JP6463220B2 - 処理システム - Google Patents

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Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、処理システムに関する。
基板処理のスループットを向上させるために、複数の基板処理装置を用いて、複数の被処理基板を並行して処理する場合がある。この場合、クリーンルーム等の施設内に複数の基板処理装置が配置されるため、複数の基板処理装置によって占有される面積が大きくなる。そのため、より大型のクリーンルームが必要となり、設備コストが増加する。これを回避するため、複数の基板処理装置を上下方向に多段に配置することにより、単位面積当たりの基板処理装置の設置台数を少なくすることが考えられる（例えば、下記特許文献１参照）。
特開２０００−２２３４２５号公報
ところで、上記特許文献１の技術では、複数の基板処理装置が上下方向に多段に配置されるため、単位面積当たりの基板処理装置の設置台数は少なくなるものの、それぞれの基板処理装置へ処理ガス等を供給する装置は、基板処理装置とは別の場所に配置される。そのため、システム全体としての占有面積は依然として大きい。
本発明の一側面は、例えば、１つ以上の処理ユニットを備える処理システムである。それぞれの処理ユニットは、複数の処理チャンバと、ユーティリティモジュールとを有する。それぞれの処理チャンバは、供給された処理ガスを用いて被処理体を処理する。ユーティリティモジュールは、複数の処理チャンバのそれぞれに供給される処理ガスの流量を制御する流量制御部を含む。複数の処理チャンバは、上下方向に重ねて配置される。ユーティリティモジュールは、複数の処理チャンバのうち、上下方向に隣接する２つの処理チャンバの間に配置される。
本発明の種々の側面および実施形態によれば、処理システム全体の占有面積を削減することができる。
図１は、処理システムの一例を示す図である。 図２は、処理ユニットの一例を示す図である。 図３は、図２のＡ方向から見た処理ユニットの一例を示す図である。 図４は、図２のＢ方向から見た処理ユニットの一例を示す図である。 図５は、処理ユニットの数が異なる処理システムの一例を示す図である。 図６は、処理ユニットの他の例を示す図である。 図７は、処理ユニットのさらなる他の例を示す図である。
開示する処理システムは、１つの実施形態において、１以上の処理ユニットを備える。それぞれの処理ユニットは、複数の処理チャンバと、ユーティリティモジュールとを有する。それぞれの処理チャンバは、供給された処理ガスを用いて被処理体を処理する。ユーティリティモジュールは、複数の処理チャンバのそれぞれに供給される処理ガスの流量を制御する流量制御部を含む。複数の処理チャンバは、上下方向に重ねて配置される。ユーティリティモジュールは、複数の処理チャンバのうち、上下方向に隣接する２つの処理チャンバの間に配置される。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットは、流量制御部から複数の処理チャンバのそれぞれに分配される処理ガスが流通する第１の配管を有し、流量制御部から複数の処理チャンバのそれぞれまでの第１の配管の長さは、処理ユニット内の複数の処理チャンバ間で同一であってもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットは、処理チャンバ毎に、処理チャンバに隣接して配置されたロードロックモジュールを有し、ロードロックモジュールから処理チャンバへ向かう方向において、ロードロックモジュールの幅は、ロードロックモジュールに隣接して配置された処理チャンバの幅よりも狭く、第１の配管は、ロードロックモジュールが配置された側の処理チャンバの側面のうち、ロードロックモジュールに隣接していない領域の側面と、ロードロックモジュールの側面のうち、ロードロックモジュールから処理チャンバへ向かう方向に延在する側面とで形成された隙間に配置される。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、ユーティリティモジュールは、処理ユニットが有する複数の処理チャンバのそれぞれから排気されるガスの排気量を制御する排気制御部をさらに有してもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットは、複数の処理チャンバのそれぞれから排気されるガスが流通する第２の配管を有し、複数の処理チャンバのそれぞれから排気制御部までの第２の配管の長さは、処理ユニット内の複数の処理チャンバ間で同一であってもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットは、処理チャンバ毎に、処理チャンバに隣接して配置されたロードロックモジュールを有し、ロードロックモジュールから処理チャンバへ向かう方向において、ロードロックモジュールの幅は、ロードロックモジュールに隣接して配置された処理チャンバの幅よりも狭く、第２の配管は、ロードロックモジュールが配置された側の処理チャンバの側面のうち、ロードロックモジュールに隣接していない領域の側面と、ロードロックモジュールの側面のうち、ロードロックモジュールから処理チャンバへ向かう方向に延在する側面とで形成された隙間に配置されてもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、ユーティリティモジュールは、プラズマを生成し、生成されたプラズマ中のラジカルを、処理ユニットが有する複数の処理チャンバのそれぞれに供給するリモートプラズマ生成部をさらに有してもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットは、リモートプラズマ生成部によって生成され、複数の処理チャンバのそれぞれに分配されるラジカルが流通する第３の配管を有し、リモートプラズマ生成部から複数の処理チャンバのそれぞれまでの第３の配管の長さは、処理ユニット内の複数の処理チャンバ間で同一であってもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットは、処理チャンバ毎に、処理チャンバに隣接して配置されたロードロックモジュールを有し、ロードロックモジュールから処理チャンバへ向かう方向において、ロードロックモジュールの幅は、ロードロックモジュールに隣接して配置された処理チャンバの幅よりも狭く、第３の配管は、ロードロックモジュールが配置された側の処理チャンバの側面のうち、ロードロックモジュールに隣接していない領域の側面と、ロードロックモジュールの側面のうち、ロードロックモジュールから処理チャンバへ向かう方向に延在する側面とで形成された隙間に配置されてもよい。
また、開示する処理システムの１つの実施形態において、それぞれの処理ユニットが有する複数の処理チャンバの数は２以上の偶数であり、ユーティリティモジュールは、処理ユニットが有する複数の処理チャンバの数をｎとした場合に、上からｎ／２番目の処理チャンバと、上から（ｎ／２）＋１番目の処理チャンバとの間に配置されてもよい。
また、開示する処理システムは、１つの実施形態において、処理ユニット単位で、処理ユニットの増減が可能であってもよい。
以下に、開示する処理システムの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示される発明が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
［処理システム１０の構成］
図１は、処理システム１０の一例を示す図である。図１は、上方から見た処理システム１０を模式的に示している。本実施形態における処理システム１０は、例えば図１に示すように、ＬＭ（Loader Module）１１、搬送室１２、および複数の処理ユニット２０−１〜２０−１２を備える。処理システム１０は、例えばクリーンルーム内に設置される。なお、以下では、複数の処理ユニット２０−１〜２０−１２のそれぞれを区別することなく総称する場合に処理ユニット２０と記載する。また、図１では、１２台の処理ユニット２０を有する処理システム１０が例示されているが、処理システム１０には、１１台以下の処理ユニット２０が設けられてもよく、１３台以上の処理ユニット２０が設けられていてもよい。
ＬＭ１１の正面側（図１の上側）には、複数のポートが設けられ、それぞれのポートには、オペレータやカセット搬送システムによって、未処理の基板Ｗが収納されたカセットがセットされる。未処理の基板Ｗは、被処理体の一例である。ＬＭ１１の背面側には、搬送室１２および複数の処理ユニット２０が配置される。図１の例では、複数の処理ユニット２０は、搬送室１２を挟んで横方向（例えば図１に示したｘ軸方向）に２列に配置され、それぞれの列では、横方向（例えば図１に示したｙ軸方向）に６台の処理ユニット２０が配置されている。処理システム１０の背面側には、電源ユニット１４が配置される。
それぞれの処理ユニット２０には、複数の処理チャンバが配置される。電源ユニット１４は、それぞれの処理チャンバに、所定周波数の高周波電力を供給する。
搬送室１２内には、移動式のロボットアーム等の搬送装置１３が設けられる。搬送装置１３は、ＬＭ１１のポートにセットされたカセットから未処理の基板Ｗを取り出す。そして、搬送装置１３は、搬送室１２内を移動し、カセットから取り出した基板Ｗを、いずれかの処理ユニット２０内の処理チャンバへ搬送する。そして、処理チャンバにおいて処理が行われた基板Ｗは、搬送装置１３によって処理チャンバから取り出され、搬送室１２のポートにセットされたカセットに戻される。
［処理ユニット２０の構成］
図２は、処理ユニット２０の一例を示す図である。図３は、図２のＡ方向から見た処理ユニット２０の一例を示す図である。図４は、図２のＢ方向から見た処理ユニット２０の一例を示す図である。
処理ユニット２０は、例えば図３および図４に示すように、複数の処理チャンバ２２−１〜２２−４を有する。なお、以下では、複数の処理チャンバ２２−１〜２２−４のそれぞれを区別することなく総称する場合に処理チャンバ２２と記載する。複数の処理チャンバ２２−１〜２２−４は、上下方向（例えば図３および図４に示したｚ軸方向）に重ねて配置される。図３および図４に例示した処理ユニット２０では、４台の処理チャンバ２２−１〜２２−４が重ねて配置されているが、３台以下の処理チャンバ２２が重ねて配置されてもよく、５台以上の処理チャンバ２２が重ねて配置されてもよい。本実施形態において、処理ユニット２０が有する処理チャンバ２２の台数は、偶数である。
それぞれの処理チャンバ２２は、整合器２２０、シャワーヘッド２２１、および載置台２２２を有する。整合器２２０は、高周波電源の出力インピーダンスと負荷インピーダンスを整合させる回路である。シャワーヘッド２２１は、後述する流量制御部３１から供給された処理ガスを処理チャンバ２２内に供給する。シャワーヘッド２２１には、整合器２２０を介して供給された所定周波数の高周波電力が印加される。シャワーヘッド２２１は、載置台２２２に対して上部電極として機能する。載置台２２２は、上面に処理対象の基板Ｗを載置する。また、載置台２２２は、シャワーヘッド２２１に対する下部電極として機能する。
それぞれの処理チャンバ２２には、例えば図２および図４に示すように、ｘ軸方向に隣接してＬＬＭ（Load Lock Module）２１−１〜２１−４が配置される。なお、以下では、複数のＬＬＭ２１−１〜２１−４のそれぞれを区別することなく総称する場合にＬＬＭ２１と記載する。それぞれのＬＬＭ２１は、ゲートバルブ２１０、搬送装置２１１、およびゲートバルブ２１２を有する。
上下方向に隣接する処理チャンバ２２の間には、例えば図３および図４に示すように、ユーティリティモジュール３０が配置される。本実施形態の処理ユニット２０では、ｎ（ｎは偶数）台の処理チャンバ２２が上下方向に重ねて配置されており、ユーティリティモジュール３０は、上からｎ／２番目の処理チャンバと、上から（ｎ／２）＋１番目の処理チャンバとの間に配置される。図３および図４に例示した処理ユニット２０では、４台の処理チャンバ２２が上下方向に重ねて配置されており、ユーティリティモジュール３０は、上から２番目の処理チャンバと、上から３番目の処理チャンバとの間に配置されている。
ユーティリティモジュール３０は、流量制御部３１および排気バルブ３２を有する。流量制御部３１は、ガス供給源４０から供給された処理ガスの流量を所定の流量に制御し、流量が制御された処理ガスを、配管２３０を介して各処理チャンバ２２に供給する。流量制御部３１は、ガス供給源４０から供給されたクリーニングガスの流量を所定の流量に制御して、配管２３０を介して各処理チャンバ２２に供給してもよい。排気バルブ３２は、配管２３１を介して各処理チャンバ２２に接続され、配管２３２を介してターボ分子ポンプ等の排気装置４１に接続される。そして、排気バルブ３２は、排気装置４１が各処理チャンバ２２から排気するガスの排気量を制御する。配管２３１は、第１の配管の一例である。排気バルブ３２は、排気制御部の一例である。
本実施形態において、流量制御部３１から各処理チャンバ２２までの配管２３０の長さは、処理ユニット２０内の全ての処理チャンバ２２間で同一である。これにより、１つの流量制御部３１によって処理ガスの流量を制御する場合であっても、各処理チャンバ２２に供給される処理ガスの流量の差を小さくすることができる。これにより、１つの流量制御部３１によって複数の処理チャンバ２２に供給される処理ガスの流量を精度よく制御することができる。そのため、各処理チャンバ２２に個別に流量制御部３１を設ける必要がなくなり、処理ユニット２０の小型化およびコストの削減が可能となる。
また、本実施形態において、各処理チャンバ２２から排気バルブ３２までの配管２３１の長さは、処理ユニット２０内の全ての処理チャンバ２２間で同一である。これにより、１つの排気バルブ３２によってガスの排気量を制御する場合であっても、各処理チャンバ２２から排気されるガスの排気量の差を小さくすることができる。これにより、１つの排気バルブ３２によって複数の処理チャンバ２２から排気されるガスの排気量を精度よく制御することができる。そのため、各処理チャンバ２２に個別に排気バルブ３２を設ける必要がなくなり、処理ユニット２０の小型化およびコストの削減が可能となる。
また、本実施形態において、ユーティリティモジュール３０は、例えば図３および図４に示すように、上下方向において、処理ユニット２０の略中央に配置される。これにより、ユーティリティモジュール３０内のガス供給源４０から各処理チャンバ２２に接続される配管２３０、および、各処理チャンバ２２からユーティリティモジュール３０内の排気バルブ３２に接続される配管２３１の長さを短くすることができる。これにより、配管２３０および配管２３１のコンダクタンスを大きくすることができ、各処理チャンバ２２内の圧力制御が容易になる。また、処理ユニット２０の小型化およびコストの削減も可能となる。
また、例えば図２に示すように、ＬＬＭ２１から処理チャンバ２２へ向かう方向（例えば図２のｘ軸方向）において、ＬＬＭ２１の幅Ｌ１は、ＬＬＭ２１に隣接して配置された処理チャンバ２２の幅Ｌ２よりも狭い。そのため、隣り合う処理ユニット２０の処理チャンバ２２を隣接して配置した場合、例えば図２に示すように、ＬＬＭ２１が配置された側の処理チャンバ２２の側面のうち、ＬＬＭ２１に隣接していない領域の側面２２３と、ＬＬＭ２１の側面のうち、ＬＬＭ２１から処理チャンバ２２へ向かう方向に延在する側面２１３とで囲まれた隙間２３が形成される。該隙間２３には、配管２３０および配管２３１が配置される。
処理チャンバ２２において基板Ｗが処理される場合には、ＬＬＭ２１のゲートバルブ２１２が開放され、搬送装置１３によって未処理の基板ＷがＬＬＭ２１内の搬送装置２１１上に載置される。そして、ゲートバルブ２１２が閉じられ、ＬＬＭ２１内が減圧される。そして、ゲートバルブ２１０が開放され、搬送装置２１１によって未処理の基板Ｗが処理チャンバ２２内に搬入され、載置台２２２上に載置される。そして、再びゲートバルブ２１０が閉じられる。
次に、流量制御部３１により、各処理チャンバ２２に流量が調節された処理ガスが供給される。流量制御部３１から供給された処理ガスは、シャワーヘッド２２１から処理チャンバ２２内に供給される。そして、排気バルブ３２により各処理チャンバ２２の排気量が制御され、処理チャンバ２２内が所定の圧力に制御される。そして、整合器２２０を介してシャワーヘッド２２１に所定周波数の高周波電力が印加されることにより、処理チャンバ２２内に処理ガスのプラズマが生成され、生成されたプラズマにより、載置台２２２上に載置された基板Ｗにエッチングや成膜等の所定の処理が施される。
基板Ｗに対する処理が終了した場合、ゲートバルブ２１０が開放され、搬送装置２１１によって、処理後の基板Ｗが処理チャンバ２２から搬出される。そして、ゲートバルブ２１０が閉じられ、ＬＬＭ２１内の圧力が大気圧に戻される。そして、ゲートバルブ２１２が開放され、搬送装置１３によって処理後の基板ＷがＬＬＭ２１から搬出される。
なお、本実施形態の処理システム１０は、処理ユニット２０単位で、増減が可能である。例えば、図５に示すように、１２個の処理ユニット２０を有する処理システム１０−２において、ｙ軸方向に処理ユニット２０を増やすことにより、例えば１４個の処理ユニット２０を有する処理システム１０−１を構成することができる。また、例えば、図５に示すように、１２個の処理ユニット２０を有する処理システム１０−２において、ｙ軸方向に処理ユニット２０を減らすことにより、例えば１０個の処理ユニット２０を有する処理システム１０−３を構成することができる。このように、複数の処理チャンバ２２が重ねて配置された処理ユニット２０単位での増設や縮減が可能であるため、設置場所の面積や必要な処理能力に応じて、より高い自由度で処理ユニット２０を構成することができる。
また、処理ユニット２０が有する複数の処理チャンバ２２は、流量制御部３１を介して供給される処理ガスが共通であるため、処理対象の基板Ｗに対して同一の処理を行う。しかし、別々の処理ユニット２０が有する処理チャンバ２２同士では、処理対象の基板Ｗに対して異なる処理が行われてもよい。例えば、図１に例示した処理システム１０において、処理ユニット２０−１〜２０−６では、成膜処理が行われ、処理ユニット２０−７〜２０−１２では、エッチング処理が行われてもよい。さらに、処理システム１０には、洗浄装置、熱処理装置、コータ／デベロッパ等の大気圧環境下で行われる処理を行う装置が含まれていてもよい。
以上、一実施形態について説明した。上記説明から明らかなように、本実施形態の処理システム１０によれば、処理システム１０全体の占有面積を削減することができる。
なお、開示の技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施形態において、各処理ユニット２０が有する処理チャンバ２２は、流量制御部３１を介して供給された処理ガスと、整合器２２０を介して供給された高周波電力とを用いてプラズマを生成するが、開示の技術はこれに限られない。例えば図６に示すように、ユーティリティモジュール３０内に設けられたリモートプラズマ生成部３３によってプラズマを生成し、生成されたプラズマ中のラジカルが、配管２３３を介して各処理チャンバ２２に供給され、各処理チャンバ２２内のシャワーヘッド２２１から処理チャンバ２２内に供給されてもよい。配管２３３は、第２の配管の一例である。
なお、図６に示した処理ユニット２０においても、リモートプラズマ生成部３３から各処理チャンバ２２までの配管２３３の長さは、処理ユニット２０内の全ての処理チャンバ２２間で同一である。これにより、１つのリモートプラズマ生成部３３によってプラズマが生成された場合であっても、各処理チャンバ２２へのラジカルの供給量の差を小さくすることができる。これにより、１つのリモートプラズマ生成部３３によってから各処理チャンバ２２に供給されるラジカルの量を精度よく制御することができる。そのため、各処理チャンバ２２で個別にプラズマを生成する必要がなくなり、処理ユニット２０の小型化およびコストの削減が可能となる。
また、例えば図７に示すように、各ＬＬＭ２１を減圧するための排気ポンプ３４をユーティリティモジュール３０内に１つ設け、配管２３４を介して各ＬＬＭ２１内のガスを排気するようにしてもよい。排気ポンプ３４によって各ＬＬＭ２１から排気されたガスは、排ガス処理装置４２へ送られる。なお、図７では、各処理チャンバ２２への処理ガスの供給路、および、各処理チャンバ２２から排気されるガスの排気路は省略されている。
図７の例では、１台の排気ポンプ３４によって処理ユニット２０内の複数のＬＬＭ２１を減圧することができるため、ＬＬＭ２１毎に排気ポンプ３４を設ける場合に比べて、処理ユニット２０の小型化およびコストの削減が可能となる。また、図７に示した処理ユニット２０においても、各ＬＬＭ２１から排気ポンプ３４までの配管２３４の長さは、処理ユニット２０内の全てのＬＬＭ２１間で同一であることが好ましい。これにより、処理ユニット２０内の複数のＬＬＭ２１において、大気圧から所定の真空度に減圧されるまでの時間差を小さくすることができる。これにより、処理時間を削減することができる。また、図７に示した処理ユニット２０においても、各ＬＬＭ２１から排気ポンプ３４までの配管２３４は、図２に示したように、ＬＬＭ２１の側面２１３と、処理チャンバ２２の側面２２３とで囲まれた隙間２３に配置されることが好ましい。
また、上記した実施形態における処理ユニット２０では、ｎ（ｎは偶数）台の処理チャンバ２２が上下方向に重ねて配置され、上からｎ／２番目の処理チャンバ２２と、上から（ｎ／２）＋１番目の処理チャンバ２２との間にユーティリティモジュール３０が配置されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、ユーティリティモジュール３０は、最上段の処理チャンバ２２の上、最下段の処理チャンバ２２の下、あるいは、上下方向に隣接するいずれか２つの処理チャンバ２２の間に配置されてもよい。ただし、この場合であっても、ユーティリティモジュール３０内の流量制御部３１から各処理チャンバ２２に接続される配管２３０や、各処理チャンバ２２から排気バルブ３２に接続される配管２３１が、処理ユニット２０内の全ての処理チャンバ２２間で同一の長さであることが好ましい。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者には明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
１０ 処理システム
１１ ＬＭ
１２ 搬送室
１３ 搬送装置
１４ 電源ユニット
２０ 処理ユニット
２１ ＬＬＭ
２１０ ゲートバルブ
２１１ 搬送装置
２１２ ゲートバルブ
２２ 処理チャンバ
２２０ 整合器
２２１ シャワーヘッド
２２２ 載置台
２３ 隙間
２３０ 配管
２３１ 配管
２３２ 配管
２３３ 配管
２３４ 配管
３０ ユーティリティモジュール
３１ 流量制御部
３２ 排気バルブ
３３ リモートプラズマ生成部
３４ 排気ポンプ
４０ ガス供給源
４１ 排気装置
４２ 排ガス処理装置

Claims (5)

  1. １以上の処理ユニットを備え、
    それぞれの前記処理ユニットは、
    供給された処理ガスを用いて被処理体を処理する複数の処理チャンバと、
    前記複数の処理チャンバのそれぞれに供給される前記処理ガスの流量を制御する流量制御部、および、前記複数の処理チャンバのそれぞれから排気されるガスの排気量を制御する排気制御部を含むユーティリティモジュールと、
    前記複数の処理チャンバのそれぞれから排気されるガスが流通する第１の配管と
    を有し、
    前記複数の処理チャンバは、上下方向に重ねて配置され、
    前記ユーティリティモジュールは、前記複数の処理チャンバのうち、上下方向に隣接する２つの処理チャンバの間に配置され、
    前記複数の処理チャンバのそれぞれから前記排気制御部までの前記第１の配管の長さは、前記処理ユニット内の前記複数の処理チャンバ間で同一であることを特徴とする処理システム。
  2. 前記ユーティリティモジュールは、
    プラズマを生成し、生成されたプラズマ中のラジカルを、前記処理ユニットが有する前記複数の処理チャンバのそれぞれに供給するリモートプラズマ生成部をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
  3. それぞれの前記処理ユニットは、
    前記リモートプラズマ生成部によって生成され、前記複数の処理チャンバのそれぞれに分配されるラジカルが流通する第２の配管を有し、
    前記複数の処理チャンバのそれぞれから前記リモートプラズマ生成部までの前記第２の配管の長さは、前記処理ユニット内の前記複数の処理チャンバ間で同一であることを特徴とする請求項２に記載の処理システム。
  4. それぞれの前記処理ユニットが有する前記複数の処理チャンバの数は２以上の偶数であり、
    前記ユーティリティモジュールは、
    前記処理ユニットが有する前記複数の処理チャンバの数をｎとした場合に、上からｎ／２番目の処理チャンバと、上から（ｎ／２）＋１番目の処理チャンバとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
  5. 前記処理ユニット単位で、前記処理ユニットの増減が可能であることを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
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