JP2011077399A - 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 - Google Patents

被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011077399A
JP2011077399A JP2009228856A JP2009228856A JP2011077399A JP 2011077399 A JP2011077399 A JP 2011077399A JP 2009228856 A JP2009228856 A JP 2009228856A JP 2009228856 A JP2009228856 A JP 2009228856A JP 2011077399 A JP2011077399 A JP 2011077399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processed
processing
load lock
chambers
transfer chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009228856A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromitsu Sakagami
博充 阪上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009228856A priority Critical patent/JP2011077399A/ja
Priority to KR1020127010863A priority patent/KR20120073304A/ko
Priority to US13/499,143 priority patent/US20120213615A1/en
Priority to CN201080018391XA priority patent/CN102414808A/zh
Priority to PCT/JP2010/066383 priority patent/WO2011040301A1/ja
Publication of JP2011077399A publication Critical patent/JP2011077399A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法を提供すること。
【解決手段】 複数のロードロック室41a、41bを、被処理体Wを複数収容可能に構成し、ロードロック室41a、41bに、処理前の第1の被処理体を搬入し、搬送装置33を用いて複数の処理室32a、32bから搬送室31に対し、処理済の第2の被処理体を同時に搬出し、搬送室31からロードロック室41a、41bに対し、処理済の第2の被処理体を同時に搬入し、搬送装置33を用いてロードロック室41a、41bから搬送室31に対し、処理前の第1の被処理体を同時に搬出し、搬送室31から処理室32a、32bに対し、処理前の第1の被処理体を同時に搬入する。
【選択図】図1

Description

この発明は、被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置に関する。
電子機器の製造には被処理体が用いられ、被処理体に対して成膜やエッチング等の処理が施される。例えば、半導体集積回路装置の製造には、被処理体として半導体ウエハが用いられ、半導体ウエハに対して、成膜やエッチング等の処理が施される。これらの処理は互いに独立した処理装置にて行われるのが一般的である。例えば、成膜処理は成膜処理室を備えた成膜処理装置にて行われ、エッチング処理はエッチング処理室を備えたエッチング処理装置にて行われる。
近時、処理の一貫化を図るため、および処理装置の増加に伴うフットプリントの増大を抑えるために、搬送室の周りに複数の処理室を配置したマルチチャンバ(クラスタツール)型の被処理体処理装置が多用されるようになってきている。マルチチャンバ型の被処理体処理装置の典型例は、例えば、特許文献1に記載されている。
また、搬送室と複数の処理室との間での被処理体の搬送には、上記特許文献1、又は特許文献2に記載されるように、多関節ロボットを利用した搬送装置が使用されている。
特開2005−64509号公報 特開2004−282002号公報
成膜やエッチング等の各種処理においては、生産性を上げるために、それぞれ処理時間の短縮化が進められている。
しかしながら、各種処理における処理時間の短縮化が進んでくると、マルチチャンバ型の被処理体処理装置での処理に要する時間を律速させる要因が、処理律速から搬送律速に変化してしまう。このため、処理時間をいくら短縮しても、生産性は頭打ちになる、という事情がある。
この発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置を提供する。
上記課題を解決するため、この発明の第1の態様に係る被処理体の搬送方法は、被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、前記複数のロードロック室の各々を、前記被処理体を複数収容可能に構成し、(0)前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、(1)前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室から前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体を同時に搬出する工程と、(2)前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室に対し、前記処理済の第2の被処理体を同時に搬入する工程と、(3)前記搬送装置を用いて、前記複数のロードロック室から前記搬送室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬出する工程と、(4)前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数の処理室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬入する工程と、(5)前記複数のロードロック室から、前記処理済の第2の被処理体を搬出する工程と、を具備する。
この発明の第2の態様に係る被処理体の搬送方法は、 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、前記複数のロードロック室の各々を、前記被処理体を複数収容可能に構成し、(0)前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、(1)前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室のうちの一部から前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体を同時に搬出する工程と、(2)前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室に対し、前記処理済の第2の被処理体を同時に搬入する工程と、(3)前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室から前記搬送室に対し、処理済の第3の被処理体を同時に搬出する工程と、(4)前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室から前記複数の処理室の一部に対し、前記処理済の第3の被処理体を同時に搬入する工程と、(5)前記搬送装置を用いて、前記複数のロードロック室から前記搬送室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬出する工程と、(6)前記搬送装置を用いて、前記複数のロードロック室から前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬入する工程と、(7)前記複数のロードロック室から、前記処理済の第2の被処理体を搬出する工程と、を具備する。
この発明の第3の態様に係る被処理体処理装置は、被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備え、前記複数のロードロック室の各々が、前記被処理体を複数収容可能に構成され、前記搬送装置が、前記複数の処理室と前記搬送室との間、前記搬送室と前記複数のロードロック室との間、及び前記複数の処理室の一部と前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室との間で、前記被処理体を同時に搬出及び搬入可能に構成されている。
この発明の第4の態様に係る被処理体の搬送方法は、被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、(0)前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、(1)前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の少なくとも1つと前記複数のロードロック室の少なくとも1つとから前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体の少なくとも1つと前記処理前の第1の被処理体の少なくとも1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、(2)前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室の少なくとも1つと前記複数の処理室の少なくとも1つとに対し、前記処理済の第2の被処理体の少なくとも1つと前記処理前の第1の被処理体の少なくとも1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、(3)前記複数のロードロック室の少なくとも1つから、前記処理済の第2の被処理体の少なくとも1つを搬出する工程と、を具備する。
この発明の第5の態様に係る被処理体処理装置は、被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備え、前記搬送装置が、前記複数の処理室の少なくとも1つと前記複数のロードロック室の少なくとも1つとの間で、前記被処理体を同時に搬出及び搬入可能に構成されている。
この発明の第6の態様に係る被処理体の搬送方法は、被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、前記複数のロードロック室の各々を、前記搬送室を介して前記複数の処理室の各々に対応するように一直線に配置し、(0)前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、(1)前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の1つと該処理室の1つに対して前記搬送室を介して一直線上に配置された前記複数のロードロック室の1つとから前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体の1つと前記処理前の第1の被処理体の1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、(2)前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室の1つと前記複数の処理室の1つとに対し、前記処理済の第2の被処理体の1つと前記処理前の第1の被処理体の1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、(3)前記複数のロードロック室から、前記処理済の第2の被処理体を搬出する工程と、を具備する。
この発明の第7の態様に係る被処理体処理装置は、被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備え、前記複数のロードロック室の各々が、前記搬送室を介して前記複数の処理室の各々に対応するように一直線に配置され、前記搬送装置が、前記複数の処理室の1つ及び該処理室の1つに対して前記搬送室を介して一直線上に配置された前記複数のロードロック室の1つと前記搬送室との間で、前記被処理体を同時に搬出及び搬入可能に構成されている。
この発明によれば、各処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置を提供できる。
この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を示す平面図 ロードロック室の一例を示す断面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例のタイムチャート 参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図 参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図 参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図 参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図 参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図 参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図 図5A〜図5Fに示す参考例のタイムチャート この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例に使用される搬送装置の一例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例のタイムチャート 図7に示した搬送装置による利点を説明するタイムチャート この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例に使用することが可能なロードロック室の一例を示す断面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を示す平面図 この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例のタイムチャート この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の一例に使用することが可能なロードロック室の一例を示す断面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図 この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例のタイムチャート この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例のタイムチャート この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例のタイムチャート
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
(第1の実施形態)
図1は、この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を概略的に示す平面図である。本例では、被処理体処理装置の一例として、被処理体として半導体ウエハを取り扱うマルチチャンバ(クラスタツール)型の半導体製造装置を例示する。
図1に示すように、半導体製造装置1aは、半導体製造装置1aの外部との間で被処理体である半導体ウエハ(以下ウエハ)Wを搬入出する搬入出部2と、ウエハWに処理を施す処理部3と、搬入出部2と処理部3との間で搬入出するロードロック部4と、半導体製造装置1aを制御する制御部5とを備えている。
搬入出部2は、搬入出室21を備えている。搬入出室21は、内部を大気圧、又はほぼ大気圧、例えば、外部の大気圧に対してわずかに陽圧に調圧可能である。搬入出室21の平面形状は、本例では、長辺と、この長辺に直交する短辺とを有した矩形である。矩形の長辺の一辺は上記処理部3に上記ロードロック部4を介して相対する。長辺の他の一辺には、ウエハWが収容された、又は空のキャリアCが取り付けられるロードポート22が備えられている。本例では、三つのロードポート22a〜22cが備えられている。ロードポート22の数は三つに限られるものではなく、数は任意である。ロードポート22a〜22cには各々、図示せぬシャッターが設けられている。キャリアCがロードポート22a〜22cのいずれかに取り付けられると、シャッターが外れる。これにより、外気の侵入を防止しつつ、キャリアCの内部と搬入出室21の内部とが連通される。矩形の短辺の位置には、キャリアCから取り出されたウエハWの向きを合わせるオリエンタ23が備えられている。
処理部3は、搬送室31と、ウエハWに処理を施す複数の処理室32とを備えている。本例では、一つの搬送室31と、一つの搬送室31の周囲に設けられた四つの処理室32a〜32dとを備えている。処理室32a〜32dはそれぞれ、内部を所定の真空度に減圧可能な真空容器として構成され、内部では、成膜又はエッチングといった処理が行われる。処理室32a〜32dはそれぞれゲートバルブG1〜G4を介して搬送室31に接続される。
ロードロック部4は、複数のロードロック室41を備えている。本例では、一つの搬送室31の周囲に設けられた二つのロードロック室41a及び41bを備えている。ロードロック室41a及び41bはそれぞれ、内部を所定の真空度に減圧可能な真空容器として構成されるとともに、上記所定の真空度と、大気圧又はほぼ大気圧との間で圧力変換可能に構成されている。これにより、ウエハWの周囲の環境が搬送室31の内部の環境に変換される。ロードロック室41a及び41bはそれぞれゲートバルブG5、G6を介して搬送室31に接続されるとともに、ゲートバルブG7、G8を介して搬入出室21に接続される。
さらに、本例では、複数のロードロック室41a、41bの各々が、ウエハWを複数収容可能に構成されている。ウエハWを複数収容可能に構成するためには、複数のロードロック室41(41a、41b)の各々の構造を、例えば、図2に示すように、ウエハWを上下2段に収容するような構造とすれば良い。
搬入出室21の内部には、搬入出装置24が配置されている。搬入出装置24は、キャリアCと搬入出室21との相互間でのウエハWの搬入出、搬入出室21とオリエンタ23との相互間でのウエハWの搬入出、及び搬入出室21とロードロック室41a、41bとの相互間でのウエハWの搬入出を行う。搬入出装置24は、複数の多関節アーム25を有し、搬入出室21の長辺方向に沿って延びるレール26上を走行可能に構成される。本例では、二つの多関節アーム25a及び25bを有する。多関節アーム25a、25bの先端には、ハンド27a及び27bが取り付けられている。ウエハWを処理部3へ搬入する際、ウエハWはハンド27a又は27bに載せられてキャリアCから搬出され、オリエンタ23へ搬入される。次いで、ウエハWがオリエンタ23において向きが調節された後、ウエハWは、ハンド27a又は27bに載せられてオリエンタ23から搬出され、ロードロック室41a又は41bへ搬入される。反対に、ウエハWを処理部3から搬出する際、ウエハWはハンド27a又は27bに載せられてロードロック室41a又は41bから搬出され、キャリアCへ搬入される。
搬送室31の内部には、搬送装置33が配置されている。搬送装置33は、複数のロードロック室41a、41bと搬送室31との相互間でのウエハWの搬入出、搬送室31と複数の処理室32a〜32dとの相互間での搬入出を行う。搬送装置33は、本例では、搬送室31のほぼ中央に配置される。搬送装置33は、伸縮可能、かつ、回転可能な複数のトランスファアーム34を有する。本例では、二つのトランスファアーム34a及び34bを有する。トランスファアーム34a及び34bの先端には、ピック35a及び35bが取り付けられている。ウエハWは、ピック35a又は35bに保持され、複数のロードロック室41a、41bと搬送室31との相互間でのウエハWの搬入出、及び搬送室31と複数の処理室32a〜32dとの相互間でのウエハWの搬入出が行われる。
さらに、本例の搬送装置33は、複数の処理室32a〜32dと搬送室31との相互間、搬送室31と複数のロードロック室41a〜41bとの相互間で、ウエハWを同時に搬出及び搬入可能に構成されている。
制御部5は、プロセスコントローラ51、ユーザーインターフェース52、及び記憶部53を含んで構成される。プロセスコントローラ51は、マイクロプロセッサ(コンピュータ)からなる。ユーザーインターフェース52は、オペレータが半導体製造装置1aを管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、半導体製造装置1aの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。記憶部53は、半導体製造装置1aにおいて実施される処理を、プロセスコントローラ51の制御にて実現するための制御プログラム、各種データ、及び処理条件に応じて半導体製造装置1aに処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、記憶部53の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体はコンピュータ読み取り可能なもので、例えば、ハードディスクであっても良いし、CD−ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば、専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピはユーザーインターフェース52からの指示等にて記憶部53から呼び出され、プロセスコントローラ51において実行されることで、プロセスコントローラ51の制御のもと、半導体製造装置1aにおいてウエハWに対する処理が実施される。
次に、この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を説明する。
(第1の実施形態:第1例)
図3A〜図3Fはこの発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図、図4は第1例のタイムチャートである。第1例は、処理室32a〜32dの各々でウエハWに対して同じ処理を施す例であり、4枚のウエハに対して同じ処理がパラレルに行われる場合の搬送方法の一例である。
まず、図3A及び図4に示すように、処理前のウエハW1をロードロック室41aへ、同じく処理前のウエハW2をロードロック室41bへと搬入する。この際、搬送装置33のピック35aは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック35bは同じく処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に位置するように、搬送装置33を旋回させておく。
なお、処理室32aにおいてはウエハWaに対する処理が終了し、同じく処理室32bにおいてはウエハWbに対する処理が終了している。
次に、図3B及び図4に示すように、搬送装置33を用いて、処理室32a及び32bから搬送室31に対し、処理済のウエハWa及びWbを同時に搬出する。本例ではピック35aが処理済のウエハWaを保持し、ピック35bが処理済のウエハWbを保持する。図3Aに示す状態からここまでに要する時間は、約4a秒である。
なお、上記“a”はピック35a、35bがウエハWを保持するまでの時間、又はピック35a、35bがウエハWを放すまでの時間を示している。単位は“sec”である。この“a”は、トランスファアームの種類によって変わるパラメータである。
また、本明細書における例示においては、トランスファアーム34a、34bの伸縮、及び旋回に要する時間を、下記にように仮定する。
“ピック35がウエハWを保持している状態”
トランスファアーム34a、34bを伸ばす時間 2a(sec)
トランスファアーム34a、34bを縮める時間 2a(sec)
トランスファアーム34a、34bの旋回時間 3a(sec)
“ピック35がウエハWを保持していない状態”
トランスファアーム34a、34bを伸ばす時間 a(sec)
トランスファアーム34a、34bを縮める時間 a(sec)
トランスファアーム34a、34bの旋回時間 2a(sec)
次に、図3C及び図4に示すように、ピック35aはロードロック室41bに通じるゲートバルブG6の前に、ピック35bは同じくロードロック室41aに通じるゲートバルブG5の前に位置するように、搬送装置33を旋回させる。本例では、搬送装置33を、反時計回りに約120°旋回させる。次いで、搬送装置33を用いて、搬送室31からロードロック室41a及び41bに対し、処理済のウエハWa及びWbを同時に搬入する。処理済のウエハWa及びWbは、ロードロック室41a及び41b内において、図示するように処理前のウエハW1及びW2の上方に、又はウエハW1及びW2の下方に置かれる。図3Aに示す状態からここまでに要する時間は、約10a秒である。
次に、図3D及び図4に示すように、搬送装置33を用いて、ロードロック室41a及び41bから搬送室31に対し、処理前のウエハW1及びW2を同時に搬出する。本例ではピック35aが処理前のウエハW2を保持し、ピック35bが処理前のウエハW1を保持する。図3Aに示す状態からここまでに要する時間は、約16a秒である。
次に、図3E及び図4に示すように、ピック35aは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック35bは同じく処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に位置するように、搬送装置33を旋回させる。本例では、時計回りに約120°旋回させる。次いで、搬送装置33を用いて、搬送室31から処理室32a及び32bに対し、処理前のウエハW1及びW2を同時に搬入する。図3Aに示す状態からここまでに要する時間は、約22a秒である。
次に、図3F及び図4に示すように、ロードロック室41a及び41bから、処理済のウエハWa及びWbを搬出する。次いで、処理前のウエハWAをロードロック室41aへ、同じく処理前のウエハWBをロードロック室41bへと搬入する。この際、搬送装置33のピック35aは処理室32cに通じるゲートバルブG3の前に、ピック35bは同じく処理室32dに通じるゲートバルブG4の前に位置するように、搬送装置33を旋回させておく。本例では、搬送装置33を、時計回りに約120°旋回させておく。即ち、図3Fに示す工程は、図3Aに示した手順に戻す手順である。図3Aに示す状態からここまでに要する時間は、約25a秒である。
この後、特に、図示しないが、図3A〜図3Fに示した手順と同様な手順で、処理済のウエハWx及びWyを処理室32c及び32dから搬送室31へと同時に搬出し、さらに、搬送室31からロードロック室41a及び41bへと同時に搬入する。そして、処理済のウエハWx及びWyを、ロードロック室41a及び41bから搬出する。また、処理前のウエハWA及びWBについても図3D及び図3Eに示した手順で、ロードロック室41a及び41bから搬送室31へと同時に搬入し、さらに、搬送室31から処理室32c及び32dへと同時に搬入する。
このように、図3A乃至図3Fに示す手順を繰り返すことで、処理済のウエハが複数枚ずつ、処理前のウエハに複数枚ずつ順次交換されていく。
第1の実施形態によれば、処理済のウエハ及び処理前のウエハを複数枚同時に搬入出する。本例では2枚同時に搬入出するようにしたことで、処理済のウエハ及び処理前のウエハを1枚ずつ搬入出する方式に比較して、より短い時間でウエハの搬入出を行うことができる。本例では、2枚の処理済のウエハを、2枚の処理前のウエハに約25a秒で交換できる。交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ 25a秒 × 2枚 = 288/a枚
となる。このように、第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例によれば、1時間で288/a枚のウエハを交換することが可能となる。
この時間短縮の効果について、参考例と比較しながら説明する。
(参考例)
図5A〜図5Fは参考例に係る被処理体の搬送方法を示す平面図、図6は、参考例のタイムチャートである。
図5A及び図6に示すように、処理前のウエハW1はピック35bに保持させ、処理前のウエハW2はロードロック室41bに搬入しておく。搬送装置33のピック35aは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック35bは処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に位置させておく。
次に、図5B及び図6に示すように、搬送装置33を用いて、処理室32aから搬送室31に対し、処理済のウエハWaを搬出する。図5Aに示す状態からここまでに要する時間は、約4a秒である。
次に、図5C及び図6に示すように、ピック35aはロードロック室41aに通じるゲートバルブG5の前に、ピック35bは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に位置するように、搬送装置33を、反時計回りに約60°旋回させる。次いで、搬送装置33を用いて、搬送室31から処理室32aに対し、処理前のウエハW1を搬入する。図5Aに示す状態からここまでに要する時間は、約10a秒である。
次に、図5D及び図6に示すように、ピック35aは処理室32dに通じるゲートバルブG4の前に、ピック35bはロードロック室41bに通じるゲートバルブG6の前に位置するように、搬送装置33を、反時計回りに約120°旋回させる。次いで、ロードロック室41bから搬送室31に対し、処理前のウエハW2を搬出する。図5Aに示す状態からここまでに要する時間は、約18a秒である。
次に、図5E及び図6に示すように、ピック35aはロードロック室41bに通じるゲートバルブG6の前に、ピック35bは同じくロードロック室41aに通じるゲートバルブG5の前に位置するように、搬送装置33を、時計回りに約60°旋回させる。次いで、搬送装置33を用いて、搬送室31からロードロック室41bに対し、処理済のウエハWaを搬入する。図5Aに示す状態からここまでに要する時間は、約24a秒である。
次に、図5F及び図6に示すように、処理済のウエハWaをロードロック室41bから搬出する。次いで、処理前のウエハWAをロードロック室41aへ搬入する。この際、ピック35aは処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に、ピック35bは同じく処理室32cに通じるゲートバルブG3の前に位置するように、搬送装置33を旋回させる。図5Aに示す状態からここまでに要する時間は、約28a秒である。
参考例は、処理済のウエハ及び処理前のウエハを1枚ずつ搬入出し、1枚の処理済のウエハを、1枚の処理前のウエハに約28a秒で交換する。交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ 28a秒 × 1枚 = 128/a枚
である。
このように、第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例によれば、参考例に比較して、1時間当たり、160/a枚(=288/a枚−128/a枚)多く、ウエハを交換することができる。
したがって、単位時間当たりに交換可能なウエハの枚数を多くできる第1の実施形態によれば、マルチチャンバ型の被処理体処理装置での処理に要する時間を律速させる要因が、処理律速から搬送律速に変化することを抑制でき、処理における処理時間が短縮されても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる、という利点を得ることができる。
(第1の実施形態:第2例)
図7A〜図7Dは、この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例に使用される搬送装置の一例を概略的に示す平面図である。
図7Aに示すように、第2例に使用される搬送装置133は、図1に示した搬送装置33と同様に、伸縮可能な複数のトランスファアーム134を有する。本例では、二つのトランスファアーム134a及び134bを有し、それぞれの先端には、ピック135a及び135bが取り付けられている。搬送装置133は、回転軸としてθ1軸、θ2軸を持つ。
θ1軸は、トランスファアーム134a及び134bの双方をいっしょに回転させる軸である。θ1軸は無限回転が可能であり、例えば、図7Bに示すように、図7Aに示す状態から時計回り又は反時計回りに約180°回転させることも、さらには、図7Bに示す状態から、さらに時計回り又は反時計回りに約180°回転させて、図7Aに示す状態に戻すこともできる。
θ2軸は、トランスファアーム134bを回転させる軸である。θ2軸は、例えば、最大回転角度240°以上270°以下の回転が可能である。本例では、最大回転角度240°としている。これは、搬送室31の平面形状が六角形であることを想定し、ピック135aとピック135bとがなす最小角度θpminを60°に設定していることによる(360°−60°−60°=240°)。例えば、搬送室31の平面形状が八角形であることを想定した場合には、ピック135aとピック135bとがなす最小角度θpminは45°に設定される。この場合には、θ2軸の最大回転角度は、例えば、270°に設定される(360°−45°−45°=270°)。図7Cに、θ2軸を使ってトランスファアーム134bを時計回りに60°旋回させ、ピック間角度θpを時計回りに120°に拡げた場合を、図7Dに、θ2軸を使ってトランスファアーム134bを時計回りに240°旋回させ、ピック間角度θpを時計回りに300°に拡げた場合を示す。
被処理体の搬送方法の第2例は、トランスファアーム134bのみを回転させることが可能な搬送装置133を用いて実行される。なお、搬送装置133において、θ2軸を使用しなければ、上述した被処理体の搬送方法の第1例を実行することもできる。
図8A〜図8Hはこの発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例を示す平面図、図9は第2例のタイムチャートである。第2例は、処理室32a及び32cで処理を施した後、続けて処理室32b及び32dで別の処理を施す例である。
まず、図8A及び図9に示すように、処理前のウエハW1をロードロック室41aへ、同じく処理前のウエハW2をロードロック室41bへと搬入する。この際、搬送装置133のピック135aは処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に、ピック135bは同じく処理室32dに通じるゲートバルブG4の前に位置するように、搬送装置133を旋回させるとともに、ピック間角度を約120°に拡げておく。
なお、処理室32a及び32cにおいてはウエハWa及びWbに対する処理が終了し、同じく処理室32b及び32dにおいてはウエハWx及びWyに対する処理が終了している。
次に、図8B及び図9に示すように、搬送装置133を用いて、処理室32b及び32dから搬送室31に対し、処理済のウエハWx及びWyを同時に搬出する。本例ではピック135aが処理済のウエハWxを保持し、ピック135bが処理済のウエハWyを保持する。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約4a秒である。
次に、図8C及び図9に示すように、θ2軸を使ってピック間角度を約60°に縮め、かつ、θ1軸を使って、ピック135aはロードロック室41bに通じるゲートバルブG6の前に、ピック135bは同じくロードロック室41aに通じるゲートバルブG5の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約180°旋回させる。次いで、搬送装置133を用いて、搬送室31からロードロック室41a及び41bに対し、処理済のウエハWy及びWxを同時に搬入する。処理済のウエハWy及びWxは、ロードロック室41a及び41b内において、図示するように処理前のウエハW1及びW2の上方に、又はウエハW1及びW2の下方に置かれる。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約10a秒である。
次に、図8D及び図9に示すように、θ2軸を使ってピック間角度を約120°に拡げ、かつ、θ1軸を使って、ピック135aは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック135bは同じく処理室32cに通じるゲートバルブG3の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約150°旋回させる。次いで、搬送装置133を用いて、処理室31a及び31cから搬送室31に対し、処理済のウエハWa及びWbを同時に搬出する。本例ではピック135aが処理済のウエハWaを保持し、ピック135bが処理済のウエハW1bを保持する。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約17a秒である。
次に、図8E及び図9に示すように、θ1軸を使って、ピック135aは処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に、ピック135bは同じく処理室32dに通じるゲートバルブG4の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約120°旋回させる。次いで、搬送装置133を用いて、搬送室31から処理室32b及び32dに対し、処理済のウエハWa及びWbを同時に搬入する。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約23a秒である。
次に、図8F及び図9に示すように、θ2軸を使ってピック間角度を約60°に縮め、かつ、θ1軸を使って、ピック135aはロードロック室41bに通じるゲートバルブG6の前に、ピック135bは同じくロードロック室41aに通じるゲートバルブG5の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約180°旋回させる。次いで、搬送装置133を用いて、ロードロック室41a及び41bから搬送室31に対し、処理前のウエハW1及びW2を同時に搬入する。本例ではピック135aが処理前のウエハW2を保持し、ピック135bが処理済のウエハW1を保持する。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約30a秒である。
次に、図8G及び図9に示すように、θ2軸を使ってピック間角度を約120°に拡げ、かつ、θ1軸を使って、ピック135aは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック135bは同じく処理室32cに通じるゲートバルブG3の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約150°旋回させる。次いで、搬送装置133を用いて、搬送室31から処理室31a及び31cに対し、処理前のウエハW1及びW2を同時に搬出する。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約36a秒である。
次に、図8H及び図9に示すように、ロードロック室41a及び41bから、処理済のウエハWx及びWyを搬出する。次いで、処理前のウエハWAをロードロック室41aへ、同じく処理前のウエハWBをロードロック室41bへと搬入する。この際、搬送装置133のピック135aは処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に、ピック135bは同じく処理室32dに通じるゲートバルブG4の前に位置するように、搬送装置133を旋回させておく。本例では、搬送装置133を、時計回りに約60°旋回させておく。即ち、図8Hに示す工程は、図8Aに示した手順に戻す手順である。図8Aに示す状態からここまでに要する時間は、約39a秒である。
この後、特に、図示しないが、図8A〜図8Hに示した手順と同様な手順で、処理済のウエハWa及びWbを処理室32b及び32dから搬送室31へと同時に搬出し、さらに、搬送室31からロードロック室41a及び41bへと同時に搬入する。
次いで、処理済のウエハW1及びW2を処理室32a及び32cから搬送室31へと同時に搬出し、さらに、搬送室31から処理室32b及び32cへと同時に搬入する。
次いで、処理前のウエハWA及びWBをロードロック室41a及び41bから搬送室31へと同時に搬入し、さらに、搬送室31から処理室32a及び32cへと同時に搬入する。
このように、図8A〜図8Hに示す手順を繰り返すことで、処理済のウエハを複数枚ずつ次の処理へと移送させるとともに、全ての処理が済んだウエハが複数枚ずつ、処理前のウエハに複数枚ずつ順次交換されていく。
このような第2例においても、第1例に係る被処理体の搬送方法の第1例と同様に、処理済のウエハ及び処理前のウエハを複数枚同時、第2例では2枚ずつ搬入出するようにしたことで、より短い時間でウエハの搬入出を行うことができる。本例では、2枚の処理済のウエハを、2枚の処理前のウエハに約39a秒で交換できるので、交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ 39a秒 × 2枚 = 約184.6/a枚
となる。
また、図7A〜図7Dに示した搬送装置133によれば、トランスファアーム134aとトランスファアーム134bとを個別に動作することができる。このため、ウエハの入替時に、先に処理室32a〜32dから取り出したウエハWを保持しているピック135a又は135bを、次の入れ替え対象となるロードロック室41a又は41bに向けることができる。
従って、図10のタイムチャートに示すように、トランスファアーム34aとトランスファアーム34bとが個別に動作しない搬送装置133に比較して、トランスファアームの旋回時間を短縮できる、という利点を得ることができる。
(第1の実施形態:第3例)
図11は、この発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例に使用することが可能なロードロック室の一例を示す断面図である。
上記第1例及び第2例においては、ウエハWを複数収容可能なロードロック室41a及び41bを用いた。この第3例は、ロードロック室が、図11に示すように、ウエハWを1枚だけ収容可能なロードロック室141(141a、141b)であっても、上記第1例及び第2例と同様な搬送方法を実施することが可能な例である。
また、この第3例においては、搬送装置は、図7に示した、トランスファアーム134a及び134bの双方をいっしょに回転させるθ1軸、及びトランスファアーム134bを回転させるθ2軸を備えた搬送装置133が使用される。
図12A〜図12Eはこの発明の第1の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例を示す平面図、図13は第3例のタイムチャートである。
まず、図12A及び図13に示すように、処理前のウエハW1をロードロック室141aへ、同じく処理前のウエハW2をロードロック室141bへと搬入する。この際、搬送装置133のピック135aはロードロック室141aに通じるゲートバルブG5の前に、ピック135bは同じく処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に位置するように、搬送装置133を旋回させておく。
なお、処理室32aにおいてはウエハWaに対する処理が終了している。
次に、図12B及び図13に示すように、搬送装置133を用いて、ロードロック室141a及び処理室32aから搬送室31に対し、処理前のウエハW1及び処理済のウエハWaを同時に搬出する。本例ではピック135aが処理前のウエハW1を保持し、ピック135bが処理済のウエハWaを保持する。図12Aに示す状態からここまでに要する時間は、約4a秒である。
次に、図12C及び図13に示すように、θ2軸を使ってピック間角度を約240°に拡げ、かつ、θ1軸を使って、ピック135aは処理室32aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック135bはロードロック室141aに通じるゲートバルブG5の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約60°旋回させる。図12Aに示す状態からここまでに要する時間は、約7a秒である。
次に、図12D及び図13に示すように、搬送装置133を用いて、搬送室31からロードロック室141a及び処理室31aに対し、処理済のウエハWa及び処理前のウエハW1を同時に搬入する。図12Aに示す状態からここまでに要する時間は、約10a秒である。
次に、図12E及び図13に示すように、ロードロック室141aから、処理済のウエハWaを搬出する。次いで、処理前のウエハWAをロードロック室141aへと搬入する。さらに、θ2軸を使ってピック間角度を約180°に縮め、かつ、θ1軸を使って、ピック135aはロードロック室141bに通じるゲートバルブG6の前に、ピック135bは処理室32bに通じるゲートバルブG2の前に位置するように、搬送装置133を旋回させる。本例では、搬送装置133を、時計回りに約120°旋回させる。図12Eに示す工程は、図12Aに示した手順に戻す手順である。図12Aに示す状態からここまでに要する時間は、約13a秒である。
この後、特に、図示しないが、図12A〜図12Eに示した手順と同様な手順で、処理済のウエハWb及び処理前のウエハW2を処理室32b及びロードロック室141bから搬送室31へと同時に搬出し、さらに、処理済のウエハWbを搬送室31からロードロック室141bへ、及び処理前のウエハW2を搬送室31から処理室32bへと同時に搬入する。そして、処理済のウエハWbを、ロードロック室141bから搬出し、処理前のウエハWBをロードロック室141bへと搬入する。
このように、図12A〜図12Eに示す手順を繰り返すことで、処理済のウエハと処理前のウエハとが、処理前のウエハと処理済のウエハとに順次交換されていく。
このような第3例によれば、処理済のウエハと処理前のウエハとを同時に搬入出するようにしたことで、処理済のウエハと処理前のウエハとを別々に搬入出する場合に比較して、より短い時間でウエハの搬入出が完了するようになる。本例では、処理済のウエハと処理前のウエハとを同時に搬入出することで、処理済のウエハを処理前のウエハに約13a秒で交換できるようになる。本例では、交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ 13a秒 × 1枚 = 約277/a枚
となる。
また、第1例及び第2例においては、処理済の複数枚のウエハを、処理前の複数枚のウエハに同時に搬入出する。このため、搬送装置33又は133が保持可能なウエハWの数は、ロードロック室41の数と同じであることが好ましい。例えば、搬送装置33又は133が保持可能なウエハWの数が2枚であったならば、搬送装置33又は133は処理前のウエハWを2枚同時に保持するように動作するので、例えば、図1に示したように、ロードロック室の数は、ロードロック室41a及び41bのように2室となる。
この点、第3例においては、処理済のウエハと処理前のウエハとを合わせて複数枚のウエハを同時に搬入出する。このため、搬送装置133は処理前のウエハWを最低1枚保持するように動作する。このため、ロードロック室の数は最低1室でよい。ただし、大気圧からの減圧、及び大気圧までの昇圧に時間がかかるので、ロードロック室41の数を本第3例に示したように2室とすることも可能である。
さらには、図14に示すように、3つめのロードロック室141cを設けることも可能である。図14に示すように、半導体製造装置1bは、3つめのロードロック室141cを備え、このロードロック室141cはゲートバルブG9を介して搬送室31に連通され、搬入出室21とゲートバルブG10を介して連通されている。
このように、第3例においては、ロードロック室の数を、搬送装置133が保持可能なウエハWの数よりも多くすることもできる。
(第2の実施形態)
図15A〜図15Cは、この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法を実行することが可能な被処理体処理装置の一例を概略的に示す平面図である。本例においても、被処理体処理装置の一例として、被処理体として半導体ウエハを取り扱うマルチチャンバ(クラスタツール)型の半導体製造装置を例示する。
図15A〜図15Cに示すように、半導体製造装置1cが、図1に示した半導体製造装置1aと、特に異なるところは、複数のロードロック室241a〜241cの各々が、複数の処理室232a〜232cの各々に対応するように一直線に配置されていること、並びに搬送室31に配置された搬送装置233が、処理室232a〜232cの1つと、この処理室に対して一直線上に配置されたロードロック室241a〜241cの1つとから、搬送室31に対し、ウエハWを同時に搬出及び搬入可能に構成されていることである。
図15Aには、搬送装置233が、処理室232aと、搬送室31を介して処理室232aに対して一直線上に配置されたロードロック室241aとに対して、ウエハWを同時に搬入出している状態が示されている。具体的には、搬送装置233のトランスファアーム234aが処理室232aに向かって延び、トランスファアーム234aの先端に取り付けられたピック235aが処理室232a内に収容されたウエハWを保持し、トランスファアーム234bがロードロック室241aに向かって延び、トランスファアーム234bの先端に取り付けられたピック235bがロードロック室241a内に収容されたウエハWを保持している状態が示されている。トランスファアーム234a及び234bは伸長した際、ピック235a及び235bを互いに反対方向に押し出すように、反対に縮退した際、ピック235a及び235bを互いに同一方向に引き寄せるように、ピック235a及び235bを駆動する。また、図15Bには、搬送装置233が、処理室232bと、搬送室31を介して処理室232bに対して一直線上に配置されたロードロック室241bとに対して、ウエハWを同時に搬入出している状態が、図15Cには搬送装置233が、処理室232cと、搬送室31を介して処理室232cに対して一直線上に配置されたロードロック室241cとに対して、ウエハWを同時に搬入出している状態が示されている。
さらに、本例では、処理室232a〜232cの各々を、ウエハWを複数同時に処理可能に構成している。本例では、一度に5枚のウエハを同時に処理可能に構成されている。
さらに、本例では、ロードロック室241a〜241cの各々を、図16に示すように、ウエハWを複数収容可能に構成している。本例では、収容可能なウエハWの数は、処理室232a〜232cで同時に処理可能なウエハWの数と同じとされている。具体的には、ロードロック室241a〜241cに収容可能なウエハWの数は5枚である。
次に、この発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の例を説明する。
(第2の実施形態:第1例)
図17A〜図17Eはこの発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第1例を示す平面図、図18は第1例のタイムチャートである。
まず、図17A及び図18に示すように、処理前のウエハW1〜W5、W6〜W10、W11〜W15をロードロック室241a〜241cへと搬入する。この際、搬送装置233のピック235aは処理室232aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック235bはロードロック室241aに通じるゲートバルブG6の前に位置するように、搬送装置233を旋回させておく。なお、処理室232aにおいてはウエハWa〜Weに対する処理が終了している。
次に、図17B及び図18に示すように、ピック235aを処理室232aに、ピック235bをロードロック室241aに伸ばし、処理済のウエハWaをピック235aで保持し、処理前のウエハW1をピック235bで保持する。図17Aに示す状態からここまでに要する時間は、約2a秒である。
次に、図17C及び図18に示すように、ピック235a及び235bを搬送室31に縮退させ、ロードロック室241a及び処理室232aから搬送室31に対し、処理前のウエハW1及び処理済のウエハWaを同時に搬出する。図17Aに示す状態からここまでに要する時間は、約4a秒である。
次に、図17D及び図18に示すように、搬送装置233を、ピック235aはロードロック室241aに通じるゲートバルブG6の前に、ピック235bは同じく処理室232aに通じるゲートバルブG1の前に位置するように約180°旋回させる。図17Aに示す状態からここまでに要する時間は、約7a秒である。
次に、図17E及び図18に示すように、ピック235bを処理室232aに、ピック235aをロードロック室241aに伸ばし、処理前のウエハW1を搬送室31から処理室232aに搬入し、処理済のウエハWaを搬送室31からロードロック室241aに搬入する。図17Aに示す状態からここまでに要する時間は、約10a秒である。
この後、特に、図示しないが、ピック135aはロードロック室141bに通じるゲートバルブG6の前に、ピック235bは処理室232aに通じるゲートバルブG1の前に、ピック235aはロードロック室241aに通じるゲートバルブG6の前に位置するように、トランスファアーム234a及び234bを縮退させる。この工程は、図17Aに示した手順に戻す手順である。図17Aに示す状態からここまでに要する時間は、約13a秒である。
さらに、この後、図17A〜図17Eに示した手順と同様な手順で、処理済のウエハWb及び処理前のウエハW2を処理室232a及びロードロック室241aから搬送室31へと同時に搬出し、さらに、処理済のウエハWbを搬送室31からロードロック室241aへ、及び処理前のウエハW2を搬送室31から処理室232aへと同時に搬入する。これをウエハW5及びウエハWeまで計5回(×5回)繰り返す。
このように、図17A〜図17Eに示す手順を繰り返すことで、処理済のウエハと処理前のウエハとが、処理前のウエハと処理済のウエハとに順次交換されていく。
また、同様の動作を、処理室232bとロードロック室241bとの間、並びに処理室232cとロードロック室241cとの間でも行う。即ち、図17A〜図17Eに示す手順を、処理室232a〜232cの数だけ、本例では3室であるので、合計3回繰り返す。
本例では、処理済のウエハと処理前のウエハとを同時に搬入出することで、処理済のウエハを処理前のウエハに約13a秒で交換できるようになる。本例では、交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ 13a秒 × 1枚 = 約277/a枚
となる。
(第2の実施形態:第2例)
図19はこの発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第2例のタイムチャートである。
図19に示すように、第2の実施形態の第2例が、図17A〜図17Eに示した第2の実施形態の第1例と異なるところは、処理前のウエハWと処理済のウエハWとの同時搬入出を、処理室232aとロードロック室241aとの間で1回、次に、処理室232bとロードロック室241bとの間で1回、次に、処理室232cとロードロック室241cとの間で1回、と順次行うことである。この動作を、ウエハの枚数分、本例では5枚であるので、計5回繰り返すことである。これ以外は、第2の実施形態の第1例と同じである。
本例においても、処理済のウエハと処理前のウエハとを同時に搬入出する。そして、処理室232a、232b及び232cにおいて合計3枚の処理済のウエハを、処理前のウエハに約39a秒で交換できるようになる。本例では、交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ (39a秒 ÷ 3) = 約277/a枚
となる。
(第2の実施形態:第3例)
図20はこの発明の第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法の第3例のタイムチャートである。
図20に示すように、第2の実施形態の第3例が、図19に示した第2の実施形態の第2例と異なるところは、処理前のウエハWと処理済のウエハWとの同時搬入出を、処理室232aとロードロック室241aとの間で1回、次に、処理室232aとロードロック室241bとの間で1回、次に、処理室232aとロードロック室241cとの間で1回、と順次行うことである。これ以外は、第2の実施形態の第2例と同じである。
本例においても、処理済のウエハと処理前のウエハとを同時に搬入出する。そして、処理室232aにおいて合計3枚の処理済のウエハを、処理前のウエハに約39a秒で交換できるようになる。本例においても、交換可能なウエハの枚数は、1時間当たりの概算で、
3600秒 ÷ (39a秒 ÷ 3) = 約277/a枚
となる。
このような第2の実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、処理済のウエハと処理前のウエハとを同時に搬入出するようにしたことで、処理済のウエハと処理前のウエハとを別々に搬入出する場合に比較して、より短い時間でウエハの搬入出が完了するようになる。
しかも、第2の実施形態では、ロードロック室241a〜241cの各々を、搬送室31を介して処理室232a〜232cの各々に対応するように一直線に配置するようにしたことで、搬送装置233を約180°旋回させるだけで、処理前のウエハを処理室232の前に、処理済のウエハをロードロック室241の前に移動させることができる。このため、ピック間角度の調整も不要となり、さらに短い時間でウエハの搬入出を完了させることができる。
以上、この発明をいくつかの実施形態にしたがって説明したが、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
例えば、第1の実施形態においては処理室32の数を4つとし、第2の実施形態においては処理室232の数を3つとしたが、処理室32又は232の数は、それぞれ実施形態に示した数に限られるものではない。
その他、この発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
31…搬送室、32(32a〜32d)、232(232a〜232c)…処理室、33、133、233…搬送装置、41(41a、41b)、141(141a〜414c)、241(241a〜241c)…ロードロック室

Claims (13)

  1. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、
    前記複数のロードロック室の各々を、前記被処理体を複数収容可能に構成し、
    (0) 前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、
    (1) 前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室から前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体を同時に搬出する工程と、
    (2) 前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室に対し、前記処理済の第2の被処理体を同時に搬入する工程と、
    (3) 前記搬送装置を用いて、前記複数のロードロック室から前記搬送室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬出する工程と、
    (4) 前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数の処理室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬入する工程と、
    (5) 前記複数のロードロック室から、前記処理済の第2の被処理体を搬出する工程と、
    を具備することを特徴とする被処理体の搬送方法。
  2. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、
    前記複数のロードロック室の各々を、前記被処理体を複数収容可能に構成し、
    (0) 前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、
    (1) 前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室のうちの一部から前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体を同時に搬出する工程と、
    (2) 前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室に対し、前記処理済の第2の被処理体を同時に搬入する工程と、
    (3) 前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室から前記搬送室に対し、処理済の第3の被処理体を同時に搬出する工程と、
    (4) 前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室から前記複数の処理室の一部に対し、前記処理済の第3の被処理体を同時に搬入する工程と、
    (5) 前記搬送装置を用いて、前記複数のロードロック室から前記搬送室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬出する工程と、
    (6) 前記搬送装置を用いて、前記複数のロードロック室から前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室に対し、前記処理前の第1の被処理体を同時に搬入する工程と、
    (7) 前記複数のロードロック室から、前記処理済の第2の被処理体を搬出する工程と、
    を具備することを特徴とする被処理体の搬送方法。
  3. 前記搬送装置が保持可能な前記被処理体の数を、前記複数のロードロック室の数と同じとすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の被処理体の搬送方法。
  4. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、
    前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、
    前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備え、
    前記複数のロードロック室の各々が、前記被処理体を複数収容可能に構成され、
    前記搬送装置が、前記複数の処理室と前記搬送室との間、前記搬送室と前記複数のロードロック室との間、及び前記複数の処理室の一部と前記複数の処理室の一部以外の複数の処理室との間で、前記被処理体を同時に搬出及び搬入可能に構成されていることを特徴とする被処理体処理装置。
  5. 前記搬送装置が保持可能な前記被処理体の数が、前記複数のロードロック室の数と同じであることを特徴とする請求項4に記載の被処理体処理装置。
  6. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、
    (0) 前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、
    (1) 前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の少なくとも1つと前記複数のロードロック室の少なくとも1つとから前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体の少なくとも1つと前記処理前の第1の被処理体の少なくとも1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、
    (2) 前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室の少なくとも1つと前記複数の処理室の少なくとも1つとに対し、前記処理済の第2の被処理体の少なくとも1つと前記処理前の第1の被処理体の少なくとも1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、
    (3) 前記複数のロードロック室の少なくとも1つから、前記処理済の第2の被処理体の少なくとも1つを搬出する工程と、
    を具備することを特徴とする被処理体の搬送方法。
  7. 前記複数のロードロック室の数を、前記搬送装置が保持可能な前記被処理体の数よりも多くすることを特徴とする請求項6に記載の被処理体の搬送方法。
  8. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、
    前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、
    前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備え、
    前記搬送装置が、前記複数の処理室の少なくとも1つと前記複数のロードロック室の少なくとも1つとの間で、前記被処理体を同時に搬出及び搬入可能に構成されていることを特徴とする被処理体処理装置。
  9. 前記複数のロードロック室の数が、前記搬送装置が保持可能な前記被処理体の数よりも多いことを特徴とする請求項8に記載の被処理体処理装置。
  10. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備えた被処理体処理装置の被処理体搬送方法であって、
    前記複数のロードロック室の各々を、前記搬送室を介して前記複数の処理室の各々に対応するように一直線に配置し、
    (0) 前記複数のロードロック室に、処理前の第1の被処理体を搬入する工程と、
    (1) 前記搬送装置を用いて、前記複数の処理室の1つと該処理室の1つに対して前記搬送室を介して一直線上に配置された前記複数のロードロック室の1つとから前記搬送室に対し、処理済の第2の被処理体の1つと前記処理前の第1の被処理体の1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、
    (2) 前記搬送装置を用いて、前記搬送室から前記複数のロードロック室の1つと前記複数の処理室の1つとに対し、前記処理済の第2の被処理体の1つと前記処理前の第1の被処理体の1つとを同時に搬出及び搬入する工程と、
    (3) 前記複数のロードロック室から、前記処理済の第2の被処理体を搬出する工程と、
    を具備することを特徴とする被処理体の搬送方法。
  11. 前記複数の処理室の各々を、前記被処理体を複数同時に処理可能に構成することを特徴とする請求項10に記載の被処理体の搬送方法。
  12. 被処理体を搬送する搬送装置が配置された搬送室と、
    前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体に処理を施す複数の処理室と、
    前記搬送室の周囲に配置され、前記被処理体の周囲の環境を前記搬送室の内部の環境に変換する複数のロードロック室と、を備え、
    前記複数のロードロック室の各々が、前記搬送室を介して前記複数の処理室の各々に対応するように一直線に配置され、
    前記搬送装置が、前記複数の処理室の1つ及び該処理室の1つに対して前記搬送室を介して一直線上に配置された前記複数のロードロック室の1つと前記搬送室との間で、前記被処理体を同時に搬出及び搬入可能に構成されていることを特徴とする被処理体処理装置。
  13. 前記複数の処理室の各々が、前記被処理体を複数同時に処理可能に構成されていることを特徴とする請求項12に記載の被処理体処理装置。
JP2009228856A 2009-09-30 2009-09-30 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 Pending JP2011077399A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009228856A JP2011077399A (ja) 2009-09-30 2009-09-30 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置
KR1020127010863A KR20120073304A (ko) 2009-09-30 2010-09-22 피처리체의 반송 방법 및 피처리체 처리 장치
US13/499,143 US20120213615A1 (en) 2009-09-30 2010-09-22 Target object transfer method and target object processing apparatus
CN201080018391XA CN102414808A (zh) 2009-09-30 2010-09-22 被处理体的输送方法和被处理体处理装置
PCT/JP2010/066383 WO2011040301A1 (ja) 2009-09-30 2010-09-22 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009228856A JP2011077399A (ja) 2009-09-30 2009-09-30 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011077399A true JP2011077399A (ja) 2011-04-14

Family

ID=43826125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009228856A Pending JP2011077399A (ja) 2009-09-30 2009-09-30 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120213615A1 (ja)
JP (1) JP2011077399A (ja)
KR (1) KR20120073304A (ja)
CN (1) CN102414808A (ja)
WO (1) WO2011040301A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011124564A (ja) * 2009-11-12 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
KR20150131117A (ko) * 2013-03-15 2015-11-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 증착 시스템, 로봇 이송 장치, 및 전자 디바이스 제조 방법
JP2016081952A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP2019521869A (ja) * 2016-06-28 2019-08-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 間隔を置いて配置された上腕部と交互に配置されたリストとを含むデュアルロボット、及びこれらを含むシステム及び方法
US11850742B2 (en) 2019-06-07 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Dual robot including splayed end effectors and systems and methods including same

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101795994B1 (ko) 2014-06-20 2017-12-01 벨로3디, 인크. 3차원 프린팅 장치, 시스템 및 방법
JP6463220B2 (ja) * 2015-05-21 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US9676145B2 (en) 2015-11-06 2017-06-13 Velo3D, Inc. Adept three-dimensional printing
US10071422B2 (en) 2015-12-10 2018-09-11 Velo3D, Inc. Skillful three-dimensional printing
JP6979963B2 (ja) 2016-02-18 2021-12-15 ヴェロ・スリー・ディー・インコーポレイテッド 正確な3次元印刷
WO2018005439A1 (en) * 2016-06-29 2018-01-04 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing and three-dimensional printers
US11691343B2 (en) 2016-06-29 2023-07-04 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing and three-dimensional printers
US10661341B2 (en) 2016-11-07 2020-05-26 Velo3D, Inc. Gas flow in three-dimensional printing
US20180186080A1 (en) 2017-01-05 2018-07-05 Velo3D, Inc. Optics in three-dimensional printing
US10442003B2 (en) 2017-03-02 2019-10-15 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing of three-dimensional objects
US20180281237A1 (en) 2017-03-28 2018-10-04 Velo3D, Inc. Material manipulation in three-dimensional printing
US10272525B1 (en) 2017-12-27 2019-04-30 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing systems and methods of their use
US10144176B1 (en) 2018-01-15 2018-12-04 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing systems and methods of their use
US20220013385A1 (en) * 2018-11-14 2022-01-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transport method
JP7163764B2 (ja) * 2018-12-27 2022-11-01 株式会社Sumco 気相成長装置
CN114340876A (zh) 2019-07-26 2022-04-12 维勒3D股份有限公司 三维物体形成的质量保证

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09270450A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空処理装置
JPH11102951A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2004288720A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置
JP2005019960A (ja) * 2003-06-02 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2007049150A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc Asia 半導体ワークピース処理システム及びその処理方法
US20070292244A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Moore Robert B Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6986261B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-17 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling chiller and semiconductor processing system
KR100583727B1 (ko) * 2004-01-07 2006-05-25 삼성전자주식회사 기판 제조 장치 및 이에 사용되는 기판 이송 모듈
JP4645696B2 (ja) * 2008-08-01 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構及びロードロック室

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09270450A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空処理装置
JPH11102951A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2004288720A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置
JP2005019960A (ja) * 2003-06-02 2005-01-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板搬送方法
JP2007049150A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc Asia 半導体ワークピース処理システム及びその処理方法
US20070292244A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Moore Robert B Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011124564A (ja) * 2009-11-12 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
KR20150131117A (ko) * 2013-03-15 2015-11-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 증착 시스템, 로봇 이송 장치, 및 전자 디바이스 제조 방법
JP2016512398A (ja) * 2013-03-15 2016-04-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 基板堆積システム、ロボット移送装置、及び電子デバイス製造のための方法
US10427303B2 (en) 2013-03-15 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Substrate deposition systems, robot transfer apparatus, and methods for electronic device manufacturing
CN111489987A (zh) * 2013-03-15 2020-08-04 应用材料公司 基板沉积系统、机械手移送设备及用于电子装置制造的方法
KR102214394B1 (ko) * 2013-03-15 2021-02-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 증착 시스템, 로봇 이송 장치, 및 전자 디바이스 제조 방법
JP2016081952A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP2019521869A (ja) * 2016-06-28 2019-08-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 間隔を置いて配置された上腕部と交互に配置されたリストとを含むデュアルロボット、及びこれらを含むシステム及び方法
US11850742B2 (en) 2019-06-07 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Dual robot including splayed end effectors and systems and methods including same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011040301A1 (ja) 2011-04-07
KR20120073304A (ko) 2012-07-04
US20120213615A1 (en) 2012-08-23
CN102414808A (zh) 2012-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011040301A1 (ja) 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置
TWI741133B (zh) 最佳化低能量/高生產率沉積系統
US9805962B2 (en) Substrate conveyance method, and substrate conveyance device
JP4707749B2 (ja) 基板交換方法及び基板処理装置
JP2011119468A (ja) 被処理体の搬送方法および被処理体処理装置
JP2007005582A (ja) 基板搬送装置及びそれを搭載した半導体基板製造装置
JP5384925B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN107731710B (zh) 用于衬底处理系统的装载站和衬底处理工具
JP5518550B2 (ja) 被処理体処理装置
KR20190120834A (ko) 선형 진공 이송 모듈을 갖는 감소된 풋프린트 플랫폼 아키텍처 (Footprint Platform Architecture)
JPH06314729A (ja) 真空処理装置
TW201624599A (zh) 基板搬送方法及處理系統
JP5675416B2 (ja) 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置
JP2011129610A (ja) 搬送装置及びこの搬送装置を備えた被処理体処理装置
JP2012146703A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130521

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131112

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140401