JP2005150259A - 基板処理装置及びその制御方法 - Google Patents
基板処理装置及びその制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005150259A JP2005150259A JP2003383008A JP2003383008A JP2005150259A JP 2005150259 A JP2005150259 A JP 2005150259A JP 2003383008 A JP2003383008 A JP 2003383008A JP 2003383008 A JP2003383008 A JP 2003383008A JP 2005150259 A JP2005150259 A JP 2005150259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- setting information
- dummy wafer
- substrate
- processing apparatus
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 158
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 47
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 214
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体ウエハWにエッチング処理を施すプラズマ処理システム2は、HDD82及びCRT85を有する制御ユニット80を備え、制御ユニット80はフープ76における複数種類のダミーウエハの配置を表す収容状況をダミーウエハ設定情報としてHDD82に記憶し、ユーザはダミーウエハ設定情報の設定入力の際、HDD82に記憶されたダミーウエハ設定情報の内容をCRT85に表示させ、該表示されたダミーウエハ設定情報の内容を編集することによってダミーウエハ設定情報の設定入力を行う。
【選択図】 図4
Description
1 プラズマ処理装置
2 プラズマ処理システム
11 処理室
53 基板搬出入ステージ
54 フープ台
56 搬送室
58 ロードロック室
59,65 搬送アーム
76 フープ
77 ポート
80 制御ユニット
81 通信ケーブル
82 HDD
83 RAM
84 CPU
85 CRT
300 ダミーウエハ設定情報編集画面
301 ダミーウエハ設定情報名表示欄
302 Searchボタン
303 Saveボタン
304 Newボタン
305 Cancelボタン
306 ダミーウエハ設定情報内容表示部
307 ダミーウエハ詳細情報欄
308 スロット番号欄
309 ダミーウエハ種類欄
310 プラズマ処理装置番号欄
311 Okボタン
500 フープ
501 本体
502 蓋体
503 ダミーウエハ
Claims (8)
- 基板を処理する少なくとも1つの真空処理室と、前記基板を搬送する少なくとも1つの搬送室と、前記真空処理室又は前記搬送室の検査用の基板を複数収容する容器とを備える基板処理装置において、
前記容器における前記複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶する記憶部を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記設定情報の内容を表示する表示部を備え、前記記憶部は複数の設定情報を記憶し、前記容器の装着の際、前記表示部は前記複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記記憶部は、前記選択された所望の設定情報に基づいて編集された他の設定情報を記憶することを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記容器を複数備え、前記真空処理室又は前記搬送室の検査の際、前記複数の容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する少なくとも1つの真空処理室と、前記基板を搬送する少なくとも1つの搬送室と、前記真空処理室又は前記搬送室の検査用の基板を複数収容する容器とを備える基板処理装置の制御方法において、
前記容器における前記複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶する記憶工程を有することを特徴とする基板処理装置の制御方法。 - 前記記憶工程では複数の設定情報が記憶され、前記容器の装着の際、前記複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示する表示工程を有することを特徴とする請求項5記載の基板処理装置の制御方法。
- 前記記憶工程では、前記選択された所望の設定情報に基づいて編集された他の設定情報を記憶することを特徴とする請求項6記載の基板処理装置の制御方法。
- 前記真空処理室又は前記搬送室の検査の際、複数の前記容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択する選択工程を有することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の基板処理装置の制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003383008A JP4673548B2 (ja) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 基板処理装置及びその制御方法 |
US10/984,982 US7455747B2 (en) | 2003-11-12 | 2004-11-10 | Substrate processing apparatus, control method for the apparatus, and program for implementing the method |
CNB2004100908446A CN1326202C (zh) | 2003-11-12 | 2004-11-12 | 基板处理装置及其控制方法 |
US12/125,959 US7640072B2 (en) | 2003-11-12 | 2008-05-23 | Substrate processing apparatus, control method for the apparatus, and program for implementing the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003383008A JP4673548B2 (ja) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 基板処理装置及びその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150259A true JP2005150259A (ja) | 2005-06-09 |
JP4673548B2 JP4673548B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=34631382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003383008A Expired - Lifetime JP4673548B2 (ja) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 基板処理装置及びその制御方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7455747B2 (ja) |
JP (1) | JP4673548B2 (ja) |
CN (1) | CN1326202C (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161799A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2013225659A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-10-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム |
JP2016066714A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
KR20200031025A (ko) * | 2018-09-13 | 2020-03-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 방법 및 열처리 장치 |
JP7487024B2 (ja) | 2020-06-30 | 2024-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7462011B2 (en) * | 2004-08-12 | 2008-12-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, sealed container storing apparatus, program for implementing the substrate processing method, and storage medium storing the program |
JP4907077B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-03-28 | 株式会社Sen | ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置 |
US9305814B2 (en) * | 2004-12-20 | 2016-04-05 | Tokyo Electron Limited | Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method |
US7601404B2 (en) * | 2005-06-09 | 2009-10-13 | United Microelectronics Corp. | Method for switching decoupled plasma nitridation processes of different doses |
JP5128080B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御装置およびその制御方法 |
US20080041716A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Schott Lithotec Usa Corporation | Methods for producing photomask blanks, cluster tool apparatus for producing photomask blanks and the resulting photomask blanks from such methods and apparatus |
JP2008263093A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチングシステムおよびエッチング装置 |
US8562271B2 (en) * | 2007-05-18 | 2013-10-22 | Brooks Automation, Inc. | Compact substrate transport system |
JP2010135642A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板検査方法及び記憶媒体 |
JP5575507B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-08-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板搬送方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置のメンテナンス方法 |
US8328950B2 (en) * | 2010-05-20 | 2012-12-11 | International Business Machines Corporation | Foreign material contamination detection |
JP2014116545A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
CN112349616B (zh) * | 2019-08-09 | 2023-10-27 | 长鑫存储技术有限公司 | 控片自动更换系统及控片自动更换方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250780A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法 |
JP2002016123A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Hitachi Ltd | 試料処理装置および処理方法 |
JP2003115524A (ja) * | 2002-07-12 | 2003-04-18 | Hitachi Ltd | 試料の真空処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5934856A (en) * | 1994-05-23 | 1999-08-10 | Tokyo Electron Limited | Multi-chamber treatment system |
JPH0846013A (ja) | 1994-05-23 | 1996-02-16 | Tokyo Electron Ltd | マルチチャンバ処理システム用搬送装置 |
TW442891B (en) * | 1998-11-17 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum processing system |
JP2000150618A (ja) | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理システム |
JP4256551B2 (ja) | 1998-12-25 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理システム |
KR100303322B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2001-09-26 | 박종섭 | 반도체 라인 관리를 위한 통합 자동화 시스템 및 그 방법 |
DE10024734A1 (de) * | 1999-05-20 | 2001-01-18 | Hyundai Electronics Ind | Halbleiterfabrikautomatisierungssystem und Verfahren zum Transportieren von Halbleiterwafern |
NL1015480C2 (nl) * | 1999-06-22 | 2002-08-22 | Hyundai Electronics Ind | Halfgeleider fabriekautomatiseringssysteem en werkwijze voor de verwerking van ten minste een halfgeleiderwafelcassette. |
AU2001264279A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-24 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor manufacturing apparatus detecting a state of connection between controllers |
WO2002005334A1 (fr) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Tokyo Electron Limited | Procede de maintenance de processeur, procede d'inspection automatique de processeur et de reinitialisation automatique de processeur et procede de logiciel d'autodiagnostic permettant de piloter le processeur |
US7191082B2 (en) * | 2005-01-19 | 2007-03-13 | Tokyo Electron Limited | Method of inspecting substrate processing apparatus, and storage medium storing inspection program for executing the method |
-
2003
- 2003-11-12 JP JP2003383008A patent/JP4673548B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-10 US US10/984,982 patent/US7455747B2/en active Active
- 2004-11-12 CN CNB2004100908446A patent/CN1326202C/zh active Active
-
2008
- 2008-05-23 US US12/125,959 patent/US7640072B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250780A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法 |
JP2002016123A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Hitachi Ltd | 試料処理装置および処理方法 |
JP2003115524A (ja) * | 2002-07-12 | 2003-04-18 | Hitachi Ltd | 試料の真空処理方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161799A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2013225659A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-10-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム |
US10290516B2 (en) | 2012-03-21 | 2019-05-14 | Kokusai Electric Corpoation | Substrate processing apparatus, maintenance method, and maintenance program |
JP2016066714A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
KR20200031025A (ko) * | 2018-09-13 | 2020-03-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 방법 및 열처리 장치 |
KR102240491B1 (ko) | 2018-09-13 | 2021-04-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 방법 및 열처리 장치 |
US11289344B2 (en) | 2018-09-13 | 2022-03-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus for managing dummy wafer |
JP7487024B2 (ja) | 2020-06-30 | 2024-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050124084A1 (en) | 2005-06-09 |
US20080228311A1 (en) | 2008-09-18 |
CN1326202C (zh) | 2007-07-11 |
US7640072B2 (en) | 2009-12-29 |
CN1617297A (zh) | 2005-05-18 |
US7455747B2 (en) | 2008-11-25 |
JP4673548B2 (ja) | 2011-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4673548B2 (ja) | 基板処理装置及びその制御方法 | |
US8443484B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US8972036B2 (en) | Method of controlling substrate processing apparatus, maintenance method of substrate processing apparatus and transfer method performed in substrate processing apparatus | |
JP2006277298A (ja) | 基板処理装置、履歴情報記録方法、履歴情報記録プログラム及び履歴情報記録システム | |
US20080210162A1 (en) | Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing System | |
JP4684310B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012109333A (ja) | 基板処理装置 | |
TW201133165A (en) | Substrate processing system | |
JP2007257476A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007194446A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2020009855A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4610913B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理システムにおける表示方法及び基板処理方法 | |
JP2011054679A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5972608B2 (ja) | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法並びにプログラム | |
JP7018370B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP5921859B2 (ja) | 基板処理システム及び制御装置及びプログラム及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014120618A (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
JP2006093615A (ja) | 基板処理システム | |
JP2007258373A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008258505A (ja) | 基板処理装置 | |
CN116195038A (zh) | 基板配置数据的显示方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置和程序 | |
JP2008004792A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006085531A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009252785A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012104702A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4673548 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |