JP7458212B2 - 基板搬送システムおよび基板搬送方法 - Google Patents

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Description

本開示の種々の側面および実施形態は、基板搬送システム、真空基板搬送モジュール、および基板搬送方法に関する。
特許文献１には、処理対象のウエハを所定枚数格納する基板搬送容器を載置するキャリア載置台を３つ有する半導体製造装置が記載されている。特許文献１の半導体製造装置は、大気雰囲気下でウエハを搬送する第１の搬送室を有する。特許文献１の半導体製造装置は、室内を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えてウエハを待機させるための、例えば、左右に２個並んだロードロック室を有する。特許文献１の半導体製造装置は、真空雰囲気下でウエハを搬送する第２の搬送室と、搬入されたウエハにプロセス処理を施すための例えば４個の処理モジュールと、を備えている。また、特許文献１には、第１の搬送室内に設置された搬送装置が記載されている。特許文献１の搬送装置は、基台が、駆動機構により第１の搬送室の長さ方向に沿って移動自在且つ昇降自在に構成され、アライメント室と基板搬送容器との間でウエハを受け渡すことができるようになっている。
特開２０１５－１８８７５号公報
本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる基板搬送システム、真空基板搬送モジュール、および基板搬送方法を提供する。
本開示の一側面は、基板搬送システムであって、基板処理モジュールと、大気基板搬送モジュールと、第１の真空基板搬送モジュールと、第２の真空基板搬送モジュールと、ロードロックモジュールと、真空基板搬送ロボットとを備える。第１の真空基板搬送モジュールは、大気基板搬送モジュールおよび基板処理モジュールの隣に配置され、第１の搬送空間を有する。第２の真空基板搬送モジュールは、第１の真空基板搬送モジュールの上または下に配置され、第１の搬送空間と連通している第２の搬送空間を有し、平面視において第１の真空基板搬送モジュールよりも小さい外形寸法を有する。ロードロックモジュールは、大気基板搬送モジュールと第２の真空基板搬送モジュールとの間に配置されている。真空基板搬送ロボットは、第１の搬送空間内または第２の搬送空間内に配置され、第１の高さにおいて第１の搬送空間と基板処理モジュールとの間で基板を搬送するように構成されている。また、真空基板搬送ロボットは、第１の搬送空間と第２の搬送空間との間で基板を搬送するように構成されている。また、真空基板搬送ロボットは、第１の高さとは異なる第２の高さにおいて第２の搬送空間とロードロックモジュールとの間で基板を搬送するように構成されている。
本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板処理システムの設置面積を削減することができる。
図１は、一実施形態における基板処理システムの一例を示す平面図である。 図２は、図１における基板処理システムのＡ－Ａ断面の一例を示す図である。 図３は、図２における基板処理システムのＢ－Ｂ断面の一例を示す図である。 図４は、図２における基板処理システムのＣ－Ｃ断面の一例を示す図である。 図５は、基板搬送方法の一例を示すフローチャートである。 図６は、基板が搬送される際の基板処理システムの一例を示す断面図である。 図７は、基板が搬送される際の基板処理システムの一例を示す断面図である。 図８は、基板が搬送される際の基板処理システムの一例を示す断面図である。 図９は、基板が搬送される際の基板処理システムの一例を示す断面図である。 図１０は、基板処理システムの他の例を示す断面図である。 図１１は、基板処理システムの他の例を示す断面図である。 図１２は、基板処理システムの他の例を示す断面図である。
以下に、基板搬送システム、真空基板搬送モジュール、および基板搬送方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板搬送システム、真空基板搬送モジュール、および基板搬送方法が限定されるものではない。
ところで、単位時間あたりに処理可能な基板の数を増やすためには、基板に対する処理を行う基板処理モジュールを増やすことが考えられる。基板処理モジュールが増えると、複数の基板処理モジュール、真空搬送モジュール、ロードロックモジュール、および大気基板搬送モジュール等を含む基板処理システムが大型化する。基板処理システムが大型化すると、クリーンルーム等の設備内での基板処理システムの設置面積（フットプリント）が大きくなり、複数の基板処理システムを配置することが難しくなる。そのため、基板処理システムの設置面積の削減が求められている。
そこで、本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる技術を提供する。
［基板処理システム１の構成］
図１は、一実施形態における基板処理システム１の構成の一例を示す平面図である。図２は、図１における基板処理システム１のＡ－Ａ断面の一例を示す図である。図３は、図２における基板処理システム１のＢ－Ｂ断面の一例を示す図である。図４は、図２における基板処理システム１のＣ－Ｃ断面の一例を示す図である。図１では、便宜的に一部の装置の内部の構成要素が透過するように図示されている。基板処理システム１は、本体１０と、本体１０を制御する制御装置１００とを備える。
本体１０は、真空基板搬送モジュール１１、少なくとも１つ（図の例では複数）の基板処理モジュール１２、少なくとも１つ（図の例では複数）のロードロックモジュール１３、大気基板搬送モジュール１７、および少なくとも１つ（図の例では複数）のロードポート１８を備える。基板処理モジュール１２は、第１の外部モジュールの一例であり、ロードロックモジュール１３は、第２の外部モジュールの一例である。
真空基板搬送モジュール１１は、第１の真空基板搬送モジュール１１１および第２の真空基板搬送モジュール１１２を有する。第１の真空基板搬送モジュール１１１は、真空雰囲気下で基板Ｗを搬送するための第１の搬送空間１１１０を有し、大気基板搬送モジュール１７および複数の基板処理モジュール１２の隣に配置されている。本実施形態において、第１の真空基板搬送モジュール１１１は、平面視において略矩形の形状を有し、第１～第４の側壁を有する。第１の真空基板搬送モジュール１１１の第１の側壁には、大気基板搬送モジュール１７が隣接している。第１の真空基板搬送モジュール１１１は、大気基板搬送モジュール１７と連通していない。第１の真空基板搬送モジュール１１１の第２の側壁および第３の側壁のそれぞれは、第１の側壁に直交しており、２つの基板処理モジュール１２が取り付けられている。第２の真空基板搬送モジュール１１２は、第１の搬送空間１１１０の下に配置されており、真空雰囲気下で基板Ｗを搬送するための第２の搬送空間１１２０を有する。本実施形態において、第２の真空基板搬送モジュール１１２は、平面視において略矩形の形状を有し、第１～第４の側壁を有する。第２の真空基板搬送モジュール１１２の第１の側壁は、大気基板搬送モジュール１７と対向しており、少なくとも１つのロードロックモジュール１３が取り付けられている。第２の搬送空間１１２０は、第１の搬送空間１１１０と連通している。第１の搬送空間１１１０および第２の搬送空間１１２０は、一体化されていてもよく、分離可能であってもよい。第２の真空基板搬送モジュール１１２の外形寸法は、平面視において（図１～図４の上下方向から見た場合に）、第１の真空基板搬送モジュール１１１の外形寸法よりも小さい。本実施形態において、第２の真空基板搬送モジュール１１２の横方向の寸法Ｗ２は、例えば図１に示されるように、第１の真空基板搬送モジュール１１１の横方向の寸法Ｗ１と同じかあるいはそれよりも小さい。本実施形態において、第２の真空基板搬送モジュール１１２の奥行方向の寸法Ｄ２は、例えば図２に示されるように、第１の真空基板搬送モジュール１１１の奥行方向の寸法Ｄ１よりも小さい。
第２の真空基板搬送モジュール１１２の第２の搬送空間１１２０内には、搬送ロボット１１０が設けられている。搬送ロボット１１０は、真空基板搬送ロボットの一例である。搬送ロボット１１０は、先端に基板Ｗを載せるためのエンドエフェクタが設けられたアームを有する。搬送ロボット１１０は、当該アームを動かすことにより、それぞれの基板処理モジュール１２と第１の搬送空間１１１０との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。本実施形態において、搬送ロボット１１０は、第１の高さｈ１においてそれぞれの基板処理モジュール１２と第１の搬送空間１１１０との間で基板Ｗを水平方向に搬送するように構成されている。また、搬送ロボット１１０は、当該アームを動かすことにより、第１の搬送空間１１１０と第２の搬送空間１１２０との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。本実施形態において、搬送ロボット１１０は、第１の搬送空間１１１０内の第１の高さｈ１と第２の搬送空間１１２０内の第２の高さｈ２との間で基板Ｗを上下方向に搬送するように構成されている。また、搬送ロボット１１０は、当該アームを動かすことにより、第２の搬送空間１１２０とそれぞれのロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。本実施形態において、搬送ロボット１１０は、第２の高さｈ２において第２の搬送空間１１２０とそれぞれのロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを水平方向に搬送するように構成されている。真空基板搬送モジュール１１の第１の真空基板搬送モジュール１１１内および第２の真空基板搬送モジュール１１２内は、真空雰囲気（大気圧よりも低い予め定められた圧力；以下、低圧と記載する場合がある）に保たれている。
第１の真空基板搬送モジュール１１１の側壁には、複数のゲートバルブＧ１が取り付けられている。本実施形態において、第１の真空基板搬送モジュール１１１の第２の側壁および第３の側壁のそれぞれには、２つの基板搬送口が形成されており、それぞれの基板搬送口には、ゲートバルブＧ１が取り付けられている。それぞれのゲートバルブＧ１は、第１の真空基板搬送モジュール１１１と１つの基板処理モジュール１２との間に配置されており、第１の真空基板搬送モジュール１１１は、当該基板処理モジュール１２と接続（連通）可能である。ゲートバルブＧ１は、第１の基板搬送ゲートの一例である。なお、図１の例では、第１の真空基板搬送モジュール１１１に４つの基板処理モジュール１２が接続されているが、第１の真空基板搬送モジュール１１１に接続される基板処理モジュール１２の数は、３以下であってもよく、５以上であってもよい。
それぞれの基板処理モジュール１２は、基板Ｗに対して、エッチングや成膜等の処理を施す。本実施形態において、基板処理モジュール１２は、真空雰囲気下で基板Ｗに対してプラズマ処理を施す。それぞれの基板処理モジュール１２は、製造工程の中で同一の工程を実行するモジュールであってもよく、異なる工程を実行するモジュールであってもよい。
第２の真空基板搬送モジュール１１２の側面には、例えば図１～図３に示されるように、複数のゲートバルブＧ２が取り付けられている。本実施形態において、第２の真空基板搬送モジュール１１２の第１の側壁には、２つの基板搬送口が形成されており、それぞれの基板搬送口には、ゲートバルブＧ２が取り付けられている。それぞれのゲートバルブＧ２は、第２の真空基板搬送モジュール１１２と１つのロードロックモジュール１３との間に配置されており、第２の真空基板搬送モジュール１１２は、当該ロードロックモジュール１３に接続（連通）可能である。ゲートバルブＧ２は、第２の基板搬送ゲートの一例である。本実施形態において、複数のロードロックモジュール１３は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下であって、第２の真空基板搬送モジュール１１２と大気基板搬送モジュール１７との間に配置されている。なお、図１～図３の例では、第２の真空基板搬送モジュール１１２に２つのロードロックモジュール１３が接続されているが、第２の真空基板搬送モジュール１１２に接続されるロードロックモジュール１３の数は、１であってもよく、３以上であってもよい。
それぞれのロードロックモジュール１３には、ゲートバルブＧ３が取り付けられている。それぞれのゲートバルブＧ３は、大気基板搬送モジュール１７と１つのロードロックモジュール１３との間に配置されている。本実施形態において、それぞれのゲートバルブＧ３は、例えば図２に示されるように、対応するロードロックモジュール１３に取り付けられているゲートバルブＧ２と同じ高さに配置されている。ゲートバルブＧ３は、第３の基板搬送ゲートの一例である。本実施形態において、ロードロックモジュール１３は、平面視において略矩形の形状を有し、第１～第４の側壁を有する。第２の側壁は第１の側壁の反対側にある。ロードロックモジュール１３の第１の側壁には、基板搬送口が形成されており、この基板搬送口には、ゲートバルブＧ２が取り付けられている。また、ロードロックモジュール１３の第２の側壁には、基板搬送口が形成されており、この基板搬送口には、ゲートバルブＧ３が取り付けられている。
ゲートバルブＧ３を介してロードロックモジュール１３内に大気基板搬送モジュール１７から基板Ｗが搬送された後に、ゲートバルブＧ３の駆動によって対応する基板搬送口が閉じられる。そして、図示しない排気装置によりロードロックモジュール１３内の圧力が大気圧から低圧まで下げられる。そして、ゲートバルブＧ２の駆動によって対応する基板搬送口が開き、ロードロックモジュール１３内の基板Ｗが第２の真空基板搬送モジュール１１２内へ搬送される。
また、ロードロックモジュール１３内が低圧となっている状態（すなわち、真空雰囲気下）で、ゲートバルブＧ２に対応する基板搬送口を介して第２の真空基板搬送モジュール１１２からロードロックモジュール１３内に基板Ｗが搬送された後に、ゲートバルブＧ２の駆動によって対応する基板搬送口が閉じられる。そして、図示しないガス供給装置によりロードロックモジュール１３内にガス（例えば空気）が供給されることにより、ロードロックモジュール１３内の圧力が低圧から大気圧まで上げられる。そして、ゲートバルブＧ３の駆動によって対応する基板搬送口が開き、ロードロックモジュール１３内の基板Ｗが大気基板搬送モジュール１７内へ搬送される。
ロードロックモジュール１３に接続された大気基板搬送モジュール１７の側壁と反対側の大気基板搬送モジュール１７の側壁には、複数のロードポート１８が設けられている。それぞれのロードポート１８には、複数の基板Ｗが収容されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）が接続（載置）される。
大気基板搬送モジュール１７内には、搬送ロボット１７１が配置されている。搬送ロボット１７１は、大気基板搬送ロボットの一例である。搬送ロボット１７１は、ゲートバルブＧ３に対応する基板搬送口を介して大気基板搬送モジュール１７とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。また、搬送ロボット１７１は、ロードポート１８に接続されたＦＯＵＰとロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。大気基板搬送モジュール１７におけるロードロックモジュール１３側の側壁には、ガイドレール１７０が設けられている。搬送ロボット１７１は、ガイドレール１７０に沿って大気基板搬送モジュール１７内を往復移動する。
大気基板搬送モジュール１７の上部には、例えば図２に示されるように、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）１７５が設けられている。ＦＦＵ１７５は、パーティクル等が除去された空気（以下、清浄空気と記載する）を、大気基板搬送モジュール１７の上部から大気基板搬送モジュール１７内に供給する。大気基板搬送モジュール１７の底部には、有孔床１７６が設けられており、有孔床１７６の下方には、大気基板搬送モジュール１７内の清浄空気を排気する排気装置１７７が接続されている。ＦＦＵ１７５から供給された清浄空気が有孔床１７６を介して排気装置１７７によって排気されることにより、大気基板搬送モジュール１７内に清浄空気のダウンフローが形成される。これにより、大気基板搬送モジュール１７内でのパーティクル等の巻き上がりを抑制することができる。なお、排気装置１７７は、大気基板搬送モジュール１７内が陽圧となるように大気基板搬送モジュール１７内の圧力を制御することが好ましい。これにより、外部から大気基板搬送モジュール１７内へのパーティクル等の侵入を抑制することができる。
制御装置１００は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、またはＳＳＤ（Solid State Drive）等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して本体１０の各部を制御する。プロセッサは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）等である。
このように、本実施形態では、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置され平面視において第１の真空基板搬送モジュール１１１よりも小さい外径寸法を有する第２の真空基板搬送モジュール１１２の側面にロードロックモジュール１３が接続されている。これにより、第１の真空基板搬送モジュール１１１と大気基板搬送モジュール１７との間にロードロックモジュール１３が配置される場合に比べて、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。
［基板Ｗの搬送方法］
図５は、基板搬送方法の一例を示すフローチャートである。図６～図９は、基板Ｗが搬送される際の基板処理システム１の一例を示す断面図である。図５に例示された処理は、制御装置１００によって本体１０の各部が制御されることにより実現される。なお、図５には、基板処理モジュール１２からＦＯＵＰへ基板Ｗを搬送する場合の手順が示されているが、ＦＯＵＰから基板処理モジュール１２へ基板Ｗを搬送する場合の手順についても、例えば図５に例示された手順を逆に辿る手順により実現される。
まず、ゲートバルブＧ１の駆動によって対応する基板搬送口が開く。そして、大気圧よりも低い圧力雰囲気（すなわち、真空雰囲気）下で、搬送ロボット１１０は、ゲートバルブＧ１に対応する基板搬送口を介して基板処理モジュール１２内から第１の搬送空間１１１０内へ基板Ｗを搬送する（Ｓ１０）。ステップＳ１０は、ａ）工程の一例である。そして、ゲートバルブＧ１の駆動によって対応する基板搬送口が閉じられる。ステップＳ１０では、例えば図６に示されるように、第１の高さｈ１において、搬送ロボット１１０は、ゲートバルブＧ１に対応する基板搬送口を介して、基板処理モジュール１２内から第１の搬送空間１１１０内へ基板Ｗを水平方向に搬送する。第１の高さｈ１は、例えば第２の真空基板搬送モジュール１１２の底面からの高さである。
次に、大気圧よりも低い圧力雰囲気下で、搬送ロボット１１０は、第１の搬送空間１１１０内の第１の高さｈ１から第２の搬送空間１１２０内の第２の高さｈ２へ基板Ｗを上下方向に搬送する（Ｓ１１）。ステップＳ１１は、ｂ）工程の一例である。そして、ゲートバルブＧ２の駆動によって対応する基板搬送口が開かれる。なお、ゲートバルブＧ２に対応する基板搬送口が開く前に、ロードロックモジュール１３内は、真空基板搬送モジュール１１内とほぼ同じ圧力（すなわち、真空雰囲気）となっている。
次に、大気圧よりも低い圧力雰囲気下で、搬送ロボット１１０は、ゲートバルブＧ２に対応する基板搬送口を介して第２の搬送空間１１２０内からロードロックモジュール１３内へ基板Ｗを搬送する（Ｓ１２）。ステップＳ１２は、ｃ）工程の一例である。そして、搬送ロボット１１０は、ロードロックモジュール１３内の基板支持部上に基板Ｗを置いた後に、エンドエフェクタのみをロードロックモジュール１３内から退避させる。ステップＳ１２では、例えば図７に示されるように、第２の高さｈ２において、搬送ロボット１１０は、ゲートバルブＧ２に対応する基板搬送口を介して、第２の搬送空間１１２０内からロードロックモジュール１３内へ基板Ｗを水平方向に搬送する。第１の高さｈ１は、第２の高さｈ２よりも高い。第２の高さｈ２は、例えば第２の真空基板搬送モジュール１１２の底面からの高さである。
次に、例えば図８に示されるようにゲートバルブＧ２の駆動によって対応する基板搬送口が閉じられ、図示しないガス供給装置により、ロードロックモジュール１３内の圧力が大気圧まで上げられる（Ｓ１３）。そして、ゲートバルブＧ３の駆動によって対応する基板搬送口が開く。
次に、例えば図９に示されるように、大気圧雰囲気下で、搬送ロボット１７１は、ゲートバルブＧ３に対応する基板搬送口を介してロードロックモジュール１３内から大気基板搬送モジュール１７内へ基板Ｗを搬送する（Ｓ１４）。ステップＳ１４において、搬送ロボット１７１は、第２の高さｈ２において、ゲートバルブＧ３に対応する基板搬送口を介してロードロックモジュール１３と大気基板搬送モジュール１７との間で基板Ｗを搬送する。ステップＳ１４は、ｄ）工程の一例である。
次に、大気圧雰囲気下で、搬送ロボット１７１は、大気基板搬送モジュール１７内からＦＯＵＰ内へ基板Ｗを搬送する（Ｓ１５）。そして、本フローチャートに示された処理が終了する。
以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における基板処理システム１は、基板処理モジュール１２と、大気基板搬送モジュール１７と、第１の真空基板搬送モジュール１１１と、第２の真空基板搬送モジュール１１２と、ロードロックモジュール１３と、搬送ロボット１１０とを備える。第１の真空基板搬送モジュール１１１は、大気基板搬送モジュール１７および基板処理モジュール１２の隣に配置され、第１の搬送空間１１１０を有する。第２の真空基板搬送モジュール１１２は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置され、第１の搬送空間１１１０と連通している第２の搬送空間１１２０を有し、平面視において第１の真空基板搬送モジュール１１１よりも小さい外形寸法を有する。ロードロックモジュール１３は、大気基板搬送モジュール１７と第２の真空基板搬送モジュール１１２との間に配置されている。搬送ロボット１１０は、第２の搬送空間１１２０内に配置され、第１の高さｈ１において第１の搬送空間１１１０と基板処理モジュール１２との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。また、搬送ロボット１１０は、第１の搬送空間１１１０と第２の搬送空間１１２０との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。また、搬送ロボット１１０は、第１の高さｈ１とは異なる第２の高さｈ２において第２の搬送空間１１２０とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。これにより、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。
また、上記した第１の実施形態において、第２の真空基板搬送モジュール１１２は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置され、第１の高さｈ１は、第２の高さｈ２よりも高い。これにより、真空基板搬送モジュール１１と大気基板搬送モジュール１７との間にロードロックモジュール１３を容易に配置することができる。
また、上記した第１の実施形態において、搬送ロボット１１０は、第２の搬送空間１１２０内に配置されている。これにより、第１の真空基板搬送モジュール１１１を小さくすることができる。
また、上記した第１の実施形態における基板処理システム１は、大気基板搬送モジュール１７内に配置され、大気基板搬送モジュール１７とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成された搬送ロボット１７１をさらに備える。これにより、大気基板搬送モジュール１７とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送することができる。
また、上記した第１の実施形態において、搬送ロボット１７１は、第２の高さｈ２において大気基板搬送モジュール１７とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。これにより、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置された第２の真空基板搬送モジュール１１２に接続されたロードロックモジュール１３と大気基板搬送モジュール１７との間で基板Ｗを搬送することができる。
また、上記した第１の実施形態における真空基板搬送モジュール１１は、第１の真空基板搬送モジュール１１１と、第２の真空基板搬送モジュール１１２と、搬送ロボット１１０とを備える。第１の真空基板搬送モジュール１１１は、第１の搬送空間１１１０を有する。第２の真空基板搬送モジュール１１２は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置され、第１の搬送空間１１１０と連通している第２の搬送空間１１２０を有し、平面視において第１の真空基板搬送モジュール１１１よりも小さい外形寸法を有する。搬送ロボット１１０は、第１の搬送空間１１１０または第２の搬送空間１１２０内に配置され、第１の高さｈ１において第１の搬送空間１１１０と基板処理モジュール１２との間で基板Ｗを搬送し、第１の搬送空間１１１０と第２の搬送空間１１２０との間で基板Ｗを搬送し、第１の高さｈ１とは異なる第２の高さｈ２において第２の搬送空間１１２０とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。これにより、真空基板搬送モジュール１１を含む基板処理システム１の設置面積を削減することができる。
また、上記した第１の実施形態における基板搬送方法は、ａ）真空雰囲気下で、第１の高さｈ１において第１の真空基板搬送モジュール１１１と基板処理モジュール１２との間で基板Ｗを搬送する工程と、ｂ）真空雰囲気下で、第１の真空基板搬送モジュール１１１と第２の真空基板搬送モジュール１１２との間で基板Ｗを搬送する工程であり、第２の真空基板搬送モジュール１１２は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置されており、平面視において第１の真空基板搬送モジュール１１１よりも小さい外形寸法を有する、工程と、ｃ）真空雰囲気下で、第１の高さｈ１とは異なる第２の高さｈ２において第２の真空基板搬送モジュール１１２と、ロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送する工程であり、ロードロックモジュール１３は、第２の真空基板搬送モジュール１１２と大気基板搬送モジュール１７との間に配置されている、工程と、ｄ）大気圧雰囲気下で、ロードロックモジュール１３と大気基板搬送モジュール１７との間で基板を搬送する工程とを含む。これにより、設置面積が小さい基板処理システム１において基板Ｗを搬送することができる。
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施形態では、搬送ロボット１１０が第２の真空基板搬送モジュール１１２の第２の搬送空間１１２０内に配置されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、図１０に示されるように、搬送ロボット１１０は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の第１の搬送空間１１１０内に配置されてもよい。このような構成であっても、搬送ロボット１１０は、それぞれの基板処理モジュール１２、第１の搬送空間１１１０、第２の搬送空間１１２０、およびそれぞれのロードロックモジュール１３の間で、基板Ｗを搬送することができる。
また、上記した実施形態では、第２の真空基板搬送モジュール１１２が第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、図１１に示されるように、第２の真空基板搬送モジュール１１２は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上に配置されてもよい。図１１の例では、搬送ロボット１１０は、第２の真空基板搬送モジュール１１２の第２の搬送空間１１２０内に配置され、ロードロックモジュール１３は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上に配置されている。このような構成であっても、基板処理システム１の設置面積を削減することができる。なお、図１１に例示された基板処理システム１において、搬送ロボット１１０は、例えば図１２に示されるように、第１の真空基板搬送モジュール１１１の第１の搬送空間１１１０内に配置されてもよい。
また、上記した実施形態において、複数のロードロックモジュール１３は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、ロードロックモジュール１３は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上および下にそれぞれ少なくとも１つずつ配置されてもよい。この場合、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上および下に、それぞれ第２の真空基板搬送モジュール１１２が配置される。そして、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上に配置された第２の真空基板搬送モジュール１１２の第２の搬送空間１１２０は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の第１の搬送空間１１１０と連通する。また、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上に配置された第２の真空基板搬送モジュール１１２の第２の搬送空間１１２０は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の上に配置されたロードロックモジュール１３の内部空間と連通する。また、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置された第２の真空基板搬送モジュール１１２内の第２の搬送空間１１２０は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の第１の搬送空間１１１０連通する。また、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置された第２の真空基板搬送モジュール１１２の第２の搬送空間１１２０は、第１の真空基板搬送モジュール１１１の下に配置されたロードロックモジュール１３の内部空間と連通する。
また、上記した実施形態において、真空基板搬送モジュール１１、複数のロードロックモジュール１３、および大気基板搬送モジュール１７は、基板Ｗを搬送するが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、真空基板搬送モジュール１１、複数のロードロックモジュール１３、および大気基板搬送モジュール１７は、基板Ｗに加えてエッジリングを搬送してもよい。この場合、搬送ロボット１１０および搬送ロボット１７１は、基板Ｗに加えてエッジリングを搬送する。それぞれの基板処理モジュール１２内には、基板Ｗが載置されるステージが設けられており、ステージには基板Ｗを囲むようにエッジリングが設けられている。エッジリングは、エッチング等の基板Ｗの処理によって消耗するため、予め定められたタイミングで交換される。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｇ ゲートバルブ
Ｗ 基板
１ 基板処理システム
１０ 本体
１１ 真空基板搬送モジュール
１１０ 搬送ロボット
１１１ 第１の真空基板搬送モジュール
１１１０ 第１の搬送空間
１１２ 第２の真空基板搬送モジュール
１１２０ 第２の搬送空間
１２ 基板処理モジュール
１３ ロードロックモジュール
１７ 大気基板搬送モジュール
１７０ ガイドレール
１７１ 搬送ロボット
１７５ ＦＦＵ
１７７ 排気装置
１７６ 有孔床
１８ ロードポート
１００ 制御装置

Claims (3)

  1. 第１の搬送空間を有する第１の真空基板搬送モジュールであり、前記第１の真空基板搬送モジュールは、第１の方向に沿って延在する第１の側壁及び第２の側壁を有し、前記第２の側壁は、前記第１の側壁の反対側にあり、前記第１の側壁は、第１の高さにおいて前記第１の方向に沿って配列される複数の第１の開口を有し、前記第２の側壁は、前記第１の高さにおいて前記第１の方向に沿って配列される複数の第２の開口を有する、第１の真空基板搬送モジュールと、
    複数の第１の基板処理モジュール及び複数の第２の基板処理モジュールを含む複数の基板処理モジュールであり、前記複数の第１の基板処理モジュールの各々は、前記複数の第１の開口のうちいずれかを介して前記第１の真空基板搬送モジュールに接続され、前記複数の第２の基板処理モジュールの各々は、前記複数の第２の開口のうちいずれかを介して前記第１の真空基板搬送モジュールに接続される、複数の基板処理モジュールと、
    前記第１の真空基板搬送モジュールの下方に配置され、前記第１の搬送空間と連通している第２の搬送空間を有する第２の真空基板搬送モジュールと、
    第３の搬送空間を有する大気基板搬送モジュールと、
    前記第１の真空基板搬送モジュールの下方において前記大気基板搬送モジュールと前記第２の真空基板搬送モジュールとの間に配置され、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配列される複数のロードロックモジュールであり、前記複数のロードロックモジュールの各々は、第４の搬送空間を有し、前記第２の方向に沿って延在する第３の側壁及び第４の側壁を有し、前記第４の側壁は、前記第３の側壁の反対側にあり、前記第３の側壁は、前記第１の高さよりも低い第２の高さに第３の開口を有し、前記第４の側壁は、前記第２の高さに第４の開口を有し、前記第４の搬送空間は、前記第３の開口を介して前記第２の搬送空間と連通可能であり、前記第４の開口を介して前記第３の搬送空間と連通可能である、複数のロードロックモジュールと、
    前記複数の第１の開口にそれぞれ取り付けられる複数の第１のゲートバルブと、
    前記複数の第２の開口にそれぞれ取り付けられる複数の第２のゲートバルブと、
    複数の前記第３の開口にそれぞれ取り付けられる複数の第３のゲートバルブと、
    複数の前記第４の開口にそれぞれ取り付けられる複数の第４のゲートバルブと、
    前記第２の搬送空間内に配置され、前記第１の高さにおいて前記複数の第１の開口及び前記複数の第２の開口のうちいずれかを介して前記第１の搬送空間と前記基板処理モジュールとの間で基板を水平方向に搬送し、前記第１の搬送空間内において前記第１の高さと前記第２の高さとの間で基板を上下方向に搬送し、前記第２の高さにおいて前記第３の開口を介して前記第２の搬送空間と前記第４の搬送空間との間で基板を水平方向に搬送するように構成される真空基板搬送ロボットと、
    前記第３の搬送空間内に配置され、前記第２の高さにおいて前記第４の開口を介して前記第３の搬送空間と前記第４の搬送空間との間で基板を水平方向に搬送するように構成される大気基板搬送ロボットと、
    を備える、基板搬送システム。
  2. 真空基板搬送モジュールと、
    基板処理モジュールと、
    大気基板搬送モジュールと、
    ロードロックモジュールと、
    前記真空基板搬送モジュール内に配置される真空基板搬送ロボットであり、前記真空基板搬送ロボットは、第１の高さにおいて前記真空基板搬送モジュールと基板処理モジュールとの間で基板を水平方向に搬送し、前記真空基板搬送モジュールにおいて前記第１の高さと前記第１の高さよりも低い第２の高さとの間で基板を上下方向に搬送し、前記第２の高さにおいて前記真空基板搬送モジュールと前記ロードロックモジュールとの間で基板を水平方向に搬送するように構成される真空基板搬送ロボットと、
    前記大気基板搬送モジュール内に配置され、前記第２の高さにおいて前記ロードロックモジュールと前記大気基板搬送モジュールとの間で基板を水平方向に搬送するように構成される大気基板搬送ロボットと、
    を備える、基板搬送システム。
  3. ａ）真空雰囲気下で、第１の高さにおいて真空基板搬送モジュールと基板処理モジュールとの間で基板を水平方向に搬送する工程と、
    ｂ）真空雰囲気下で、前記真空基板搬送モジュールにおいて前記第１の高さと前記第１の高さよりも低い第２の高さとの間で基板を上下方向に搬送する工程と、
    ｃ）真空雰囲気下で、前記第２の高さにおいて前記真空基板搬送モジュールとロードロックモジュールとの間で基板を水平方向に搬送する工程と、
    ｄ）大気圧雰囲気下で、前記第２の高さにおいて前記ロードロックモジュールと大気基板搬送モジュールとの間で基板を水平方向に搬送する工程と
    を含む、基板搬送方法。
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