JP6766235B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6766235B2 JP6766235B2 JP2019144170A JP2019144170A JP6766235B2 JP 6766235 B2 JP6766235 B2 JP 6766235B2 JP 2019144170 A JP2019144170 A JP 2019144170A JP 2019144170 A JP2019144170 A JP 2019144170A JP 6766235 B2 JP6766235 B2 JP 6766235B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- data
- processing chamber
- reference data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 341
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 193
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 22
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 139
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 16
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図1から図7を用いて説明する。図1は本実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明する説明図である。図2はモジュールの横断面図である。図3、図4はモジュールを上方から見た図であり、各構成を説明する説明図である。図5、図6はモジュールにガスを供給するガス供給部の説明図である。図7はコントローラを説明する説明図である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図1用いて説明する。
基板処理装置100の手前には、IOステージ(ロードポート)110が設置されている。IOステージ110上には複数のポッド111が搭載されている。ポッド111はシリコン(Si)基板などのPWを搬送するキャリアとして用いられる。ポッド111内には、複数のPWを多段に水平姿勢で支持する支持部が設けられている。
ロードロック室130は大気搬送室120に隣接する。ロードロック室130を構成する筐体131が有する面のうち、大気搬送室120と異なる面には、後述する真空搬送室140が配置される。
基板処理装置100は、負圧下でPWが搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室(トランスファモジュール)140を備えている。真空搬送室140には、ロードロック室130、PWを処理するモジュール200(モジュール200aから200b)、複数のダミーウエハ(Dummy Wafer)DW(以下DWと呼ぶ。)が格納されるDW格納室150が連結されている。真空搬送室140の略中央部には、負圧下でPWを移載(搬送)する搬送部としての真空搬送ロボット170が設置されている。
DW格納室150は複数のDWを格納する。DWは、PWと異なり、実際の半導体デバイスの製品にならないウエハである。モジュール200において一括で処理可能な最大ウエハ枚数が複数枚(図1においては4枚)であるのに対して、処理するPWがその最大ウエハ枚数に満たない場合(例えば3枚)に、足りない分を補うべく、DWを用いる。
モジュール200は複数設けられてもよい。例えば、図1のように二つ設けてもよい。ここでは説明の便宜上、一方をモジュール200aと呼び、他方をモジュール200bと呼ぶ。
容器202の雰囲気を排気する排気系260を説明する。排気系260は、それぞれの処理空間209(209aから209d)に対応するように設けられている。例えば、処理空間209aは排気系260a、処理空間209bは排気系260b、処理空間209cは排気系260c、処理空間209dは排気系260dが対応する。
(第一ガス供給部310)
続いて、図5を用いて第一ガス供給部310を説明する。ここでは各ガス導入孔231に接続される第一処理ガス供給部310を説明する。
続いて、図6を用いて第二ガス供給部340を説明する。ここでは各ガス導入孔233に接続される第二ガス供給部340を説明する。
続いてプラズマ制御部370を説明する。
プラズマ制御部370(370aから370d)はそれぞれのプラズマ生成部345(345aから345d)に電気的に接続され、プラズマ生成部345を制御する。
各プラズマ制御部370は、配線371(371aから371d)を有し、配線371には高周波電源372(372aから372d)、整合器373(373aから373d)が設けられる。高周波電源372の一端はアースに接続される。高周波電源372からプラズマ生成部345に電力を供給することで、分配管342を通過するガスをプラズマ状態とする。
基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御するコントローラ280を有している。
続いて、基板処理方法について説明する。ここでは、図8に記載のように、PW上に膜102を形成する。膜102は、例えばシリコン窒化膜(SiN膜)である。膜102は、102(1)から102(n)(n=2、・・・、n)で構成される。
(S201)
ここでは、PWを搬入する基板移動工程S201を説明する。真空搬送ロボット170は基板搬入出口205から処理室201内に進入し、PWを回転トレー220の穴部224に載置する。本工程では、第一の製品ウエハであるPW(1)を基板搬入出口205に隣接する穴部224aに載置する。なお、本実施形態においてはPW(1)を最初に搬入する処理室201を第一の処理室とも呼ぶ。また、それ以外の処理室を他の処理室とも呼ぶ。
ここではレシピ読み出し工程を説明する。コントローラ280は、基板の種類及び枚数に応じたレシピプログラムを記憶装置280cから読み出す。具体的には、DWを用いない場合はS203(1)でDWレスのレシピプログラムを読み出す。DWを用いる場合は、DW用レシピを読み出す。
基板処理工程を説明する。ここでは、S202で読み出したレシピプログラムによって各部品が制御され、PW(1)上に膜102(1)を形成する。処理空間209aに移動したPW(1)が所定の温度に維持されたら、処理空間209aに第一ガス、第二ガスを供給し、他の処理空間209b、209c、209dに第一ガス、第二ガスを供給しないよう第一ガス供給部310、第二ガス供給部340を制御する。第二ガス供給部340から供給される第二ガス、例えばNH3ガスをプラズマ状態とする場合は、プラズマ生成部345を起動した状態でNH3ガスを供給する。第一ガスと第二ガスは処理室201a内で反応し、PW(1)上に膜102(1)が形成される。
ここではPW(1)を移動すると共にPW(2)を搬入する基板移動工程について説明する。所定時間経過し、PW(1)上に膜102(1)が形成されたら、第一ガス、第二ガスの供給を停止する。その後、回転トレー222を上昇させて基板載置面211aからPW(1)を離間させる。離間させた後、穴部224aが基板載置面211b上に移動するよう、回転トレー222を時計回り方向に90度回転させる。回転が完了すると、基板載置面211b上に穴部224aが配され、基板載置面211a上に穴部224dが配される。回転が完了したら、ゲートバルブ208を開放し、PW(2)を穴部224dに載置する。DWを用いた場合は、穴部224dに載置されたDWとPW(2)を交換する。
ここでは、処理空間209aでPW(2)を、処理空間209bでPW(1)を処理する基板処理工程について説明する。
(処理空間209a、209bでの処理)
処理空間209aでは、S202における処理空間209aと同様の処理を行い、PW(2)上に膜102(1)を形成する。また、処理空間209bでは、空間209aと同様にガスが供給され、PW(1)に形成された膜102(1)上に膜102(2)を形成する。
DWを用いない場合、PWが存在しない処理室201c、201dに不活性ガスを供給してガスカーテンを形成し、処理室201a、201bに供給されたガスが基板載置面211c、211dに供給されないよう制御する。
ここではPW(1)、PW(2)を移動すると共に、PW(3)を搬入する基板移動
工程S206について説明する。所定時間経過し、PW(1)に膜102(2)が形成され、PW(2)に膜102(1)が形成されたら、処理ガスの供給を停止する。その後、回転トレー222を上昇させて基板載置面211a、基板載置面211bから基板を離間させ、S203と同様の方法でPW(1)を基板載置面211c上に載置し、PW(2)を基板載置面211bに載置する。更には、PW(3)を搬入して穴部224cに載置し、他のPWと同様、基板載置面211a上にPW(3)を載置する。DWを用いた場合は、穴部224cに載置されたDWとPW(3)を交換する。
ここでは、PWが存在する処理空間209a、処理空間209b、処理空間209cで基板を処理する基板処理工程S207について説明する。
(処理空間209a、処理空間209b、処理空間209cでの処理)
処理空間209aでは、S202と同様の処理を行い、PW(3)上に膜102(1)を形成する。処理空間209aでは、S202における処理空間209aと同様の処理を行い、PW(3)上に膜102(1)を形成する。処理空間209bでは、処理空間209aと同様にガスが供給され、PW(2)に形成された膜102(1)上に膜102(2)を形成する。処理空間209cでは、処理空間209aと同様にガスが供給され、PW(1)に形成された膜102(2)上に膜102(3)を形成する。
DWを用いない場合、PWが存在しない処理室201dに不活性ガスを供給してガスカーテンを形成し、処理室201a、201b、201cに供給されたガスが基板載置面211dに供給されないよう制御する。
ここではPW(1)、PW(2)、PW(3)を移動すると共に、PW(4)を搬入する基板移動工程S208について説明する。
所定時間経過し、PW(1)に膜102(3)が形成され、PW(2)に膜102(2)が形成され、PW(3)に膜102(1)が形成されたら、処理ガスの供給を停止する。その後、回転トレー222を上昇させて基板載置面211a、基板載置面211b、基板載置面211cから基板を離間させ、S203、S205と同様の方法でPW(1)を基板載置面211d上に載置し、PW(2)を基板載置面211cに載置し、PW(3)を基板載置面211bに載置する。更には、PW(4)を搬入して穴部224bに載置し、他のPW同様、基板載置面211a上にPW(4)を載置する。DWを用いた場合は、穴部224bに載置されたDWとPW(4)を交換する。
ここでは、PWが存在する処理室201a、処理室201b、処理室201c、処理室201dで基板を処理する基板処理工程S209について説明する。
(処理空間209a、処理空間209b、処理空間209c、処理空間209dでの処理)
処理空間209aでは、S202と同様の処理を行い、PW(4)上に膜102(1)を形成する。処理空間209bでは、S202における処理空間209aと同様の処理を行い、PW(3)上に膜102(2)を形成する。処理空間209cでは、処理空間209aと同様にガスが供給され、PW(2)に形成された膜102(2)上に膜102(3)を形成する。処理空間209dでは、処理空間209aと同様にガスが供給され、PW(1)に形成された膜102(3)上に膜102(4)を形成する。
ここではPW(1)、PW(2)、PW(3)、PW(4)を移動すると共に、処理済みのPW(1)と新たに処理するPW(5)を入れ替える工程S209について説明する。
基準データは、上記実施例では初期値を例にして説明したが、それに限るものではない。例えば基準データは、それぞれのモジュール200に関連するデータのうち最も高品質のデータ、他のモジュールのデータ、他の基板処理装置のデータであっても良い。
200 モジュール
242 温度モニタ部
268 圧力モニタ部
280 コントローラ
374 プラズマモニタ部
PW 製品ウエハ
DW ダミーウエハ
Claims (10)
- 第一の処理室と他の処理室とを有するモジュールに基板を搬送する基板移動工程と、
前記基板の種類及び枚数に応じたレシピプログラムを読み出すレシピ読み出し工程と、
前記レシピプログラムに応じて前記基板を処理する基板処理工程とを有し、
前記基板処理工程では、前記第一の処理室の状態を示す第一のデータと、他の処理室の状態を示す他のデータとをそれぞれ検出すると共に、前記第一のデータと予め取得された第一の基準データとの比較、及び前記他のデータと予め取得された他の基準データとの比較を、表示画面に表示し、
前記基板の種類が製品基板及びダミー基板であれば、
前記製品基板が前記モジュールの最大処理枚数より少ない場合、前記製品基板との合計が前記最大処理枚数となるよう前記ダミー基板を準備し、
前記基板移動工程では、前記製品基板と前記ダミー基板を前記処理室に搬入し、
前記基板処理工程では、前記基準データとして、前記製品基板の枚数と前記ダミー基板の枚数に対応した基準データを表示する
半導体装置の製造方法。 - 前記モジュールは複数設けられ、
更にロットのウエハ情報を受信する工程とを有し、
前記第一のデータと予め取得された第一の基準データとの比較結果、前記他のデータと予め取得された他の基準データとの比較結果、及びロットのウエハ情報に応じて、前記製品基板の搬送先のモジュールを設定する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記処理室のそれぞれはヒータを有し、前記処理室の状態とは前記ヒータの近傍で検出した温度情報である請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理室のそれぞれにはプラズマ生成部が設けられ、前記処理室の状態とはプラズマ生成の状態である請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理室のそれぞれには圧力検出部が設けられ、前記処理室の状態とは前記処理室の圧力状態である請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基準データは他の基板処理工程のデータである請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基準データは、処理後の製品基板の品質が最も高い基板処理工程のデータである請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基準データは、あらかじめ記憶された制御値である請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 第一の処理室と他の処理室とを有するモジュールと、
前記モジュールに設けられ、それぞれで基板を処理する複数の処理室と、
前記基板の種類及び枚数に応じたレシピプログラム及び、予め取得された第一の基準データと他の基準データが記憶された記憶部と、
前記処理室の状態を検出する処理室状態モニタ部と、
前記基板の種類及び枚数に応じたレシピプログラムを読み出して、前記レシピプログラムに応じて前記基板を処理すると共に、前記処理室状態モニタ部が前記第一の処理室の状態を示す第一のデータと、他の処理室の状態を示す他のデータとをそれぞれ検出し、更に前記第一のデータと予め取得された第一の基準データとの比較、及び前記他のデータと予め取得された他の基準データとの比較を表示画面に表示し、
前記基板の種類が製品基板及びダミー基板であれば、前記製品基板が前記モジュールの最大処理枚数より少ない場合、前記製品基板との合計が前記最大処理枚数となるよう前記ダミー基板を準備し、
前記製品基板と前記ダミー基板を前記処理室に搬入し、
前記基板を処理する際、前記基準データとして、前記製品基板の枚数と前記ダミー基板の枚数に対応した基準データを表示する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 第一の処理室と他の処理室とを有するモジュールに基板を移動し、
前記基板の種類及び枚数に応じたレシピプログラムを読み出し、
前記レシピプログラムに応じて前記基板を処理し、
前記基板を処理する際には、前記第一の処理室の状態を示す第一のデータと、他の処理室の状態を示す他のデータとをそれぞれ検出すると共に、前記第一のデータと予め取得された第一の基準データとの比較、及び前記他のデータと予め取得された他の基準データとの比較を、表示画面に表示し、
前記基板の種類が製品基板及びダミー基板であれば、前記製品基板が前記モジュールの最大処理枚数より少ない場合、前記製品基板との合計が前記最大処理枚数となるよう前記ダミー基板を準備し、
前記製品基板と前記ダミー基板を前記処理室に移動し、
前記基板を処理する際、前記基準データとして、前記製品基板の枚数と前記ダミー基板の枚数に対応した基準データを表示するよう基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019144170A JP6766235B2 (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019144170A JP6766235B2 (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017135413A Division JP6586440B2 (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019208066A JP2019208066A (ja) | 2019-12-05 |
JP6766235B2 true JP6766235B2 (ja) | 2020-10-07 |
Family
ID=68767825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019144170A Active JP6766235B2 (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6766235B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7076499B2 (ja) * | 2020-06-22 | 2022-05-27 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5855841B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2016-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 管理装置 |
JP5921200B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2016-05-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム |
JP6204344B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2017-09-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム、管理装置、及び表示方法 |
JP6144924B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2017-06-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム |
WO2014115643A1 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体 |
US9797042B2 (en) * | 2014-05-15 | 2017-10-24 | Lam Research Corporation | Single ALD cycle thickness control in multi-station substrate deposition systems |
-
2019
- 2019-08-06 JP JP2019144170A patent/JP6766235B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019208066A (ja) | 2019-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101882773B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
US20180350642A1 (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device | |
WO2018061145A1 (ja) | 基板処理装置、振動検出システム及びプログラム | |
KR102292430B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP6586440B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
TWI761758B (zh) | 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
JP6766235B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
KR20200012665A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP6476370B2 (ja) | 記録媒体、プログラム、半導体装置の製造方法および基板処理装置。 | |
US20190198335A1 (en) | Substrate processing method | |
JP6992156B2 (ja) | 処理装置、排気システム、半導体装置の製造方法 | |
KR20190032982A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
CN110911261B (zh) | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 | |
JP6823575B2 (ja) | 基板処理装置、反応管及び半導体装置の製造方法 | |
JP7038770B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム | |
JP6906559B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
US20240321597A1 (en) | Substrate processing apparatus, cleaning method, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
EP4435839A1 (en) | Substrate processing apparatus, cleaning method, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and program | |
JP2013201333A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 | |
JP2014130895A (ja) | 基板処理装置及び基板搬送方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014146651A (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190808 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6766235 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |