JP2010056534A - 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 - Google Patents
基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010056534A JP2010056534A JP2009173600A JP2009173600A JP2010056534A JP 2010056534 A JP2010056534 A JP 2010056534A JP 2009173600 A JP2009173600 A JP 2009173600A JP 2009173600 A JP2009173600 A JP 2009173600A JP 2010056534 A JP2010056534 A JP 2010056534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- liquid
- cleaning liquid
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 241
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 187
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。
【選択図】図8
Description
また、上記のように両領域103、104間の境界におけるライン102だけでなく、各々の領域103、104内においても、例えば各々の溝101間では洗浄液の除去(乾燥)速度に僅かながらもばらつきがあるので、ライン102の配置密度が同じ領域103、104内であっても、洗浄液を除去(乾燥)した後にライン102が倒れてしまう場合がある。
更に、配線密度の高密度化が進むにつれてこのようなパターンの凸部の幅寸法が薄くなっていくと、倒れの問題が顕著になっていくことになる。
また、例えば洗浄液に表面活性剤を混ぜることにより、洗浄液の表面張力を下げる方法も知られているが、洗浄後のウェハの表面にこの表面活性剤が残った場合には、このウェハの汚染の原因となってしまう。
特許文献1には、液体の表面張力が小さくなるように基板あるいは液体を50℃〜100℃に暖めて基板を洗浄する技術が記載されているが、このようにしても表面張力は僅かに減少するだけであり、上記の課題を解決することはできない。
表面にパターンが形成された半導体装置製造用の基板を処理容器内の載置台に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、
次いで、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含み、
前記基板を加熱する工程は、基板とこの基板の表面に供給された洗浄液との間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように加熱する工程であることを特徴とする。
前記基板を加熱する工程は、前記載置台に設けられた加熱手段により加熱する工程であっても良い。
前記洗浄液は純水または有機溶媒の少なくとも一方であることが好ましく、前記基板の加熱温度は大気雰囲気において140℃〜300℃であることが好ましい。
表面にパターンが形成された半導体装置製造用の基板を処理容器内の載置台に載置する工程と、
次いで、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含み、
前記洗浄液を供給する工程は、基板とこの基板の表面に供給された洗浄液との間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように、前記載置台上の基板の温度よりも当該洗浄液の沸点が低い液体を洗浄液として供給する工程であることを特徴とする。
前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノン及び液体二酸化炭素のうち少なくとも一つであることが好ましい。
前記基板に洗浄液を供給する工程の前に、前記処理容器内を減圧する工程を行っても良い。
前記基板に洗浄液を供給する工程は、前記基板を鉛直軸回りに回転させて洗浄液をその遠心力で基板上から除去することにより行われることが好ましい。
前記洗浄液は、ミスト状で基板に供給されることが好ましい。
表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記載置台上の基板に対して、この基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記載置台上の基板と、この基板の表面に供給された洗浄液と、の間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように前記載置台上の基板を加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする。
前記加熱手段は、前記載置台に設けられていることが好ましい。
表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記載置台上の基板に対して、この基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備え、
前記洗浄液供給手段は、前記載置台上の基板と、この基板の表面に供給された洗浄液と、の間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように、前記載置台上の基板の温度よりも当該洗浄液の沸点が低い液体を洗浄液として供給する手段であることを特徴とする。
この基板の洗浄装置は、前記載置台を鉛直軸回りに回転させる回転機構を備えていることが好ましい。
前記洗浄液供給手段は、ミスト状の洗浄液を供給する手段であることが好ましい。
基板を洗浄する洗浄装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の基板の洗浄方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明の実施の形態の基板の洗浄方法について、以下に説明する。この洗浄方法は、半導体装置製造用の基板である例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)Wに対して例えばミスト状の洗浄液例えば純水を供給し、この洗浄液とウェハWとの間に表面張力が働かないか、あるいは表面張力が働いたとしても極めて小さくなるように、ウェハW上においてライデンフロスト現象が起こるようにしながらウェハWを洗浄する方法である。このライデンフロスト現象とは、例えば熱したフライパンに水滴を落とした時などに起こる現象であり、図1(a)に示すように、ウェハWが洗浄液の沸点よりも高い温度に加熱されている場合に、ウェハW上に供給された洗浄液の液滴1が当該ウェハWに急激に加熱されることによって、ウェハWの表面と液滴1との間に当該液滴1の蒸気が介在する現象である。この蒸気は、液滴1の下面からウェハWの表面に向かって勢いよく供給され、ウェハWの熱により更に加熱されて軽くなって上昇し、再度液滴1に取り込まれるか、あるいは液滴1の周囲から上側に向かって拡散していくことになる。ここで、洗浄液例えば純水について、この実施の形態で用いる用語について説明すると、水蒸気とは気体であり、液滴1とは例えば後述の図8に示すように洗浄液がパターン53上に乗っている状態であり、またミストとは上記の液滴1が多量に散布されている状態を言う。従って、本発明においてライデンフロスト現象を利用してウェハWの洗浄を行うためには、洗浄液は上記の液滴1やミストとなっていることになる。
一方、ウェハWの温度がライデンフロスト現象の起こらない温度例えば洗浄液の沸点よりも低い温度の場合には、図2に示すように、液滴1とウェハWとの間に蒸気が介在せずに、ウェハWと液滴1とが直接接触することになる。そのため、ウェハWの熱が直ぐに液滴1に伝わるので、液滴1は直ぐに蒸発してしまう。
また、例えば圧力が低くなる(真空度が高くなる)につれて洗浄液の沸点が下がって蒸発しやすくなり、圧力が高くなるにつれて沸点が上がって蒸発しにくくなることから、圧力についても同様にこのライデンフロスト現象が起こるように調整しても良い。
次に、上記のようにライデンフロスト現象を利用してウェハWの洗浄を行うための洗浄装置の一例について、図4及び図5を参照して簡単に説明する。この洗浄装置は、筐体である処理容器11と、この処理容器11内に配設された載置台12と、を備えている。この載置台12は、内部が空洞の回転軸12bを介して例えば伝達機構をなすベルト12a及びモータMを含む回転機構12cにより鉛直軸回りに回転自在に構成されている。この載置台12の内部には、ウェハWを加熱するための加熱手段であるヒーター13が埋設されている。
処理容器11内の天壁には、フィルタユニット27が設けられており、このフィルタユニット27、カップ体15の外部に設けられた図示しない排気口及び上記の排気管20により、処理容器11内にダウンフローが形成される。
次に、本発明の洗浄方法により洗浄するウェハWについて、図6を参照して説明する。このウェハWは、図6(a)に示すように、層間絶縁膜である例えばシリコン化合物(SiO2やSiCOH)などからなる低誘電率膜31と、複数の溝41とこの溝41、41間に長く伸びる凸部として形成されたライン42とからなるパターン43が形成されたフォトレジスト膜32と、が下側からこの順番で下層側のシリコン層33上に積層された構造となっている。また、このウェハWには、上記の溝41の開口幅が狭く形成されてライン42が密に配置された密領域44と、溝41の開口幅が広く形成されてライン42が大きく離間して疎に配置された疎領域45と、が配置されている。尚、この図6においては、このパターン43の寸法を模式的に示している。以下の図8〜図11、図13、図14についても同様である。
そこで、以下のようにしてウェハW上の残渣34を除去(洗浄)する。先ず、既述の洗浄装置において、図示しない外部の搬送手段によりウェハWを処理容器11内に搬入し、昇降機構69とこの搬送手段との協働作用により載置台12上にウェハWを載置するとともに、吸引路60の吸引により載置台12上にウェハWを吸着保持する。そして、ウェハWの表面においてライデンフロスト現象が起こるように当該ウェハWを所定の温度例えば140℃〜300℃好ましくは160℃〜200℃に加熱して、図7に示すようにウェハWを回転させると共に、ノズル21から例えばウェハWの中央にミスト状の洗浄液を供給する。
また、上記の洗浄液には表面張力を下げるための例えば表面活性剤などを混ぜる必要がないので、ウェハWの汚染を抑えることができるし、更にこの洗浄装置は処理容器11内を例えば常圧の状態でウェハWを洗浄できるので、コストのかかる高圧設備などが不要である。
上記の例では、低誘電率膜31に形成されたパターン53上の残渣34を除去する場合について説明したが、本発明はこのようなパターン53以外にも、洗浄液の表面張力により倒れやすいパターンつまり幅寸法の小さい凸部が形成されたを備えたウェハWを洗浄する場合に適用できる。このようなパターンを構成する他の例としては、例えば図14(a)に示すように、既述のフォトレジスト膜32が挙げられる。
この装置においても、既述の例と同様にウェハW上においてライデンフロスト現象が起こるように、且つフォトレジスト膜32の劣化が抑えられるように、ウェハWの加熱温度と処理容器11内の圧力とが調整され、ウェハWの洗浄が行われて同様の効果が得られる。
パーティクルの除去率(%)=(洗浄前のパーティクルの個数−洗浄後のパーティクルの個数)/洗浄前のパーティクルの個数×100
洗浄液:純水
ウェハWの加熱温度:225℃
処理(洗浄時間):5分
処理雰囲気の圧力:大気圧
洗浄液の液滴の粒径:約1〜2mmφ
図19に示すように、ウェハWの洗浄前においては、上記の二酸化ケイ素に起因すると考えられる粒径が0.25〜0.40μmのパーティクルが多数検出された。一方、ウェハWの洗浄後においては、上記の粒径のパーティクルの個数が激減しており、パーティクルの除去率は90%以上となっていた。
また、ウェハW上の任意の領域(面積20×20mm2)について、洗浄前後において検出されたパーティクルの分布状態を重ね合わせた図を図20に示す。この図20から、上記の図19と同様に洗浄によりパーティクルの個数が減少していることが分かる。また、洗浄後に検出されたパーティクルについて、洗浄前に確認された位置から移動していることが分かった。
11 処理容器
12 載置台
13 ヒーター
21 ノズル
34 残渣
51 溝
52 ライン
53 パターン
54 密領域
55 疎領域
70 減圧手段
Claims (16)
- 表面にパターンが形成された半導体装置製造用の基板を処理容器内の載置台に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、
次いで、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含み、
前記基板を加熱する工程は、基板とこの基板の表面に供給された洗浄液との間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように加熱する工程であることを特徴とする基板の洗浄方法。 - 前記基板を加熱する工程は、前記載置台に設けられた加熱手段により加熱する工程であることを特徴とする請求項1に記載の基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液は純水または有機溶媒の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1または2に記載の基板の洗浄方法。
- 前記基板の加熱温度は大気雰囲気において140℃〜300℃であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法。
- 表面にパターンが形成された半導体装置製造用の基板を処理容器内の載置台に載置する工程と、
次いで、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含み、
前記洗浄液を供給する工程は、基板とこの基板の表面に供給された洗浄液との間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように、前記載置台上の基板の温度よりも当該洗浄液の沸点が低い液体を洗浄液として供給する工程であることを特徴とする基板の洗浄方法。 - 前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノン及び液体二酸化炭素のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項5に記載の基板の洗浄方法。
- 前記基板に洗浄液を供給する工程の前に、前記処理容器内を減圧する工程を行うことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法。
- 前記基板に洗浄液を供給する工程は、前記基板を鉛直軸回りに回転させて洗浄液をその遠心力で基板上から除去することにより行われることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液は、ミスト状で基板に供給されることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法。
- 表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記載置台上の基板に対して、この基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記載置台上の基板と、この基板の表面に供給された洗浄液と、の間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように前記載置台上の基板を加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする基板の洗浄装置。 - 前記加熱手段は、前記載置台に設けられていることを特徴とする請求項10に記載の基板の洗浄装置。
- 表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を載置する載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記載置台上の基板に対して、この基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備え、
前記洗浄液供給手段は、前記載置台上の基板と、この基板の表面に供給された洗浄液と、の間に当該洗浄液の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように、前記載置台上の基板の温度よりも当該洗浄液の沸点が低い液体を洗浄液として供給する手段であることを特徴とする基板の洗浄装置。 - 前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノン及び液体二酸化炭素のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項12に記載の基板の洗浄装置。
- 前記載置台を鉛直軸回りに回転させる回転機構を備えたことを特徴とする請求項10ないし13のいずれか一つに記載の基板の洗浄装置。
- 前記洗浄液供給手段は、ミスト状の洗浄液を供給する手段であることを特徴とする請求項10ないし14のいずれか一つに記載の基板の洗浄装置。
- 基板を洗浄する洗浄装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし9のいずれか一つに記載の基板の洗浄方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009173600A JP5413016B2 (ja) | 2008-07-31 | 2009-07-24 | 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008198586 | 2008-07-31 | ||
JP2008198586 | 2008-07-31 | ||
JP2009173600A JP5413016B2 (ja) | 2008-07-31 | 2009-07-24 | 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010056534A true JP2010056534A (ja) | 2010-03-11 |
JP5413016B2 JP5413016B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=41610360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009173600A Active JP5413016B2 (ja) | 2008-07-31 | 2009-07-24 | 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8673086B2 (ja) |
JP (1) | JP5413016B2 (ja) |
KR (1) | KR101133819B1 (ja) |
CN (1) | CN102099900B (ja) |
WO (1) | WO2010013661A1 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111759A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus |
JP2012222253A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2012222254A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄ノズル及び基板洗浄装置並びに基板洗浄方法 |
JP2014064032A (ja) * | 2013-12-10 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2014207437A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014207438A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015133441A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2015185767A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2015185806A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015185804A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN105074877A (zh) * | 2013-03-05 | 2015-11-18 | 应用材料公司 | 用于基板边缘清洁的方法和装置 |
JP2016051824A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 高知県公立大学法人 | エピタキシャル成長方法および成長装置ならびに量子井戸構造の作製方法 |
JP2017130694A (ja) * | 2012-11-08 | 2017-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US9728443B2 (en) | 2014-02-27 | 2017-08-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10527348B2 (en) | 2016-09-26 | 2020-01-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US10549322B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-02-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10790166B2 (en) | 2017-02-24 | 2020-09-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2021133321A (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-13 | 学校法人東海大学 | 構造体、液滴の微粒化システム、排ガス浄化システム |
US11139180B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-10-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2023508553A (ja) * | 2020-03-11 | 2023-03-02 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体構造の処理方法 |
JP7362850B2 (ja) | 2018-09-27 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5565673B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-08-06 | 公立大学法人高知工科大学 | ミストエッチング装置及びミストエッチング方法 |
CN102858826B (zh) | 2010-04-14 | 2015-05-20 | 日本曹达株式会社 | 嵌段共聚物的制造方法及共聚物前体 |
JP5958950B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2016-08-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5937456B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄ユニット |
JP6100487B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2017-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6131162B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-05-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6400919B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6455962B2 (ja) | 2013-03-18 | 2019-01-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN103264022B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板清洗装置、系统及方法 |
CN103286091B (zh) * | 2013-06-09 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板的清洗方法 |
KR20150000548A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102239421B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2021-04-12 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP6090113B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6270270B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-01-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6418554B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6373803B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP6586697B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-10-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20180071696A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Robert Bosch Gmbh | Leidenfrost Effect Based Microfluidic Mixing Device |
US10269556B2 (en) * | 2017-07-14 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning semiconductor device structure with gas flow |
KR102027228B1 (ko) | 2017-07-24 | 2019-11-14 | 최진흥 | 입체 표면 스캔 기술과 레이저를 이용한 친환경 도장층 제거 자동화 시스템 |
US11129848B2 (en) | 2017-08-08 | 2021-09-28 | Perricone Hydrogen Water Company, Llc | Medication enhancement using hydrogen |
US20190046561A1 (en) | 2017-08-08 | 2019-02-14 | Perricone Hydrogen Water Company, Llc | Barriers for glass and other materials |
JP7373492B2 (ja) * | 2018-02-07 | 2023-11-02 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
CN108704879A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-10-26 | 苏州珮凯科技有限公司 | 半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法 |
CN112740367A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-04-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
US11123365B2 (en) | 2019-11-18 | 2021-09-21 | Perricone Hydrogen Water Company, Llc | Compositions comprising palmitoylethanolamide and hydrogen water, and methods thereof |
CN115410964B (zh) * | 2022-11-02 | 2023-01-06 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆水平清洗装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100686A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | レジスト除去洗浄方法及び装置 |
JP2003174001A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003535483A (ja) * | 2000-06-08 | 2003-11-25 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 二酸化炭素クリーニングを用いるスピン−オン材料のためのエッジビード除去 |
JP2004079990A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法 |
WO2006038472A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007218894A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Denso Corp | ガスセンサ素子 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6815371B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-11-09 | Honeywell International Inc. | Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents using carbon dioxide cleaning |
JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4731850B2 (ja) | 2004-07-22 | 2011-07-27 | 株式会社鷺宮製作所 | 温度調節器 |
-
2009
- 2009-07-24 JP JP2009173600A patent/JP5413016B2/ja active Active
- 2009-07-27 WO PCT/JP2009/063329 patent/WO2010013661A1/ja active Application Filing
- 2009-07-27 KR KR1020117002544A patent/KR101133819B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-27 CN CN2009801275935A patent/CN102099900B/zh active Active
- 2009-07-27 US US13/056,504 patent/US8673086B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100686A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | レジスト除去洗浄方法及び装置 |
JP2003535483A (ja) * | 2000-06-08 | 2003-11-25 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 二酸化炭素クリーニングを用いるスピン−オン材料のためのエッジビード除去 |
JP2003174001A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004079990A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法 |
WO2006038472A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007218894A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Denso Corp | ガスセンサ素子 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111759A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus |
JP2012222253A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2012222254A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄ノズル及び基板洗浄装置並びに基板洗浄方法 |
JP2018110272A (ja) * | 2012-11-08 | 2018-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2017130694A (ja) * | 2012-11-08 | 2017-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN105074877A (zh) * | 2013-03-05 | 2015-11-18 | 应用材料公司 | 用于基板边缘清洁的方法和装置 |
JP2014207438A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014207437A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2014064032A (ja) * | 2013-12-10 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP2015133441A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10825713B2 (en) | 2014-02-27 | 2020-11-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US9728443B2 (en) | 2014-02-27 | 2017-08-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11139180B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-10-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015185767A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2015185806A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015185804A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2016051824A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 高知県公立大学法人 | エピタキシャル成長方法および成長装置ならびに量子井戸構造の作製方法 |
US10549322B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-02-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10527348B2 (en) | 2016-09-26 | 2020-01-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US10790166B2 (en) | 2017-02-24 | 2020-09-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP7362850B2 (ja) | 2018-09-27 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2021133321A (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-13 | 学校法人東海大学 | 構造体、液滴の微粒化システム、排ガス浄化システム |
JP7478413B2 (ja) | 2020-02-27 | 2024-05-07 | 学校法人東海大学 | 構造体、液滴の微粒化システム、排ガス浄化システム |
JP2023508553A (ja) * | 2020-03-11 | 2023-03-02 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体構造の処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102099900B (zh) | 2013-06-05 |
JP5413016B2 (ja) | 2014-02-12 |
WO2010013661A1 (ja) | 2010-02-04 |
KR20110028532A (ko) | 2011-03-18 |
US8673086B2 (en) | 2014-03-18 |
US20110155177A1 (en) | 2011-06-30 |
CN102099900A (zh) | 2011-06-15 |
KR101133819B1 (ko) | 2012-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5413016B2 (ja) | 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 | |
TWI698906B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
JP4994990B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤 | |
TWI505351B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2015092539A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6809273B2 (ja) | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | |
TW201941330A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2019016654A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5232514B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7209494B2 (ja) | 基板処理装置、処理液および基板処理方法 | |
JP2003059894A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2020105376A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2005123218A (ja) | ウエハの洗浄・乾燥方法、ウエハの乾燥方法、ウエハの洗浄・乾燥装置、ウエハの乾燥装置、cmp研磨方法、cmp研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
WO2020059286A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6444843B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
KR20180128382A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP7143465B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20180059250A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101927916B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
TW202105495A (zh) | 基板處理方法 | |
JP2024047257A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理液 | |
KR20230045537A (ko) | 기판 건조 장치, 기판 처리 장치 및 기판 건조 방법 | |
JP2023020501A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
TW202414556A (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置及基板處理液 | |
JP3682172B2 (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5413016 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |