JP2010010458A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
半導体製造工程に組込まれるテスト処理が連続して実行される場合に、ウェーハの搬送時間を短縮して、テスト処理時間を短縮し、総合的なウェーハ処理時間の短縮、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板1を所定枚数保持する基板保持具6と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉13と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段12と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御する。
【選択図】 図2
半導体製造工程に組込まれるテスト処理が連続して実行される場合に、ウェーハの搬送時間を短縮して、テスト処理時間を短縮し、総合的なウェーハ処理時間の短縮、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板1を所定枚数保持する基板保持具6と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉13と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段12と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の被処理基板に成膜、酸化処理、アニール処理、拡散処理等の基板処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
バッチ式の基板処理装置に於いては、被処理基板(ウェーハ)は所要枚数基板保持具(ボート)に保持され、処理炉内で所要の処理がなされる。
又、処理炉内では炉頂部、炉口部等放熱が大きい領域では温度条件が悪く均熱性に欠ける。この為、ボートの温度条件の悪い領域にはダミーウェーハ(サイドダミーウェーハ)が装填され、均熱領域には製品ウェーハが装填される。又、製品品質を測定する場合の測定用ウェーハ(モニタウェーハ)がボートの所定位置に装填される。更に、1バッチ分の製品ウェーハが少ない場合には、製品ウェーハが不足した部分にダミーウェーハ(補充用ダミーウェーハ)が、補充の為装填される。
製品ウェーハを処理(以下プロダクト処理)する場合は、処理する度にダミーウェーハ、製品ウェーハ、モニタウェーハをボートに順次装填していた。
上述した各ウェーハは、特許文献1記載の移載パターンに従って装填されていた。
プロダクト処理を実行するに先立ち、処理条件を決定する為、テスト処理を実行するが、テスト処理はプロダクト処理と同条件で実行される必要がある。この為、ボートにはサイドダミーウェーハ、モニタウェーハ、更に、製品ウェーハの代りに補充用ダミーウェーハが装填され、プロダクト処理と同様にテスト処理される。又、処理条件を決定する場合に、複数回連続してテスト処理される。従来テスト処理が繰返して行われる場合には、その都度、全てのダミーウェーハ、モニタウェーハがボートに対して装填され、更にテスト処理後全てのダミーウェーハ、モニタウェーハがボートから払出されていた。従って、ウェーハの装填、払出しに多くの時間が要されていた。
本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造工程に組込まれるテスト処理が連続して実行される場合に、ウェーハの搬送時間を短縮して、テスト処理時間を短縮し、総合的なウェーハ処理時間の短縮、スループットの向上を図るものである。
本発明は、基板を所定枚数保持する基板保持具と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御する基板処理装置に係るものである。
又、本発明は、上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象となる製品基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記製品基板に処理を施す基板処理装置であって、前記製品基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理は、前記製品基板の代わりに、補充用ダミー基板とモニタ基板を前記基板保持具に装填し、該基板保持具を処理室に装入し、前記製品基板を所定の処理条件で処理する基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、基板を所定枚数保持する基板保持具と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御するので、ウェーハの搬送時間が短縮され、テスト処理時間が短縮し、総合的な基板処理装置の基板処理迄の準備時間が短縮される。結果として、装置稼働率の向上が図れるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
本発明では、テスト処理を連続して実行する場合、ダミーウェーハは基板処理の条件を決定することに対して実質的に寄与しないことに考慮し、2回目以降のウェーハの搬送動作に於いて、条件出しに必要なモニタウェーハのみを装填、払出しする様にし、ウェーハ搬送時間を大幅に短縮しようとするものである。
先ず、本発明が実施される基板処理装置の概要について図1、図2に於いて説明する。
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やCVD処理等を行う縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
シリコンから成るウェーハ1等の基板を収納した密閉式の基板収納容器(FOUP)(以下カセット2)を、外部から筐体3内へ搬入する為、及びその逆に該筐体3内から外部へ搬出する為のI/Oステージ(基板収納容器授受部)4が前記筐体3の前面に設けられ、該筐体3内には搬入された前記カセット2を保管する為のカセット棚(保管手段)5が設けられている。
又、前記ウェーハ1の搬送エリアであり、後述のボート(基板保持具)6のローディング、アンローディング空間となる気密室7が設けられている。
前記ウェーハ1に処理を行う時の前記気密室7の内部は、前記ウェーハ1の自然酸化膜を防止する為にN2 ガス等の不活性ガスが充満される様になっている。
前記カセット2としては、現在FOUPというタイプが主流で使用されており、前記カセット2の一側面に設けられた開口部を蓋体(図示せず)で塞ぐことで大気から前記ウェーハ1を隔離して搬送でき、前記蓋体を取去ることで前記カセット2内へ前記ウェーハ1を入出させることができる。前記カセット2の蓋体を取外し、該カセット2内と前記気密室7とを連通させる為に、該気密室7の前面側には、カセット載置ステージ(基板収納容器載置手段)16,17が複数組(図示では2組)設けられ、前記気密室7の前記カセット載置ステージ16,17対峙部分にはそれぞれカセットオープナ18,19(開閉手段)が設けられている。該カセットオープナ18,19は独立して駆動可能となっており、前記カセット載置ステージ16,17に載置された前記カセット2を個別に開閉可能となっている。
前記カセット載置ステージ16,17、前記カセット棚5、及び前記I/Oステージ4間の前記カセット2の搬送は、カセット搬送機9によって行われる。該カセット搬送機9による前記カセット2の搬送空間8には、前記筐体3に設けられたクリーンユニット(図示せず)によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。
前記気密室7の内部には、複数の前記ウェーハ1を水平多段に積載する前記ボート6と、前記ウェーハ1のノッチ(又はオリエンテーションフラット)の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置11が設けられ、又前記カセット載置ステージ16,17上の前記カセット2と前記基板位置合わせ装置11と前記ボート6との間で前記ウェーハ1の搬送を行うウェーハ移載機(基板移載手段)12が1組設けられている。又、前記気密室7の上部には前記ウェーハ1を処理する為の処理炉13が設けられており、該処理炉13の下端開口部である炉口は炉口ゲートバルブ15によって開閉され、該炉口ゲートバルブ15の開状態で、前記ボート6はボートエレベータ(昇降手段)14によって前記処理炉13へローディング、又は該処理炉13からアンローディングされ、前記ボート6へのウェーハ1移載時には前記炉口ゲートバルブ15が閉じられる様になっている。
次に、前記処理炉13の一例について図3により説明する。
前記気密室7の上面に炉口フランジ44が設けられ、該炉口フランジ44の上端に有天筒状の外管45が立設され、該外管45と同心に上端が開放された内管46が配設され、該内管46は下端を前記炉口フランジ44に支持されている。前記内管46内は前記ボート6を収納する処理室40が画成される。
炉口蓋53に処理ガス導入ノズル47が連通され、該処理ガス導入ノズル47はガス供給ライン50を介して処理ガス供給源(図示せず)、或は窒素ガス等不活性ガス供給源(図示せず)に接続されている。又、前記炉口フランジ44の前記内管46の下端より上方に排気管48が連通され、該排気管48は排気装置(図示せず)に接続されている。
前記外管45と同心に筒状のヒータユニット49が配設され、該ヒータユニット49はヒータベース51に立設されている。
前記ボートエレベータ14が支持する昇降台52には前記炉口蓋53が設けられ、該炉口蓋53は前記炉口フランジ44の下端開口部(炉口部)を気密に閉塞する。前記炉口蓋53の下面にはボート回転装置54が設けられ、該ボート回転装置54の回転軸55が前記炉口蓋53を気密に貫通している。前記回転軸55の上端にボート受台56が設けられ、該ボート受台56に前記ボート6が載置される。
前記処理炉13で処理される前記ウェーハ1の処理状態は主制御部57によって制御される。該主制御部57は、炉内の温度を制御する温度制御部58、処理ガスの流量を制御するガス流量制御部59、前記外管45内の圧力を制御する圧力制御部61、前記ボート回転装置54を制御する駆動制御部62を備えている。
前記内管46と前記外管45との間には温度検出器63が設けられ、該温度検出器63は前記外管45内の温度を検出し、前記温度制御部58には温度検出信号が入力される。前記ガス供給ライン50にガス流量制御器64が設けられ、前記ガス流量制御部59により所要のガス流量に制御される。前記排気管48には圧力検出器65が設けられ、前記排気管48は排気ライン66を介して図示しない排気装置に接続され、該排気ライン66には圧力制御弁67が設けられている。前記圧力検出器65により排気圧力が検出され、排気圧力の圧力検出信号は前記圧力制御部61に入力され、該圧力制御部61は前記圧力制御弁67を制御して前記外管45内の圧力の制御を行う。
図4は、本基板処理装置に於ける制御系の内、駆動制御系を示している。
上位コンピュータ21からの指令は入出力制御部22を介して前記主制御部57に送信され、作業者からの指令は操作部23から前記入出力制御部22を介して前記主制御部57に送信される様になっている。又、前記操作部23から、シーケンスプログラムを実行する際の条件を設定可能となっており、例えば、メインシーケンスプログラム、テストシーケンスプログラムの選択、更に、テストシーケンスプログラムを実行する場合に連続して実行するかどうか、又連続して実行する場合はテスト処理の回数の設定を行う様になっている。
前記主制御部57は、前記温度制御部58、前記ガス流量制御部59、前記圧力制御部61、前記駆動制御部62の他に、データ送信部24、演算部(CPU)25、記憶部26、データ入出力部29を具備し、前記記憶部26はRAM27、ROM28等から構成されている。
該ROM28には前記カセット搬送機9、前記ウェーハ移載機12、前記ボートエレベータ14等の駆動部を動作させる為のシーケンスプログラムが格納され、前記RAM27には前記駆動部を動作させる為の指令、作動条件等に関するデータが一時的に格納される。又、前記シーケンスプログラムにはプロダクト処理を実行するメインシーケンスプログラム、及びテスト処理を実行するテストシーケンスプログラムが含まれている。
前記駆動制御部62はシーケンスプログラムに従って、前記カセット搬送機9、前記ウェーハ移載機12、前記ボートエレベータ14等の駆動部を駆動制御し、前記カセット搬送機9、前記ウェーハ移載機12、前記ボートエレベータ14の動作状態を検知するセンサ、圧力センサ、温度センサ、流量検出器等、各種センサ31からの検出信号は、前記データ入出力部29を介して前記演算部25に送出される。又、配管等に設けられている開閉弁を開閉するソレノイド30等のアクチュエータの動作状態も前記データ入出力部29を介して前記演算部25に送出される様になっている。前記各種センサ31からの検出信号、前記アクチュエータの動作状態は、前記駆動制御部62による駆動部の制御に反映される。
以下、基板処理の作用について、図5〜図8を参照して説明する。
前記操作部23により、プロダクト処理かテスト処理かを選択し、又テスト処理の場合で連続処理を実行する場合は、テスト処理の繰返し回数を設定する。
先ず、図5、図7に於いてプロダクト処理を選択した場合を説明する。
STEP:01 製品ウェーハを収納したカセット2、モニタウェーハを収納したカセット2、サイドダミーウェーハを収納したカセット2がそれぞれ必要数、外部搬送装置(図示せず)により前記I/Oステージ4に搬入されると、前記カセット搬送機9が前記カセット棚5に前記カセット2を搬送し、処理状況に応じて前記カセット棚5から前記カセット載置ステージ16,17に製品ウェーハを収納したカセット2、モニタウェーハを収納したカセット2、サイドダミーウェーハを収納したカセット2がシーケンスに従って搬送される。
STEP:02 先ず、サイドダミーウェーハ(SD)のカセット2が前記カセット載置ステージ16,17に移載され、前記カセットオープナ18により前記カセット2の蓋が開放される。前記カセット載置ステージ16,17からサイドダミーウェーハ(SD)が前記ボート6の上部、下部に移載される(図5(A)参照)。
STEP:03 前記カセット載置ステージ16,17の空となったカセット2が前記カセット棚5に搬送され、製品用カセットが前記カセット載置ステージ16,17に移載される。製品ウェーハが前記ボート6に移載される(図5(B)参照)。
STEP:04 前記カセット載置ステージ16,17のカセット2がモニタ用カセットに交換され、モニタウェーハ(M)が前記ボート6の所定の位置に装填される(図5(C)参照)。
STEP:05 前記ボート6への前記ウェーハ1の移載が完了すると、前記カセットオープナ18,19により前記カセット2の扉が閉じられ、前記気密室7が気密とされ、更に窒素ガス等の不活性ガスによりガスパージされ、前記炉口ゲートバルブ15が開放される。
前記ヒータユニット49により前記外管45内の温度が所定温度となる様に加熱し、又前記ガス供給ライン50から前記外管45内を前記ガス流量制御器64を制御して不活性ガスで充満しておく。前記ボートエレベータ14により、前記ボート6が前記内管46内に装入され、前記炉口蓋53により炉口部(図示せず)が気密に閉塞され、前記ウェーハ1の処理が行われる。
STEP:06 前記ヒータユニット49により前記外管45内部を加熱し、該外管45内部が所定の処理温度に維持される様、前記温度制御部58により前記ヒータユニット49が制御される。前記排気管48を介して図示しない排気装置により前記外管45内部が真空状態迄排気され、該外管45内部の圧力は前記圧力検出器65の検出結果に基づき前記圧力制御部61によって前記圧力制御弁67を介して制御される。前記駆動制御部62により前記ボート回転装置54が駆動され、前記ウェーハ1が均一処理される様前記ボート6が所定の速度で回転されると共に前記処理ガス導入ノズル47を介して処理ガスが前記外管45内に導入される。処理ガスの導入量は前記ガス流量制御器64を介し、前記ガス流量制御部59によって制御される。
尚、ウェーハの処理の一例として、ウェーハの成膜を行う場合は、ウェーハ温度は530℃、処理ガスはSiH4 及びPH3 /He、各ガス流量は80(sccm)及び10(sccm)、処理圧力は200Paである。
STEP:07 前記ウェーハ1の処理が完了すると、前記外管45内が窒素ガス等の不活性ガスによりガスパージされ、前記気密室7内部と同圧化され、前記ボートエレベータ14により前記ボート6が前記気密室7内部に降下される。
前記ボート6が完全に降下されると、前記炉口フランジ44の炉口部が前記炉口ゲートバルブ15により閉鎖される。前記気密室7内には前記クリーンユニットから送出され、図示しない排気口から排出される清浄な不活性ガスの定常流れが形成されている。
STEP:08 前記ボート6が降下され所定温度となる迄冷却される。前記ウェーハ1が所定温度迄冷却されると、前記ウェーハ移載機12により前記ウェーハ1が前記ボート6より払出され、製品ウェーハ(PD)は製品用カセットに、モニタウェーハ(M)はモニタ用カセットに、サイドダミーウェーハ(SD)はダミー用カセットにそれぞれ移載される。
STEP:09 処理済の製品ウェーハが収納された製品用カセット、処理済モニタウェーハが収納されたモニタ用カセット、ダミー用カセットは、それぞれ外部搬送装置(図示せず)により前記I/Oステージ4から搬出され、プロダクト処理が終了する。
次に、図6、図8に於いてテスト処理が選択された場合を説明する。
STEP:11 モニタウェーハを収納したカセット2、ダミーウェーハ(サイドダミーウェーハと補充用ダミーウェーハ)を収納したカセット2がそれぞれ必要数、外部搬送装置(図示せず)により前記I/Oステージ4に搬入されると、前記カセット搬送機9が前記カセット棚5に前記カセット2を搬送し、処理状況に応じて前記カセット棚5から前記カセット載置ステージ16,17にモニタウェーハを収納したカセット2、ダミーウェーハを収納したカセット2がシーケンスに従って搬送される。
STEP:12、STEP:13 サイドダミーウェーハ(SD)及び補充用ダミーウェーハ(FD)のカセット2が前記カセット載置ステージ16,17に移載され、前記カセットオープナ18により前記カセット2の蓋が開放される。前記カセット載置ステージ16,17からウェーハ1(サイドダミーウェーハと補充用ダミーウェーハ)が前記ボート6に移載される。先ず、サイドダミーウェーハ(SD)が前記ボート6の上部、下部に移載され、更に製品ウェーハ(PD)の代りに補充用ダミーウェーハ(FD)が移載される(図6(A)参照)。尚、モニタウェーハ(M)を所定の位置に装填するようにしてもよい。
STEP:14 最後に同様にしてモニタウェーハ(M)が所定の位置に装填される(図6(B)参照)。
STEP:15 前記ボート6が炉内に装入される。
STEP:16 プロダクト処理と同様に、プロセス処理が実行される(図6(C)参照)。
STEP:17 前記ウェーハ1の処理が完了すると、前記ボート6が降下され所定温度となる迄冷却される。
STEP:18、STEP:19 前記ウェーハ1が所定温度迄冷却されると、前記ウェーハ移載機12により処理済モニタウェーハのみが前記ボート6より払出され、モニタ用カセットに移載される。モニタ用カセットが基板処理装置から搬出される。
STEP:20 テスト処理が設定回数実行されたかどうかが判断され、設定回数実行されたと判断された場合は、テスト処理が終了する。
STEP:21 テスト処理が、設定回数に達していないと判断された場合は、次処理のモニタ用カセットが投入され(図6(D)参照)、更にモニタウェーハがボートの所定箇所に装填されSTEP:14〜STEP:19が繰返し実行される(図6(E)参照)。
而して、テスト処理が連続して繰返される間は、モニタウェーハのみが装填され、処理済のモニタウェーハのみが払出される。即ち、2回目以降のテスト処理では、ウェーハの搬送、移載作動はモニタウェーハのみに限定される。従って、ウェーハの搬送動作は大幅に簡略化され、ウェーハ搬送に要される時間も大幅に短縮される。
尚、テスト処理に引続いて、プロダクト処理が設定されている場合は、前記プロダクト処理(STEP:01〜STEP:09)が実行される。
尚、本発明は、半導体製造装置に限らず、液晶表示装置のガラス基板を処理する装置にも適用可能であり、又縦型装置だけでなく、横型装置にも実施可能であることは言う迄もない。
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(付記1)上端部と下端部のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、該処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記処理対象基板に処理を施し、処理終了後、前記基板保持具を前記処理室から引出した後、前記処理対象基板であって、基板処理条件を決定する為の基板(モニタ基板)のみを前記基板保持具より回収することを特徴とする基板処理方法。
(付記2)上端部と下端部のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象基板を保持し、全ての前記保持部に基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、該処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記処理対象基板に処理を施す基板処理方法であって、処理終了後、前記基板保持具を前記処理室から引出した後、前記処理対象基板であって、前記基板処理装置における最適な処理条件を決定する為の基板のみを前記基板保持具より回収すると共に前記基板処理装置における最適な処理条件を規定する為の基板ではない基板はそのまま前記基板保持具に保持することを特徴とする基板処理方法。
(付記3)上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部にモニタ基板及び/又は補充用ダミー基板を保持した基板保持具(ボート)を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記モニタ基板及び/又は補充用ダミー基板に処理を施し、処理後、前記基板保持具を引出し、前記モニタ基板を前記基板保持具から引出すことを特徴とする基板処理方法。
(付記4)上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部にモニタ基板及び/又は補充用ダミー基板を保持した基板保持具(ボート)を処理室に装入する工程と、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記モニタ基板及び/又は補充用ダミー基板に処理を施す工程と、処理後、前記基板保持具を引出す工程を有する基板処理方法であって、前記処理が終了し、前記基板保持具を前記処理室から引出した後、前記モニタ基板のみを前記基板保持具より回収するとともに前記ダミー基板及び前記補充用ダミー基板はそのまま前記基板保持具に保持する工程と、回収したモニタ基板が保持されていた保持部に新しいモニタ基板を装填する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
(付記5)付記4記載の工程を所定の回数に達したら、前記基板保持具を前記処理室から引出す工程の後、前記モニタ基板及び/又は補充用ダミー基板を前記基板保持具から取出す基板処理方法。
(付記6)上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部にモニタ基板及び/又は補充用ダミー基板を保持した基板保持具(ボート)を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記モニタ基板及び/又は補充用ダミー基板に処理を施し、処理後、前記基板保持具を引出し、前記モニタ基板を前記基板保持具から引出すことを特徴とする基板処理装置。
1 ウェーハ
2 カセット
5 カセット棚
6 ボート
9 カセット搬送機
12 ウェーハ移載機
13 処理炉
14 ボートエレベータ
23 操作部
57 主制御部
2 カセット
5 カセット棚
6 ボート
9 カセット搬送機
12 ウェーハ移載機
13 処理炉
14 ボートエレベータ
23 操作部
57 主制御部
Claims (2)
- 基板を所定枚数保持する基板保持具と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
- 上端側と下端側のそれぞれに所定枚数のダミー基板を保持し、且つ保持された該ダミー基板の間の保持部に処理対象となる製品基板を保持した基板保持具を処理室に装入し、前記処理室を所定の温度及び圧力に維持しながら、前記製品基板に処理を施す基板処理装置であって、前記製品基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理は、前記製品基板の代わりに、補充用ダミー基板とモニタ基板を前記基板保持具に装填し、該基板保持具を処理室に装入し、前記製品基板を所定の処理条件で処理することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008168789A JP2010010458A (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 基板処理装置 |
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JP2010010458A true JP2010010458A (ja) | 2010-01-14 |
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-
2008
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