KR20070008160A - 종형확산로 - Google Patents

종형확산로 Download PDF

Info

Publication number
KR20070008160A
KR20070008160A KR1020050063187A KR20050063187A KR20070008160A KR 20070008160 A KR20070008160 A KR 20070008160A KR 1020050063187 A KR1020050063187 A KR 1020050063187A KR 20050063187 A KR20050063187 A KR 20050063187A KR 20070008160 A KR20070008160 A KR 20070008160A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
boat
robot arm
light emitting
broken
Prior art date
Application number
KR1020050063187A
Other languages
English (en)
Inventor
추영수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050063187A priority Critical patent/KR20070008160A/ko
Publication of KR20070008160A publication Critical patent/KR20070008160A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 종형확산로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보트에 적재된 웨이퍼가 깨진 것을 감지하여 공정 중에 깨진 웨이퍼가 웨이퍼 이송 장치와 부딪히는 것을 방지하기 위한 종형확산로에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 종형확산로는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 형성하기 위한 것으로, 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내에서 공정을 진행할 웨이퍼를 적재하는 보트; 상기 보트와 카세트 사이에 웨이퍼를 이송시키고, 발광 소자가 장착된 로봇암; 및 상기 로봇암에 대응하여 상기 보트 후면에 형성된 수광 소자를 포함한다. 본 발명에 의하여 종형확산로에서 공정이 완료된 다음에 웨이퍼의 불량이나 열 공정에 의해서 깨어진 웨이퍼를 발광 소자와 수광 소자를 이용하여 감지하기 때문에 로봇암이 보트에 부딪혀서 깨진 웨이퍼가 2차적인 불량이나 오염을 발생시키는 것을 방지하는 효과가 있다.
종형확산로, 보트, 감지 수단, 로봇암

Description

종형확산로{Vertical furnace }
도1은 공정이 완료된 후에 웨이퍼를 이송시키는 종래의 종형확산로를 보여주는 도면.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 종형확산로를 보여주는 도면.
도3은 로봇암에 장착된 발광 소자와 수광 소자의 위치를 보여주는 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10, 100 : 공정 튜브 20, 200 : 보트
21, 210 : 웨이퍼 30, 300 : 로봇암
400 : 수광 소자
본 발명은 종형확산로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보트에 적재된 웨이퍼가 깨진 것을 감지하여 공정 중에 깨진 웨이퍼가 웨이퍼 이송 장치와 부딪히는 것을 방지하기 위한 종형확산로에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 생산하는 공정은 노광, 식각, 확산, 증착 등의 공정을 선택적으로 수행하는 일련의 과정에 의해서 이루어지고, 확산 및 증착 공정은 고온의 분위기에서 공정가스를 주입하여 실리콘웨이퍼 상에서 반응을 일으켜서 이루어지는 공정이다.
이러한 장비 가운데 종형확산로(vertical type furnace)가 많이 사용되고 있는데 종형확산로는 화학기상증착장비로서 고온진공분위기에서 공정챔버로 공정가스를 투입하면 공정가스가 서로 반응하여 반응물질을 형성하면서 동시에 압력이 낮은 공간에서 확산되어 웨이퍼 표면에 박막을 적층하는 현상을 이용한다.
이러한 공정을 진행하기 위한 종형확산로는 대량의 웨이퍼를 한꺼번에 로딩하여 공정을 진행하는 배치(batch) 방식을 적용하고, 보트에 웨이퍼를 적재하여 공정을 진행한다.
도1은 공정이 완료된 후에 웨이퍼를 이송시키는 종래의 종형확산로를 보여주는 도면이다.
도1에 도시된 바와 같이, 종래의 종형확산로는 공정 튜브(10), 보트(20) 및 로봇암(30)을 포함한다.
상기 공정 튜브(10)는 웨이퍼에 공정이 실시되는 챔버를 형성하고, 공정 튜브(10) 내부로 웨이퍼(21)가 적재된 보트(20)가 장착되어 공정이 진행된다. 보트(20)가 웨이퍼(21)를 적재하고 공정 튜브(10) 내에 장착되는 경우 보트(20)가 공정 위치에 있다고 한다.
웨이퍼(21)는 로봇암(30)에 의해서 카세트(도면에 표시하지 않음)와 보트 (20) 사이에 이송된다. 로봇암(30)은 보트(20)에 적재된 웨이퍼(21)를 포크에 안착시켜 카세트로 이송시킨다.
그런데 공정 튜브(10)에서 공정을 실시하는 경우 고온 열처리에 의해서 보트(20)에 적재된 웨이퍼(21)가 깨지는 경우가 자주 발생한다. 이렇게 보트(20)에서 깨진 웨이퍼(21)를 확인하지 않고, 로봇암(30)이 웨이퍼(21)를 이송시키는 경우 깨진 웨이퍼(21)와 로봇암(30)이 충돌하여 웨이퍼(21)가 크게 파손되거나 보트(20) 등의 부품이 깨지는 사고가 발생하다.
이로 인하여 공정이 장시간 지연되거나 오염이 증가하여 생산성이 저하되는 문제가 있다.
따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 보트에 적재된 웨이퍼가 고온 열처리 공정에서 깨진 것을 감지하여 웨이퍼가 로봇암에 부딪혀서 추가적인 오염이나 사고를 방지할 수 있는 종형확산로를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 종형확산로는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 형성하기 위한 것으로, 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내에서 공정을 진행할 웨이퍼를 적재하는 보트; 상기 보트와 카세트 사이에 웨이퍼를 이송시키고, 발광 소자가 장착된 로봇암; 및 상기 로봇암에 대응하여 상기 보트 후면에 형성된 수광 소자를 포함한다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 발광 소자는 2개인 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 종형확산로를 보여주는 도면이고, 도3은 로봇암에 장착된 발광 소자와 수광 소자의 위치를 보여주는 도면이다.
도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 종형확산로는 공정 튜브(100), 보트(200), 로봇암(300) 및 감지 소자(400)를 포함한다.
도2 및 도3을 참조하여 설명하면, 상기 공정 튜브(100)는 웨이퍼의 표면에 박막을 형성하는 공정이 실시되는 챔버를 형성하고, 공정 튜브(100) 내부로 웨이퍼(210)가 적재된 보트(200)가 장착되어 공정이 진행된다.
보트(200)는 석영으로 형성된 재질에 홈이 파인 슬롯이 형성되어 웨이퍼(210)가 한 장씩 적재되는 공간을 제공한다. 보트(200)가 웨이퍼(210)를 적재하고 공정 튜브(100) 내에 장착되는 경우 보트(200)가 공정 위치에 있다고 한다.
웨이퍼(210)는 로봇암(300)에 의해서 카세트(도면에 표시하지 않음)와 보트(200) 사이에 이송된다. 로봇암(300)에는 보트(200)에 적재된 웨이퍼(210)를 감지하기 위한 발광 소자(310)가 장착되어 있다. 상기 로봇암(300)에 장착된 발광 소자는 보트(200)에 적재된 웨이퍼가 깨진 것을 용이하게 감지하기 위하여 도3과 같이 2개를 장착하는 것이 바람직하다.
감지 소자(400)인 수광 소자는 로봇암(300)의 위치에 대응하여 보트(200) 후면에 형성되어, 로봇암(300)에 장착된 발광 소자(310)에 대응하여 발광 소자(310)에서 방출하는 빛을 감지한다.
여기서 보트(200)는 로봇암(300)이 보트(200)에 적재된 웨이퍼(210)를 이송시킬 수 있는 적재 위치(A 위치)로 이동하고, 상기 감지 소자(400)는 이 상태의 보트(200) 후면에 형성되어 있다.
발광 소자(310)에 대응하는 수광 소자(400)는 로봇암(300)의 이동에 따라 발광 소자에서 방출하는 빛을 감지하도록 보트(200)의 후면에 띠 형태로 형성하거나, 로봇암이 도2의 B 위치에서 A 위치까지 이동하는 동안 상기 수광 소자(400)도 같이 이동하도록 형성할 수 있다.
그리고 발광 소자(310)를 로봇암(300)에 2개 장착하여 양쪽에서 방출하는 빛이 수광 소자(400)에 감지되도록 배치하여, 보트(200)에 장착된 웨이퍼가 부분적으로 깨져서 조각이 구부러지면 이를 감지할 수 있도록 한다.
이때 발광 소자(310)는 예를 들어 LED와 같은 반도체 소자를 이용하는 것이 바람직하고, 수광 소자(400)도 반도체로 구성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 종형확산로에서 보트(200)에 적재된 웨이퍼(210)가 깨진 것을 감지하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
공정 튜브(100)에서 공정이 완료된 웨이퍼(210)는 보트와 함께 적재 위치로 이동한다. 이어서 발광 소자(310)가 장착된 로봇암(300)이 B 위치에서부터 A 위치까지 이동하면서 보트(200)에 적재된 각각의 웨이퍼(210)를 감지하여 웨이퍼(210)의 깨짐 유무를 확인한다.
이렇게 로봇암(300)이 이동하면서 보트(200)에 적재된 모든 웨이퍼(210)의 이상 유무를 확인할 수 있다.
이상에서, 본 발명의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상 및 특허청구 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 종형확산로에서 공정이 완료된 다음에 웨이퍼의 불량이나 열 공정에 의해서 깨어진 웨이퍼를 발광 소자와 수광 소자를 이용하여 감지하기 때문에 로봇암이 보트에 부딪혀서 깨진 웨이퍼가 2차적인 불량이나 오염을 발생시키는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 형성하기 위한 종형확산로로서,
    공정 튜브;
    상기 공정 튜브 내에서 공정을 진행할 웨이퍼를 적재하는 보트;
    상기 보트와 카세트 사이에 웨이퍼를 이송시키고, 발광 소자가 장착된 로봇암; 및
    상기 로봇암에 대응하여 상기 보트 후면에 형성된 수광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 종형확산로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 2개인 것을 특징으로 하는 종형확산로.
KR1020050063187A 2005-07-13 2005-07-13 종형확산로 KR20070008160A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050063187A KR20070008160A (ko) 2005-07-13 2005-07-13 종형확산로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050063187A KR20070008160A (ko) 2005-07-13 2005-07-13 종형확산로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070008160A true KR20070008160A (ko) 2007-01-17

Family

ID=38010414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050063187A KR20070008160A (ko) 2005-07-13 2005-07-13 종형확산로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070008160A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6670713B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法
KR101524177B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
US20160169766A1 (en) Leakage determining method, substrate processing apparatus and storage medium
US8444363B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2011049507A (ja) ロードロック装置及び処理システム
JP5003315B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
JP5043826B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
TWI723279B (zh) 搬送裝置及基板處理裝置
JP4912333B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20220086598A (ko) 반도체 제조 장비에 기판들을 배치하는 시스템들 및 방법들
JP2008311475A (ja) 処理装置
KR20070008160A (ko) 종형확산로
JP2013247128A (ja) 熱処理装置、およびその処理基板の形状不良の有無の判定方法
KR20060116912A (ko) 웨이퍼 이송 장치
KR102444876B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI807013B (zh) 基板載體裝置與方法
JP2008235810A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法
KR20060084926A (ko) 웨이퍼 가공 장치
JP2002270671A (ja) 基板処理装置
KR20090110621A (ko) 반도체 제조 설비 및 그의 처리 방법
KR102241600B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR20060089032A (ko) 반도체 소자 제조 설비
JP2012195375A (ja) 基板処理装置
KR20070000183A (ko) 웨이퍼 이송 장치
JP2006186189A (ja) ガス処理製造装置、ガス処理製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination