JP2016081952A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】均一な処理を行うことができる処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、複数の半導体ウエハを収容した搬送容器２１を載置するロードポート２と、複数のダミーウエハを収容した搬送容器３１を載置するダミーウエハ格納エリア３と、複数の半導体ウエハおよびダミーウエハをスロット８０に載置した状態で、複数の半導体ウエハを処理する機器７１と、装置各部を制御する制御部１００と、を備えている。制御部１００は、機器７１が未処理状態であるか否かを判別し、機器７１が未処理状態であると判別すると、搬送容器３１に収容されたダミーウエハをスロット８０まで搬送するとともに、機器７１による次の処理が設定されると、ダミーウエハを搬送容器３１に搬送する。
【選択図】図１

Description

本発明は、処理装置および処理方法に関する。

被処理体、例えば、半導体ウエハにシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）などの薄膜を成膜する処理装置としては、特許文献１に記載されているようなセミバッチタイプの処理装置が知られている。このような処理装置には、真空に維持された処理容器内に、鉛直軸周りに回転可能に形成された回転テーブルが設けられており、回転テーブル上に、半導体ウエハを載置（収納）するスロットが周方向に沿って複数形成されている。そして、回転テーブルにより半導体ウエハを公転させながら半導体ウエハに処理ガスを供給することによって、半導体ウエハに均一な薄膜が形成される。

特開２０１０−２３９１０２号公報

ところで、特許文献１の処理装置では、回転テーブル上の全てのスロットに半導体ウエハが収容されていないと、収容されていない空きスロットから放熱が起こり、収容された半導体ウエハに均一な薄膜を形成することができない。このため、空きスロットにダミーウエハを収容して回転テーブル上に空きスロットがない状態とした後に、半導体ウエハに成膜処理を行っている。

しかし、このような成膜処理においては、形成される薄膜の面内均一性、および、面間均一性が向上するような均一な処理を行うことができる処理装置および処理方法が求められている。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、均一な処理を行うことができる処理装置および処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる処理装置は、
複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、
複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、
前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、
前記被処理体の処理条件を規定するプロセス用レシピを記憶する記憶部と、
前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記記憶部に記憶されたプロセス用レシピに基づいて前記複数の被処理体を処理する処理部と、
装置各部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理部が未処理状態であるか否かを判別し、前記処理部が前記未処理状態であると判別すると、前記搬送機構を制御して、前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を前記処理部の所定の位置まで搬送するとともに、前記処理部による次の処理が設定されると、前記搬送機構を制御して、前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送する、ことを特徴とする。

前記記憶部は、前記ダミー被処理体の処理条件を規定するダミープロセス用レシピを記憶し、
前記制御部は、前記処理部が前記未処理状態であると判別し、ダミー被処理体が前記処理部の所定の位置まで搬送されると、前記処理部および前記装置各部を制御して、前記記憶部に記憶されたダミープロセス用レシピに基づいて前記ダミー被処理体を処理した後、前記搬送機構を制御して、前記処理された前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送してもよい。

前記制御部は、例えば、前記処理部が前記被処理体を処理した後に、次のロット処理の予約がないとき、および、装置のクリーニングを含むメンテナンス後に、前記被処理体の処理が実行されないとき、前記処理部が前記未処理状態であると判別する。

この発明の第２の観点にかかる処理方法は、
複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、前記被処理体の処理条件を規定するプロセス用レシピを記憶する記憶部と、前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記記憶部に記憶されたプロセス用レシピに基づいて前記複数の被処理体を処理する処理部と、を備える処理装置を用いた処理方法であって、
前記処理部が未処理状態であるか否かを判別し、前記処理部が前記未処理状態であると判別すると、前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を前記処理部の所定の位置まで搬送するとともに、前記処理部による次の処理が設定されると、前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送する、ことを特徴とする。

前記記憶部には、前記ダミー被処理体の処理条件を規定するダミープロセス用レシピが記憶され、
前記処理部が前記未処理状態であると判別し、ダミー被処理体が前記処理部の所定の位置まで搬送されると、前記記憶部に記憶されたダミープロセス用レシピに基づいて前記ダミー被処理体を処理した後、前記処理された前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送してもよい。

例えば、前記処理部が前記被処理体を処理した後に、次のロット処理の予約がないとき、および、装置のクリーニングを含むメンテナンス後に、前記被処理体の処理が実行されないとき、前記処理部が前記未処理状態であると判別する。

本発明によれば、均一な処理を行うことができる処理装置および処理方法を提供することができる。

本発明の処理装置を示す模式図である。 搬送容器の概要を示す図である。 チャンバに収容される機器の一例を示す図である。 制御部の構成を示す図である。 不連続処理を説明するためのフローチャートである。 不連続処理を説明するための図である。 メンテナンス後処理を説明するためのフローチャートである。 メンテナンス後処理を説明するための図である。

以下、本発明の処理装置および処理方法について図面を参照して説明する。なお、本実施の形態では、本発明の処理装置として、図１に示す処理装置１を用いた場合を例に説明する。

図１に示すように、処理装置１は、複数（本実施の形態では３つ）の被処理体搬送容器載置部としてのロードポート２と、ダミー被処理体載置部としてのダミーウエハ格納エリア３と、常圧搬送室４と、ロードロック室５と、真空搬送室６と、複数（本実施の形態では２つ）のチャンバ７と、を備えている。

ロードポート２は、常圧搬送室４に隣接するように配置され、被処理体、例えば、半導体ウエハを処理装置１に搬入または搬出する空間である。ロードポート２には、複数の半導体ウエハを収容、搬送可能な搬送容器（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）２１が載置されている。本実施の形態では、ロードポート２は、横並びに３つのポートが設けられ、各ポートに搬送容器２１が載置できるように構成されている。図２に搬送容器２１の概要を示す。図２に示すように、搬送容器２１は、半導体ウエハが縦方向に複数枚収容できるように形成されている。

ダミーウエハ格納エリア３は、ロードポート２とは別に常圧搬送室４に隣接するように配置され、ダミーウエハを搬入または搬出する空間である。ダミーウエハ格納エリア３には、複数のダミーウエハを収容して搬送可能な搬送容器３１が載置されている。なお、搬送容器３１は、搬送容器２１と同様に、ダミーウエハが縦方向に複数枚収容できるように形成されている。

常圧搬送室４は、ロードポート２とロードロック室５とを連結する。また、常圧搬送室４は、ダミーウエハ格納エリア３と、ロードポート２およびロードロック室５とを連結する。常圧搬送室４には、第１搬送アーム８が載置されている。第１搬送アーム８は、例えば、多関節アームからなる搬送アームからなり、半導体ウエハをロードポート２またはロードロック室５に搬入または搬出する。また、第１搬送アーム８は、ダミーウエハをロードポート２、ダミーウエハ格納エリア３またはロードロック室５に搬入または搬出する。

ロードロック室５は、常圧搬送室４と真空搬送室６とを連結し、半導体ウエハを常圧搬送室４または真空搬送室６に搬入または搬出する空間である。ロードロック室５は、常圧搬送室４とゲート１１を介して接続され、真空搬送室６とゲート１２を介して接続されている。また、ロードロック室５は、真空ポンプ、バルブ等から構成された、後述する真空制御部１２３に接続されており、その室内雰囲気を大気圧状態、または、真空状態に切り替えることが可能である。このため、ロードロック室５では、半導体ウエハまたはダミーウエハを搬入すると、室内雰囲気を大気圧から真空状態に変化させる。そして、ロードロック室５内を真空状態にさせた後、半導体ウエハまたはダミーウエハをロードロック室５から真空搬送室６に搬入する。また、ロードロック室５では、半導体ウエハまたはダミーウエハが搬出されると、室内雰囲気を真空状態から大気圧に変化させ、ロードロック室５内を大気圧状態にさせた後、半導体ウエハまたはダミーウエハをロードロック室５から常圧搬送室４に搬出する。

真空搬送室６は、ロードロック室５と各チャンバ７とを連結する。真空搬送室６は、各チャンバ７とゲート１３を介して接続されている。また、真空搬送室６は、真空ポンプ、バルブ等から構成された図示しない真空制御部に接続されており、その室内雰囲気が真空状態に維持されている。

また、真空搬送室６には、第２搬送アーム９が載置されている。第２搬送アーム９は、例えば、多関節アームからなる搬送アームからなり、半導体ウエハを各チャンバ７またはロードロック室５に搬入または搬出する。また、第２搬送アーム９は、ダミーウエハを各チャンバ７またはロードロック室５に搬入または搬出する。

チャンバ７には、本発明の処理装置１を用いた処理に対応した各種の機器、例えば、半導体ウエハ上に薄膜を形成する成膜装置などが配置されている。本発明の処理装置１を用いた処理としては、被処理体としての半導体ウエハを複数枚処理するとともに、この処理においてダミーウエハを使用するものをいう。図３にチャンバ７に配置された機器の一例を示す。

図３に示すように、機器７１は、平面形状が略円形の真空容器７２と、真空容器７２の中心に回転中心を有する回転テーブル７３とを備えている。真空容器７２の天板７４の上面側における中央部には、真空容器７２内の中心部領域Ｃにおいて互いに異なる処理ガス同士が混ざり合うことを抑制するために、窒素（Ｎ_２）ガスを供給するための分離ガス供給管７５が接続されている。真空容器７２と天板７４とは、例えば、Ｏリングからなるシール部材７６が配置されている。また、真空容器７２の底面部７７と回転テーブル７３との間には、ヒータユニット７８が設けられている。また、ヒータユニット７８の配置空間をパージするためにパージガス供給管７９が設けられている。

回転テーブル７３は、中心部にて概略円筒形状のコア部７３ａに固定されており、コア部７３ａの下面に接続されると共に鉛直方向に伸びる回転軸７３ｂによって鉛直軸周りに回転自在に構成されている。また、回転テーブル７３には、回転軸７３ｂを鉛直軸周りに回転させる駆動部７３ｃが設けられ、回転軸７３ｂ及び駆動部７３ｃを収納するケース体７３ｄが設けられている。ケース体７３ｄには、回転テーブル７３の下方領域に窒素ガスをパージガスとして供給するためのパージガス供給管７３ｅが接続されている。

回転テーブル７３の表面部には、半導体ウエハまたはダミーウエハを保持する凹部状のスロット（載置領域）８０が設けられている。スロット８０は、回転テーブル７３の回転方向（周方向）に沿って複数箇所、例えば、６箇所に形成されている。各スロット８０の通過領域と対向する位置には、図示しない複数のノズルが放射状に配置され、流量調整バルブを介してそれぞれの処理ガス供給源（図示せず）に接続されている。そして、ノズルから処理ガスを供給することにより半導体ウエハの表面に薄膜が形成される。

また、処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図４に制御部１００の構成を示す。図４に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、ゲート開閉部１２２、真空制御部１２３、搬送アーム制御部１２４等が接続されている。

操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
ゲート開閉部１２２は、制御部１００からの指示に応答して、ゲート１１〜ゲート１３の開閉状態を制御するとともに、その状態を制御部１００に通知する。

真空制御部１２３は、制御部１００からの指示に応答して、ロードロック室５、真空搬送室６、および、チャンバ７内を真空状態に制御するとともに、その状態を制御部１００に通知する。
搬送アーム制御部１２４は、制御部１００からの指示に応答して、第１搬送アーム８、および、第２搬送アーム９の動作を制御する。

また、制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１２と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１１３と、Ｉ／Ｏポート（Input/Output Port）１１４と、ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１５と、これらを相互に接続するバス１１６とから構成されている。

レシピ記憶部１１１には、複数のプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、処理装置１への半導体ウエハのロードから、処理済みの半導体ウエハをアンロードするまでの、各部の温度の変化、圧力変化、各種のガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。

また、レシピ記憶部１１１には、ダミープロセス用レシピが記憶されている。ダミープロセス用レシピは、半導体ウエハの処理が実行されていない未処理状態において、ダミーウエハを用いてダミープロセスを実行するためのレシピである。ダミープロセス用レシピは、次に行われる半導体ウエハの処理条件と同じであることが好ましいが、異なる処理条件であってもよい。

ＲＯＭ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。

Ｉ／Ｏポート１１４は、ゲート開閉部１２２、真空制御部１２３、搬送アーム制御部１２４等に接続され、データや信号の入出力を制御する。

ＣＰＵ１１５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１２に記憶された制御プログラムを実行する。また、ＣＰＵ１１５は、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、処理装置１の動作を制御する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。

次に、以上のように構成された処理装置１を用いた処理方法について図面を参照して説明する。図５は、本発明の処理方法を説明するためのフローチャートである。本実施の形態では、不連続処理、および、メンテナンス後処理を例に、本発明の処理方法について説明する。なお、以下の説明において、処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１５）により制御されている。

（不連続処理）
不連即処理とは、半導体ウエハの処理実行後に、連続して処理が実行されない未処理状態がある場合の処理である。図５は不連続処理を説明するためのフローチャートである。

図５に示すように、まず、ＣＰＵ１１５は、処理内容（レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ）が特定されているか否かを判別する（ステップＳ１）。すなわち、ＣＰＵ１１５は、処理装置１のオペレータが操作パネル１２１を操作して、処理内容を特定したか否かを判別する。

ＣＰＵ１１５は、処理内容が特定されていると判別すると（ステップＳ１：ＹＥＳ）、ロードポート２の搬送容器２１に収容されている未処理の半導体ウエハから、処理の対象となる半導体ウエハをチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する（ステップＳ２）。なお、この処理において、ダミーウエハを使用する場合には、ダミーウエハ格納エリア３の搬送容器３１に収容されているダミーウエハから処理に使用するダミーウエハをチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する。以下、現時点において、ゲート１１〜ゲート１３が閉じ、常圧搬送室４、および、ロードロック室５が常圧状態であり、真空搬送室６、および、チャンバ７が真空状態の場合を例に説明する。

まず、ＣＰＵ１１５は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ロードポート２に収納された搬送容器２１内の特定した半導体ウエハを搬送するとともに、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を開き、搬送した半導体ウエハをロードロック室５の所定の位置に搬送する。なお、この処理において、ダミーウエハを使用する場合、ＣＰＵ１１５は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ダミーウエハ格納エリア３に収納された搬送容器３１内のダミーウエハを搬送するとともに、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を開き、搬送したダミーウエハをロードロック室５の所定の位置に搬送する。

次に、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を閉じた後、真空制御部１２３を制御してロードロック室５内を真空状態にする。続いて、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１２、および、ゲート１３を開いた後、搬送アーム制御部１２４を制御して、第２搬送アーム９を動作させ、図６（ａ）に示すように、ロードロック室５に搬送した半導体ウエハをチャンバ７に配置された機器７１の所定位置のスロット８０内に収容する。なお、図６（ａ）において、スロット８０内のＷは半導体ウエハが収容されていることを示している。また、ダミーウエハを使用する場合、ダミーウエハについても同様にチャンバ７に配置された機器７１の所定位置のスロット８０内に収容する。

続いて、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３を閉じた後、特定されたプロセス用レシピに沿って、処理装置１の各部を制御することにより、特定した処理を実行する（ステップＳ３）。すなわち、回転テーブル７３により半導体ウエハを公転させながら半導体ウエハに処理ガスを供給することによって、半導体ウエハに均一な薄膜を形成する、半導体ウエハの成膜処理を実行する。

半導体ウエハの成膜処理が終了すると、ＣＰＵ１１５は、成膜された半導体ウエハ（および使用したダミーウエハ）をチャンバ７に配置された機器７１（スロット８０）から搬出する（ステップＳ４）。具体的には、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３、および、ゲート１２を開いた後、搬送アーム制御部１２４を制御して、第２搬送アーム９を動作させ、成膜された半導体ウエハをロードロック室５に搬送する。また、使用したダミーウエハについても同様にロードロック室５に搬送する。

次に、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１２を閉じた後、真空制御部１２３を制御してロードロック室５内を常圧状態にする。ロードロック室５内が常圧状態になると、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を開いた後、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ロードロック室５内に搬送された半導体ウエハをロードポート２に収納された搬送容器２１の所定の位置に収容する。なお、ダミーウエハを使用した場合、ＣＰＵ１１５は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ロードロック室５内に搬送されたダミーウエハをダミーウエハ格納エリア３に収納された搬送容器３１の所定の位置に収容する。

続いて、ＣＰＵ１１５は、次のロット処理の予約があるか否かを判別する（ステップＳ５）。ＣＰＵ１１５は、次のロット処理の予約があると判別すると（ステップＳ５：ＹＥＳ）、ステップＳ２に戻り、次のロット処理を実行する。

ＣＰＵ１１５は、次のロット処理の予約がないと判別すると（ステップＳ５：ＮＯ）、ダミーウエハ格納エリア３の搬送容器３１に収容されているダミーウエハからダミープロセス処理に使用するダミーウエハをチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する（ステップＳ６）。すなわち、ＣＰＵ１１５は、搬送アーム制御部１２４、ゲート開閉部１２２、および、真空制御部１２３を制御して、搬送容器３１内のダミーウエハを、ロードロック室５を介して、図６（ｂ）に示すように、機器７１のスロット８０内に収容する。なお、図６（ｂ）において、スロット８０内のＤはダミーウエハが収容されていることを示している。また、本例では、ダミープロセス処理の条件は、次のロット処理の条件と同じである。

次に、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３を閉じた後、レシピ記憶部１１１に記憶されているダミープロセス用レシピに沿って、処理装置１の各部を制御することにより、ダミープロセス処理を実行する（ステップＳ７）。そして、ダミープロセス処理が終了すると、スロット８０内のダミーウエハを搬出し（ステップＳ８）、ダミーウエハ格納エリア３に収納された搬送容器３１の所定の位置に収容する。

続いて、ＣＰＵ１１５は、次のロット処理の予約があるか否かを判別する（ステップＳ９）。ＣＰＵ１１５は、次のロット処理の予約がないと判別すると（ステップＳ９：ＮＯ）、ステップＳ６に戻り、再びダミープロセス処理を実行する。

ＣＰＵ１１５は、次のロット処理の予約があると判別すると（ステップＳ９：ＹＥＳ）、ロードポート２の搬送容器２１に収容されている未処理の半導体ウエハから、次のロット処理の対象となる半導体ウエハを機器７１に搬入し（ステップＳ１０）、図６（ｃ）に示すように、半導体ウエハをスロット８０に収容する。

スロット８０に半導体ウエハが収容されると、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３を閉じた後、次のロット処理のプロセス用レシピに沿って、処理装置１の各部を制御することにより、次のロット処理を実行する（ステップＳ１１）。そして、次のロット処理が終了すると、ＣＰＵ１１５は、成膜された半導体ウエハ（および使用したダミーウエハ）をチャンバ７に配置された機器７１（スロット８０）から搬出し（ステップＳ１２）、この処理を終了する。

このように、不連続処理では、半導体ウエハの処理実行後に、連続して処理が実行されない未処理状態がある場合であっても、スロット８０内にはダミーウエハが収容されているので、次のロット処理を実行する条件、特に、処理温度を維持することができる。このため、未処理状態から次のロット処理を行っても、半導体ウエハの連続処理を行ったときと同様の性能を維持することができる。従って、従来と比較して、より均一な処理を行うことができる。さらに、ダミーウエハが収容された状態でダミープロセス処理が実行されているので、次のロット処理を実行する条件を維持することができる。このため、さらに均一な処理を行うことができる。

（メンテナンス後処理）
メンテナンス後処理とは、クリーニング等のメンテナンス後に、処理が実行されない未処理状態がある場合の処理である。

図７に示すように、まず、ＣＰＵ１１５は、クリーニング等のメンテナンスが終了したか否かを判別する（ステップＳ２１）。なお、クリーニング等のメンテナンスが終了した時点では、図８（ａ）に示すように、機器７１のスロット８０内には、何も収容されていない。

ＣＰＵ１１５は、クリーニング等のメンテナンスが終了したと判別すると（ステップＳ２１：ＹＥＳ）、ダミーウエハ格納エリア３の搬送容器３１に収容されているダミーウエハからダミープロセス処理に使用するダミーウエハをチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する（ステップＳ２２）。すなわち、ＣＰＵ１１５は、搬送アーム制御部１２４、ゲート開閉部１２２、および、真空制御部１２３を制御して、搬送容器３１内のダミーウエハ（Ｄ）を、ロードロック室５を介して、図８（ｂ）に示すように、機器７１のスロット８０内に収容する。

次に、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３を閉じた後、レシピ記憶部１１１に記憶されているダミープロセス用レシピに沿って、処理装置１の各部を制御することにより、ダミープロセス処理を実行する（ステップＳ２３）。そして、ダミープロセス処理が終了すると、スロット８０内のダミーウエハを搬出し（ステップＳ２４）、ダミーウエハ格納エリア３に収納された搬送容器３１の所定の位置に収容する。

続いて、ＣＰＵ１１５は、処理内容（レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ）が特定されているか否かを判別する（ステップＳ２５）。すなわち、ＣＰＵ１１５は、処理装置１のオペレータが操作パネル１２１を操作して、処理内容を特定したか否かを判別する。ＣＰＵ１１５は、処理内容が特定されていないと判別すると（ステップＳ２５：ＮＯ）、ステップＳ２２に戻り、再びダミープロセス処理を実行する。

ＣＰＵ１１５は、処理内容が特定されていると判別すると（ステップＳ２５：ＹＥＳ）、ロードポート２の搬送容器２１に収容されている未処理の半導体ウエハから、図８（ｃ）に示すように、処理の対象となる半導体ウエハ（Ｗ）をチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する（ステップＳ２６）。

続いて、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３を閉じた後、特定されたプロセス用レシピに沿って、処理装置１の各部を制御することにより、特定した処理を実行する（ステップＳ２７）。すなわち、回転テーブル７３により半導体ウエハを公転させながら半導体ウエハに処理ガスを供給することによって、半導体ウエハに均一な薄膜を形成する、半導体ウエハの成膜処理を実行する。

半導体ウエハの成膜処理が終了すると、ＣＰＵ１１５は、成膜された半導体ウエハをチャンバ７に配置された機器７１（スロット８０）から搬出し（ステップＳ２８）、この処理を終了する。具体的には、ＣＰＵ１１５は、ゲート開閉部１２２、搬送アーム制御部１２４、および、真空制御部１２３を制御して、成膜された半導体ウエハをロードロック室５を介して、ロードポート２に収納された搬送容器２１の所定の位置に収容する。

このように、メンテナンス後処理では、半導体ウエハの処理実行前に未処理状態がある場合であっても、スロット８０内にはダミーウエハが収容されているので、半導体ウエハの処理を実行する条件を維持することができる。このため、未処理状態から半導体ウエハの処理を行っても、従来と比較して、より均一な処理を行うことができる。さらに、スロット８０内にはダミーウエハが収容されている状態で、ダミープロセス処理が実行されているので、半導体ウエハの処理を実行する条件をさらに維持することができる。このため、未処理状態から半導体ウエハの処理を行っても、さらに均一な処理を行うことができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、未処理状態がある場合であっても、スロット８０内にはダミーウエハが収容されているので、半導体ウエハの処理を実行する条件を維持することができる。このため、未処理状態から半導体ウエハの処理を行っても、従来と比較して、より均一な処理を行うことができる。

さらに、本実施の形態によれば、スロット８０内にはダミーウエハが収容された状態で、ダミープロセス処理が実行されているので、半導体ウエハの処理を実行する条件をさらに維持することができる。このため、未処理状態から半導体ウエハの処理を行っても、さらに均一な処理を行うことができる。

なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。

上記実施の形態では、スロット８０内にはダミーウエハが収容された状態で、ダミープロセス処理を実行した場合を例に本発明を説明したが、未処理状態でスロット８０内にダミーウエハを収容していればよく、例えば、ダミープロセス処理を実行せず、機器７１内に窒素のような不活性ガスを供給してもよい。また、機器７１内に供給する処理ガス等の流量を少なくしてもよい。これらの場合にも半導体ウエハの均一な処理を行うことができるためである。

上記実施の形態では、不連続処理、および、メンテナンス後処理において、スロット８０内にダミーウエハを搬入し、ダミープロセス処理を実行し、ダミーウエハを搬出した後に、次ロット処理が予約されているか否かを判別した場合を例に本発明を説明したが、これらの処理中に次ロット処理が予約されているか否か等を判別してもよい。

例えば、不連続処理において、ダミープロセス処理中に次ロット処理が予約されていると判別すると、ダミープロセス処理等を中断して、次ロット処理を実行することができる。この結果、半導体ウエハの処理を優先することができる。

一方、メンテナンス後処理においては、ダミープロセス処理中に処理内容が特定されていると判別しても、ダミープロセス処理等を中断せず、ダミープロセス処理等の終了後に、次の処理（半導体ウエハの処理）を実行することが好ましい。ダミープロセス処理等の終了後に次の処理を実行することにより、次の処理においてより均一な処理を行うことができるためである。

上記実施の形態では、常圧搬送室４と、ロードロック室５と、真空搬送室６とを備える処理装置１を例に本発明を説明したが、ダミーウエハを用いて複数の半導体ウエハに各種の処理を実施することができるものであればよく、各種の処理装置に本発明を適用することが可能である。また、上記実施の形態では、２つのチャンバ７を備える処理装置１を例に本発明を説明したが、チャンバ７の数は１つであっても、３つ以上であってもよい。

上記実施の形態では、被処理体として半導体ウエハを用いた場合を例に本発明を説明したが、被処理体は半導体ウエハに限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置用の基板であってもよい。

本発明は、未処理状態がある場合の被処理体の処理装置および処理方法に好適である。

１ 処理装置
２ ロードポート
３ ダミーウエハ格納エリア
４ 常圧搬送室
５ ロードロック室
６ 真空搬送室
７ チャンバ
８ 第１搬送アーム
９ 第２搬送アーム
１１、１２、１３ ゲート
２１、３１ 搬送容器
７１ 機器
８０ スロット
１００ 制御部
１１１ レシピ記憶部
１１２ ＲＯＭ
１１３ ＲＡＭ
１１４ Ｉ／Ｏポート
１１５ ＣＰＵ
１１６ バス
１２１ 操作パネル
１２２ ゲート開閉部
１２３ 真空制御部
１２４ 搬送アーム制御部

Claims (6)

1. 複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、
   複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、
   前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、
   前記被処理体の処理条件を規定するプロセス用レシピを記憶する記憶部と、
   前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記記憶部に記憶されたプロセス用レシピに基づいて前記複数の被処理体を処理する処理部と、
   装置各部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記処理部が未処理状態であるか否かを判別し、前記処理部が前記未処理状態であると判別すると、前記搬送機構を制御して、前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を前記処理部の所定の位置まで搬送するとともに、前記処理部による次の処理が設定されると、前記搬送機構を制御して、前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送する、ことを特徴とする処理装置。
2. 前記記憶部は、前記ダミー被処理体の処理条件を規定するダミープロセス用レシピを記憶し、
   前記制御部は、前記処理部が前記未処理状態であると判別し、ダミー被処理体が前記処理部の所定の位置まで搬送されると、前記処理部および前記装置各部を制御して、前記記憶部に記憶されたダミープロセス用レシピに基づいて前記ダミー被処理体を処理した後、前記搬送機構を制御して、前記処理された前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送する、ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. 前記制御部は、前記処理部が前記被処理体を処理した後に、次のロット処理の予約がないとき、および、装置のクリーニングを含むメンテナンス後に、前記被処理体の処理が実行されないとき、前記処理部が前記未処理状態であると判別する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の処理装置。
4. 複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、前記被処理体の処理条件を規定するプロセス用レシピを記憶する記憶部と、前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記記憶部に記憶されたプロセス用レシピに基づいて前記複数の被処理体を処理する処理部と、を備える処理装置を用いた処理方法であって、
   前記処理部が未処理状態であるか否かを判別し、前記処理部が前記未処理状態であると判別すると、前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を前記処理部の所定の位置まで搬送するとともに、前記処理部による次の処理が設定されると、前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送する、ことを特徴とする処理方法。
5. 前記記憶部には、前記ダミー被処理体の処理条件を規定するダミープロセス用レシピが記憶され、
   前記処理部が前記未処理状態であると判別し、ダミー被処理体が前記処理部の所定の位置まで搬送されると、前記記憶部に記憶されたダミープロセス用レシピに基づいて前記ダミー被処理体を処理した後、前記処理された前記ダミー被処理体を前記ダミー被処理体載置部に搬送する、ことを特徴とする請求項４に記載の処理方法。
6. 前記処理部が前記被処理体を処理した後に、次のロット処理の予約がないとき、および、装置のクリーニングを含むメンテナンス後に、前記被処理体の処理が実行されないとき、前記処理部が前記未処理状態であると判別する、ことを特徴とする請求項４または５に記載の処理方法。

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