TW201921569A - 搬送裝置及基板處理裝置 - Google Patents

搬送裝置及基板處理裝置

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Abstract

提供一種可提升搬送精度之搬送系統。 一實施形態之搬送裝置係具有：移載機，係會在測量被搬送物之溫度的測量位置與從該測量位置被隔離之待機位置之間進行移動；溫度感應器，係以使前端會從該移載機來突出之方式被安裝於該移載機，而在該測量位置中測量該被搬送物之溫度；以及引導部，係在從該待機位置朝該測量位置之移動方向側具有開口，而保護該溫度感應器之該前端。

Description

搬送裝置及基板處理裝置
本發明係關於一種搬送裝置及基板處理裝置
自以往，便已知一種縱型熱處理裝置，係具有縱長之熱處理爐，且會在將複數片晶圓載置於晶舟之狀態下受納於熱處理爐，而進行加熱晶圓之熱處理(例如，參照專利文獻1)。
縱型熱處理裝置中，係在對晶圓進行熱處理後，將晶舟從熱處理爐搬出，而經過既定冷卻時間後，搬送裝置便會從晶舟來將晶圓朝FOUP(Front-OpeningUnified Pod)內搬送而回收。冷卻時間係將晶圓冷卻至既定溫度(例如80℃)為止所需要的時間與既定等待時間(裕度時間)的總計時間。將晶圓冷卻至既定溫度為止所需要的時間會基於預備實驗的結果等來預先設定。 [先前技術文獻]
[專利文獻] 專利文獻1：日本特開2016-178216號公報
然而，上述裝置中，由於將既定等待時間包含在晶圓搬送所需要之時間，故會使到回收晶圓為止的時間加長了等待時間的部分。
於是，有鑑於上述課題，其目的在於縮短回收時間，並達成生產性之提升。
為了達成上述目的，本發明一態樣之搬送裝置係具有：移載機，係會在測量被搬送物之溫度的測量位置與從該測量位置被隔離之待機位置之間進行移動；溫度感應器，係以使前端會從該移載機來突出之方式被安裝於該移載機，而在該測量位置中測量該被搬送物之溫度；以及引導部，係在從該待機位置朝該測量位置之移動方向側具有開口，而保護該溫度感應器之該前端。
根據所揭露之搬送裝置，便可縮短回收時間，並達成生產性之提升。
以下，便參照圖式就用以實施本發明之形態來加以說明。另外，本說明書及圖式中係對實質上相同之構成附加相同之符號並省略重複說明。
本發明實施形態相關之晶圓搬送裝置雖可適用於各種基板處理裝置，但為了容易理解，便舉使用縱型熱處理裝置來作為基板處理裝置一範例之情況為範例來加以說明。
關於具備有本發明一實施形態相關的晶圓搬送裝置之基板處理裝置的構成例，係參照圖1及圖2來加以說明。圖1係具備有本發明一實施形態相關之搬送裝置的基板處理裝置之概略構成圖。圖2係具備有本發明一實施形態相關之搬送裝置的基板處理裝置之概略平面圖。另外，圖2中為了簡化說明，係顯示未在圖1之裝載埠14的一邊及FIMS埠24載置有載具C的狀態。
基板處理裝置1係構成為被收納於構成裝置之外裝體的框體2。框體2內係形成有載具搬送區域S2與晶圓搬送區域S2。載具搬送區域S1與晶圓搬送區域S2係藉由分隔壁4來被加以區隔。分隔壁4係設置有會讓載具搬送區域S1與晶圓搬送區域S2連通，並用以搬送晶圓W的搬送口6。搬送口6係藉由依照FIMS(Front-Opening Interface Mechanical Standard)規格的門機構8來加以開閉。門機構8係連接有蓋體開關裝置7之驅動機構，並構成為會藉由驅動機構來使門機構8在前後方向及上下方向自由移動，以開閉搬送口6。
以下，便使載具搬送區域S1及晶圓搬送區域S2之配列方向為前後方向(對應於下述第2水平方向)，使垂直於前後方向之水平方向為左右方向(對應於下述第1水平方向)。
載具搬送區域S1係在大氣氛圍下之區域。載具搬送區域S1係將收納有為被搬送物之半導體晶圓(以下稱為「晶圓W」)之載具C在基板處理裝置1內之下述要素之間搬送，即從外部來搬入至基板處理裝置1內，或是從基板處理裝置1朝外部搬出之區域。載具C可為例如FOUP(Front-Opening Unified Pod)。藉由將FOUP內之清淨度保持在既定程度，便可防止異物朝晶圓W表面之附著或形成自然氧化膜。載具搬送區域S1係由第1搬送區域10與位在第1搬送區域10後方(晶圓搬送區域S2側)的第2搬送區域12所構成。
第1搬送區域10作為一範例係設置有在上下有2層(參照圖1)，且於各層左右還有2個(參照圖2)的裝載埠14。裝載埠14係在將載具C搬入至基板處理裝置1時，接收載具C的搬入用載置台。裝載埠14係設置於將框體2之壁部開放之處，而可從外部來進入至基板處理裝置1。具體而言，藉由基板處理裝置1外部所設置之搬送裝置(未圖示)，便可進行載具C朝裝載埠14上的搬入及載置以及載具C從裝載埠14朝外部之搬出。又，由於裝載埠14係例如於上下存在有2層，故可在兩邊進行載具C之搬出及搬出。在裝載埠14下層為了能夠保管載具C，係可具備有儲存部16。裝載部14載置載具C的面係在例如3處設置有將載具C定位之定位銷18。又，可構成為能在將載具C載置於裝載埠14上的狀態下，讓裝載埠14移動於前後方向。
第2搬送區域12下部係在上下方向排列配置有2個(參照圖1)FIMS埠24。FIMS埠24係在相對於晶圓搬送區域S2內之下述熱處理爐80來將載具C內之晶圓W搬入及搬出時，保持載具C之保持台。FIMS埠24係構成為可在前後方向自由移動。在FIMS埠24載置載具C的面亦與裝載埠14同樣地在3處設置有將載具C定位的定位銷18。
第2搬送區域12上部係設置有保管載具C的儲存部16。儲存部16係由例如3層之架所構成，各架係可在左右方向載置2個以上的載具C。又，為第2搬送區域12下部而未配置有載具載置台之區域亦可構成為配置有儲存部16。
第1搬送區域10與第2搬送區域12之間係設置有在裝載埠14、儲存部16以及FIMS埠24之間搬送載具C的載具搬送機構30。
載具搬送機構30係具備有第1引導部31、第2引導部32、移動部33、臂部35以及手部35。第1引導部31係構成為延伸於上下方向。第2引導部32係構成為連接於第1引導部31，並延伸於左右方向(第1水平方向)。移動部33係構成為一邊被導向第2引導部32，一邊移動於左右方向。臂部34係具有1個關節及2個臂部，且會被設置於移動部33。手部35係設置於臂部34前端。手部35係在3處設置有將載具C定位之銷18。
晶圓搬送區域S2係從載具C來取出晶圓W，而施予各種處理之區域。晶圓搬送區域S2為了防止於晶圓W形成有氧化膜，係成為非活性氣體氛圍，例如氮氣(N2 )氛圍。晶圓搬送區域S2係設置有下端會作為爐口來開口之縱型熱處理爐80。
熱處理爐80係具有可收納晶圓W，而用以進行晶圓W之熱處理之石英製的圓筒狀處理容器82。處理容器82周圍係配置有圓筒狀加熱器81，而藉由加熱器81之加熱來進行所收納之晶圓W的熱處理。處理容器82下方係設置有擋板(未圖示)。擋板係在將晶舟50從熱處理爐80搬出，而搬入下一個晶舟50的期間，覆蓋在熱處理爐80下端用的門。熱處理爐80下方係透過保溫筒52來在蓋體54上載置有為基板保持具之晶舟50。換言之，蓋體54係在晶舟50下方與晶舟50一體地被加以設置。
晶舟50係例如石英製，且會構成為於上下方向具有既定間隔，並會略水平地保持大口徑(例如直徑為300mm或450mm)的晶圓W。晶舟50所收納的晶圓W片數並未特別限制，可為例如50~200片。蓋體54係被升降機構(未圖示)所支撐，會藉由升降機構來使晶舟50相對於熱處理爐80而搬入或搬出。晶舟50與搬送口6之間係設置有晶圓搬送裝置60。
晶圓搬送裝置60係在FIMS埠24上所保持的載具C與晶舟50之間進行晶圓W的移載。晶圓搬送裝置60係具有引導機構61、移動體62、叉部63、升降機構64以及旋轉機構65。引導機構61係長方體狀。引導機構61係被安裝在延伸於垂直方向的升降機構64，且會構成為可藉由升降機構64朝垂直方向移動，並可藉由旋轉機構65來旋轉。移動體62係設置為可在引導機構61上沿著長邊方向來進退移動。叉部63係透過移動體62來安裝的移載機，且可設置有複數片(例如5片)。藉由具有複數片叉部63，便可同時移載複數片晶圓W，而可縮短晶圓W搬送所需要的時間。其中，叉部63亦可為一片。
5片叉部63的至少任一者係設置有位置檢測感應器66及溫度感應器67。位置檢測感應器66及溫度感應器67會在之後詳述。
晶圓搬送區域S2之頂部或側壁部係可設置有過濾器單元(未圖示)。過濾器單元係可舉例有HEPA過濾器(High Efficiency Particulate Air Filter)、ULPA(Ultra-Low Penetration Air Filter)等。藉由設置過濾器單元，便可將清淨空氣供給至晶圓搬送區域S2。
如圖1及圖2所示，設置有會進行基板處理裝置1整體之控制的控制部100。控制部100係依照配方，並以在配方所示之各種處理條件下來進行熱處理之方式以控制基板處理裝置1內之各種機器的動作。又，控制部100係藉由接收來自基板處理裝置1內所設置之各種感應器的訊號，來掌握晶圓W的位置等，而進行推進程序的機制控制。進一步地，控制部100係可藉由接收基板處理裝置1內所設置之各種檢測器所檢測出的物理性測量值等，來掌握基板處理狀態，以進行為了適當進行基板處理所必要的反饋控制等。
控制部100係具備有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等的演算機構及記憶機構。控制部100係可構成為會從記憶有程式之記憶媒體來安裝進行配方處理的程式，而實行配方處理般之微電腦。又，控制部100亦可構成為ASIC(Application Specific Integrated Circuit)般之電子電路。
接著，便參照圖3至圖9，就叉部63所設置之位置檢測感應器66及溫度感應器67來加以說明。圖3係顯示叉部63的一範例之概略平面圖。圖4係顯示在測量晶圓溫度時之叉部63與晶圓W的位置關係之概略平面圖。圖4中係以虛線來顯示待機位置P1中的叉部63，以實線來顯示測量位置P2中的叉部63。圖5至圖7係顯示溫度感應器67及引導部68一範例的圖式。圖5(a)係圖3中之A部的放大圖，圖5(b)係圖5(a)中之一點鏈線B-B所裁切的剖面圖，圖5(c)係圖5(a)中之一點鏈線C-C所裁切的剖面圖。
叉部63係藉由雙股狀之平板構件所形成。叉部63係構成為可在待機位置P1與測量位置P2之間移動。待機位置P1係從測量位置P2所被隔離的位置，例如圖4所示，可為俯視觀察下，差部63與晶圓W不會重疊的位置。測量位置P2係測量晶圓W溫度之位置，例如圖4所示，較佳地係溫度感應器67在叉部63之插入方向中的晶圓W略中央之位置。藉此，便可測量溫度較高之部分的晶圓W溫度。叉部63之材料係可使用例如氧化鋁(Al2 O3 )、碳化矽(SiC)等的陶瓷。叉部63係設置有位置檢測感應器66、溫度感應器67、引導部68以及晶圓支撐部69。
位置檢測感應器66係被設置於叉部63前端內側的側面。位置檢測感應器66係例如對向型的一對光學檢測器。位置檢測感應器66會在將晶圓W保持於晶周50時，檢測出晶圓W是否有從晶舟50跳出，或是位置有無偏移等，以及晶圓W的位置是否為正常。位置檢測感應器66係由發光元件與感光元件所構成，而會從發光元件來發出光線，以感光元件來接收光線。在發光元件與感光元件之間並未存在有物(檢測對象物)的情況，感光元件便會接收來自發光元件之光線，在存在有物的情況，則來自發光元件之光線會被遮蔽，而使得感光元件無法接收光線。因此，由於在將晶圓W載置於晶舟50的高度下使叉部63靠近晶圓W，於晶圓W跳出的情況下，光會被遮光，而於未跳出的情況下則光不會被遮蔽，故可檢測出晶圓W之跳出。
溫度感應器67係被設置於叉部63前端之內側。溫度感應器67係以前端67a會從叉部63突出之方式來加以安裝。溫度感應器67係在測量位置P2中以非接觸來測量晶圓W之溫度。例如，藉由將叉部63插入至晶舟50所保持的複數片晶圓W之鄰接的2片晶圓W之間的測量位置P2，便會以非接觸來測量晶圓W溫度。又，例如藉由移動叉部63之位置，來測量晶圓搬送區域S2內之複數地點的溫度。又，例如藉由讓叉部63保持晶圓W，來測量所保持之晶圓W的溫度。溫度感應器67雖可使用各種熱電偶，但從快速的反應性，且能高精度地測量溫度的觀點看來，較佳地係使用極細線熱電偶(例如，前端線徑為25μm)。又，溫度感應器67亦可使用測溫阻抗體。又，叉部63內部係設置有用以將溫度感應器67之輸出供於外部的配線67b。另外，配線67b可被設置於叉部63表面或內面。
引導部68係被設置於叉部63前端的內面。引導部68係從叉部63突出設置，且會在從待機位置P1朝測量位置P2的移動方向側(叉部63前端側)具有開口68a，並在俯視觀察下被形成為略U字狀。藉此，便可從接觸等所致的破損中來保護溫度感應器67之前端67a。又，在叉部63從待機位置P1朝測量位置P2移動時，如圖8(a)所示，可透過開口68a而使溫度感應器67之前端67a與測量位置P2中之氣體充分地熱接觸。因此，便可縮短溫度感應器67之溫度測量的反應時間。相對於此，如圖8(b)所示，在未有開口68a的情況，由於測量位置P2中之氣體會被引導部68所遮蔽，故無法使溫度感應器67之前端67a與測量位置P2中之氣體充分地熱接觸。另外，圖8係本發明實施形態相關之晶圓搬送裝置60的效果之說明圖。
如圖5所示，引導部68之略U字狀的兩側部68b之長度68L係形成為會較從叉部63所突出之溫度感應器67的前端67a的長度67L要長。藉此，便可從接觸等所致的破損中特別地保護溫度感應器67之前端67a。又，如圖6所示，引導部68之略U字狀的兩側部68b之長度68L亦可形成為等同於從叉部63所突出之溫度感應器67的前端67a的長度67L。進一步地，如圖7所示，引導部68可在俯視觀察下形成為略ㄈ字狀。在此情況下，引導部68之略ㄈ字狀的兩側部68b之長度68L便會形成為從叉部63所突出之溫度感應器67的前端67a的長度67L以上。
引導部68之材料係可使用例如聚碳酸酯樹脂(PC：Poly Carbonate)、聚對苯二甲酸樹脂(PET：Poly Ethylene Terephthalate)、聚醚醚酮樹脂(PEEK：Poly Ether Ether Ketone)等的各種塑膠。其中，從耐熱性優異的觀點看來，較佳地係使用PEEK。
晶圓支撐部69係在叉部63一邊的面上設置有4個。藉由將晶圓W外緣部載置於4個晶圓支撐部69，便可相對於叉部63而在定位好的狀態下來載置晶圓W。
另外，上述範例中，雖已就將溫度感應器67設置於叉部63前端的情況來加以說明，但設置溫度感應器67之位置並不限於此。例如，如圖9所示，溫度感應器67亦可設置於叉部63之前後方向中的略中央。另外，圖9係顯示叉部63之其他範例的概略平面圖。
接著，便就使用本發明實施形態相關之晶圓搬送裝置60時的溫度感應器67的反應性之評價結果來加以說明。具體而言，係在讓叉部63從待機位置P1朝測量位置P2移動，而在測量位置P2中使溫度感應器67所測量之溫度超過80℃後，再藉由溫度感應器67來測量使叉部63從測量位置P2退離至待機位置P1時之溫度。又，為了進行比較，便就使用具有未形成有開口的引導部的晶圓搬送裝置時之溫度感應器的反應性，以及使用不具有引導部之晶圓搬送裝置時之溫度感應器的反應性來加以評價。其中，比較例中係即便在測量位置P2中藉由溫度感應器67所測量之溫度超過80℃的情況下，仍不讓叉部63從測量位置P2退離至待機位置P1來進行評價。
圖10係顯示溫度感應器之反應性的圖式。圖10中，橫軸係表示時間(min)，縱軸係表示溫度(℃)。又，圖10中，實線係表示使用本發明實施形態相關之晶圓搬送裝置60時的溫度感應器67之反應性。又，虛線係表示使用具有未形成有開口之引導部的晶圓搬送裝置時之溫度感應器的反應性。
如圖10所示，在使用本發明實施形態相關之晶圓搬送裝置60的情況，達到峰值溫度為止的時間係與使用不具有引導部68之晶圓搬送裝置之情況下相同而為1秒。亦即，得知具有高反應性。相對於此，在使用具有未形成有開口之引導部的晶圓搬送裝置之情況，達到峰值溫度為止的時間為60秒。
如上述說明，本發明實施形態中，由於可在短時間測量晶圓W溫度，故能即時地測量晶圓W溫度，而在所測量之溫度為閾值以下的時機點，便可迅速地將晶圓W從晶舟50移載至載具C。其結果，便可縮短晶圓W回收所需要的時間，而可達成生產性之提升。
以上，雖已就用以實施本發明之形態來加以說明，但上述內容並不會限制發明內容，而可在本發明範圍內進行各種變形及改良。
上述實施形態中，雖以將1個溫度感應器67設置於叉部63的情況為範例來加以說明，但不限於此，亦可將複數溫度感應器67設置於叉部63。在將複數溫度感應器67設置於叉部63的情況，便可測量晶圓W之面內分布。
1‧‧‧基板處理裝置
50‧‧‧晶舟
60‧‧‧晶圓搬送裝置
63‧‧‧叉部
66‧‧‧位置檢測感應器
67‧‧‧溫度感應器
67a‧‧‧前端
67b‧‧‧配線
68‧‧‧引導部
68a‧‧‧開口
80‧‧‧熱處理爐
100‧‧‧控制部
P1‧‧‧待機位置
P2‧‧‧測量位置
W‧‧‧晶圓
[圖1]係具備有本發明一實施形態相關之搬送裝置的基板處理裝置之概略構成圖。 [圖2]係具備有本發明一實施形態相關之搬送裝置的基板處理裝置之概略平面圖。 [圖3]係顯示叉部之一範例的概略平面圖。 [圖4]係顯示在測量晶圓溫度時之叉部與晶圓的位置關係之概略平面圖。 [圖5]係顯示溫度感應器與引導部一範例之圖式(1)。 [圖6]係顯示溫度感應器與引導部一範例之圖式(2)。 [圖7]係顯示溫度感應器與引導部一範例之圖式(3)。 [圖8]係本發明一實施形態相關之晶圓搬送裝置的效果之說明圖。 [圖9]係顯示叉部其他範例之概略平面圖。 [圖10]係顯示溫度感應器之反應性的圖式。

Claims (10)

  1. 一種搬送裝置係具有： 移載機，係會在測量被搬送物之溫度的測量位置與從該測量位置被隔離之待機位置之間進行移動； 溫度感應器，係以使前端會從該移載機來突出之方式被安裝於該移載機，而在該測量位置中測量該被搬送物之溫度；以及 引導部，係在從該待機位置朝該測量位置之移動方向側具有開口，而保護該溫度感應器之該前端。
  2. 如申請專利範圍第1項之搬送裝置，其中該引導部係從該移載機來突出設置，而在俯視觀察下被形成為略U字狀或略ㄈ字狀。
  3. 如申請專利範圍第2項之搬送裝置，其中該引導部係使略U字狀或略ㄈ字狀的開口側位在該移載機之前端側。
  4. 如申請專利範圍第3項之搬送裝置，其中該引導部之略U字狀或略ㄈ字狀的兩側部之長度係從該移載機所突出之該溫度感應器的該前端之長度以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之搬送裝置，其中該溫度感應器係以非接觸來測量該被搬送物之溫度。
  6. 如申請專利範圍第1項之搬送裝置，其中該溫度感應器係被安裝於該移載機之前端。
  7. 如申請專利範圍第1項之搬送裝置，其中該溫度感應器係被安裝於該移載機之插入方向的略中央。
  8. 如申請專利範圍第1項之搬送裝置，其中該移載機係設置有供該溫度感應器之輸出的配線。
  9. 如申請專利範圍第1項之搬送裝置，其中該溫度感應器係熱電偶或測溫阻抗體。
  10. 一種基板處理裝置，係具有： 熱處理爐； 基板保持具，係可在保持有複數基板的狀態下被收納於該熱處理爐； 移載機，係會在測量該複數基板之溫度的測量位置與從該測量位置被隔離之待機位置之間進行移動； 溫度感應器，係以使前端會從該移載機突出之方式來被安裝於該移載機，而在該測量位置中測量該複數基板之溫度；以及 引導部，係在從該待機位置朝該測量位置之移動方向側具有開口，而保護該溫度感應器之該前端。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4217463A (en) * 1978-03-13 1980-08-12 National Distillers And Chemical Corporation Fast responsive, high pressure thermocouple
JPH04286143A (ja) * 1991-03-14 1992-10-12 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH05304196A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送装置
JPH07142549A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0997787A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2006080410A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
US9354121B2 (en) * 2011-10-13 2016-05-31 Micromold Products, Inc. Corrosion resistant thermowells with thin wall tips
JP2015031671A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 中国電力株式会社 熱電対保護管用ガイドパイプおよび熱電対保護管の損傷抑制方法
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