CN113394143A - 基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。基片输送系统包括基片处理模块、大气基片输送模块、第1真空基片输送模块、第2真空基片输送模块、负载锁定模块和真空基片输送机械臂。第1真空基片输送模块与大气基片输送模块和基片处理模块相邻地配置，具有第1输送空间。第2真空基片输送模块配置在第1真空基片输送模块之上或之下，具有与第1输送空间连通的第2输送空间，且具有俯视时比第1真空基片输送模块小的外形尺寸。负载锁定模块配置在大气基片输送模块与第2真空基片输送模块之间。真空基片输送机械臂配置在第1输送空间内或者第2输送空间内，能够输送基片。根据本发明，能够削减基片处理系统的设置面积。

Description

基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法
技术领域
本发明的各种侧面和实施方式涉及基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。
背景技术
专利文献1中记载了具有3个用于载置基片输送容器的承载器载置台的半导体制造装置，该基片输送容器保存规定个数的作为处理对象的晶片。专利文献1的半导体制造装置在大气气氛下具有输送晶片的第1输送室。专利文献1的半导体制造装置具有用于将室内切换为大气气氛和真空气氛以使晶片待机的、例如左右并排2个的负载锁定室。专利文献1的半导体制造装置包括：在真空气氛下输送晶片的第2输送室；和用于对被送入的晶片实施工艺处理的例如4个处理模块。此外，专利文献1中记载了设置于第1输送室内的输送装置。专利文献1的输送装置中，基台构成为借助驱动机构而能够沿第1输送室的长度方向移动且可升降，能够在对准室与基片输送容器之间交接晶片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-18875号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。
用于解决问题的技术手段
本发明的一侧面为基片输送系统，其包括基片处理模块、大气基片输送模块、第1真空基片输送模块、第2真空基片输送模块、负载锁定模块和真空基片输送机械臂。第1真空基片输送模块与大气基片输送模块和基片处理模块相邻地配置，具有第1输送空间。第2真空基片输送模块配置在第1真空基片输送模块之上或之下，具有与第1输送空间连通的第2输送空间，且具有俯视时比第1真空基片输送模块小的外形尺寸。负载锁定模块配置于大气基片输送模块与第2真空基片输送模块之间。真空基片输送机械臂配置在第1输送空间内或者第2输送空间内，构成为能够在第1输送空间与基片处理模块之间在第1高度输送基片。此外，真空基片输送机械臂构成为能够在第1输送空间与第2输送空间之间输送基片。此外，真空基片输送机械臂构成为能够在第2输送空间与负载锁定模块之间在与第1高度不同的第2高度输送基片。
发明效果
依照本发明的各种侧面和实施方式，能够削减基片处理系统的设置面积。
附图说明
图1是表示一实施方式中的基片处理系统的一个例子的俯视图。
图2是表示图1中的基片处理系统的A-A截面的一个例子的图。
图3是表示图2中的基片处理系统的B-B截面的一个例子的图
图4是表示图2中的处理系统的C-C截面的一个例子的图。
图5是表示基片输送方法的一个例子的流程图。
图6是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图7是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图8是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图9是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图10是表示基片处理系统的其他例子的截面图。
图11是表示基片处理系统的其他例子的截面图。
图12是表示基片处理系统的其他例子的截面图。
附图标记说明
G 闸门
W 基片
1 基片处理系统
10 主体
11 真空基片输送模块
110 输送机械臂
111 第1真空基片输送模块
1110 第1输送空间
112 第2真空基片输送模块
1120 第2输送空间
12 基片处理模块
13 负载锁定模块
17 大气基片输送模块
170 导轨
171 输送机械臂
175 FFU
177 排气装置
176 有孔底板
18 装载端口
100 控制装置
具体实施方式
下面，基于附图，对基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法的实施方式进行说明。此外，公开的基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法不由以下的实施方式。
为了增加每单位时间可处理的基片的数量，考虑增加对基片进行处理的基片处理模块。当基片处理模块增加时，包含多个基片处理模块、真空输送模块、负载锁定模块和大气基片输送模块等的基片处理系统大型化。当基片处理系统大型化时，清洁室等设备内的基片处理系统的设置面积(占地面积)变大，难以配置多个基片处理系统。因此，人们希望削减基片处理系统的设置面积。
于是，本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的技术。
[基片处理系统1的结构]
图1是表示一实施方式中的基片处理系统1的结构的一个例子的俯视图。图2是表示图1中的基片处理系统1的A-A截面的一个例子的图。图3是表示图2中的基片处理系统1的B-B截面的一个例子的图。图4是表示图2中的基片处理系统1的C-C截面的一个例子的图。在图1中，为了方便以透视一部分装置的内部的构成要素的方式进行了图示。基片处理系统1包括主体10和控制主体10的控制装置100。
主体10包括真空基片输送模块11、至少1个(在图的例子中为多个)基片处理模块12、至少1个(在图的例子中为多个)负载锁定模块13、大气基片输送模块17和至少1个(在图的例子中为多个)装载端口18。基片处理模块12是第1外部模块的一个例子，负载锁定模块13是第2外部模块的一个例子。
真空基片输送模块11具有第1真空基片输送模块111和第2真空基片输送模块112。第1真空基片输送模块111具有用于在真空气氛下输送基片W的第1输送空间1110，与大气基片输送模块17和多个基片处理模块12相邻地配置。在本实施方式中，第1真空基片输送模块111具有俯视时大致矩形的形状，具有第1～第4侧壁。在第1真空基片输送模块111的第1侧壁，与大气基片输送模块17邻接。第1真空基片输送模块111不与大气基片输送模块17连通。第1真空基片输送模块111的第2侧壁和第3侧壁都与第1侧壁正交，并安装有2个基片处理模块12。第2真空基片输送模块112配置于第1输送空间1110之下，具有用于在真空气氛下输送基片W的第2输送空间1120。在本实施方式中，第2真空基片输送模块112具有俯视时大致矩形的形状，具有第1～第4侧壁。第2真空基片输送模块112的第1侧壁与大气基片输送模块17相对，安装有至少1个负载锁定模块13。第2输送空间1120与第1输送空间1110连通。第1输送空间1110和第2输送空间1120可以形成为一体，也可以是分离的。第2真空基片输送模块112的外形尺寸在俯视时(从图1～图4的上下方向观察时)比第1真空基片输送模块111的外形尺寸小。在本实施方式中，第2真空基片输送模块112的横向的尺寸W2例如如图1所示与第1真空基片输送模块111的横向的尺寸W1相同或者比其小。在本实施方式中，第2真空基片输送模块112的进深方向的尺寸D2例如如图2所示，比第1真空基片输送模块111的进深方向的尺寸D1小。
在第2真空基片输送模块112的第2输送空间1120内设置有输送机械臂110。输送机械臂110是真空基片输送机械臂的一个例子。输送机械臂110具有臂部件，该臂部件在前端设置有用于载置基片W的末端执行器。输送机械臂110构成为通过使该臂部件动作，能够在各个基片处理模块12与第1输送空间1110之间输送基片W。在本实施方式中，输送机械臂110构成为能够在各个基片处理模块12与第1输送空间1110之间在第1高度h1在水平方向上输送基片W。此外，输送机械臂110构成为通过使该臂部件动作，能够在第1输送空间1110与第2输送空间1120之间输送基片W。在本实施方式中，输送机械臂110构成为能够在第1输送空间1110内的第1高度h1与第2输送空间1120内的第2高度h2之间在上下方向上输送基片W。此外，输送机械臂110构成为通过使该臂部件动作，能够在第2输送空间1120与各个负载锁定模块13之间输送基片W。在本实施方式中，输送机械臂110构成为能够在第2输送空间1120与各个负载锁定模块13之间在第2高度h2在水平方向上输送基片W。真空基片输送模块11的第1真空基片输送模块111内和第2真空基片输送模块112内被保持为真空气氛(比大气压低的预先设定的压力；以下，有时记为低压)。
在第1真空基片输送模块111的侧壁设有多个闸门G1。在本实施方式中，在第1真空基片输送模块111的第2侧壁和第3侧壁都形成有2个基片输送口，在各个基片输送口安装有闸门G1。各个闸门G1配置于第1真空基片输送模块111与1个基片处理模块12之间，第1真空基片输送模块111能够与该基片处理模块12连接(连通)。闸门G1是第1基片输送门的一个例子。此外，在图1的例子中，在第1真空基片输送模块111连接有4个基片处理模块12，不过连接于第1真空基片输送模块111的基片处理模块12的数量可以为3个以下，也可以为5个以上。
各个基片处理模块12对基片W实施蚀刻、成膜等处理。在本实施方式中，基片处理模块12在真空气氛下对基片W实施等离子体处理。各个基片处理模块12可以是在制造工艺中执行相同步骤的模块，也可以是执行不同步骤的模块。
在第2真空基片输送模块112的侧面，例如如图1～图3所示，安装有多个闸门G2。在本实施方式中，在第2真空基片输送模块112的第1侧壁形成有2个基片输送口，在各个基片输送口安装有闸门G2。各个闸门G2配置于第2真空基片输送模块112与1个负载锁定模块13之间，第2真空基片输送模块112能够与该负载锁定模块13连接(连通)。闸门G2是第2基片输送门的一个例子。在本实施方式中，多个负载锁定模块13配置于第1真空基片输送模块111之下、第2真空基片输送模块112与大气基片输送模块17之间。此外，在图1～图3的例子中，在第2真空基片输送模块112连接有2个负载锁定模块13，不过连接于第2真空基片输送模块112的负载锁定模块13的数量可以为1个，也可以为3个以上。
在各个负载锁定模块13安装有闸门G3。各个闸门G3配置于大气基片输送模块17与1个负载锁定模块13之间。在本实施方式中，各个闸门G3例如如图2所示配置于与安装在对应的负载锁定模块13的闸门G2相同的高度。闸门G3是第3基片输送门的一个例子。在本实施方式中，负载锁定模块13具有俯视时大致矩形的形状，具有第1～第4侧壁。第2侧壁处于第1侧壁的相反侧。在负载锁定模块13的第1侧壁形成有基片输送口，在该基片输送口安装有闸门G2。此外，在负载锁定模块13的第2侧壁形成有基片输送口，在该基片输送口安装有闸门G3。
在经由闸门G3从大气基片输送模块17对负载锁定模块13内输送了基片W后，通过闸门G3的驱动将对应的基片输送口关闭。然后，用未图示的排气装置将负载锁定模块13内的压力从大气压下降至低压。然后，通过闸门G2的驱动将对应的基片输送口打开，将负载锁定模块13内的基片W输送到第2真空基片输送模块112内。
另外，在负载锁定模块13内成为低压的状态(即，真空气氛下)下，经由与闸门G2对应的基片输送口从第2真空基片输送模块112对负载锁定模块13内输送了基片W后，通过闸门G2的驱动将对应的基片输送口关闭。然后，用未图示的气体供给装置对负载锁定模块13内供给气体(例如空气)，由此将负载锁定模块13内的压力从低压上升至大气压。然后，通过闸门G3的驱动将对应的基片输送口打开，将负载锁定模块13内的基片W输送到大气基片输送模块17内。
在连接于负载锁定模块13的大气基片输送模块17的侧壁和相反侧的大气基片输送模块17的侧壁，设置有多个装载端口18。在各个装载端口18，连接(载置)有收纳多个基片W的FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶片传送盒)。
在大气基片输送模块17内，配置有输送机械臂171。输送机械臂171是大气基片输送机械臂的一个例子。输送机械臂171构成为能够经由与闸门G3对应的基片输送口在大气基片输送模块17与负载锁定模块13之间输送基片W。此外，输送机械臂171构成为能够在连接于装载端口18的FOUP与负载锁定模块13之间输送基片W。在大气基片输送模块17的负载锁定模块13侧的侧壁设置有导轨170。输送机械臂171沿导轨170在大气基片输送模块17内往复移动。
在大气基片输送模块17的上部，例如如图2所示设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤器)175。FFU175将除去了颗粒等的空气(以下，记为洁净空气)从大气基片输送模块17的上部供给到大气基片输送模块17内。在大气基片输送模块17的底部设置了有孔底板176，在有孔底板176的下方连接有用于将大气基片输送模块17内的洁净空气排气的排气装置177。从FFU175供给来的洁净空气经由有孔底板176被排气装置177排气，由此在大气基片输送模块17内形成洁净空气的下降流。由此，能够抑制大气基片输送模块17内的颗粒等的卷扬。此外，优选排气装置177控制大气基片输送模块17内的压力以使得大气基片输送模块17内成为正压。由此，能够抑制颗粒等从外部向大气基片输送模块17内的侵入。
控制装置100包括存储器、处理器和输入输出接口。在存储器内保存方案等的数据或程序等。存储器例如是RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read OnlyMemory：只读存储器)，HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)或者SSD(Solid State Drive：固态驱动器)等。处理器通过执行从存储器读出的程序，基于保存于存储器内的方案等的数据，经由输入输出接口控制主体10的各部。处理器是CPU(Central Processing Unit：中央处理器)或者DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)等。
如上所述，在本实施方式中，在配置于第1真空基片输送模块111之下的、具有俯视时比第1真空基片输送模块111小的外径尺寸的第2真空基片输送模块112的侧面，连接有负载锁定模块13。由此，与在第1真空基片输送模块111与大气基片输送模块17之间配置负载锁定模块13的情况相比，能够削减基片处理系统1的物质面积。
[基片W的输送方法]
图5是表示基片输送方法的一个例子的流程图。图6～图9是表示输送基片W时的基片处理系统1的一个例子的截面图。图5中例示的处理，通过用控制装置100控制主体10的各部来实现。此外，在图5中，示出了从基片处理模块12向FOUP输送基片W时的流程，不过对于从FOUP向基片处理模块12输送基片W时的流程，也能够通过按与例如如图5中例示的流程相反的流程来实现。
首先，通过闸门G1的驱动将对应的基片输送口打开。然后，比大气压低的压力气氛(即，真空气氛)下，输送机械臂110经由与闸门G1对应的基片输送口从基片处理模块12内向第1输送空间1110内输送基片W(S10)。步骤S10是a)步骤的一个例子。然后，通过闸门G1的驱动将对应的基片输送口关闭。在步骤S10中，例如如图6所示，在第1高度h1，输送机械臂110经由与闸门G1对应的基片输送口从基片处理模块12内向第1输送空间1110内在水平方向上输送基片W。第1高度h1例如是从第2真空基片输送模块112的底面起的高度。
接着，在比大气压低的压力气氛下，输送机械臂110从第1输送空间1110内的第1高度h1向第2输送空间1120内的第2高度h2在上下方向上输送基片W(S11)。步骤S11是b)步骤的一个例子。然后，通过闸门G2的驱动将对应的基片输送口打开。此外，在与闸门G2对应的基片输送口打开前，负载锁定模块13内成为与真空基片输送模块11内大致相同的压力(即，真空气氛)。
接着，在比大气压低的压力气氛下，输送机械臂110经由与闸门G2对应的基片输送口从第2输送空间1120内向负载锁定模块13内输送基片W(S12)。步骤S12是c)步骤的一个例子。然后，输送机械臂110在将基片W置于负载锁定模块13内的基片支承部上后，仅使末端执行器从负载锁定模块13内避让。在步骤S12中，例如如图7所示，在第2高度h2，输送机械臂110经由与闸门G2对应的基片输送口从第2输送空间1120内向负载锁定模块13内在水平方向上输送基片W。第1高度h1比第2高度h2高。第2高度h2例如是从第2真空基片输送模块112的底面起的高度。
接着，例如如图8所示通过闸门G2的驱动将对应的基片输送口关闭，用未图示的气体供给装置，将负载锁定模块13内的压力上升至大气压(S13)。然后，通过闸门G3的驱动将对应的基片输送口打开。
接着，例如如图9所示，在大气压气氛下，输送机械臂171经由与闸门G3对应的基片输送口从负载锁定模块13内向大气基片输送模块17内输送基片W(S14)。在步骤S14中，输送机械臂171在第2高度h2，经由与闸门G3对应的基片输送口在负载锁定模块13与大气基片输送模块17之间输送基片W。步骤S14是d)步骤的一个例子。
接着，在大气压气氛下，输送机械臂171从大气基片输送模块17内向FOUP内输送基片W(S15)。然后，本流程图所示的处理结束。
以上，对第1实施方式进行了说明。如上所述，本实施方式中的处理系统1包括基片处理模块12、大气基片输送模块17、第1真空基片输送模块111、第2真空基片输送模块112、负载锁定模块13和输送机械臂110。第1真空基片输送模块111与大气基片输送模块17和基片处理模块12相邻地配置，具有第1输送空间1110。第2真空基片输送模块112配置在第1真空基片输送模块111之下，具有与第1输送空间1110连通的第2输送空间1120，具有俯视时比第1真空基片输送模块111小的外形尺寸。负载锁定模块13配置于大气基片输送模块17与第2真空基片输送模块112之间。输送机械臂110配置在第2输送空间1120内，构成为能够在第1输送空间1110与基片处理模块12之间在第1高度h1输送基片W。此外，输送机械臂110构成为能够在第1输送空间1110与第2输送空间1120之间输送基片W。此外，输送机械臂110构成为能够在第2输送空间1120与负载锁定模块13之间在与第1高度h1不同的第2高度h2输送基片W。由此，能够削减基片处理系统1的物质面积。
另外，在上述的第1实施方式中，第2真空基片输送模块112配置在第1真空基片输送模块111之下，第1高度h1比第2高度h2高。由此，能够容易地将负载锁定模块13配置在真空基片输送模块11与大气基片输送模块17之间。
另外，在上述的第1实施方式中，输送机械臂110配置于第2输送空间1120内。由此，能够减小第1真空基片输送模块111。
另外，上述的第1实施方式中的处理系统1还包括输送机械臂171，其配置在大气基片输送模块17内，构成为能够在大气基片输送模块17与负载锁定模块13之间输送基片W。由此，能够在大气基片输送模块17与负载锁定模块13之间输送基片W。
另外，在上述的第1实施方式中，输送机械臂171构成为能够在第2高度h2在大气基片输送模块17与负载锁定模块13之间输送基片W。由此，能够在连接于配置在第1真空基片输送模块111之下的第2真空基片输送模块112的负载锁定模块13与大气基片输送模块17之间输送基片W。
另外，上述的第1实施方式中的真空基片输送模块11包括第1真空基片输送模块111、第2真空基片输送模块112和输送机械臂110。第1真空基片输送模块111具有第1输送空间1110。第2真空基片输送模块112配置在第1真空基片输送模块111之下，具有与第1输送空间1110连通的第2输送空间1120，具有俯视时比第1真空基片输送模块111小的外形尺寸。输送机械臂110配置在第1输送空间1110或者第2输送空间1120内，能够在第1输送空间1110与基片处理模块12之间在第1高度h1输送基片W，且在第1输送空间1110与第2输送空间1120之间输送基片W，并且在第2输送空间1120与负载锁定模块13之间在与第1高度h1不同的第2高度h2输送基片W。由此，能够削减包含真空基片输送模块11的基片处理系统1的物质面积。
另外，上述的第1实施方式中的输送方法包括：a)在真空气氛下，在第1真空基片输送模块111与基片处理模块12之间，在第1高度h1输送基片W的步骤；b)在真空气氛下，在第1真空基片输送模块111与第2真空基片输送模块112之间输送基片W的步骤，其中，第2真空基片输送模块112配置于第1真空基片输送模块111之下，具有俯视时比第1真空基片输送模块111小的外形尺寸；c)在真空气氛下，在第2真空基片输送模块112与负载锁定模块13之间，在与第1高度h1不同的第2高度h2输送基片W的步骤，其中负载锁定模块13配置于第2真空基片输送模块112与大气基片输送模块17之间；和d)在大气压气氛下，在负载锁定模块13与大气基片输送模块17之间输送基片的步骤。由此，能够在物质面积小的基片处理系统1中输送基片W。
[其他]
此外，本申请公开的技术并不限定于上述的实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种变形。
例如，在上述的实施方式中，输送机械臂110配置在第2真空基片输送模块112的第2输送空间1120内，不过公开的技术并不限于此。例如，作为其他方式，如图10所示，输送机械臂110也可以配置在第1真空基片输送模块111的第1输送空间1110内。即使为这样的结构，输送机械臂110也能够在各个基片处理模块12、第1输送空间1110、第2输送空间1120和各个负载锁定模块13之间输送基片W。
另外，在上述的实施方式中，第2真空基片输送模块112配置在第1真空基片输送模块111之下，不过公开的技术并不限于此。例如，作为其他方式，如图11所示，第2真空基片输送模块112也可以配置在第1真空基片输送模块111之上。在图11的例子中，可以为输送机械臂110配置于第2真空基片输送模块112的第2输送空间1120内，负载锁定模块13配置于第1真空基片输送模块111之上。即使为这样的结构，也能够削减基片处理系统1的物质面积。此外，在图11例示的基片处理系统1中，输送机械臂110例如如图12所示可以配置在第1真空基片输送模块111的第1输送空间1110内。
另外，在上述的实施方式中，多个负载锁定模块13配置在第1真空基片输送模块111之下，不过公开的技术并不限于此。例如，作为其他方式，负载锁定模块13可以在第1真空基片输送模块111之上和之下分别配置至少1个。该情况下，在第1真空基片输送模块111之上和之下分别配置第2真空基片输送模块112。然后，配置于第1真空基片输送模块111之上的第2真空基片输送模块112的第2输送空间1120，与第1真空基片输送模块111的第1输送空间1110连通。此外，配置于第1真空基片输送模块111之上的第2真空基片输送模块112的第2输送空间1120，与配置于第1真空基片输送模块111之上的负载锁定模块13的内部空间连通。此外，配置于第1真空基片输送模块111之下的第2真空基片输送模块112内的第2输送空间1120，与第1真空基片输送模块111的第1输送空间1110连通。此外，配置于第1真空基片输送模块111之下的第2真空基片输送模块112的第2输送空间1120，与配置于第1真空基片输送模块111之下的负载锁定模块13的内部空间连通。
另外，在上述的实施方式中，真空基片输送模块11、多个负载锁定模块13和大气基片输送模块17输送基片W，不过公开的技术并不限于此。作为其他方式，真空基片输送模块11、多个负载锁定模块13和大气基片输送模块17除了输送基片W之外还可以输送边缘环。在该情况下，输送机械臂110和输送机械臂171除了输送基片W之外还输送边缘环。在各个基片处理模块12内设置有载置基片W的工作台，在工作台以包围基片W的方式设置有边缘环。边缘环由于蚀刻等基片W的处理而消耗，因此在预先设定的蚀刻进行更换。
另外，应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而并非限定性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式实现。此外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种各样的方式省略、替换、改变。

Claims (7)

1.一种基片输送系统，其特征在于，包括：
基片处理模块；
大气基片输送模块；
第1真空基片输送模块，其与所述大气基片输送模块和所述基片处理模块相邻地配置，具有第1输送空间；
第2真空基片输送模块，其配置在所述第1真空基片输送模块之上或之下，具有与所述第1输送空间连通的第2输送空间，且具有俯视时比所述第1真空基片输送模块小的外形尺寸；
配置于所述大气基片输送模块与所述第2真空基片输送模块之间的负载锁定模块；和
真空基片输送机械臂，其配置在所述第1输送空间内或者所述第2输送空间内，构成为能够在所述第1输送空间与所述基片处理模块之间在第1高度输送基片，且在所述第1输送空间与所述第2输送空间之间输送基片，并且在所述第2输送空间与所述负载锁定模块之间在与所述第1高度不同的第2高度输送基片。
2.如权利要求1所述基片输送系统，其特征在于：
所述第2真空基片输送模块配置在所述第1真空基片输送模块之下，
所述第1高度大于所述第2高度。
3.如权利要求1或2所述基片输送系统，其特征在于：
所述真空基片输送机械臂配置在所述第2输送空间内。
4.如权利要求1至3中任一项所述基片输送系统，其特征在于：
还包括大气基片输送机械臂，其配置在所述大气基片输送模块内，构成为能够在所述大气基片输送模块与所述负载锁定模块之间输送基片。
5.如权利要求4所述基片输送系统，其特征在于：
所述大气基片输送机械臂构成为能够在所述大气基片输送模块与所述负载锁定模块之间在所述第2高度输送基片。
6.一种真空基片输送模块，其特征在于，包括：
具有第1输送空间的第1真空基片输送模块；
第2真空基片输送模块，其配置在所述第1真空基片输送模块之上或之下，具有与所述第1输送空间连通的第2输送空间，且具有俯视时比所述第1真空基片输送模块小的外形尺寸；和
真空基片输送机械臂，其配置在所述第1输送空间内或者所述第2输送空间内，构成为能够在所述第1输送空间与第1外部模块之间在第1高度输送基片，且在所述第1输送空间与所述第2输送空间之间输送基片，并且在所述第2输送空间与第2外部模块之间在与所述第1高度不同的第2高度输送基片。
7.一种基片输送方法，其特征在于，包括：
a)在真空气氛下，在第1真空基片输送模块与基片处理模块之间，在第1高度输送基片的步骤；
b)在真空气氛下，在所述第1真空基片输送模块与第2真空基片输送模块之间输送基片的步骤，其中，所述第2真空基片输送模块配置于所述第1真空基片输送模块之上或之下，具有俯视时比所述第1真空基片输送模块小的外形尺寸；
c)在真空气氛下，在所述第2真空基片输送模块与负载锁定模块之间，在与所述第1高度不同的第2高度输送基片的步骤，其中，所述负载锁定模块配置在所述第2真空基片输送模块与大气基片输送模块之间；和
d)在大气压气氛下，在所述负载锁定模块与所述大气基片输送模块之间输送基片的步骤。
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