CN105074877A - 用于基板边缘清洁的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板清洁设备可包括：基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面，以支撑待清洁的基板，其中该基板支撑件可围绕垂直于支撑表面的中心轴旋转；第一喷嘴，当基板支撑件的支撑表面支撑该基板时，该第一喷嘴将第一清洁气体提供至内部空间的区域，该区域对应于基板的边缘的位置；第一环形主体，该第一环形主体设置于基板支撑件的支撑表面的相对面，且与该基板支撑件的支撑表面间隔开缝隙，该第一环形主体具有中央开口，该中央开口由内壁界定，该内壁经塑形以在径向向外的方向上于第一环形主体与支撑表面之间提供减小尺寸的缝隙；和第一气体入口，该第一气体入口将第一气体提供至第一环形主体的中央开口。

Description

用于基板边缘清洁的方法和装置
领域
本发明的实施方式一般涉及关于半导体处理设备。
背景
在制造工艺期间(例如在金属沉积、化学气相沉积或蚀刻工艺期间)会对半导体基板的边缘和背部进行多次处理。该处理可能引起污染物粘附至基板的边缘且粘附至基板的背部，且所述污染物随该基板自腔室行进至腔室、自基板行进至基板、自前开式晶片盒(FrontOpenUnifiedPod；FOUP)行进至FOUP或自处理工具行进至处理工具。这些污染物可移动至该基板的正面，导致良率损失。此问题的典型解决方案曾为经由使用湿化学品的生产线清洁工具、试图限制离子形成的背部洗涤，和/或频繁清洁处理工具来移除污染物。然而，这些步骤仅缓和了良率损失，且就设备和消耗品而言，这些步骤是昂贵的。
因而，发明人已提供用于从基板边缘清洁粒子污染物的改良的方法和设备。
概述
本文公开了用于从基板清洁污染物的设备的实施方式。在一些实施方式中，基板清洁设备可包括：基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面，以支撑待清洁的基板，其中该基板支撑件可围绕垂直于该支撑表面的中心轴旋转；第一喷嘴，当基板支撑件的支撑表面支撑该基板时，该第一喷嘴将第一清洁气体提供至内部空间的区域，该区域对应于基板的边缘的位置；第一环形主体，该第一环形主体设置于基板支撑件的支撑表面的相对面，且与该基板支撑件的支撑表面间隔开缝隙，该第一环形主体具有中央开口，该中央开口由该第一环形主体的内壁界定，该中央开口自远离支撑表面的第一环形主体的第一侧面延伸至邻近支撑表面的第一环形主体的第二侧面，其中邻近支撑表面的中央开口的尺寸经设置以暴露支撑表面的主要部分，且其中内壁经塑形以在径向向外的方向上于第一环形主体与支撑表面之间提供减少尺寸的缝隙；和第一气体入口，该第一气体入口将第一气体提供至第一环形主体的中央开口。
在一些实施方式中，提供一种从基板清洁污染物的方法。在一些实施方式中，一种从基板清洁污染物的方法可包括以下步骤：(a)将基板支撑于基板支撑件的顶部，该基板支撑件设置于处理腔室的内部空间内；(b)围绕垂直于基板的第一侧面的中心轴旋转基板；(c)当基板支撑件支撑该基板时，将来自液态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第一清洁气体导向内部空间的区域，该区域对应于基板的边缘的位置；和(d)使第一气体在该基板的第一侧面上流动，使得相比于第一气体在基板中心附近的第一侧面上流动时的速度，该第一气体流过该基板的边缘时的速度增加。
下文将描述本发明的其他和另外的实施方式。
附图简要说明
通过参考附图中图示的本发明的说明性实施方式，可了解以上简短概括和以下更详细论述的本发明的实施方式。然而应注意，因为本发明允许其他同等有效的实施方式，所以所述附图仅图示本发明的典型实施方式且因此并不欲视为本发明的范围的限制。
图1A至图1B分别图示根据本发明的一些实施方式的基板清洁设备的示意侧视图和俯视图。
图2A至图2B分别图示根据本发明的一些实施方式的基板清洁设备的示意侧视图和俯视图。
图3图示根据本发明的一些实施方式的空气流过该基板的外边缘的示意图。
图4图示根据本发明的一些实施方式的清洁基板的方法的流程图。
图5图示根据本发明的一些实施方式的具有基板清洁设备的群集工具。
为便于了解，已使用相同元件符号尽可能指定各图共用的相同元件。所述附图并未按比例图示，且为达清晰可能简化所述附图。可设想，在一实施方式中的元件及特征可有利地并入其它实施方式，而无需进一步叙述。
具体描述
本发明的实施方式提供用于清洁基板边缘的改良的方法和设备。本发明的实施方式可有利地允许在制造工艺期间(诸如在工艺步骤之间处理基板时及在处理腔室内夹持该基板时)移除积聚在基板边缘上的污染物，此可限制或防止污染物到达基板的正面及引起良率损失。在不对基板造成与接触式清洁或湿式清洁相关的潜在损坏的情况下，本发明的实施方式可有利地允许污染物的移除。在多种清洁表面上可使用本发明的实施方式，在所述清洁表面中需要很高的粒子移除外加很低的粒子加成，例如在显示器处理、硅晶片封装、硬盘介质清洁和光学件制造中。本发明的实施方式也有利地防止自基板边缘和基板背部移除的污染物到达基板的正面。
图1A至图1B和图2A至图2B图示根据本发明的一些实施方式的基板清洁设备的示意图。基板清洁设备通常包括基板支撑件104，基板支撑件104具有支撑基板106的支撑表面154。在一些实施方式中，基板支撑件104设置于具有内部空间102的处理腔室100之内。在一些实施方式中，基板支撑件104耦接至处理腔室100的底壁144。尽管本文主要论述的基板清洁设备封闭于处理腔室中，但是在一些实施方式中(如下文相对于图5描述的实施方式)，基板清洁设备可设置于群集工具(包括无处理腔室外壳的配置)上的多个位置的任何位置中，以在所述基板移动穿过清洁设备时清洁所述基板。
基板106可为在半导体或类似薄膜制造工艺中使用的任何适当的基板，诸如具有多种材料的圆形、正方形、矩形或其他形状的基板。在一些实施方式中，基板106可为半导体晶片(例如200mm、300mm、450mm或类似长度的硅晶片)。待清洁的基板106通常包括第一侧面108、第二侧面110和含有污染物112的边缘142。
当基板支撑件104的支撑表面支撑基板106时，第一喷嘴118将第一清洁气体120提供至内部空间102的一区域，该区域对应于基板106的边缘142的位置。第一清洁气体120包含夹带于气态二氧化碳流中的固态二氧化碳流。
基板支撑件104可围绕垂直于基板支撑件104的中心轴114旋转。可旋转的基板支撑件104有利地将基板106的经污染的边缘142呈现于第一喷嘴118。当基板106旋转时，第一喷嘴118保持固定，且第一喷嘴118以与平面156成约-175度至约175度的角度面对基板106的边缘142，该平面156自基板106的中心水平向外延伸。在一些实施方式中，第一喷嘴118距离基板106的边缘142约0.1cm至约10cm。
对基板106的边缘142上的污染物112的第一清洁气体120的施加将污染物112自边缘142移除。不希望受理论约束的情况下，发明人相信，固态二氧化碳粒子撞击边缘142上的污染物112，且固态二氧化碳粒子自固相改变为气相，如此产生将污染物112推出边缘的膨胀。其他用于移除污染物112的物理、化学及热处理也是有可能的。
在一些实施方式中，在约200psi至约1000psi的压力下，将第一清洁气体120自液态二氧化碳源116供给至第一喷嘴118。在一些实施方式中，第一喷嘴118为节流喷嘴，该喷嘴引起液态二氧化碳的等焓膨胀，使得当二氧化碳自第一喷嘴118排出后，二氧化碳膨胀为固态二氧化碳和气态二氧化碳的第一清洁气体120。第一清洁气体120包含的固态二氧化碳的量比气态二氧化碳更多。在一些实施方式中，第一清洁气体120包含约10％至约50％的固态二氧化碳及约90％至约50％的气态二氧化碳。
在一些实施方式中，液态二氧化碳通过第一喷嘴118内部的精细网格过滤器(例如金属网格过滤器)，以在从第一喷嘴212排出液态二氧化碳之前，有利地将粗微粒从液态二氧化碳移除。在一些实施方式中，精细网格过滤器的过滤孔的尺寸小于11nm。
在一些实施方式中，如图1A至图1B中所示，基板支撑件104的支撑表面154可包括板材152，以在基板106的中心处于第二侧面110上支撑基板106。在一些实施方式中，如图2A至图2B中所示，基板支撑件104的支撑表面154可包括多个臂202，所述多个臂在多个第一位置204处夹紧基板106的边缘142。在一些实施方式中，该基板可经旋转，以允许所述多个臂202在多个第二位置206处夹紧基板106的边缘142，进而允许将位于第一位置204处的污染物112自基板106的边缘142清除。
基板支撑件、喷嘴配置和基板支撑件与喷嘴配置之间的相对运动的上述实例仅为说明性，且可使用其他配置，以执行如本文所述的清洁工艺。
在一些实施方式中，尽管第一清洁气体120有效地将污染物112自基板220的第二侧面222移除，但第一清洁气体120也不必要地在边缘142上沉积一残留物层。在一些实施方式中，残留物包含金属(例如铁、镍、钛、铝或以上各者的合金)、金属氧化物(例如上述金属的氧化物)、有机物(例如碳氟化合物、碳氢化合物或其他聚合化合物)和其他电介质(例如硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝或类似电介质)。
在一些实施方式中，为移除第一清洁气体120沉积的残留物层，第一喷嘴118也耦接至气态二氧化碳源134，且在基板支撑件104的支撑表面支撑基板106时，第一喷嘴118将第二混合物(该第二混合物包含夹带于气态二氧化碳流中的固态二氧化碳流)排至内部空间102的一区域，该区域对应于基板106的边缘142的位置。在一些实施方式中，该气态二氧化碳也通过如上所述的精细网格过滤器(例如镍网格过滤器)，以在从第一喷嘴118排出该气态二氧化碳之前，有利地将粗微粒从气态二氧化碳移除。
在一些实施方式中，为移除第一清洁气体120沉积的残留物层，设置于邻近第一喷嘴118的第二喷嘴132耦接至气态二氧化碳源134，且在基板支撑件104、200的支撑表面支撑基板106时，第二喷嘴132将固态和气态二氧化碳的第二混合物排至内部空间102额一区域，该区域对应于基板106的边缘142的位置。
类似于第一喷嘴118，在一些实施方式中，第二喷嘴132为节流喷嘴，该喷嘴引起气态二氧化碳的膨胀，使得当气态二氧化碳自第二喷嘴132排出时，该气态二氧化碳膨胀为固态二氧化碳和气态二氧化碳的第二清洁气体136。然而，第二清洁气体136含有的固态二氧化碳粒子的尺寸以及量少于第一清洁气体120的尺寸以及量。在一些实施方式中，第二清洁气体136包含约1％至约20％的固态二氧化碳及约99％至80％的气态二氧化碳。在一些实施方式中，该液态二氧化碳也通过第二喷嘴132内部的如上所述的精细网格过滤器。
在一些实施方式中，由于具有较少量的固态二氧化碳粒子，在自基板106的边缘142移除污染物112方面，第二清洁气体136不如第一清洁气体120有效。此外，发明人还已观察到，尽管仅施加第一清洁气体120的清洁工艺较好地移除污染物112，但该清洁工艺不必要地产生粘附于基板106的边缘142的第一清洁气体120的残留物层。然而，发明人已发现，使用第二清洁气体136的清洁工艺特别适合用于移除由使用第一清洁气体120的清洁工艺生成的残留物层。因此，发明人已决定，在施加来自固态二氧化碳馈送源的第一清洁气体120之后施加来自气态二氧化碳馈送源的第二清洁气体136，有效地将由基板制造工艺产生的污染物112从基板106的边缘142移除，且移除由第一清洁气体120沉积的任何残留物。此外，仅使用二氧化碳作为清洁剂有利地降低对昂贵且难以处理的清洁化学物的使用。
处理腔室100进一步包含第一环形主体124，第一环形主体124设置于基板支撑件104的支撑表面154的相对面，且与该基板支撑件104的支撑表面154间隔开一缝隙158。第一环形主体124有利地形成针对已从基板106的边缘142移除的污染物粒子的物理阻障层，以防止所述粒子到达基板106的第一侧面108。
第一环形主体124包含中央开口130，中央开口130由第一环形主体124的内壁128界定，中央开口130自第一环形主体124的第一侧面160(远离该支撑表面154)延伸至该第一环形主体124的第二侧面162(邻近该支撑表面154)。邻近支撑表面154的中央开口130的尺寸经设置以暴露该支撑表面154的主要部分。
第一气体入口122将第一气体164提供至第一环形主体124的中央开口130。在一些实施方式中，第一气体164为空气或惰性气体(诸如氩气或氦气)。在一些实施方式中，空气经过滤以移除污染物。在一些实施方式中，空气经离子化以中和基板106上的装置损害静电荷。
内壁128经塑形以在径向向外的方向上于第一环形主体124与支撑表面154之间提供减小尺寸的缝隙158。在一些实施方式中，缝隙约在2mm及10mm之间。
如图3所示，缝隙158的减小尺寸促使第一气体164高速且减压地穿过缝隙158且经过基板106的边缘142。穿过缝隙158及经过基板106的边缘142的第一气体的高速起密封的作用，以防止自基板106的边缘142松散的污染物粒子横穿缝隙158及污染基板106的第一侧面108。
返回至图1A和图2A，在一些实施方式中，第二环形主体140设置于基板106的第二侧面110的相对面，且与基板106的第二侧面110间隔开第二缝隙166。第二环形主体140有利地形成针对已从基板106的边缘142移除的污染物粒子的物理阻障层，以防止所述粒子到达基板106的第二侧面110。
第二环形主体140包含中央开口138，中央开口138由第二环形主体140的内壁150界定，中央开口138自第二环形主体140的第一侧面168(远离基板106之第二侧面110)延伸至该第二环形主体140的第二侧面170(邻近基板106的第二侧面110)。邻近基板106的第二侧面110的第二环形主体140的中央开口138的尺寸经设置以暴露基板106的第二侧面110的主要部分。
第二气体入口172将第二气体174提供至第二环形主体140的中央开口138。在一些实施方式中，第二气体174为空气或惰性气体(诸如氩气或氦气)。在一些实施方式中，空气经过滤以移除污染物。在一些实施方式中，空气经离子化以中和基板106上的装置损害静电荷。
第二环形主体140的内壁150经塑形以在径向向外的方向上于第二环形主体140与基板106的第二侧面110之间提供减小尺寸的第二缝隙166。在一些实施方式中，缝隙约在2mm与100mm之间。
第二缝隙166的减小尺寸促使第二气体174高速且减压地穿过第二缝隙166且经过基板106的边缘142。穿过第二缝隙166及经过基板106的边缘142的第二气体174的高速起密封的作用，以防止自基板106的边缘142松散的污染物粒子横穿第二缝隙166及污染基板106的第二侧面110。
在一些实施方式中，处理腔室100包含流体地耦接至内部空间102的排气系统，以将松散的污染物从内部空间102移除。
图4图示使用上述的基板清洁设备清洁基板106的一示例性方法400。在方法400中，在402处，将已经由典型基板制造工艺(诸如化学气相沉积或蚀刻工艺)处理的基板106(且基板106的边缘142上具有污染物层)支撑于基板支撑件104的顶部，基板支撑件104设置于处理腔室100的内部空间102内。
在404处，基板106围绕垂直于基板106的第一侧面108的中心轴114旋转。在406处，当基板支撑件104支撑基板106时，将固态和气态二氧化碳的第一清洁气体120导向内部空间102的一区域，该区域对应于基板106的边缘142的位置。
如以上所论述，可旋转的基板支撑件104有利地使基板106的经污染的边缘142呈现于第一喷嘴118。在一些实施方式中，基板支撑件104可包括一板材，以支撑基板106。在一些实施方式中，基板支撑件200包含多个臂202，所述多个臂202在多个第一位置204处夹紧基板106的边缘142。在一些实施方式中，基板106可经旋转，使得所述多个臂202在多个第二位置206处夹紧基板106的边缘142，以便如步骤404-408中所描述，将第一清洁气体120施加至污染物112。
如以上所论述，对基板106的污染边缘142额第一清洁气体120的施加将污染物112自边缘142移除。在一些实施方式中，第一清洁气体120的施加移除约10％至约100％之间的污染物112。
在408处，第一气体在基板106的第一侧面108之上流动，其中如上所述的第一环形主体124设置于基板支撑件104的支撑表面154的相对面，且与基板支撑件104的支撑表面154间隔开一缝隙158。第一环形主体124的内壁128经塑形以在径向向外的方向上于第一环形主体124与支撑表面154之间提供尺寸减小的缝隙158。因此，相比于第一气体流过基板的中心附近的第一侧面时的速度，当第一气体164流过基板106的边缘142时的速度增加。
在一些实施方式中，第一清洁气体120在基板106的边缘142上留下第一残留物。在一些实施方式中，将第二清洁气体136导向基板106的边缘142，以移除第一清洁气体120留下的至少一些第一残留物。在一些实施方式中，第二清洁气体136的施加移除约50％至约99％的由第一清洁气体120留下的残留物。如以上所论述，第二清洁气体136比第一清洁气体120含有更小尺寸以及更少数目的固态二氧化碳粒子。在施加来自固态二氧化碳馈送源的第一清洁气体120之后施加来自气态二氧化碳馈送源的第二清洁气体136，有效地将污染物112从基板220的边缘142移除，且移除由第一清洁气体120沉积的至少一些残留物。
图5图示适合用于执行本发明的部分的群集工具。通常，该群集工具为模块系统，该模块系统包含多个腔室(例如处理腔室590A-D、服务腔室591A-B或类似腔室)，所述腔室执行多种功能(包括基板清洁、基板中心找寻及定向、除气、退火、沉积和/或蚀刻)。根据本发明的实施方式，群集工具可包括至少一个如上所述的基板清洁设备，该基板清洁设备经配置以执行如上所述的清洁基板的方法。通过在每一制造步骤之后执行清洁工艺，将基板清洁设备与群集工具集成有利地防止了腔室至腔室的交叉污染。将群集工具的多个腔室安装至中央移送室，该中央移送室容纳一机器人，该机器人经调适使基板在腔室之间往返。该移送室通常维持在真空条件下，且该移送室提供一中间平台，以用于使基板自一腔室至另一腔室和/或自一腔室至一负载锁定腔室(该负载锁定腔室定位于群集工具的前端)往返移动。
经由说明，图5的平面图中图示特定群集工具580。群集工具580通常包含多个腔室和机器人，且群集工具580较佳地配备微处理器控制器581，微处理器控制器581经编程以进行在群集工具580中执行的多种处理方法。显示的前端环境583经定位与一对负载锁定腔室584进行选择性通信。设置于前端环境583中的箱载入器585能够进行线性和旋转运动(箭头582)，以于负载锁定腔室584与多个箱587之间将基板的基板盒往返移动，所述多个箱安装于前端环境583上。负载锁定腔室584在前端环境583与移送腔室588之间提供第一真空接口。提供两个负载锁定腔室584，以通过交替地与移送腔室588及与前端环境583通信增加产量。因此，当一个负载锁定腔室584与移送腔室588通信的同时，第二负载锁定腔室584与前端环境583通信。机器人589设置于移送腔室588的中央，以将基板自负载锁定腔室584移送至所述多个处理腔室590A-D和服务腔室591A-B的一者。
在一些实施方式中，如上所述将污染物自基板106的边缘142清洁的示例性方法400可在所述处理腔室的至少一者(例如处理腔室590A)的内部执行，所述腔室的至少一者经类似于如上所述的示例性基板清洁设备配置。所述处理腔室的另一至少一者(例如处理腔室590B)可为等离子体蚀刻腔室或其他处理腔室，该腔室在基板上执行一工艺，该工艺产生必须移除的设置于基板的边缘上的污染物。因此，例如在蚀刻工艺或其他工艺之后，可将基板自等离子体蚀刻腔室590B移除，且由机器人589将该基板传送至基板清洁腔室590A，以移除在蚀刻工艺期间产生的污染物。通过提供耦接至同一群集工具的清洁腔室作为处理基板的处理腔室，在处理该基板之后可尽快清洁该基板，进而有利地最小化污染的基板与处理设备的接触及污染物至其他元件或基板的迁移，以及潜在地损害基板或其他基板。
在一些实施方式中，清洁设备可位于群集工具580上的许多位置的任一者中。例如，清洁设备可设置于工厂接口或前端环境583的一侧上(如虚线框A所示)。替代地或组合地，可将清洁设备耦接至箱587的一者，或代替箱587的一者设置(如虚线框B所示)，所述箱587耦接至前端环境583。替代地或组合地，清洁设备可耦接至或设置于前端环境583的中央部分(与负载锁定584腔室相对)，如虚线框C所示。替代地或组合地，可沿前端环境583的上表面耦接或设置清洁设备，如虚线框D所示。在位置A-C中，清洁设备可设置于或可不设置于一腔室中。在位置D中，清洁设备可不具备腔室，且清洁设备可经配置以在基板移动穿过箱587与负载锁定腔室584之间的清洁设备时清洁所述基板。也可使用清洁设备的其他位置或配置。
因此，本文已公开用于清洁基板的改良的方法和设备。本发明的设备可有利地允许在制造工艺期间(诸如在工艺步骤之间处理基板期间，及在处理腔室内夹持该基板时)移除积聚在基板上的污染物，进而防止污染物到达基板的正面，且引起良率损失。本发明的设备也可与其他清洁设备共同使用，以有利地进一步自基板(例如在基板的其他位置上)移除污染物。在申请于2013年3月5日，发明名称为“METHODSANDAPPARATUSFORCLEANINGASUBSTRATE(用于清洁基板的方法和装置)”的美国专利申请案第13/785,834号中描述了可与本发明的基板清洁设备共同使用的适当的基板清洁设备的一实例。
尽管以上内容涉及本发明的实施方式，但是在不脱离本发明的基本范围的情况下，可设计本发明的其他及进一步实施方式。

Claims (15)

1.一种基板清洁设备，所述基板清洁设备包括：
基板支撑件，所述基板支撑件具有支撑表面，以支撑待清洁的基板，其中所述基板支撑件可围绕垂直于所述支撑表面的中心轴旋转；
第一喷嘴，当所述基板支撑件的所述支撑表面支撑所述基板时，所述第一喷嘴将第一清洁气体提供至一区域，所述区域对应于所述基板的边缘的位置；
第一环形主体，所述第一环形主体设置于所述基板支撑件的所述支撑表面的相对面，且与所述基板支撑件的所述支撑表面间隔开缝隙，所述第一环形主体具有中央开口，所述中央开口由所述第一环形主体的内壁界定，所述中央开口自远离所述支撑表面的所述第一环形主体的第一侧面延伸至邻近所述支撑表面的所述第一环形主体的第二侧面，其中邻近所述支撑表面的所述中央开口的尺寸经设置以暴露所述支撑表面的主要部分，且其中所述内壁经塑形以在径向向外的方向上于所述第一环形主体与所述支撑表面之间提供一减少尺寸的缝隙；和
第一气体入口，所述第一气体入口将第一气体提供至所述第一环形主体的所述中央开口。
2.如权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括具有第一空间的处理腔室，其中所述基板支撑件设置于所述第一空间的内部。
3.如权利要求1所述的设备，其中至少以下之一：
所述基板支撑件在所述基板的中心处将所述基板支撑在第二侧面上；或
所述基板支撑件在所述基板的所述边缘上支撑所述基板。
4.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述基板支撑件经配置以旋转所述基板，同时将所述基板的边缘暴露于所述第一喷嘴。
5.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述第一清洁气体包含约10％至约50％的固态二氧化碳，及约90％至约50％的气态二氧化碳。
6.如权利要求1至3中任一项所述的设备，所述设备进一步包括第二喷嘴，在所述基板设置于所述基板支撑件的所述支撑表面上时，所述第二喷嘴将第二清洁气体提供至所述区域，所述区域对应于所述基板的所述边缘的所述位置。
7.如权利要求6所述的设备，其中所述第二清洁气体包含约1％至约20％的固态二氧化碳和约99％至约80％的气态二氧化碳。
8.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述第一喷嘴以与一接线成约-175度至约175度的角度面对所述基板的所述边缘，所述接线自所述基板的中心水平向外延伸。
9.如权利要求1至3中任一项所述的设备，其中至少以下之一：
所述缝隙在约2mm至约10mm之间；或
所述缝隙延伸至所述基板的第一侧面的外边缘。
10.如权利要求1至3中任一项所述的设备，所述设备进一步包括：
第二环形主体，所述第二环形主体设置于所述基板的第二侧面的相对面，且与所述基板的所述第二侧面间隔开第二缝隙，所述第二环形主体具有中央开口，所述中央开口由所述第二环形主体的内壁界定，所述中央开口自远离所述基板的所述第二侧面的所述第二环形主体的第一侧面延伸至邻近所述基板的所述第二侧面的所述第二环形主体的第二侧面，其中邻近所述基板的所述第二侧面的所述第二环形主体的所述中央开口的尺寸经设置以暴露所述基板的所述第二侧面的主要部分，且其中所述第二环形主体的所述内壁经塑形以在径向向外的方向上于所述第二环形主体与所述基板的所述第二侧面之间提供一减少尺寸的所述第二缝隙；和
第二气体入口，所述第二气体入口将第二气体提供至所述第二环形主体的所述中央开口。
11.一种自基板清洁污染物的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)将基板支撑于基板支撑件的顶部，所述基板支撑件设置于处理腔室的内部空间内；
(b)围绕垂直于所述基板的第一侧面的中心轴旋转所述基板；
(c)当所述基板支撑件支撑所述基板时，将来自液态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第一清洁气体导向所述内部空间的一区域，所述区域对应于所述基板的边缘的位置；和
(d)使第一气体在所述基板的所述第一侧面之上流动，使得相比于所述第一气体流过所述基板的中心附近的所述第一侧面时的速度，所述第一气体流过所述基板的所述边缘时的速度增加。
12.如权利要求11所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：
沿所述边缘在多个第一位置处支撑所述基板，同时执行步骤(b)至(d)；和
沿所述边缘在多个第二位置处支撑所述基板，同时重复步骤(b)至(d)，所述多个第二位置不同于所述多个第一处置。
13.如权利要求11或12所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：当所述基板支撑件支撑所述基板时，将来自气态二氧化碳源的固态和气态二氧化碳的第二清洁气体导向所述内部空间的所述区域，以移除由所述第一清洁气体沉积的第一残留物的至少一些，所述区域对应于所述基板的边缘的位置，其中所述第一清洁气体比所述第二清洁气体含有更多量的固态二氧化碳。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一清洁气体包含约10％至约50％的固态二氧化碳，和约90％至约50％的气态二氧化碳，并且其中所述第二清洁气体包含约1％至约20％的固态二氧化碳和约9％至约80％的气态二氧化碳。
15.如权利要求11或12所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：使第二气体在与所述第一侧面相对的所述基板的第二侧面之上流动，使得相比所述第二气体流过所述基板的中心附近的所述第二侧面时的速度，所述第二气体流过所述基板的所述边缘时的速度增加。
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