JP6913789B2

JP6913789B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

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Publication number: JP6913789B2
Application number: JP2020076166A
Authority: JP
Inventors: 守田　修; 修守田; 雄治山岡; 久保　修一; 修一久保; 寿朗越巻; 博之北本
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 2017-12-20
Filing date: 2020-04-22
Publication date: 2021-08-04
Anticipated expiration: 2038-12-07
Also published as: JP2020145440A; TWI719375B; TW201929132A; JP2019114784A; JP6724120B2

Description

本開示発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。

従来から基板処理装置の一種である半導体製造装置では、加熱手段としてのヒータにより所定温度に加熱された炉内に、基板としてのウエハが装填された基板保持具としてのボートが炉内に装入され、炉内が真空引きされ、反応ガス導入管より反応ガスが導入されてウエハ表面に処理が行われ、排気ガスは排気管より排気される。また、ボートは、複数本の支柱を有し、該支柱に刻設された溝(以後、スロットともいう)で複数のウエハを水平に保持する。

近年、少ロット(例えば、製品基板が５０枚や７５枚）での処理が主流となっている。該少ロットに対応するため、特許文献１には、一度のミニバッチ処理で５０枚以下の製品基板を処理する半導体製造装置が開示されている。また、特許文献２には、所定枚数(例えば、５枚)ずつ処理する複数の処理室に製品基板を振り分け搬送し、該製品基板を処理する多枚葉装置が開示されている。しかしながら、最近の少量多品種、集積密度向上要求、品質向上要求に十分対応できていない。

更に、製品基板のミニバッチ化に伴い、顧客デバイス開発速度を向上させるための短ＴＡＴ(ＴｕｒｎＡｒｒｏｕｎｄＴｉｍｅ)化と、製品基板の複数枚一括処理（バッチ化）対応を兼ね備え、１台で複数の膜種を処理可能な装置を開発することが求められている。

特開２００２−２４６４３２号特開２０１３−１０２１２５号

本開示の目的は、複数の処理モジュールを使用することにより、近年の少量多品種生産に伴う少ロット生産において、量産対応可能な構成を提供することにある。

本開示発明の一態様によれば、
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に載置可能な基板枚数と、前記基板保持具に載置される製品基板の枚数と、を少なくとも含む装置パラメータを記憶する記憶部と、該装置パラメータに応じて、前記基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記基板の搬送元情報と、前記基板を処理する処理室を示す搬送先情報を含む基板移載データを作成する制御部と、を備え、
作成された基板移載データを読み出し、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、残った前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させる構成が提供される。

本開示によれば、複数の処理モジュールを使用することにより、少ロット生産において、量産対応することができる。

本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置を示す横断面図の一例である。本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置を示す縦断面図の一例である。本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置の処理炉を示す縦断面図の一例である。本開示の一実施形態に好適に用いられるコントローラの機能構成を説明する図である。本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置における基板処理の流れを示す図である。本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。本開示の実施形態に係る装置パラメータを示す図である。本開示の実施形態に係るキャリア情報を示す図である。本開示の実施形態に係るユーザ情報からプロセスモジュールＰＭを判別するフロー図である。本開示の実施形態に係るキャリア情報からプロセスモジュールＰＭを判別するフロー図である。本開示の実施形態に係るジョブ生成処理フローを示す図である。本開示の実施形態に係る材料使用確定処理フローを示す図である。本開示の実施形態に係る処理モジュール確定フローを示す図である。本開示の実施形態に係る処理モジュール確定フローを示す図である。本開示の実施形態に係る使用対象キャリア選定工程を示す図である。本開示の実施形態に係る使用優先順番ソート工程を示す図である。本開示の実施形態に係る基板移載データを示す図である。本開示の実施形態に係る基板移載データを示す図である。本開示の実施形態に係る基板移載データを作成するフロー図である。

（基板処理装置の概要）
次に本開示の実施形態を図１、図２に基づいて説明する。本開示が適用される実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理装置を実施する基板処理装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。

図１、図２に示すように、基板処理装置１０は隣接する２つの後述する処理炉２０２としての処理モジュールＰＭ(ＰｒｏｃｅｓｓＭｏｄｕｌｅ)を備えている。処理モジュールＰＭは数十枚の基板としてのウエハ２００を一括して処理する縦型処理モジュールＰＭである。例えば、２０枚〜１００枚(好ましくは、２５枚〜７５枚)程度の基板２００を一つの処理モジュールＰＭにつき処理可能である。

処理炉２０２の下方には、準備室としての搬送室６Ａ、６Ｂが配置されている。搬送室６Ａ、６Ｂの正面側には、ウエハ２００を移載する移載機としてのウエハ移載機構１２５を有する移載室８が、搬送室６Ａ、６Ｂに隣接して配置されている。尚、本実施形態では、搬送室６Ａ、６Ｂの上方に後述する処理炉２０２がそれぞれ設けられた構成として説明する。

移載室８の正面側には、ウエハ２００を複数枚収容する収容容器(キャリア)としてのポッド（ＦＯＵＰ）１１０を収納する収納室９(ポッド搬送空間)が設けられている。収納室９の全面にはＩ／Ｏポートとしてのロードポート２２が設置され、ロードポート２２を介して処理装置２内外にポッド１１０が搬入出される。ポッド１１０には、ウエハ２００を載置する保持部(以後、スロットともいう)が、２５個設けられている。

搬送室６Ａ、６Ｂと移載室８との境界壁（隣接面）には、隔離部としてのゲートバルブ９０Ａ、９０Ｂが設置される。移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には圧力検知器がそれぞれに設置されており、移載室８内の圧力は、搬送室６Ａ、６Ｂ内の圧力よりも低くなるように設定されている。また、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内には酸素濃度検知器がそれぞれに設置されており、移載室８Ａ内および搬送室６Ａ、６Ｂ内の酸素濃度は大気中における酸素濃度よりも低く維持されている。好ましくは、３０ｐｐｍ以下に維持されている。

移載室８の天井部には、移載室８内にクリーンエアを供給するクリーンユニット(図示しない)が設置されており、移載室８内にクリーンエアとして、例えば、不活性ガスを循環させるように構成されている。移載室８内を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室８内を清浄な雰囲気とすることができる。

このような構成により、移載室８内に搬送室６Ａ、６Ｂのパーティクル等が図示しない処理炉２０２に混入することを抑制することができ、移載室８内および搬送室６Ａ、６Ｂ内でウエハ２００上に自然酸化膜が形成されることを抑制することができる。

収納室９の後方、収納室９と移載室８との境界壁には、ポッド１１０の蓋を開閉するポッドオープナ２１が複数台、例えば、３台配置されている。ポッドオープナ２１がポッド１１０の蓋を開けることにより、ポッド１１０内のウエハ２００が移載室８内外に搬入出される。

図２に示されているように、シリコン等からなる複数のウエハ２００を収容し、ポッド１１０が使用されている基板処理装置１０は、基板処理装置本体として用いられる筐体１１１を備えている。

筐体１１１の正面壁の正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口（図示せず）が開設され、この正面メンテナンス口を開閉する正面メンテナンス扉がそれぞれ建て付けられている。また、正面壁にはポッド搬入搬出口が筐体１１１の内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口はフロントシャッタ（図示せず）によって開閉されるように構成されていてもよい。

ポッド搬入搬出口には、搬入搬出部として用いられるロードポート２２が設置されており、ロードポート２２はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート２２上に工程内搬送装置によって搬入され、また、ロードポート２２上から搬出されるようになっている。

筐体１１１の正面後方側には、ポッド搬入搬出口の周辺の上下左右にわたってマトリクス状に収納棚（ポッド棚）１０５が設置されている。ポッド棚１０５はポッドを載置する収納部としての載置部１４０が設置される。収納部は当該載置部１４０と、載置部１４０をポッド１１０が収納される待機位置とポッド１１０を受渡しする受渡し位置との間で水平移動させる水平移動機構（収容棚水平移動機構）より構成される。水平方向の同一直線上に並ぶ複数の独立した載置部１４０によってポッド棚１０５の一段が構成され、該ポッド棚が垂直方向に複数段設置されている。各載置部１４０は上下又は左右の隣り合う載置部１４０およびその他のどの載置部１４０とも同期させることなく独立して水平移動させることが可能である。そして、ポッド搬送装置１３０は、ロードポート２２、ポッド棚１０５、ポッドオープナ２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内でありサブ筐体１１９の正面側には、上下左右にわたってマトリクス状に収納部としてのポッド棚（収容棚）１０５が設置されている。筐体１１１の正面後方側のポッド棚１０５と同様に各ポッド棚１０５のポッドを載置する載置部１４０は、水平移動可能となっており、上下又は左右の隣り合う載置部１４０と同期させることなく独立して水平移動させることが可能である。ポッド棚１０５は、複数の載置部１４０にポッド１１０をそれぞれ１つずつ載置した状態で保持するように構成されている。

サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１２０が一対、水平方向に左右２つ並べられて開設されており、該ウエハ搬入搬出口１２０には一対のポッドオープナ２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ２１はポッド１１０を載置する載置台１２２と、密閉部材として用いられるポッド１１０のキャップを着脱するキャップ着脱機構１２３とを備えている。ポッドオープナ２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。尚、載置台１２２も載置部１４０と称する場合がある。

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１３０やポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室８を構成している。移載室８の前側領域にはウエハ移載機構１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのアーム（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

移載室８の後側領域には、ゲートバルブ９０を介してボート２１７を収容して待機させる待機部としての搬送室６が構成されている。搬送室６の上方には、処理室を内部に構成する処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ１４７により開閉されるように構成されている。

ボート２１７はボートエレベータ１１５（図示せず）によって昇降され処理炉内へ導入される。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具（図示せず）には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、蓋体２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の補強部材を備えており、複数枚のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。

次に、基板処理装置１０の動作について説明する。上述の基板処理装置１０を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板処理を行う例について説明する。本実施形態においては、後述するシーケンスレシピが実行されると、コントローラ１２１は、基板処理装置１０を構成する各部の動作を制御して基板処理を開始する。

ポッド１１０がロードポート２２に供給されると、ロードポート２２の上のポッド１１０はポッド搬入装置によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口から搬入される。搬入されたポッド１１０はポッド棚１０５の指定された載置部１４０へポッド搬送装置１３０によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管され後、ポッド棚１０５から一方のポッドオープナ２１に搬送されて受け渡され載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ２１に搬送されて載置台１２２に移載される。

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。ポッド１１０がポッドオープナ２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのアーム１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じて保持され、移載室８の後方にある搬送室６へゲートバルブ９０を介して搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、引き続き前処理が実行され、前処理が終了すると、本処理(ここでは、プロセスレシピ)が実行される。このプロセスレシピが開始されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後、上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ搬出される。

（基板処理装置の処理炉）
図３に示すように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、処理ガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。反応管２０３は、下端部が開放され、上端部が平坦状の壁体で閉塞された有天井の形状で形成されている。反応管２０３の内部には、円筒状に形成された筒部２０９と、筒部２０９と反応管２０３の間に区画されたノズル配置室２２２と、筒部２０９に形成されたガス供給口としてのガス供給スリット２３５と、筒部２０９に形成された第１ガス排気口２３６と、筒部２０９に形成され、第１ガス排気口２３６の下方に形成された第２ガス排気口２３７を備えている。筒部２０９は、下端部が開放され、上端部が平坦状の壁体で閉塞された有天井の形状で形成されている。また、筒部２０９は、ウエハ２００の直近にウエハ２００を囲むように設けられている。反応管２０３の筒部２０９の内部には、処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ウエハ２００を処理可能に構成されている。また、処理室２０１は、ウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で保持可能な基板保持具としてのボート２１７を収容可能に構成されている。

反応管２０３の下端は、円筒体状のマニホールド２２６によって支持されている。マニホールド２２６は、例えばニッケル合金やステンレス等の金属で構成されるか、若しくは石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料で構成されている。マニホールド２２６の上端部にはフランジが形成されており、このフランジ上に反応管２０３の下端部を設置して支持する。このフランジと反応管２０３の下端部との間にはＯリング等の気密部材２２０を介在させて反応管２０３内を気密状態にしている。

マニホールド２２６の下端の開口部には、シールキャップ２１９がＯリング等の気密部材２２０を介して気密に取り付けられており、反応管２０３の下端の開口部側、すなわちマニホールド２２６の開口部を気密に塞ぐようになっている。

ボート２１７は、ボート支持台２１８上に立設されている。ボート２１７は例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成されている。ボート２１７はボート支持台２１８に固定された底板とその上方に配置された天板とを有しており、底板と天板との間に複数本の支柱が架設された構成を有している。ボート２１７には複数枚のウエハ２００が保持されている。複数枚のウエハ２００は、互いに一定の間隔をあけながら水平姿勢を保持しかつ互いに中心を揃えた状態で反応管２０３の管軸方向に多段に積載されボート２１７の支柱に支持されている。

シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボートを回転させるボート回転機構２６７が設けられている。ボート回転機構２６７の回転軸２６５はシールキャップを貫通してボート支持台２１８に接続されており、ボート回転機構２６７によって、ボート支持台２１８を介してボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させる。

シールキャップ２１９は反応管２０３の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降され、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。

マニホールド２２６には、処理室２０１内に処理ガスを供給するガスノズルとしてのノズル３４０ａ〜３４０ｄを支持するノズル支持部３５０ａ〜３５０ｄが、マニホールド２２６を貫通するようにして設置されている。ここでは、４本のノズル支持部３５０ａ〜３５０ｄが設置されている。ノズル支持部３５０ａ〜３５０ｄは、例えばニッケル合金やステンレス等の材料により構成されている。ノズル支持部３５０ａ〜３５０ｃの反応管２０３側の一端には処理室２０１内へガスを供給するガス供給管３１０ａ〜３１０ｃがそれぞれ接続されている。また、ノズル支持部３５０ｄの反応管２０３側の一端には反応管２０３と筒部２０９の間に形成される間隙Ｓへガスを供給するガス供給管３１０ｄが接続されている。また、ノズル支持部３５０ａ〜３５０ｄの他端にはノズル３４０ａ〜３４０ｄがそれぞれ接続されている。ノズル３４０ａ〜３４０ｄは、例えば石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料により構成されている。

ガス供給管３１０ａには、上流方向から順に、第１処理ガスを供給する第１処理ガス供給源３６０ａ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３２０ａおよび開閉弁であるバルブ３３０ａがそれぞれ設けられている。ガス供給管３１０ｂには、上流方向から順に、第２処理ガスを供給する第２処理ガス供給源３６０ｂ、ＭＦＣ３２０ｂおよびバルブ３３０ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給管３１０ｃには、上流方向から順に、第３処理ガスを供給する第３処理ガス供給源３６０ｃ、ＭＦＣ３２０ｃおよびバルブ３３０ｃがそれぞれ設けられている。ガス供給管３１０ｄには、上流方向から順に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源３６０ｄ、ＭＦＣ３２０ｄおよびバルブ３３０ｄがそれぞれ設けられている。ガス供給管３１０ａ，３１０ｂのバルブ３３０ａ，３３０ｂよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管３１０ｅ，３１０ｆがそれぞれ接続されている。ガス供給管３１０ｅ,３１０ｆには、上流方向から順に、ＭＦＣ３２０ｅ，３２０ｆおよびバルブ３３０ｅ，３３０ｆがそれぞれ設けられている。

主に、ガス供給管３１０ａ、ＭＦＣ３２０ａ、バルブ３３０ａにより第１処理ガス供給系が構成される。第１処理ガス供給源３６０ａ、ノズル支持部３５０ａ、ノズル３４０ａを第１処理ガス供給系に含めて考えても良い。また、主に、ガス供給管３１０ｂ、ＭＦＣ３２０ｂ、バルブ３３０ｂにより第２処理ガス供給系が構成される。第２処理ガス供給源３６０ｂ、ノズル支持部３５０ｂ、ノズル３４０ｂを第２処理ガス供給系に含めて考えても良い。また、主に、ガス供給管３１０ｃ、ＭＦＣ３２０ｃ、バルブ３３０ｃにより第３処理ガス供給系が構成される。第３処理ガス供給源３６０ｃ、ノズル支持部３５０ｃ、ノズル３４０ｃを第３処理ガス供給系に含めて考えても良い。また、主に、ガス供給管３１０ｄ、ＭＦＣ３２０ｄ、バルブ３３０ｄにより不活性ガス供給系が構成される。不活性ガス供給源３６０ｄ、ノズル支持部３５０ｄ、ノズル３４０ｄを不活性ガス供給系に含めて考えても良い。

反応管２０３には排気口２３０が形成されている。排気口２３０は、第２ガス排気口２３７よりも下方に形成され、排気管２３１に接続されている。排気管２３１には処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整部としてのＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ２４６の下流側の排気管２３１は排ガス処理装置（図示せず）等に接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４４は、弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節してコンダクタンスを調整して処理室２０１内の圧力調整をできるようになっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により排気部として機能する排気系が構成される。なお、真空ポンプ２４６を排気系に含めてもよい。

反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ(不図示)が設置されており、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ２０７への供給電力を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。

以上の処理炉２０２では、バッチ処理される複数枚のウエハ２００がボート２１７に対し多段に積載された状態において、ボート２１７がボート支持台２１８で支持されながら処理室２０１に挿入され、ヒータ２０７が処理室２０１に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱するようになっている。

（コントローラ構成）
図４に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、実行部としてのＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶部としての記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されているＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された操作部としての入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、また、記憶装置１２１ｃには、このプロセスレシピを含む後述するシーケンスレシピが実行されることにより、装置を構成する各部品を動作させて生じる装置データが格納されている。これら装置データには、コントローラ１２１のタイムスタンプ機能により時刻データが付加されている。

また、記憶装置１２１ｃには、本実施形態における制御プログラム等が格納されている。ＣＰＵ１２１ａは、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて、これのプログラムを実行するように構成されている。また、記憶装置１２１ｃには、本実施形態における基板処理シーケンスやジョブ等の各種フローチャートを実現するプログラムが格納されており、これらのプログラム実行に使用される各種設定パラメータ、各種設定画面ファイルを含む画面ファイルが格納されている。

尚、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ３２０ａ〜３２０ｆ、バルブ３３０ａ〜３３０ｆ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラム等を読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作入力に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを介して読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ３２０ａ〜３２０ｆによる各種ガスの流量調整動作、バルブ３３０ａ〜３３０ｆの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサに基づくヒータ２０７の温度調整動作、ボート回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。

次に、図３を用いてプロセスジョブの本処理に相当する基板処理工程について説明する。本実施形態においては、コントローラ１２１がプロセスレシピを実行することにより、基板処理工程が行われる。また、プロセスレシピは、この本処理で実行される基板を処理するためのレシピであり、コントローラ１２１により制御される。以下、コントローラ１２１は、基板処理装置１０を構成する各部の動作を制御してウエハ２００に所定の処理を行う。

（基板処理工程）
所定枚数のウエハ２００が載置されたボート２１７が反応管２０３内に挿入され、シールキャップ２１９により、反応管２０３が気密に閉塞される。気密に閉塞された反応管２０３内では、ウエハ２００が加熱されると共に、処理ガスが反応管２０３内に供給され、ウエハ２００に所定の処理がなされる。

所定の処理として、例えば、第１処理ガスとしてＮＨ３ガスと、第２処理ガスとしてＨＣＤＳガスと、第３処理ガスとしてＮ２ガスとを交互供給することにより、ウエハ２００上にＳｉＮ膜を形成する。

まず、第２処理ガス供給系のガス供給管３１０ｂよりノズル３４０ｂのガス供給孔２３４ｂ、ガス供給スリット２３５を介して処理室２０１内にＨＣＤＳガスを供給する。具体的には、バルブ３３０ｂ、３３０ｆを開けることにより、キャリアガスと共に、ガス供給管３１０ｂからＨＣＤＳガスの処理室２０１内への供給を開始する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４の開度を調整して、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に維持する。所定時間が経過したら、バルブ３３０ｂを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。

処理室２０１内に供給されたＨＣＤＳガスは、ウエハ２００に供給され、ウエハ２００上を平行に流れた後、第１ガス排気口２３６を通って間隙Ｓを上部から下部へと流れ、第２ガス排気口２３７、排気口２３０を介して排気管２３１から排気される。

なお、処理室２０１内にＨＣＤＳガスを供給する間、ガス供給管３１０ａに接続される不活性ガス供給管のバルブ３３０ｅおよびガス供給管３１０ｃ，３１０ｄのバルブ３３０ｃ，３３０ｄを開けてＮ２等の不活性ガスを流すと、ガス供給管３１０ａ，３１０ｃ，３１０ｄ内にＨＣＤＳガスが回り込むのを防ぐことができる。

バルブ３３０ｂを閉じ、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給を停止した後は、処理室２０１内を排気し、処理室２０１内に残留しているＨＣＤＳガスや反応生成物等を排除する。この時、ガス供給管３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃ，３１０ｄからＮ２等の不活性ガスをそれぞれ処理室２０１内及び間隙Ｓに供給してパージすると、処理室２０１内及び間隙Ｓからの残留ガスを排除する効果をさらに高めることができる。

次に、第１処理ガス供給系のガス供給管３１０ａよりノズル３４０ａのガス供給孔２３４ａ、ガス供給スリット２３５を介して処理室２０１内にＮＨ３ガスを供給する。具体的には、バルブ３３０ａ、３３０ｅを開けることにより、キャリアガスと共に、ガス供給管３１０ａからＮＨ３ガスの処理室２０１内への供給を開始する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４の開度を調整して、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に維持する。所定時間が経過したら、バルブ３３０ａを閉じ、ＮＨ３ガスの供給を停止する。

処理室２０１内に供給されたＮＨ３ガスは、ウエハ２００に供給され、ウエハ２００上を平行に流れた後、第１ガス排気口２３６を通って間隙Ｓを上部から下部へと流れ、第２ガス排気口２３７、排気口２３０を介して排気管２３１から排気される。

なお、処理室２０１内にＮＨ３ガスを供給する間、ガス供給管３１０ｂに接続される不活性ガス供給管のバルブ３３０ｆおよびバルブ３３０ｃ，３３０ｄを開けてＮ２等の不活性ガスを流すと、ガス供給管３１０ｂ,３１０ｃ,３１０ｄ内にＮＨ3ガスが回り込むのを防ぐことができる。

バルブ３３０ａを閉じ、処理室２０１内へのＮＨ３ガスの供給を停止した後は、処理室２０１内を排気し、処理室２０１内に残留しているＮＨ３ガスや反応生成物等を排除する。この時、ガス供給管３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃ，３１０ｄからＮ２等の不活性ガスをそれぞれ処理室２０１内及び間隙Ｓに供給してパージすると、処理室２０１内及び間隙Ｓからの残留ガスを排除する効果をさらに高めることができる。

ウエハ２００の処理が完了すると、上記した動作の逆の手順により、ボート２１７が反応管２０３内から搬出される。

上述の実施形態では、第１処理ガスと第２処理ガスとを交互に供給する場合について説明したが、本発明は、第１処理ガスと第２処理ガスとを同時に供給する場合にも適用することができる。

次に、図５を用いて、本実施形態における基板処理の流れについて説明する。尚、本実施形態における基板処理シーケンスは、後述するＳ３００から制御部１２１によって実行されるよう構成されている。

(Ｓ１００)事前に種々のパラメータ設定や使用されるレシピを準備する工程(事前準備工程)である。この工程では、予め記憶部１２１ｃに記憶された基板処理シーケンス及び基板処理シーケンスで実行されるフロー(サブシーケンス)やレシピに使用されるパラメータ(以後、装置パラメータともいう)が、操作画面上で指定及び選択等により、設定される。また、操作画面上で指定及び選択等を行い、各フローやレシピを作成し、記憶部１２１ｃに記憶してもよい。

図６Ａに示すメンテナンス項目選定パラメータにより、本実施形態では、各処理モジュールが待機状態のときに、優先して使用される処理モジュールＰＭはメンテナンス番号により設定される。メンテナンス番号「００」は、今回使用した処理モジュールＰＭ(ＰＭ１かＰＭ２のどちらか)をコントローラ１２１内部に記憶しておき、次回は、その記憶している処理モジュールＰＭではない処理モジュールＰＭを使用するという仕様である。メンテナンス番号「０１」「０２」は、それぞれ処理モジュールＰＭ１、処理モジュールＰＭ２固定である。

そして、メンテナンス番号が上記以外の場合、メンテナンス番号に相当するメンテナンス項目に関する現在値が、各処理モジュールＰＭで比較され、値が小さい処理モジュールＰＭが選定される。図６Ａに示すように、メンテナンス項目は、常駐ダミーウエハ使用回数、膜厚値、レシピ膜厚値、レシピ実行回数、レシピステップ実行回数、実行時間等である。このメンテナンス項目選定パラメータは、装置パラメータとして記憶部１２１ｃに格納される。

図６Ｂに示すログインユーザ指定パラメータは、予めログインユーザ毎に使用可能な処理モジュールＰＭを設定するパラメータであり、図示しない設定画面上で事前に設定される。事前にログインユーザが操作できる処理モジュールＰＭの範囲を登録しておくことで、ログインしているユーザ情報から、処理対象の処理モジュールＰＭを特定できる。これにより制御部１２１が自動で処理対象モジュールＰＭを選定することができる。

図６Ｂに示すように、「ＰＭ１」はプロセスモジュールＰＭ１を使用可能、「ＰＭ２」はプロセスモジュールＰＭ２を使用可能、「ＡＬＬ」はプロセスモジュールＰＭ１でもプロセスモジュールＰＭ２でも共通して使用可能ということを示す。このログインユーザ指定パラメータは、装置パラメータとして記憶部１２１ｃに格納される。

図６Ｃに示すキャリアＩＤ登録パラメータは、キャリアＩＤの接頭語に使用可能な処理モジュールＰＭをキャリア種別毎に設定するパラメータであり、図示しない設定画面上で事前に設定される。ここで、図６Ｃに示す「ＳＤ」はサイドダミーウエハが格納されるキャリア１１０、「Ｍ１」「Ｍ２」は、モニターウエハが格納されるキャリア１１０、「ＰＤ」は製品基板が格納されるキャリア１１０、「ＦＤ」は補充ダミーウエハが格納されるキャリア１１０、「Ｒ１」「Ｒ２」は、モニターウエハの回収専用キャリア１１０をそれぞれ示す。

「ＳＤ」行の「ＰＭ１」列のセルに定義されているＤＡ、「ＰＭ２」列のセルに定義されているＤＢが、それぞれリアクタ情報としてのキャリアＩＤの接頭語を示す。この接頭語による定義は最大４文字まで可能である。また、「Ｍ１」行等のように「ＰＭ１」「ＰＭ２」列のセルに定義されていない各種キャリアは、デフォルトとしてプロセスモジュールＰＭ１でもプロセスモジュールＰＭ２でも共通して使用可能ということを示す。このキャリアＩＤ登録パラメータは、装置パラメータとして記憶部１２１ｃに格納される。

図６Ｄは、キャリア投入判定パラメータを示す。図６Ｄに示すように、投入操作は、ログインユーザが画面上で操作してキャリアを投入する画面投入(マニュアル投入)方式とＨＯＳＴ等の上位コンピュータが投入指示するＨＯＳＴ投入(自動投入)方式がある。

キャリア投入判定パラメータは、ユーザのキャリア投入操作において、ログインユーザによる使用可能な処理モジュールＰＭの自動判定と、使用可能な処理モジュールＰＭのユーザ任意選択と、使用可能な処理モジュールＰＭの装置自動判別との関係を示すパラメータである。ここで、装置自動判別とは、上述のキャリアＩＤ登録パラメータの情報として、キャリア種別単位で登録されている処理モジュールＰＭ１と処理モジュールＰＭ２に対するリアクタ情報を取得し、使用可能な処理モジュールＰＭの選定(判定)を行うことである。

画面投入方式では、図６Ｄに示すように、処理モジュールＰＭ１と処理モジュールＰＭ２が異膜種であれば、ログインユーザのユーザ情報として図６Ｂに示すログインユーザ指定パラメータにより使用可能な処理モジュールＰＭの選定(判定)が行われる。このキャリア投入判定パラメータも事前に設定されており、装置パラメータとして記憶部１２１ｃに格納される。

上述した４つの装置パラメータの他、装置パラメータの一つのバリアブルパラメータとして指定可能であるボート２１７上のウエハ配置指定を定義するウェーハアレンジメントパラメータ（ＷＡＰ）から、使用するウエハ種別ごとのウエハ枚数を事前に算出することができ、装置構成に関係する装置コンフィグパラメータにより、選定された処理モジュールＰＭに製品基板２００をウエハ単位か、またはキャリア単位で搬送するかを指定することができる。これらも同様に、装置パラメータとして記憶部１２１ｃに格納される。

また、操作画面上にプロセスレシピやシーケンスレシピ等のレシピ設定画面を表示し、所望のレシピを選択できるように構成されている。この場合、レシピ設定画面に表示されるレシピは、予め指定されたプロセスモジュールＰＭで実行可能なレシピが表示されるよう構成されている。また、プロセスレシピの総時間も表示し、使用者に提供するように構成してもよい。

(Ｓ２００)例えば、使用者(ログインユーザ)が専用で使用する場合等に、操作画面上に表示されたユーザＩＤやパスワードが入力され、ログイン処理が行われる。

(Ｓ３００)少なくとも基板処理装置１０に所定枚数の製品基板２００が収納されたキャリア１１０が投入されると、制御部１２１は、そのキャリア１１０がどの処理モジュールＰＭで使用可能であるかを示すリアクタ情報を取得するように構成されている。また、制御部１２１は、該リアクタ情報を取得すると共に、操作画面に表示させるよう構成してもよい。

尚、制御部１２１は、後述するようにログインユーザに登録したリアクタ情報と投入されたキャリア１１０から取得したリアクタ情報を関連付けることができる。例えば、図７に示すリアクタ情報は、「ＰＭ１」はプロセスモジュールＰＭ１で使用可能、「ＰＭ２」はプロセスモジュールＰＭ２で使用可能、「ＡＵＴＯ」はプロセスモジュールＰＭ１でもプロセスモジュールＰＭ２でも共通して使用可能ということを示す。

（ログインユーザから判断する方法）
事前にログインユーザが操作できるプロセスモジュールＰＭの範囲を登録しておくことで、ログインしているユーザ情報から、使用可能なプロセスモジュールＰＭを特定できるように自動で選定するように構成されている。例えば、Ｓ２００でログイン処理時に取得したユーザ情報に基づいて処理対象モジュールＰＭを選定することができる。また、キャリア１１０投入時に、設定画面を表示して、ユーザに選択できるように構成してもよい。

具体的には、図８Ａに示すフローが制御部１２１により実行されるよう構成される。

制御部１２１は、操作部１２２から処理に使用されるキャリア１１０の種別と個数の選択を受付ける。

制御部１２１は、各プロセスモジュールＰＭで実行される膜種が同一であるか判定し、同一膜種であれば、各キャリア１１０を「ＡＵＴＯ」に設定する。そして、使用者がプロセスモジュールＰＭを選択するための設定画面を表示するよう構成される。

制御部１２１は、各プロセスモジュールＰＭで実行される膜種が同一でないと判定すると、ログインユーザ情報を取得し、使用可能なリアクタ情報を取得する。制御部１２１は、各キャリア１１０について、ログインユーザ情報から取得したリアクタ情報に基づき使用するプロセスモジュールＰＭを設定し、「ＡＵＴＯ」設定でなければそのまま確定する。また、「ＡＵＴＯ」設定であれば、作業者が選択可能なように設定画面を表示するよう構成される。

このように、ログインユーザで使用するプロセスモジュールＰＭを決定する場合、キャリア情報から取得するリアクタ情報とログインユーザで設定されるリアクタ情報が一致しているか制御部１２１が判断し、ログインユーザが処理対象モジュールＰＭを使用して、ウエハ２００を処理することができる。ここで、キャリア情報の基本情報は、リアクタ情報のほかに、キャリアＩＤ(ＦＯＵＰＩＤ)情報、キャリア種別(ＦＯＵＰ種別)情報、キャリア内ウエハマップ情報(ＦＯＵＰ内ウエハマップ情報)、ウエハの枚数、ウエハＩＤ情報等がある。ここで、ウエハマップ情報とは、どのスロットにウエハが存在するのかを示す情報である。

ログインしているユーザ情報から、使用可能なプロセスモジュールＰＭを特定することにより、誤操作を防止することができる。例えば、間違ってキャリア１１０を投入することがないように、使用権限のあるプロセスモジュールＰＭに対するキャリア投入ができるようにしている。また、操作回数の削減も期待できる。

ログインしているユーザ情報から、使用可能なプロセスモジュールＰＭを特定するやり方は、プロセスモジュールＰＭ１とプロセスモジュールＰＭ２が異膜種である場合に有効となる。これは、使用者が今から処理したい材料を間違って基板処理装置１０に投入したり、間違ったプロセスモジュールＰＭで処理されることを未然に防いだりでき、また、使用者が、処理モジュールＰＭを常に選択するという手間を省かせることができる。

（キャリア識別情報から自動判別する方法）
顧客ホストコンピュータから投入する場合であり、キャリアＩＤ自動判別をおこなうタイミングは、基板処理装置１０のロードポート２２に基づいてキャリア１１０が搬送され、制御部１２１がキャリア１１０のキャリアＩＤの情報を読み込み確定したときになる。図８ＢにキャリアＩＤのキャリア識別情報から自動判別するフローを示す。

(Ｓ３１０) 顧客ホストコンピュータによりキャリア１１０が投入されると、制御部１２１は本フローを起動する。(Ｓ３１１)制御部１２１は、キャリア種別情報、キャリアＩＤの接頭語を含むキャリアＩＤ情報などのキャリア識別情報を取得する。

(Ｓ３１２) 制御部１２１は、取得したキャリア識別情報と装置パラメータとして設定されているキャリアＩＤ指定パラメータ(以後、ＰＭ指定パラメータともいう)を比較する。
(Ｓ３１３) 制御部１２１は、キャリア識別情報とＰＭ指定パラメータが一致していると、キャリア識別情報から取得したリアクタ情報に基づき対象処理モジュールＰＭを設定する。

(Ｓ３１４) 制御部１２１は、処理対象のプロセスモジュールＰＭ数分の対象処理モジュールＰＭの設定が終了か確認する。終了していない場合は、Ｓ３１１からＳ３１３の工程を繰返す。尚、本実施形態において、プロセスモジュールは、ＰＭ１とＰＭ２の２つであるため、２回行われる。

(Ｓ３１５) 制御部１２１は、対象処理モジュールＰＭの設定の有無を確認する。既にＳ３１３で設定されていれば(Ｎｏの場合)、（Ｓ３１７）ＯＫ応答を出力して本フローを終了する。

(Ｓ３１５) 制御部１２１は、対象処理モジュールＰＭの設定の有無を確認し、Ｓ３１３での設定がされていなければ(ＹＥＳの場合)、次の工程（Ｓ３１６）に移行し、投入されたキャリア１１０がジョブ指定キャリアか確認する。ここで、ジョブ指定キャリアとは、後述するジョブ登録(ジョブ生成)で登録される処理対象材料のことである。尚、処理対象材料とは、ダミーウエハ２００のキャリア１１０以外の製品基板２００やモニタ基板２００のキャリア１１０であり、処理対象ウエハ２００とは、ダミーウエハ２００を除く製品ウエハ２００やモニタウエハ２００である。以後、ウエハ種別は、製品ウエハ２００、ダミーウエハ２００、モニタウエハ２００であり、これらをまとめて総称する場合、単にウエハ２００と称することがある。

Ｓ３１６において、制御部１２１は、投入されたキャリア１１０がジョブ指定キャリアか確認し、ジョブ指定キャリアであれば、(Ｓ３１９) 投入されたキャリア１１０をＡＵＴＯに設定し、ＯＫ応答を出力して本フローを終了する。本実施形態では、ジョブ指定キャリアでない場合でも、(Ｓ３１８) 投入されたキャリア１１０をＡＵＴＯに設定し、ＯＫ応答を出力して本フローを終了する。

本実施形態では、ダミーウエハ２００を格納したキャリア１１０をプロセスモジュールＰＭ１とプロセスモジュールＰＭ２の両方で使用してもよい膜種を前提にして、本フローのＳ３１８においてＡＵＴＯ設定として、プロセスモジュールＰＭ１とプロセスモジュールＰＭ２のどちらでも使用可能にしている。

例えば、プロセスモジュールＰＭ１とプロセスモジュールＰＭ２が異膜種でダミーウエハの共通使用が不可能であれば、ＮＧ応答となり拒絶される。尚、共通使用の可(ＯＫ)か不可(ＮＧ)は、装置パラメータの一種である装置構成パラメータにより設定される。

また、本実施形態によれば、キャリア１１０の情報としてリアクタ情報を持たせることで、そのキャリア１１０内に存在するウエハ２００に対しても、ウエハ情報としてリアクタ情報を持たせることができる。本実施形態によれば、このリアクタ情報を搬送インターロックとして利用することで、ウエハ２００を対象プロセスモジュールＰＭにだけ使用できるようにして、より緻密なプロセス処理ができるようにしている。ここで、ウエハ情報は、上記リアクタ情報のほか、ウエハＩＤ情報、ウエハ種別情報、現在位置情報、現在処理状態、現在移動状態を基本情報として有する。

制御部１２１は、キャリア１１０内のスロットマップ照合でＯＫ(異常無し)応答を出力すると共に、ウエハ情報としてリアクタ情報を取得するよう構成されている。また、上記基本情報を取得するように構成されている。尚、意図しないプロセスモジュールＰＭにウエハ２００を搬送させようとしても、制御部１２１は、アラームを発砲させると共にウエハ２００を搬送させないように制御するよう構成されている。

（ジョブ登録処理）
(Ｓ４００)制御部１２１は、プロセス仕様及び材料仕様が指定されているとき、つまり、オペレータもしくは顧客ホストコンピュータからの成膜処理要求を受け付け、ジョブキューに登録された後、1秒周期で、図９Ａに示すジョブ登録(生成)処理を開始するように構成されている。なお、成膜処理要求で通知される情報は、成膜時に使用するシーケンスレシピ、該シーケンスレシピに対応したプロセスパラメータ、処理対象となる製品ウエハ２００及びモニタウエハ２００のキャリア１１０と該キャリア１１０内にウエハ２００を載置するための保持部(スロット)の項番(ナンバ)等である。

また、このスロットの項番(以後、スロット番号ともいう)は、ボート２１７と同様に下から順番に付加されている。更に、制御部１２１は、キャリア１１０やスロットに載置されたウエハ２００を成膜処理要求で通知された情報の受付け順に優先順位を確定していく。つまり、制御部１２１の情報取得順に優先順位が付けられるため、例えば、ウエハ２００はスロット番号順に優先順位が決定される。

(Ｓ４０１) 制御部１２１は、プロセス仕様を確認する。具体的には、指定されたレシピが記憶部１２１ｃに格納され、該レシピで使用するパラメータの設定が正しいことを確認する。(Ｓ４０２)プロセスモジュール単位でプロセス仕様を整理しておく。つまり、制御部１２１は、予め記憶部１２１ｃに格納されたレシピから今回指定されたレシピを選択して、所望のプロセス仕様を確定する。

(Ｓ４０３)制御部１２１は、次に材料仕様を確認する。具体的には、処理済みでないキャリア１１０内のウエハ２００であり、このキャリア１１０が他のジョブで処理を予約されていないかを確認する。

(Ｓ４０４)全処理モジュールＰＭで処理可能なウエハ処理能力を確認する。具体的には、制御部１２１は、処理モジュールＰＭの処理ウエハ能力を事前に把握する為に、記憶部１２１ｃ予め格納されているウェーハアレンジメントパラメータＷＡＰから、使用するウエハ種別ごとのウエハ枚数を事前に算出する。

制御部１２１は、今回の処理で使用する全基板数を算出し、基板処理装置１０が対応する全ウエハ種別に対して、ボート２１７上のウェーハレイアウトに応じて各枚数を算出する。次に、制御部１２１は、プロセスモジュールＰＭ１とプロセスモジュールＰＭ２の各々のプロセスモジュールで使用するウエハ種別に対する基板枚数の最大値と最小値が同じであることを確認する。

(Ｓ４０５)制御部１２１は、Ｓ４０４で算出したプロセスモジュールＰＭ１とプロセスモジュールＰＭ２の処理ウエハ能力に基づいて、図９Ｂに示す材料仕様確定処理シーケンスを実行する。以下、図９Ｂに示す材料仕様確定処理シーケンスの詳細について説明する。

(Ｓ４１０)プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数未満であれば、プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)に全処理対象ウエハを集め(Ｓ４１１)、ジョブ生成で示した順番(Ｓ４００で取得した優先順位)で処理対象ウエハ２００を並べる(Ｓ４１２)。ここでは、処理対象ウエハ２００は、キャリア１１０の番号順、且つキャリア１１０のスロット番号順で、処理の順番が決定され、その結果を材料処理順番１に格納する（Ｓ４１３）。

(Ｓ４１０)プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数以上であれば、複数のプロセスモジュールＰＭに処理対象ウエハ２００を振り分ける(Ｓ４１４)。先ず、ウエハ単位均等振分に設定されているか判定する(Ｓ４１５)。

ウエハ単位均等振分に設定されていれば、ジョブ生成で示した順番(Ｓ４００で取得した優先順位)で処理対象ウエハ２００を並べ、処理対象ウエハ２００を按分する(Ｓ４１６)。その結果を記憶部１２１ｃ内の材料処理順番１、材料処理順番２に相当する領域にそれぞれ格納する（Ｓ４１７）特に、処理対象ウエハ２００は、プロセスモジュールＰＭの番号順、キャリア１１０の番号順、且つキャリア１１０のスロット番号順で、処理の順番が決定される。

キャリア単位均等割りに設定されている場合(Ｓ４１８)、(２^N-２)/２のパターン(Ｎ：キャリア数)のキャリア組合せを算出する(Ｓ４１９)。算出された組合せで最大値が総枚数以上である組合せを抽出し(Ｓ４２０)、按分の差が最も小さい組合せを選択する(Ｓ４２１)。その結果を記憶部１２１ｃ内の材料処理順番１、材料処理順番２に相当する領域にそれぞれ格納する（Ｓ４１７）。

このように、制御部１２１は、プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数以上であれば、プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)に全ての処理対象ウエハ２００を搬送して処理を実施するように構成されている。特に、処理対象ウエハ総枚数が、キャリア１１０に最大収納枚数(本実施形態では、２５枚)未満であれば、プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)に全ての処理対象ウエハ２００を搬送して処理を実施するのが好ましい。

また、制御部１２１は、プロセスモジュールＰＭ１(またはＰＭ２)の最大処理ウエハ枚数が処理対象ウエハ総枚数より小さければ、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２に振り分け搬送を行い、２回のプロセス処理に分けて実施するように構成されている。なお、処理対象ウエハ総枚数が、キャリア１１０に最大収納枚数(本実施形態では、２５枚)以上であれば、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２に振り分け搬送を行い、処理対象ウエハ２００を処理するようにしてもよい。

（ジョブ実行処理）
(Ｓ５０１) 制御部１２１は、ジョブ登録(生成)後、周期的(本実施形態では１秒毎)にジョブ実行指示の有無を監視する。そして、上位コントローラまたは操作部１２２からジョブ実行指示を受付けると、図１０Ａに示す処理モジュールを選定する処理を開始するように構成されている。

(Ｓ５０２)制御部１２１は、使用可能な処理モジュールＰＭをピックアップする。このピックアップの条件は、処理モジュールＰＭが実行禁止状態でなく、材料処理待機状態である。

制御部１２１は、ピックアップされた処理モジュールＰＭが、無い場合(Ｓ５０３)はそのまま待機状態(選定待ち状態)となり、一つの場合(Ｓ５０４)は、使用可能な処理モジュールＰＭの選定を確定し、本処理を終了する(Ｓ５０５)。

制御部１２１は、ピックアップされた処理モジュールＰＭが複数の場合(Ｓ５０６)、1つの処理モジュールＰＭのみ使用するか確認する(Ｓ５０７)。Ｓ５０７でＮｏの場合、図６Ａに示すメンテナンス項目選定パラメータに従い、使用可能な処理モジュールＰＭを選定し、本処理を終了する(Ｓ５１２)。なお、Ｓ５１２における使用可能な処理モジュールＰＭを選定については後述する。一方、Ｓ５０７でＹｅｓの場合、ダミーウエハ数を含めて再度処理モジュールのピックアップが行われる（Ｓ５０８）。

制御部１２１は、ピックアップされた処理モジュールＰＭが複数の場合(Ｓ５０６)、または無しの場合(Ｓ５０３)、後述するＳ５１２における使用可能な処理モジュールＰＭを選定し、本処理を終了する(Ｓ５１２)。制御部１２１は、ピックアップされた処理モジュールＰＭが一つの場合(Ｓ５０４)、使用可能な処理モジュールＰＭの選定を確定し、本処理を終了する(Ｓ５０５)。

Ｓ５１２における処理モジュールＰＭを選定するフローを図１０Ｂに示す。(Ｓ５２０)制御部１２１は、予め記憶部１２１ｃに格納されている図６Ａに示す装置パラメータ(メンテナンス項目選定パラメータ)から処理モジュールＰＭ選定方式を取得する。具体的には、メンテナンス項目に定義されているメンテナンスナンバーを取得する。

(Ｓ５２１)制御部１２１は、メンテナンスナンバーが「００」か確認する。ＹＥＳの場合、(Ｓ５２２)最後に使用した処理モジュールＰＭを参照し、この処理モジュールＰＭではない処理モジュールＰＭを選択し、使用する処理モジュールを確定する。Ｎｏの場合、メンテナンスナンバーが「０１」か「０２」かを確認する(Ｓ５２３)。

メンテナンスナンバーが「０１」か「０２」の場合、制御部１２１は、「０１」であれば、処理モジュールＰＭ１を選択し、使用する処理モジュールを確定する。「０２」であれば、処理モジュールＰＭ２を選択し、使用する処理モジュールを確定する(Ｓ５２４)。

メンテナンスナンバーが「０１」か「０２」ではない場合、(Ｓ５２５)各処理モジュールのメンテナンス項目の現在値を取得し、(Ｓ５２６)現在値の小さい処理モジュールを選択し、使用する処理モジュールを確定する。尚、現在値が同じ場合、処理モジュールＰＭ１を選択し、使用する処理モジュールを確定する。

使用する処理モジュールＰＭ(ＰＭ−１)を確定すると、次に、制御部１２１は、バッチ組を行う。ここで、バッチ組(群)とは、１つの処理モジュールＰＭで１回で処理することができる処理対象ウエハ２００の塊であり、原則として処理対象ウエハ２００を対象としている。ここでは、記憶部１２１ｃ内の材料処理順番１領域のデータが該当する。これにより、処理モジュールＰＭ−１で処理される処理対象ウエハ２００のバッチ組が作成される。

処理モジュールＰＭ内に挿入されるボート２１７の全スロット(基板保持領域)の両端部(上端部と下端部)は、均熱が保持できない部分が僅かながらに存在するため、常に数枚ずつダミーウエハ２００をこの部分(スロット)に保持しつつ、温度が安定しているスロットの保持部で製品ウエハ２００を保持するようにしている。

つまり、この均熱が保持できない基板保持領域にはダミーウエハ２００を配置するため、バッチ組はダミーウエハ２００を含む構成となる。

次に、使用対象のダミーウエハ２００のキャリア１１０の選定及びダミーウエハ２００の選定が行われる。図１１Ａを用いて、制御部１２１が、ダミーウエハ２００を使用するキャリア１１０を選定及びダミーウエハ２００の選定する工程について説明する。

(Ｓ６２１)キャリア情報に基づき、ダミーウエハ２００を使用するキャリア１１０をピックアップする。ピックアップしたキャリア１１０内のスロットナンバー１のダミーウエハ２００の有無を判定する。なければ次のスロットナンバー２のダミーウエハ２００の有無を判定する。

(Ｓ６２２) キャリア１１０内のスロットナンバー１にダミーウエハ２００を有する場合、該ダミーウエハ２００が使用可能状態か判定する。使用可能状態でない場合、次のスロットナンバー２のダミーウエハ２００の有無を判定する。

(Ｓ６２３)スロットナンバー１のダミーウエハ２００が使用可能状態である場合、今回のプロセス処理が処理モジュールＰＭ１で実行するか判定する。ＹＥＳであれば、ダミーウエハ２００のウエハ情報から処理モジュールＰＭ１、または「ＡＵＴＯ」指定のダミーウエハ２００を選定する。Ｎｏであれば、処理モジュールＰＭ２、または「ＡＵＴＯ」指定のダミーウエハ２００を選定する。

(Ｓ６２４)選定数(デフォルトは０)に１を加え、(Ｓ６２５)このダミーウエハ２００のウエハ情報を記憶部１２１ｃに格納し、次のスロットナンバー２のダミーウエハ２００の有無を判定する。そして、Ｓ６２２からＳ６２５までの工程をスロットナンバーの数だけ実行する。

その後、次のダミーキャリア(ダミーウエハ２００を格納するキャリア)１１０について、Ｓ６２２からＳ６２５までの工程をスロットナンバーの数だけ実行する。そして、Ｓ６２１でピックアップされたダミーキャリア１１０の数分、全てのダミーウエハ２００について、ウエハ情報を記憶部１２１ｃに格納すると本処理フローを終了する。

そして、制御部１２１は、ダミーウエハ２００を含むバッチ組を構成するのにウエハ２００の枚数が十分にあるか確認する。

(Ｓ６００)次に、制御部１２１は、前処理(スタンバイステップ)、本処理(メインステップ)、後処理(エンドステップ)の３つのステップを含むシーケンスレシピを実行するように構成されている。前処理において、キャリア１１０からボート２１７へのウエハ２００の搬送が行われる。制御部１２１は、記憶部１２１ｃ内の材料処理順番１領域、及び材料処理順番２領域で定義された基板配置に応じて、更に加えて、記憶部１２１ｃに格納されたダミーウエハ２００の選定材料情報を用い、基板移載データを作成し、各種ウエハ２００が順次処理モジュールＰＭの下方に設置されるボート２１７へ搬送される。ここで、制御部１２１は、基板移載データを作成の前に、最終的に使用するダミーウエハ２００の選定と移載する順番を図１１Ｂを用いて決定する。

次に、図１１Ｂを用いて、制御部１２１が、使用するダミーウエハ２００の選定とダミーウエハ２００を優先させて使用する順にソートする工程について説明する。

制御部１２１は、処理対象プロセスモジュールＰＭの情報に応じて記憶部１２１ｃに格納された選定材料情報を取得し、取得した選定材料情報に基づき「ＡＵＴＯ」指定のダミーウエハ２００かどうか判定する。制御部１２１は、「ＡＵＴＯ」指定のダミーウエハ２００だけを格納するＡＵＴＯ領域と、「ＡＵＴＯ」以外が指定されたダミーウエハ２００を格納するＰＭ指定領域にそれぞれ格納していき、これらＡＵＴＯ領域とＰＭ指定領域への格納処理を選定材料情報で取得した選定数分終了すると、ＰＭ指定領域に格納されたダミーウエハ２００をＡＵＴＯ領域に格納されたダミーウエハ２００よりも先に使用するような順番になるように今回使用可能材料情報領域に格納する。

このように、本実施形態によれば、特定の処理モジュール専用のダミーウエハ２００を使用していき、どうしても不足した場合に、処理モジュール共有のダミーウエハ２００を使用することで、ダミーウエハ２００を効率的に運用することができる。よって、基板処理装置１０にて材料処理を実施するにあたり、使用するダミーウエハ２００を効率よく使用できる。さらに、ダミーウエハ２００の交換を容易にするために、特定のダミーウエハ２００から使用することで、ダミーウエハ２００を収納しているキャリア１１０の交換も容易にすることができる。ここで改めてダミーウエハ２００は、サイドダミー基板と補充ダミー基板の両方を含む。

図１２Ａに基板移載データの一例を示す。基板移載データは、ウエハ２００が処理される順番を示す情報と、ボート２１７に載置されるウエハ２００の搬送元情報と、ウエハ２００を処理する処理室２０１を示す搬送先情報を含む。基板移載データは、搬送元情報としてボート２１７に載置されるウエハ２００が格納されるキャリア１１０の種別と項番を示す情報と、ウエハ２００がキャリア１１０内で載置されるスロット番号を示す情報を含み、搬送先情報としてボート２１７のスロット番号を示す情報を含む。図１２Ａには、この基板移載データが、処理モジュールＰＭ１しか掲載していないが、処理モジュールＰＭ２も同様な構成である。

次に、図１３を用いて、図１２Ａに示す基板移載データの作成に関して説明する。具体的には、(Ｓ６１１)選択された処理モジュールＰＭ−１に関するボート２１７へウエハ２００を搬送するためのボート２１７上のウエハ２００の配置を設定する。(Ｓ６１２)制御部１２１は、Ｓ６１１で得たウエハ２００の配置からウエハ２００を搬送する順番を確定する。(Ｓ６１３)制御部１２１は、ウエハ２００の搬送順番に基づき、ウエハ２００のキャリア１１０をポッドオープナ２１へ運ぶ順番を確定する。

（Ｓ６１１）ボート２１７の全スロット(基板保持領域)の両端部(上端部と下端部)では、均熱が保持できないので製品ウエハ２００が載置できないため、この均熱が保持できない基板保持領域にはダミーウエハ２００を配置する。具体的には、制御部１２１は、選択された処理モジュールＰＭ−１に関し、この搬送先のボート２１７の全スロット(図１２では、スロットが４６個)において、全スロットのうち、均熱が保持できない両端部(上部は上端部から２つ目までのスロット、下部は、下端部から３つ目までのスロット)をダミーウエハ２００を配置する。そして、制御部１２１は、この全スロットの中心部(２４スロット)と均熱が保持できない両端部と境界で均熱が保持されるスロット(４スロット、４４スロット)の３か所にモニタウエハ２００を配置するように構成されている。最後に制御部１２１は、これらダミーウエハ２００およびモニタウエハ２００以外のスロットに製品ウエハ２００を配置するように設定する。

（Ｓ６１２）制御部１２１は、ウエハ２００の配置からウエハ２００を搬送する順番を、これまでの各種ウエハ２００のキャリア１１０情報等をもとに決定する。具体的には、ウエハ２００の搬送時のパーティクル抑制のために、ダミーウエハ２００を初めにボート２１７に搬送する。次に製品ウエハ２００およびモニタウエハ２００を移載するように搬送順(図１２Ａでは搬送Ｐｒｉｏｒｉｔｙと記載)が決定される。また、図１２Ａでは、製品ウエハ２００を先に移載した後、モニタウエハ２００を移載するように搬送順が決定されている。つまり、ダミーウエハ２００、製品ウエハ２００、モニタウエハ２００の順番にボート２１７への搬送が行われるように決定される。

また、制御部１２１は、キャリア１１０内の取り出すスロット番号の順番も搬送順(搬送Ｐｒｉｏｒｉｔｙ)と関連させて適宜決定する。なお、本実施形態では、処理対象ウエハ２００、ダミーウエハ２００のキャリア１１０内の取り出す順番は、それぞれスロット番号順である。その結果、制御部１２１は、図１２Ａに示す基板移載データを作成する。

(Ｓ６１３) 制御部１２１は、Ｓ６１２で各種ウエハ２００の順番に基づき、ポッドオープナ２１へ搬送される各キャリア１１０の順番を決定する。ここでは、キャリア(Ｄ０１)１１０が、初めにポッドオープナ２１に載置され、次に、キャリア(Ｐ０１)１１０、キャリア(Ｐ０２)１１０が、この順番にポッドオープナ２１に載置され、最後に、キャリア(Ｄ０１)１１０がポッドオープナ２１に載置されるように決定される。

次に、プロセスレシピ内の任意ステップからボート２１７へのウエハ２００の移載命令を受付けると、制御部１２１は、作成された基板移載データを読み出し、ボート２１７上のスロットのうち均熱領域以外の該スロットにダミーウエハ２００を移載させ、残ったボート２１７上の均熱領域に相当するスロットに、ウエハ移載機構１２５を上下に移動させながら製品ウエハ２００やモニタウエハ２００を移載させる。

制御部１２１は、ポッド搬送装置１３０およびウエハ移載機構１２５にキャリア１１０の搬送およびウエハ２００の移載を行わせる。具体的には、ポッド搬送装置１３０により、キャリア(Ｄ０１)１１０が、初めにポッドオープナ２１に載置され、ウエハ移載機構１２５により、ダミーウエハ２００が、ボート２１７に搬送順(搬送Ｐｒｉｏｒｉｔｙ)に搬送される。次に、ポッド搬送装置１３０により、キャリア(Ｐ０１)１１０、キャリア(Ｐ０２)１１０が、この順番にポッドオープナ２１に載置され、ウエハ移載機構１２５により、製品ウエハ２００がボート２１７に搬送順(搬送Ｐｒｉｏｒｉｔｙ)に沿って搬送される。最後に、ポッド搬送装置１３０により、キャリア(Ｄ０１)１１０がポッドオープナ２１に載置され、ウエハ移載機構１２５により、モニタウエハ２００がボート２１７に搬送順(搬送Ｐｒｉｏｒｉｔｙ)に搬送される。

ここで、ポッドオープナ２１に２つのキャリア１１０を載置することができれば、キャリア(Ｐ０１)１１０とキャリア(Ｍ０１)１１０を載置しておけば、搬送順を製品ウエハ２００とモニタウエハ２００を分けることなく連続して順位付けすることができるため、搬送時間を短縮できる。なお、一つのキャリア１１０にモニタウエハ２００と製品ウエハ２００を混在しておくことができれば、同様に製品ウエハ２００とモニタウエハ２００を分けることなく連続して順位付けすることができるため、搬送時間を短縮できる。

ボート２１７へのウエハ２００の移載が終了すると、ウエハ２００の搬送位置の位置ズレなし確認が行われ、異常が無ければ、シーケンスレシピに定義されているプロセスレシピが実行される。制御部１２１がプロセスレシピを実行することにより、前述の基板処理工程が実施される。

なお、処理モジュールＰＭ−２についても処理モジュールＰＭ−１と同様に行われるのは言うまでもない。ここで、搬送順が処理モジュールＰＭ−１を優先するため、処理対象ウエハ２００が処理される順番が、４７から始められる。また、各キャリアのスロット番号についても同様に、製品キャリア(Ｐ０２)１１０の１４から始められ、モニタキャリア(Ｍ０１)１１０の４から始められ、ダミーキャリア(Ｄ０１)１１０の６から始められる。但し、ダミーキャリア(Ｄ０１)１１０のスロット番号については、図１１Ｃに示す使用優先順番ソート結果により、適宜決定される。

(他の実施形態)
図１２Ｂに他の実施形態における基板移載データの一例を示す。この基板移載データは、記憶部１２１ｃ内に格納された材料処理順番１、材料処理順番２を示す。つまり、ダミーウエハ２００を用いないダミーレスの基板移載データであり、図１２Ａの製品ウエハ２００と同じ枚数である。同様に、処理対象ウエハ２００が処理される順番を示す情報と、ボート２１７に載置される処理対象ウエハ２００の搬送元情報を含む。また、搬送元情報は、処理対象ウエハ２００が格納されるキャリア１１０を示す情報と、処理対象ウエハ２００がキャリア１１０内で載置されるスロット番号を示す情報を含む。また、図１２Ａで示す基板移載データと同様に搬送先情報であるボート２１７のスロット番号を示す情報を追加してもよい。

図１２Ｂでは、ダミーウエハ２００を用いない製品ウエハ２００を用いるだけの今後実施されうる構成であり、この構成では製品ウエハ２００を用いるだけでよいので、ウエハ２００をボート２１７に搬送する時間の短縮される。更に、基板処理装置１０内にダミーウエハ２００を投入する必要がないため、汚染源が一つなくなるので、清浄に基板処理装置１０内を保持することができる。

上述の実施形態では、一方（左側または右側）の載置台１２２におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（左側または右側）の載置台１２２にはポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１３０によって搬送されて移載され、ポッドオープナ２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する場合にも、好適に適用できる。

また、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）製造装置にも適用することができる。

２００…ウエハ(基板)
２１７…ボート(基板保持具)

Claims

製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具に載置可能な基板枚数と前記基板保持具に載置される基板の枚数を少なくとも含む第１装置パラメータと、膜種毎に基板が収納されるキャリアに定義された第２装置パラメータと、を少なくとも記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記第１装置パラメータおよび前記第２装置パラメータに基づき作成された基板移載データに基づいて前記製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を前記基板保持具に移載させるよう構成されている制御部と、を備え、
前記制御部は、前記第２装置パラメータに基づいて前記キャリア内に収納された前記製品基板と前記ダミー基板のうち少なくともいずれか一方の基板が処理される処理室を決定するよう構成されている基板処理装置。
前記基板移載データは、基板が搬送される順番を示す搬送順情報と、前記基板保持具に載置される前記製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板の搬送元情報と、前記基板保持具の基板保持領域を示す情報および前記製品基板と前記ダミー基板のうち少なくともいずれか一方の基板が処理される処理室を示す情報を有する搬送先情報を含む請求項１記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記製品基板の枚数が前記基板保持具に載置可能な基板枚数以下に設定されているとき、前記基板移載データを複数の処理室から選択される一つの処理室に搬送するように作成する請求項１記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記製品基板の枚数が前記基板保持具に載置可能な基板枚数より多く設定されているとき、振り分け搬送するように前記基板移載データを作成する請求項１記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記製品基板の枚数が前記キャリアに載置可能な基板枚数より多く設定されているとき、振り分け搬送するように前記基板移載データを作成する請求項１記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記製品基板の枚数が前記キャリアに載置可能な基板枚数以下に設定されているとき、前記基板移載データを複数の処理室から選択される一つの処理室に搬送するように作成する請求項１記載の基板処理装置。
前記基板移載データは、前記搬送元情報として前記基板保持具に載置される基板が格納されるキャリアを示す情報と、前記基板の前記キャリアに載置されるスロット番号を示す情報と、を含むよう構成されている請求項２記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記基板移載データに基づいて、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域以外の基板保持領域にダミー基板を移載させ、前記基板保持具上の基板保持領域のうち均熱領域に製品基板を移載させるよう構成された請求項１記載の基板処理装置。
更に、モニタ基板を備え、
前記基板移載データは、前記製品基板を搬送後、前記モニタ基板を搬送するように搬送順情報が設定されている請求項８記載の基板処理装置。
前記基板は、２５枚以上１００枚以下である請求項８に記載の基板処理装置。
更に、使用可能な処理室をキャリア種別毎に設定するキャリアパラメータを有し、
前記制御部は、前記製品基板に処理する膜種がそれぞれ同じ場合、前記キャリアパラメータの内容に応じて前記製品基板を搬送する前記処理室を決定するよう構成されている請求項１に記載の基板処理装置。
更に、ログインユーザ毎に使用可能な処理室を設定するログインパラメータを有し、
前記制御部は、前記処理室毎に前記製品基板を処理する膜種が異なる場合、前記ログインパラメータの内容に応じて前記製品基板を搬送する前記処理室を決定するよう構成されている請求項１に記載の基板処理装置。
更に、ログインユーザ毎に使用可能な処理室を設定するログインパラメータを設定する設定画面を有する操作部を備え、
前記操作部は、使用するキャリアの種別及び個数をそれぞれ設定可能に構成される設定画面を更に有し、
前記制御部は、
前記操作部での投入操作時に前記設定画面上で設定された前記キャリアを表示するように構成されている請求項１に記載の基板処理装置。
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具に載置可能な基板枚数と前記基板保持具に載置される基板の枚数を少なくとも含む第１装置パラメータと、膜種毎に前記基板が収納されるキャリアに定義された第２装置パラメータに応じて基板移載データを作成する工程と、
前記基板移載データに基づいて前記基板を処理室に搬送する工程と、
前記基板を処理する工程と、を有し、
前記基板移載データを作成する工程は、
前記第２装置パラメータに基づいて前記キャリア内に収納された前記製品基板と前記ダミー基板のうち少なくともいずれか一方の基板が処理される処理室を決定する工程を含む半導体装置の製造方法。
複数枚の基板を処理室に搬送して、前記基板に所定の処理を実行するよう構成されている制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムあって、
前記制御部に、
製品基板とダミー基板を含む複数枚の基板を保持する基板保持具に載置可能な基板枚数と前記基板保持具に載置される基板の枚数を少なくとも含む第１装置パラメータと、膜種毎に前記基板が収納されるキャリアに定義された第２装置パラメータに応じて基板移載データを作成する手順と、
前記基板移載データに基づいて前記基板を搬送する手順と、
前記基板を処理する手順と、を実行させ、
前記基板移載データを作成する手順では、
前記第２装置パラメータに基づいて前記キャリア内に収納された前記製品基板と前記ダミー基板のうち少なくともいずれか一方の基板が処理される処理室を決定する手順を実行させるプログラム。