WO2010013661A1 - 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 - Google Patents

基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
WO2010013661A1
WO2010013661A1 PCT/JP2009/063329 JP2009063329W WO2010013661A1 WO 2010013661 A1 WO2010013661 A1 WO 2010013661A1 JP 2009063329 W JP2009063329 W JP 2009063329W WO 2010013661 A1 WO2010013661 A1 WO 2010013661A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
cleaning
liquid
cleaning liquid
wafer
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/063329
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
明威 田村
明修 柿本
和也 土橋
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to CN2009801275935A priority Critical patent/CN102099900B/zh
Priority to KR1020117002544A priority patent/KR101133819B1/ko
Priority to US13/056,504 priority patent/US8673086B2/en
Publication of WO2010013661A1 publication Critical patent/WO2010013661A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present invention relates to a substrate having a pattern formed on a surface and used for manufacturing a semiconductor device, for example, a cleaning method for cleaning a semiconductor wafer, a substrate cleaning apparatus, and a storage medium storing the cleaning method.
  • a pattern and the formation of a thin film are repeated on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) which is a substrate to form a laminated structure of integrated circuits.
  • This pattern includes a step of forming a resist mask by photolithography, a step of etching a thin film under the layer using the mask by, for example, plasma to form a pattern corresponding to the mask, and a resist mask by plasma containing oxygen. And an ashing process for ashing.
  • a cleaning liquid is supplied to the surface of the wafer to wash away the residues.
  • a cleaning liquid such as pure water onto the surface of the wafer from above the wafer and rotate the wafer, for example, from the center of the wafer toward the outer periphery.
  • the residue is washed away with the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid remaining on the surface of the wafer and the inside of the groove is removed by rotating the wafer and shaking off the cleaning liquid or by heating the wafer and evaporating the cleaning liquid remaining on the surface.
  • the shape of the pattern varies depending on the part of the device. As a specific example, when a wiring pattern is formed in an insulating film, line and space (a large number of line-shaped convex portions and groove portions are formed in parallel). Pattern). A pattern formed as a line and space often includes a region having a high pattern density and a region having a low pattern density. FIG. 17A shows an example of such a pattern. As described above, for example, a dense region 103 in which the opening width of the groove 101 is narrow and the lines 102 are densely arranged on the surface of the wafer 100; And a sparse region 104 in which the opening width of the groove 101 is formed wider than the dense region 103 and the lines 102 are spaced apart from each other. In addition, 105 in FIG. 17A is a residue.
  • the cleaning liquid remaining on the surface of the wafer 100 after cleaning the wafer 100 tends to become approximately horizontal so that the surface area becomes small in the groove 101 due to surface tension, for example. Therefore, a lateral force is applied to the line 102 so as to be drawn toward the cleaning liquid side (the groove 101 side) due to the surface tension of the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid on the surface of the wafer 100 in this state is to be removed or dried, the distance between the lines 102 and 102 in the dense region 103 is narrow, so that the surface tension works strongly and the cleaning solution comes out from the dense region 103.
  • it is difficult (it is difficult to dry) the surface tension is weaker than that of the dense region 103 because the gap between the lines 102 and 102 is wide in the sparse region 104.
  • the cleaning liquid disappears (drys) faster than the dense region 103. Then, as shown in FIG. 17B, when the cleaning liquid remains in the dense area 103, but the cleaning liquid disappears in the sparse area 104 or becomes less than the dense area 103, for example, the line 102 at the boundary between both areas 103 and 104 becomes The force drawn from the dense region 103 side (left side in FIG. 17B) is stronger than the force drawn from the sparse region 104 side (right side in FIG. 17B).
  • the line 102 is highly integrated, for example, the width dimension is often extremely narrow until it falls below 100 nm. For this reason, the strength of the line 102 is weak, and in the case of a porous film having a low dielectric constant (for example, a SiCOH film) made of a porous material used as an interlayer insulating film, the line 102 is fragile. Therefore, if there is a difference in the force attracted from both sides in this way, it will fall to the side strongly pulled as shown in FIG. 17C (left side in FIG. 17C).
  • a porous film having a low dielectric constant for example, a SiCOH film
  • the cleaning liquid removal (drying) speed varies slightly, for example, between the grooves 101 in the regions 103 and 104. Therefore, even in the regions 103 and 104 where the arrangement density of the line 102 is the same, the line 102 may fall down after the cleaning liquid is removed (dried).
  • the above-described resist mask has a line width dimension and a groove opening dimension of about 32 nm, and a line height dimension (groove depth dimension) of, for example, 120 nm. In some cases, it is formed as a mask pattern having a finer dimension than the above pattern.
  • a mask pattern is formed by performing development processing on the resist mask, an organic substance constituting the resist mask or a residue of the organic substance may remain on the surface of the mask pattern or in the groove of the mask pattern. Therefore, the substrate is cleaned after the development processing, but the resist mask is organic and has low hardness, and the line may fall down when the cleaning solution is removed (dried).
  • a shape other than the shape extending long like the line 102 along the surface of the substrate there is a shape other than the shape extending long like the line 102 along the surface of the substrate.
  • a columnar structure 110 such as a gate electrode is formed.
  • a cylinder-type (cylindrical) electrode 111 may be formed on the upper layer side of the gate electrode.
  • a cleaning process may be performed on the wafer 100 on which the pattern having such a shape is formed in order to remove, for example, a residue generated by the etching process.
  • the cleaning liquid is removed (dried) in this cleaning process, the convex portions (structure 110, electrode 111) may fall down. Further, as the wiring density increases, the width of the convex portion of such a pattern becomes thinner, and the problem of falling becomes prominent.
  • an organic solvent that has a low boiling point such as alcohol and is easy to remove (evaporate) is supplied to the wafer with the cleaning liquid remaining on the surface, and the cleaning liquid on the wafer is replaced with the organic solvent and then dried.
  • a method for quickly removing moisture (cleaning liquid or organic solvent) from the surface of the wafer is supplied to the wafer with the cleaning liquid remaining on the surface, and the cleaning liquid on the wafer is replaced with the organic solvent and then dried.
  • a method for quickly removing moisture (cleaning liquid or organic solvent) from the surface of the wafer since the organic solvent has surface tension, the convex portion may fall down due to the surface tension of the organic solvent when the organic solvent is removed or dried.
  • a method of reducing the surface tension of the cleaning liquid by, for example, mixing a surface active agent with the cleaning liquid. However, if this surface active agent remains on the surface of the wafer after cleaning, contamination of the wafer is prevented. It becomes a cause.
  • a method is known in which water vapor, which is a gas, is supplied to the surface of the wafer and the wafer is cleaned with this water vapor.
  • a gas alone is not sufficient to remove the aforementioned residue.
  • a method of supplying a mist (droplet) cleaning liquid to the surface of the wafer to clean the wafer is also known, but since the cleaning liquid has surface tension even in the mist state, for example, in the groove When this mist enters, a lateral force is applied to the line, and when the mist is agglomerated on the wafer, when the mist is dried, for example, a line is formed as in the example shown in FIG. It will fall down.
  • JP6-196397A paragraphs 0004 and 0005 describes a technique for cleaning a substrate by heating the substrate or the liquid to 50 ° C. to 100 ° C. so that the surface tension of the liquid is reduced. The surface tension is only slightly reduced and the above problem cannot be solved.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to suppress pattern collapse when supplying a cleaning liquid to a substrate for manufacturing a semiconductor device having a pattern formed on the surface to clean the substrate.
  • An object of the present invention is to provide a cleaning method, a cleaning apparatus, and a storage medium storing the cleaning method.
  • a substrate cleaning method includes: A step of placing a substrate for a semiconductor device having a pattern formed on the surface thereof on a placement table in a processing container; Heating the substrate; Then, supplying a liquid cleaning liquid to the surface of the substrate, In the step of supplying the cleaning liquid, the substrate is heated in the step of heating the substrate such that a Leidenfrost phenomenon occurs and the cleaning liquid vapor is interposed between the droplet of the cleaning liquid supplied to the substrate and the substrate. Heated.
  • the cleaning liquid may be supplied while rotating the substrate about the vertical axis.
  • the cleaning liquid may be supplied to the substrate in a mist form.
  • the substrate may be heated by a heating mechanism provided in the mounting table.
  • the substrate is heated to 140 ° C. to 300 ° C., and in the step of supplying the cleaning liquid, water is added to the cleaning liquid in an air atmosphere.
  • the substrate cleaning method according to one embodiment of the present invention may further include a step of decompressing the inside of the processing container before the step of supplying the cleaning liquid to the substrate.
  • the cleaning liquid may be at least one of water and an organic solvent.
  • a method for cleaning a substrate includes: A step of placing a substrate for a semiconductor device having a pattern formed on the surface thereof on a placement table in a processing container; Then, supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate, In the step of supplying the cleaning liquid, a Leidenfrost phenomenon occurred and the cleaning liquid vapor was interposed between the liquid droplets of the cleaning liquid supplied to the substrate and the substrate, and was placed on the mounting table. A liquid having a boiling point lower than the temperature of the substrate is supplied as the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid may be one or more selected from the group consisting of liquid nitrogen, liquid argon, liquid oxygen, liquid krypton, liquid xenon, and liquid carbon dioxide.
  • the cleaning liquid may be supplied while rotating the substrate about the vertical axis.
  • the cleaning liquid may be supplied to the substrate in a mist form.
  • the substrate cleaning method according to another aspect of the present invention may further include a step of decompressing the inside of the processing container before the step of supplying a cleaning liquid to the substrate.
  • a substrate cleaning apparatus includes: A processing container having therein a mounting table configured to mount a substrate for a semiconductor device having a pattern formed on the surface; A cleaning liquid supply member that supplies a liquid cleaning liquid for cleaning the substrate to the substrate on the mounting table; A heating mechanism for heating the substrate on the mounting table such that a vapor of the cleaning solution is interposed between a droplet of the cleaning solution supplied to the substrate due to a Leidenfrost phenomenon and the substrate on the mounting table And comprising.
  • the substrate cleaning apparatus may further include a rotation mechanism that rotates the mounting table about the vertical axis.
  • the cleaning liquid supply member may be configured to supply the cleaning liquid in a mist form.
  • the heating mechanism may be provided on the mounting table.
  • a substrate cleaning apparatus includes: A processing container having therein a mounting table configured to mount a substrate for a semiconductor device having a pattern formed on the surface; A cleaning liquid supply member for supplying a cleaning liquid for cleaning the substrate to the substrate on the mounting table, The cleaning liquid supply member has a temperature of the substrate placed on the mounting table so that a vapor of the cleaning liquid is interposed between a droplet of the cleaning liquid supplied to the substrate due to a Leidenfrost phenomenon and the substrate. A liquid having a lower boiling point is supplied as the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid may be one or more selected from the group consisting of liquid nitrogen, liquid argon, liquid oxygen, liquid krypton, liquid xenon, and liquid carbon dioxide.
  • the substrate cleaning apparatus according to another aspect of the present invention may further include a rotation mechanism that rotates the mounting table about the vertical axis.
  • the cleaning liquid supply member may be configured to supply the cleaning liquid in a mist form.
  • a storage medium includes: A storage medium storing a program executed by a control device that controls the cleaning device, When the program is executed by the control device, the cleaning device performs any one of the above-described substrate cleaning methods according to one embodiment of the present invention.
  • a storage medium includes: A storage medium storing a program executed by a control device that controls the cleaning device, When the program is executed by the control device, the cleaning device performs any one of the above-described substrate cleaning methods according to another aspect of the present invention.
  • a Leidenfrost phenomenon occurs, and the cleaning liquid is interposed between the substrate and a droplet of the cleaning liquid.
  • the substrate is heated so that the vapor of the water is interposed. Therefore, when the cleaning liquid is supplied to the heated substrate, for example, the liquid droplets of the cleaning liquid slightly float from the substrate due to the vapor between the substrate and the liquid droplets of the cleaning liquid. As a result, contact between the cleaning liquid and the substrate can be suppressed, and the surface tension of the cleaning liquid does not affect the substrate, or the surface tension of the cleaning liquid does not significantly affect the substrate.
  • the vapor is vigorously sprayed onto the surface of the substrate from the lower surface side of the droplet of the cleaning liquid, deposits such as residues on the substrate are lifted upward by the vapor and taken into the cleaning liquid, for example. For this reason, the substrate can be cleaned while suppressing the collapse of the convex portions of the pattern.
  • FIG. 1A is a schematic diagram of droplets of a cleaning liquid for explaining the Leidenfrost phenomenon.
  • FIG. 1B is a schematic view of a cleaning liquid droplet for explaining the Leidenfrost phenomenon.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of cleaning liquid droplets for explaining the Leidenfrost phenomenon.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram for explaining one condition in which the Leidenfrost phenomenon occurs.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an example of a cleaning apparatus for carrying out the cleaning method according to the embodiment.
  • FIG. 5 is an enlarged view showing an example of a mounting table of the cleaning apparatus shown in FIG.
  • FIG. 6A is a longitudinal sectional view for explaining an example of a substrate to be cleaned.
  • FIG. 6B is a longitudinal sectional view for explaining an example of a substrate to be cleaned.
  • FIG. 6C is a longitudinal sectional view for explaining an example of a substrate to be cleaned.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing how the substrate is cleaned.
  • FIG. 8A is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned.
  • FIG. 8B is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 8C is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 9A is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned.
  • FIG. 9B is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 10A is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned.
  • FIG. 10B is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 10A is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned.
  • FIG. 10B is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 10A is a longitudinal sectional view showing
  • FIG. 10C is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing the substrate being cleaned.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing how the substrate is cleaned.
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an example of a cleaned substrate.
  • FIG. 14A is a longitudinal sectional view for explaining another example of the substrate to be cleaned.
  • FIG. 14B is a longitudinal sectional view for explaining another example of the substrate to be cleaned.
  • FIG. 15 is a view corresponding to FIG. 4 and a longitudinal sectional view showing another example of the cleaning apparatus.
  • FIG. 16 is a side view showing a modification of the heating mechanism of the cleaning device.
  • FIG. 17A is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned by a conventional cleaning method.
  • FIG. 17A is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned by a conventional cleaning method.
  • FIG. 17B is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned by a conventional cleaning method.
  • FIG. 17C is a longitudinal sectional view showing a substrate being cleaned by a conventional cleaning method.
  • FIG. 18A is a perspective view showing an example of a pattern formed on the surface of the substrate.
  • FIG. 18B is a perspective view showing another example of the pattern formed on the surface of the substrate.
  • FIG. 19 is a graph showing the number of particles adhering to the test wafer before and after the cleaning process.
  • FIG. 20 is a diagram showing the positions of particles adhering to the test wafer before and after the cleaning process.
  • a mist-like cleaning liquid such as pure water is supplied to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) W, which is a substrate for manufacturing a semiconductor device, and the surface tension of the pure water is the wafer.
  • wafer W semiconductor wafer
  • the Leidenfrost phenomenon is a phenomenon that occurs, for example, when a water droplet is dropped on a heated frying pan. As shown in FIG.
  • the cleaning liquid is the above-described droplet 1 or mist on the wafer W.
  • the vapor is interposed between the wafer W and the droplet 1, the droplet 1 is slightly lifted from the wafer W. Therefore, as will be described later, when the pattern 43 (53) is formed on the surface of the wafer W, the cleaning liquid does not enter the pattern 43, or even if it enters, it immediately evaporates or jumps out. Therefore, the lateral force based on the surface tension of the cleaning liquid interposed between the lines 102 described in the background art section does not act on the line 42 (52). Further, since the vapor is interposed between the wafer W and the droplet 1, the heat of the wafer W is transferred to the droplet 1 through this vapor, so that the wafer W and the droplet 1 are in direct contact with each other.
  • the droplet 1 does not evaporate immediately, but gradually evaporates and stays on the wafer W for a long time while gradually decreasing as shown on the right side of FIG. 1B.
  • the droplet 1 may generate a small droplet 1 by, for example, partly splitting on the wafer W.
  • the vapor of the droplet 1 is interposed between the small droplet 1 and the wafer W.
  • the vapor is a gas and cannot be visually observed when it is not condensed, but in FIG. 1A and FIG. 1B, this vapor is schematically drawn. The same applies to the subsequent figures.
  • the temperature of the wafer W is a temperature at which the Leidenfrost phenomenon does not occur, for example, a temperature lower than the boiling point of the cleaning liquid, vapor does not intervene between the droplet 1 and the wafer W as shown in FIG.
  • the wafer W and the droplet 1 are in direct contact. Therefore, since the heat of the wafer W is immediately transmitted to the droplet 1, the droplet 1 is immediately evaporated.
  • this Leidenfrost phenomenon may not occur depending on conditions such as temperature and pressure.
  • this condition varies depending on the type of liquid used as the cleaning liquid. Therefore, when cleaning the wafer W using this phenomenon, for example, it is necessary to investigate the temperature at which this phenomenon occurs. Specifically, for example, the wafer W is heated to a predetermined temperature, and a predetermined amount of droplets 1 that are liquids used as a cleaning liquid are dropped on the wafer W, and the time until the droplets 1 are completely eliminated. Measure. Then, by performing the same measurement while changing the temperature of the wafer W in various ways, it can be seen how the time required for the evaporation of the droplet 1 varies depending on the temperature. FIG.
  • the time required for evaporation of the droplet 1 gradually increases as the temperature of the wafer W rises. This is because the heat of the wafer W is difficult to be transferred to the droplet 1 because the vapor of the droplet 1 is interposed between the wafer W and the droplet 1 as described above.
  • the temperature range it is considered that the vapor layer interposed between the wafer W and the droplet 1 gradually increases as the temperature increases. Therefore, it can be seen that in this temperature range, the droplet 1 slightly floats from the wafer W, and the droplet 1 does not cause or does not easily cause the convex portion of the pattern of the wafer W to collapse.
  • the Leidenfrost phenomenon is considered to occur even at a temperature of 300 ° C. or higher.
  • the wafer W is cleaned in the above temperature range (140 ° C. to 300 ° C.). Preferably it is done. Even within this temperature range, it is preferable that the temperature be close to a low temperature (140 ° C.) when cleaning a resist or the like that is sensitive to heat.
  • the pressure of the cleaning solution decreases as the pressure decreases (the degree of vacuum increases), and the evaporation tends to evaporate. As the pressure increases, the boiling point increases and the evaporation becomes difficult. You may adjust so that a phenomenon may occur.
  • the cleaning apparatus includes a processing container 11 that is a casing, and a mounting table 12 disposed in the processing container 11.
  • the mounting table 12 is configured to be rotatable around a vertical axis by a rotating mechanism 12c including a belt 12a and a motor M that form a transmission mechanism, for example, via a rotating shaft 12b having a hollow inside.
  • a heater 13 that is a heating mechanism for heating the wafer W is embedded in the mounting table 12.
  • one end side of a suction path 60 that forms a vacuum chuck for sucking and holding the wafer W from the back surface side is opened at a plurality of locations on the surface of the mounting table 12, and the other end side of the suction path 60.
  • the tip is bent horizontally, and is opened outward at a lateral position of the rotary shaft 12b.
  • an annular body 61 having a hollow interior surrounding the middle portion of the rotary shaft 12b in the circumferential direction is provided around the rotary shaft 12b so as to cover the opening 60a of the suction path 60 that opens to the side position of the rotary shaft 12b.
  • the annular body 61 is provided, for example, fixed to the lower surface of the processing container 11 by a support portion (not shown).
  • a bearing mechanism 62 including a magnetic seal or the like is provided between the annular body 61 and the rotating shaft 12b in an airtight manner. Even when the rotating shaft 12b rotates about the vertical axis, a space in which the opening 60a communicates. (Internal space of the annular body 61) is configured to be kept airtight.
  • One end side of the suction pipe 63 is connected to a side position of the annular body 61, and the other end side of the suction pipe 63 is connected to, for example, a suction pump (not shown) provided outside the processing container 11. ing. And, even when the mounting table 12 and the rotating shaft 12b are rotated around the vertical axis by the suction pipe 63, the internal space of the annular body 61 and the suction path 60, the mounting table is sucked from the back side. 12 can be sucked and held.
  • a feeding shaft 65 extending coaxially with the rotating shaft 12b from the bottom surface side of the processing container 11 to a position below the mounting table 12 is provided.
  • the outer tube 65a on the outer peripheral side of the power supply shaft 65 and the inner shaft portion 65b are insulated so as not to electrically interfere with each other.
  • the outer tube 65a and the shaft portion 65b on the upper end side of the power supply shaft 65 A pair of conductive paths 64 and 64 for supplying power to the heater 13 described above are connected to each other.
  • a substantially cylindrical connector 66 is connected to the lower end side of the power supply shaft 65, and the connector 66 is connected to, for example, an electrically conductive fluid or an upper rotating portion electrically connected via a conductive bearing. 66a and a lower fixed portion 66b.
  • the power feeding shaft 65 is configured to be rotatable around the vertical axis together with the mounting table 12 and the rotating portion 66a while being electrically connected to the connector 66.
  • FIG. 4 shows the mounting table 12 in a simplified manner.
  • the mounting table 12 includes, for example, lifting pins 68 for moving the wafer W up and down between a lower position where the wafer W is mounted on the mounting table 12 and an upper position where the wafer W is loaded and unloaded.
  • the elevating pins 68 are connected to an elevating mechanism 69 provided on the lower surface of the processing container 11, for example, via a support portion 68a. Then, in the state where the lifting pins 68 are lifted and lowered through a through hole (not shown) formed in the mounting table 12, an external conveying means (not shown) and the mounting table via a transfer port 11 a formed in the side wall of the processing container 11. The wafer W is delivered to and from 12.
  • an approximately ring-shaped cup body 15 having an upper surface opened is provided so as to surround the mounting table 12 from the side, and on the outer peripheral side of the lower surface of the cup body 15, a wafer is provided.
  • a liquid receiving portion 16 is formed along the periphery of the wafer W for receiving the cleaning liquid that has flowed down from the peripheral edge of the W.
  • a drainage path 17 for discharging the cleaning liquid to the outside of the processing container 11 is connected to the lower surface side of the liquid receiving portion 16.
  • an exhaust passage 19 is formed that is partitioned from the liquid receiving portion 16 by a ring-shaped wall portion 18.
  • a cup body 15 is provided on the lower surface side of the exhaust passage 19.
  • An exhaust pipe 20 for exhausting the atmosphere in the processing container 11 is connected via a ring-shaped region between the wafer W and the peripheral edge of the wafer W and the liquid receiving portion 16.
  • a nozzle 21 serving as a cleaning liquid supply member for supplying a mist-like cleaning liquid, for example, pure water, to the wafer W on the mounting table 12 is provided so as to face the mounting table 12.
  • the nozzle 21 is supported by an arm 22 configured to be horizontally movable by a moving mechanism (not shown). For example, the nozzle 21 can move in the horizontal direction from the upper position of the center of the wafer W on the mounting table 12 toward the outer edge.
  • the nozzle 21 is connected to a cleaning liquid supply unit 25 in which a cleaning liquid such as pure water is stored via a flow rate adjusting unit 23a and a valve 24a, and a carrier gas such as nitrogen (N2) is connected to the nozzle 21 via a flow rate adjusting unit 23b and a valve 24b. ) It is connected to a carrier gas supply unit 26 in which gas is stored.
  • the nozzle 21 is configured so that the cleaning liquid can be atomized in the form of a mist with the carrier gas and supplied to the wafer W, for example.
  • a filter unit 27 is provided on the top wall in the processing container 11, and the filter unit 27, an exhaust port (not shown) provided outside the cup body 15, and the exhaust pipe 20, enter the processing container 11. A downflow is formed.
  • a control device 7 is connected to the cleaning device, and the control device 7 includes, for example, a computer having a CPU, a memory, a program, and the like (not shown).
  • This program includes a group of steps (commands) for outputting a control signal to each part of the cleaning apparatus so as to clean the wafer W in the cleaning apparatus.
  • the program includes, for example, a hard disk, a compact disk, and a magnet optical.
  • the data is stored in a storage medium 8 that is a storage unit such as a disk or a memory card, and installed in the computer from the storage medium 8.
  • the wafer W to be cleaned in the cleaning method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6A to 6C.
  • the wafer W extends long between the grooves 41 and 41, a low dielectric constant film 31 made of, for example, a silicon compound (SiO 2 or SiCOH) as an interlayer insulating film.
  • a photoresist film 32 on which a pattern 43 including a line 42 formed as a convex portion is formed is laminated on the lower silicon layer 33 in this order from the lower side.
  • the wafer W has a narrow area 44 in which the opening width of the groove 41 is formed narrowly and the lines 42 are densely arranged, and a wide opening width of the groove 41 is formed and the line 42 is greatly separated. And a sparse region 45 arranged sparsely.
  • FIG. 6A the dimensions of the pattern 43 are schematically shown. The same applies to FIGS. 6B, 6C, 8A to 11, and 13 to 14B below.
  • the low dielectric constant film 31 is etched as shown in FIG. 6B.
  • the low dielectric constant film 31 is formed with a pattern 53 including a groove 51 and a line 52 having a shape corresponding to the pattern 43, and similarly, a dense region 54 in which the lines 52 are densely arranged and A sparse region 55 in which the lines 52 are sparsely arranged is formed.
  • the dimensions of the pattern 53 are, for example, the width dimension of the line 52 and the height dimension of the line 52 (depth dimension of the groove 51), for example, about 90 nm, respectively, and the distance between the lines 52, 52 in the dense region 54 (groove 51). Is 90 nm, and the distance between the lines 52 and 52 in the sparse region 55 is 270 nm.
  • oxygen (O 2 ) gas and dilution gas are converted into plasma on the wafer W, and the plasma is supplied to perform ashing, thereby remaining in the upper layer of the low dielectric constant film 31 as shown in FIG. 6C.
  • Unnecessary photoresist film 32 is removed. By this ashing process, a residue 34 of the photoresist film 32 remains on the surface of the low dielectric constant film 31 and the inside of the groove 51 as shown in FIG. 6C.
  • the residue 34 on the wafer W is removed (cleaned) as follows.
  • the wafer W is loaded into the processing container 11 by an external transfer unit (not shown), and the wafer W is mounted on the mounting table 12 by the cooperative action of the lifting mechanism 69 and the transfer unit.
  • the wafer W is sucked and held on the mounting table 12 by suction of the suction path 60.
  • the wafer W is heated to a predetermined temperature such as 140 ° C. to 300 ° C., preferably 160 ° C. to 200 ° C. so that the Leidenfrost phenomenon occurs on the surface of the wafer W, and the wafer W is rotated as shown in FIG.
  • a mist-like cleaning liquid is supplied from the nozzle 21 to the center of the wafer W, for example.
  • the droplet (mist) 1 of the cleaning liquid supplied to the surface of the wafer W has the Leidenfrost phenomenon as described above. Since it is heated to occur, the vapor of the droplet 1 is interposed between the droplet 1 and the surface of the wafer W (low dielectric constant film 31) as shown in FIG. 8A. Therefore, the droplet 1 is slightly lifted from the surface of the wafer W, and the surface tension due to the contact between the droplet 1 and the wafer W does not work, or even if the surface tension works, it becomes extremely small.
  • the surface of the wafer W (line 52) is caused by the flow of the vapor.
  • the surface (residue) 34 is rolled up and taken into the droplet 1 as shown in FIG. 8B.
  • the droplet 1 of the cleaning liquid supplied to the surface of the wafer W rolls from the center side toward the outer peripheral side by centrifugal force. Then, for example, when the droplet 1 reaches above the groove 51, as shown in FIG. 8C, similarly, steam is vigorously sprayed from the lower surface of the droplet 1 toward the surface of the wafer W (the bottom surface of the groove 51). Therefore, the residue 34 inside the groove 51 is rolled up by the flow of the vapor, and the residue 34 is similarly taken into the droplet 1 as shown in FIG. 9A.
  • the droplet 1 is actually much larger than the dimensions shown in FIGS. 8A to 9B, and the dimension of the pattern 53 is larger than the dimensions shown in FIGS. 8A to 9B. Much smaller. Therefore, even when the height is different, such as the surface of the wafer W (the upper surface of the line 52) or the bottom surface of the groove 51, the size of the droplet 1 and the vapor layer formed on the lower surface of the droplet 1 In terms of thickness, such a height difference is almost negligible. Therefore, the residue 34 is taken into the droplet 1 over the surface of the wafer W and the bottom surface of the groove 51 by the steam blown from the lower surface of the droplet 1. Then, as shown in FIG. 9B, the droplets 1 are sequentially rolled from the center side to the peripheral side of the wafer W, and the residue 34 is taken into the droplets by the steam blown from the lower surface of the droplets 1. .
  • the wafer W is heated so that the Leidenfrost phenomenon occurs on the wafer W, and the droplet 1 that has taken in the residue 34 is removed from the wafer W by the vapor intervening between the droplet 1 and the wafer W. Since the heat transfer is hindered, it does not evaporate immediately after being dropped onto the wafer W. Further, even if the surface tension does not work due to the heating of the wafer W or even if the surface tension works, the droplet 1 is easy to roll on the wafer W. Therefore, the droplet 1 is rolled by the centrifugal force in a state where the residue 34 is taken in, and is shaken off from the periphery of the wafer W.
  • the droplet 1 becomes smaller before being shaken off from the periphery of the wafer W, or as shown on the left side of the same drawing, it is separated from the larger droplet 1 and smaller droplet 1 May be generated.
  • the droplet 1 may have a very small size when ejected from the nozzle 21. Even in such a case, when the droplet 1 reaches the surface of the wafer W, a vapor layer is formed between the droplet 1 and the wafer W. Therefore, for example, as shown in FIG.
  • the nozzle 21 is moved from the center position of the wafer W to the peripheral side while supplying the cleaning liquid, and cleaning (removal of the residue 34) is performed over the entire surface of the wafer W. .
  • the line 52 is formed in both the dense region 54 and the sparse region 55 as shown in FIG.
  • the residue 34 is removed in a state in which the falling is suppressed.
  • the rotation speed of the wafer W is too large, the buoyancy (centrifugal force) of the droplet 1 of the cleaning liquid is increased, and there is a possibility that the action of taking up the residue 34 cannot be sufficiently exhibited, but the rotation speed is too small. Then, since the droplet 1 supplied onto the wafer W disappears before being discharged from the wafer W due to centrifugal force, it is desirable to set the number of rotations so that the cleaning action by the droplet 1 is effectively exhibited. Specifically, for example, 200 rpm to 1000 rpm is preferable.
  • this wafer W is cleaned to remove the surface of the low dielectric constant film 31 on which the pattern 53 including the convex line 52 and the residue 34 that has entered the groove 51 are removed.
  • the wafer W is heated so that the Leidenfrost phenomenon occurs on the wafer W, and the cleaning liquid is supplied to the heated wafer W. Therefore, since the vapor of the droplet 1 is interposed between the cleaning liquid droplet 1 and the wafer W, the surface tension due to the contact between the droplet 1 and the wafer W does not work or the surface tension works. But it is extremely small.
  • the residue 34 on the surface of the wafer W is rolled up by the vapor blown from the lower surface of the droplet 1 and taken into the droplet 1. Accordingly, since a lateral force is suppressed from being applied to the line 52 due to the surface tension of the droplet 1, the residue 34 is removed in a state where the fall of the line 52 is suppressed in both the dense region 54 and the sparse region 55. be able to. Therefore, even if the width dimension of the line 52 is extremely narrow as described above, or even if the low dielectric constant film 31 is porous and brittle, the line 52 can be prevented from falling.
  • the product generated by the reaction between the low dielectric constant film 31 and the etching gas plasma may remain as a residue 34 on the surface of the wafer W.
  • a residue 34 is also removed by the cleaning described above. Therefore, the wafer W may be cleaned before the ashing process, and the wafer W may be cleaned again after the ashing process.
  • the present invention is applied to a process of performing an etching process without such an ashing process. A cleaning method may be applied.
  • the aforementioned pattern 43 of the photoresist film 32 is formed by the exposure process and the development process, the surface of the wafer W (the upper surface of the line 42) and the inside of the groove 41 after the development process are formed As shown in FIG. 14B, the organic matter constituting the photoresist film 32 remains as a residue 34.
  • the pattern 43 has the above-described pattern 53 such that the width dimension of the line 42 and the opening dimension of the groove 41 are about 32 nm, respectively, and the height dimension of the line 42 (depth dimension of the groove 41) is about 120 nm, for example. In some cases, it may be formed in a finer dimension. Further, since it is made of a soft organic material as described above, the line 42 is extremely weak and easily falls.
  • the residue 34 is suppressed in both the dense region 44 and the sparse region 45 in the dense region 44 and the sparse region 45 as in the above example. Can be removed.
  • the Leidenfrost phenomenon occurring in the photoresist film 32 and the state of the residue 34 being removed are the same as in the above-described example, and thus the description thereof is omitted.
  • the heating temperature of the wafer W is organic.
  • a temperature lower than the heating temperature (140 ° C. to 300 ° C.) in the above example may be set, for example, 60 ° C. to 100 ° C.
  • cleaning is performed in a reduced pressure state, for example, about 10 kPa to 50 kPa, so that the cleaning liquid is in a boiling state at the above heating temperature (so that the boiling point is lowered). You may be made to be.
  • FIG. 15 An example of a cleaning apparatus for cleaning the wafer W in such a reduced pressure state will be described with reference to FIG. 15, for example.
  • This apparatus has substantially the same configuration as the cleaning apparatus shown in FIG. 4 described above, and the same parts as those in FIG.
  • a pressure reducing means 70 such as a vacuum pump is connected to the exhaust pipe 20 via a pressure adjusting means 73 such as a butterfly valve.
  • the lifting mechanism 69 and the rotating mechanism 12c described above are provided outside (downward) the processing container 11, for example.
  • telescopic bellows 80 and 80 are provided between the elevating mechanism 69 and the bottom surface of the processing container 11 and between the rotating mechanism 12c and the bottom surface of the processing container 11, respectively. As a result, the atmosphere in the processing container 11 is kept airtight.
  • an electrostatic chuck 74 for electrostatically attracting the wafer W to the upper surface of the mounting table 12. May be provided.
  • the wafer W is attracted onto the mounting table 12 by applying a DC high voltage to the electrostatic chuck 74 from a power source (not shown).
  • the method of supplying power to the electrostatic chuck 74 and the heater 13 is configured in the same manner as in FIG. 5 described above.
  • a high voltage for supplying the shaft portion 65b of the power supply shaft 65 to the electrostatic chuck 74 is used.
  • a configuration is adopted in which a double pipe forming a pair of power supply paths for the heater 13 is provided outside the voltage supply path.
  • the above-described filter unit 27 is not provided in the processing container 11, and a clean gas such as nitrogen (N 2 ) gas or the like is introduced into the processing container 11 on the top wall of the processing container 11.
  • a clean gas such as nitrogen (N 2 ) gas or the like is introduced into the processing container 11 on the top wall of the processing container 11.
  • One end side of a gas supply pipe 28 for supply is connected, and the other end side of the gas supply pipe 28 is connected to a gas supply unit 75 in which the above gas is stored, for example, via a valve or a flow rate adjusting unit (not shown).
  • a valve or a flow rate adjusting unit not shown
  • the transfer port 11a of the processing container 11 is hermetically sealed by a gate valve (not shown), for example.
  • the heating temperature of the wafer W and the pressure in the processing chamber 11 are set so that the Leidenfrost phenomenon occurs on the wafer W and the deterioration of the photoresist film 32 is suppressed as in the above example. Is adjusted, and the wafer W is cleaned to obtain the same effect.
  • the pressure in the processing chamber 11 may be adjusted together with the heating temperature of the wafer W in this way.
  • a heating lamp 90 that forms a heating means in the circumferential direction is provided below the mounting table 12. It is also possible to heat the wafer W from the back side by the heating lamp 90.
  • the present invention forms a double-gate type Fully-Depleted SOI-MOSFET structure as shown in FIG. 18A, for example, in addition to the pattern in which long extending grooves and lines are formed as in the above examples.
  • a columnar structure 110 such as a strip-shaped pillar for forming a channel on the upper surface and the side surface, a gate electrode disposed when forming a double gate structure called FIN-FET, or as shown in FIG. 18B, for example You may apply to the wafer W in which the pattern provided with the convex part which falls easily like the cylinder-type (cylindrical type) electrode 111 etc. which were formed in the upper layer side of the gate electrode was formed.
  • the convex portion that easily falls is a dimension having a width dimension or a depth dimension of 50 nm or less and a height dimension of about 150 nm or more, that is, an aspect ratio (a height dimension with respect to a smaller dimension among the width dimension and the depth dimension of the projection).
  • (Ratio) refers to a convex portion having a value greater than about 3.
  • the film on which such a pattern is formed is, for example, a metal such as copper (Cu) or polycrystalline silicon (Si). May be.
  • the cleaning liquid may be, for example, an organic solvent (ethanol, isopropyl alcohol (IPA), etc.).
  • IPA isopropyl alcohol
  • the Leidenfrost phenomenon occurs at a lower temperature, for example, about 100 ° C. (at normal pressure) than in the case of pure water, so that damage to the wafer W due to heat can be reduced.
  • a low-temperature liquid liquid nitrogen, liquid argon, liquid oxygen, liquid krypton, liquid xenon, liquid carbon dioxide, etc.
  • a low-temperature liquid liquid nitrogen, liquid argon, liquid oxygen, liquid krypton, liquid xenon, liquid carbon dioxide, etc.
  • a temperature region where the vapor film is generated is defined as a “film boiling region”, and this temperature region is a region where the temperature difference between the boiling point of the liquid and the solid temperature is, for example, 100 ° C. or more.
  • the boiling point of the low-temperature liquid is as low as about minus a few tens of degrees Celsius, for example, when these low-temperature liquids cooled in advance to be in a liquid state are dropped or sprayed onto the wafer W at room temperature, for example, Since these low-temperature liquids are instantly evaporated by heat and the Leidenfrost phenomenon occurs, the wafer W can be cleaned in the same manner as in the above examples. Therefore, when such a low-temperature liquid is used as a cleaning liquid, the wafer W is cleaned using the Leidenfrost phenomenon even at a room temperature. In this case, for example, in the cleaning device of FIG.
  • the cleaning liquid (droplet 1) is not in contact with the surface of the wafer W (the upper surfaces of the patterns 43 and 53) due to the Leidenfrost phenomenon has been described. If no cleaning liquid remains in the patterns 43 and 53 after the cleaning, the lines 42 and 52 can be prevented from falling down as described above, and therefore the cleaning liquid may be brought into contact with the surface of the wafer W. .
  • a cleaning liquid was supplied to the test wafer under conditions that caused the Leidenfrost phenomenon, and the test wafer was cleaned.
  • the test wafer was produced by uniformly and uniformly adhering particles having an average particle diameter of 0.37 ⁇ m to a wafer whose particle material is SiO 2 .
  • Pure water as a cleaning liquid was supplied to a test wafer heated to 225 ° C.
  • the processing time was 5 minutes, and pure water was supplied to the test wafer for 5 minutes. Pure water was supplied to the test wafer as droplets of about ⁇ 1 to 2 mm. During processing, the pure water droplets supplied on the test wafer were rolling on the test wafer.
  • FIG. 19 shows the number of particles measured for each particle diameter.
  • FIG. 20 shows the positions of the confirmed particles in a 20 mm ⁇ 20 mm region randomly selected from the test wafer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

　洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄する洗浄方法であって、洗浄液を除去あるいは乾燥させる際に、パターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄することができる洗洗浄方法を提供する。洗浄方法は、処理容器内の載置台に基板を載置する工程と、基板を加熱する工程と、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含む。洗浄液を供給する工程において、ライデンフロスト現象が起こり、基板に供給される洗浄液の液滴と基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、基板を加熱する工程において基板が加熱される。

Description

基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
　本発明は、表面にパターンが形成された基板であって半導体装置の製造に用いられる基板、例えば半導体ウェハを洗浄する洗浄方法、基板の洗浄装置及び洗浄方法が記憶された記憶媒体に関する。
　半導体装置の製造工程においては、例えば基板である半導体ウェハ（以下、ウェハという）の表面にてパターンの形成と薄膜の成膜とが繰り返されて集積回路の積層構造が形成される。このパターンは、フォトリソグラフィーによりレジストマスクを形成する工程と、このマスクを用いてその下層の薄膜を例えばプラズマによりエッチングして前記マスクに対応するパターンを形成する工程と、酸素を含むプラズマによりレジストマスクを灰化するアッシング工程と、によって形成される。
　アッシング工程ではレジストマスクの残渣が生成され、この残渣が薄膜の表面や例えばパターンの溝の内部に残ってしまう。したがって、ウェハの表面あるいは溝の内部の残渣を除去するため、アッシング処理の後に、洗浄液をウェハの表面に供給してこの残渣を洗い流すようにしている。具体的には、例えば枚葉式のスピン洗浄装置において、ノズルを用いてウェハの上方からこのウェハの表面に洗浄液例えば純水を吹き付けると共にウェハを回転させ、例えばウェハの中心から外周に向けてノズルをスキャンさせることによって、残渣を洗浄液により洗い流している。その後、例えばウェハを回転させて洗浄液を振り切ることにより、あるいは、ウェハを加熱して表面に残った洗浄液を蒸発させることにより、ウェハの表面や溝の内部に残った洗浄液を除去している。
　パターンの形状は、デバイスの部位により様々であるが、具体例として絶縁膜中に配線パターンを形成する場合には、ラインアンドスペース（多数のライン状の凸部分と溝部分とが平行状に形成されるパターン）として形成され得る。ラインアンドスペースとして形成されたパターンには、パターン密度が高い領域とパターン密度が低い領域とが含まれることも多い。図１７Ａはこのようなパターンの一例を示しており、ウェハ１００の表面には、既述のように例えば溝１０１の開口幅が狭く形成されてライン１０２が密に配置された密領域１０３と、この密領域１０３よりも溝１０１の開口幅が広く形成されてライン１０２同士が互いに離間して疎に配置された疎領域１０４と、が含まれている。尚、図１７Ａ中の１０５は残渣である。
　ウェハ１００を洗浄した後に当該ウェハ１００の表面に残った洗浄液は、表面張力により例えば溝１０１内において表面積が小さくなるように概略水平になろうとする。そのため、ライン１０２にはこの洗浄液の表面張力により、洗浄液側（溝１０１側）に引き寄せられるように横向きの力が加わることになる。そして、この状態のウェハ１００の表面の洗浄液を除去あるいは乾燥させようとすると、密領域１０３ではライン１０２、１０２間の間隔が狭いので表面張力が強く働いて当該密領域１０３から洗浄液が出て行きにくい（乾燥しにくい）が、疎領域１０４ではライン１０２、１０２間の間隔が広いので表面張力が密領域１０３よりも弱くなる。そのため、疎領域１０４では、密領域１０３よりも速く洗浄液がなくなって（乾燥して）いくことになる。そして、図１７Ｂのように、密領域１０３では洗浄液が残っている一方、疎領域１０４では洗浄液が無くなるかあるいは密領域１０３よりも少ない状態になると、例えば両領域１０３、１０４の境界におけるライン１０２は、疎領域１０４側（図１７Ｂ中右側）から引き寄せられる力よりも密領域１０３側（図１７Ｂ中左側）から引き寄せられる力の方が強くなることになる。
　一方、このライン１０２は、高集積化が進んでいることから例えば１００ｎｍを下回るまでに幅寸法が極めて狭いことも多い。このため、ライン１０２の強度は弱く、また層間絶縁膜として用いられる多孔質体からなる低誘電率の多孔質膜（例えばＳｉＣＯＨ膜）の場合には脆くなっている。そのため、このように両側から引き寄せられる力に差があると、図１７Ｃのように強く引かれた側（図１７Ｃ中左側）に倒れてしまう。また、上記のように両領域１０３、１０４間の境界におけるライン１０２だけでなく、各々の領域１０３、１０４内においても、例えば各々の溝１０１間では洗浄液の除去（乾燥）速度に僅かながらもばらつきがあるので、ライン１０２の配置密度が同じ領域１０３、１０４内であっても、洗浄液を除去（乾燥）した後にライン１０２が倒れてしまっている場合がある。
　更に、このような低誘電率膜だけでなく、例えば既述のレジストマスクは、ラインの幅寸法及び溝の開口寸法が夫々３２ｎｍ程度、ラインの高さ寸法（溝の深さ寸法）が例えば１２０ｎｍ程度というように、上記のパターンよりも更に微細な寸法のマスクパターンとして、形成される場合もある。そして、このレジストマスクに現像処理を行ってマスクパターンを形成した時には、このマスクパターンの表面やマスクパターンの溝の内部にレジストマスクを構成する有機物あるいはこの有機物の残渣が残ってしまう場合がある。したがって、現像処理の後に基板が洗浄されることになるが、レジストマスクは有機物であるため硬度が小さく、洗浄液を除去（乾燥）する時に同様にラインが倒れてしまう場合がある。
　更にまた、上記のように例えばエッチング処理により形成されるパターンとしては、基板の表面に沿ってライン１０２のように長く伸びる形状以外の形状もある。例えば、図１８Ａに示すように、double gate型 Fully Depleted ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ構造を形成する時に上面及び側面にチャネルを形成するための短冊状のピラーや、ＦＩＮ－ＦＥＴと呼ばれるダブルゲート構造を形成する時に配置されるゲート電極などの柱状の構造体１１０が、形成される場合もある。また、図１８Ｂに示すように例えばゲート電極の上層側にシリンダー型（円筒型）の電極１１１が形成される場合もある。そして、このような形状のパターンが形成されたウェハ１００に対して、例えばエッチング処理により生じた残渣を除去するために、洗浄処理が施される場合もある。そして、この洗浄処理において洗浄液を除去（乾燥）する際に、凸部（構造体１１０、電極１１１）が倒れてしまうこともある。更に、配線密度の高密度化が進むにつれてこのようなパターンの凸部の幅寸法が薄くなっていくと、倒れの問題が顕著になっていくことになる。
　ここで、例えば表面に洗浄液が残ったウェハに対して、例えばアルコールなどの沸点が低くて除去（蒸発）しやすい有機溶媒を供給し、ウェハ上の洗浄液を有機溶媒で置換してその後乾燥させることによって、ウェハの表面から水分（洗浄液や有機溶媒）を速く除去する方法も知られている。ただし、この方法でも有機溶媒には表面張力があるので、有機溶媒を除去あるいは乾燥させるときに当該有機溶媒の表面張力により凸部が倒れてしまうおそれがある。また、例えば洗浄液に表面活性剤を混ぜることにより、洗浄液の表面張力を下げる方法も知られているが、洗浄後のウェハの表面にこの表面活性剤が残った場合には、このウェハの汚染の原因となってしまう。
　更に、ウェハの表面に気体である水蒸気を供給し、この水蒸気によりウェハを洗浄する方法も知られているが、このような気体だけでは既述の残渣を除去するには不十分である。更にまた、ウェハの表面にミスト（液滴）状の洗浄液を供給してウェハを洗浄する方法も知られているが、ミスト状であっても洗浄液には表面張力があるので、例えば溝内にこのミストが入り込むとラインに横向きの力が加わってしまうし、またウェハ上でミストが凝集してしまった場合には、乾燥する時に既述の図１７に示した例と同じように例えばラインが倒れてしまうことになる。
　また、例えば二酸化炭素（ＣＯ２）や有機系の溶媒などに対して極めて高い圧力を加えることで得られる超臨界流体を用いた洗浄方法も知られているが、高圧装置が必要であり、装置化が困難である。ＪＰ６－１９６３９７Ａ（段落０００４、０００５）には、液体の表面張力が小さくなるように基板あるいは液体を５０℃～１００℃に暖めて基板を洗浄する技術が記載されているが、このようにしても表面張力は僅かに減少するだけであり、上記の課題を解決することはできない。
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表面にパターンが形成された半導体装置製造用の基板に洗浄液を供給して当該基板を洗浄するにあたり、パターン倒れを抑えることのできる洗浄方法、洗浄装置及びこの洗浄方法を記憶した記憶媒体を提供することにある。
　本発明の一態様による基板の洗浄方法は、
　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を、処理容器内の載置台に載置する工程と、
　前記基板を加熱する工程と、
　次いで、前記基板の表面に液体の洗浄液を供給する工程と、を含み、
　前記洗浄液を供給する工程においてライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、前記基板を加熱する工程において前記基板が加熱される。
　本発明の一態様による基板の洗浄方法の前記基板に洗浄液を供給する工程において、鉛直軸を軸線として前記基板を回転させながら洗浄液が供給されてもよい。また、本発明の一態様による基板の洗浄方法において、前記洗浄液はミスト状で前記基板に供給されてもよい。さらに、本発明の一態様による基板の洗浄方法の前記基板を加熱する工程において、前記載置台に設けられた加熱機構により前記基板が加熱されてもよい。さらに、本発明の一態様による基板の洗浄方法の前記基板を加熱する工程において、前記基板が１４０℃～３００℃に加熱され、前記洗浄液を供給する工程において、大気雰囲気下で、水が前記洗浄液として供給されてもよい。さらに、本発明の一態様による基板の洗浄方法が、前記基板に洗浄液を供給する工程の前に、前記処理容器内を減圧する工程を更に備えてもよい。さらに、本発明の一態様による基板の洗浄方法において、前記洗浄液は、水または有機溶媒の少なくともいずれか一方であってもよい。
　本発明の他の態様による基板の洗浄方法は、
　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を、処理容器内の載置台に載置する工程と、
　次いで、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含み、
　前記洗浄液を供給する工程において、ライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、前記載置台上に載置された前記基板の温度よりも低い沸点の液体が前記洗浄液として供給される
　本発明の他の態様による基板の洗浄方法において、前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノンおよび液体二酸化炭素からなる群から選択される一以上であってもよい。また、本発明の他の態様による基板の洗浄方法の前記基板に洗浄液を供給する工程において、鉛直軸を軸線として前記基板を回転させながら洗浄液が供給されてもよい。さらに、本発明の他の態様による基板の洗浄方法において、前記洗浄液は、ミスト状で前記基板に供給されてもよい。さらに、本発明の他の態様による基板の洗浄方法が、前記基板に洗浄液を供給する工程の前に、前記処理容器内を減圧する工程を更に備えてもよい。
　本発明の一態様による基板の洗浄装置は、
　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板が載置されるように構成された載置台を内部に有する処理容器と、
　前記基板を洗浄するための液体の洗浄液を前記載置台上の基板に対して供給する洗浄液供給部材と、
　ライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記載置台上の前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、前記載置台上の前記基板を加熱する加熱機構と、を備える。
　本発明の一態様による基板の洗浄装置が、前記載置台を鉛直軸回りに回転させる回転機構をさらに備えるようにしてもよい。また、本発明の一態様による基板の洗浄装置において、前記洗浄液供給部材は、洗浄液をミスト状に供給するように構成されていてもよい。さらに、本発明の一態様による基板の洗浄装置において、前記加熱機構は前記載置台に設けられていてもよい。
　本発明の他の態様による基板の洗浄装置は、
　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板が載置されるように構成された載置台を内部に有する処理容器と、
　前記基板を洗浄するための洗浄液を前記載置台上の基板に対して供給する洗浄液供給部材と、を備え、
　洗浄液供給部材は、ライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するよう、前記載置台上に載置された前記基板の温度よりも低い沸点の液体を前記洗浄液として供給するように構成されている。
　本発明の他の態様による基板の洗浄装置において、前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノンおよび液体二酸化炭素からなる群から選択される一以上であってもよい。また、本発明の他の態様による基板の洗浄装置が、前記載置台を鉛直軸回りに回転させる回転機構をさらに備えてもよい。さらに、本発明の他の態様による基板の洗浄装置において、前記洗浄液供給部材は、洗浄液をミスト状に供給するように構成されていてもよい。
　本発明の一態様による記憶媒体は、
　洗浄装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記憶媒体であって、
　前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、上述した本発明の一態様による基板の洗浄方法のいずれか一つを、洗浄装置に実施させる。
　本発明の他の態様による記憶媒体は、
　洗浄装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記憶媒体であって、
　前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、上述した本発明の他の態様による基板の洗浄方法のいずれか一つを、洗浄装置に実施させる。
　本発明によれば、表面にパターンが形成された半導体装置製造用の基板に洗浄液を供給して当該基板を洗浄するにあたり、ライデンフロスト現象を起こし、基板と洗浄液の液滴との間に当該洗浄液の蒸気が介在するよう、基板を加熱するようになっている。したがって、加熱された基板に洗浄液が供給されると、基板と洗浄液の液滴との間の蒸気によって、例えば洗浄液の液滴が基板から僅かに浮いた状態となる。これにより、洗浄液と基板との接触が抑えられて、洗浄液の表面張力が基板に影響を及ぼさない、あるいは、洗浄液の表面張力が基板に大きな影響を及ぼさないようにすることができる。また、この蒸気は洗浄液の液滴の下面側から勢いよく基板の表面に吹き付けられるので、この蒸気により基板上の例えば残渣などの付着物が上方に舞い上げられて例えば洗浄液の内部に取り込まれる。そのために、パターンの凸部の倒れを抑えながら、基板の洗浄を行うことができる。
図１Ａは、ライデンフロスト現象を説明するための洗浄液の液滴の模式図である。 図１Ｂは、ライデンフロスト現象を説明するための洗浄液の液滴の模式図である。 図２は、ライデンフロスト現象を説明するための洗浄液の液滴の模式図である。 図３は、ライデンフロスト現象が起こる一条件を説明するための特性図である。 図４は、一実施の形態による洗浄方法を実施するための洗浄装置の一例を示す縦断面図である。 図５は、図４に示された洗浄装置の載置台の一例を示す拡大図である。 図６Ａは、洗浄対象となる基板の一例を説明するための縦断面図である。 図６Ｂは、洗浄対象となる基板の一例を説明するための縦断面図である。 図６Ｃは、洗浄対象となる基板の一例を説明するための縦断面図である。 図７は、基板を洗浄する様子を示す模式図である。 図８Ａは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図８Ｂは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図８Ｃは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図９Ａは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図９Ｂは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１０Ａは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１０Ｂは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１０Ｃは、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１１は、洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１２は、基板を洗浄する様子を示す模式図である。 図１３は、洗浄された基板の一例を示す縦断面図である。 図１４Ａは、洗浄対象となる基板の他の例を説明するための縦断面図である。 図１４Ｂは、洗浄対象となる基板の他の例を説明するための縦断面図である。 図１５は、図４に対応する図であって、洗浄装置の他の例を示す縦断面図である。 図１６は、洗浄装置の加熱機構の一変形例を示す側面図である。 図１７Ａは、従来の洗浄方法で洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１７Ｂは、従来の洗浄方法で洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１７Ｃは、従来の洗浄方法で洗浄されている基板を示す縦断面図である。 図１８Ａは、基板の表面に形成されたパターンの一例を示す斜視図である。 図１８Ｂは、基板の表面に形成されたパターンの他の例を示す斜視図である。 図１９は、洗浄処理前後における、試験用ウェハ上に付着したパーティクルの数を示すグラフである。 図２０は、洗浄処理前後における、試験用ウェハ上に付着したパーティクルの位置を示す図である。
［洗浄処理の概要］
　本発明の一実施の形態について以下に説明する。以下に説明する洗浄処理は、半導体装置製造用の基板である例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）Ｗに対して例えばミスト状の洗浄液例えば純水を供給し、純水の表面張力がウェハＷに影響を及ぼさないように、あるいは、影響を及ぼしたとしても極めて小さな影響となるよう、ウェハＷ上においてライデンフロスト現象を生じさせながらウェハＷを洗浄する処理である。このライデンフロスト現象とは、例えば熱したフライパンに水滴を落とした時などに起こる現象であり、図１Ａに示すように、ウェハＷが洗浄液の沸点よりも高い温度に加熱されている場合に、ウェハＷ上に供給された洗浄液の液滴１が当該ウェハＷに急激に加熱されることによって、ウェハＷの表面と液滴１との間に当該液滴１の蒸気が介在する現象である。この蒸気は、液滴１の下面からウェハＷの表面に向かって勢いよく供給され、ウェハＷの熱により更に加熱されて軽くなって上昇し、再度液滴１に取り込まれるか、あるいは液滴１の周囲から上側に向かって拡散していくことになる。ここで、洗浄液例えば純水について、この実施の形態で用いる用語について説明すると、水蒸気とは気体であり、液滴１とは、例えば後に言及する図８Ａ～図８Ｃに示すように、洗浄液がパターン５３上に乗っている状態であり、また、ミストとは上記の液滴１が多量に散布されている状態を言う。従って、本発明においてライデンフロスト現象を利用してウェハＷの洗浄を行うためには、洗浄液はウェハＷ上において上記の液滴１やミストとなっていることになる。
　ウェハＷと液滴１との間に蒸気が介在することにより、いわば液滴１がウェハＷから僅かに浮いた状態になる。従って、後述するように、ウェハＷの表面にパターン４３（５３）が形成されている場合には、当該パターン４３内には洗浄液が入り込まないので、あるいは入り込んだとしても直ぐに蒸発したり飛び出したりするので、背景技術の欄で述べた、ライン１０２間に介在する洗浄液の表面張力に基づく横向きの力がライン４２（５２）に働かないことになる。また、ウェハＷと液滴１との間に蒸気が介在することにより、ウェハＷの熱がこの蒸気を介して液滴１に伝わることになるため、ウェハＷと液滴１とが直接接触している場合よりもウェハＷの熱が液滴１に伝わりにくくなる。そのため、液滴１はすぐに蒸発せずに、緩やかに蒸発して図１Ｂの右側に示したように徐々に小さくなりながら長時間ウェハＷ上に留まることになる。また、この液滴１は、図１Ｂの左側に示すように、ウェハＷ上において例えば一部が分裂することにより小さな液滴１を生成させる場合もある。この場合にも、同様に小さな液滴１とウェハＷとの間に当該液滴１の蒸気が介在することとなる。尚、実際には蒸気は気体であり、凝縮していない場合には目視できないが、図１Ａおよび図１Ｂでは模式的にこの蒸気を描画している。以降の図についても同様である。一方、ウェハＷの温度がライデンフロスト現象の起こらない温度例えば洗浄液の沸点よりも低い温度の場合には、図２に示すように、液滴１とウェハＷとの間に蒸気が介在せずに、ウェハＷと液滴１とが直接接触することになる。そのため、ウェハＷの熱が直ぐに液滴１に伝わるので、液滴１は直ぐに蒸発してしまう。
　このように、このライデンフロスト現象は例えば温度や圧力などの条件によっては起こらない場合がある。また、この条件は、洗浄液として用いる液体の種類に応じて変わることになる。そこで、この現象を利用してウェハＷの洗浄を行うにあたって、例えばこの現象が起こる温度を調べる必要がある。具体的には、例えばウェハＷを所定の温度に加熱して、このウェハＷ上に洗浄液として用いる液体である所定量の液滴１を滴下すると共に、この液滴１が完全になくなるまでの時間を計測する。そして、ウェハＷの温度を様々に変えて同様の計測を行うことにより、液滴１の蒸発に要する時間が温度によってどのように変わるかが分かる。図３は、常圧において純水に対してこのような計測を行って得られた結果であり、例えば養賢堂より１９６４年に出版された「伝熱概論」の第３３２頁などにおいて、知られている。この図３から分かるように、液滴１の沸点（１００℃）程度以下では、温度が高くなるにつれて液滴１の蒸発に要する時間が徐々に短くなっており、そのためウェハＷの熱が直ぐに液滴１に伝わっていると言える。従って、この温度範囲では、ライデンフロスト現象は起こっておらず、ウェハＷと液滴１とが直接接触していると考えられる。
　一方、１４０℃～３００℃程度においては、ウェハＷの温度が上昇するにつれて液滴１の蒸発に要する時間が徐々に長くなっていく。これは、既述のように、ウェハＷと液滴１との間に当該液滴１の蒸気が介在することにより、ウェハＷの熱が液滴１に伝わりにくくなっているためであり、この温度範囲では、温度が高くなるにつれてウェハＷと液滴１との間に介在する蒸気の層が徐々に厚くなっていると考えられる。そのため、この温度範囲では、液滴１がウェハＷから僅かに浮き、液滴１がウェハＷのパターンの凸部倒れを引き起こさない、あるいは、引き起こしにくい状態となっていることが分かる。
　尚、３００℃以上の温度でもこのライデンフロスト現象が起こっていると考えられるが、ウェハＷへの熱の影響を抑えるために、上記の温度範囲（１４０℃～３００℃）においてウェハＷの洗浄を行うことが好ましい。また、この温度範囲内であっても、レジストなど、熱に弱いものを洗浄する際には低温（１４０℃）に近い温度であることが好ましい。また、例えば圧力が低くなる（真空度が高くなる）につれて洗浄液の沸点が下がって蒸発しやすくなり、圧力が高くなるにつれて沸点が上がって蒸発しにくくなることから、圧力についても同様にこのライデンフロスト現象が起こるように調整しても良い。
［装置構成］
　次に、上記のようにライデンフロスト現象を利用してウェハＷの洗浄を行うための洗浄装置の一例について、図４及び図５を参照して簡単に説明する。この洗浄装置は、筐体である処理容器１１と、この処理容器１１内に配設された載置台１２と、を備えている。この載置台１２は、内部が空洞の回転軸１２ｂを介して例えば伝達機構をなすベルト１２ａ及びモータＭを含む回転機構１２ｃにより鉛直軸回りに回転自在に構成されている。この載置台１２の内部には、ウェハＷを加熱するための加熱機構であるヒーター１３が埋設されている。
　また、この載置台１２の表面には、ウェハＷを裏面側から吸引して保持するためのバキュームチャックをなす吸引路６０の一端側が多数箇所に開口しており、この吸引路６０の他端側は、載置台１２の内部を介して回転軸１２ｂ内を延びていると共に先端部が水平に屈曲して、この回転軸１２ｂの側方位置にて外方に開口している。この回転軸１２ｂの側方位置に開口する吸引路６０の開口部６０ａを覆うように、回転軸１２ｂの周囲には当該回転軸１２ｂの途中部分を周方向に囲む内部が空洞の環状体６１が設けられており、この環状体６１は、図示しない支持部により例えば処理容器１１の下面に固定されている。この環状体６１と回転軸１２ｂとの間には、磁気シールなどを含む軸受け機構６２が気密に設けられており、回転軸１２ｂが鉛直軸回りに回転しても、開口部６０ａが連通する空間（環状体６１の内部空間）が気密に保たれるように構成されている。
　この環状体６１の側方位置には、吸引管６３の一端側が接続されており、この吸引管６３の他端側は、例えば処理容器１１の外部に設けられた図示しない吸引ポンプなどに接続されている。そして、この吸引管６３、環状体６１の内部空間及び吸引路６０により、載置台１２及び回転軸１２ｂが鉛直軸回りに回転している時においても、ウェハＷを裏面側から吸引して載置台１２に吸着保持できるようになっている。
　また、回転軸１２ｂ内には、例えば処理容器１１の底面側から載置台１２の下方位置まで当該回転軸１２ｂと同軸に伸びる給電軸６５が設けられている。この給電軸６５の外周側の外管６５ａと内側の軸部６５ｂとは、夫々電気的に干渉しないように絶縁されており、この給電軸６５の上端側の外管６５ａ及び軸部６５ｂには、既述のヒーター１３に給電するための一対の導電路６４、６４が夫々接続されている。この給電軸６５の下端側には、例えば概略円筒状のコネクタ６６が接続されており、このコネクタ６６は、例えば導電性流体あるいは導電性軸受けを介して電気的に接続される上部側の回転部６６ａと下部側の固定部６６ｂとから構成されている。そのため、給電軸６５は、コネクタ６６と電気的に接続された状態で載置台１２及び回転部６６ａと共に鉛直軸回りに回転自在に構成されていることになる。
　このコネクタ６６の固定部６６ｂの下面側には、上記の外管６５ａ及び軸部６５ｂに夫々電気的に接続される一対のケーブル６７、６７が引き出されている。このケーブル６７は、電源部１４に接続されており、ウェハＷ上において洗浄液の液滴１が既述のライデンフロスト現象となるように、ウェハＷを所定の温度例えば１４０℃～３００℃に加熱できるように構成されている。尚、図４ではこの載置台１２を簡略化して示している。
　この載置台１２は、ウェハＷを載置台１２上に載置する下位置とウェハＷの搬入出を行う上位置との間において、ウェハＷを昇降させるための例えば昇降ピン６８を備えており、この昇降ピン６８は、支持部６８ａを介して例えば処理容器１１の下面に設けられた昇降機構６９に接続されている。そして、載置台１２に形成された図示しない貫通孔を介して昇降ピン６８を昇降させた状態で、処理容器１１の側壁に形成された搬送口１１ａを介して外部の図示しない搬送手段と載置台１２との間においてウェハＷの受け渡しを行うようになっている。
　処理容器１１内には、上面が開口する概略リング状のカップ体１５が載置台１２を側方から周状に取り囲むように設けられており、このカップ体１５の下面における外周側には、ウェハＷの周縁部から流れ落ちて（振り切られて）きた洗浄液を受け止めるための液受け部１６がウェハＷの周縁に沿って形成されている。この液受け部１６の下面側には、この処理容器１１の外部に洗浄液を排出するための排液路１７が接続されている。この液受け部１６の内周側には、リング状の壁部１８によりこの液受け部１６から区画された排気路１９が形成されており、この排気路１９の下面側には、カップ体１５とウェハＷの周縁部との間のリング状の領域及び液受け部１６を介して処理容器１１内の雰囲気を排気するための排気管２０が接続されている。
　載置台１２の上方には、当該載置台１２に対向するように、載置台１２上のウェハＷにミスト状の洗浄液例えば純水を供給するための洗浄液供給部材をなすノズル２１が設けられており、このノズル２１は、図示しない移動機構により水平に移動可能に構成されたアーム２２に支持されている。このノズル２１は、例えば載置台１２上のウェハＷの中心の上方位置から外縁側に向かって水平方向に移動できるようになっている。
　このノズル２１は、流量調整部２３ａ及びバルブ２４ａを介して洗浄液例えば純水が貯留された洗浄液供給部２５に接続しており、また流量調整部２３ｂ及びバルブ２４ｂを介してキャリアガス例えば窒素（Ｎ２）ガスが貯留されたキャリアガス供給部２６に接続している。このノズル２１は、例えば上記のキャリアガスにより洗浄液をミスト状に霧化してウェハＷに供給できるように構成されている。処理容器１１内の天壁には、フィルタユニット２７が設けられており、このフィルタユニット２７、カップ体１５の外部に設けられた図示しない排気口及び上記の排気管２０により、処理容器１１内にダウンフローが形成される。
　また、この洗浄装置には制御装置７が接続されており、この制御装置７は例えば図示しないＣＰＵ、メモリ及びプログラムなどを備えたコンピュータなどから構成されている。このプログラムには、この洗浄装置においてウェハＷの洗浄を行うように当該洗浄装置の各部に制御信号を出力するステップ（命令）群が組まれており、このプログラムは例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶部である記憶媒体８に格納され、この記憶媒体８からコンピュータにインストールされる。
［ウェハの構成］
　次に、本実施の形態による洗浄方法において洗浄対象となるウェハＷについて、図６Ａ～図６Ｃを参照して説明する。このウェハＷは、図６Ａに示すように、層間絶縁膜である例えばシリコン化合物（ＳｉＯ２やＳｉＣＯＨ）などからなる低誘電率膜３１と、複数の溝４１とこの溝４１、４１間に長く伸びる凸部として形成されたライン４２とからなるパターン４３が形成されたフォトレジスト膜３２と、が下側からこの順番で下層側のシリコン層３３上に積層された構造となっている。また、このウェハＷには、上記の溝４１の開口幅が狭く形成されてライン４２が密に配置された密領域４４と、溝４１の開口幅が広く形成されてライン４２が大きく離間して疎に配置された疎領域４５と、が設けられている。尚、この図６Ａにおいては、このパターン４３の寸法を模式的に示している。以下の図６Ｂ、図６Ｃ、図８Ａ～図１１、図１３～図１４Ｂについても同様である。
　そして、この構造のウェハＷに対して、例えば図示しない平行平板型のプラズマエッチング装置において、例えば炭素及びフッ素を含むエッチングガスとアルゴン（Ａｒ）ガスなどの希釈ガスとをプラズマ化し、このプラズマを供給することで図６Ｂに示すように低誘電率膜３１をエッチングする。このエッチング処理により、低誘電率膜３１には上記のパターン４３に対応した形状の溝５１とライン５２とからなるパターン５３が形成され、また同様にライン５２が密に配置された密領域５４とライン５２が疎に配置された疎領域５５とが形成される。このパターン５３の寸法は、例えばライン５２の幅寸法及びライン５２の高さ寸法（溝５１の深さ寸法）が夫々例えば９０ｎｍ程度であり、密領域５４におけるライン５２、５２同士の間隔（溝５１の開口寸法）は例えば９０ｎｍ、疎領域５５におけるライン５２、５２同士の間隔は２７０ｎｍとなっている。
　次いで、このウェハＷに対して例えば酸素（Ｏ２）ガスと希釈ガスとをプラズマ化し、このプラズマを供給してアッシング処理を行うことで図６Ｃに示すように低誘電率膜３１の上層に残った不要なフォトレジスト膜３２を除去する。このアッシング処理により、低誘電率膜３１の表面や溝５１の内部には、図６Ｃに示すようにフォトレジスト膜３２の残渣３４が残ることになる。
［ウェハの洗浄］
　そこで、以下のようにしてウェハＷ上の残渣３４を除去（洗浄）する。先ず、既述の洗浄装置において、図示しない外部の搬送手段によりウェハＷを処理容器１１内に搬入し、昇降機構６９とこの搬送手段との協働作用により載置台１２上にウェハＷを載置するとともに、吸引路６０の吸引により載置台１２上にウェハＷを吸着保持する。そして、ウェハＷの表面においてライデンフロスト現象が起こるように当該ウェハＷを所定の温度例えば１４０℃～３００℃好ましくは１６０℃～２００℃に加熱して、図７に示すようにウェハＷを回転させると共に、ノズル２１から例えばウェハＷの中央にミスト状の洗浄液を供給する。
　ここで、ウェハＷの表面のパターン５３を拡大して図８Ａに示すと、ウェハＷの表面に供給された洗浄液の液滴（ミスト）１は、ウェハＷが既述のようにライデンフロスト現象が起こるように加熱されているので、図８Ａに示すように、液滴１とウェハＷの表面（低誘電率膜３１）との間において当該液滴１の蒸気が介在することとなる。そのため液滴１がウェハＷの表面から僅かに浮いた状態となり、液滴１とウェハＷとの接触による表面張力が働かないか、あるいは、表面張力が働いたとしても極めて小さくなる。この液滴１とウェハＷとの間に介在する蒸気は、当該液滴１の下面から勢いよくウェハＷの表面に向かって吹き出しているので、この蒸気の流れによりウェハＷの表面（ライン５２の表面）の残渣３４が上方に巻き上げられて、図８Ｂに示すように液滴１の内部に取り込まれることになる。
　既述のように、ウェハＷが回転しているので、ウェハＷの表面に供給された洗浄液の液滴１は、遠心力により中心側から外周側に向かって転がっていくことになる。そして、例えばこの液滴１が溝５１の上方に到達すると、図８Ｃに示すように、同様に液滴１の下面からウェハＷの表面（溝５１の底面）に向かって勢いよく蒸気が吹き付けられるので、この蒸気の流れによって当該溝５１の内部の残渣３４が上方に巻き上げられて、同様に図９Ａに示すように液滴１の内部に当該残渣３４が取り込まれることになる。
　ここで、この液滴１は、実際にはこの図８Ａ～図９Ｂなどに示した寸法よりも遙かに大きく、またこのパターン５３の寸法はこの図８Ａ～図９Ｂなどに示した寸法よりも遙かに小さい。そのため、ウェハＷの表面（ライン５２の上面）や溝５１の底面というように高さが異なる場所であっても、液滴１の大きさやこの液滴１の下面に形成される蒸気の層の厚さからすると、そのような高さの差はほとんど無視できる程度のレベルである。そのため、液滴１の下面から吹き出される蒸気によって、ウェハＷの表面及び溝５１の底面に亘って残渣３４が当該液滴１に取り込まれていくことになる。そして、図９Ｂのように、液滴１が順次ウェハＷの中心側から周縁側に転がっていくと共に、当該液滴１の下面から吹き出す蒸気によって残渣３４が液滴に取り込まれて行くことになる。
　この時、ウェハＷ上においてライデンフロスト現象が起こるように当該ウェハＷを加熱しており、残渣３４を取り込んだ液滴１は、液滴１とウェハＷとの間に介在する蒸気によってウェハＷからの伝熱が妨げられているので、ウェハＷへ滴下された後直ぐには蒸発しない。また、ウェハＷの加熱により表面張力が働かないかあるいは表面張力が働いたとしても極めて小さくなっているので、液滴１はウェハＷ上において転がりやすくなっている。そのため、液滴１は、残渣３４を内部に取り込んだ状態で遠心力により転がっていき、ウェハＷの周縁から振り切られることになる。
　一方、図１０Ａの右側に示すようにウェハＷの周縁から振り切られる前に液滴１が小さくなってしまったり、あるいは同図の左側に示すように大きな液滴１から分離して小さな液滴１が生成したりする場合がある。また、図１０Ｂに示すように、ノズル２１から吐出された時に液滴１が極めて小さい寸法となっている場合もある。このような場合であっても、液滴１がウェハＷの表面に到達すると、当該液滴１とウェハＷとの間に蒸気の層が形成されることになる。そのため、例えば図１０Ｃに示すように、これらの液滴１が例えば溝５１の開口幅よりも小さい場合には、この溝５１内に入りこみ、同様に液滴１の下面から吹き出す蒸気によりこの溝５１内の残渣３４を内部に取り込むこととなる。そして、図１１に示すように、後続の大きな液滴１がこの溝５１の上方に転がってくると、この液滴１の下面から吹き出される蒸気により溝５１内の小さな液滴１が上方に巻き上げられて、この大きな液滴１に内部の残渣３４と共に取り込まれることになる。
　そして、図１２に示すように、洗浄液の供給を行いながらノズル２１をウェハＷの中心位置から周縁側に移動させていき、ウェハＷの全面に亘って洗浄（残渣３４の除去）を行っていく。上記のように、ウェハＷ上ではライデンフロスト現象により、液滴１がウェハＷから浮き上がった状態となっているので、図１３に示すように、密領域５４及び疎領域５５のいずれにおいてもライン５２の倒れが抑えられた状態で残渣３４が除去されていくことになる。
　ここで、ウェハＷの回転数があまり大きすぎると、洗浄液の液滴１の浮力（遠心力）が大きくなってしまい、残渣３４の取り込み作用が十分発揮できないおそれがある一方、回転数が小さすぎると、ウェハＷ上に供給された液滴１が遠心力によってウェハＷ上から排出される前に消失してしまうため、液滴１による洗浄作用が有効に発揮される回転数とすることが望ましく、具体的には例えば２００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍとすることが好ましい。
　上述の実施の形態によれば、凸部であるライン５２を含むパターン５３が形成された低誘電率膜３１の表面や溝５１内に入り込んだ残渣３４を除去するためにこのウェハＷを洗浄するにあたって、ウェハＷ上においてライデンフロスト現象が起こるように当該ウェハＷを加熱して、この加熱されたウェハＷに洗浄液を供給している。そのために、洗浄液の液滴１とウェハＷとの間に当該液滴１の蒸気が介在するので、液滴１とウェハＷとの接触による表面張力が働かないか、あるいは、表面張力が働いたとしても極めて小さくなっている。一方、この液滴１の下面から吹き出す蒸気によりウェハＷの表面の残渣３４が上方に巻き上げられて当該液滴１の内部に取り込まれていく。従って、液滴１の表面張力によりライン５２に横向きの力が加えられることが抑えられるので、密領域５４及び疎領域５５のいずれにおいてもライン５２の倒れが抑えられた状態で残渣３４を除去することができる。そのため、上記のようにライン５２の幅寸法が極めて狭い場合であっても、また多孔質状に構成されて脆い低誘電率膜３１であっても、ライン５２の倒れを抑えることができる。
　例えば気体状の水蒸気のみを用いてウェハＷを洗浄しようとすると、水蒸気により残渣３４が上方に巻き上げられたとしても、再度ウェハＷの表面にこの残渣が落下して残ってしまうおそれがある。そのため、十分ウェハＷを洗浄できない場合がある。しかし、上記のようにライデンフロスト現象を利用することにより、ウェハＷの直ぐ上方の液滴１から水蒸気をウェハＷに供給することができるので、水蒸気により上方に巻き上げられた残渣３４を液滴１に取り込むことができ、残渣３４を確実に除去することができる。また、上記の洗浄液には表面張力を下げるための例えば表面活性剤などを混ぜる必要がないので、ウェハＷの汚染を抑えることができるし、更にこの洗浄装置は処理容器１１内を例えば常圧の状態でウェハＷを洗浄できるので、コストのかかる高圧設備などが不要である。
　尚、既述の図６Ｂに示すエッチング処理によっても、例えば低誘電率膜３１とエッチングガスのプラズマとの反応により生成した生成物がウェハＷの表面に残渣３４として残っている場合もあるが、このような残渣３４も既述の洗浄により除去されることになる。そのため、アッシング処理を行う前にウェハＷの洗浄を行い、アッシング処理の後に再度ウェハＷを洗浄しても良いし、あるいはこのようなアッシング処理を伴わないエッチング処理を行うプロセスに対して本発明の洗浄方法を適用しても良い。
［他の実施の形態］
　上記の例では、低誘電率膜３１をパターニングしてなるパターン５３上の残渣３４を除去する場合について説明したが、このようなパターン５３以外の、洗浄液の表面張力により倒れやすいパターン、つまり幅寸法の小さい凸部が形成されたを備えたウェハＷを、洗浄することもできる。このようなパターンを構成する他の例としては、例えば図１４Ａに示すように、既述のフォトレジスト膜３２が挙げられる。
　このフォトレジスト膜３２の既述のパターン４３は、露光処理及び現像処理により形成されるので、この現像処理を行った後のウェハＷの表面（ライン４２の上面）や溝４１の内部には、図１４Ｂに示すように、当該フォトレジスト膜３２を構成する有機物などが残渣３４として残ることになる。また、このパターン４３は、例えばライン４２の幅寸法及び溝４１の開口寸法が夫々３２ｎｍ程度、ライン４２の高さ寸法（溝４１の深さ寸法）が例えば１２０ｎｍ程度というように、上記のパターン５３よりも更に微細な寸法に形成される場合がある。また既述のように柔らかい有機物から構成されているので、ライン４２が極めて弱くて倒れやすい。従って、上述した洗浄方法を用いて、パターン４３が形成されたウェハＷを洗浄することにより、上記の例と同様に密領域４４及び疎領域４５のいずれにおいてもライン４２の倒れを抑えて残渣３４を除去することができる。
　この時、このフォトレジスト膜３２において起こるライデンフロスト現象や残渣３４が除去されていく様子については、既述の例と同じであるため説明を省略するが、ウェハＷの加熱温度については、有機物であるフォトレジスト膜３２の劣化を抑えるために、上記の例の加熱温度（１４０℃～３００℃）よりも低い温度例えば６０℃～１００℃に設定してもよい。一方、ウェハＷの表面において既述のライデンフロスト現象が起こるようにするためには、例えば洗浄液として純水を用いる場合には沸点よりも高い温度にウェハＷを加熱する必要がある。そこで、このフォトレジスト膜３２上の残渣３４を除去する場合には、上記の加熱温度において洗浄液が沸騰状態となるように（沸点が下がるように）減圧状態例えば１０ｋＰａ～５０ｋＰａ程度にて洗浄が行われるようにしてもよい。
　このような減圧状態でウェハＷを洗浄するための洗浄装置の一例について、例えば図１５を参照して説明する。この装置は、既述の図４に示す洗浄装置と概略的には同じ構成であり、同じ部位には図４と同じ符号を付してある。また、処理容器１１内を減圧するために、例えば排気管２０には、バタフライバルブなどの圧力調整手段７３を介して真空ポンプなどの減圧手段７０が接続されている。また、既述の昇降機構６９及び回転機構１２ｃは、例えば処理容器１１の外部（下方）に設けられている。また、昇降機構６９と処理容器１１の底面との間及び回転機構１２ｃと処理容器１１の底面との間には、夫々例えば伸縮自在のベローズ８０、８０が設けられており、このベローズ８０、８０により処理容器１１内の雰囲気が気密に保たれることとなる。
　また、既述のようにウェハＷを裏面から吸引することによって保持できない場合には、この図１５に示すように、例えば載置台１２の上面にウェハＷを静電吸着するための静電チャック７４を設けるようにしても良い。この場合には、図示しない電源からこの静電チャック７４に直流高圧電圧が印加されることにより、載置台１２上にウェハＷが吸着されることとなる。この場合においても、この静電チャック７４やヒーター１３への給電方法としては、既述の図５と同様に構成され、例えば給電軸６５の軸部６５ｂを静電チャック７４に給電するための高圧電圧供給路とし、その外側にヒーター１３用の一対の給電路をなす二重管を設けるといった構成が採られる。
　また、この処理容器１１内には、既述のフィルタユニット２７が設けられておらず、処理容器１１の天壁には当該処理容器１１内に気体例えば窒素（Ｎ２）ガスなどの清浄ガスを供給するための気体供給管２８の一端側が接続されており、この気体供給管２８の他端側は例えば図示しないバルブや流量調整部を介して上記の気体が貯留された気体供給部７５に接続されている。そして、例えば処理容器１１内の雰囲気を置換する時などにおいては、この気体供給部７５から窒素ガスなどが処理容器１１内に供給され、減圧手段７０により処理容器１１内の雰囲気が吸引排気されることとなる。尚、処理容器１１の搬送口１１ａは、例えば図示しないゲートバルブにより気密に密閉されることとなる。この装置においても、既述の例と同様にウェハＷ上においてライデンフロスト現象が起こるように、且つフォトレジスト膜３２の劣化が抑えられるように、ウェハＷの加熱温度と処理容器１１内の圧力とが調整され、ウェハＷの洗浄が行われて同様の効果が得られる。
　尚、上記の低誘電率膜３１を洗浄する場合にも、このようにウェハＷの加熱温度と共に処理容器１１内の圧力を調整するようにしても良い。また、ウェハＷの加熱方法としては、載置台１２にヒーター１３を設ける以外にも、図１６に示すように、例えば載置台１２の下側に周方向に亘って加熱手段をなす加熱ランプ９０を設けて、この加熱ランプ９０により裏面側からウェハＷを加熱するようにしても良い。
　また、本発明は、上記の各例のように長く伸びる溝とラインとが形成されたパターン以外にも、例えば既述の図１８Ａに示すようにdouble gate型 Fully Depleted ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ構造を形成する時に上面及び側面にチャネルを形成するための短冊状のピラーや、ＦＩＮ－ＦＥＴと呼ばれるダブルゲート構造を形成する時に配置されるゲート電極などの柱状の構造体１１０、あるいは図１８Ｂに示すように例えばゲート電極の上層側に形成されたシリンダー型（円筒型）の電極１１１などといったように、倒れやすい凸部を備えたパターンが形成されたウェハＷに適用しても良い。倒れやすい凸部とは、例えば幅寸法あるいは奥行き寸法が５０ｎｍ以下、高さ寸法が１５０ｎｍ程度以上の寸法であり、つまりアスペクト比（凸部の幅寸法及び奥行き寸法のうち小さい寸法に対する高さ寸法の比）が３程度よりも大きい凸部を言う。また、このようなパターンが形成された膜としては、上記のように低誘電率膜３１やフォトレジスト膜３２以外にも、例えば銅（Ｃｕ）などの金属や多結晶シリコン（Ｓｉ）などであっても良い。
　また、洗浄液は、例えば有機溶媒（エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等）であっても良い。この場合には、上記のライデンフロスト現象が純水の場合よりも低温例えば１００℃程度（常圧時）で起こるので、ウェハＷへの熱によるダメージを小さく抑えることができる。更に、ウェハＷへの熱によるダメージをより一層少なくするために、例えば低温液体（液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノン、液体二酸化炭素、等）を、洗浄液として用いても良い。つまり、上記のライデンフロスト現象は、液体（洗浄液）と固体（ウェハＷ）との問の界面に蒸気膜が生成することで発生する。この蒸気膜が生成される温度領域を「膜沸騰領域」と定義しており、この温度領域は液体の沸点と固体温度との温度差が例えば１００℃以上となる領域である。従って、上記の低温液体の沸点がマイナス百数十℃程度と極めて低いので、例えば予め液体状態となるように冷却したこれらの低温液体を例えば常温のウェハＷ上に滴下あるいは噴霧すると、ウェハＷの熱により瞬時にこれらの低温液体が蒸発してライデンフロスト現象が起こるので、上記の各例と同様にウェハＷの洗浄を行うことができる。そのため、このような低温液体を洗浄液として用いる場合には、ウェハＷは常温程度であってもライデンフロスト現象を利用して洗浄されることになる。この場合には、例えば既述の図４の洗浄装置には、ヒーター１３に代えて、あるいはヒーター１３と共に、液体状の低温液体をノズル２１に供給する手段として、例えば低温液体が貯留された貯留部（洗浄液供給部２５）が設けられている。また、このような低温液体あるいは上記の有機溶媒を洗浄液として用いる場合にも、処理容器１１内を減圧しても良い。
　上記の各例においては、パターン４３，５３内部だけでなくウェハＷの表面(パターン４３，５３の上面)についてもライデンフロスト現象により洗浄液（液滴１）が接触しない例について説明したが、ウェハＷの洗浄後にパターン４３，５３内に洗浄液が残っていない状態であれば、既述のようにライン４２，５２の倒れを抑えることができるので、ウェハＷの表面については洗浄液を接触させても良い。
　実施例により本発明をさらに詳しく説明するため、ライデンフロスト現象が生じる条件で洗浄液を試験用ウェハに供給して、当該試験用ウェハを洗浄処理した。試験用ウェハは、粒子材質がＳｉＯ２であるウェハに対して、平均粒径０．３７μｍのパーティクルを予めむらなく均一に付着させることにより、作製した。洗浄液としての純水を、２２５℃に加熱した試験用ウェハに供給した。処理時間は５分とし、この５分間、純水を試験用ウェハに供給した。純水は、φ１～２ｍｍ程度の液滴として、試験用ウェハに供給した。処理中、試験用ウェハ上に供給された純水の液滴は、試験ウェハ上を転がっていた。
　洗浄処理前と洗浄処理後に、試験用ウェハ上に付着していたパーティクルの数および付着位置を測定した。測定には、光散乱式欠陥検査装置を用いた。測定結果を、図１９および図２０に示す。図１９では、各パーティクル径毎に、測定されたパーティクルの数を示している。また、図２０では、試験用ウェハ上から無作為に選び出した２０ｍｍ×２０ｍｍの領域内において、確認されたパーティクルの位置を示している。また、検出粒径を０．２５以上０．４０以下に設定した光散乱式欠陥検査装置を用い、洗浄処理前に試験用ウェハ上に付着していたパーティクルの数、および、洗浄処理後に試験用ウェハ上に付着していたパーティクルの数を測定し、パーティクル除去率（＝（（洗浄前のパーティクル数）－（洗浄後のパーティクル数）））／（洗浄前のパーティクル数）×１００（％））を計測したところ９０％を超えた。

Claims (16)

  1. 　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を、処理容器内の載置台に載置する工程と、
    　前記基板を加熱する工程と、
    　次いで、前記基板の表面に液体の洗浄液を供給する工程と、を含み、
    　前記洗浄液を供給する工程においてライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、前記基板を加熱する工程において前記基板が加熱される、基板の洗浄方法。
  2. 　前記洗浄液は、ミスト状で前記基板に供給される、請求項１に記載の基板の洗浄方法。
  3. 　前記基板を加熱する工程において、前記基板が１４０℃～３００℃に加熱され、
    　前記洗浄液を供給する工程において、大気雰囲気下で、水が前記洗浄液として供給される、請求項１に記載の基板の洗浄方法。
  4. 　前記基板に洗浄液を供給する工程の前に、前記処理容器内を減圧する工程を更に備える、請求項１に記載の基板の洗浄方法。
  5. 　前記洗浄液は、水または有機溶媒の少なくともいずれか一方である、請求項１に記載の基板の洗浄方法。
  6. 　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を、処理容器内の載置台に載置する工程と、
    　次いで、前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、を含み、
    　前記洗浄液を供給する工程において、ライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、前記載置台上に載置された前記基板の温度よりも低い沸点の液体が前記洗浄液として供給される、基板の洗浄方法。
  7. 　前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノンおよび液体二酸化炭素からなる群から選択される一以上である、請求項６に記載の洗浄方法。
  8. 　前記洗浄液は、ミスト状で前記基板に供給される、請求項６に記載の基板の洗浄方法。
  9. 　前記基板に洗浄液を供給する工程の前に、前記処理容器内を減圧する工程を更に備える、請求項６に記載の基板の洗浄方法。
  10. 　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板が載置されるように構成された載置台を内部に有する処理容器と、
    　前記基板を洗浄するための液体の洗浄液を前記載置台上の基板に対して供給する洗浄液供給部材と、
    　ライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記載置台上の前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するように、前記載置台上の前記基板を加熱する加熱機構と、を備える、基板の洗浄装置。
  11. 　前記洗浄液供給部材は、洗浄液をミスト状に供給するように構成されている、請求項１０に記載の基板の洗浄装置。
  12. 　表面にパターンが形成された半導体装置用の基板が載置されるように構成された載置台を内部に有する処理容器と、
    　前記基板を洗浄するための洗浄液を前記載置台上の基板に対して供給する洗浄液供給部材と、を備え、
    　洗浄液供給部材は、ライデンフロスト現象が起こって前記基板に供給される洗浄液の液滴と前記基板との間に前記洗浄液の蒸気が介在するよう、前記載置台上に載置された前記基板の温度よりも低い沸点の液体を前記洗浄液として供給するように構成されている、基板の洗浄装置。
  13. 　前記洗浄液は、液体窒素、液体アルゴン、液体酸素、液体クリプトン、液体キセノンおよび液体二酸化炭素からなる群から選択される一以上である、請求項１２に記載の洗浄装置。
  14. 　前記洗浄液供給部材は、洗浄液をミスト状に供給するように構成されている、請求項１２に記載の基板の洗浄装置。
  15. 　洗浄装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記憶媒体であって、
    　前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、請求項１に記載された洗浄方法を、洗浄装置に実施させる、記憶媒体。
  16. 　洗浄装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記憶媒体であって、
    　前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、請求項６に記載された洗浄方法を、洗浄装置に実施させる、記憶媒体。
PCT/JP2009/063329 2008-07-31 2009-07-27 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 WO2010013661A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009801275935A CN102099900B (zh) 2008-07-31 2009-07-27 基板清洗方法、基板清洗装置和存储介质
KR1020117002544A KR101133819B1 (ko) 2008-07-31 2009-07-27 기판의 세정 방법, 기판의 세정 장치 및 기억 매체
US13/056,504 US8673086B2 (en) 2008-07-31 2009-07-27 Method and device for cleaning a substrate and storage medium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008198586 2008-07-31
JP2008-198586 2008-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010013661A1 true WO2010013661A1 (ja) 2010-02-04

Family

ID=41610360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/063329 WO2010013661A1 (ja) 2008-07-31 2009-07-27 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8673086B2 (ja)
JP (1) JP5413016B2 (ja)
KR (1) KR101133819B1 (ja)
CN (1) CN102099900B (ja)
WO (1) WO2010013661A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181784A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Kochi Univ Of Technology ミストエッチング装置及びミストエッチング方法
CN102881617A (zh) * 2011-07-13 2013-01-16 大日本网屏制造株式会社 基板处理方法及基板处理装置
KR101454096B1 (ko) 2010-04-14 2014-10-22 닛뽕소다 가부시키가이샤 블록 공중합체의 제조 방법 및 공중합체 전구체

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5499989B2 (ja) 2010-03-12 2014-05-21 株式会社リコー 画像形成装置
JP5460641B2 (ja) * 2011-04-12 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2012222254A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄ノズル及び基板洗浄装置並びに基板洗浄方法
JP5937456B2 (ja) * 2012-08-07 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄ユニット
JP6100487B2 (ja) * 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6317837B2 (ja) * 2012-11-08 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2014110319A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Tazmo Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US9443714B2 (en) * 2013-03-05 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for substrate edge cleaning
JP6400919B2 (ja) * 2013-03-07 2018-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6351993B2 (ja) 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6455962B2 (ja) 2013-03-18 2019-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6302700B2 (ja) 2013-03-18 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN103264022B (zh) * 2013-05-15 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 基板清洗装置、系统及方法
CN103286091B (zh) * 2013-06-09 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 一种基板的清洗方法
KR20150000548A (ko) * 2013-06-24 2015-01-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR102239421B1 (ko) * 2013-09-02 2021-04-12 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6090113B2 (ja) * 2013-10-30 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5710738B2 (ja) * 2013-12-10 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP6320762B2 (ja) * 2014-01-15 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102267508B1 (ko) * 2014-02-27 2021-06-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6300314B2 (ja) * 2014-03-26 2018-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6270270B2 (ja) 2014-03-17 2018-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6376554B2 (ja) * 2014-03-26 2018-08-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102308587B1 (ko) 2014-03-19 2021-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6304592B2 (ja) 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2016051824A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 高知県公立大学法人 エピタキシャル成長方法および成長装置ならびに量子井戸構造の作製方法
JP6453688B2 (ja) 2015-03-27 2019-01-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6418554B2 (ja) * 2015-06-10 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6373803B2 (ja) * 2015-06-23 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6586697B2 (ja) * 2015-12-25 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20180071696A1 (en) * 2016-09-09 2018-03-15 Robert Bosch Gmbh Leidenfrost Effect Based Microfluidic Mixing Device
JP6728009B2 (ja) 2016-09-26 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6916003B2 (ja) 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10269556B2 (en) * 2017-07-14 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning semiconductor device structure with gas flow
KR102027228B1 (ko) 2017-07-24 2019-11-14 최진흥 입체 표면 스캔 기술과 레이저를 이용한 친환경 도장층 제거 자동화 시스템
US11129848B2 (en) 2017-08-08 2021-09-28 Perricone Hydrogen Water Company, Llc Medication enhancement using hydrogen
US20190046561A1 (en) 2017-08-08 2019-02-14 Perricone Hydrogen Water Company, Llc Barriers for glass and other materials
JP7373492B2 (ja) * 2018-02-07 2023-11-02 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板の洗浄方法及び洗浄装置
CN108704879A (zh) * 2018-04-08 2018-10-26 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法
CN112740367A (zh) * 2018-09-27 2021-04-30 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
JP7110053B2 (ja) 2018-09-27 2022-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11123365B2 (en) 2019-11-18 2021-09-21 Perricone Hydrogen Water Company, Llc Compositions comprising palmitoylethanolamide and hydrogen water, and methods thereof
JP7478413B2 (ja) * 2020-02-27 2024-05-07 学校法人東海大学 構造体、液滴の微粒化システム、排ガス浄化システム
CN113394074A (zh) * 2020-03-11 2021-09-14 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法
CN115410964B (zh) * 2022-11-02 2023-01-06 华海清科股份有限公司 一种晶圆水平清洗装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100686A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Seiko Epson Corp レジスト除去洗浄方法及び装置
JP2003174001A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003535483A (ja) * 2000-06-08 2003-11-25 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 二酸化炭素クリーニングを用いるスピン−オン材料のためのエッジビード除去
JP2004079990A (ja) * 2002-06-20 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法
WO2006038472A1 (ja) * 2004-10-06 2006-04-13 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815371B2 (en) 2000-06-08 2004-11-09 Honeywell International Inc. Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents using carbon dioxide cleaning
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4731850B2 (ja) 2004-07-22 2011-07-27 株式会社鷺宮製作所 温度調節器
JP4872565B2 (ja) * 2006-01-23 2012-02-08 株式会社デンソー ガスセンサ素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100686A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Seiko Epson Corp レジスト除去洗浄方法及び装置
JP2003535483A (ja) * 2000-06-08 2003-11-25 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 二酸化炭素クリーニングを用いるスピン−オン材料のためのエッジビード除去
JP2003174001A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004079990A (ja) * 2002-06-20 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法
WO2006038472A1 (ja) * 2004-10-06 2006-04-13 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181784A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Kochi Univ Of Technology ミストエッチング装置及びミストエッチング方法
KR101454096B1 (ko) 2010-04-14 2014-10-22 닛뽕소다 가부시키가이샤 블록 공중합체의 제조 방법 및 공중합체 전구체
CN102881617A (zh) * 2011-07-13 2013-01-16 大日本网屏制造株式会社 基板处理方法及基板处理装置
CN102881617B (zh) * 2011-07-13 2015-04-22 斯克林集团公司 基板处理方法及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102099900B (zh) 2013-06-05
JP5413016B2 (ja) 2014-02-12
KR20110028532A (ko) 2011-03-18
US8673086B2 (en) 2014-03-18
US20110155177A1 (en) 2011-06-30
CN102099900A (zh) 2011-06-15
KR101133819B1 (ko) 2012-04-06
JP2010056534A (ja) 2010-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5413016B2 (ja) 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
TWI698906B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
TWI505351B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20080078423A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6938248B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TW201941330A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2009224514A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6460947B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
WO2020004214A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6502198B2 (ja) 基板処理方法および記憶媒体
JP5232514B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2003059894A (ja) 基板処理装置
WO2020105376A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6444843B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
US20220375743A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2020047887A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7130791B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI831129B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
TWI814298B (zh) 基板乾燥裝置及基板處理裝置
JP7143465B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2023008529A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2023048697A (ja) 基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法
JP3980210B2 (ja) ウェハ乾燥装置およびウェハ乾燥方法
KR101927916B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TW202105495A (zh) 基板處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980127593.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09802904

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13056504

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117002544

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09802904

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1