TWI719375B

TWI719375B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

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Publication number: TWI719375B
Application number: TW107145120A
Authority: TW
Inventors: 守田修; 山岡雄治; 久保修一; 越卷寿朗; 北本博之
Original assignee: 日商國際電氣股份有限公司
Priority date: 2017-12-20
Filing date: 2018-12-14
Publication date: 2021-02-21
Also published as: JP6724120B2; TW201929132A; JP2019114784A; JP6913789B2; JP2020145440A

Abstract

[課題]提供一種構成，使用複數個處理模組，從而可於伴隨近年來的少量多品種生產的少批量生產，應對量產。 [解決手段]提供一種構成，具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板；記憶部，其記憶至少包含可載置於基板保持具的基板個數、和可載置於基板保持具的製品基板的個數的裝置參數；和控制部，其依該裝置參數作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於基板保持具的基板的搬送源資訊、和顯示處理基板的處理室的搬送目的地資訊；讀出作成的基板移載資料，使擋片基板移載至基板保持具上的基板保持區域之中均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至剩餘的基板保持具上的基板保持區域之中均熱區域。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

本揭示涉及基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。

在從歷來屬基板處理裝置的一種的半導體製造裝置方面，於透過作為加熱手段的加熱器而加熱為既定溫度的爐內，作為基板保持具的晶舟被裝入爐內，該晶舟被裝填作為基板的晶圓，爐內被抽真空，從反應氣體導入管導入反應氣體而對晶圓表面進行處理，排氣氣體從排氣管被排出。另外，晶舟具有複數個支柱，在刻於該支柱的溝(以下亦稱插槽)水平保持複數個晶圓。

近年來，少批量(例如，製品基板為50個、75枚)下的處理成為主流。為了應對該少批量，於專利文獻1已揭露一種半導體製造裝置，以一次的小批量處理處理50個以下的製品基板。另外，於專利文獻2已揭露一種多枚葉裝置，將製品基板分配搬送至按既定個數(例如，5個)進行處理的複數個處理室，處理該製品基板。然而，無法充分應對近年來的少量多品種、積體密度提升要求、品質提升要求。

再者，伴隨製品基板的小批量化，尋求開發一種裝置，兼具為了使顧客裝置開發速度提升的短TAT(Turn Arround Time)化、和製品基板的複數個總括處理(分批)應對，能以一台處理複數個膜種。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2002-246432號 [專利文獻2]日本特開2013-102125號

[發明所欲解決之問題]

本揭示的目的在於提供一種構成，使用複數個處理模組，從而可於伴隨近年來的少量多品種生產的少批量生產，應對量產。 [解決問題之技術手段]

依本揭示的一態樣時，提供一種構成，具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板(dummy substrate)的複數個基板；記憶部，其記憶至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數、和可載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數；和控制部，其依該裝置參數作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；讀出作成的基板移載資料，使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至剩餘的前述基板保持具上的基板保持區域之中均熱區域。 [對照先前技術之功效]

依本揭示時，使用複數個處理模組，從而於少批量生產，可應對量產對應。

(基板處理裝置的概要) 接著，就本揭示的實施方式，根據圖1、圖2進行說明。於適用本揭示的實施方式，基板處理裝置作為一例被構成為實施半導體裝置(IC)的製造方法中的處理裝置的基板處理裝置。另外，在以下的說明，就適用對基板進行氧化、擴散處理、CVD處理等的縱型的裝置(以下，僅稱為處理裝置)作為基板處理裝置的情況進行敘述。

如示於圖1、圖2，基板處理裝置10具備鄰接的兩個後述的作為處理爐202的處理模組PM(Process Module)。處理模組PM為將為數十個基板的晶圓200總括處理的縱型處理模組PM。例如，每一個處理模組PM可處理20個～100個(優選上，25個～75個)程度的基板200。

在處理爐202的下方，配置作為準備室的搬送室6A、6B。於搬送室6A、6B的正面側，具有移載晶圓200的作為移載機的晶圓移載機構125的移載室8被鄰接於搬送室6A、6B而配置。另外，在本實施方式，作為於搬送室6A、6B之上方分別設置後述的處理爐202的構成進行說明。

於移載室8的正面側，設置就收容複數個晶圓200的作為收容容器(載體)的傳送盒(FOUP)110進行收納的收納室9(傳送盒搬送空間)。於收納室9的整面設置作為I/O埠的裝載埠22，傳送盒110經由裝載埠22搬出入於處理裝置2內外。於傳送盒110，載置晶圓200的保持部(以下，亦稱為插槽)被設置25個。

於搬送室6A、6B與移載室8的邊界壁(鄰接面)，設置作為隔離部的閘閥90A、90B。於移載室8內及搬送室6A、6B內分別設置壓力檢測器，移載室8內的壓力設定為比搬送室6A、6B內的壓力低。另外，於移載室8內及搬送室6A、6B內分別設置氧濃度檢測器，移載室8A內及搬送室6A、6B內的氧濃度被維持為比大氣中的氧濃度低。優選上，維持為30ppm以下。

於移載室8的頂部，設置對移載室8內供應乾淨空氣的清潔單元(未圖示)，被構成為，作為乾淨空氣，例如使惰性氣體循環於移載室8內。將移載室8內以惰性氣體進行循環淨化，從而可使移載室8內為清淨的環境。

依如此之構成，可抑制在移載室8內搬送室6A、6B的顆粒等混入未圖示的處理爐202，可抑制在移載室8內及搬送室6A、6B內於晶圓200上形成自然氧化膜。

收納室9的後方，在收納室9與移載室8的邊界壁，將傳送盒110的蓋體開閉的傳送盒開啟器21，被配置複數台，例如3台。傳送盒開啟器21將傳送盒110的蓋體打開，使得傳送盒110內的晶圓200被搬出入於移載室8內外。

如示於圖2，收容由矽等所成的複數個晶圓200且使用傳送盒110的基板處理裝置10具備被用作為基板處理裝置主體的框體111。

於框體111的正面壁的正面前方部設置以可保養的方式而設的作為開口部的正面保養口(未圖示)，分別安裝將此正面保養口開閉的正面保養門。另外，於正面壁以將框體111的內外連通的方式設置傳送盒搬入搬出口。傳送盒搬入搬出口亦可被構成為透過前遮蔽器(未圖示)而開閉。

於傳送盒搬入搬出口，設置作為搬入搬出部而使用的裝載埠22，裝載埠22被構成為，載置傳送盒110而予以位置對準。傳送盒110透過程序內搬送裝置被搬入至裝載埠22上，另外被從裝載埠22上搬出。

於框體111的正面後方側，在傳送盒搬入搬出口的周邊之上下左右的範圍，矩陣狀地設置收納架(傳送盒架)105。傳送盒架105被設置載置傳送盒之作為收納部的載置部140。收納部，由該載置部140、和水平移動機構(收容架水平移動機構)構成，該水平移動機構為使載置部140在被收納傳送盒110的待機位置與將傳送盒110交接的交接位置之間水平移動者。由排列於水平方向的相同直線上的複數個獨立的載置部140構成傳送盒架105的一階，於垂直方向設置複數階該傳送盒架。可使各載置部140不與上下或左右的相鄰的載置部140及其他任何載置部140同步而獨立水平移動。然後，傳送盒搬送裝置130被構成為，在裝載埠22、傳送盒架105、傳送盒開啟器21之間，搬送傳送盒110。

在框體111內且副框體119的正面側，在上下左右的範圍矩陣狀地設置作為收納部的傳送盒架(收容架)105。如同框體111的正面後方側的傳送盒架105般載置各傳送盒架105的傳送盒的載置部140可水平移動，可使上下或左右的相鄰的載置部140不同步而獨立水平移動。傳送盒架105被構成為，以於複數個載置部140分別設置一個傳送盒110的狀態而保持。

於副框體119的正面壁119a，一對為了將晶圓200相對於副框體119內搬入搬出用的晶圓搬入搬出口120於水平方向被左右排列兩個而設，於該晶圓搬入搬出口120分別設置一對的傳送盒開啟器21。傳送盒開啟器21具備：載置傳送盒110的載台122、和用作為密閉構材的將傳送盒110的蓋體進行裝卸的蓋體裝卸機構123。傳送盒開啟器21被構成為，將載置於載台122的傳送盒110的蓋體透過蓋體裝卸機構123進行裝卸，從而將傳送盒110的晶圓出入口開閉。另外，載台122有時亦稱為載置部140。

副框體119構成被從傳送盒搬送裝置130、傳送盒架105的設置空間流體地隔絕的移載室8。於移載室8的前側區域設置晶圓移載機構125，晶圓移載機構125以可使晶圓200水平方向旋轉及直線運動的晶圓移載裝置125a及為了使晶圓移載裝置125a升降用的晶圓移載裝置升降機125b構成。被構成為，透過此等晶圓移載裝置升降機125b及晶圓移載裝置125a的連續動作，從而使晶圓移載裝置125a的臂件(基板保持體)125c作為晶圓200的載置部，相對於晶舟217將晶圓200進行裝填(裝填)及脫裝(卸除)。

在移載室8的後側區域，構成隔著閘閥90將晶舟217收容而予以待機的作為待機部的搬送室6。於搬送室6之上方，設置在內部構成處理室的處理爐202。處理爐202的下端部被構成為，被透過爐口遮蔽器147開閉。

晶舟217透過晶舟升降機115(未圖示)被升降，被導入處理爐內。於連結於晶舟升降機115的升降台的連結具(未圖示)水平固定作為蓋體的密封蓋219，蓋體219被構成為，可將晶舟217垂直支撐，將處理爐202的下端部閉塞。晶舟217被構成為，具備複數個補強構材，就複數個晶圓200將其等之中心對齊而予以整列於垂直方向的狀態下，分別水平進行保持。

接著，就基板處理裝置10的動作進行說明。說明有關下例：利用上述的基板處理裝置10，在半導體裝置(device)的製程的一程序方面，進行基板處理。於本實施方式，後述的程序配方被執行時，控制器121控制構成基板處理裝置10的各部分的動作而開始基板處理。

傳送盒110被供應至裝載埠22時，裝載埠22之上的傳送盒110透過傳送盒搬入裝置被往框體111的內部從傳送盒搬入搬出口搬入。搬入的傳送盒110被往傳送盒架105的經指定的載置部140透過傳送盒搬送裝置130自動搬送而傳遞，被暫時保管後，從傳送盒架105被搬送而傳遞至其中一個傳送盒開啟器21並移載於載台122，或直接搬送至傳送盒開啟器21而移載於載台122。

載置於載台122的傳送盒110為其開口側端面被壓靠於在副框體119的正面壁119a的晶圓搬入搬出口120的開口緣邊部，同時其蓋體透過蓋體裝卸機構123被卸除，使晶圓出入口被開放。傳送盒110透過傳送盒開啟器21開放時，晶圓200從傳送盒110透過晶圓移載裝置125a的臂件125c通過晶圓出入口被保持，往在移載室8的後方的搬送室6經由閘閥90被搬入，被裝填(charging)至晶舟217。將晶圓200傳遞至晶舟217的晶圓移載裝置125a返回傳送盒110，將下個晶圓200裝填於晶舟217。

預先指定的個數的晶圓200被裝填至晶舟217時，接著執行前處理，前處理結束時，執行主處理(此處為處理配方)。此處理配方開始時，透過爐口遮蔽器147被關閉的處理爐202的下端部透過爐口遮蔽器147被開放。接著，保持晶圓200群的晶舟217係密封蓋219透過晶舟升降機115被上升，從而不斷往處理爐202內搬入(裝載)。

裝載後，在處理爐202對晶圓200實施任意的處理。處理後，以大致上述的相反的順序，晶圓200及傳送盒110被往框體的外部搬出。

(基板處理裝置的處理爐) 如示於圖3，處理爐202具有作為加熱機構的加熱器207。加熱器207為圓筒狀，被保持板(未圖示)支撐從而被垂直固定。加熱器207亦作用為以熱使處理氣體活性化的活性化機構。

於加熱器207的內側，配設與加熱器207同心圓狀地構成反應容器(處理容器)的反應管203。反應管203由例如石英(SiO₂ )或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料構成。反應管203下端部被開放，以上端部被以平坦狀的壁體閉塞的有上頂的形狀而形成。於反應管203的內部，具備：形成為圓筒狀的筒部209、區劃於筒部209與反應管203之間的噴嘴配置室222、形成於筒部209的作為氣體供應口的氣體供應縫隙235、形成於筒部209的第1排氣口236、和形成於筒部209且形成於第1排氣口236的下方的第2排氣口237。筒部209下端部被開放，以上端部被以平坦狀的壁體閉塞的有上頂的形狀而形成。另外，筒部209以緊鄰晶圓200將晶圓200包圍的方式而設。在反應管203的筒部209的內部，形成處理室201。處理室201被構成為，可處理晶圓200。另外，處理室201被構成為，可收容將晶圓200以水平姿勢於垂直方向上多階地整列的狀態進行保持的作為基板保持具的晶舟217。

反應管203的下端被圓筒體狀的歧管226支撐。歧管226以例如鎳合金、不銹鋼等的金屬構成、或以石英或SiC等的耐熱性材料而構成。於歧管226之上端部形成凸緣，將反應管203的下端部設置而支撐於此凸緣上。在此凸緣與反應管203的下端部之間使O形環體等的氣密構材220介於之間而使反應管203內為氣密狀態。

在歧管226的下端的開口部，隔著O形環體等的氣密構材220氣密地安裝密封蓋219，將反應管203的下端的開口部側，亦即將歧管226的開口部氣密地閉塞。

晶舟217立設於晶舟支撐台218上。晶舟217以例如石英、SiC等的耐熱性材料而構成。晶舟217具有以下構成：具有固定於晶舟支撐台218的底板與配置於其上方的頂板，在底板與頂板之間架設複數個支柱。於晶舟217保持複數個晶圓200。複數個晶圓200一面彼此隔著一定之間隔一面保持水平姿勢，且以使中心彼此對齊的狀態於反應管203的管軸方向上被多階地積載，被晶舟217的支柱支撐。

在密封蓋219的處理室201的相反側設置使晶舟旋轉的晶舟旋轉機構267。晶舟旋轉機構267的旋轉軸265貫通密封蓋而連接於晶舟支撐台218，透過晶舟旋轉機構267，經由晶舟支撐台218使晶舟217旋轉從而使晶圓200旋轉。

密封蓋219透過設於反應管203的外部的作為升降機構的晶舟升降機115被升降於垂直方向，據此可將晶舟217相對於處理室201內搬入搬出。

於歧管226，支撐對處理室201內供應處理氣體的作為氣體噴嘴的噴嘴340a～340d的噴嘴支撐部350a～350d被作成貫通歧管226而設置。此處，設置4個噴嘴支撐部350a～350d。噴嘴支撐部350a～350d由例如鎳合金、不銹鋼等的材料構成。於噴嘴支撐部350a～350c的反應管203側的一端分別連接往處理室201內供應氣體的氣體供應管310a～310c。另外，於噴嘴支撐部350d的反應管203側的一端連接往形成於反應管203與筒部209之間的間隙S供應氣體的氣體供應管310d。另外，於噴嘴支撐部350a～350d的另一端分別連接噴嘴340a～340d。噴嘴340a～340d由例如石英或SiC等的耐熱性材料構成。

於氣體供應管310a分別設置從上游方向依序供應第1處理氣體的第1處理氣體供應源360a、為流量控制器(流量控制部)的質流控制器(MFC)320a及為開閉閥的閥330a。於氣體供應管310b，從上游方向依序分別設置供應第2處理氣體的第2處理氣體供應源360b、MFC320b及閥330b。於氣體供應管310c，從上游方向依序分別設置供應第3處理氣體的第3處理氣體供應源360c、MFC320c及閥330c。於氣體供應管310d，從上游方向依序分別設置供應惰性氣體的惰氣供應源360d、MFC320d及閥330d。於比氣體供應管310a、310b的閥330a、330b靠下游側，分別連接供應惰性氣體的氣體供應管310e、310f。於氣體供應管310e、310f，從上游方向依序分別設置MFC320e、320f及閥330e、330f。

主要由氣體供應管310a、MFC320a、閥330a構成第1處理氣體供應系統。亦可認定為第1處理氣體供應系統包含第1處理氣體供應源360a、噴嘴支撐部350a、噴嘴340a。另外，主要由氣體供應管310b、MFC320b、閥330b構成第2處理氣體供應系統。亦可認定為第2處理氣體供應系統包含第2處理氣體供應源360b、噴嘴支撐部350b、噴嘴340b。另外，主要由氣體供應管310c、MFC320c、閥330c構成第3處理氣體供應系統。亦可認定為第3處理氣體供應系統包含第3處理氣體供應源360c、噴嘴支撐部350c、噴嘴340c。另外，主要由氣體供應管310d、MFC320d、閥330d構成惰氣供應系統。亦可認定為惰氣供應系統包含惰氣供應源360d、噴嘴支撐部350d、噴嘴340d。

於反應管203形成排氣口230。排氣口230形成於比第2排氣口237下方，連接於排氣管231。被構成為，於排氣管231連接檢測處理室201內的壓力的作為壓力檢測器的壓力感測器245，且經由作為壓力調整部的APC(Auto Pressure Controller)閥244連接作為真空排氣裝置的真空泵浦246，可真空排氣為處理室201內的壓力成為既定的壓力。真空泵浦246的下游側的排氣管231連接於排氣體處理裝置(未圖示)等。另外，APC閥244為可將閥開閉而將處理室201內的真空排氣、真空排氣停止，並可進一步調節閥開度以調整氣導而進行處理室201內的壓力調整的開閉閥。主要由排氣管231、APC閥244、壓力感測器245構成作用為排氣部的排氣系統。另外，排氣系統亦可包含真空泵浦246。

被構成為，於反應管203內設置作為溫度檢測器的溫度感測器(未圖示)，根據由溫度感測器檢測出的溫度資訊而調整往加熱器207的供應電力，使得處理室201內的溫度成為期望的溫度分布。

在以上的處理爐202，在被批量處理的複數個晶圓200相對於晶舟217被多階地積載的狀態下，晶舟217一面被以晶舟支撐台218支撐一面插入至處理室201，加熱器207將被插入至處理室201的晶圓200加熱為既定的溫度。

(控制器構成) 如示於圖4，作為控制部(控制手段)之控制器121被構成為具備：作為執行部的CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、作為記憶部的記憶裝置121c、I/O埠121d。被構成為，被構成為暫時保存透過CPU121a讀出的程式、資料等的記憶體區域(工作區)的RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d可經由內部匯流排121e與CPU121a進行資料交換。於控制器121，連接例如被構為觸控面板等的作為操作部的輸出入裝置122。

記憶裝置121c以例如快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等而構成。於記憶裝置121c內，就基板處理裝置的動作進行控制的控制程式、記載基板處理的順序、條件等的處理配方等被可讀出地儲存。處理配方被組合為，可使控制器121執行後述的基板處理程序中的各程序，獲得既定的結果，另外於記憶裝置121c被儲存：透過執行包含此處理配方的後述的程序配方從而使構成裝置的各構件動作因而產生的裝置資料。於此等裝置資料，透過控制器121的時間戳功能附加時刻資料。

另外，於記憶裝置121c，儲存本實施方式中的控制程式等。CPU121a被構成為，依來自輸出入裝置122的操作指令的輸入等而執行此等程式。另外，於記憶裝置121c，儲存實現本實施方式中的基板處理程序、作業等的各種流程圖的程式，儲存於此等程式執行使用的各種設定參數、包含各種設定畫面檔的畫面檔。

另外，於本說明書中使用程式如此之語言的情況包含：僅包含處理配方單體的情況、僅包含控制程式單體的情況、或包含該等雙方的情況。

I/O埠121d連接於上述的MFC320a～320f、閥330a～330f、壓力感測器245、APC閥244、真空泵浦246、加熱器207、溫度感測器、晶舟旋轉機構267、晶舟升降機115等。

CPU121a被構成為，從記憶裝置121c讀出控制程式等而執行，同時依來自輸出入裝置122的操作輸入從記憶裝置121c讀出處理配方。CPU121a被構成為，依經由I/O埠121d而讀出的處理配方的內容控制：透過MFC320a～320f之各種氣體的流量調整動作、閥330a～330f的開閉動作、APC閥244的開閉動作及基於壓力檢測器245之透過APC閥244的壓力調整動作、真空泵浦246的啟動及停止、基於溫度檢測器之加熱器207的溫度調整動作、透過晶舟旋轉機構267之晶舟217的旋轉及旋轉速度調節動作、透過晶舟升降機115之晶舟217的升降動作等。

接著，利用圖3就相當於處理作業的主處理之基板處理程序進行說明。於本實施方式，控制器121執行處理配方，從而進行基板處理程序。另外，處理配方為在此主處理被執行的為了處理基板用的配方，被控制器121控制。以下，控制器121控制構成基板處理裝置10的各部分的動作而對晶圓200進行既定的處理。

(基板處理程序) 載置既定個數的晶圓200的晶舟217被插入反應管203內，透過密封蓋219，反應管203被氣密地閉塞。在被氣密地閉塞的反應管203內，晶圓200被加熱，同時處理氣體被供應至反應管203內，對晶圓200被進行既定的處理。

既定的處理方面，例如作為第1處理氣體將NH₃ 氣體、作為第2處理氣體將HCDS氣體、作為第3處理氣體將N₂ 氣體交替供應，從而在晶圓200上形成SiN膜。

首先，從第2處理氣體供應系統的氣體供應管310b經由噴嘴340b的氣體供應孔234b、氣體供應縫隙235對處理室201內供應HCDS氣體。具體而言，將閥330b、330f打開，從而與載流氣體一起，從氣體供應管310b開始HCDS氣體的往處理室201內的供應。此時，調整APC閥244的開度，將處理室201內的壓力維持為既定的壓力。經過既定時間後，將閥330b關閉，停止HCDS氣體的供應。

供應至處理室201內的HCDS氣體被供應至晶圓200，平行流於晶圓200上後，通過第1排氣口236從上部往下部流過間隙S，經由第2排氣口237、排氣口230從排氣管231排出。

另外，對處理室201內供應HCDS氣體的期間，將連接於氣體供應管310a的惰性氣體供應管的閥330e及氣體供應管310c、310d的閥330c、330d打開而流放N₂ 等的惰性氣體時，可防止HCDS氣體繞入氣體供應管310a、310c、310d內。

將閥330b關閉，停止往處理室201內的HCDS氣體的供應後，將處理室201內排氣，排除殘留於處理室201內的HCDS氣體、反應生成物等。此時，從氣體供應管310a、310b、310c、310d將N₂ 等的惰性氣體分別供應至處理室201內及間隙S而淨化時，可進一步提高排除來自處理室201內及間隙S的殘留氣體的效果。

接著，從第1處理氣體供應系統的氣體供應管310a，經由噴嘴340a的氣體供應孔234a、氣體供應縫隙235對處理室201內供應NH₃ 氣體。具體而言，將閥330a、330e打開，從而與載流氣體一起，從氣體供應管310a開始NH₃ 氣體的往處理室201內的供應。此時，調整APC閥244的開度，將處理室201內的壓力維持為既定的壓力。經過既定時間後，將閥330a關閉，停止NH₃ 氣體之供應。

供應至處理室201內的NH₃ 氣體被供應至晶圓200，平行流於晶圓200上後，通過第1排氣口236從上部往下部流過間隙S，經由第2排氣口237、排氣口230從排氣管231排出。

另外，對處理室201內供應NH₃ 氣體的期間，將連接於氣體供應管310b的惰性氣體供應管的閥330f及閥330c、330d打開而流放N₂ 等的惰性氣體時，可防止NH₃ 氣體繞入氣體供應管310b、310c、310d內。

將閥330a關閉，停止往處理室201內的NH₃ 氣體的供應後，將處理室201內排氣，排除殘留於處理室201內的NH₃ 氣體、反應生成物等。此時，從氣體供應管310a、310b、310c、310d將N₂ 等的惰性氣體分別供應至處理室201內及間隙S而淨化時，可進一步提高排除來自處理室201內及間隙S的殘留氣體的效果。

晶圓200的處理完成時，依上述的動作的相反的順序，從反應管203內搬出晶舟217。

在上述之實施方式，雖就交替供應第1處理氣體與第2處理氣體的情況進行說明，惟本發明亦可適用於同時供應第1處理氣體與第2處理氣體的情況。

接著，利用圖5，就本實施方式中的基板處理的流程進行說明。另外，本實施方式中的基板處理程序被構成為，從後述的S300透過控制部121被執行。

(S100)事前準備各種的參數設定、使用的配方的程序(事前準備程序)。在此程序，預先記憶於記憶部121c的基板處理程序及在基板處理程序被執行的流程(子程序)、使用於配方的參數(以下，亦稱為裝置參數)在操作畫面上透過指定及選擇等被設定。另外，亦可在操作畫面上進行指定及選擇等，作成各流程、配方，記憶於記憶部121c。

透過示於圖6A的保養項目選定參數，在本實施方式，各處理模組為待機狀態時，優先使用的處理模組PM依保養號碼被設定。保養號碼「00」為如下規範：將本次使用的處理模組PM(PM1或PM2)預先記憶於控制器121內部，下次使用非該記憶的處理模組PM之處理模組PM。保養號碼「01」「02」分別固定為處理模組PM1、處理模組PM2。

然後，保養號碼為上述以外的情況下，與相當於保養號碼的保養項目相關的當前值在各處理模組PM被比較，值小的處理模組PM被選定。如示於圖6A，保養項目為常駐擋片(dummy wafer)使用次數、膜厚值、配方膜厚值、配方執行次數、配方步驟執行次數、執行時間等。此保養項目選定參數被儲存於記憶部121c作為裝置參數。

示於圖6B的登入使用者指定參數為預先設定每個登入使用者可使用的處理模組PM的參數，在未圖示的設定畫面上事前被設定。將登入使用者可操作的處理模組PM的範圍事前登錄，使得可從登入的用戶資訊特定作為處理對象的處理模組PM。據此控制部121可自動選定處理對象模組PM。

如示於圖6B，「PM1」表示可使用處理模組PM1，「PM2」表示可使用處理模組PM2，「ALL」表示處理模組PM1與處理模組PM2皆可共同使用。此登入使用者指定參數被儲存於記憶部121c作為裝置參數。

示於圖6C的載體ID登錄參數為按載體類別設定可使用為載體ID的接頭語的處理模組PM的參數，在未圖示的設定畫面上事前被設定。於此，示於圖6C的「SD」表示儲存側擋片的載體110、「M1」「M2」表示收容控片(monitor wafer)的載體110、「PD」表示儲存製品基板的載體110、「FD」表示儲存補充擋片的載體110、「R1」「R2」分別表示控片的回收專用載體110。

定義於「SD」列的「PM1」行的單元的DA、定義於「PM2」行的單元的DB分別表示作為反應器資訊的載體ID的接頭語。透過此接頭語之定義最大可到4個文字。另外，如「M1」列等般於「PM1」「PM2」行的單元未定義的各種載體表示作為預設處理模組PM1與處理模組PM2皆可共同使用。此載體ID登錄參數被儲存於記憶部121c作為裝置參數。

圖6D表示載體輸入判定參數。如示於圖6D，輸入操作包含登入使用者在畫面上操作而輸入載體的畫面輸入(手動輸入)方式與HOST等之上位電腦進行輸入指示的HOST輸入(自動輸入)方式。

載體輸入判定參數為在使用者的載體輸入操作中顯示透過登入使用者之可使用的處理模組PM的自動判定、可使用的處理模組PM的使用者任意選擇、和可使用的處理模組PM的裝置自動判別的關係之參數。於此，裝置自動判別係作為上述的載體ID登錄參數的資訊，取得在載體類別單位被登錄的與處理模組PM1與處理模組PM2相關的反應器資訊，進行可使用的處理模組PM的選定(判定)。

在畫面輸入方式，如示於圖6D，處理模組PM1與處理模組PM2為異膜種時，透過示於圖6B的登入使用者指定參數進行可使用的處理模組PM的選定(判定)作為登入使用者的用戶資訊。此載體輸入判定參數亦事前被設定，被儲存於記憶部121c作為裝置參數。

上述的4個裝置參數以外，從可指定為裝置參數的一個可變參數的定義晶舟217上的晶圓配置指定的晶圓排列參數(WAP)，可事前算出使用的每個晶圓類別的晶圓個數，可透過與裝置構成相關的裝置配置參數，指定將製品基板200以晶圓單位或載體單位搬送至選定的處理模組PM。此等亦同樣地，被儲存於記憶部121c作為裝置參數。

另外，被構成為，於操作畫面上顯示處理配方、程序配方等的配方設定畫面，可選擇期望的配方。此情況下，被構成為，顯示於配方設定畫面的配方顯示能以預先指定的處理模組PM執行的配方。另外，亦可構成為，亦顯示處理配方的總時間，向使用者提供。

(S200)例如，使用者(登入使用者)以專用方式使用的情況等下，被輸入顯示於操作畫面上的使用者ID、密碼，進行登入處理。

(S300)至少對基板處理裝置10輸入收納既定個數的製品基板200的載體110時，控制部121被構成為取得反應器資訊，該反應器資訊顯示該載體110可在那個處理模組PM使用。另外，控制部121亦可構成為，取得該反應器資訊，同時予以顯示於操作畫面。

另外，控制部121如後述般可將被登入使用者登錄的反應器資訊與從被輸入的載體110取得的反應器資訊建立關聯。例如，示於圖7的反應器資訊係「PM1」表示可在處理模組PM1使用，「PM2」表示可在處理模組PM2使用，「AUTO」表示處理模組PM1與處理模組PM2皆可共同使用。

(從登入使用者判斷的方法) 被構成為，將登入使用者可操作的處理模組PM的範圍事前登錄，從而以可從登入的用戶資訊特定可使用的處理模組PM的方式自動進行選定。例如，可根據在S200在登入處理時取得的用戶資訊而選定處理對象模組PM。另外，亦可構成為，在載體110輸入時，顯示設定畫面，令使用者可選擇。

具體而言，被構成為，透過控制部121執行示於圖8A的流程。

控制部121從操作部122受理使用於處理的載體110的類別與個數的選擇。

控制部121判定在各處理模組PM執行的膜種是否相同，相同膜種時，將各載體110設定為「AUTO」。然後，被構成為，顯示為了令使用者選擇處理模組PM用的設定畫面。

控制部121判定在各處理模組PM執行的膜種非相同時，取得登入使用者資訊，取得可使用的反應器資訊。控制部121就各載體110，根據從登入使用者資訊取得的反應器資訊設定使用的處理模組PM，非「AUTO」設定時直接確定。另外，被構成為，為「AUTO」設定時，為了可使作業員選擇而顯示設定畫面。

如此般，登入使用者決定使用的處理模組PM的情況下，控制部121判斷從載體資訊取得的反應器資訊與登入使用者設定的反應器資訊是否一致，登入使用者可使用處理對象模組PM，處理晶圓200。於此，載體資訊的基本資訊除反應器資訊以外包括：載體ID(FOUP ID)資訊、載體類別(FOUP類別)資訊、載體內晶圓圖資訊(FOUP內晶圓圖資訊)、晶圓的個數、晶圓ID資訊等。於此，晶圓圖資訊係顯示晶圓存在於何插槽的資訊。

從登入的用戶資訊特定可使用的處理模組PM，使得可防止誤操作。例如，可作成在不錯誤輸入載體110之下，進行對於具有使用權限的處理模組PM之載體輸入。另外，亦可期待操作次數的削減。

從登入的用戶資訊特定可使用的處理模組PM的作法在處理模組PM1與處理模組PM2為異膜種的情況下為有效。此可防範使用者誤將目前開始要處理的材料輸入基板處理裝置10或在錯誤的處理模組PM被處理於未然，另外，可省去使用者時常選擇處理模組PM如此的工夫。

(從載體識別資訊自動判別的方法) 從顧客主機輸入的情況，進行載體ID自動判別的時點係載體110根據基板處理裝置10的裝載埠22被搬送，且控制部121將載體110的載體ID的資訊讀取確定之時。於圖8B顯示從載體ID的載體識別資訊進行自動判別的流程。

(S310)透過顧客主機被輸入載體110時，控制部121啟動本流程。(S311)控制部121取得載體類別資訊、包含載體ID的接頭語的載體ID資訊等的載體識別資訊。

(S312)控制部121將取得的載體識別資訊與被設定為裝置參數的載體ID指定參數(以下，亦稱為PM指定參數)進行比較。 (S313)控制部121在載體識別資訊與PM指定參數一致時，根據從載體識別資訊取得的反應器資訊設定對象處理模組PM。

(S314)控制部121確認作為處理對象的處理模組PM數份的對象處理模組PM的設定是否結束。未結束的情況下，反復S311至S313的程序。另外，於本實施方式，處理模組係PM1與PM2兩個，故進行2次。

(S315)控制部121確認對象處理模組PM的設定的有無。在S313已設定時(No的情況)，(S317)輸出OK響應而結束本流程。

(S315)控制部121確認對象處理模組PM的設定的有無，未進行在S313的設定時(YES的情況)，轉移至下個程序(S316)，確認輸入的載體110是否為作業指定載體。於此，作業指定載體指在後述的作業登錄(作業生成)登錄的處理對象材料。另外，處理對象材料係擋片200的載體110以外的製品基板200、控片基板200的載體110，處理對象晶圓200係擋片200以外的製品晶圓200、控片200。之後，晶圓類別製品晶圓200、擋片200、控片200，總稱此等的情況下，有時僅稱為晶圓200。

於S316，控制部121確認輸入的載體110是否為作業指定載體，為作業指定載體時，(S319)將輸入的載體110設定為AUTO，輸出OK響應而結束本流程。在本實施方式，即使非作業指定載體的情況下，仍(S318)將輸入的載體110設定為AUTO，輸出OK響應而結束本流程。

在本實施方式，以在處理模組PM1與處理模組PM2雙方皆可使用收容擋片200的載體110的膜種為前提，於本流程的S318作成AUTO設定，作成在處理模組PM1與處理模組PM2任一者皆可使用。

例如，處理模組PM1與處理模組PM2因異膜種而不可共同使用擋片時，成為NG響應而被拒絕。另外，共同使用的可(OK)或不可(NG)依屬裝置參數的一種的裝置構成參數而設定。

另外，依本實施方式時，予以具有反應器資訊作為載體110的資訊，使得對於存在於該載體110內的晶圓200亦可予以具有反應器資訊作為晶圓資訊。依本實施方式時，利用此反應器資訊作為搬送聯鎖(interlock)，從而作成可將晶圓200僅使用於對象處理模組PM，可進行更緻密的程序處理。於此，晶圓資訊除上述反應器資訊以外，具有晶圓ID資訊、晶圓類別資訊、當前位置資訊、當前處理狀態、當前移動狀態作為基本資訊。

控制部121被構成為，載體110內的插槽圖對照下輸出OK(無異常)響應，同時取得反應器資訊作為晶圓資訊。另外，被構成為，取得上述基本資訊。另外，被構成為，即便要使晶圓200搬送至非意圖的處理模組PM，控制部121仍會以與予以發出警報同時不予以搬送晶圓200的方式進行控制。

(作業登錄處理) (S400)控制部121被構成為，被指定處理規範及材料規範時，亦即受理來自操作員或顧客主機的成膜處理要求，登錄於工件佇列後，以1秒週期，開始示於圖9A的作業登錄(生成)處理。另外，在成膜處理要求被通知的資訊為在成膜時使用的程序配方、對應於該程序配方的處理參數、成為處理對象的製品晶圓200及控片200的載體110與為了將晶圓200載置於該載體110內用的保持部(插槽)的項號(號碼)等。

另外，此插槽的項號(以下，亦稱為插槽號)如同晶舟217般從下依序添加。再者，控制部121將載置於載體110、插槽的晶圓200依在成膜處理要求所通知的資訊的受理順序確定優先順位下去。亦即，依控制部121的資訊取得順序建立優先順位，故例如晶圓200係優先順位被依插槽號順序而決定。

(S401)控制部121確認處理規範。具體而言，指定的配方被儲存於記憶部121c，確認在該配方使用的參數的設定為正確。(S402)在處理模組單位整理處理規範。亦即，控制部121從預先儲存於記憶部121c的配方選擇本次指定的配方，確定期望的處理規範。

(S403)控制部121接著確認材料規範。具體而言，為非處理完畢的載體110內的晶圓200，確認此載體110是否在其他作業被預約處理。

(S404)確認在全處理模組PM可處理的晶圓處理能力。具體而言，控制部121為了事前掌握處理模組PM的處理晶圓能力，從預先儲存於記憶部121c的晶圓排列參數WAP，事前算出每個使用的晶圓類別的晶圓個數。

控制部121算出在本次處理使用的全基板數，對基板處理裝置10應對的全晶圓類別，依晶舟217上的晶圓佈局算出各別的個數。接著，控制部121確認在處理模組PM1與處理模組PM2各處理模組使用的相對於晶圓類別之基板個數的最大值與最小值是否相同。

(S405)控制部121根據在S404算出的處理模組PM1與處理模組PM2的處理晶圓能力，執行示於圖9B的材料規範確定處理程序。以下，就示於圖9B的材料規範確定處理程序的詳細進行說明。

(S410)處理模組PM1(或PM2)的最大處理晶圓個數不足處理對象晶圓總個數時，於處理模組PM1(或PM2)集合全處理對象晶圓(S411)，依在作業生成所示的順序(在S400取得的優先順位)排列處理對象晶圓200(S412)。此處，處理對象晶圓200依載體110的編號順序，且依載體110的插槽號順序，決定處理的順序，將該結果儲存於材料處理順序1(S413)。

(S410)處理模組PM1(或PM2)的最大處理晶圓個數為處理對象晶圓總個數以上時，對複數個處理模組PM分配處理對象晶圓200(S414)。首先，判定是否設定為晶圓單位均等分配(S415)。

設定為晶圓單位均等分配時，依在作業生成所示的順序(在S400取得的優先順位)排列處理對象晶圓200，將處理對象晶圓200比例分配(S416)。將該結果分別儲存在相當於記憶部121c內的材料處理順序1、材料處理順序2的區域(S417)。尤其，處理對象晶圓200依處理模組PM的編號順序，依載體110的編號順序，且依載體110的插槽號順序，決定處理的順序。

設定為載體單位均等分配的情況(S418)下，算出(2^N -2)/2的圖案(N：載體數)的載體組合(S419)。算出的組合中抽出最大值為總個數以上的組合(S420)，選擇比例分配的差最小的組合(S421)。將該結果分別儲存在相當於記憶部121c內的材料處理順序1、材料處理順序2的區域(S417)。

如此般，控制部121被構成為，處理模組PM1(或PM2)的最大處理晶圓個數為處理對象晶圓總個數以上時，將全部的處理對象晶圓200搬送至處理模組PM1(或PM2)而實施處理。尤其，優選上，處理對象晶圓總個數在載體110不足最大收納個數(本實施方式中25個)時，將全部的處理對象晶圓200搬送至處理模組PM1(或PM2)而實施。

另外，控制部121被構成為，處理模組PM1(或PM2)的最大處理晶圓個數比處理對象晶圓總個數小時，對處理模組PM1、PM2進行分配搬送，分為兩次程序處理而實施。另外，處理對象晶圓總個數在載體110為最大收納個數(本實施方式中25個)以上時，對處理模組PM1、PM2進行分配搬送，處理處理對象晶圓200。

(作業執行處理) (S501)控制部121係作業登錄(生成)後，週期性(在本實施方式每一秒)地監控作業執行指示的有無。然後，被構成為，從上位控制器或操作部122受理作業執行指示時，開始示於圖10A的選定處理模組的處理。

(S502)控制部121拾取可使用的處理模組PM。此拾取的條件係處理模組PM非執行禁止狀態，為材料處理待機狀態。

控制部121拾取的處理模組PM為無的情況(S503)下直接變成待機狀態(選定待機狀態)，一個的情況(S504)下，確定可使用的處理模組PM的選定，結束主處理(S505)。

控制部121拾取的處理模組PM為複數個情況(S506)下，確認是否僅使用1個處理模組PM(S507)。在S507為No的情況下，依示於圖6A的保養項目選定參數，選定可使用的處理模組PM，結束主處理(S512)。另外，在S512之選定可使用的處理模組PM方面後述之。另一方面，在S507為Yes的情況下，包含擋片數而再度進行處理模組的拾取(S508)。

控制部121係拾取的處理模組PM為複數個情況(S506)下，或無的情況(S503)下，選定後述的S512中的可使用的處理模組PM，結束主處理(S512)。控制部121拾取的處理模組PM為一個的情況(S504)下，確定可使用的處理模組PM的選定，結束主處理(S505)。

將S512中的選定處理模組PM的流程示於圖10B。(S520)控制部121從預先儲存於記憶部121c的示於圖6A的裝置參數(保養項目選定參數)取得處理模組PM選定方式。具體而言，取得定義於保養項目的保養號碼。

(S521)控制部121確認保養號碼是否為「00」。YES的情況下，(S522)參照最後使用的處理模組PM，選擇非此處理模組PM的處理模組PM，確定使用的處理模組。No的情況下，確認保養號碼為「01」或「02」(S523)。

保養號碼為「01」或「02」的情況下，控制部121係「01」時，選擇處理模組PM1，確定使用的處理模組。「02」時，選擇處理模組PM2，確定使用的處理模組(S524)。

保養號碼非「01」或「02」的情況下，(S525)取得各處理模組的保養項目的當前值，(S526)選擇當前值小的處理模組，確定使用的處理模組。另外，當前值相同的情況下，選擇處理模組PM1，確定使用的處理模組。

確定使用的處理模組PM(PM-1)時，接著控制部121進行分批。於此，分批(群)係可在1個處理模組PM一次處理的處理對象晶圓200的群組，原則上以處理對象晶圓200為對象。此處，記憶部121c內的材料處理順序1區域的資料該當。據此，作成在處理模組PM-1處理的處理對象晶圓200的分批。

插入至處理模組PM內的晶舟217的全插槽(基板保持區域)的兩端部(上端部與下端部)，係無法保持均熱的部分雖微少但仍存在，故一面常時將擋片200每數個保持於此部分(插槽)，一面以溫度穩定的插槽的保持部保持製品晶圓200。

亦即，在無法保持此均熱的基板保持區域配置擋片200，故分批成為包含擋片200的構成。

接著，進行作為使用對象的擋片200的載體110的選定及擋片200的選定。利用圖11A，就控制部121選定使用擋片200的載體110及選定擋片200的程序進行說明。

(S621)根據載體資訊，拾取使用擋片200的載體110。判定拾取的載體110內的插槽號1的擋片200的有無。無時，判定下個插槽號2的擋片200的有無。

(S622)於載體110內的插槽號1有擋片200的情況下，判定該擋片200是否為可使用狀態。非可使用狀態的情況下，判定下個插槽號2的擋片200的有無。

(S623)插槽號1的擋片200為可使用狀態的情況下，判定本次程序處理是否在處理模組PM1執行。YES時，從擋片200的晶圓資訊，選定處理模組PM1、或「AUTO」指定的擋片200。No時，選定處理模組PM2、或「AUTO」指定的擋片200。

(S624)於選定數(預設係0)加1，(S625)將此擋片200的晶圓資訊儲存於記憶部121c，判定下個插槽號2的擋片200的有無。然後，僅插槽號的數份執行S622至S625的程序。

之後，就下個擋片載體(收容擋片200的載體)110，僅插槽號的數份執行S622至S625的程序。然後，在S621拾取的擋片載體110的個數份，就全部的擋片200，將晶圓資訊儲存於記憶部121c時，結束主處理流程。

然後，控制部121確認晶圓200的個數要構成包含擋片200的分批是否充分。

(S600)接著，控制部121被構成為，執行包含前處理(待機步驟)、主處理(主步驟)、後處理(結束步驟)的3個步驟的程序配方。於前處理，進行從載體110往晶舟217的晶圓200的搬送。控制部121依以記憶部121c內的材料處理順序1區域及材料處理順序2區域定義的基板配置，再進一步使用儲存於記憶部121c的擋片200的選定材料資訊，作成基板移載參數，各種晶圓200被依序往設置於處理模組PM的下方的晶舟217搬送。於此，控制部121在作成基板移載參數前，利用圖11B決定最後使用的擋片200的選定與移載的順序。

接著，利用圖11B，說明有關控制部121使用的擋片200的選定與按使擋片200優先而使用的順序進行排序的程序。

控制部121依處理對象處理模組PM的資訊而取得儲存於記憶部121c的選定材料資訊，根據取得的選定材料資訊判定是否為「AUTO」指定的擋片200。控制部121分別儲存於僅儲存「AUTO」指定的擋片200的AUTO區域、和儲存「AUTO」以外被指定的擋片200的PM指定區域下去，以選定材料資訊取得的選定數份結束往此等AUTO區域與PM指定區域的儲存處理時，以成為將儲存於PM指定區域的擋片200比儲存於AUTO區域的擋片200優先使用的順序的方式儲存於本次可使用材料資訊區域。

如此般，依本實施方式時，使用特定的處理模組專用的擋片200下去，實在是不足的情況下，使用處理模組共有的擋片200，從而可有效地運用擋片200。因此，在基板處理裝置10實施材料處理時，可將使用的擋片200效率佳地使用。再者，為了使擋片200的交換為容易，從特定的擋片200使用，使得亦可易於進行收納擋片200的載體110的交換。此處再次擋片200包含側擋片基板與補充擋片基板雙方。

於圖12A示於基板移載參數的一例。基板移載資料包含：顯示晶圓200被處理的順序的資訊、載置於晶舟217的晶圓200的搬送源資訊、和顯示處理晶圓200的處理室201的搬送目的地資訊。基板移載參數作為搬送源資訊包含顯示載置於晶舟217的晶圓200被儲存的載體110的類別與項號的資訊、和顯示晶圓200在載體110內被載置的插槽號的資訊，作為搬送目的地資訊包含顯示晶舟217的插槽號的資訊。於圖12A，此基板移載參數雖僅揭載處理模組PM1，惟處理模組PM2亦為同樣的構成。

接著，利用圖13，說明有關示於圖12A的基板移載參數的作成。具體而言，(S611)設定為了往與選擇的處理模組PM-1相關的晶舟217搬送晶圓200用的晶舟217上的晶圓200的配置。(S612)控制部121從在S611獲得的晶圓200的配置確定搬送晶圓200的順序。(S613)控制部121根據晶圓200的搬送順序，確定將晶圓200的載體110往傳送盒開啟器21搬運的順序。

(S611)在晶舟217的全插槽(基板保持區域)的兩端部(上端部與下端部)，無法保持均熱因而無法載置製品晶圓200，故於此無法保持均熱的基板保持區域配置擋片200。具體而言，控制部121，係就選擇的處理模組PM-1，在此搬送目的地的晶舟217的全插槽(圖12中插槽為46個)，全插槽之中，將擋片200配置於無法保持均熱的兩端部(上部為從上端部至第二個為止的插槽，下部為從下端部至第三個為止的插槽)。然後，控制部121被構成為，在此全插槽之中心部(24插槽)、無法保持均熱的兩端部、和在邊界保持均熱的插槽(4插槽、44插槽)的3處配置控片200。最後，控制部121設定為在此等擋片200及控片200以外的插槽配置製品晶圓200。

(S612)控制部121從晶圓200的配置就搬送晶圓200的順序，根據迄今為止的各種晶圓200的載體110資訊等進行決定。具體而言，為了晶圓200的搬送時的顆粒抑制，先將擋片200搬送至晶舟217。以接著移載製品晶圓200及控片200的方式決定搬送順序(圖12A中記載為搬送Priority)。另外，在圖12A，以先移載製品晶圓200後移載控片200的方式決定搬送順序。亦即，決定為，依擋片200、製品晶圓200、控片200的順序進行往晶舟217的搬送。

另外，控制部121係載體110內的取出插槽號的順序亦予以與搬送順序(搬送Priority)建立關聯而適當決定。另外，在本實施方式，處理對象晶圓200、擋片200的載體110內的取出順序分別依插槽號順序。此結果，控制部121作成示於圖12A的基板移載參數。

(S613)控制部121，係在S612根據各種晶圓200的順序，決定往傳送盒開啟器21搬送的各載體110的順序。此處，決定為，載體(D01)110先被載置於傳送盒開啟器21，接著載體(P01)110、載體(P02)110依此順序被載置於傳送盒開啟器21，最後載體(D01)110載置於傳送盒開啟器21。

接著，從處理配方內的任意步驟受理往晶舟217的晶圓200的移載命令時，控制部121，係讀出作成的基板移載參數，使擋片200移載於晶舟217上的插槽之中均熱區域以外的該插槽，在剩餘的晶舟217上的相當於均熱區域的插槽，一面使晶圓移載機構125上下移動一面予以移載製品晶圓200、控片200。

控制部121使傳送盒搬送裝置130及晶圓移載機構125進行載體110的搬送及晶圓200的移載。具體而言，透過傳送盒搬送裝置130，載體(D01)110先被載置於傳送盒開啟器21，透過晶圓移載機構125，擋片200被依搬送順序(搬送Priority)搬送至晶舟217。接著，透過傳送盒搬送裝置130，載體(P01)110、載體(P02)110依此順序被載置於傳送盒開啟器21，透過晶圓移載機構125，製品晶圓200被沿著搬送順序(搬送Priority)搬送至晶舟217。最後，透過傳送盒搬送裝置130，載體(D01)110被載置於傳送盒開啟器21，透過晶圓移載機構125，控片200被依搬送順序(搬送Priority)搬送至晶舟217。

於此，可在傳送盒開啟器21載置兩個載體110時，只要載置載體(P01)110與載體(M01)110，即可將搬送順序在不區分製品晶圓200與控片200之下連續進行排序，故可縮短搬運時間。另外，只要可在一個載體110摻雜控片200與製品晶圓200，即可同樣地將搬送順序在不區分製品晶圓200與控片200之下連續進行排序，故可縮短搬運時間。

往晶舟217的晶圓200的移載結束，進行晶圓200的搬送位置的無偏位確認，無異常時，執行定義於程序配方的處理配方。控制部121執行處理配方，從而實施前述的基板處理程序。

另外，處理模組PM-2方面當然亦如同處理模組PM-1般進行。

(其他實施方式) 於圖12B示出其他實施方式中的基板移載參數的一例。此基板移載參數顯示儲存於記憶部121c內的材料處理順序1、材料處理順序2。亦即，為不使用擋片200的無擋片的基板移載參數，為與圖12A的製品晶圓200相同的個數。同樣地，包含：顯示處理對象晶圓200被處理的順序的資訊、和載置於晶舟217的處理對象晶圓200的搬送源資訊。另外，搬送源資訊包含：顯示收容處理對象晶圓200的載體110的資訊、和顯示處理對象晶圓200在載體110內被載置的插槽號的資訊。

不同於本實施方式，不使用擋片200，故使用製品晶圓200即可，故將晶圓200搬送至晶舟217的時間被縮短。再者，不需要將擋片200輸入基板處理裝置10內，故一個污染源消失，故可清淨地保持基板處理裝置10內。

在上述之實施方式，在一方(左側或右側)的載台122的透過晶圓移載機構125之晶圓的往晶舟217的裝填作業中，別的傳送盒110從傳送盒架105透過傳送盒搬送裝置130被搬送而移載於另一方(左側或右側)的載台122，同時進行透過傳送盒開啟器21之傳送盒110的開放作業。

另外，在上述之實施方式，雖說明有關利用具有熱壁型的處理爐的基板處理裝置而形成薄膜之例，惟本發明不限定於此，利用具有冷壁型的處理爐的基板處理裝置而形成薄膜的情況下，亦可適用。

另外，不限於如本實施例相關的基板處理裝置的處理半導體晶圓的半導體製造裝置等，亦可適用於處理玻璃基板的LCD(Liquid Crystal Display)製造裝置。

200‧‧‧晶圓(基板) 217‧‧‧晶舟(基板保持具)

[圖1]就適用於本揭示的一實施方式的基板處理裝置進行繪示的橫剖面圖的一例。 [圖2]就適用於本揭示的一實施方式的基板處理裝置進行繪示的縱剖面圖的一例。 [圖3]就適用於本揭示的一實施方式的基板處理裝置的處理爐進行繪示的縱剖面圖的一例。 [圖4]就適用於本揭示的一實施方式的控制器的功能構成進行說明的圖。 [圖5]就在適用於本揭示的一實施方式的基板處理裝置方面的基板處理的流程進行繪示的圖。 [圖6A]就本揭示的實施方式相關的裝置參數進行繪示的圖。 [圖6B]就本揭示的實施方式相關的裝置參數進行繪示的圖。 [圖6C]就本揭示的實施方式相關的裝置參數進行繪示的圖。 [圖6D]就本揭示的實施方式相關的裝置參數進行繪示的圖。 [圖7]就本揭示的實施方式相關的載體資訊進行繪示的圖。 [圖8A]從本揭示的實施方式相關的用戶資訊判別處理模組PM的流程圖。 [圖8B]從本揭示的實施方式相關的載體資訊判別處理模組PM的流程圖。 [圖9A]就本揭示的實施方式相關的作業生成處理流程進行繪示的圖。 [圖9B]就本揭示的實施方式相關的材料使用確定處理流程進行繪示的圖。 [圖10A]就本揭示的實施方式相關的處理模組確定流程進行繪示的圖。 [圖10B]就本揭示的實施方式相關的處理模組確定流程進行繪示的圖。 [圖11A]就本揭示的實施方式相關的使用對象載體選定程序進行繪示的圖。 [圖11B]就本揭示的實施方式相關的使用優先順序排序程序進行繪示的圖。 [圖12]就本揭示的實施方式相關的基板移載資料進行繪示的圖。 [圖13]作成本揭示的實施方式相關的基板移載資料的流程圖。

6A、6B‧‧‧搬送室

8‧‧‧移載室

9‧‧‧收納室

21‧‧‧傳送盒開啟器

22‧‧‧裝載埠

90A、90B‧‧‧閘閥

110‧‧‧傳送盒

125‧‧‧晶圓移載機構

Claims

一種基板處理裝置，其具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板(dummy substrate)的複數個基板；記憶部，其分別記憶至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和按膜種定義於收容前述基板的載體的裝置參數；和控制部，其依該裝置參數作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊，根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；前述控制部被構成為，在作成前述基板移載資料之際，取得定義於前述載體的裝置參數，依輸入操作決定收容於前述載體內的基板被處理的前述處理室。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述基板移載資料被構成為，作為前述搬送源資訊包含：顯示載置於前述基板保持具的前述製品基板或收容前述擋片基板的載體的資訊、和顯示前述製品基板或前述擋片基板的載置於前述載體的插槽號的資訊。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其進一步具備控片基板(monitor substrate)，前述基板移載資料係前述搬送順序資訊被設定為，在搬送前述製品基板後，搬送前述控片基板。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部在載置於前述基板保持具的製品基板的個數被設定為可載置於前述基板保持具的基板個數以下時，以搬送至從複數個處理室中選擇的一個處理室的方式作成前述基板移載資料。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部在載置於前述基板保持具的製品基板的個數被設定為比可載置於前述基板保持具的基板個數多時，以進行分配搬送的方式作成前述基板移載資料。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部在載置於前述基板保持具的製品基板的個數被設定為比可載置於前述載體的基板個數多時，以進行分配搬送的方式作成前述基板移載資料。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部在載置於前述基板保持具的製品基板的個數被設定為可載置於前述載體的基板個數以下時，以搬送至從複數個處理室中選擇的一個處理室的方式作成前述基板移載資料。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述製品基板為25個以上且100個以下。
一種基板處理裝置，其具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板(dummy substrate)的複數個基板；記憶部，其分別記憶至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和分別定義保養項目與保養號碼的裝置參數；和控制部，其依該裝置參數作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊，根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；前述控制部被構成為，分別比較在相當於前述保養號碼的前述保養項目被定義的項目的各處理室方面的當前值，決定搬送前述基板的前述處理室。
一種基板處理裝置，其基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板(dummy substrate)的複數個基板；記憶部，其分別記憶至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和按登入使用者設定可使用的處理室的登入參數或按載體類別設定可使用的處理室的載體參數；和控制部，其依該裝置參數作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊，根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；前述控制部被構成為，在按前述處理室處理前述製品基板的膜種不同的情況下，依前述登入參數的內容決定搬送前述基板的前述處理室，在前述製品基板方面處理的膜種分別相同的情況下，依前述載體參數的內容決定搬送前述基板的前述處理室。
如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其進一步具備具有設定前述登入參數的設定畫面之操作部，前述操作部進一步具有被構成為可分別設定使用的載體的類別及個數的設定畫面，前述控制部被構成為，在前述操作部的輸入操作時顯示在前述設定畫面上設定的前述載體。
一種半導體裝置之製造方法，其具有以下程序：依至少包含可載置於保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板的基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和按膜種定義於收容前述基板的載體的裝置參數，作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至剩餘的前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；和將前述基板保持具裝入爐內而處理前述製品基板；在作成前述基板移載資料之程序包含以下程序：取得定義於前述載體的裝置參數，依輸入操作決定收容於前述載體內的基板被處理的前述處理室。
一種程式，其被在基板處理裝置執行，該基板處理裝置具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板；移載機構，其將前述基板裝填於前述基板保持具；和控制部，其被構成為使前述基板被前述移載機構移載至前述基板保持具；該程式使前述控制部執行以下程序：依至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和按膜種定義於收容前述基板的載體的裝置參數，予以作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；和依作成的前述基板移載資料，使前述基板移載於前述移載機構，亦即使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；在予以作成前述基板移載資料的程序，使前述控制部執行以下程序：取得定義於前述載體的裝置參數，依輸入操作決定收容於前述載體內的基板被處理的前述處理室。
一種半導體裝置之製造方法，其具有以下程序：依至少包含可載置於保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板的基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和分別定義保養項目與保養號碼的裝置參數，作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；和根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；在作成前述基板移載資料之程序包含以下程序：分別比較在相當於前述保養號碼的前述保養項目被定義的項目的各處理室方面的當前值，決定搬送前述基板的前述處理室。
一種程式，其被在基板處理裝置執行，該基板處理裝置具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板；移載機構，其將前述基板裝填於前述基板保持具；和控制部，其被構成為使前述基板被前述移載機構移載至前述基板保持具；該程式使前述控制部執行以下程序：依至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和分別定義保養項目與保養號碼的裝置參數，予以作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；和依作成的前述基板移載資料，使前述基板移載於前述移載機構，亦即根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；在予以作成前述基板移載資料的程序，使前述控制部執行以下程序：分別比較在相當於前述保養號碼的前述保養項目被定義的項目的各處理室方面的當前值，決定搬送前述基板的前述處理室。
一種半導體裝置之製造方法，其具有以下程序：依至少包含可載置於保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板的基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和按登入使用者設定可使用的處理室的登入參數或按載體類別設定可使用的處理室的載體參數，作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；和根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；在作成前述基板移載資料之程序包含以下程序：在按前述處理室處理前述製品基板的膜種不同的情況下，依前述登入參數的內容決定搬送前述基板的前述處理室，在前述製品基板方面處理的膜種分別相同的情況下，依前述載體參數的內容決定搬送前述基板的前述處理室。
一種程式，其被在基板處理裝置執行，該基板處理裝置具備：基板保持具，其保持包含製品基板與擋片基板的複數個基板；移載機構，其將前述基板裝填於前述基板保持具；和控制部，其被構成為使前述基板被前述移載機構移載至前述基板保持具；該程式使前述控制部執行以下程序：依至少包含可載置於前述基板保持具的基板個數與載置於前述基板保持具的製品基板的個數的裝置參數、和按登入使用者設定可使用的處理室的登入參數或按載體類別設定可使用的處理室的載體參數，予以作成基板移載資料，該基板移載資料包含顯示前述基板被搬送的順序的搬送順序資訊、載置於前述基板保持具的前述基板的搬送源資訊、和顯示處理前述基板的處理室的搬送目的地資訊；和依作成的前述基板移載資料，使前述基板移載於前述移載機構，亦即根據前述基板移載資料使擋片基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域以外的基板保持區域，使製品基板移載至前述基板保持具上的基板保持區域之中的均熱區域；在予以作成前述基板移載資料的程序，使前述控制部執行以下程序：在按前述處理室處理前述製品基板的膜種不同的情況下，依前述登入參數的內容決定搬送前述基板的前述處理室，在前述製品基板方面處理的膜種分別相同的情況下，依前述載體參數的內容決定搬送前述基板的前述處理室。