KR20100109844A - 기판 교환 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 기판 처리실의 클리닝 처리를 하는 동안에도 반송 장치에 일을 시킴으로써, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시켜, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 교환 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판 처리실과, 로드락실과, 2개의 반송 부재에 의해 기판을 기판 처리실 및 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 제1 기판 처리실에서 처리하는 기판의 교환을 할 때, 제1 기판(W1)을 제1 반송 부재에 의해 제1 기판 처리실로부터 반출하는 제1 반출 공정(S1)을 행한 후, 제2 기판(W3)을 제2 반송 부재에 의해 제1 기판 처리실로 반입하는 제1 반입 공정(S4)을 행하기 전에, 제2 기판(W3)을 제2 반송 부재에 의해 제1 로드락실로부터 반출하는 제2 반출 공정(S2)과, 제1 기판(W1)을 제1 반송 부재에 의해 제1 로드락실로 반입하는 제2 반입 공정(S3)을 행한다.

Description

기판 교환 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE EXCHANGING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 처리실 내에서 처리하는 피(被)처리 기판을 반송 장치를 이용하여 교환하는 기판 반송 방법 및 그러한 기판 교환을 할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 기판 또는 웨이퍼라고 기재함)에 대하여, 성막 처리나 에칭 처리 등의 진공 분위기에서 행해지는 진공 처리가 많이 이용되고 있다. 최근에는, 이러한 진공 처리의 효율화의 관점 및, 산화나 컨태미네이션(contamination) 등의 오염을 억제하는 관점에서, 복수의 진공 처리를 하는 기판 처리실을 진공으로 유지되는 반송실에 연결하고, 반송실에 형성된 반송 장치에 의해 각 기판 처리실로 웨이퍼를 반송하는 것을 가능하게 하는 클러스터 툴(cluster tool)형의 멀티 챔버(multi chamber) 타입의 기판 처리 장치가 주목받고 있다.
멀티 챔버 타입의 기판 처리 장치에 있어서는, 대기 중에 놓여져 있는 웨이퍼 카세트(wafer cassette)로부터 진공으로 유지된 반송실로 웨이퍼를 반송하기 위해, 반송실과 웨이퍼 카세트와의 사이에 로드락실을 형성하여, 로드락실을 통하여 웨이퍼가 반송된다.
종래의 로드락실과 기판 처리실의 사이에서의 웨이퍼의 인수인도는, 반송실에 형성된 반송 장치에 의해 행해진다. 종래의 반송 장치는, 필요 최소한의 공간에서 선회 가능하게 함과 함께 먼 거리까지 웨이퍼를 반송 가능하게 하기 위해 신축 가능하게 이루어진 2개의 반송 아암(transfer arm)을 갖고 있다. 각각의 반송 아암에는, 자유롭게 회전 및 신축하기 위해, 회전축과 아암의 조(組)가 반송 장치의 기대(base)로부터 여러 단(段) 결합하여 형성되고, 또한 그 선단(front end)에 형성된 선단 아암의 양단에는, 웨이퍼를 올려놓고 반송하기 위한 반송 부재(픽; pick)가 하나씩 형성되어 있다.
이러한 반송 아암 및 반송 부재가 형성된 반송 장치를 이용하여 웨이퍼를 반송하고, 복수의 기판 처리실에서 다수의 웨이퍼를 1매씩 처리하는 바와 같은 경우, 어느 챔버에서 웨이퍼의 처리를 할지 스케쥴을 결정하지 않으면 안 되는 경우가 있다. 예를 들면, 복수의 챔버의 각 챔버에 우선 순위를 할당하고, 가장 우선 순위가 높은 챔버로 웨이퍼를 반송하여 기판 처리를 하는 기판 처리 장치의 예가 개시되어 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
또한, 복수의 기판 처리실이 운전 가능한지 아닌지의 상태 판단을 하고, 반송 장치를 이용하여 웨이퍼를 운전 유효한 기판 처리실만으로 반송하여 기판 처리를 하는 기판 처리 장치의 예가 개시되어 있다(예를 들면 특허문헌 2 참조).
일본공개특허공보 평10-189687호 일본공개특허공보 평11-67869호
그런데, 상기의 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리실 내의 웨이퍼를 교환하는 경우, 다음과 같은 문제가 있었다.
특허문헌 1, 2에 기재된 바와 같은 기판 처리 장치에서는, 미리 반송할 기판 처리실을 선택할 수는 있다. 그러나, 요즈음에는 기판 처리실 내의 상태를 유지하기 위해, 어느 웨이퍼의 기판 처리가 완료되어 처리 완료된 웨이퍼를 반출한 후, 다음의 미처리된 웨이퍼를 반입하여 기판 처리를 하기 전에, 기판 처리실 내에서 예를 들면 플라즈마 클리닝 등의 클리닝 처리를 하는 경우가 있다. 클리닝 처리를 하는 동안은 기판 처리실로 다음의 웨이퍼를 반입할 수는 없다. 따라서, 반송 장치는 다음에 처리를 할 미처리된 웨이퍼를 반송 부재(픽)에 지지한 채, 대기하지 않으면 안 된다는 문제가 있었다.
특히, 반도체 디바이스의 디자인 룰(rule)의 미세화에 수반하여, 웨이퍼 상에 형성되고 반도체 디바이스를 구성하는 각 층의 막 두께가 얇아지고 있기 때문에, 기판 처리실에서 성막 처리 또는 에칭 처리를 하는 처리 시간이 짧아지고 있다. 그 결과, 기판 처리실의 기판 처리의 처리 시간에 대한 클리닝 처리의 처리 시간이 차지하는 비율은 증대하고 있다. 따라서, 기판 처리실에 있어서의 클리닝 처리 동안, 반송 장치가 그 기판 처리실에서 다음에 처리를 할 미처리된 웨이퍼를 지지하여 대기하고 있으면, 반송 장치가 다른 작업을 할 수 없기 때문에, 반송 장치가 본래 갖는 단위 시간당 기판의 반송 매수, 즉 스루풋(throughput)을 발휘시킬 수 없는 문제가 있었다.
본 발명은 상기의 관점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 처리 장치의 기판 처리실의 클리닝 처리를 하는 동안에도 반송 장치에 일을 시킴으로써, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시켜, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 교환 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 다음에 서술하는 각 수단을 강구하는 것을 특징으로 하는 것이다.
제1 발명은, 기판 처리실과, 로드락실과, 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 기판 처리실 및 상기 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서의 상기 기판 처리실에서 처리하는 기판의 교환을 하는 기판 교환 방법에 있어서, 제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로부터 반출하는 제1 반출 공정과, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로 반입하는 제1 반입 공정을 갖고, 상기 제1 반출 공정을 행한 후, 상기 제1 반입 공정을 행하기 전에, 상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 로드락실로부터 반출하는 제2 반출 공정과, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 로드락실로 반입하는 제2 반입 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
제2 발명은, 제1 발명에 따른 기판 교환 방법에 있어서, 상기 제2 반입 공정에 있어서, 상기 제2 반출 공정을 행한 후, 상기 제2 반출 공정에서 상기 제2 기판을 반출한 로드락실로 상기 제1 기판을 반입하는 것을 특징으로 한다.
제3 발명은, 제2 발명에 따른 기판 교환 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 복수의 기판 처리실을 구비하고, 상기 제1 반출 공정을 행한 후, 상기 제2 반출 공정을 행하기 전에, 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하는 제3 반입 공정과, 상기 제2 반입 공정을 행한 후, 상기 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하는 제3 반출 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
제4 발명은, 제1 발명에 따른 기판 교환 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 복수의 로드락실을 구비하고, 상기 제2 반입 공정에 있어서, 상기 제1 기판을 제1 로드락실로 반입하고, 상기 제2 반출 공정에 있어서, 상기 제2 반입 공정을 행한 후, 상기 제2 기판을 제2 로드락실로부터 반출하는 것을 특징으로 한다.
제5 발명은, 제4 발명에 따른 기판 교환 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 복수의 기판 처리실을 구비하고, 상기 제1 반출 공정을 행한 후, 상기 제2 반입 공정을 행하기 전에, 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 상기 제1 로드락실로부터 반출하는 제4 반출 공정을 행하고, 상기 제2 반입 공정을 행한 후, 상기 제2 반출 공정을 행하기 전에, 상기 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하는 제4 반입 공정과, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하는 제5 반출 공정을 행하고, 상기 제2 반출 공정을 행한 후, 상기 제1 반입 공정을 행하기 전에, 상기 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 제2 로드락실로 반입하는 제5 반입 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
제6 발명은, 기판 처리실과, 로드락실과, 기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 당해 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 기판 처리실 및 상기 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로부터 반출한 후, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로 반입하기 전에, 상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 상기 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 로드락실로 반입하도록, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 것을 특징으로 한다.
제7 발명은, 복수의 기판 처리실과, 로드락실과, 기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 당해 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 복수의 기판 처리실 및 상기 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 제1 기판 처리실로부터 반출한 후, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 제1 기판 처리실로 반입하기 전에, 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하고, 다음으로, 상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 상기 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 로드락실로 반입하고, 다음으로, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하도록, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 것을 특징으로 한다.
제8 발명은, 복수의 기판 처리실과, 복수의 로드락실과, 기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 당해 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 복수의 기판 처리실 및 상기 복수의 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어부는, 제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 제1 기판 처리실로부터 반출한 후, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 제1 기판 처리실로 반입하기 전에, 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제1 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 제1 로드락실로 반입하고, 다음으로, 상기 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하고, 다음으로, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 제2 로드락실로 반입하도록, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기판 처리 장치의 기판 처리실의 클리닝 처리를 하는 동안에도 반송 장치에 일을 시킴으로써, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시켜, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 교환 방법을 설명하기 위한 도면이며, 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 반송 부재 및 웨이퍼의 움직임을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 4는 종래의 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다.
도 5는 종래의 기판 교환 방법을 설명하기 위한 도면이며, 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 반송 부재 및 웨이퍼의 움직임을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 교환 방법 및 종래의 기판 교환 방법에 있어서의 1매당 기판 처리 시간과 기판 처리 장치의 스루풋과의 관계를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태의 제1 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태의 제2 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
다음으로, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면과 함께 설명한다.
(실시 형태)
가장 먼저, 도 1을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 교환 기구를 구비하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
기판 처리 장치(100)는 피처리 기판인 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리, 에칭 처리 등의 각종 처리를 하는 처리 유닛(10)과, 처리 유닛(10)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입·반출시키는 반송 유닛(20)을 구비한다. 반송 유닛(20)은 웨이퍼(W)를 반송할 때 공용되는 반송실(반송 유닛측 반송실; 30)을 갖고 있다.
반송실(30)은 예를 들면 N2 가스 등의 불활성 가스나 청정 공기가 순환되는 단면이 대략 다각 형상인 케이스체(case body)에 의해 구성되어 있다. 반송실(30)에 있어서의 단면 대략 다각 형상의 긴 변을 구성하는 일 측면에는, 복수의 카세트대(32; 여기에서는 32a 및 32b)가 설치되어 있다. 카세트대(32a, 32b)는 각각, 기판 수용 용기의 일 예로서의 카세트 용기(34a, 34b)를 재치(hold) 가능하게 구성되어 있다.
각 카세트 용기(34a, 34b)에는 예를 들면 최대 25매의 웨이퍼(W)를 등(等) 피치(pitch)로 여러 단으로 올려놓아 수용할 수 있도록 되어 있으며, 내부는 예를 들면 N2 가스 분위기로 채워진 밀폐 구조로 되어 있다. 반송실(30)은 그 내부로 게이트 밸브(36a, 36b)를 통하여 웨이퍼(W)를 반입·반출 가능하게 구성되어 있다.
여기에서는, 카세트 용기(34a, 34b)에는 각각, 후술하는 기판 처리실(40a∼40f)에서 처리되는 웨이퍼가 수납된다. 단, 어느 웨이퍼가 어느 기판 처리실에서 처리되는지를 알고 있으면, 각 기판 처리실(40a∼40f)에서 처리되는 웨이퍼가 각각 카세트 용기(34a, 34b)로 반드시 나누어 수납되어 있을 필요는 없다. 예를 들면 카세트 용기(34a, 34b)의 한쪽 또는 양쪽에 각 기판 처리실(40a∼40f)에서 처리되는 웨이퍼가 혼재되어 있어도 좋다. 또한, 도 1에서는 예를 들면 각 카세트대(32a, 32b)에 2대의 카세트 용기(34a, 34b)를 각각 1대씩 올려놓을 수 있는 예를 들고 있지만, 카세트대와 카세트 용기의 수는 이에 한정되지 않고, 예를 들면 3대 이상이라도 좋다.
반송실(30)의 단부(端部), 즉 단면 대략 다각 형상의 짧은 변을 구성하는 일 측면에는, 위치 결정 장치로서의 오리엔터(37)가 형성되어 있다. 오리엔터(37)는 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫(orientation flat)이나 노치(notch) 등을 검출하여 위치 맞춤을 하는 것이다.
처리 유닛(10)은 웨이퍼에 예를 들면 성막 처리(예를 들면 플라즈마 CVD 처리)나 에칭 처리(예를 들면 플라즈마 에칭 처리) 등의 소정의 처리를 시행하기 위한 기판 처리실(40)을 갖고 있다. 도 1에서는 기판 처리실(40)을 6개(40a∼40f) 갖는 경우가 예시된다. 각 기판 처리실(40a∼40f)에는 웨이퍼(W)를 올려놓기 위한 재치대(holding stage; 42a∼42f)가 형성되어 있다. 또한, 기판 처리실(40)은 6개로 한정되는 것은 아니고, 6개보다 적어도 좋고, 6개보다 많아도 좋다.
각 기판 처리실(40a∼40f)에서 행해지는 처리는 동종의 처리여도 좋고, 또한 다른 처리여도 좋다. 각 웨이퍼는 미리 제어부의 메모리 등에 기억된 에칭 처리 등의 처리 공정 등을 나타내는 정보(프로세스 레시피)에 기초하여 각 기판 처리실(40a∼40f)에 있어서 소정의 처리가 시행된다. 각 웨이퍼가 어느 기판 처리실에서 처리되는 것인지에 대해서는, 예를 들면 상기 프로세스 레시피에 의해 판단해도 좋다.
처리 유닛(10)은 기판 처리실(40a∼40f)로 웨이퍼를 반입·반출하는 반송실(처리 유닛측 반송실; 50)을 구비한다. 반송실(50)은 다각형(예를 들면 육각형)으로 형성되어 있으며, 그 둘레에 각 기판 처리실(40a∼40f)이 각각 게이트 밸브(44a∼44f)를 통하여 설치되어 있다.
반송실(50)의 둘레에는, 반송 유닛(20)과 접속하는 진공 준비실의 일 예로서의 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)이 설치되어 있다. 구체적으로는, 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)의 선단은, 반송실(50)의 둘레에서 게이트 밸브(진공측 게이트 밸브; 54a, 54b) 각각을 통하여 접속되어 있으며, 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)의 기단(base end)부는, 반송실(30)에 있어서의 단면 대략 다각 형상의 긴 변을 구성하는 타측면에서 게이트 밸브(대기측 게이트 밸브; 64a, 64b) 각각을 통하여 접속되어 있다.
제1, 제2 로드락실(60a, 60b)은 진공 흡인 가능하게 구성되어 있으며, 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지하여 압력 조정 후에, 다음 단(段)으로 패스시키는 기능을 갖고 있다. 또한, 각 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)에는 웨이퍼(W)를 올려놓기 위한 재치대(62a, 62b)가 각각 형성되어 있다. 또한, 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)은 추가로 냉각 기구나 가열 기구를 갖도록 구성해도 좋다.
이와 같이, 반송실(50)과 각 기판 처리실(40a∼40f)의 사이 및 반송실(50)과 상기 각 로드락실(60a, 60b)의 사이는 각각 기밀(airtight)하게 개폐 가능하게 구성되고, 클러스터 툴화되어 있으며, 필요에 따라서 반송실(50)과 연통 가능하게 되어 있다. 또한, 상기 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)과 반송실(50)의 사이도, 각각 기밀하게 개폐 가능하게 구성되어 있다.
반송실(50)에는 예를 들면 굽힘과 신축·승강·선회 가능하게 구성된 다관절 아암으로 이루어지는 처리 유닛측 반송 장치(이하, 단순히 「반송 장치」라고 함; 80)가 설치되어 있다. 이 반송 장치(80)는 각 로드락실(60a, 60b) 및 각 기판 처리실(40a∼40f)에 액세스 가능하게 되어 있다. 예를 들면 상기 각 로드락실(60a, 60b)로 웨이퍼가 반입되면, 그 웨이퍼는 반송 장치(80)에 의해 그 웨이퍼가 처리되는 기판 처리실(40a∼40f)의 어느 한쪽으로 반입된다.
반송 장치(80)는 2개의 픽을 갖는 더블 아암 기구로 구성되어 있으며, 한번에 2매의 웨이퍼를 취급할 수 있도록 되어 있다. 이에 따라, 예를 들면 각 기판 처리실(40a∼40f)의 어느 한쪽에 대하여 웨이퍼를 반입·반출할 때, 처리 완료된 웨이퍼와 미처리된 웨이퍼를 교환할 수 있다.
한편, 반송 유닛(20)의 반송실(30)에는, 웨이퍼(W)를 그 길이 방향(도 1에 나타내는 화살표 방향)을 따라 반송하는 반송 유닛측 반송 장치(70)가 설치되어 있다. 반송 유닛측 반송 장치(70)에 대해서도, 처리 유닛측 반송 장치(반송 장치; 80)와 동일하게, 2개의 픽을 갖는 더블 아암 기구로 구성되어 있으며, 한번에 2장의 웨이퍼를 취급할 수 있도록 되어 있다. 이에 따라, 예를 들면 카세트 용기(34(34a, 34b)), 오리엔터(37), 로드락실(60a, 60b) 등에 대하여, 웨이퍼를 교환하도록 반입·반출할 수 있다. 또한, 처리 유닛측 반송 장치(80)의 픽의 수는 상기의 것으로 한정되지 않고, 예를 들면 1개만의 픽을 갖는 싱글 아암 기구라도 좋다.
상기 기판 처리 장치(100)에는, 각 반송 장치(70, 80), 각 게이트 밸브(36(36a, 36b), 44(44a∼44f), 54(54a, 54b), 64(64a, 64b)), 오리엔터(37) 등의 제어 외에, 카세트 용기(34)로부터의 웨이퍼의 반송 타이밍을 구하는 처리나 그 웨이퍼 반송 타이밍에 기초하여 카세트 용기(34)로부터 웨이퍼를 반출하는 제어 등도 포함하여 이 기판 처리 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(90)가 형성되어 있다. 제어부(90)는 예를 들면 이 제어부(90)의 전체를 구성하는 마이크로 컴퓨터, 각종 데이터 등을 기억하는 메모리 등을 구비한다. 또한, 제어부(90)는, 본 발명에 있어서는, 처리 유닛측 반송 장치(반송 장치; 80)에 의한 웨이퍼(W)의 반입·반출을 제어하기 위한 것이기도 하다.
다음으로, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 대해 설명한다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에서는, 제1 기판 처리실의 웨이퍼를 처리 완료된 웨이퍼로부터 미처리된 웨이퍼로 교환하는 제1 반출 공정과 제1 반입 공정의 사이에, 제2 반출 공정과 제2 반입 공정이라는 2개의 다른 스텝을 행한다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법을 행할 수 있는 기판 처리 장치는, 기판 처리실과, 로드락실과, 기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 2개의 반송 부재에 의해 기판을 기판 처리실 및 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와, 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비한다. 즉, 도 1에 나타낸 기판 처리 장치에 있어서, 적어도 1개의 기판 처리실을 구비하고, 적어도 1개의 로드락실을 구비하고 있으면 좋다. 또한, 본 실시 형태에서는, 일 예로서, 2개의 기판 처리실과 2개의 로드락실을 구비하고 있는 경우에 대해 설명한다.
또한, 이하, 반송 장치라고 할 때는, 처리 유닛측 반송 장치를 가리키는 것으로 한다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 반송 부재 및 웨이퍼의 움직임을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 2에 나타내는 타임 차트에서는, 위의 행으로부터 순서대로, 스텝 번호, 반송 장치(80)의 제1 반송 부재(80a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 반송 장치(80)의 제2 반송 부재(80b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 상태, 제2 기판 처리실(40b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 기판 처리실(40b)의 상태, 제1 로드락실(60a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 로드락실(60a)의 상태, 제2 로드락실(60b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 로드락실(60b)의 상태를 나타낸다. 도 3(a)는 후술하는 스텝 S1을 개시하기 직전(스텝 S1의 직전인 스텝 S0이 종료된 때)의 상태를 나타낸다. 도 3(b) 내지 도 3(e)의 각각은 스텝 S1 내지 스텝 S4가 종료된 때의 상태를 나타낸다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 작업의 최소 단위는, 도 2에 나타나는 스텝 S1 내지 스텝 S4를 포함한다. 스텝 S1, 스텝 S2, 스텝 S3 및, 스텝 S4의 각각은, 본 발명에 있어서의 제1 반출 공정, 제2 반출 공정, 제2 반입 공정 및, 제1 반입 공정의 각각에 해당한다. 즉, 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법에서는, 스텝 S1의 제1 반출 공정을 행한 후, 스텝 S4의 제1 반입 공정을 행하기 전에, 스텝 S2의 제2 반출 공정과, 스텝 S3의 제2 반입 공정을 행한다.
스텝 S1은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S2는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S3은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)로 반입하는 공정이다. 스텝 S4는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 또한, 웨이퍼(W1)는 본 발명에 있어서의 제1 기판에 해당하고, 웨이퍼(W3)는 본 발명에 있어서의 제2 기판에 해당한다.
스텝 S1을 개시하기 전의 상태는, 도 2의 스텝 S0이 종료된 상태, 즉, 제1 기판 처리실(40a)에서 제1 기판의 기판 처리를 한 후의 상태이다. 도 2의 스텝 S0의 열 및 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 반송 부재(80a) 및 제2 반송 부재(80b)의 어느 쪽에도 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에는 처리 완료된 웨이퍼로서 웨이퍼(W1)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W3)가 지지되어 있다.
가장 먼저, 스텝 S1을 행한다. 스텝 S1은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 제1 기판 처리실(40a)의 기판 처리가 완료되어 있는 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 열어, 제1 반송 부재(80a)를 제1 기판 처리실(40a) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에 지지되어 있는 웨이퍼(W1)를 지지하고, 웨이퍼(W1)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제1 기판 처리실(40a)로부터 퇴각시키고, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫는다. 도 2의 스텝 S1의 열 및 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 스텝 S1이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있다.
여기에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫은 후, 재치대(42a)에 웨이퍼가 지지되어 있지 않은 상태에서, 제1 기판 처리실(40a) 내에 있어서, 클리닝 처리를 개시한다. 예를 들면, 제1 기판 처리실(40a)에 설치된 도시하지 않은 플라즈마 발생 수단을 이용하여, 제1 기판 처리실(40a) 내에 플라즈마를 발생시켜, 성막 처리 등의 기판 처리 동안에 제1 기판 처리실(40a)의 내벽에 부착된 부착물을 에칭 제거함으로써, 클리닝 처리를 할 수 있다.
다음으로, 스텝 S2를 행한다. 스텝 S2는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 공정이다. 제1 로드락실(60a)이 진공인 상태에서, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 열어, 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에 지지되어 있는 웨이퍼(W3)를 지지하고, 웨이퍼(W3)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로부터 퇴각시켜 웨이퍼(W3)를 반출하고, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 닫는다. 도 2의 스텝 S2의 열 및 도 3(c)에 나타내는 바와 같이, 스텝 S2가 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에도 웨이퍼가 지지되어 있지 않다.
또한, 스텝 S2를 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S3을 행한다. 스텝 S3은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)로 반입하는 공정이다. 제1 로드락실(60a)이 진공인 상태에서, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 열어, 웨이퍼(W1)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제1 로드락실(60a) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에 웨이퍼(W1)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제1 반송 부재(80a)를 제1 로드락실(60a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 닫는다. 도 2의 스텝 S3의 열 및 도 3(d)에 나타내는 바와 같이, 스텝 S3이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S3이 종료되는 것과 대략 동시에, 또는 스텝 S3이 종료된 후, 다음 스텝 S4가 개시되기 전에, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리를 종료한다.
다음으로, 스텝 S4를 행한다. 스텝 S4는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리가 종료되어 있는 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 열어, 웨이퍼(W3)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제1 기판 처리실(40a)로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에 웨이퍼(W3)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제2 반송 부재(80b)를 제1 기판 처리실(40a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫는다. 도 2의 스텝 S4의 열 및 도 3(e)에 나타내는 바와 같이, 스텝 S4가 행해진 후에는, 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있다.
이상과 같이, 스텝 S1 내지 스텝 S4를 행함으로써, 제1 기판 처리실(40a)의 기판을 웨이퍼(W1)로부터 웨이퍼(W3)로 교환하는 작업을 할 수 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 기판 처리실(40a)로부터 처리 완료된 웨이퍼인 웨이퍼(W1)를 반출하는 스텝인 스텝 S1에서, 제1 기판 처리실(40a)로 미처리된 웨이퍼인 웨이퍼(W3)를 반입하는 스텝의 직전의 스텝인 스텝 S3까지의 3스텝 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리를 할 수 있고, 그 동안에 반송 장치(80)는 제1 로드락실(60a)의 기판을 웨이퍼(W3)로부터 웨이퍼(W1)로 교환하는 작업을 할 수 있다.
그 후, 스텝 S5 내지 스텝 S8을 행함으로써, 이번에는 제2 기판 처리실(40b)의 기판을 웨이퍼(W2)로부터 웨이퍼(W4)로 교환하는 작업을 할 수 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 기판 처리실(40b)로부터 처리 완료된 웨이퍼인 웨이퍼(W2)를 반출하는 스텝인 스텝 S5에서, 제2 기판 처리실(40b)로 미처리된 웨이퍼인 웨이퍼(W4)를 반입하는 스텝의 직전의 스텝인 스텝 S7까지의 3스텝 동안, 제2 기판 처리실(40b)의 클리닝 처리를 할 수 있고, 그 동안에 반송 장치(80)는 제2 로드락실(60b)의 기판을 웨이퍼(W4)로부터 웨이퍼(W2)로 교환하는 작업을 할 수 있다.
또한, 스텝 S5 내지 스텝 S7 동안은, 제1 기판 처리실(40a)에서 웨이퍼(W3)의 기판 처리를 할 수 있다.
또한, 제1, 제2의 2개의 기판 처리실(40a, 40b), 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)을 사용하는 경우에는, 스텝 S9 이후에 있어서, 스텝 S1 내지 스텝 S8과 동일한 동작을 반복할 수 있다. 즉, 2개의 기판 처리실 및 2개의 로드락실을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 처리도 포함한 기판 처리실의 처리의 최소 단위는, 스텝 S1 내지 스텝 S8의 8스텝이다.
다음으로, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서, 반송 장치를 대기시키지 않아, 반송 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있는 작용 효과에 대해 설명한다.
먼저, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서, 반송 장치를 대기시키지 않고 기판 교환을 할 수 있는 작용 효과를, 종래의 기판 교환 방법과 비교하여 설명한다.
도 4는 종래의 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다. 도 5는 종래의 기판 교환 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 반송 부재 및 웨이퍼의 움직임을 개략적으로 설명하는 평면도이다.
도 4에 나타내는 타임 차트에서도 도 2에 나타내는 타임 차트와 동일하게, 위의 행으로부터 순서대로, 스텝 번호, 반송 장치(80)의 제1 반송 부재(80a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 반송 장치(80)의 제2 반송 부재(80b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 상태, 제2 기판 처리실(40b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 기판 처리실(40b)의 상태, 제1 로드락실(60a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 로드락실(60a)의 상태, 제2 로드락실(60b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 로드락실(60b)의 상태를 나타낸다. 도 5(a)는 스텝 S1´을 개시하기 직전(스텝 S1´의 직전의 스텝 S0´이 종료된 때)의 상태를 나타낸다. 도 5(b) 내지 도 5(e)의 각각은, 스텝 S1´ 내지 스텝 S4´가 종료된 때의 상태를 나타낸다.
종래의 기판 처리 장치의 기판 교환 작업의 최소 단위도, 도 4에 나타낸 스텝 S1´ 내지 스텝 S4´를 포함한다. 스텝 S1´은 도 4의 스텝 S1´의 열 및 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S4´는 도 4의 스텝 S4´의 열 및 도 5(e)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 또한, 도 4의 스텝 S1´의 열 내지 스텝 S3´의 열에 나타낸 바와 같이, 스텝 S1´에서 스텝 S3´까지의 동안, 제1 기판 처리실(40a)에서는 클리닝 처리가 행해진다.
그러나, 종래의 기판 처리 장치의 기판 교환 작업에 있어서는, 스텝 S1´의 직전의 스텝 S0´에 있어서, 도 4 및 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 미리 제2 반송 부재(80b)에 웨이퍼(W3)가 지지된 상태로 되어 있다. 또한, 도 5(b)에 나타낸 스텝 S1´을 행하여 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출한 후, 도 5(e)에 나타낸 스텝 S4´를 행하여 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하기 전에, 반송 장치(80)에 다른 작업을 시키지 않는다. 따라서, 도 5(c)에 나타낸 스텝 S2´, 도 5(d)에 나타낸 스텝 S3´에 있어서, 제1 기판 처리실(40a)에서 클리닝 처리가 행해지는 동안, 반송 장치(80)는 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b)에 웨이퍼를 지지한 채, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리가 종료되기까지 대기한다.
그 결과, 본 실시 형태와 동일하게, 제1, 제2 기판 처리실(40a, 40b), 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)을 구비한 기판 처리 장치에 있어서의 반송 장치(80)를 동작시키는 경우, 스텝 S2´, 스텝 S3´에서 다른 작업을 할 수 없는 것에 기인하여, 제1, 제2 기판 처리실(40a, 40b)에서 대기 시간이 발생한다. 예를 들면 도 4의 예에서는, 스텝 S4´를 행한 후 제1 기판 처리실(40a)에서 기판 처리를 하는 경우, 본 실시 형태와 동일하게 스텝 S5´ 내지 스텝 S7´ 동안 기판 처리를 해도, 그 후 바로 웨이퍼(W3)를 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출할 수 없다. 반송 장치(80)가, 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b)가 웨이퍼(W2), 웨이퍼(W4)를 지지한 상태에서, 제2 기판 처리실(40b)의 클리닝 처리가 종료되기까지 대기하고 있기 때문이다. 그 결과, 기판 처리도 포함한 기판 처리실의 처리의 최소 단위는, 스텝 S1 내지 스텝 S12의 12스텝이 된다. 또한, 기판 처리도 포함한 기판 처리실의 처리의 최소 단위에 필요한 시간은, 후술하는 기판 처리 장치의 스루풋의 설명에 있어서의 율속(rate control) 시간(T0)이며, T0 중에 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간이 포함되어 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 기판 처리도 포함한 기판 처리실의 처리의 최소 단위는, 스텝 S1 내지 스텝 S8의 8스텝이다. 따라서, 동일한 시간의 클리닝 처리를 하는 경우, 본 실시 형태의 쪽이 1개의 기판 처리실에 있어서의 웨이퍼 1매의 기판 처리에 필요한 시간을 단축할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 처리도 포함한 기판 처리실의 처리의 최소 단위에 필요한 시간은, 후술하는 율속 시간(T1)에 해당하는 시간이며, T1 중에 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간은 포함되어 있지 않다.
다음으로, 도 6을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시켜, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시킬 수 있는 작용 효과를, 종래의 기판 교환 방법과 비교하여 설명한다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법 및 종래의 기판 교환 방법에 있어서의 1매당 기판 처리 시간과 기판 처리 장치의 스루풋의 관계를 개략적으로 나타내는 그래프이다. 도 6(a)는 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법에 대해 나타내고, 도 6(b)는 종래의 기판 교환 방법에 대해 나타내고 있다.
기판 처리 장치의 스루풋은 1매당 기판 처리 시간에 반비례한다고 가정했을 때, 1매당 기판 처리 시간이 짧아질수록, 기판 처리 장치의 스루풋은 커진다. 그러나, 기판 처리 시간 이외의 대기 시간 등을 포함하는 어느 시간(T0)이 율속 시간(T0)이라고 할 경우, 기판 처리 시간이 T0보다 짧아졌다고 해도, 기판 처리 장치의 스루풋을 율속 시간(T0)에 대응하는 스루풋(P0)보다 크게 할 수는 없다. 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 종래의 기판 교환 방법에서는, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하는 시간(T0)이 율속 시간이었다.
한편, 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법에서는, 전술한 바와 같이, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하지 않은 어느 시간(T1)이 율속 시간이 된다. 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하지 않은 율속 시간(T1)은, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하는 율속 시간(T0)보다 작다. 즉, T1＜T0이다. 따라서, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하지 않은 율속 시간(T1)에 대응하는 기판 처리 장치의 스루풋(P1)은, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하는 율속 시간(T0)에 대응하는 기판 처리 장치의 스루풋(P0)보다 크다. 즉, P1＞P0이다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법에 의하면, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시켜, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 기판 교환 방법에서는, 기판 처리실의 클리닝 처리의 시간을 더욱 길게 해도, 율속 시간(T1)은 거의 증가하지 않아, 기판 처리 장치의 스루풋(P1)은 거의 감소하지 않는다. 따라서, 종래의 기판 처리 장치와 동일한 스루풋을 확보하면서, 기판 처리실의 클리닝 처리를 충분히 길게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 스텝 S2를 행한 후, 스텝 S3에 있어서, 웨이퍼(W1)를, 웨이퍼(W3)를 반출한 제1 로드락실(60a)로 반입한다. 그러나, 스텝 S3에 있어서, 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a) 이외의 로드락실로 반입해도 좋으며, 예를 들면 제2 로드락실(60b)로 반입해도 좋다.
또한, 스텝 S2와 스텝 S3의 동작을 역순으로 행해도 좋다. 즉, 스텝 S2에 있어서, 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제2 로드락실(60b)로 반입하고, 다음으로 스텝 S3에 있어서, 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출해도 좋다. 또한, 스텝 S1을 개시할 때, 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b), 제1, 제2 로드락실(60a, 60b)의 제1, 제2 각각을 서로 교체하여 각 스텝의 동작을 행해도 좋다.
(실시 형태의 제1 변형예)
다음으로, 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시 형태의 제1 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 대해 설명한다.
본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법은, 제1 기판 처리실의 웨이퍼를 처리 완료된 웨이퍼로부터 미처리된 웨이퍼로 교환하는 제1 반출 공정과 제1 반입 공정의 사이에 4개의 스텝을 행하는 점에서, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법과 상이하다. 즉, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서, 제1 반출 공정을 행한 후, 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제2 반출 공정과, 제2 반입 공정이라는 2개의 스텝을 행하는 것과 상이하고, 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에서는, 제1 반출 공정과 제1 반입 공정의 사이에, 제2 반출 공정과, 제2 반입 공정이라는 2개의 스텝을 행하는 것에 더하여, 제1 반출 공정과 제2 반출 공정의 사이에, 제3 반입 공정을 행하고, 제2 반입 공정과 제1 반입 공정의 사이에, 제3 반출 공정을 행한다.
즉, 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에서는, 제1 반출 공정을 행한 후, 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제3 반입 공정, 제2 반출 공정, 제2 반입 공정, 제3 반출 공정의 4개의 스텝을 행한다.
또한, 본 변형예에 따른 기판 교환 방법을 행할 수 있는 기판 처리 장치는, 복수의 기판 처리실과, 로드락실과, 기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 2개의 반송 부재에 의해 기판을 복수의 기판 처리실 및 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와, 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하고 있다. 즉, 도 1에 나타내는 기판 처리 장치에 있어서, 적어도 2개의 기판 처리실을 구비하고, 적어도 1개의 로드락실을 구비하고 있으면 좋다. 또한, 본 변형예에서는, 일 예로서, 3개의 기판 처리실과 2개의 로드락실을 구비하고 있는 경우에 대해 설명한다.
또한, 실시 형태와 동일하게, 이하, 반송 장치라고 할 때는, 처리 유닛측 반송 장치를 가리키는 것으로 한다.
도 7은 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실의 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다.
도 7에 나타내는 타임 차트에서는, 위의 행으로부터 순서대로, 스텝 번호, 반송 장치(80)의 제1 반송 부재(80a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 반송 장치(80)의 제2 반송 부재(80b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 상태, 제2 기판 처리실(40b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 기판 처리실(40b)의 상태, 제3 기판 처리실(40c)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제3 기판 처리실(40c)의 상태, 제1 로드락실(60a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 로드락실(60a)의 상태, 제2 로드락실(60b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 로드락실(60b)의 상태를 나타낸다.
본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법의 최소 단위는, 도 7에 나타나는 스텝 S101 내지 스텝 S106을 포함한다. 스텝 S101 내지 스텝 S106의 각각은, 순서대로, 본 발명에 있어서의 제1 반출 공정, 제3 반입 공정, 제2 반출 공정, 제2 반입 공정, 제3 반출 공정 및 제1 반입 공정의 각 공정에 해당한다.
스텝 S101은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S102는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 기판 처리실(40b)로 반입하는 공정이다. 스텝 S103은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S104는 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)로 반입하는 공정이다. 스텝 S105는 웨이퍼(W2)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제3 기판 처리실(40c)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S106은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 또한, 웨이퍼(W1)는 본 발명에 있어서의 제1 기판에 해당하고, 웨이퍼(W4)는 본 발명에 있어서의 제2 기판에 해당하며, 웨이퍼(W3)는 본 발명에 있어서의 제3 기판에 해당하고, 웨이퍼(W2)는 본 발명에 있어서의 제4 기판에 해당한다.
스텝 S101을 개시하기 전의 상태는, 도 7의 스텝 S100이 종료된 상태, 즉, 제1 기판 처리실(40a)에서 웨이퍼(W1)의 기판 처리를 행한 후의 상태이다. 도 7의 스텝 S100의 열에 나타내는 바와 같이, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 반송 부재(80b)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 처리 완료된 웨이퍼로서 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 처리 중인 웨이퍼로서 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제1 로드락실(60a)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
가장 먼저, 스텝 S101을 행한다. 스텝 S101은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 제1 기판 처리실(40a)의 기판 처리가 완료되어 있는 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 열어, 제1 반송 부재(80a)를 제1 기판 처리실(40a) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에 지지되어 있는 웨이퍼(W1)를 지지하고, 웨이퍼(W1)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제1 기판 처리실(40a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫는다. 도 7의 스텝 S101의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S101이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1, 제2 기판 처리실(40a, 40b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제3 기판 처리실(40c)에는 처리 중인 웨이퍼로서 웨이퍼(W2)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
여기에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫은 후, 재치대(42a)에 웨이퍼가 지지되어 있지 않은 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)에 있어서, 클리닝 처리를 개시한다. 실시 형태와 동일하게, 예를 들면, 제1 기판 처리실(40a)에 설치된 도시하지 않은 플라즈마 발생 수단을 이용하여, 제1 기판 처리실(40a) 내에 플라즈마를 발생시켜, 성막 처리 등의 기판 처리 동안에 제1 기판 처리실(40a)의 내벽에 부착된 부착물을 에칭 제거함으로써, 클리닝 처리를 할 수 있다.
다음으로, 스텝 S102를 행한다. 스텝 S102는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 기판 처리실(40b)로 반입하는 공정이다. 제2 기판 처리실(40b)의 클리닝 처리가 종료되어 있는 상태에서, 제2 기판 처리실(40b)의 게이트 밸브(44b)를 열어, 웨이퍼(W3)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제2 기판 처리실(40b) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 기판 처리실(40b)의 재치대(42b)에 웨이퍼(W3)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제2 반송 부재(80b)를 제2 기판 처리실(40b) 내로부터 퇴각시키고, 제2 기판 처리실(40b)의 게이트 밸브(44b)를 닫는다. 도 2의 스텝 S102의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S102가 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S102를 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S103을 행한다. 스텝 S103은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 공정이다. 제1 로드락실(60a)이 진공인 상태에서, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 열어, 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에 지지되어 있는 웨이퍼(W4)를 지지하고, 웨이퍼(W4)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 닫는다. 도 7의 스텝 S103의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S103이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않다.
또한, 스텝 S103을 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S104를 행한다. 스텝 S104는 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)로 반입하는 공정이다. 제1 로드락실(60a)이 진공인 상태에서, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 열어, 웨이퍼(W1)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제1 로드락실(60a) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에 웨이퍼(W1)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 닫는다. 도 7의 스텝 S104에 나타내는 바와 같이, 스텝 S104가 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S104를 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S105를 행한다. 스텝 S105는 웨이퍼(W2)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제3 기판 처리실(40c)로부터 반출하는 공정이다. 제3 기판 처리실(40c)의 기판 처리가 완료되어 있는 상태에서, 제3 기판 처리실(40c)의 게이트 밸브(44c)를 열어, 제1 반송 부재(80a)를 제3 기판 처리실(40c) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제3 기판 처리실(40c)의 재치대(42c)에 지지되어 있는 웨이퍼(W2)를 지지하고, 웨이퍼(W2)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제3 기판 처리실(40c) 내로부터 퇴각시키고, 제3 기판 처리실(40c)의 게이트 밸브(44c)를 닫는다. 도 7의 스텝 S105에 나타내는 바와 같이, 스텝 S105가 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S105가 종료되는 것과 대략 동시에, 또는 스텝 S105가 종료된 후, 다음 스텝 S106이 개시되기 전에, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리를 종료한다.
다음으로, 스텝 S106을 행한다. 스텝 S106은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리가 종료되어 있는 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 열어, 웨이퍼(W4)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제1 기판 처리실(40a) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에 웨이퍼(W4)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제2 반송 부재(80b)를 제1 기판 처리실(40a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫는다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 스텝 S106이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있다.
이상과 같이, 스텝 S101 내지 스텝 S106을 행함으로써, 제1 기판 처리실(40a)의 기판을 웨이퍼(W1)로부터 웨이퍼(W4)로 교환하는 작업을 할 수 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 기판 처리실(40a)로부터 처리 완료된 웨이퍼인 웨이퍼(W1)를 반출하는 스텝 S101에서, 제1 기판 처리실(40a)로 미처리된 웨이퍼인 웨이퍼(W4)를 반입하는 스텝의 직전의 스텝인 스텝 S105까지의 5스텝 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리를 할 수 있고, 그 동안에 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W3)를 제2 기판 처리실(40b)로 반입하고, 웨이퍼(W4)를 제1 로드락실(60a)로부터 반출하고, 웨이퍼(W1)를 제1 로드락실(60a)로 반입하고, 웨이퍼(W2)를 제3 기판 처리실(40c)로부터 반출하는 작업을 할 수 있다.
그 후, 스텝 S107 내지 스텝 S112의 동작을 행함으로써, 웨이퍼(W5)를 제2 로드락실(60b)로부터 반출(스텝 S107)하여 제3 기판 처리실(40c)로 반입(스텝 S110)하는 작업, 웨이퍼(W2)를 제2 로드락실(60b)로 반입(스텝 S108)하는 작업, 웨이퍼(W3)를 제2 기판 처리실(40b)로부터 반출(스텝 S109)하여 제1 로드락실(60a)로 반입(스텝 S112)하는 작업, 웨이퍼(W6)를 제1 로드락실(60a)로부터 반출(스텝 S111)하는 작업을 할 수 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 스텝 S105 내지 스텝 S109의 5스텝 동안, 제3 기판 처리실(40c)의 클리닝 처리를 할 수 있다.
또한, 스텝 S107 내지 스텝 S111 동안은, 제1 기판 처리실(40a)에서 웨이퍼(W4)의 기판 처리를 할 수 있다.
또한, 제1∼제3의 3개의 기판 처리실(40a∼40c), 제1, 제2의 2개의 로드락실(60a, 60b)을 사용하는 경우에는, 스텝 S113 이후에 있어서, 스텝 S101 내지 스텝 S112와 동일한 동작을 반복할 수 있다. 즉, 1개의 기판 처리실의 처리의 최소 단위는, 스텝 S101 내지 스텝 S112의 12스텝이다.
본 변형예에서도, 실시 형태와 동일하게, 반송 장치가 제1 및 제2 반송 부재에 웨이퍼를 지지시킨 채 각 기판 처리실의 클리닝 처리가 종료되는 것을 대기하지 않는다. 따라서, 종래의 방법에 비하여, 1개의 기판 처리실에 있어서의 웨이퍼 1매의 기판 처리에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 변형예에서도, 실시 형태에서 도 6을 이용하여 설명한 것과 동일하게, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하지 않은 율속 시간(T1)이, 종래의 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하는 율속 시간(T0)보다 작다. 따라서, 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 스루풋(P1)은, 종래의 기판 처리 장치의 스루풋(P0)보다 크다. 즉, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시켜, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시킬 수 있다.
또한, 본 변형예에서도, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시킨 상태에서, 실시 형태보다 오랫동안 각 기판 처리실의 클리닝 처리를 할 수 있다.
(실시 형태의 제2 변형예)
다음으로, 도 8을 참조하여, 본 발명의 실시 형태의 제2 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 대해 설명한다.
본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법은, 제1 기판 처리실의 웨이퍼를 처리 완료된 웨이퍼로부터 미처리된 웨이퍼로 교환하는 제1 반출 공정과 제1 반입 공정의 사이에 6개의 다른 스텝을 행하는 점에서, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법과 상이하다. 즉, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서, 제1 반출 공정을 행한 후, 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제2 반출 공정과, 제2 반입 공정이라는 2개의 다른 스텝을 행하는 것과 상이하고, 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에서는, 제1 반출 공정을 행한 후, 제2 반입 공정을 행하기 전에, 제4 반출 공정을 행하고, 제2 반입 공정을 행한 후, 제2 반출 공정을 행하기 전에, 제4 반입 공정과 제5 반출 공정을 행하고, 제2 반출 공정을 행한 후, 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제5 반입 공정을 행한다.
즉, 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에서는, 제1 반출 공정을 행한 후, 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제4 반출 공정, 제2 반입 공정, 제4 반입 공정, 제5 반출 공정, 제2 반출 공정, 제5 반입 공정의 6개의 스텝을 행한다.
또한, 본 변형예에 따른 기판 교환 방법을 행할 수 있는 기판 처리 장치는, 복수의 기판 처리실과, 복수의 로드락실과, 기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 2개의 반송 부재에 의해 기판을 복수의 기판 처리실 및 복수의 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와, 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하고 있다. 즉, 도 1에 나타내는 기판 처리 장치에 있어서, 적어도 2개의 기판 처리실을 구비하고, 적어도 2개의 로드락실을 구비하고 있으면 좋다. 또한, 본 변형예에서는 일 예로서, 3개의 기판 처리실과 2개의 로드락실을 구비하고 있는 경우에 대해 설명한다.
또한, 실시 형태와 동일하게, 이하, 반송 장치라고 할 때는, 처리 유닛측 반송 장치를 가리키는 것으로 한다.
도 8은 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법에 있어서의 반송 부재, 기판 처리실 및 로드락실의 지지 웨이퍼의 유무 그리고 기판 처리실 및 로드락실 내부의 상태를 설명하는 타임 차트이다.
또한, 도 8에 나타내는 타임 차트에서는, 위의 행으로부터 순서대로, 스텝 번호, 반송 장치(80)의 제1 반송 부재(80a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 반송 장치(80)의 제2 반송 부재(80b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 기판 처리실(40a)의 상태, 제2 기판 처리실(40b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 기판 처리실(40b)의 상태, 제3 기판 처리실(40c)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제3 기판 처리실(40c)의 상태, 제1 로드락실(60a)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제1 로드락실(60a)의 상태, 제2 로드락실(60b)의 지지 웨이퍼의 웨이퍼 번호, 제2 로드락실(60b)의 상태를 나타낸다.
본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 기판 교환 방법의 최소 단위는, 도 8에 나타나는 스텝 S201 내지 스텝 S208을 포함한다. 스텝 S201 내지 스텝 S208의 각각은, 본 발명에 있어서의 제1 반출 공정, 제4 반출 공정, 제2 반입 공정, 제4 반입 공정, 제5 반출 공정, 제2 반출 공정, 제5 반입 공정 및 제1 반입 공정의 각 공정에 해당한다.
스텝 S201은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S202는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S203은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)로 반입하는 공정이다. 스텝 S204는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 기판 처리실(40b)로 반입하는 공정이다. 스텝 S205는 웨이퍼(W2)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제3 기판 처리실(40c)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S206은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 로드락실(60b)로부터 반출하는 공정이다. 스텝 S207은 웨이퍼(W2)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제2 로드락실(60b)로 반입하는 공정이다. 스텝 S208은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 또한, 웨이퍼(W1)는 본 발명에 있어서의 제1 기판에 해당하고, 웨이퍼(W4)는 본 발명에 있어서의 제2 기판에 해당하며, 웨이퍼(W3)는 본 발명에 있어서의 제3 기판에 해당하고, 웨이퍼(W2)는 본 발명에 있어서의 제4 기판에 해당한다.
스텝 S201을 개시하기 전의 상태는, 도 8의 스텝 S200이 종료된 상태, 즉, 제1 기판 처리실(40a)에서 웨이퍼(W1)의 기판 처리를 한 후의 상태이다. 도 8의 스텝 S200의 열에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 기판 처리실(40a)에는 처리 완료된 웨이퍼로서 웨이퍼(W1)가 지지되어 있으며, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제3 기판 처리실(40c)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W2)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W3)가 지지되어 있다. 또한, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않아도 좋고, 지지되어 있어도 좋다.
가장 먼저, 스텝 S201을 행한다. 스텝 S201은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로부터 반출하는 공정이다. 제1 기판 처리실(40a)의 기판 처리가 완료되어 있는 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 열어, 제1 반송 부재(80a)를 제1 기판 처리실(40a) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에 지지되어 있는 웨이퍼(W1)를 지지하고, 웨이퍼(W1)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제1 기판 처리실(40a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫는다. 도 8의 스텝 S201의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S201이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제1, 제2 기판 처리실(40a, 40b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제3 기판 처리실(40c)에는 처리 중인 웨이퍼로서 웨이퍼(W2)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 미처리된 웨이퍼로서 웨이퍼(W3)가 지지되어 있다. 또한, 제2 로드락실(60b)에는, 웨이퍼가 지지되어 있지 않아도 좋고, 지지되어 있어도 좋다.
여기에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫은 후, 재치대(42a)에 웨이퍼가 지지되어 있지 않은 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)에 있어서 클리닝 처리를 개시한다. 실시 형태와 동일하게, 예를 들면, 제1 기판 처리실(40a)에 설치된 도시하지 않은 플라즈마 발생 수단을 이용하여, 제1 기판 처리실(40a) 내에 플라즈마를 발생시켜, 성막 처리 등의 기판 처리 동안에 제1 기판 처리실(40a)의 내벽에 부착된 부착물을 에칭 제거함으로써, 클리닝 처리를 할 수 있다.
다음으로, 스텝 S202를 행한다. 스텝 S202는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)로부터 반출하는 공정이다. 제1 로드락실(60a)이 진공인 상태에서, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 열어, 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에 지지되어 있는 웨이퍼(W3)를 지지하고, 웨이퍼(W3)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제1 로드락실(60a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 닫는다. 도 8의 스텝 S202의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S202가 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1, 제2 기판 처리실(40a, 40b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S202를 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S203을 행한다. 스텝 S203은 웨이퍼(W1)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)로 반입하는 공정이다. 제1 로드락실(60a)이 진공인 상태에서, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 열어, 웨이퍼(W1)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제1 로드락실(60a) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제1 로드락실(60a)의 재치대(62a)에 웨이퍼(W1)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제1 반송 부재(80a)를 제1 로드락실(60a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 로드락실(60a)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54a)를 닫는다. 도 8의 스텝 S203의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S203이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제1, 제2 기판 처리실(40a, 40b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S203을 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S204를 행한다. 스텝 S204는 웨이퍼(W3)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 기판 처리실(40b)로 반입하는 공정이다. 제2 기판 처리실(40b)의 클리닝 처리가 종료되어 있는 상태에서, 제2 기판 처리실(40b)의 게이트 밸브(44b)를 열어, 웨이퍼(W3)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제2 기판 처리실(40b)로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 기판 처리실(40b)의 재치대(42b)에 웨이퍼(W3)를 올려놓고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제2 반송 부재(80b)를 제2 기판 처리실(40b)로부터 퇴각시키고, 제2 기판 처리실(40b)의 게이트 밸브(44b)를 닫는다. 도 8의 스텝 S204의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S204가 행해진 후에는, 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있고, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있으며, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있고, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S204를 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S205를 행한다. 스텝 S205는 웨이퍼(W2)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제3 기판 처리실(40c)로부터 반출하는 공정이다. 제3 기판 처리실(40c)의 기판 처리가 완료되어 있는 상태에서, 제3 기판 처리실(40c)의 게이트 밸브(44c)를 열어, 제1 반송 부재(80a)를 제3 기판 처리실(40c) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제3 기판 처리실(40c)의 재치대(42c)에 지지되어 있는 웨이퍼(W2)를 지지하고, 웨이퍼(W2)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제3 기판 처리실(40c)로부터 퇴각시키고, 제3 기판 처리실(40c)의 게이트 밸브(44c)를 닫는다. 도 8의 스텝 S205의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S205가 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W1)가 지지되어 있으며, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S205를 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S206을 행한다. 스텝 S206은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 로드락실(60b)로부터 반출하는 공정이다. 제2 로드락실(60b)의 내부가 진공인 상태에서, 제2 로드락실(60b)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54b)를 열어, 제2 반송 부재(80b)를 제2 로드락실(60b) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제2 로드락실(60b)의 재치대(62b)에 지지되어 있는 웨이퍼(W4)를 지지하고, 웨이퍼(W4)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제2 로드락실(60b) 내로부터 퇴각시키고, 제2 로드락실(60b)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54b)를 닫는다. 도 8의 스텝 S206의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S206이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W5)가 지지되어 있으며, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않다.
또한, 스텝 S206을 행하는 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 내부에서는, 계속하여 클리닝 처리가 행해지고 있다.
다음으로, 스텝 S207을 행한다. 스텝 S207은 웨이퍼(W2)를 제1 반송 부재(80a)에 의해 제2 로드락실(60b)로 반입하는 공정이다. 제2 로드락실(60b)의 내부가 진공인 상태에서, 제2 로드락실(60b)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54b)를 열어, 웨이퍼(W2)를 지지한 채 제1 반송 부재(80a)를 제2 로드락실(60b) 내로 진출시키고, 제1 반송 부재(80a)에 의해 제2 로드락실(60b)의 재치대(62b)에 웨이퍼(W2)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제1 반송 부재(80a)를 제2 로드락실(60b) 내로부터 퇴각시키고, 제2 로드락실(60b)의 반송실(50)측의 게이트 밸브(54b)를 닫는다. 도 8의 스텝 S207의 열에 나타내는 바와 같이, 스텝 S207이 행해진 후에는, 제1 반송 부재(80a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 반송 부재(80b)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있으며, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있으며, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W5)가 지지되어 있으며, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있다.
또한, 스텝 S207이 종료되는 것과 대략 동시에, 또는 스텝 S207이 종료된 후, 다음 스텝 S208이 개시되기 전에, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리를 종료한다.
다음으로, 스텝 S208을 행한다. 스텝 S208은 웨이퍼(W4)를 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)로 반입하는 공정이다. 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리가 종료되어 있는 상태에서, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 열어, 웨이퍼(W4)를 지지한 채 제2 반송 부재(80b)를 제1 기판 처리실(40a) 내로 진출시키고, 제2 반송 부재(80b)에 의해 제1 기판 처리실(40a)의 재치대(42a)에 웨이퍼(W4)를 지지시키고, 웨이퍼를 지지하고 있지 않은 제2 반송 부재(80b)를 제1 기판 처리실(40a) 내로부터 퇴각시키고, 제1 기판 처리실(40a)의 게이트 밸브(44a)를 닫는다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 스텝 S208이 행해진 후에는, 제1, 제2 반송 부재(80a, 80b)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않고, 제1 기판 처리실(40a)에는 웨이퍼(W4)가 지지되어 있으며, 제2 기판 처리실(40b)에는 웨이퍼(W3)가 지지되어 있고, 제3 기판 처리실(40c)에는 웨이퍼가 지지되어 있지 않으며, 제1 로드락실(60a)에는 웨이퍼(W5)가 지지되어 있고, 제2 로드락실(60b)에는 웨이퍼(W2)가 지지되어 있다.
이상과 같이, 스텝 S201 내지 스텝 S208을 행함으로써, 제1 기판 처리실(40a)의 기판을 웨이퍼(W1)로부터 웨이퍼(W4)로 교환하는 작업을 할 수 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 제1 기판 처리실(40a)로부터 처리 완료된 웨이퍼인 웨이퍼(W1)를 반출하는 스텝 S201에서, 제1 기판 처리실(40a)로 미처리된 웨이퍼인 웨이퍼(W4)를 반입하는 스텝의 직전의 스텝인 스텝 207까지의 7스텝 동안, 제1 기판 처리실(40a)의 클리닝 처리를 할 수 있고, 그 동안에 반송 장치(80)는 웨이퍼(W3)를 제1 로드락실(60a)로부터 반출하고, 웨이퍼(W1)를 제1 로드락실(60a)로 반입하고, 웨이퍼(W3)를 제2 기판 처리실(40b)로 반입하고, 웨이퍼(W2)를 제3 기판 처리실(40c)로부터 반출하고, 웨이퍼(W4)를 제2 로드락실(60b)로부터 반출하고, 웨이퍼(W2)를 제2 로드락실(60b)로 반입하는 작업을 할 수 있다.
그 후, 스텝 S209 내지 스텝 S212를 행함으로써, 웨이퍼(W3)를 제2 기판 처리실(40b)로부터 반출하는(스텝 S209) 등의 작업을 할 수 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 스텝 S205 내지 스텝 S211의 7스텝 동안, 제3 기판 처리실(40c)의 클리닝 처리를 할 수 있다.
또한, 스텝 S209 내지 스텝 S211 동안, 제1 기판 처리실(40a)에서 웨이퍼(W4)의 기판 처리를 할 수 있다.
또한, 제1∼제3의 3개의 기판 처리실(40a∼40c), 제1, 제2의 2개의 로드락실(60a, 60b)을 사용하는 경우에는, 스텝 S213 이후에 있어서, 스텝 S201 내지 스텝 S212와 동일한 동작을 반복할 수 있다. 즉, 1개의 기판 처리실의 처리의 최소 단위는, 스텝 S201 내지 스텝 S212의 12스텝이다.
본 변형예에서도, 실시 형태와 동일하게, 반송 장치가 제1 및 제2 반송 부재에 웨이퍼를 지지한 채 각 기판 처리실의 클리닝 처리가 종료되는 것을 대기하지 않는다. 따라서, 종래의 방법에 비하여, 1개의 기판 처리실에 있어서의 웨이퍼 1매의 기판 처리에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 변형예에서도, 실시 형태에서 도 6을 이용하여 설명한 것과 동일하게, 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하지 않은 율속 시간(T1)이, 종래의 기판 처리실의 클리닝 처리의 대기 시간을 포함하는 율속 시간(T0)보다 작다. 따라서, 본 변형예에 따른 기판 처리 장치의 스루풋(P1)은, 종래의 기판 처리 장치의 스루풋(P0)보다 크다. 즉, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시켜, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시킬 수 있다.
또한, 본 변형예에서도, 반송 장치가 본래 갖는 스루풋을 발휘시킨 상태에서, 실시 형태 및 실시 형태의 제1 변형예보다 오랫동안 각 기판 처리실의 클리닝 처리를 할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 기술했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 특허 청구의 범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 여러 가지 변형·변경이 가능하다.
10 : 처리 유닛
20 : 반송 유닛
30 : 반송실
32a, 32b : 카세트대
34a, 34b : 카세트 용기
36a, 36b : 게이트 밸브
37 : 오리엔터
40a∼40f : 기판 처리실
42a∼42f : 재치대
44a∼44f : 게이트 밸브
50 : 반송실
54a, 54b : 게이트 밸브
60a, 60b : 로드락실
62a, 62b : 재치대
64a, 64b : 게이트 밸브
70 : 반송 유닛측 반송 장치
80 : 처리 유닛측 반송 장치(반송 장치)
80a : 제1 반송 부재
80b : 제2 반송 부재
90 : 제어부
100 : 기판 처리 장치
W, W1∼W6 : 웨이퍼

Claims (8)

  1. 기판 처리실과, 로드락실과, 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 기판 처리실 및 상기 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서의 상기 기판 처리실에서 처리하는 기판의 교환을 행하는 기판 교환 방법에 있어서,
    제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로부터 반출하는 제1 반출 공정과,
    제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로 반입하는 제1 반입 공정을 갖고,
    상기 제1 반출 공정을 행한 후, 상기 제1 반입 공정을 행하기 전에,
    상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 로드락실로부터 반출하는 제2 반출 공정과,
    상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 로드락실로 반입하는 제2 반입 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 교환 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 반입 공정에 있어서, 상기 제2 반출 공정을 행한 후, 상기 제2 반출 공정에서 상기 제2 기판을 반출한 로드락실로 상기 제1 기판을 반입하는 것을 특징으로 하는 기판 교환 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 복수의 기판 처리실을 구비하고,
    상기 제1 반출 공정을 행한 후, 상기 제2 반출 공정을 행하기 전에, 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하는 제3 반입 공정과,
    상기 제2 반입 공정을 행한 후, 상기 제1 반입 공정을 행하기 전에, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하는 제3 반출 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 교환 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 복수의 로드락실을 구비하고,
    상기 제2 반입 공정에 있어서, 상기 제1 기판을 제1 로드락실로 반입하고,
    상기 제2 반출 공정에 있어서, 상기 제2 반입 공정을 행한 후, 상기 제2 기판을 제2 로드락실로부터 반출하는 것을 특징으로 하는 기판 교환 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 복수의 기판 처리실을 구비하고,
    상기 제1 반출 공정을 행한 후, 상기 제2 반입 공정을 행하기 전에,
    제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 상기 제1 로드락실로부터 반출하는 제4 반출 공정을 행하고,
    상기 제2 반입 공정을 행한 후, 상기 제2 반출 공정을 행하기 전에,
    상기 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하는 제4 반입 공정과,
    제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하는 제5 반출 공정을 행하고,
    상기 제2 반출 공정을 행한 후, 상기 제1 반입 공정을 행하기 전에,
    상기 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 제2 로드락실로 반입하는 제5 반입 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 교환 방법.
  6. 기판 처리실과,
    로드락실과,
    기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 상기 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 기판 처리실 및 상기 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와,
    상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 제어부는,
    제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로부터 반출한 후, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 기판 처리실로 반입하기 전에,
    상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 상기 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 로드락실로 반입하도록, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 복수의 기판 처리실과,
    로드락실과,
    기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 상기 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 복수의 기판 처리실 및 상기 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와,
    상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 제어부는,
    제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 제1 기판 처리실로부터 반출한 후, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 제1 기판 처리실로 반입하기 전에,
    제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하고, 다음으로, 상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 상기 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 로드락실로 반입하고, 다음으로, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하도록, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 복수의 기판 처리실과,
    복수의 로드락실과,
    기판을 반송하는 2개의 반송 부재를 갖고, 상기 2개의 반송 부재에 의해 기판을 상기 복수의 기판 처리실 및 상기 복수의 로드락실로 반입·반출 가능한 반송 장치와,
    상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 제어부는,
    제1 기판을 제1 반송 부재에 의해 제1 기판 처리실로부터 반출한 후, 제2 기판을 제2 반송 부재에 의해 상기 제1 기판 처리실로 반입하기 전에,
    제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제1 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제1 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 제1 로드락실로 반입하고, 다음으로, 상기 제3 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 기판 처리실로 반입하고, 다음으로, 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 제3 기판 처리실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제2 기판을 상기 제2 반송 부재에 의해 제2 로드락실로부터 반출하고, 다음으로, 상기 제4 기판을 상기 제1 반송 부재에 의해 상기 제2 로드락실로 반입하도록, 상기 반송 장치에 의한 기판의 반입·반출을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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