋回駆動部と、を制御する制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 共通の旋回中心の回りに旋回自在な第1及び第2の旋回部と、これら第1及び第2の旋回部に夫々進退自在に設けられ、同一平面上に位置する第1及び第2の基板保持部と、これら第1及び第2の基板保持部を夫々進退させる第1及び第2の進退駆動部と、前記第1及び第2の旋回部を夫々駆動するための第1及び第2の旋回駆動部と、を備えた基板搬送装置と、
前記基板搬送装置が設けられる搬送室と、
この搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の受け渡しが行われる複数の基板処理室であるチャンバと、
前記搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の搬出入が行われる搬出入室であるチャンバと、
前記基板搬送装置を第1の搬送モード又は第2の搬送モードとにより動作させるように、第1及び第2の旋回駆動部と第1及び第2の進退駆動部と、を制御する制御部と、を備え、
前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも長い時に第1の搬送モードを選択し、前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも短い時に第2の搬送モードを選択し、この選択信号に基づいて前記第1及び第2の旋回駆動部と、前記第1及び第2の進退駆動部とを、制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の搬送モードで基板の搬送を行うときには、第1及び第2の基板保持部により同時に夫々一のチャンバ内の基板と他のチャンバ内の基板とを受け取り、次いで第1及び第2の基板保持部により同時に夫々前記一のチャンバ以外のチャンバ内及び前記他のチャンバ以外のチャンバ内に基板を受け渡すことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記第2の搬送モードで基板の搬送を行うときには、第1及び第2の基板保持部の一方の基板保持部を、基板の処理が行われている基板処理室に対して基板の受け渡しを行う位置にて、当該基板処理室の処理終了まで待機させると共に、第1及び第2の基板保持部の他方の基板保持部に処理前の基板を保持させて、前記一方の基板保持部の近傍の位置に待機させ、次いで基板処理室における処理後の基板を前記一方の基板保持部により受け取った後、当該基板処理室に前記他方の基板保持部により処理前の基板を受け渡すことを特徴とする請求項2又は3記載の基板処理装置。
- 前記一のチャンバは搬出入室であり、他のチャンバは基板処理室であることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板処理室内で行われる処理のレシピを選択することにより、第1の搬送モード及び第2の搬送モードのうちからそのレシピに応じた搬送モードを選択する手段を備えたことを特徴とする請求項2ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記複数の基板処理室では同じ処理が行われることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記複数の基板処理室では異なる処理が行われることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板処理室及び搬送室は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気にされ、前記搬出入室はロードロック室であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 共通の旋回中心の回りに旋回自在な第1及び第2の旋回部と、これら第1及び第2の旋回部に夫々進退自在に設けられ、同一平面上に位置する第1及び第2の基板保持部と、これら第1及び第2の基板保持部を夫々進退させる第1及び第2の進退駆動部と、前記第1及び第2の旋回部を夫々駆動するための第1及び第2の旋回駆動部と、を備えた基板搬送装置と、前記基板搬送装置が設けられる搬送室と、この搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の受け渡しが行われる基板処理室と、前記搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の搬出入が行われる搬出入室と、を備えた基板処理装置における基板搬送方法において、
前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも長い時に、第1及び第2の基板保持部により同時に基板処理室内の処理後の基板と搬出入室内の処理前の基板とを夫々受け取る工程と、
次いで第1及び第2の基板保持部により同時に搬出入室内と基板処理室内とに対して、夫々処理後の基板と処理前の基板とを受け渡す工程と、を含むことを特徴とする基板搬送方法。 - 共通の旋回中心の回りに旋回自在な第1及び第2の旋回部と、これら第1及び第2の旋回部に夫々進退自在に設けられ、同一平面上に位置する第1及び第2の基板保持部と、これら第1及び第2の基板保持部を夫々進退させる第1及び第2の進退駆動部と、前記第1及び第2の旋回部を夫々駆動するための第1及び第2の旋回駆動部と、を備えた基板搬送装置と、前記基板搬送装置が設けられる搬送室と、この搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の受け渡しが行われる複数の基板処理室であるチャンバと、前記搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続された、前記基板搬送装置により基板の搬出入が行われる搬出入室であるチャンバと、を備えた基板処理装置における基板搬送方法において、
前記搬送室内において前記基板を前記基板処理室に第1の搬送モードで搬送して、前記基板処理室において基板に第1の処理を行う工程と、
前記搬送室内において前記基板を前記基板処理室に第2の搬送モードで搬送して、前記基板処理室において基板に第2の処理を行う工程と、を含むことを特徴とする基板搬送方法。 - 基板処理室内で行われる処理レシピに基づいて、前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも長い時に第1の搬送モードを選択し、前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも短い時に第2の搬送モードを選択する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の基板搬送方法。
- 前記第1の搬送モードにて基板の搬送を行うときは、第1及び第2の基板保持部により同時に夫々一のチャンバ内の基板と他のチャンバ内の基板とを夫々受け取る工程と、
次いで前記一のチャンバ以外のチャンバ内及び前記他のチャンバ以外のチャンバ内に夫々基板を受け渡す工程と、を含むことを特徴とする請求項11又は12記載の基板搬送方法。 - 前記第2の搬送モードにて基板の搬送を行うときは、第1及び第2の基板保持部の一方の基板保持部を、基板の処理が行われている基板処理室に対して基板の受け渡しを行う位置にて当該基板処理室の処理終了まで待機させる工程と、
第1及び第2の基板保持部の他方の基板保持部に処理前の基板を保持させて、前記一方の基板保持部の近傍の位置にて待機させる工程と、
次いで基板処理室における処理後の基板を前記一方の基板保持部により受け取り、当該基板処理室に前記他方の基板保持部により処理前の基板を受け渡す工程と、を含むことを特徴とする請求項11又は12記載の基板搬送方法。 - 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送するように構成され、基板に対して真空処理が行われる基板処理装置において、
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する圧力調整用のパージガス供給手段と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記一方の真空チャンバ内に、圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力よりも大きな粘性力でパーティクル剥離用のパージガスを供給するパーティクル剥離用のパージガス供給手段を備えたことを特徴とする請求項15記載の基板処理装置。
- 前記パーティクル剥離用のパージガスの分子量は、圧力調整用のパージガスの分子量よりも大きいことを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
- 前記パージガスが供給される一方の真空チャンバは、基板に対して真空処理するための基板処理室を構成するものであり、
前記パーティクル剥離用のパージガスの流量は、圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力及び基板処理室内に基板が搬入されている状態で当該基板処理室内に供給されるガスの粘性力のいずれよりも大きな粘性力となるように設定されることを特徴とする請求項16または17記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力するモードと、前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力するモードと、の間でモードの選択を行うことができることを特徴とする請求項15ないし18のいずれか一に記載の基板処理装置。
- 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送するように構成され、基板に対して真空処理が行われる基板処理装置において、
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの一方は基板に対して真空処理するための基板処理室を構成するものであり、
前記仕切り弁を開く前にパーティクル剥離用のパージガスを基板処理室に供給するためのパージガス供給手段を備え、
パーティクル剥離用のパージガスの流量は、前記基板処理室内に基板が搬入されている状態で前記基板処理室内に供給されるガスの粘性力よりも大きい粘性力となるように設定されることを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。 - 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送する基板搬送方法において、
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する工程と、
次いで、第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開く工程と、を含むことを特徴とする基板搬送方法。 - 前記一方の真空チャンバ内に、圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力よりも大きな粘性力となるようにパーティクル剥離用のパージガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項21記載の基板搬送方法。
- 前記パーティクル剥離用のパージガスの分子量は、圧力調整用のパージガスの分子量よりも大きいことを特徴とする請求項22記載の基板搬送方法。
- 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送する基板搬送方法において、
前記基板処理室内及び搬送室内の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くことを特徴とする基板搬送方法。 - 前記第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの一方は基板に対して真空処理するための基板処理室を構成するものであり、
前記仕切り弁を開く前にパーティクル剥離用のパージガスを基板処理室内に供給する工程を含み、
パーティクル剥離用のパージガスの流量は、前記基板処理室内に基板が搬入されている状態で前記基板処理室内に供給されるガスの粘性力よりも大きい粘性力となるように設定されることを特徴とする基板搬送方法。
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210461A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Tokyo Electron Ltd | プロセス装置の洗浄方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
JP2007027339A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009016727A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2009064873A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置における被処理体の搬送方法 |
JP2010040746A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2010245127A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板交換方法及び基板処理装置 |
WO2011040301A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
JP2011181751A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置及びプログラム |
JP2012059819A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送方法及び記憶媒体 |
JP2012174716A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
JP2013154453A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Yaskawa Electric Corp | 搬送システム |
JP2014022598A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 基板搬送装置 |
KR20140027949A (ko) * | 2011-03-11 | 2014-03-07 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 기판 처리 툴 |
KR101419948B1 (ko) | 2007-04-27 | 2014-07-16 | 니혼 덴산 산쿄 가부시키가이샤 | 산업용 로봇 및 집합 처리 장치 |
US9627184B2 (en) | 2005-01-26 | 2017-04-18 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method of processing apparatus, program for performing the method, and storage medium for storing the program |
JP2017128796A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法。 |
JP2019169740A (ja) * | 2010-11-10 | 2019-10-03 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 双腕ロボット |
CN114256048A (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体反应装置、方法及机械臂 |
CN115910886A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-04 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 传输腔、半导体设备及晶圆传输方法 |
KR20230131772A (ko) | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7018517B2 (en) | 2002-06-21 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber for vacuum processing system |
JP4647197B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
US20070269297A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
US8403613B2 (en) * | 2003-11-10 | 2013-03-26 | Brooks Automation, Inc. | Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing |
US7784164B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber method |
US7408615B2 (en) * | 2004-06-21 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7462011B2 (en) * | 2004-08-12 | 2008-12-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, sealed container storing apparatus, program for implementing the substrate processing method, and storage medium storing the program |
US8668422B2 (en) * | 2004-08-17 | 2014-03-11 | Mattson Technology, Inc. | Low cost high throughput processing platform |
JP4589853B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送システム及び基板搬送方法 |
JP4245012B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2009-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びこのクリーニング方法 |
US20080019806A1 (en) * | 2006-07-24 | 2008-01-24 | Nyi Oo Myo | Small footprint modular processing system |
US20080025821A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Applied Materials, Inc. | Octagon transfer chamber |
JP4688764B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2011-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の載置台除電方法 |
JP4825689B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2011-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
US8041450B2 (en) * | 2007-10-04 | 2011-10-18 | Asm Japan K.K. | Position sensor system for substrate transfer robot |
US7890202B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-02-15 | International Business Machines Corporation | Method for creating wafer batches in an automated batch process tool |
US7963736B2 (en) * | 2008-04-03 | 2011-06-21 | Asm Japan K.K. | Wafer processing apparatus with wafer alignment device |
NL1036785A1 (nl) * | 2008-04-18 | 2009-10-20 | Asml Netherlands Bv | Rapid exchange device for lithography reticles. |
US8666551B2 (en) * | 2008-12-22 | 2014-03-04 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus equipped with robot diagnostic module |
JP4766156B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-09-07 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US8698104B2 (en) * | 2009-11-09 | 2014-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for handling multiple workpieces for matrix configuration processing |
JP5518598B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル分布解析支援方法及びその方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体 |
US20140234057A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Jacob Newman | Apparatus And Methods For Moving Wafers |
US9548231B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-01-17 | Persimmon Technologies, Corp. | Robot and adaptive placement system and method |
DE102015211941A1 (de) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung eines Energiebedarfs einer Werkzeugmaschine und Werkzeugmaschinensystem |
JP2017104451A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 川崎重工業株式会社 | 外科手術システム |
CN105887044A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-24 | 上海华力微电子有限公司 | 防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法 |
KR102374612B1 (ko) * | 2019-08-22 | 2022-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 장치 및 레이저 가공 방법 |
EP4295390A1 (en) * | 2021-02-22 | 2023-12-27 | Evatec AG | Vacuum treatment apparatus and methods for manufacturing vacuum treated substrates |
JP7366952B2 (ja) * | 2021-03-23 | 2023-10-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置の検査方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4657621A (en) * | 1984-10-22 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Low particulate vacuum chamber input/output valve |
US5943230A (en) * | 1996-12-19 | 1999-08-24 | Applied Materials, Inc. | Computer-implemented inter-chamber synchronization in a multiple chamber substrate processing system |
JP3967424B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び圧力調整方法 |
JP3483733B2 (ja) * | 1997-06-04 | 2004-01-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び基板処理方法 |
JP3429171B2 (ja) * | 1997-11-20 | 2003-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP4526151B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2010-08-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置の基板移載装置 |
JP4770029B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2011-09-07 | 株式会社Ihi | プラズマcvd装置及び太陽電池の製造方法 |
JP4272484B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
-
2004
- 2004-04-09 JP JP2004115741A patent/JP4450664B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-02 US US10/858,049 patent/US7299104B2/en active Active
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210461A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Tokyo Electron Ltd | プロセス装置の洗浄方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
US9627184B2 (en) | 2005-01-26 | 2017-04-18 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method of processing apparatus, program for performing the method, and storage medium for storing the program |
JP2007027339A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4695936B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR101419948B1 (ko) | 2007-04-27 | 2014-07-16 | 니혼 덴산 산쿄 가부시키가이샤 | 산업용 로봇 및 집합 처리 장치 |
JP2009016727A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2009064873A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置における被処理体の搬送方法 |
KR100974051B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2010-08-04 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 반도체제조장치에서의 피처리체의 반송방법 |
TWI474424B (zh) * | 2007-09-05 | 2015-02-21 | Hitachi High Tech Corp | And a method of transporting the object to be processed in the semiconductor manufacturing apparatus |
JP2010040746A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP4707749B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板交換方法及び基板処理装置 |
JP2010245127A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板交換方法及び基板処理装置 |
JP2011077399A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
WO2011040301A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
JP2011181751A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置及びプログラム |
US8849446B2 (en) | 2010-03-02 | 2014-09-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus and program |
JP2012059819A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送方法及び記憶媒体 |
US9002494B2 (en) | 2010-09-07 | 2015-04-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer method and storage medium |
JP2020205450A (ja) * | 2010-11-10 | 2020-12-24 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 基板処理装置及び基板搬送装置 |
JP2019169740A (ja) * | 2010-11-10 | 2019-10-03 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 双腕ロボット |
JP2012174716A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
JP2017085127A (ja) * | 2011-03-11 | 2017-05-18 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 基板処理ツール |
KR102047033B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2019-11-20 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 기판 처리 툴 |
US11978649B2 (en) | 2011-03-11 | 2024-05-07 | Brooks Automation Us, Llc | Substrate processing apparatus |
JP2014509083A (ja) * | 2011-03-11 | 2014-04-10 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 基板処理ツール |
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US9852935B2 (en) | 2011-03-11 | 2017-12-26 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus |
US10325795B2 (en) | 2011-03-11 | 2019-06-18 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus |
KR20190099104A (ko) * | 2011-03-11 | 2019-08-23 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 기판 처리 툴 |
KR102436038B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2022-08-24 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 기판 처리 툴 |
KR20140027949A (ko) * | 2011-03-11 | 2014-03-07 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 기판 처리 툴 |
US10600665B2 (en) | 2011-03-11 | 2020-03-24 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus |
US9272413B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-03-01 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Conveying system |
JP2013154453A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Yaskawa Electric Corp | 搬送システム |
JP2014022598A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 基板搬送装置 |
JP2017128796A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法。 |
CN114256048A (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体反应装置、方法及机械臂 |
CN114256048B (zh) * | 2020-09-25 | 2024-04-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体反应装置、方法及机械臂 |
KR20230131772A (ko) | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 |
CN115910886A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-04 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 传输腔、半导体设备及晶圆传输方法 |
CN115910886B (zh) * | 2022-12-28 | 2024-04-16 | 深圳市纳设智能装备股份有限公司 | 传输腔、半导体设备及晶圆传输方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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