CN105887044A - 防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法 - Google Patents

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刘涛
姚健敏
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

本发明提供了一种防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，包括：第一步骤：在执行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置；第二步骤：执行微通道结构球孔吹扫；第三步骤：移除所述遮挡装置。在本发明中，在进行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置，以避免粉末吹入至真空阀门档板与腔体之间的沟槽内，由此防止对真空阀门档板的二次污染。

Description

防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法。
背景技术
LAM公司的型号为C3VECTOR的设备用于在腔体内的高温环境下，通过对特定的工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积形成薄膜。它的特点是成膜速度快，薄膜均匀度好。
但是，由于VECTOR机台并没有传输腔(transfer chamber)，由此会导致晶圆经过负载锁定后直接进入腔体。用于隔绝腔体和负载锁定单元的真空门与腔体之间有一深大约2cm的沟槽。在每次沉积过程中，按照正常的程序中，需要用气枪吹扫微通道结构(Micro Channel Architecture，MCA)球的孔。在吹扫微通道结构球的孔时，容易将孔内的粉末吹入至真空阀门档板(slit valve door)与腔体之间的沟槽内。
目前，在进行微通道结构球孔吹扫前会将此沟槽用湿布将其遮挡住，以防止对真空阀门档板的二次污染。但是，这种方案存在如下所述的一些缺陷。
一方面，如果在吹扫过程中未能完全阻挡沟槽，会将真空阀门档板二次污染。因沟槽较窄又相对较深比较不容易清除。必须将真空阀门档板拆解后方可清洗干净，耗时耗力。
另一方面，如果在吹扫过程中如不慎将覆盖的无尘布吹落至泵送线路(pumping line)，就必须拆解泵送线路把掉入物取出，负担较重。
由此，希望能够提供一种能够有效地防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效地防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在执行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置；
第二步骤：执行微通道结构球孔吹扫；
第三步骤：移除所述遮挡装置。
优选地，所述方法用于通过对预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜的工艺设备中执行。
优选地，所述工艺设备不具备传输腔。
优选地，在工艺设备中，用于隔绝腔体和负载锁定单元的真空门与腔体之间具有沟槽。
优选地，在第一步骤中，遮挡装置完全遮盖沟槽。
优选地，移除所述遮挡装置的步骤在盖腔时执行。
优选地，所述遮挡装置的上端装有挡板。
优选地，所述遮挡装置采用铝材质。
优选地，所述遮挡装置是盖子。
在本发明中，在进行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置，以避免粉末吹入至真空阀门档板与腔体之间的沟槽内，由此防止对真空阀门档板的二次污染。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法的流程图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
在本发明中，在进行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置(例如，盖子)，以避免粉末吹入至真空阀门档板与腔体之间的沟槽内，以防止对真空阀门档板的二次污染。
下面将具体描述本发明的优选实施例。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法的流程图。
所述方法用于通过对预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜的工艺设备中执行。所述工艺设备不具备传输腔，由此晶圆经过负载锁定后直接进入腔体。而且，在工艺设备中，用于隔绝腔体和负载锁定单元的真空门与腔体之间具有沟槽。例如，沟槽的深度大约为2cm。
如图1所示，根据本发明优选实施例的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法包括：
第一步骤S1：在执行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置(具体地，硬质遮挡组件)；
例如，所述遮挡装置是盖子；
其中，优选地，在第一步骤中，遮挡装置完全遮盖沟槽。
第二步骤S2：执行微通道结构球孔吹扫；
第三步骤S3：移除所述遮挡装置。
优选地，例如，移除所述遮挡装置的步骤在盖腔时执行。
优选地，所述遮挡装置的上端装有挡板，由此可防止盖腔时，遮挡装置被遗留在腔体内。
优选地，所述遮挡装置采用铝材质，以防腔体内的金属污染。
在根据本发明优选实施例的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法中，在进行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置避免粉末吹入至真空阀门档板与腔体之间的沟槽内，以防止对真空阀门档板的二次污染。而且，本发明的方案不需要进行电路信号连接，大大省去了改造的时间和成本。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (9)

1.一种防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在执行微通道结构球孔吹扫前在沟槽处放置遮挡装置；
第二步骤：执行微通道结构球孔吹扫；
第三步骤：移除所述遮挡装置。
2.根据权利要求1所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，所述方法用于通过对预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜的工艺设备中执行。
3.根据权利要求2所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，所述工艺设备不具备传输腔。
4.根据权利要求2或3所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，在工艺设备中，用于隔绝腔体和负载锁定单元的真空门与腔体之间具有沟槽。
5.根据权利要求1或2所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，在第一步骤中，遮挡装置完全遮盖沟槽。
6.根据权利要求1或2所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，移除所述遮挡装置的步骤在盖腔时执行。
7.根据权利要求1或2所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，所述遮挡装置的上端装有挡板。
8.根据权利要求1或2所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，所述遮挡装置采用铝材质。
9.根据权利要求1或2所述的防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法，其特征在于，所述遮挡装置是盖子。
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