CN116195038A - 基板配置数据的显示方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置和程序 - Google Patents

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Abstract

基板配置数据的显示方法具有：设定工序，分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的所述基板的载体信息；制作工序，根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据；显示工序，在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据。

Description

基板配置数据的显示方法、半导体装置的制造方法以及基板 处理装置和程序
技术领域
本公开涉及基板配置数据的显示方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置和程序。
背景技术
近来，器件的细微化及3D化不断发展，基板处理多样化，基板的移载条件的种类也增加并复杂化。迄今为止，也如日本特开2009-231748号公报、日本特开2009-135418号公报那样能够显示并确认基板的移载状况，但现状是，无法在实际输送基板之前确认移载状况。因此，操作员需要充分理解移载条件，与控制器同样地计算移载状况。
与之相伴地，操作员难以容易地掌握移载条件，可能成为操作员不希望的基板移载状况。该情况下，可能导致因基板不足引起的装置停止等造成的生产效率的降低、因处理条件变动等造成的基板处理的品质降低，造成基板的损失。
发明内容
发明要解决的课题
本公开的目的在于，提供一种能够在将基板移载至基板保持件之前确认装填于基板保持件的状态的基板的配置的技术。
用于解决课题的手段
根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的所述基板的载体信息的工序；根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据的工序；在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据的工序。
发明效果
根据本技术，能够在将基板移载至基板保持件之前，确认被装填于基板保持件的状态的基板的配置。
附图说明
图1是本公开的实施方式的基板处理装置的侧面透视图。
图2是本公开的实施方式的基板处理装置的处理炉的俯视图。
图3是图2的A-A线处的垂直剖视图。
图4是本公开的实施方式的控制器结构的图示例。
图5A是表示通常的基板处理时的移载流程的图。
图5B是表示本公开的实施方式的模拟的流程图。
图6是表示本公开的第一实施方式的基板配置程序的流程图。
图7是表示模拟设定画面的一例的图。
图8是表示模拟结果的一例的图。
图9是表示本公开的第二实施方式的基板配置程序的流程图。
图10是表示模拟结果的一例的图。
图11是表示本公开的第三实施方式的基板配置程序的流程图。
图12是表示模拟结果的一例的图。
图13是表示利用了模拟结果的基板处理工序的一例的流程图。
具体实施方式
根据附图对本公开的实施方式中的基板处理装置进行说明。但是，在以下的说明中，有时对相同的结构要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。此外，附图为了使说明更明确，与实际的方式相比，有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并不限定本公开的解释。
在本实施方式中，作为一例，基板处理装置构成为实施半导体装置(IC：Integrated Circuit，集成电路)的制造方法中的基板处理工序的半导体制造装置。
如图1所示，本实施方式的基板处理装置100使用晶圆盒110作为收纳由硅等构成的晶片(基板)200的载体，具有框体111。在框体111的正面壁111a以连通框体111的内外的方式开设有晶圆盒搬入搬出口112，晶圆盒搬入搬出口112由前开闭器113开闭。在晶圆盒搬入搬出口112的正面前方侧设置有装载端口114，装载端口114载置晶圆盒110。晶圆盒110通过工序内输送装置(未图示)搬入到装载端口114上，且从装载端口114上搬出。
在框体111内的前后方向的大致中央部的上部设置有作为缓冲搁板的收纳搁板105，收纳搁板105以支柱116为中心旋转，在搁板117保管多个晶圆盒110。如图2所示，在框体111内的装载端口114与收纳搁板105之间设置有晶圆盒输送装置118。晶圆盒输送装置118由在保持晶圆盒110的状态下能够升降的晶圆盒升降机118a和作为水平输送机构的晶圆盒输送机构118b构成，在装载端口114、收纳搁板105、晶圆盒开启器121之间输送晶圆盒110。
如图1所示，在框体111内的前后方向的大致中央部的下部，遍及后端地构筑有副框体119。在副框体119的正面壁119a，以在垂直方向上呈上下2层地排列的方式开设有1对用于将晶片200相对于副框体119内进行搬入搬出的晶片搬入搬出口120，在上下层的晶片搬入搬出口120分别设置有1对晶圆盒开启器121。
晶圆盒开启器121具有载置晶圆盒110的载置台122和装卸晶圆盒110的盖(盖体)的盖装卸机构123。晶圆盒开启器121通过盖装卸机构123对载置于载置台122的晶圆盒110的盖进行装卸，由此，对晶圆盒110的晶片出入口进行开闭。载置台122是在移载基板时载置晶圆盒110的移载搁板。
如图1所示，副框体119构成与晶圆盒输送装置118、收纳搁板105的设置空间的气氛隔绝的移载室124。在移载室124的前侧区域设置有作为基板移载部的晶片移载机构125。
晶片移载机构125由将晶片200载置于夹钳125c并能够在水平方向上旋转或直动的晶片移载装置125a、以及用于使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。通过这些晶片移载装置升降机125b和晶片移载装置125a的连续动作，对舟皿217装填和卸载晶片200。如图所示，本实施方式中的夹钳125c为5个，晶片移载机构125构成为能够5张一起或1张1张地输送晶片200。
如图1所示，在舟皿217的上方设置有处理炉202。处理炉202在内部具有处理室(未图示)，在该处理室的周围具有对处理室内进行加热的加热器(未图示)。处理炉202的下端部通过炉口闸阀147进行开闭。
如图1所示，在舟皿217下部水平地安装有密封盖129，密封盖129构成为垂直地支承舟皿217，能够封闭处理炉202的下端部。
接着，对本实施方式的基板处理装置的动作进行说明。如图1、图2所示，当晶圆盒110被供给到装载端口114时，晶圆盒搬入搬出口112被前开闭器113打开，被从晶圆盒搬入搬出口112搬入。被搬入的晶圆盒110通过晶圆盒输送装置118被自动地输送并交接到收纳搁板105的指定的搁板117。
晶圆盒110在被收纳搁板105暂时保管后，从搁板117输送到一个晶圆盒开启器121而移载到载置台122，或者从装载端口114直接输送到晶圆盒开启器121而移载到载置台122。此时，晶圆盒开启器121的晶片搬入搬出口120被盖装卸机构123关闭，在移载室124中流通并充满清洁空气。
如图1所示，载置于载置台122的晶圆盒110的盖通过盖装卸机构123卸下，晶圆盒110的晶片出入口开放。另外，晶片200被晶片移载机构125从晶圆盒110拾取，向舟皿217移载而进行装填。将晶片200交接到舟皿217的晶片移载机构125返回到晶圆盒110，将下一个晶片200装填到舟皿217。
在该一方(上层或下层)的晶圆盒开启器121中的基于晶片移载装置125a的晶片200向舟皿217的装填作业中，在另一方(下层或上层)的晶圆盒开启器121中，利用晶圆盒输送装置118从收纳搁板105或装载端口114输送其他晶圆盒110，同时进行基于晶圆盒开启器121的晶圆盒110的开放作业。
当预先指定的张数的晶片200被装填于舟皿217时，处理炉202的下端部因炉口闸阀147而开放。接着，通过舟皿升降机115使密封盖219上升，支承于密封盖219的舟皿217被搬入处理炉202内的处理室(舟皿装载工序)。搬入后，在处理室中对晶片200实施任意的处理(基板处理工序)。处理后，利用舟皿升降机115抽出舟皿217(舟皿卸载工序)，之后，按照大致与上述相反的步骤，将晶片200和晶圆盒110向框体111的外部排出。
(处理炉的结构)
如图2和图3所示，在处理炉202中设置有用于加热晶片(基板)200的作为加热部的加热器207。在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有构成反应容器(处理容器)的反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。
在反应管203的下端安装有例如由不锈钢等制作的集流管209。集流管209形成为筒状，其下端开口被作为盖体的密封盖219气密地封闭。在反应管203、集流管209和密封盖219之间分别设置有O环220。由这些反应管203、集流管209和密封盖219形成处理室201。在密封盖219经由舟皿支承台218竖立设置有作为基板保持部的舟皿217。
在舟皿217，以水平姿势在纵向上多层地装载有被批量处理的多个晶片200。并且，舟皿217能够通过舟皿升降机115相对于反应管203升降。为了提高处理的均匀性，在舟皿支承台218的下端部设置有使舟皿217旋转的舟皿旋转机构267。加热器207将插入处理室201的晶片200加热至规定的温度。
在处理室201中，以贯通反应管203的下部的方式设置有喷嘴410(第一喷嘴410)、喷嘴420(第二喷嘴420)、喷嘴430(第三喷嘴430)。喷嘴410、喷嘴420、喷嘴430分别与作为气体供给线路的气体供给管310(第一气体供给管310)、气体供给管320(第二气体供给管320)、气体供给管330(第三气体供给管330)连接。这样，在反应管203设置有3个喷嘴410、420、430和3根气体供给管310、320、330，构成为能够向处理室201供给多种，在此为3种气体(处理气体)。
在气体供给管310从上游侧起依次设置有作为流量控制装置(流量控制部)的质量流量控制器(Mass Flow Controller，简称：MFC)312和作为开闭阀的阀314。气体供给管310的前端部与喷嘴410连结。喷嘴410构成为长喷嘴，其水平部被设置为贯通集流管209的侧壁。喷嘴410的垂直部以沿着反应管203的内壁朝向上方(晶片200的装载方向)立起的方式(即，以从晶片排列区域的一端侧朝向另一端侧立起的方式)设置于在反应管203的内壁与晶片200之间形成的圆弧状的空间。即，喷嘴410以沿着晶片排列区域的方式设置在排列有晶片200的晶片排列区域的侧方的、水平地包围晶片排列区域的区域。
在喷嘴410的侧面设置有供给气体的气体供给孔410a。气体供给孔410a以朝向反应管203的中心的方式开口。该气体供给孔410a从反应管203的下部到上部设置有多个，分别具有相同或大小倾斜的开口面积，并且以相同的开口间距设置。第一气体供给系统主要由气体供给管310、MFC312、阀314、喷嘴410构成。
另外，气体供给管310与用于供给载气的载气供给管510连接。第一载气供给系统主要由载气供给管510、MFC512、阀514构成。
在气体供给管320，从上游侧起依次设置有作为流量控制装置(流量控制部)的MFC322及作为开闭阀的阀324。气体供给管320的前端部与喷嘴420连结。喷嘴420构成为与喷嘴410一样的长喷嘴。喷嘴420的水平部以及垂直部的结构也是与喷嘴410一样的结构。
在喷嘴420的侧面设置有供给气体的气体供给孔420a。气体供给孔420a以与气体供给孔410a一样的结构设置。第二气体供给系统主要由气体供给管320、MFC322、阀324、喷嘴420构成。
并且，气体供给管320与用于供给载气的载气供给管520连结。第二载气供给系统主要由载气供给管520、MFC522、阀524构成。
在气体供给管330，从上游侧起依次设置有作为流量控制装置(流量控制部)的MFC332及作为开闭阀的阀334。气体供给管330的前端部与喷嘴430连结。喷嘴430与喷嘴410一样，构成为长喷嘴。喷嘴430的水平部以及垂直部的结构也是与喷嘴410、420一样的结构。
在喷嘴430的侧面设置有供给气体的气体供给孔430a。气体供给孔430a以与气体供给孔410a、420a同样的结构设置。第三气体供给系统主要由气体供给管330、MFC332、阀334、喷嘴430构成。
并且，气体供给管330与用于供给载气的载气供给管530连结。第三载气供给系统主要由载气供给管530、MFC532、阀534构成。
这样，关于本实施方式中的气体供给的方法，经由配置在由反应管203的内壁和所装载的多张晶片200的端部定义的圆弧状的纵长的空间内的喷嘴410、420、430来输送气体。并且，从分别在喷嘴410、420、430开口的气体供给孔410a、420b、430c在晶片200的附近首先向反应管203内喷出气体。由此，使反应管203内的气体的主要的流动为与晶片200的表面平行的方向，即水平方向。通过设为这样的结构，能够向各晶片200均匀地供给气体，具有能够使形成于各晶片200的薄膜的膜厚均匀的效果。喷嘴410、420、430作为长喷嘴而记载为将水平部和垂直部一体地设置的喷嘴，但也可以是将分别单独形成的水平部和垂直部组装而构成的喷嘴。
从气体供给管310经由MFC312、阀314、喷嘴410向处理室201供给第一原料气体。构成为能够从气体供给管320经由MFC322、阀324、喷嘴420向处理室201供给第二原料气体。从气体供给管330经由MFC332、阀334、喷嘴430向处理室201供给反应气体。
从载气供给管510、520和530分别经由MFC512、522和532、阀514、524和534、喷嘴410、420和430向处理室201供给非活性气体。
在反应管203设置有对处理室201的气氛进行排气的排气管231。排气管231在集流管209中在与喷嘴410、420、430相对的位置设置为贯通集流管209的侧壁。根据该结构，从气体供给孔410a、420a、430a供给到处理室201的晶片200的附近的气体朝向水平方向，即与晶片200的表面平行的方向流动后，朝向下方流动，从排气管231排出。
在排气管231，从上游侧起依次连接检测处理室201的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245、APC(Auto Pressure Controller，自动压力控制器)阀243、作为真空排气装置的真空泵246。APC阀243是排气阀，作为压力调整部发挥功能。排气系统即排气线路主要由排气管231、APC阀243、压力传感器245构成。此外，也可以考虑将真空泵246包含在排气系统中。
此外，APC阀243构成为，在使真空泵246工作的状态下调节阀开度，由此，能够调整处理室201的压力。
在反应管203内设置有作为温度检测器的温度传感器263，根据由温度传感器263检测出的温度信息来调整向加热器207的通电量，由此，使处理室201的温度成为所希望的温度分布。温度传感器263与喷嘴410、420及430一样地构成为L字型，沿着反应管203的内壁设置。
如图4所示，作为控制部的控制器130构成为具有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)130a、RAM(Random Access Memory，随机读取存储器)130b、作为存储部的存储装置130c、I/O端口130d的计算机。RAM130b、存储装置130c、I/O端口130d构成为能够经由内部总线与CPU130a进行数据交换。控制器130与例如构成为触摸面板等的作为操作部的输入输出装置131连接。
存储装置130c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等构成。在存储装置130c内以能够读出的方式储存有控制基板处理装置的动作的控制程序，例如记载有基板处理的步骤、条件等的工艺制程等。另外，储存有本实施方式中的后述的基板配置程序。此外，这些工艺制程等例如是以使控制器130执行基板处理中的各步骤而能够得到规定的结果的方式组合而成的，作为程序发挥功能。以下，有时也将该工艺制程、控制程序等统一简称为程序。另外，RAM130b构成为暂时保持由CPU130a读出的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口130d与上述MFC312、322、332、512、522、532、阀314、324、334、514、524、534、APC阀243、压力传感器245、真空泵246、加热器207、温度传感器263、舟皿旋转机构267、舟皿升降机115、晶圆盒输送装置118、晶片移载机构125等连接。
CPU130a构成为从存储装置130c读出并执行控制程序，并且根据来自操作部的操作命令的输入等从存储装置130c读出工艺制程。并且，CPU130a构成为按照读出的工艺制程，控制基于MFC312、322、332、512、522、532的各种气体的流量调整动作、阀314、324、334、514、524、534的开闭动作、APC阀243的开闭动作及APC阀243的基于压力传感器245的压力调整动作、基于温度传感器263的加热器207的温度调整动作、真空泵246的启动及停止、基于舟皿旋转机构267的舟皿217的旋转及旋转速度调节动作、基于舟皿升降机115的舟皿217的升降动作等。
控制器130不限于构成为专用的计算机的情况，也可以构成为通用的计算机。例如，使用储存有上述的程序的作为外部存储部的外部存储装置(例如，USB存储器等半导体存储器等)133将程序安装到通用的计算机，由此，能够构成本实施方式的控制器130。
用于向计算机供给程序的单元不限于经由外部存储部133供给的情况。例如，也可以使用互联网、专用线路等通信单元，不经由外部存储部133地供给程序。此外，存储装置130c、外部存储部133构成为计算机可读取的记录介质。以下，也将它们统一简称为记录介质。此外，在本公开中使用了记录介质这样的用语的情况下，有时仅单独包含存储装置130c，有时仅单独包含外部存储部133，或者有时包含这两者。
首先，使用图5A以及图5B对预先确认本实施方式中的基板的移载状况的流程进行说明。图5A的流程图是从将晶圆盒110(晶片200)投入到装置时起到将晶片200移载到舟皿217为止的流程，图5B的流程图是用于在实际输送晶片200之前确认装填到舟皿217中的晶片200的配置的流程。在此，本公开中的“舟皿映射”是表示晶片200装填于舟皿217的状态下的晶片200的配置的数据和附图等的总称，在模拟的舟皿217保持有模拟的多个晶片200的舟皿217的示意图(例如，参照图8)也包含于“舟皿映射”。
对图5A的通常的基板处理工序实施时的流程图进行简单说明。当从控制器130接收到晶圆盒110的投入通知时，图4中未图示的输送控制器保存该晶圆盒110的载体信息。并且，向作为输送机构的晶圆盒输送装置118发送输送指示(请求)。受理了指示的晶圆盒输送装置118将晶圆盒110载置于收纳搁板105，将输送完成通知给输送控制器。在该晶圆盒110仅将基板处理所需的数量的量载置于收纳搁板105时，输送控制器向控制器130通知输送结束。并且，当从控制器130接受到执行指示时，事前检查是否能够进行晶片200的移载，制作包含检查后舟皿映射的基板配置数据，沿着该基板配置数据控制作为输送机构的晶片移载机构125。并且，当晶片200向晶片移载机构125的舟皿217的移载结束时，输送控制器向控制器130通知移载完成。此外，在事前检查中，优选除了检查是否能够进行晶片200的移载，在能够装填于舟皿217的晶片200的张数不同的情况下，显示表示张数不同的消息。若在事前检查中追加这样的检查，则例如在进行了装置的膜种变更等改造的情况下，能够在执行模拟之前察觉基板配置数据是否也伴随改造而变更。
在此，输送控制器构成为控制晶圆盒输送装置118和晶片移载机构125作为输送机构。另外，舟皿升降机115、舟皿旋转机构267也可以包含在输送机构中。并且，当晶片200向舟皿217的移载结束时，控制器130例如构成为执行上述的工艺制程，实施晶片200的处理。
在对图5B的流程图进行简单说明之前，首先，从输送控制器将以载体信息等为基础制作舟皿映射的基板配置程序下载到控制器130而成为能够执行的状态。例如，构成为在RAM130b中保存基板配置程序，当启动基板配置程序时，在控制器130内生成舟皿映射制作部。在此，将控制器130执行了基板配置程序的结果的数据的总称称为“基板配置数据”。因此，模拟的结果的数据以及附图等也包含在“基板配置数据”中。例如，除了上述的“舟皿映射”，将“舟皿映射”彼此进行了比较而得的结果的各种数据、模拟时显示的输送次数、输送顺序、输送目的地信息、输送源信息等也包含在“基板配置数据”中。
对模拟图5B的舟皿映射时的流程图进行简单说明。舟皿映射制作部从输入输出装置131或控制器130的操作画面受理模拟所需的数据，制作基板移载用数据。并且，当从输入输出装置131或控制器130的操作画面通知执行指示时，进行是否能够以制作出的基板移载用数据为基础制作舟皿映射(或基板配置数据)的事前检查。总之，该事前检查与图5A的流程图内的事前检查一样地检查是否能够进行晶片200的移载。
如果在事前检查中为正常(OK)，则舟皿映射制作部制作舟皿映射，GUI根据其结果制作画面显示用的数据，并显示在输入输出装置131或控制器130的操作画面中。
(第一实施方式)
使用图6对图5B所示的流程图的详细情况进行说明。图6是用于在将本实施方式中的晶片200移载到舟皿217之前确认晶片200的移载状况的流程图的一例。在此，专门对将已经制作的舟皿映射与用户预先输入的期待的晶片200的配置数据(舟皿映射)进行比较，确认偏移情况的一例进行说明。
图6具有登记舟皿映射的步骤(S1)、为了执行模拟而设定的步骤(S2)、执行模拟的步骤(S3)、输出模拟结果的步骤(S4)这4个工序。以下对各步骤进行说明。
(S1：移载参数选择)
选择移载参数文件(在本公开中称为WAP文件)，该移载参数文件决定向舟皿217装填的预定的至少包含产品晶片200A和虚拟晶片200B的多张各种晶片200的配置。作为该移载参数的WAP(Wafer Arrangement Parameter)有设定晶片200的张数、装填方式而控制器130自动地决定舟皿映射的逻辑方式、和设定向舟皿217的每个插槽装填的晶片的类别的直接方式。插槽是指为了向舟皿217装填晶片200而设置的基板支承部。在此，预先选择想要确认移载状况的WAP文件。在此，作为WAP文件中的配置晶片200的设定方法，有设定张数、移载方式而控制器自动地决定舟皿映射的逻辑方式和设定向舟皿217的每个插槽装填的晶片200的类别的直接方式。该移载参数文件(WAP文件)是定义了该移载参数和设定方法的文件。
在此，在本工序之前以直接方式预先制作所希望的舟皿映射，将该WAP文件作为基准文件保存在存储装置130c中。此外，也可以将在本工序中选择出的WAP文件与模拟的结果进行比较。另外，多个WAP文件储存在控制器130的存储装置130c中。
并且，选择WAP文件，按下规定的按钮(启动输送模拟功能的按钮)时，在图6所示的流程图中，转移到进行晶片200的输送所需的输送参数、载体信息的设定的工序(S2)。但是，该流程是一例，并不限定于该流程。
(S2：输送参数设定)
接着，作为WAP文件以外的与输送相关的参数文件，选择配置参数、功能参数、维护参数。通过选择配置参数，设定与输送机构的结构、模块结构相关的信息有关的参数。通过选择功能参数，设定与载体输送、晶片移载、舟皿输送等输送功能相关的参数，通过选择维护参数，设定与联锁解除等输送的调整功能相关的参数。具体而言，选择功能参数，显示在产品晶片200A、虚拟晶片200B、监视晶片200C分别进行夹钳指定的画面，因此，设定优先使用5张夹钳和单张夹钳中的哪一个的参数。另外，同样地选择功能参数，显示进行虚拟晶片200B共享指定的画面，设定进行将侧虚拟晶片200B1作为补充虚拟晶片200B2进行移载的指定的参数。以下，在作为晶片的总称使用的情况下，称为晶片200，在以晶片类别使用的情况下，称为产品晶片200A、虚拟晶片200B、监视晶片200C、侧虚拟晶片200B1、补充虚拟晶片200B2。
(S2：载体信息设定)
设定包含收纳在晶圆盒110中的晶片的类别、各个晶片张数、晶圆盒110向缓冲搁板的配置位置等的载体信息，选择收纳有向舟皿217装填的预定的各种晶片200的晶圆盒110。
上述的输送参数设定、载体信息设定(S2)构成为能够在图7所示的模拟设定画面中设定。
如图7所示，在设定参数的区域中，能够选择配置参数、功能参数、维护参数。具体而言，当选择文件名的单元并按下详细按钮时，转移到显示选择出的输送参数的文件一览的画面，能够在该画面上选择文件。另外，在此，能够确认WAP文件的名称。
如图7所示，在示意性地表示缓冲搁板的区域(在此为3层4列的搁板、2层2列的2个缓冲搁板)中，以□(四角)表示晶圆盒110，没有□(四角)的搁板表示未载置晶圆盒110。另外，在选择材料的区域中，选择处理所需的晶圆盒110。在此，选择了4个晶圆盒，但只不过是一例。
此外，构成为当按下设置于示意性地表示缓冲搁板的区域的编辑按钮、设置于选择材料(实际上是晶圆盒110)的区域的变更按钮时显示各种设定画面，能够在各种设定画面上对晶圆盒110、晶片200进行详细设定。关于这些详细的设定在后面进行叙述。
(S3：模拟执行)
控制器130在按下图7所示的模拟按钮时，控制器130根据在S1和S2中设定的移载参数、载体信息等，制作将各种晶片200装填到舟皿217中的情况下的舟皿映射等基板配置数据。另外，根据作为基准文件而预先保存的WAP文件，制作将各种晶片200装填到舟皿217中的情况下的舟皿映射等基板配置数据。
控制器130将制作出的舟皿映射(或基板配置数据)与预先登记在存储装置130c中的作为目标的舟皿映射(或基板配置数据)进行比较。在此，将制作出的舟皿映射与预先以直接方式在各插槽中设定各种晶片200而制作所希望的舟皿映射的基准文件进行比较。控制器130计算制作出的舟皿映射与所希望的舟皿映射之间的偏移情况。具体而言，在制作出的舟皿映射(或基板配置数据)与所希望的舟皿映射之间，针对各插槽分别比较被装填到舟皿217的晶片200的类别，判定是否为相同的类别。该判定将进行能够装填到舟皿217的晶片张数的次数(全部插槽数)。
并且，控制器130运算在舟皿映射(或基板配置数据)间晶片200的类别相同的张数相对于能够装填到舟皿217的晶片200的张数的比例。例如，控制器130在能够装填到舟皿217的晶片张数设为100张，晶片200的类别不同的张数设为2张时，运算结果为98％。此外，如果是晶片200的类别不同的张数较多，并被认为是明显的误设定等的原因的结果，则也可以不转移到下一步骤而显示错误消息(未图示)。例如，在一致率小于60％的情况下，控制器130也可以判断为参数设定错误，显示错误消息并且仅显示异常(NG)按钮，强制地返回到选择WAP文件的选择画面。具体而言，在能够装填到舟皿217的晶片200的张数不同的情况下，优选显示表示张数不同的消息。例如，在进行了装置的膜种变更等改造的情况下，如果预先保存在存储装置130c中的包含基准文件的WAP文件和在S3中制作出的基板配置数据的每一个中设定的晶片200的张数不同，则能够掌握是明显的误设定。由此，能够促使检查预先保存在存储装置130c中的包含基准文件的WAP文件是改造前的旧文件还是S2中的设定错误。
(S4：模拟结果的显示)
图8表示模拟结果的一例。在此，将成为基准的舟皿映射和制作出的舟皿映射并排显示。并且，制作出的舟皿映射显示作为偏移情况的运算结果的98％(以下，也称为一致率)。也可以因偏移情况而显示为2％。另外，以至少知晓晶片200的类别不同的晶片200的配置位置的方式进行显示，但这是一例。图8构成为并不显示舟皿映射整体，而是显示晶片200的类别不同的部分的舟皿映射。
并且，在图8中，当按下异常(NG)按钮时，返回到选择WAP文件的选择画面。即，返回到图6所示的选择WAP文件的步骤(S1)。在该选择画面上确认WAP文件中设定的内容并适当修正。此外，在偏移情况为0％时，保存按下OK按钮而制作出的舟皿映射并结束。此时，优选不在画面上显示异常按钮。另外，也可以仅显示异常按钮而无法按下。
此外，在图7中，仅确认WAP文件的名称，但当然也可以构成为今后能够进行WAP文件的再选择以及设定内容的确认、或者设定内容的变更。即，在图8中，也可以构成为若按下NG按钮，则返回到模拟设定画面。该情况下，除了WAP文件，还能够确认其他输送参数等。
根据本实施方式，能够在实际输送晶片200之前确认制作出的WAP文件是否为所希望的舟皿映射。因此，不会出现在舟皿217的所希望的插槽中没有晶片200的情况、装填类别不同的晶片200的情况。因此，不会因装填于舟皿217的晶片200的配置不同而必须再次执行工艺制程，能够有助于装置运转率和装置生产率。
(第二实施方式)
使用图9对图5B所示的流程图的详细情况进行说明。例如，在想要制作成为用户期待的舟皿映射那样的WAP文件的情况下，若利用图9所示的流程，则能够确认用户登记的舟皿映射是否与由已经存储在存储装置130c中的WAP文件形成的舟皿映射一致(是否存在偏移)。即，通过该模拟，能够搜索一致率最高(偏移情况最小)的WAP文件。在此，如上所述，也可以构成为，如果晶片200的搭载张数不同，则显示该意思的错误消息。
图9与图6一样，具有登记舟皿映射的步骤(S10)、为了执行模拟而设定的步骤(S20)、执行模拟的步骤(S30)、输出模拟结果的步骤(S40)这4个工序。
(S10：舟皿映射的登记)
在此，选择WAP文件，通过直接输入方式设定各种晶片200的配置，将WAP文件保存在存储装置130c中。并且，选择在WAP选择画面中保存的WAP文件并按下模拟按钮。
(S20：参数文件设定)
当在WAP选择画面中按下模拟按钮时，显示模拟设置画面(图7)。在此，设定输送参数、载体信息。与图6一样地构成为一边显示各种设定画面一边进行设定，但在此，设定的详细情况在后面进行叙述。
(S30：模拟执行)
当按下图7所示的模拟按钮时，控制器130根据在S10中设定的舟皿映射、在S20中设定的输送参数、载体信息等，制作使各种晶片200装填于舟皿217的情况下的舟皿映射等基板配置数据。
控制器130构成为，检索存储在存储装置130c中的WAP文件，在RAM130b中展开，进行即使执行基板配置程序也是否取得匹配(是否能够输送晶片200)的事前检查，对通过事前检查判定为能够输送的全部WAP文件制作舟皿映射(或基板配置数据)。
控制器130针对在事前检查中判定为能够输送的全部WAP文件，将与第一实施方式一样地制作出的舟皿映射(或基板配置数据)和预先登记在存储装置130c中的作为目标的舟皿映射(或基板配置数据)进行比较。并且，控制器130计算在舟皿映射(基板配置数据)间晶片200的类别相同的张数相对于能够装填到舟皿217的晶片200的张数的比例即一致率。例如，若能够装填到舟皿217的晶片张数设为100张，晶片200的类别不同的张数设为2张，则一致率为98％。
(S40：模拟结果的显示)
控制器130构成为，将舟皿映射进行比较的结果是，优先将一致率高的舟皿映射显示在舟皿映射结果画面中。例如，如图10所示，也可以构成为从与成为基准的舟皿映射一致率高的舟皿映射起依次(在本实施方式中，一致率高的舟皿映射依次为3个)排列显示。此外，如果一致率为100％的舟皿映射是一个，则构成为仅显示100％的舟皿映射。
另外，控制器130构成为，当选择在图10中分别显示的舟皿映射映像时，显示与作为基准的舟皿映射的差异的详细情况。例如，也可以优先显示根据移载参数制作的舟皿映射与表示所登记的基板的配置的数据之间的产生偏移的部分。另外，也可以优先显示基板的类别不同的部分的舟皿映射。当在该画面中按下保存按钮时，作为制作作为目标的舟皿映射的WAP文件，保存与选择出的舟皿映射映像相应的WAP文件，并且返回到图10的结果输出画面。当按下取消按钮时，仅返回到图10。
另外，也可以根据一致率进行颜色区分显示，若表示一例，则例如如果一致率为100％则没有进行着色。如果一致率为95％以上且小于100％，则可以用蓝色显示，如果一致率为80％以上且小于95％，则可以用黄色显示，如果一致率小于80％，则可以用红色显示。并且，除了一致率以外，也可以对与基准的舟皿映射不同的晶片200进行颜色区分显示。此外，在一致率低的情况下，例如在小于60％的情况下，也可以不是图10的画面，而是显示错误消息并且显示异常(NG)按钮，强制地返回到选择参数的画面。
另外，在图10中分别显示的舟皿映射映像的选择画面(详细地确认与基准的舟皿映射的差异的画面)中，即使一致率不是100％，在不对晶片200的处理产生影响的情况下，有时也能够视为正常(OK)。例如，在后述的侧虚拟晶片200B1与补充虚拟晶片200B2不同的情况下，可以选择对数据进行编辑而将一致率设为100％、或是直接采用该一致率。
根据本实施方式，在图10中，当进一步按下取消按钮时，返回到WAP选择画面，能够选择保存的WAP文件。此外，在一致率不是100％的情况下，在该选择画面中展开WAP文件，一边确认设定内容一边进行修正，另外，能够按下模拟按钮执行模拟来确认一致率。
根据本实施方式，能够检索能够制作所希望的舟皿映射的WAP文件。另外，也可以构成为当在图10中按下取消按钮时，返回到图7所示的模拟设定画面。该情况下，除了WAP文件，还能够确认其他输送参数等。
(第三实施方式)
使用图11对图5B所示的流程图的详细情况进行说明。图11是用于在将本实施方式中的晶片200移载到舟皿217之前确认晶片200的移载状况的流程图的一例。在此，对确认所制作的WAP文件为怎样的舟皿映射的情况进行说明。
图11与图6一样，具有登记舟皿映射的步骤(S1)、为了执行模拟而设定的步骤(S2)、执行模拟的步骤(S3)、输出模拟结果的步骤(S4)这4个工序。以下对各步骤进行说明。此外，以下，在与图6一样的情况下，有时省略说明。
选择移载参数的步骤(S1)与图6一样，当选择与移载相关的输送参数并按下模拟按钮时，显示图7所示的模拟设定画面。
在为了执行模拟而设定的步骤(S2)中，进行各输送参数的设定、材料信息的设定、使用载体信息等的设定。关于各输送参数的设定，图7所示的各输送参数的设定与第一实施方式同样地进行。在此，对材料信息的设定、使用载体信息等的设定进行说明。材料信息的设定通过选择图7所示的编辑按钮而开始，使用载体信息等的设定通过选择图7所示的变更按钮而开始。
首先，当选择图7所示的编辑按钮时，显示图11所示的材料信息设定画面。具体而言，构成为示意性地表示图7所示的缓冲搁板的区域(在此为3层4列的搁板、2层2列的2个缓冲搁板)放大而显示在不同画面中，在各缓冲搁板配置晶圆盒110，并且根据收纳在晶圆盒110内的晶片200的类别进行颜色区分而显示，能够进行编辑。因此，构成为，当选择配置于通过所述的移载参数、输送参数等设定的位置的晶圆盒110(或搁板)时，能够设定晶圆盒110内的材料信息。
另外，在材料信息设定画面中，在不需要变更晶圆盒110的配置和收纳于晶圆盒110内的晶片200的类别的情况下，当按下OK按钮时，返回到图7，反映所述的移载参数、输送参数的设定内容。此外，当按下取消按钮时，返回到图7，再次选择输送参数。另外，当在图11所示的材料信息设定画面中选择载置于缓冲搁板的晶圆盒110时，显示图11所示的材料信息编辑画面，能够修正选择出的晶圆盒110内的材料信息(晶片200的信息)。
例如，构成为显示晶圆盒110的材料信息(搁板的编号、载体属性信息、载体编号、晶片张数)，分别能够进行编辑，当选择表示载体属性信息的单元时，显示选择属性信息的画面，能够变更载体的属性。在此，作为属性信息，有产品晶片200A、监视晶片200C、虚拟晶片200B这3种，虚拟晶片200B至少列举出侧虚拟晶片200B1、补充虚拟晶片200B2这2种。在该材料信息编辑画面中，当按下未图示的OK按钮时反映设定内容，当按下取消按钮时不反映设定内容。在此，载体的属性表示收纳于载体的晶片类别。
由此，能够任意地设定将收纳了哪个类别的晶片的晶圆盒110配置在哪个搁板。因此，根据晶圆盒110的配置场所，可能能够缩短从晶圆盒110的输送开始到向舟皿的晶片移载结束为止的输送时间。并且，使收纳有产品晶片200A的搁板和收纳有收纳了虚拟晶片200B的晶圆盒的搁板远离，可能能够抑制产品晶片200A的污染。
接着，当按下图7所示的变更按钮时，显示图11所示的使用载体设定画面，显示舟皿映射(基板配置数据)所需的晶圆盒110，各晶圆盒110构成为分别能够进行编辑。具体而言，构成为选择图7所示的材料(实际上是晶圆盒110)的区域放大而显示于不同画面，除了对选择出的晶圆盒110和收纳于晶圆盒110的晶片类别进行颜色区分显示，还显示收纳于晶圆盒110的晶片张数的信息，能够进行编辑。
因此，构成为，当选择配置于由所述的移载参数、输送参数等设定的位置的晶圆盒110(或搁板)时，能够设定收纳于晶圆盒110的晶片200的信息。在此，在不需要变更选择出的晶圆盒110的个数、晶片200的种类、个数的情况下，当按下OK按钮时，返回到图7，反映所述的移载参数、输送参数的设定内容。另外，如果是取消，则返回到图7，再次选择输送参数。
另外，当在图11所示的使用载体设定画面中选择任意的载体(晶圆盒)110时，显示图11所示的使用晶片张数设定画面，能够设定晶圆盒110内的晶片200中的使用的晶片200。
例如，构成为显示收纳在晶圆盒110中的晶片200的信息(载体内的晶片配置状况)，能够进行编辑，通过选择表示载体内的晶片支承部的编号的单元，能够变更晶片200的有无。由此，能够任意地变更收纳在晶圆盒110中的晶片200的张数。
在执行模拟的步骤(S3)中，当按下图7所示的模拟按钮时，控制器130根据在S1中选择出的移载参数(WAP文件)、在S20中设定的输送参数、载体信息等，制作使各种晶片200装填到舟皿217的情况下的舟皿映射等基板配置数据。
控制器130构成为，在制作舟皿映射时，分别计算保持于舟皿217的晶片200的类别和张数等晶片信息、所需的载体的个数和载体属性(收纳于晶圆盒110的晶片200的类别)、预先设定于配置晶圆盒110的搁板的搁板编号等载体信息、表示设置于舟皿217的基板支承部的编号的插槽编号、晶片移载机构125的输送次数和基于晶片移载机构125的向舟皿217装填晶片200时的顺序等输送信息。并且，控制器130制作与包含这些晶片信息、载体信息、输送信息等的基板配置数据相关的图像数据，可编辑地显示于输入输出装置131。
在输出模拟结果的步骤(S4)中，作为控制器130制作舟皿映射等基板配置数据的结果，例如示出图12所示的画面例。这样，控制器130构成为能够根据在S1中选择的移载参数、在S2中设定的各种输送参数，显示保持于舟皿217的晶片200的类别和张数、舟皿映射、载体属性(在图13中记载为类别)、预先设定于配置晶圆盒110的搁板的搁板编号、表示设置于舟皿217的基板支承部的编号的插槽编号、晶片移载机构125输送晶片200的输送次数、通过晶片移载机构125将晶片200装填于插槽编号的输送顺序等基板配置数据。
并且，确认该画面例，例如，在输送次数变多那样的情况下，按下取消按钮，返回到选择WAP文件的画面，能够反复进行模拟。并且，能够在每当反复进行时修正输送参数，多次显示图12所示的画面，确认基板配置数据。
根据本实施方式，能够削减晶片200的配置的确认或是否为规定的输送顺序的确认花费的时间。另外，能够消除与用户和控制器的晶片配置有关的差异，能够防止设定错误。并且，根据输送参数的设定，有时晶片200向舟皿217的移载次数变动，能够进行能够使输送次数最少的最佳的输送参数设定。
(本实施方式的效果)
如上所述，根据本实施方式，获得以下所示的一个或多个效果。
(1)根据本实施方式，能够在实际输送晶片200之前确认制作出的WAP文件是否为所希望的舟皿映射。
(2)根据本实施方式，能够通过制作出的WAP文件，在不实际输送晶片200的情况下确认成为怎样的舟皿映射。
(3)根据本实施方式，如果预先输入所希望的舟皿映射，则通过与预先存储的基于WAP文件的舟皿映射进行比较，能够检索最佳的WAP文件，因此，与新制作WAP文件相比能够缩短时间，且能够制作误设定引起的输送错误极少的WAP文件。
接着，使用图13，对执行基板处理工序的流程进行说明，关于该基板处理工序，根据由本模拟器取得的移载参数文件制作制程，执行该制程，由此，对基板进行处理。
步骤S101是制作用于制程制作的WAP文件的工序。基本上，选择存储在存储装置130c中的WAP文件。但是，也可以使用通过图5B所示的上述模拟制作的WAP文件。
步骤S102是取得通过图5B所示的上述模拟制作的WAP文件的工序。具体而言，图5B的控制部在控制器130的情况下，向输送控制器下载通过模拟得到的WAP文件，由输送控制器读取该WAP文件并展开。此外，在利用保存在存储装置130c中的WAP文件制作处理晶片200的制程的情况下，跳过步骤S102，转移到步骤S103。
并且，图5B的控制部当然也可以不是控制器130，也可以构成为通用的计算机。例如，也可以是一般市售的个人计算机(以后，简称为PC)。另外，这样的PC也可以配置在与基板处理装置100(输送控制器)分离的位置。总之，舟皿映射制作部在PC的内部构建，只要能够执行基板配置程序即可。
步骤S103是制作处理晶片200的制程的工序。该制程制作通过选择保存在存储装置130c的工艺制程来进行。WAP文件可以预先与工艺制程关联起来。在与工艺制程关联起来的情况下，通过工艺制程的选择也选择WAP文件。另一方面，在不与工艺制程关联起来的情况下，另外选择WAP文件即可。另外，工艺制程和WAP文件也可以相互关联起来。该情况下，通过选择工艺制程也选择WAP文件，通过选择WAP文件来选择工艺制程。
在步骤S104中，控制器130构成为执行基板处理工序，关于该基板处理工序，通过执行在步骤S103中制作出的制程来对基板进行处理。
该基板处理工序例如是用于制造半导体装置的一工序。此外，在以下的说明中，构成基板处理装置100的各部的动作、处理由控制器130控制。
在此，对通过对作为基板的晶片200交替地供给第一处理气体(原料气体)和第二处理气体(反应气体)而在晶片200上形成膜的例子进行说明。此外，例如，可以在晶片200上预先形成规定的膜，另外，也可以在晶片200或规定的膜预先形成规定的图案。
(基板搬入工序)
首先，进行将晶片200装填于舟皿217并向处理室201搬入的基板搬入工序。
(成膜工序)
接着，进行在晶片200的表面上形成膜的成膜工序。成膜工序依次执行以下4个步骤。此外，在下述步骤1～4之间，利用加热器206将晶片200加热至规定的温度。另外，压力也维持为规定的压力。
[步骤1]
在步骤1中，使原料气体流动。首先，将设置于原料气体供给管232a的阀和设置于排气管231的APC阀243一起打开，使由MFC241a进行了流量调节的原料气体通过喷嘴，一边向处理室201供给，一边从排气管231排气。此时，将处理室201的压力保持为规定的压力。由此，在晶片200的表面形成硅薄膜。
[步骤2]
在步骤2中，关闭原料气体供给管232a的阀而停止原料气体的供给。排气管231的APC阀243保持打开的状态，利用真空泵246对处理室201进行排气，将残留气体从处理室201排除。
[步骤3]
在步骤3中，使反应气体流动。将设置于反应气体供给管232b的阀和设置于排气管231的APC阀243一起打开，将由MFC241b进行了流量调节的NH3气体从喷嘴230b向处理室201供给，并且从排气管231排气。另外，将处理室201的压力调整为规定的压力。通过反应气体的供给，原料气体与在晶片200的表面形成的薄膜进行反应气体的表面反应，在晶片200上形成规定的膜。
[步骤4]
在步骤4中，再次进行基于非活性气体的处理室201的吹扫。关闭反应气体供给管232b的阀，停止反应气体的供给。排气管231的APC阀243保持打开的状态，利用真空泵246对处理室201进行排气，将残留气体从处理室201排除。
将上述步骤1～4作为1循环，重复多次该循环，由此，在晶片200上形成规定的膜。
(基板搬出工序)
接着，将载置有形成了规定的膜的晶片200的舟皿217从处理室201搬出。
如上所述，利用舟皿映射模拟器来制作制程，因此，能够掌握将晶片200移载到舟皿217的哪里，假设，即使存在晶片200的移载位置的误设定，也能够发现。因此，能够抑制晶片200的移载位置的误设定。作为结果，即使执行制程，仍将防止晶片200的误设定导致的基板的损失。
如上所述，利用舟皿映射模拟器来制作制程，因此，能够通过舟皿映射模拟器来取得最佳的移载参数文件，作为结果能够制作最佳的处理条件的制程，例如，若选择移载时间最短的条件的移载参数文件，则预计吞吐量改善。另外，例如，若选择移载次数最少的条件的移载参数文件，则能够延长移载机的维护周期。
此外，对于2020年9月25日申请的日本专利申请2020-160829号的公开，其整体以参照的方式纳入本说明书。
本说明书中记载的全部文献、专利申请以及技术标准具体且以与分别记载通过参照来获取各个文献、专利申请以及技术标准的情况相同的程度，通过参照来获取在本说明书中记载的所有文献、专利申请以及技术标准。

Claims (16)

1.一种基板配置数据的显示方法，其特征在于，具有：
设定工序，分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的所述基板的载体信息；
制作工序，根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据；
显示工序，在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据。
2.根据权利要求1所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
所述制作工序具有：计算工序，对该制作出的基板配置数据与预先登记的作为目标的基板配置数据进行比较，计算所述制作出的基板配置数据与所述作为目标的基板配置数据之间的偏移情况。
3.根据权利要求2所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述计算工序中，对装填于所述基板保持件的基板的类别进行比较。
4.根据权利要求2所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述计算工序中，运算在所述基板配置数据间所述基板的类别不同的基板的张数相对于能够装填于所述基板保持件的基板的张数的比例。
5.根据权利要求2所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述显示工序中，在显示所述偏移情况时，优先显示在所述基板配置数据间所述基板的类别不同的部分的所述基板配置数据。
6.根据权利要求1所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
所述显示方法还具有：修正工序，修正所述制作出的基板配置数据，
在所述修正工序中，修正在所述基板配置数据的制作中使用的所述移载参数中设定的内容。
7.根据权利要求1所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
所述显示方法还具有：登记工序，登记表示所述基板被装填到所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据，
在所述制作工序中，计算根据预先存储的多个所述移载参数制作的基板配置数据与所登记的表示所述基板的配置的数据之间的一致率。
8.根据权利要求7所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述显示工序中，优先显示通过100％-偏移情况(％)运算出的所述一致率高的一方。
9.根据权利要求7所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述显示工序中，优先显示根据选择出的所述移载参数制作的基板配置数据与所登记的表示所述基板的配置的数据之间的产生偏差的部分。
10.根据权利要求9所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
所述显示方法还具有：修正工序，修正所述制作出的基板配置数据；
保存工序，保存根据选择出的所述移载参数制作出的基板配置数据，
在所述修正工序中，修正所述被保存的所述移载参数中设定的内容。
11.根据权利要求1所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述设定工序中，还设定与将所述基板向所述基板保持件输送的输送机构相关的输送参数。
12.根据权利要求11所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述输送参数中，从至少由与输送机构的结构相关的信息有关的参数、与包含晶片移载的输送功能相关的参数、与维护时的输送机构的调整功能相关的参数构成的组中设定至少一个。
13.根据权利要求1所述的基板配置数据的显示方法，其特征在于，
在所述制作工序中，从由保持于所述基板保持件的所述基板的类别和张数、以收纳于载体的晶片的类别决定的载体属性、表示设置于所述基板保持件的基板支承部的编号的插槽编号、输送机构输送所述基板的输送次数、通过输送机构将所述基板装填于插槽编号的输送顺序构成的组中计算至少一个。
14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的所述基板的载体信息的工序；
根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据的工序；
在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据的工序；
根据所述基板配置数据，输送所述基板的工序。
15.一种由基板处理装置执行的程序，其特征在于，
所述程序具有：
分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的基板的载体信息的步骤；
根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据的步骤；
在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据的步骤。
16.一种基板处理装置，具有：
处理室，其处理基板；
基板保持件，其保持所述基板；
输送机构，其将所述基板装填于所述基板保持件；
控制部，其控制所述输送机构，
其特征在于，
所述控制部构成为，分别设定决定向基板保持件装填的预定的至少基板的配置的移载参数和收纳向所述基板保持件装填的预定的所述基板的载体信息，根据该设定的所述移载参数、所述载体信息，制作在使所述基板向所述基板保持件装填的情况下的基板配置数据，在显示所述基板配置数据时，至少显示表示所述基板被装填于所述基板保持件的状态下的所述基板的配置的数据。
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