JP4695936B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4695936B2 JP4695936B2 JP2005206302A JP2005206302A JP4695936B2 JP 4695936 B2 JP4695936 B2 JP 4695936B2 JP 2005206302 A JP2005206302 A JP 2005206302A JP 2005206302 A JP2005206302 A JP 2005206302A JP 4695936 B2 JP4695936 B2 JP 4695936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- processing
- sample
- chamber
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
112の図左右側(装置左右側)の2つの側壁には、それぞれがその内側で試料がアッシング(灰化)処理される処理室を有した真空容器を備えるアッシング処理容器部104a,104a′及びこの真空容器及びアッシング処理用のベッド104b,104b′とを備えたアッシング処理ユニット104,104′が配置されている。
112とに連結されて支持されており、ベッド103bは、本実施の形態では、他の処理ユニットと同様、略直方体の形状を有して処理容器部103aにメンテナンス等の作業を施す際に作業者が乗載して容易に作業を行えるようにされている。
208には、前記隙間と処理室207内とを連通する複数の孔が配置されており、これら孔は、処理用のガスがこれを通り処理室207内に導入されるガス導入孔209となっている。また、このシャワープレート208と蓋部材205との間の隙間は処理用のガスが供給されて拡散するバッファ室210であり、バッファ室210と複数のガス導入孔209とは連通され、バッファ室210を通ることによりガス導入孔209を介して処理室207へ導入される処理用ガスの分布の偏りがより低減される。
201,202は所定の手段により接地されている。
230と処理容器202,真空室216との間の連通を調節し、これらの間の通路の開口の大きさを可変にする複数枚の回転する板状のフラップを有する可変バルブ231を備えている。
MFC225及びその上流側の導入バルブ226とがその不活性ガス導入経路上に配置されている。MFC225,導入バルブ226の動作により調節される不活性ガスの導入と、ターボ分子ポンプ219を含む排気装置による排気の加減の調節により、真空搬送室
218内の圧力が所望の値となるように調整される。
216内は、処理容器202下部の底に配置されたターボ分子ポンプ230等の排気装置により排気され、処理室207内が処理用ガスの導入を受けつつ所定の圧力に調節される。
216内の圧力が調節される。このような調節は、不活性ガス導入経路227等を用いて処理室内の処理の状態を検出した結果に基づいて各部に動作指令が発信されて行われる。
201,202内には、前記処理ガス源220のうちの1つであるAr等の不活性ガスのガス源である220aからのガスが処理用ガス管路301aおよび処理用ガス供給経路
223,バッファ室210を介して、処理室207上方の天面を構成するシャワープレート208に配置されたガス導入孔209を通って供給される。
216内の圧力は搬入ステップでの圧力とと高真空度の圧力との間の圧力となる。処理が終了後、再度高い真空度まで排気されて減圧された後、搬送ステップにおいて処理室207または真空室216の圧力が再度真空搬送室218内の圧力と略同等まで増加される。この状態でゲートバルブ217を開放して試料を搬出してゲートバルブ217を閉塞した後、再度処理室207または真空室216内は高い真空度まで減圧される。
207内の圧力の変動を示している。このシーケンスでは、処理ステップにおける試料の処理が終了後は、処理室207または真空室216内の圧力は、そのままの圧力から真空搬送室218内の圧力と略同等の圧力となるように上昇される。この際の動作は、図4に示す搬出ステップ403におけるステップ414ないしステップ417の動作と同等である。
212を降下させて搬出入に適した所定の高さ位置に配置することもできる。これにより、開放されて連通される下方の真空室216内のガス流れの影響をより低減して、試料への異物の付着の発生を低減して、処理の歩留まりを向上させることができる。
113′…ロードロック室、201,202…処理容器、203…電波源、204…導波手段、205…蓋部材、206…ソレノイドコイル、207…処理室、208…シャワープレート、209…ガス導入孔、210…バッファ室、211…内壁部材、212…試料台、213…サセプタリング、214…支持装置、215…ベローズ、216…真空室、
217…ゲートバルブ、218…真空搬送室、219,230…ターボ分子ポンプ、220…処理ガス源、221,225…マスフローコントローラ、222,226…導入バルブ、223…処理ガス供給経路、224…不活性ガス源、227…不活性ガス導入経路、
228…制御装置、231…可変バルブ、232…ドライポンプ。
Claims (5)
- 真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室の前記プラズマが形成される空間を上方に有して前記真空容器内に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、前記真空容器内で前記試料台の外周側に配置されプラズマに面する内壁部材と、前記真空容器の上部で前記処理室の上方に配置されこの処理室内に処理用のガスを導入するための導入孔を有するプレートと、前記真空容器と連結されて減圧された内部を前記処理対象の試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器の内部と前記真空容器内の空間であって前記内壁部材下方の空間とを連通する通路を開閉するゲートバルブとを備え、
前記内壁部材の内側の前記処理室内に前記導入孔から不活性ガスを下方に向けて導入しつつこの真空容器内の圧力を前記搬送容器内の圧力より低い値まで上昇させた状態において前記ゲートバルブを開放した後前記試料を前記真空容器内部と前記搬送容器内部との間で搬送する真空処理装置。 - 真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室の前記プラズマが形成される空間を上方に有して前記真空容器内に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、前記真空容器内で前記試料台の外周側に配置されプラズマに面する内壁部材と、前記真空容器と連結されて減圧された内部を前記処理対象の試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器の内部と前記真空容器内の空間であって前記内壁部材下方の空間とを連通する通路を開閉するゲートバルブとを備え、
前記処理室内であって前記プラズマに面する位置に配置された導入孔から不活性ガスを下方に向けて導入しつつこの真空容器内の圧力を前記搬送容器内の圧力より低い値まで上昇させた状態において前記ゲートバルブを開放した後前記試料を前記真空容器内部と前記搬送容器内部との間で搬送する真空処理装置。 - 請求項1または2に記載の真空処理装置であって、前記内壁部材は前記プラズマが形成される状態で前記試料台上面より下方に延在するフランジ部を備えた真空処理装置。
- 請求項3に記載の真空処理装置であって、前記試料台が前記プラズマが形成されている状態と前記試料が搬送される状態とで高さを上下に変化させる真空処理装置。
- 請求項1乃至4の何れかに記載の真空処理装置であって、前記処理室内の圧力を前記試料の処理後に一旦低圧まで減圧した後、前記不活性ガスを前記導入孔から下方に向けて導入しつつ前記搬送容器内の圧力より低い値まで上方させた状態で前記ゲートバルブを開放した後前記試料を前記真空容器内部と前記搬送容器内部との間で搬送する真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005206302A JP4695936B2 (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005206302A JP4695936B2 (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007027339A JP2007027339A (ja) | 2007-02-01 |
JP4695936B2 true JP4695936B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=37787730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005206302A Active JP4695936B2 (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4695936B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4816545B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
US8202393B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-06-19 | Lam Research Corporation | Alternate gas delivery and evacuation system for plasma processing apparatuses |
US8912077B2 (en) * | 2011-06-15 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier |
JP6282080B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2018-02-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP7386738B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2023-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法および基板処理装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529434A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦型cvd・拡散装置 |
JPH05251543A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体処理装置 |
JPH07211763A (ja) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | マルチチャンバ装置およびその制御方法 |
JPH07211761A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置内の被処理体の搬送方法 |
JP2003031455A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004096089A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2005019960A (ja) * | 2003-06-02 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
WO2005055298A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びマルチチャンバシステム |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005206302A patent/JP4695936B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529434A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦型cvd・拡散装置 |
JPH05251543A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体処理装置 |
JPH07211763A (ja) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | マルチチャンバ装置およびその制御方法 |
JPH07211761A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置内の被処理体の搬送方法 |
JP2003031455A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004096089A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2005019960A (ja) * | 2003-06-02 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
WO2005055298A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びマルチチャンバシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007027339A (ja) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8828257B2 (en) | Plasma processing apparatus and operation method thereof | |
TWI445121B (zh) | Vacuum processing device | |
US20160284581A1 (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device | |
US20130239889A1 (en) | Valve purge assembly for semiconductor manufacturing tools | |
JP4695936B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20160217976A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
TWI415205B (zh) | A vacuum processing apparatus and a vacuum treatment method using the vacuum processing apparatus | |
TWI555115B (zh) | Vacuum processing device and its operation method | |
JP4472005B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
KR20160127797A (ko) | 기판 처리 시스템 | |
TWI718674B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR20230130596A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JP4541931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
US8197704B2 (en) | Plasma processing apparatus and method for operating the same | |
JP6567886B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5825948B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6718755B2 (ja) | 真空処理装置およびその運転方法 | |
KR20220134511A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
JP7519973B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20240213006A1 (en) | Consumable component treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment | |
KR100489638B1 (ko) | 반도체장치제조설비의건식식각설비 | |
US20050150458A1 (en) | Reduced volume reactor | |
US20240290581A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2011103238A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2011054764A (ja) | プラズマ処理装置及びその運転方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080411 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110228 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4695936 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |