KR20150010781A - 쿨링 기구 및 처리 시스템 - Google Patents

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KR20150010781A
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게이타 구마가이
요시아키 사사키
히로히토 기쿠시마
하야토 이토미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실(6)에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대(54)와, 상기 각 지지대(54)에 마련되어 상기 피처리체(W)의 이면과 접하여 상기 피처리체(W)를 지지하는 복수의 지지 핀(56)과, 상기 지지대(54)에, 해당 지지대(54)의 하단에 위치하는 지지대(54)에 지지된 상기 피처리체(W)를 상기 다운플로우에 의해 냉각하기 위해서 마련된 도풍판(58)을 구비한 것을 특징으로 하는 쿨링 기구(10)가 제공된다.

Description

쿨링 기구 및 처리 시스템{COOLING MECHANISM AND PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 냉각하는 쿨링 기구 및 이것을 이용한 처리 시스템으로 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는, 반도체 웨이퍼에 대하여 성막 처리, 산화 확산 처리, 개질 처리, 에칭 처리, 어닐링 처리 등의 각종의 처리가 반복 실행된다. 그리고, 상기 각종의 처리를 효율적으로 실행하기 위해서, 예를 들어 특허문헌 1 등에 개시되어 있는 것과 같은, 소위 클러스터 툴(cluster tool)형의 처리 시스템이 알려져 있다. 이러한 처리 시스템에서는, 진공 분위기인 공통 반송실에 대하여 복수의 매엽식의 처리실을 연결하고, 이 공통 반송실을 거쳐서 반도체 웨이퍼를 각 처리실을 향해서 반송하면서 순차 필요한 처리를 실행하도록 되어 있다.
이러한 경우, 상기 공통 반송실에는, 진공 분위기 상태와 대기압 분위기 상태를 선택적으로 실현할 수 있는 1개 또는 복수개의 소용량의 로드록 장치가 연결되어 있다. 그리고, 진공 분위기의 상기 공통 반송실과 대략 대기압의 외부 사이에서 반도체 웨이퍼를 반입, 반출시키기 위해서, 상기 로드록 장치 내를 진공 분위기 상태, 또는 대기압 분위기 상태로 선택적으로 설정하는 것에 의해, 상기 공통 반송실 내의 진공 분위기를 파괴하는 일없이, 반도체 웨이퍼의 반입 및 반출 조작을 실행하도록 되어 있다. 여기에서, 상기 로드록 장치에는, 상기 처리실에 있어서의 각종의 열처리에 의해 고온 상태가 되는 반도체 웨이퍼를 안전한 온도, 예를 들어 100℃ 정도까지 냉각하기 위한 냉각 기구, 예를 들어 냉각 플레이트 등을 갖고 있고, 반도체 웨이퍼를 100℃ 이하로 냉각한 후에 외부로 취출하도록 되어 있다.
또한 그 밖에는, 상기 반도체 웨이퍼를 냉각하는 수법으로서는, 대기압 분위기의 반송실에 형성한 다운플로우(downflow)를 이용하여 냉각하거나(특허문헌 2 등), 대기압 분위기의 반송실에 냉각 스테이션을 마련하거나 하는 것도 제안되어 있다(특허문헌 3 등). 더욱이, 반도체 웨이퍼의 냉각 기구로서는, 냉각 배관을 배치한 콜드 플레이트(cold plate)를 마련한 제안(특허문헌 4)이나 쿨링 플레이트의 중앙부에 볼록형상의 흡착부를 마련하여 웨이퍼의 특히 중앙부를 효율적으로 냉각하도록 한 제안(특허문헌 5)도 되어 있다.
일본 공개 특허 제 2007-027378 호 공보 일본 공개 특허 제 2006-253683 호 공보 일본 공표 특허 제 2005-518655 호 공보 일본 공개 특허 제 2002-057092 호 공보 일본 공개 특허 제 1999-330212 호 공보
그런데, 최근에 있어서는, 처리 시스템의 간략화를 위해 반도체 웨이퍼를 진공 분위기 중이 아니라, 대기압 분위기 중에서 처리하는 처리실만을 집합시킨 처리 시스템이 제안되어 있다. 한편, 본 명세서 중에서 「대기압 분위기」란 정확하게 대기의 압력을 가리키는 것이 아니라, 감압된 진공 분위기에 대립하는 용어이며, 실제로는 대기압에 대하여 ±0.01Torr정도의 압력 범위를 「대기압 분위기」라고 칭한다. 이러한 대기압 분위기 중에서 처리되는 처리로서는, 예를 들어 어닐링 처리, 산화 확산 처리, 개질 처리 등이 대응한다.
상술한 바와 같은 대기압 분위기에서 열처리할 경우에는, 진공 분위기 상태와 대기압 분위기 상태를 선택적으로 실현하는 상기 로드록 장치는 불필요하게 되어, 처리실을 대기압 분위기의 반송실에 직접 연결하는 것이 가능해진다. 이 경우, 웨이퍼를 핸들링 온도까지 냉각하기 위해서 상기 로드록 장치에 마련되어 있던 냉각 기구를 별도 독립시켜서 마련할 필요가 있지만, 상술한 특허문헌 2 내지 4에 개시하는 바와 같은 냉각 기구는 복잡한 구성이며, 보다 간단한 구조의 냉각 기구가 요구되고 있다.
일 측면에 따르면, 대기 반송실 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각하는 것이 가능한 쿨링 기구 및 이것을 이용한 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
하나의 태양에서는,
다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대와,
상기 각 지지대에 마련되어 상기 피처리체의 이면과 접하여 상기 피처리체를 지지하는 복수의 지지 핀과,
상기 지지대에, 상기 지지대의 하단에 위치하는 지지대에 지지된 상기 피처리체를 상기 다운플로우에 의해 냉각하기 위해서 마련된 도풍판(導風板)을 구비한 것을 특징으로 하는 쿨링 기구가 제공된다.
다른 태양에서는,
대기 반송실에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대와, 상기 각 지지대에 마련되어 상기 피처리체의 이면과 접하여 상기 피처리체를 지지하는 복수의 지지 핀과, 상기 피처리체의 중앙부를 냉각하기 위한 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 쿨링 기구가 제공된다.
다른 태양에서는,
다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대와, 상기 각 지지대에 마련되어 상기 피처리체의 이면과 접하여 상기 피처리체를 지지하는 복수의 지지 핀과, 상기 지지대에 지지된 상기 피처리체의 측부로부터 냉각 기체를 방출하여 상기 피처리체의 면을 따라 상기 냉각 기체를 흘리는 측부 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 쿨링 기구가 제공된다.
다른 태양에서는,
대기압 분위기의 대기 반송실과, 상기 대기 반송실에 연결되어 대기압 분위기에서 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실행하는 복수의 처리실과, 상기 피처리체를 냉각하기 위한 상기 태양에 기재된 쿨링 기구와, 상기 처리실과 상기 쿨링 기구 사이에서 상기 피처리체를 반송하는 반송 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 시스템이 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구 및 처리 시스템에 따르면, 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련된, 복수 단에 걸쳐서 마련한 지지대에 설치한 도풍판에 의해 다운플로우를 피처리체를 향해서 안내하도록 했으므로, 대기 반송실 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구를 갖는 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 대기 반송실을 도시하는 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반송 기구의 저온용 픽을 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반송 기구의 고온용 픽을 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 1 실시예를 도시하는 확대 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 일례를 도시하는 확대 측면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 2 실시예를 도시하는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 2 실시예의 동작 설명도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 3 실시예의 일부를 도시하는 도면이다.
도 9b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 4 실시예의 일부를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 5 실시예의 일부를 도시하는 부분 단면도이다.
도 11은 제 5 실시예의 측부 냉각 수단과 반도체 웨이퍼의 위치 관계를 도시하는 확대 종단면도이다.
도 12는 도 11의 측부 냉각 수단의 기체 출구부를 도시하는 부분 확대 평면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제 5 실시예의 평가 결과를 도시하는 도면이다.
이하에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구와 처리 시스템의 각 실시예를 첨부 도면에 근거하여 상술한다.
<처리 시스템>
우선, 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구를 갖는 처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구를 갖는 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략 구성도, 도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 대기 반송실을 도시하는 종단면도, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반송 기구의 저온용 픽(pick)을 도시하는 평면도(부분 확대 측면도를 병기), 도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반송 기구의 고온용 픽을 도시하는 평면도(검출 센서 부분의 측면도를 병기), 도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 1 실시예를 도시하는 확대 평면도, 도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 일례를 도시하는 확대 측면도이다.
우선, 도 1에 도시하는 바와 같이, 이 처리 시스템(2)은, 복수, 예를 들어 3개의 대기압 분위기에서 열처리를 실행하는 제 1 내지 제 3 대기 처리실(4A, 4B, 4C)과, 직사각형의 대기압 분위기의 대기 반송실(6)과, 피처리체를 반송하기 위한 반송 기구(8)와, 피처리체를 냉각하는 쿨링 기구(10)를 주로 갖고 있다.
상기 3개의 대기 처리실(4A 내지 4C) 내에는, 피처리체의 일례인 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(12A, 12B, 12C)가 각각 마련되어 있고, 각 대기 처리실(4A 내지 4C) 내에서, 대기압 분위기의 처리를 실행하도록 되어 있다. 이러한 처리에는, 상온 정도에서 실행하는 처리나 고온에서 실행하는 열처리도 포함되고, 예를 들어 필요한 가스를 공급하면서 어닐링 처리, 산화 확산 처리, 개질 처리 등을 실행하도록 되어 있다. 이러한 처리에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 온도는 처리 태양에도 의하지만, 예를 들어 상온(실온) 내지 600℃ 정도에 달하게 된다.
상기 대기 반송실(6)은 직사각형의 상자형상으로 되어 있고, 장변(長邊)의 한쪽 측벽에는, 3개의 개구(12)가 형성되는 동시에, 이 개구(12)에 상기 3개의 대기 처리실(4A 내지 4C)이 각각 개폐 가능하게 이루어진 게이트 밸브(G)를 거쳐서 횡배열로 접합되어 있다. 이것에 의해, 이 개구(12)를 거쳐서 대기 반송실(6)과 각 대기 처리실(4A 내지 4C) 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입이 가능하도록 되어 있다.
또한, 상기 대기 반송실(6)의 장변의 다른쪽 측벽에는, 복수, 여기에서는 3개의 반출입구(14)가 형성되는 동시에, 이 반출입구(14)에 각각 개폐 가능하게 이루어진 개폐 도어(16)가 슬라이딩 가능하게 마련되어 있다. 그리고, 이 각 반출입구(16)에 대응시켜서 도입 포트(18)가 각각 마련되고, 이 도입 포트(18)에 각각 1개씩 카세트 용기(20)를 탑재할 수 있도록 되어 있다. 각 카세트 용기(20)에는, 복수매, 예를 들면 25매의 반도체 웨이퍼(W)를 등피치로 다단으로 탑재하여 수용할 수 있도록 되어 있다. 이 반도체 웨이퍼(W)의 직경은 예를 들어 300㎜이다.
이 카세트 용기(20) 내부는 예를 들어 밀폐 상태로 되어 있고, 내부에는 청정 공기나 N2 가스 등의 불활성 가스로 이루어진 청정 기체의 분위기로 채워져 있다. 상기 카세트 용기(20)는 이것을 개폐하는 덮개가 마련되어 있고, 상기 개폐 도어(16)에는 카세트 용기(20)의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구(도시하지 않음)가 장착되어 있다.
이 대기 반송실(6)의 천장부에는, HEPA 필터 등으로 이루어진 필터(24)나 송풍 팬(26)(도 2 참조)이 마련되어 있고, 이 대기 반송실(6) 내의 전역에 천장으로부터 하측 방향으로 강하하는 청정 기체의 다운플로우(28)를 형성할 수 있도록 되어 있다. 이러한 대기 반송실(6)의 바닥부에는, 다수의 배기구(30)가 형성되어 있고, 각 배기구(30)로부터 상기 다운플로우(28)를 배출할 수 있도록 되어 있다. 이러한 다운플로우(28)는 그 일부 또는 전부가 순환 사용된다. 다운플로우(28)의 청정 기체로서는, 청정 공기나 N2 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
도 1로 돌아가서, 대기 반송실(6) 내의 단변(短邊)의 한쪽 단부에는, 반도체 웨이퍼의 위치맞춤을 실행하는 오리엔터(orienter)(22)가 마련된다. 상기 오리엔터(22)는, 구동 모터에 의해 회전되는 회전대(22A)를 갖고 있고, 그 위에 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 상태로 회전하도록 되어 있다. 이러한 회전대(22A)의 외주에는, 반도체 웨이퍼(W)의 주연부를 검출하기 위한 도시하지 않은 광학 센서가 마련되고, 이것에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 위치결정 절결부, 예를 들면 노치나 오리엔테이션 플랫(orientation flat)의 위치 방향이나 반도체 웨이퍼(W)의 중심의 위치 어긋남을 검출할 수 있도록 되어 있다.
또한, 이 대기 반송실(6) 내의 단변의 다른쪽 단부에는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 상기 쿨링 기구(10)가 마련되어 있다. 이러한 쿨링 기구(10)의 상세에 대해서는 후술한다. 그리고, 이 대기 반송실(6) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 상기 반송 기구(8)가 마련되어 있다. 이러한 반송 기구(8)는, 여기에서는 개별 독립하여 조작할 수 있는 2개의 픽을 갖고 있고, 반송 기구(8)의 전체는 굴신 및 선회 가능하게 되어 있다.
구체적으로는, 이 반송 기구(8)는 제 1 아암(30) 및 제 2 아암(32)을 순차 직렬적으로 서로 선회 가능하게 연결하여 마련되어 있고, 이 제 2 아암(32)의 선단부에, 2개의 픽(30D, 32D)을 동축형상으로 개별적으로 선회 가능하게 마련하고 있다. 또한, 제 1 아암(30)의 기단부는 2축 기구의 회전축(34)(도 2 참조)에 장착 고정되어 있다.
그리고, 이 회전축(34)을 정역 방향으로 회전시키는 것에 의해, 이 반송 기구(8)의 방향 설정과 굴신(전진 후퇴)과 각 픽(30D, 32D)의 개별 선회를 실행하도록 되어 있다. 또한, 이 회전축(34)은 상하 방향(Z축 방향)으로 승강할 수 있도록 되어 있고, 반송 기구(8)의 전체의 높이 레벨을 변화시킬 수 있도록 되어 있다. 이러한 반송 기구(8)에 의해, 상기 도입 포트(18), 오리엔터(22), 각 대기 처리실(4A 내지 4C) 및 쿨링 기구(10)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 2개의 픽(30D, 32D) 중, 한쪽 픽(30D)은 저온의 웨이퍼(W)를 반송하는 저온용 픽(도 3 참조)이 되고, 다른쪽 픽(32D)은 주로 고온의 웨이퍼(W)를 반송하는 고온용 픽(도 4 참조)이 된다. 구체적으로는, 도 3에 도시하는 상기 저온용 픽(30D)은, 예를 들어 알루미늄 합금판에 의해 두 가랑이형상으로 형성되고, 그 상면의 선단측에 2개의 가로로 긴 보지 돌기(38)를 마련하고, 기단측에 2개의 가로로 긴 보지 돌기(40)를 마련하고 있다. 그리고, 이 각 보지 돌기(38, 40) 상에 웨이퍼(W)의 주변부의 이면을 접촉시켜서 보지하도록 되어 있다. 상기 선단측의 보지 돌기(38)는 도 3의 그 부분 확대 측면도에 도시하는 바와 같이, 경사진 테이퍼면(38A)과, 상방으로 돌출한 돌출부(38B)를 갖고 있다.
그리고, 이 저온용 픽(30D)의 기단부측에는, 전진 및 후퇴가 가능하게 이루어져서 선단이 두 가랑이형상으로 분리된 푸셔 아암(pusher arm)(42)이 마련되어 있고, 이 푸셔 아암(42)의 선단에는 웨이퍼(W)의 외주 단부면과 접하는 댐퍼(damper)(44)가 장착되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)를 상기 보지 돌기(38, 40) 상에 보지한 상태로 상기 푸셔 아암(42)에 의해 웨이퍼(W)를 선단측으로 가압하여 보지 돌기(38)의 돌출부(38B)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 협지(挾持)하는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 저온용 픽(30D)으로부터 탈락하는 일없이 반송할 수 있도록 되어 있다.
여기서 상기 보지 돌기(38, 40) 및 댐퍼(44)는, 합성 수지, 예를 들어 폴리벤조이미다졸(polybenzoimidazole)로 이루어지고, 이 합성 수지의 내열 온도는 설계 온도로 예를 들면 300℃ 정도로 설정되어 있다. 이 경우, 사용시의 상한 온도는 110℃ 정도이다. 이 푸셔 아암(42)의 기단부에는, 푸셔 아암(42)의 전진 및 후퇴를 검출하는 도시하지 않는 센서부가 마련되어 있다. 한편, 상기 저온용 픽(30D)의 재료로서 세라믹재, 예를 들어 알루미나 등을 이용하도록 해도 좋다.
또한, 도 4에 도시하는 고온용 픽(32D)은, 예를 들어 고온 내열성 재료로 이루어지는 판재에 의해 두 가랑이형상으로 형성되고, 그 상면측의 선단에 2개, 기단에 1개로 하는 것과 같이 대략 삼각형상의 정점에 배치된 고온 내열성 재료로 이루어지는 3개의 보지 돌기(46)가 마련되어 있고, 이러한 보지 돌기(46) 상에 웨이퍼(W)의 주변부의 이면을 접촉시켜서 보지하도록 되어 있다.
상기 고온용 픽(32D) 및 보지 돌기(46)를 형성하는 고온 내열성 재료로서는, 세라믹재, 예를 들어 알루미나를 이용할 수 있다. 이러한 반송 기구로서 예를 들어 일본 공개 특허 제 2011-205044 호 공보에 개시되는 바와 같은 반송 아암을 이용할 수 있다. 한편, 상기 보지 돌기(46)의 배치 위치는 상기한 위치에 한정되지 않는다. 그리고, 상기 고온용 픽(32D)의 기단부에는, 이 고온용 픽(32D) 상의 웨이퍼(W)의 유무를 검출하기 위한 검출 센서(48)가 마련되어 있다. 이 검출 센서(48)는 웨이퍼측을 향해서 비스듬하게 거의 수평 방향으로 연장하는 센서 장착 아암(50)을 갖고 있고, 이 센서 장착 아암(50)의 양단부에, 발광 소자(48A)와 수광 소자(48B)를 각각 마련하고 있다.
이 경우, 도 4 중의 검출 센서 부분의 측면도에 도시하는 바와 같이, 발광 소자(48A)와 수광 소자(48B)는 웨이퍼(W)의 수평 레벨의 상하로 걸치도록 배치되어 있고, 상기 발광 소자(48A)의 광축(52)은 웨이퍼(W)의 평면을 통과하는 동시에 웨이퍼(W)의 평면 방향에 대하여 약간 경사지도록 설정되어 있다. 이러한 광축(52)을 웨이퍼(W)의 주변부가 차단하는지 여부를 검출하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 유무를 검지할 수 있도록 되어 있다. 이렇게 검출 센서(48)의 전체의 높이를 제한하는 이유는, 이 고온용 픽(32D)이 대기 처리실(4A 내지 4C)이나 쿨링 기구(10)에 대하여 액세스할 때에 다른 부재와 간섭하는 것을 방지하기 위해서이다.
<쿨링 기구의 제 1 실시예의 설명>
다음에 쿨링 기구(10)에 대해서 설명한다. 도 5 및 도 6에도 도시하는 바와 같이, 이 쿨링 기구(10)는, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대(54)와, 이 지지대(54)에 마련되어 웨이퍼(W)의 이면과 접하여 웨이퍼(W)를 지지하는 복수의 지지 핀(56)과, 상기 지지대(54)에 마련되어, 하단에 위치하는 지지대(54)에 지지된 웨이퍼(W)를 상기 다운플로우에 의해 냉각하기 위한 도풍판(58)에 의해, 주로 구성되어 있다.
구체적으로는, 상기 지지대(54)는, 여기에서는 4개 마련되어 있고, 그 상단으로부터 하단을 향해서 제 1 내지 제 4 지지대(54A, 54B, 54C, 54D)로 되어 있다. 각 지지대(54)는, 예를 들어 알루미늄 합금에 의해 판형상으로 성형되어 있다. 상기 각 지지대(54)의 기단부는 대기 반송실(6)을 구획하는 벽면(6A)측에 장착 고정되어 있다. 이러한 지지대(54) 상호간의 거리(L1)(도 6 참조)는 예를 들어 40㎜ 정도로 설정되어 있다. 또한, 지지대(54)의 폭(W1)(도 5 참조)은 선단의 두 가랑이형상의 픽(30D, 32D)의 개방 폭보다도 작게 되어 있어, 픽(30D, 32D)이 지지대(54)에 액세스할 때에 두 가랑이형상의 픽(30D, 32D)의 내측에 지지대(54)가 침입할 수 있도록 되어 있다.
그리고, 각 지지대(54)의 선단측에는, 냉각 수단으로서 열전도성이 양호한 금속 재료로 이루어지는 열교환 촉진 볼록부(62)가 마련되어 있고, 이 상면측에 상기 지지 핀(56)이 마련되어 있다. 이러한 열전도성이 양호한 금속 재료로서는 예를 들어 알루미늄 합금(알루미늄을 포함함)을 이용할 수 있다. 상기 지지 핀(56)은 1개의 열교환 촉진 볼록부(62)에 대하여 3개 마련되고, 정삼각형상으로 배치되어 있다. 이러한 지지 핀(56)은, 예를 들어 선단에 자유롭게 전동(轉動)하는 석영 구가 마련된, 소위 볼펜(ball-pen)과 같은 구조로 되어 있어, 웨이퍼(W)의 이면에 스크래치(scratch)가 형성되는 것을 방지하도록 되어 있다. 이 경우, 상기 웨이퍼(W)의 이면과 열교환 촉진 볼록부(62)의 표면 사이의 거리(L2)(도 6 참조)는 예를 들어 0.3㎜ 정도이다.
상기 열교환 촉진 볼록부(62)는, 예를 들어 직경이 100㎜ 정도, 높이가 10㎜ 정도의 원판형상으로 성형되어 있어, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터의 열교환을 촉진시켜서 효율적으로 냉각하도록 되어 있다. 한편, 상기 열교환 촉진 볼록부(62)를 마련하지 않고, 지지대(54) 상에 직접적으로 지지 핀(56)을 마련하도록 해도 좋다.
그리고, 최하단의 제 4 지지대(54D)를 제외하고, 이것보다 상방의 제 1 내지 제 3 지지대(54A 내지 54C)에는, 상기 도풍판(58)이 마련되어 있다. 이러한 도풍판(58)은, 상방으로부터 하방을 향해서 제 1 도풍판(58A), 제 2 도풍판(58B) 및 제 3 도풍판(58C)으로 되어 있다. 각 도풍판(58A, 58B, 58C)은, 각각 대응하는 제 1 내지 제 3 지지대(54A 내지 54C)로부터 연장되는 3쌍의 지지 아암(60A, 60B, 60C)의 선단에 장착되어 있다. 상기 각 도풍판(58A 내지 58C)은 웨이퍼(W)의 평면보다 대부분이 외측에 위치하도록 배치되어 있고, 웨이퍼(W)의 거의 외주 단부의 접선 방향을 따라 마련되어 있다. 이러한 각 도풍판(58A 내지 58C)의 외측 단부의 윤곽은 거의 원호형상으로 되어 있다.
게다가, 각 도풍판(58A 내지 58C)은, 웨이퍼(W)의 면내 방향으로 다운플로우(28)를 많이 인도하여 받아들이기 위해서, 하단(바로 아래)에 위치하는 웨이퍼(W)의 중심 방향을 향해서 경사진 상태로 장착되어 있어, 하단에 위치하는 웨이퍼(W)의 표면을 향해서 많은 다운플로우를 공급하여 냉각할 수 있도록 되어 있다. 이러한 도풍판(58)의 경사 각도(θ)는 예를 들어 10 내지 20도 정도의 범위 내이다. 이러한 경우, 각 도풍판(58)은, 이 쿨링 기구(10)에 액세스하는 양쪽 픽(30D, 32D)과 간섭하지 않도록 하는 높이 위치에 설정되어 있다.
여기서 상기 각 도풍판(58)은, 상하 방향으로 중첩하지 않도록 상하 방향으로부터 보아서 수평 방향으로 설치 위치를 상이하게 하여 마련되어 있다. 예를 들면, 도 5에 있어서 제 1 도풍판(58A)은 지지대(54)의 좌측에 배치하고(도면 중에서는 하방), 제 2 도풍판(58B)은 지지대(54)의 선단측에 배치하고, 제 3 도풍판(58C)은 지지대(54)의 우측에 배치(도면 중에서는 상방)하고 있고, 각 도풍판(58A 내지 58C)에 대하여 다운플로우(28)가 각각 직접 접촉하도록 되어 있다.
그리고, 최상단의 지지대인 제 1 지지대(54A)와 최하단의 지지대인 제 4 지지대(54D) 사이에 위치하는 제 2 및 제 3 지지대(54B, 54C)에 지지되는 각 웨이퍼(W)는, 그 상하에 위치하는 뜨거운 웨이퍼 사이에 위치되어 있게 되므로, 다운플로우에 의해 가장 냉각되기 어려운 상태가 된다. 그래서, 여기에서는 최하단의 지지대인 제 4 지지대(54D)의 바로 위에 위치하는 제 3 지지대(54C)에 지지되는 웨이퍼(W)를 냉각하는 제 2 도풍판(58B)은, 대기 반송실(6) 내에서는, 이것을 구획하는 벽면측보다도 떨어진 중앙부측에서 보다 많은 다운플로우(28)가 형성되어 있으므로, 이러한 많은 다운플로우(28)를 인도하기 위해서, 제 2 도풍판(58B)을 지지대(54)의 선단측에 배치하고 있다.
이것에 의해, 4단에 지지된 웨이퍼(W) 내에서 가장 냉각이 되기 어려운 지지대의 하나인 제 3 지지대(54C)에 지지된 웨이퍼(W)의 냉각을 촉진시키도록 되어 있다. 한편, 많은 다운플로우를 인도하는 제 2 도풍판(58B)을 제 1 지지대(54A)에 마련하여, 이 바로 아래의 제 2 지지대(54B)에 지지된 웨이퍼(W)의 냉각을 촉진시키도록 해도 좋다.
상기의 결과, 각 도풍판(58A 내지 58C)은, 평면적으로 보아서 웨이퍼중심에 대하여 각각 90도씩 상이하게 하여 배치된 상태로 되어 있고, 각 도풍판(58A 내지 58C)의 길이는 예를 들어 50㎜ 정도, 폭은 200㎜ 정도이다. 이러한 도풍판(58)의 재료로서는, 예를 들면 스테인리스강 등이 이용되고, 또한 지지 아암(60A 내지 60C)의 재료로서는, 예를 들면 스테인리스강 등이 이용되게 된다.
여기서 상기 지지대(54)의 설치 대수는 4대에 한정되지 않고, 2대 이상이면 몇 대라도 좋다. 예를 들면 설치 대수를 n(2 이상의 양의 정수)이라고 하면, 도풍판(58)의 설치 대수는 최하단의 지지대를 제외한 「n-1」대가 된다.
도 1로 돌아가서, 이 처리 시스템(2)은 시스템 전체의 동작을 제어하기 위해서, 예를 들면 컴퓨터 등으로 이루어지는 시스템 제어부(70)를 갖고 있다. 그리고, 이 처리 시스템 전체의 동작 제어에 필요한 프로그램은 플렉서블 디스크(flexible disk)나 CD(Compact Disc)나 하드디스크나 플래시 메모리(flash memory) 등의 기억 매체(72)에 기억되어 있다. 구체적으로는, 이 시스템 제어부(70)로부터의 지령에 의해, 각 가스의 공급의 개시, 정지나 유량 제어, 프로세스 온도(반도체 웨이퍼 온도) 및 프로세스 압력(처리실 내의 압력)의 제어, 각 게이트 밸브(G)의 개폐, 반송 기구(8)의 제어에 의한 반도체 웨이퍼의 반송 작업 등이 실행된다.
<처리 시스템 및 쿨링 기구의 동작의 설명>
이와 같이 구성된 처리 시스템(2) 및 쿨링 기구(10)에 있어서의 동작에 대해서 설명한다. 우선, 도입 포트(18)에 설치된 카세트 용기(20)의 덮개는, 개폐 도어(16)를 개방할 때에 분리되고, 이 카세트 용기(22)로부터는, 미처리의 예를 들어 실리콘 기판으로 이루어지는 반도체 웨이퍼(W)가 반송 기구(8)의 저온용 픽(30D)을 이용하여 대기 반송실(6) 내로 받아들여진다. 저온용 픽(30D) 상에 웨이퍼(W)를 보지할 때에는, 웨이퍼(W)는 푸셔 아암(42)(도 3 참조)에 의해 픽 선단측으로 가압되어 보지 돌기(38)와의 사이에서 협지되고, 반송시에 있어서의 웨이퍼(W)의 탈락이 방지된다. 이러한 받아들인 반도체 웨이퍼(W)는 대기 반송실(6)의 일단부에 마련한 오리엔터(22)로 반송되어, 여기에서 위치결정이 된다.
위치결정이 된 반도체 웨이퍼(W)는 상기 저온용 픽(30D)에 의해 들어올려지고, 제 1 내지 제 3 대기 처리실(4A 내지 4C) 중 어느 1개의 대기 처리실 내로 반입된다. 이 대기 처리실 내에서는, 게이트 밸브(G)를 폐쇄하여 대기 처리실 내를 밀폐한 후에, 대기압 분위기하에서 소정의 열처리, 예를 들어 어닐링 처리나 개질 처리 등이 실행된다. 처리후의 웨이퍼(W)는 고온 상태, 예를 들어 열처리의 종류에도 의하지만, 최대 600℃ 정도로 되어 있어, 이 고온 상태의 웨이퍼(W)는 반송 기구(8)의 고온용 픽(32D)을 이용하여 들어올려진다.
그리고, 이 고온 상태의 웨이퍼(W)는, 연속해서 열처리를 더 실행할 필요가 있을 경우에는, 다른 대기 처리실 내로 반송된다. 여기서 고온용 픽(32D) 상에 웨이퍼(W)를 보지했을 때에는, 예를 들어 웨이퍼(W)가 열에 의해 휘어짐 등의 변형이 발생해도, 광축(52)이 약간 비스듬하게 설정되어 있는 검출 센서(48)(도 4 참조)에 의해 웨이퍼(W)의 유무를 확실하게 검출할 수 있다.
또한, 이 처리 시스템(2)에서의 열처리가 완료했을 경우에는, 상기 고온 상태의 웨이퍼(W)는 고온용 픽(32D)을 이용하여 들어올려지고, 대기 반송실(6) 내의 타단부에 마련한 쿨링 기구(10)에 액세스되고, 이 쿨링 기구(10)의 4대인 제 1 내지 제 4 지지대(54A 내지 54D) 중 빈 상태의 지지대(54)에 고온 상태의 웨이퍼(W)는 이재(移載)된다.
이러한 지지대(54) 상에 보지된 고온 상태의 웨이퍼(W)는, 이 상태로 대기 반송실(6) 내에 형성되어 있는 청정 기체의 다운플로우(28)(도 2 참조)에 의해 저온용 픽(30D)으로 핸들링할 수 있는 온도, 예를 들면 100℃ 이하까지 냉각된다.
그리고, 이렇게 냉각된 웨이퍼(W)는, 다음에 반송 기구(8)의 저온용 픽(30D)을 이용하여 들어올려져 보지되고, 도입 포트(18)에 탑재되어 있는 처리완료의 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트 용기(20) 내로 반입되게 된다. 여기서 지지대(54)와 픽(30D, 32D) 사이에서 웨이퍼(W)를 이재하기 위해서는, 픽(30D, 32D)을 지지대(54) 사이에 침입시킨 상태에서, 픽(30D, 32D)을 상하 방향으로 약간 승강시키면 좋고, 이것에 의해 웨이퍼(W)의 이재가 실행된다. 한편, 상기 저온용 픽(30D)을 이용한 반송은, 이것 대신에 고온용 픽(32D)을 이용할 수 있는 것은 물론이다.
여기서 상기 쿨링 기구(10)에 있어서의 웨이퍼(W)의 냉각 태양에 대해서 상세하게 설명한다. 대기 반송실(6) 내에는, 상술한 바와 같이 청정 기체의 다운플로우(28)(도 2 참조)가 형성되어 있고, 도 6에 도시하는 바와 같이 각 지지대(54)에 지지되어 있는 고온 상태의 각 웨이퍼(W)는 상기 다운플로우(28)에 의해 냉각되게 된다. 이 경우, 최상단인 제 1 지지대(54A)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)에는, 그 상방에 장해물이 전혀 위치하여 있지 않으므로, 웨이퍼(W)의 상면의 전면에 다운플로우(28)가 직접 접촉하게 되어, 이 웨이퍼(W)를 효율적으로 냉각할 수 있다.
이것에 대하여, 상기 제 1 지지대(54A)를 제외한 제 2 내지 제 4 지지대(54B 내지 54D)에 지지되어 있는 각 웨이퍼(W)는, 그 상방에 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 장해물이 되어서 다운플로우(28)를 가로막게 되므로, 다운플로우(28)가 웨이퍼(W)에 직접적으로 접촉하는 일이 거의 없게 되어, 이러한 제 2 내지 제 4 지지대(54B 내지 54D)에 지지되어 있는 각 웨이퍼(W)의 냉각이 저해되는 원인이 된다.
그렇지만, 본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 최하단의 지지대(54D)를 제외한 제 1 내지 제 3 지지대(54A 내지 54C)에는, 제 1 내지 제 3 도풍판[58(58A 내지 58C)]이 마련되어 있으므로, 상기 다운플로우(28)를 웨이퍼(W)의 표면에 받아들이므로, 웨이퍼(W)를 효율적으로 냉각할 수 있다. 즉, 상기 도풍판(58)은, 웨이퍼(W)의 외주 단부의 외측의 영역에 있어서, 웨이퍼의 외측으로부터 웨이퍼의 중심측을 향해서 비스듬하게 아래로 경사지게 마련되어 있으므로, 상방에서 형성된 다운플로우(28)가 이 도풍판(58)에 접촉하면, 도 6 중의 화살표(74)로 나타내는 바와 같이 이 다운플로우(28)의 방향이 변하여 비스듬하게 하방의 웨이퍼 중심측을 향해서 안내되어 흐르게 되고, 이 결과, 상기 도풍판(58)의 하단에 위치하는 웨이퍼(W), 즉 하단의 지지대(54)에 지지되는 웨이퍼(W)의 상면에 접촉하게 되어서 이 웨이퍼(W)를 효율적으로 냉각하게 된다.
즉, 제 1 지지대(54A)에 마련한 제 1 도풍판(58A)에 의해 안내된 다운플로우(28)는 그 바로 아래의 제 2 지지대(54B)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 냉각하고, 제 2 지지대(54B)에 마련한 제 2 도풍판(58B)에 의해 안내된 다운플로우(28)는 그 바로 아래의 제 3 지지대(54C)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 냉각하고, 제 3 지지대(54C)에 마련한 제 3 도풍판(58C)에 의해 안내된 다운플로우(28)는 그 바로 아래의 제 4 지지대(54D)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 냉각하게 된다.
이 경우, 상기 각 도풍판(58A 내지 58C)은, 상하 방향에서 보아서 중첩하여 있지 않고 다른 위치에 설치되어 있으므로, 각 도풍판(58A 내지 58C)에는 충분한 양의 다운플로우(28)가 접촉하게 된다. 이렇게, 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실(6)에 마련된 피처리체(W)의 쿨링 기구에 있어서, 복수 단에 걸쳐서 마련한 지지대(54)에 설치한 도풍판(58)에 의해 다운플로우를 웨이퍼(W)를 향해서 안내하도록 했으므로, 대기 반송실(6) 내에서 웨이퍼(W)를 효율적으로 냉각할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 효율적으로 냉각할 수 있는 결과, 처리 속도가 향상되어 생산성을 향상시키는 것이 가능해진다.
더욱이, 이 실시예에서는, 각 지지대(54)에는, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대응시켜서 열전도성이 양호한 재료로 이루어지는 열교환 촉진 볼록부(62)를 마련하고 있으므로, 이러한 열교환 촉진 볼록부(62)의 상면과 웨이퍼(W)의 중앙부의 이면이 매우 접근한 상태가 되어 양자의 거리(L2)(도 6 참조)가 0.3㎜ 정도로 된다. 이 결과, 이 부분에서의 열교환이 촉진되어 웨이퍼(W)의 중앙부를 적극적으로 냉각할 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼(W)의 주변부는 냉각되기 쉬운 것에 대해서, 웨이퍼(W)의 중앙부는 주변부와 비교해서 냉각되기 어려우므로, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부를 적극적으로 냉각하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부의 온도차를 작게 유지한 채 웨이퍼 전체를 냉각할 수 있다.
따라서, 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부 사이에서 온도차가 클 경우에는, 휘어짐 등의 웨이퍼(W)의 변형을 발생하는 원인이 되지만, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부의 온도차를 작게 유지한 채 웨이퍼 전체를 냉각할 수 있는 결과, 웨이퍼(W)에 휘어짐 등의 변형이 발생하는 것도 방지할 수 있다.
<쿨링 기구의 제 2 실시예의 설명>
다음에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 2 실시예에 대해서 도 7 및 도 8도 참조하여 설명한다. 도 7은 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 2 실시예를 도시하는 측면도, 도 8은 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 2 실시예의 동작 설명도이다. 한편, 도 5 및 도 6에 도시하는 구성 부분과 동일 구성 부분에 대해서는 동일 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.
도 5 및 도 6에 도시하는 이전의 제 1 실시예에 있어서는, 지지대(54)의 기단부를 직접적으로 벽면(6A)측에 장착하고, 또한 도풍판(58)을 이용했지만, 이 제 2 실시예에서는 도풍판(58)을 이용하지 않고, 게다가 지지대(54) 자체의 크기를, 웨이퍼(W) 전체를 커버할 수 있도록 크게 설정하고 있다.
구체적으로는, 상기 지지대(54)의 크기를 웨이퍼(W)의 크기와, 거의 동일한 크기, 또는 그 이상의 크기의 원판형상으로 하여 웨이퍼(W)의 전면을 커버할 수 있도록 하고, 이 지지대(54)를 벽면(6A)측에 장착 부재(80)에 의해 장착 고정하고 있다. 여기에서도 지지대(54)는 상하 방향으로 복수개, 여기에서는 4단에 걸쳐서 마련하고 있고, 위로부터 아래를 향해서 제 1 지지대(54A), 제 2 지지대(54B), 제 3 지지대(54C), 제 4 지지대(54D)로 하고 있다. 이러한 지지대(54)의 재료로서는, 열전도성이 양호한 금속 재료를 이용한다.
그리고, 이 원판형상의 지지대(54)의 주변부에 등간격으로 3개의 지지 핀(56)(도 7에서는 2개만 기재함)을 정삼각형상으로 마련하고 있고, 이 지지 핀(56)의 선단을 웨이퍼(W)의 이면에 접촉시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 지지하도록 되어 있다. 이러한 제 2 실시예의 지지 핀(56)은 도 6에 도시하는 지지 핀(56)보다 길게 설정되어 있다. 그리고, 이 원판형상의 지지대(54)의 중앙부에, 냉각 수단(82)으로서 도 6에 있어서 설명한 것과 같은 열전도성이 양호한 금속 재료로 이루어지는 열교환 촉진 볼록부(62)가 마련되어 있다. 상기 열교환 촉진 볼록부(62) 및 이전의 지지대(54)를 구성하는 열전도성이 양호한 금속 재료로서는, 예를 들어 알루미늄 합금(알루미늄을 포함함)을 이용할 수 있다. 이 경우, 상기 웨이퍼(W)의 이면과 열교환 촉진 볼록부(62)의 표면 사이의 거리(L3)는 도 6에 도시하는 경우와 마찬가지로, 예를 들어 0.3㎜ 정도이다.
도 6에 도시하는 경우와 마찬가지로, 상기 열교환 촉진 볼록부(62)는, 예를 들어 직경이 100㎜ 정도, 높이가 10㎜ 정도의 원판형상으로 성형되어 있어, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터의 열교환을 촉진시켜서 효율적으로 냉각하도록 되어 있다. 이러한 열교환 촉진 볼록부(62)의 상면은 평면형상으로 이루어져서 웨이퍼(W)의 이면에 접근하여 중앙 냉각면(94)으로 되어 있다. 그리고, 상기 지지대(54)에는, 웨이퍼(W)를 이재할 때에 이용하는 리프터 기구(84)가 마련되어 있다. 이러한 리프터 기구(84)는 승강 가능하게 이루어진 승강 로드(86)의 선단에, 수평 방향으로 연장되는 핀 지지 아암(88)을 장착하고, 이 핀 지지 아암(88)에 3개의 리프트 핀(90)(도시 예에서는 2개만 기재함)을 장착하여 구성되어 있다.
상기 핀 지지 아암(88)은 일부를 절결한 링형상으로 성형되어 있고, 이러한 링형상의 핀 지지 아암(88)에 3개의 리프트 핀(90)을 정삼각형상으로 배치하여 고정되어 있다. 그리고, 상기 핀 지지 아암(88)에 대응시켜서 상기 지지대(54)에는 핀 관통 삽입 구멍(92)이 형성되어 있고, 이 핀 관통 삽입 구멍(92)에 상기 리프트 핀(90)을 관통 삽입시키고 있다. 그리고, 도 8에 도시하는 바와 같이, 이 리프트 핀(90)을 핀 관통 삽입 구멍(92)으로부터 출몰시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 즉, 픽(30D, 32D)에 보지한 웨이퍼(W)를 지지대(54)에 이재하기 위해서는, 리프트 핀(90)을 하방으로 강하시킨 상태로 웨이퍼(W)를 지지한 지지대(54) 상에 침입시키고, 이러한 상태에서 리프트 핀(90)을 상승시키는 것에 의해 웨이퍼(W)가 지지 핀(56)에 주고받아진다(도 8의 단계 A).
그리고, 이러한 상태에서 도 8의 단계 B에 도시하는 바와 같이 리프트 핀(90)을 강하시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)는 지지 핀(56) 상에 주고받아지게 된다. 그리고, 지지 핀(56) 상의 웨이퍼(W)를 픽(30D, 32D)에 주고받기 위해서는, 상기와는 반대의 조작을 실행한다. 즉, 도 8의 단계 C에 도시하는 바와 같이 리프트 핀(90)을 상승시키는 것에 의해 웨이퍼(W)를 들어올리고, 이러한 상태에서 빈 상태의 픽(30D, 32D)을 웨이퍼(W)의 하방으로 침입시키고, 리프트 핀(90)을 강하시키는 것에 의해 웨이퍼(W)는 픽(30D, 32D)에 주고받아지게 된다.
본 실시예의 경우에는, 각 웨이퍼(W)는 다운플로우(28)(도 2 참조)에 의해 웨이퍼(W)가 냉각되는 동시에, 지지대(54)가 열전도성이 양호한 재료에 의해 구성되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 온도가 지지대(54)에 방열되어 냉각된다. 이때, 이전의 도 6에 도시하는 실시예와 마찬가지로, 이러한 제 2 실시예의 경우에도, 각 지지대(54)에는, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대응시켜서 열전도성이 양호한 재료로 이루어지는 열교환 촉진 볼록부(62)를 마련하고 있으므로, 이러한 열교환 촉진 볼록부(62)의 상면과 웨이퍼(W)의 중앙부의 이면이 매우 접근한 상태가 되어 양자의 거리(L3)(도 7 참조)가 0.3㎜ 정도로 된다.
이 결과, 이 부분에서의 열교환이 촉진되어 웨이퍼(W)의 중앙부를 적극적으로 냉각할 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼(W)의 주변부는 냉각되기 쉬운 것에 대해, 웨이퍼(W)의 중앙부는 주변부와 비교하여 냉각되기 어려우므로, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부를 적극적으로 냉각하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부의 온도차를 작게 유지한 채 웨이퍼 전체를 냉각할 수 있다.
따라서, 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부 사이에서 온도차가 클 경우에는 휘어짐 등의 웨이퍼(W)의 변형을 발생하는 원인이 되지만, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부의 온도차를 작게 유지한 채 웨이퍼 전체를 냉각할 수 있는 결과, 웨이퍼(W)에 휘어짐 등의 변형이 발생하는 것도 방지할 수 있다.
이상과 같이, 이러한 제 2 실시예에 따르면, 대기 반송실(6)에 마련된 피처리체(W)의 쿨링 기구에 있어서, 복수 단에 걸쳐서 마련한 지지대(54)의 각각에 피처리체의 중앙부를 냉각하기 위한 냉각 수단(82)을 마련하도록 했으므로, 대기 반송실(6) 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각할 수 있고, 게다가 주변부와 비교하여 냉각이 늦어지는 경향이 있는 피처리체의 중앙부를 효율적으로 냉각할 수 있어, 피처리체에 휘어짐 등의 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 이러한 제 2 실시예에 있어서, 도 6에 도시하는 제 1 실시예에서 이용한 도풍판(58)을 장착하여 이용하도록 해도 좋다.
<쿨링 기구의 제 3 및 제 4 실시예의 설명>
다음에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 3 실시예 및 제 4 실시예에 대해서 설명한다. 도 9a는 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 3 실시예의 일부를 도시하는 도면이다. 도 9b는 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 4 실시예의 일부를 도시하는 도면이다. 한편, 도 6 내지 도 8에 도시하는 구성 부분과 동일 구성 부분에 대해서는 동일 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.
여기서는 기재를 간략화하여 지지대(54)를 각각 1대밖에 기재하지 않고 있지만, 복수대, 예를 들면 4대 마련되어 있는 것은, 이전의 실시예와 마찬가지이다. 도 7에 도시하는 냉각 수단(82)인 열교환 촉진 볼록부(62)는 지지대(54)에 대하여 단차부 형상으로 성형되어 있지만, 이것에 한정하지 않고, 양자를 일체로 성형하고, 게다가, 주변부로부터 중앙부를 향해서 두께가 증가하도록 하는 경사면으로 해도 좋다. 이러한 제 3 실시예는 도 9a에 도시되어 있다.
즉, 도 9a에 도시하는 바와 같이, 여기에서는 원판형상의 지지대(54)와 냉각 수단(82)인 열교환 촉진 볼록부(62)가 일체화되어 성형되어 있고, 게다가, 지지대(54) 자체가 주변부로부터 중앙부로 감에 따라서 점차 그 두께가 커져서 두께가 증대하여 수평 냉각면(94)에 이르기까지의 면이 경사면(96)으로 되어 있다. 즉, 지지대(54) 전체가 원추 사다리꼴형상으로 되어 있다. 이러한 경우에도, 이전에 도 7 및 도 8을 이용하여 설명한 제 3 실시예와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 도 9b에 도시하는 제 4 실시예의 경우에는, 도 7 및 도 8에 도시하는 제 2 실시예의 냉각 수단(82)인 열교환 촉진 볼록부(62) 대신에, 냉각 수단(82)으로서 지지대(54)의 상방에, 냉각 기체를 내뿜는 냉각 기체 사출부(98)를 마련하고 있다. 구체적으로는, 이러한 냉각 기체 사출부(98)는 상기 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 대응시켜서 마련되어 있고, 이 냉각 기체 사출부(98)에 마련한 분사 노즐(98A)로부터 웨이퍼(W)의 상면의 중앙부를 향해서 냉각 기체를 분사하여, 이 중앙부를 특별히 냉각하도록 되어 있다. 이러한 냉각 기체로서는, 예를 들어 질소 가스를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
이러한 경우에도, 웨이퍼(W)의 중앙부를 냉각 기체에 의해 효율적으로 냉각할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주변부와 중앙부 사이의 온도차를 억제하여 작게 할 수 있어, 이전의 제 2 및 제 3 실시예와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
<쿨링 기구의 제 5 실시예의 설명>
다음에, 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 5 실시예에 대해서 도 10 내지 도 12도 참조하여 설명한다. 도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 쿨링 기구의 제 5 실시예의 일부를 도시하는 부분 단면도, 도 11은 제 5 실시예의 측부 냉각 수단과 반도체 웨이퍼의 위치 관계를 도시하는 확대 종단면도(지지대의 기재는 생략), 도 12는 도 11의 측부 냉각 수단의 기체 출구부를 도시하는 부분 확대 평면도이다. 한편, 도 1 내지 도 9에 도시하는 구성 부분과 동일 구성 부분에 대해서는 동일 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.
도 5에 도시하는 제 1 실시예에 있어서는, 지지대(54)에 도풍판(58)을 마련했지만, 이것 대신에(또는 병용해도 좋음), 이러한 제 5 실시예에 있어서는, 측부 냉각 수단(100)을 마련하고 있다. 이러한 측부 냉각 수단(100)은 반송 기구(8)의 동작과 간섭하지 않는 위치에 마련되어 있다. 이 측부 냉각 수단(100)은 상기 지지대(54)에 지지된 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)의 측부로부터 냉각 기체(102)를 방출하여 웨이퍼(W)의 면을 따라 냉각 기체(102)를 흘리도록 되어 있다.
구체적으로는, 이 측부 냉각 수단(100)은, 상기 냉각 기체(102)를 흘리기 위한 냉각 기체 통로(104)와, 이 냉각 기체 통로(104)의 출구측에 마련되어 상기 웨이퍼(W)의 측방에 위치된 기체 출구부(106)를 갖고 있다. 여기에서는, 상기 냉각 기체 통로(104)는, 예를 들어 단면이 사각형상으로 되어 내부가 중공의 통로 덕트(108)에 의해 형성되어 있다. 이 통로 덕트(108)는, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성되어 있고, 상기 지지대(54)의 측부에 있어서, 높이 방향, 즉 상하 방향으로 연장되도록 기립시켜서 마련되어 있다.
그리고, 이 통로 덕트(108)는 지지 아암(110)에 의해 대기 반송실(6)의 측벽(6A)에 장착 고정되어 있다. 이러한 통로 덕트(108)의 평면의 종횡의 치수는, 예를 들어 300㎜×300㎜ 정도로 설정되고, 그 상하 방향의 길이는, 예를 들어 300㎜ 정도로 설정되어 있다.
상기 통로 덕트(108)의 상단은 천장으로부터 강하하여 오는 다운플로우(28)를 받아들이는 취입구(112)로서 형성되어 있고, 여기에서는 이 다운플로우(28)를 상기 냉각 기체(102)로서 이용하고 있다. 이러한 경우, 상기 취입구(112)의 주변부의 구획벽을 상방을 향해서 점차로 퍼지는 형상으로 확대하도록 경사지게 형성하고, 취입구(112)의 면적을 확대하도록 하여 다량의 다운플로우(28)를 받아들이도록 해도 좋다.
상기 기체 출구부(106)는 통로 덕트(108)의 하단부의 측벽에 개구를 형성하는 것에 의해 마련되어 있다. 구체적으로는, 이러한 기체 출구부(106)는 웨이퍼(W)에 대응시켜서 횡방향(수평 방향)으로 연장하도록 형성된 복수, 도시 예에서는 4개의 기체 방출구(114)를 갖고 있다. 그리고, 상기 각 기체 방출구(114)를 구획하도록 냉각 기체 통로(104) 내부를 따라 연장되는 복수의 안내 칸막이판(116)이 마련되어 있다. 이러한 기체 방출구(114)는 상단으로부터 하단을 향해서 제 1 내지 제 4 기체 방출구(114A, 114B, 114C, 114D)로 되어 있다.
이러한 경우, 최상단의 제 1 기체 방출구(114A)를 제외하고, 다른 제 2 내지 제 4의 각 기체 방출구(114B 내지 114D)의 높이 위치는 제 1 내지 제 4의 각 지지대(54A 내지 54D)에 의해 상하 방향으로 4단에 걸쳐서 지지된 각 웨이퍼(W) 사이에 위치하도록 설정되어 있다. 즉, 제 2 내지 제 4 기체 방출구(114B 내지 114D)는 최상단의 웨이퍼를 제외한 다른 3매의 웨이퍼에 대응시켜서 마련한 상태로 되어 있다.
이것에 의해, 제 2 내지 제 4의 각 기체 방출구(114B 내지 114D)로부터 수평 방향으로 방출된 냉각 기체(102)가 중력에 의해 약간 하측 방향으로 구부러져 화살표(115)(도 11 참조)로 나타내는 바와 같이 경사 하방을 향해서 흘렀을 때에 웨이퍼(W)의 표면 상을 따라 효과적으로 흐르도록 하고 있다.
이러한 경우, 최상단의 제 1 지지대(54A)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 상면에는, 천장부로부터 강하하여 오는 다운플로우(28)가 직접적으로 접촉하여 효율적으로 냉각되므로, 측부 냉각 수단(100)으로부터의 냉각 기체는 특별히 필요로 하지 않는다. 이 때문에, 상기 제 1 기체 방출구(114A)는, 제 2 기체 방출구(114B)와 마찬가지로, 최상단의 제 1 지지대(54A)와 제 2 지지대(54B)에 지지되는 웨이퍼(W) 사이의 수평 레벨에 위치하도록 설정되어 있다. 이러한 제 1 기체 방출구(114A)의 기능은 후술하는 바와 같이 통로 덕트(108) 내에서 냉각 기체의 난류가 생기는 것을 방지하는 것이다.
상기 각 기체 방출구(114A 내지 114D)를 구획하는 안내 칸막이판(116)으로서는, 제 1, 제 2 및 제 3의 3개의 안내 칸막이판(116A, 116B, 116C)이 마련되어 있다. 따라서, 통로 덕트(108) 내부는 종방향으로 4개로 분할되어 구획되어 있다. 상기 제 1 내지 제 3의 각 안내 칸막이판(116A 내지 116C)은 대략 단면 L자형상으로 성형되어 있고, 그 모서리부는 곡선형상으로 되어 하측 방향으로 흘러 오는 다운플로우의 방향을 원활하게 수평 방향을 향해서 흐르도록 하고 있다. 따라서, 제 1 내지 제 3의 각 안내 칸막이판(116A 내지 116C)은 수직 방향(상하 방향)으로 연장되는 수직 부분과 원호형상으로 이루어진 곡면 부분과 수평 방향으로 연장되는 수평 부분에 의해 형성되게 된다.
제 1 안내 칸막이판(116A)의 하부 선단은 제 1과 제 2의 기체 방출구(114A, 114B) 사이의 통로 덕트(108)의 측벽에 접속되고, 제 2 안내 칸막이판(116B)의 하부 선단은 제 2와 제 3의 기체 방출구(114B, 114C) 사이의 통로 덕트(108)의 측벽에 접속되고, 제 3 안내 칸막이판(116C)의 하부 선단은 제 3과 제 4의 기체 방출구(114C, 114D) 사이의 통로 덕트(108)의 측벽에 접속되어 있다.
또한, 통로 덕트(108)의 기체 출구부(106)와는 반대측의 하단부의 구획벽의 모서리부(118)도 단면 원호형상으로 성형되어 있어, 다운플로우의 방향을 원활하게 90도 변경할 수 있도록 되어 있다. 여기에서, 제 1 내지 제 3의 각 안내 칸막이판(116A 내지 116C) 및 통로 덕트(108)의 표면측, 배면측의 구획벽의 상호간의 거리(L5)는 70 내지 80㎜ 정도의 범위 내이다. 또한, 제 1 안내 칸막이판(116A)과 통로 덕트(108)의 표면측의 구획벽 사이의 영역(120)에는, 받아들인 다운플로우가 체류하는 경향이 있으므로, 이것을 방지하기 위해서 상술한 바와 같이 제 1 기체 방출구(114A)를 형성하여 냉각 기체를 방출하도록 하고 있다.
또한 상기 각 기체 방출구(114A 내지 114D)의 폭(L6)(도 12 참조)은 웨이퍼(W)의 반경으로부터 직경의 범위 내로 설정하는 것이 좋고, 예를 들어 직경이 300㎜의 웨이퍼인 경우에는, 폭(L6)을 150 내지 300㎜의 범위 내로 설정하여, 웨이퍼를 효율적으로 냉각할 수 있도록 한다. 또한, 제 1 내지 제 4의 각 기체 방출구(114A 내지 114D)로부터 방출되는 냉각 기체의 유속이 거의 동일해지도록 각 기체 방출구(114A 내지 114D)의 개구 면적이 설정되어 있다.
그 때문에, 각 기체 방출구(114A 내지 114D)의 높이(L7)(도 12 참조)는, 예를 들어 15 내지 25㎜의 범위 내로 설정하고, 여기로부터 방출되는 냉각 기체의 유속이 0.3 내지 1.5m/sec의 범위 내로 되도록 한다. 이때의 천장부로부터 강하하는 다운플로우(28)의 유속은, 예를 들어 0.2 내지 0.4m/sec 정도의 범위 내이다.
또한, 난류의 발생을 방지하는 상기 제 1 기체 방출구(114A)의 높이(L7)는 다른 제 2 내지 제 4 기체 방출구(114B 내지 114D)의 높이(L7)보다 짧게 설정해도 좋다. 또한, 각 기체 방출구(114A 내지 114D)의 부분에, 각 개구 면적을 조정할 수 있는 조정판을 마련하도록 해도 좋다.
이상과 같이 형성된 제 5 실시예의 경우에는, 제 1 지지대(54A)(도 6 참조)에 의해 최상단에 지지된 웨이퍼는 다운플로우(28)가 그 상면 전체에 직접 접촉하게 되므로, 이전의 각 실시예와 마찬가지로 효율적으로 냉각되게 된다.
이에 대하여, 위로부터 제 2 단째 이하의 지지대(54B 내지 54D)에 지지된 각 웨이퍼(W)는, 이것에는 상방으로부터의 다운플로우(28)가 직접적으로는 접촉하지 않지만, 이 측부에 마련된 측부 냉각 수단(100)으로부터 방출되는 냉각 기체에 의해 효율적으로 냉각되게 된다. 즉, 천장부로부터의 다운플로우(28)의 일부는, 측부 냉각 수단(100)의 통로 덕트(108)의 상단에 마련한 취입구(112)로부터 통로 덕트(108) 내로 받아들이게 된다. 이러한 받아들인 다운플로우(28)는, 각 안내 칸막이판(116A 내지 116C) 및 통로 덕트(108)의 구획벽에 안내되어 흘러가서, 그 방향을 하측 방향으로부터 수평 방향으로 원활하게 구부러져 간다.
그리고, 흐름 방향이 수평 방향으로 구부러진 다운플로우는, 냉각 기체(102)로 되어 기체 출구부(106)의 제 1 내지 제 4의 각 기체 방출구(114A 내지 114D)로부터 수평 방향을 향해서 방출되어 간다. 방출된 냉각 기체(102)는, 최상단에 지지된 웨이퍼 이외의 제 2 내지 제 4단째에 지지된 각 웨이퍼(W)의 표면과 접촉하여 이 표면을 따라 웨이퍼(W)를 냉각하면서 수평 방향으로 흘러가게 된다. 이러한 경우, 일부의 냉각 기체(102)는 제 1 내지 제 3 단째에 지지된 웨이퍼(W)의 하면(이면)과도 접촉하여 냉각하게 된다.
이것에 의해, 웨이퍼(W)를 소정의 온도까지 효율적으로 또한 신속하게 냉각하는 것이 가능해진다. 예를 들면, 웨이퍼 이재시에 반송 기구(8)의 픽(30D)이 접촉하는 웨이퍼의 온도를 픽(30D)의 내열 온도, 예를 들어 80℃ 이하까지 신속하게 냉각할 수 있다.
<제 5 실시예의 평가 결과>
다음에, 상기 제 5 실시예에 대해서 실험을 실행했으므로, 그 때의 평가 결과에 대해서 설명한다. 여기에서는 처리실로부터의 반출시의 온도가 600℃의 4매의 웨이퍼의 냉각의 속도를 측정하고 있다. 비교예로서, 지지대밖에 마련하지 않은 종래예(도 5에 있어서 도풍판을 마련하지 않은 구조)에 대해서도 동일한 실험을 실행했다. 그 때의 결과를 도 13에 나타낸다. 도 13은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제 5 실시예의 평가 결과를 나타내는 도면이다. 이러한 실험에서는, 4매의 웨이퍼를 쿨링 기구에 지지시키고나서 웨이퍼 에지가 78℃까지 냉각되는 시간, 지지시키고나서 147초후의 웨이퍼 센터 및 웨이퍼 에지의 각 온도를 측정했다.
도 13에 따르면, 에지 온도가 78℃까지 냉각되는 시간은, 종래예의 경우는 최상단의 웨이퍼를 제외하고 177 내지 186초를 필요로 하고 있다. 이에 대하여, 이러한 제 5 실시예의 경우에는 상기보다 짧은 시간인 107 내지 140초를 필요로 하고 있는 것뿐이며, 효율적으로 냉각할 수 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 최상단에 지지된 웨이퍼의 냉각 속도도 빨라지지만, 그 이유는 이 웨이퍼의 이면(하면)에 접촉한 냉각 기체가 기여한 것으로 고려된다. 또한, 웨이퍼를 쿨링 기구에 지지시키고나서 147초후의 웨이퍼 센터의 온도에 대해서는, 종래예의 경우는 최상단의 웨이퍼를 제외하고 81.5 내지 102.5℃의 범위 내이다. 이에 대하여, 이러한 제 5 실시예의 경우에는 54 내지 84℃의 범위 내이며, 효율적으로 웨이퍼를 냉각할 수 있다는 것을 알 수 있다.
더욱이, 웨이퍼를 쿨링 기구에 지지시키고나서 147초후의 웨이퍼 에지의 온도에 대해서는, 종래예의 경우는 최상단의 웨이퍼를 제외하고 92 내지 104℃의 범위 내이다. 이에 대하여, 이러한 제 5 실시예의 경우에는 55 내지 74℃의 범위 내이며, 효율적으로 웨이퍼를 냉각할 수 있다는 것을 알 수 있다. 특히, 픽(30D)과 접촉하게 되는 웨이퍼 에지에 관해서는, 픽(30D)의 내열 온도인 예를 들어 80℃보다 낮게 되어 있다는 것을 알 수 있다.
상기 제 5 실시예에 있어서는, 난류 방지를 위해 제 1 기체 방출구(114A)를 마련했지만, 이것을 마련하지 않아도 좋다. 또한, 각 기체 방출구(114A 내지 114D)의 수평 레벨이 웨이퍼(W) 사이에 위치하도록 설정했지만, 이것에 한정되지 않고, 제 1 기체 방출구(114A)를 제외한 다른 기체 방출구(114B 내지 114D)의 수평 레벨과 최상단의 웨이퍼를 제외한 다른 각 웨이퍼의 수평 레벨과 동일해지도록 설정해도 좋다. 더욱이, 통로 덕트(108) 내에 안내 칸막이판(116A 내지 116C)을 마련했지만, 이것을 마련하지 않아도 좋다.
또한, 이러한 제 5 실시예에서는, 냉각 기체로서 다운플로우를 이용했지만, 이것에 한정되지 않고, 냉각 기체 통로(104)인 통로 덕트(108)에, N2 가스원이나 He 등의 희가스원을 접속하여 N2나 He 등의 불활성 가스를 냉각 기체로서 이용하도록 해도 좋다. 또한, 상기 제 5 실시예의 측부 냉각 수단(100)을 이전의 제 1 내지 제 4 실시예에 조합시켜서 마련하도록 해도 좋다.
이상에 설명한 바와 같이, 상기 실시예에 따르면, 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련된 피처리체의 쿨링 기구에 있어서, 복수 단에 걸쳐서 마련한 지지대에 설치한 도풍판에 의해 다운플로우를 피처리체를 향해서 안내하도록 했으므로, 대기 반송실 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 따르면, 대기 반송실에 마련된 피처리체의 쿨링 기구에 있어서, 복수 단에 걸쳐서 마련한 지지대의 각각에 피처리체의 중앙부를 냉각하기 위한 냉각 수단을 마련하도록 했으므로, 대기 반송실 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각할 수 있다. 더욱이, 주변부와 비교해서 냉각이 늦어지는 경향이 있는 피처리체의 중앙부를 효율적으로 냉각할 수 있어, 피처리체에 휘어짐 등의 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 따르면, 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련된 피처리체의 쿨링 기구에 있어서, 측부 냉각 수단에 의해 피처리체의 측부로부터 냉각 기체를 방출하여 피처리체의 면을 따라 냉각 기체를 흘리도록 했으므로, 대기 반송실 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 따르면, 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련된 피처리체의 쿨링 기구에 있어서, 측부 냉각 수단에 의해 피처리체의 측부로부터 냉각 기체를 방출하여 피처리체의 면을 따라 냉각 기체를 흘리도록 했으므로, 대기 반송실 내에서 피처리체를 효율적으로 냉각할 수 있다.
이상, 쿨링 기구 및 처리 시스템을 실시예에 의해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범위 내에서 각종의 변형 및 개량이 가능하다. 또한, 상기 복수의 실시예는 모순되지 않는 범위에서 조합시킬 수 있다.
예를 들면, 이상의 각 실시예에 있어서 각 지지대(54)에 냉매를 흘리는 냉각 파이프를 마련하여 웨이퍼를 강제적으로 냉각하도록 해도 좋다. 또한, 여기에서는 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어서 설명했지만, 이 반도체 웨이퍼에는 실리콘 기판이나 GaAs, SiC, GaN 등의 화합물 반도체 기판도 포함되고, 더욱이 이들 기판에 한정되지 않고, 액정 표시 장치에 이용하는 유리 기판이나 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 도풍판은, 복수의 지지대 중 최하단 이외의 적어도 어느 하나의 지지대에 마련되어 있으면 좋다. 단, 도풍판은 복수의 지지대 중 최하단 이외의 모든 지지대에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 각 실시예에서 설명한 웨이퍼(W)는 피처리체의 일례이며, 피처리체는 이것에 한정되지 않고, 기판이어도 좋다.
이하에, 본 발명의 쿨링 기구에 대해서 정리한다.
1. 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대와, 상기 각 지지대에 마련되어 상기 피처리체의 이면과 접하여 상기 피처리체를 지지하는 복수의 지지 핀과, 상기 지지대에, 상기 지지대의 하단에 위치하는 지지대에 지지된 상기 피처리체를 상기 다운플로우에 의해 냉각하기 위해서 마련된 도풍판을 구비한 것을 특징으로 하는 쿨링 기구가 제공된다.
2. 상기 도풍판은 상기 피처리체의 면내 방향으로 상기 다운플로우를 인도하기 위해서 경사진 상태로 상기 지지대에 지지 아암을 거쳐서 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 1에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
3. 상기 도풍판은 상하 방향으로 중첩하지 않도록 상하 방향에서 보아서 수평 방향으로 설치 위치를 상이하게 하여 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 2에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
4. 상기 지지대에는, 상기 피처리체의 중앙부에 대응시켜서 냉각 수단으로서 열전도성이 양호한 금속 재료로 이루어지는 열교환 촉진 볼록부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 1에 기재의 쿨링 기구이어도 좋다.
5. 상기 지지 핀은 상기 열교환 촉진 볼록부의 상면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 4에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
6. 대기 반송실에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대와, 상기 각 지지대에 마련되어 상기 피처리체의 이면과 접하여 상기 피처리체를 지지하는 복수의 지지 핀과, 상기 피처리체의 중앙부를 냉각하기 위한 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 쿨링 기구가 제공된다.
7. 상기 냉각 수단은 상기 피처리체의 중앙부에 대응시켜서 냉각 기체를 내뿜는 냉각 기체 사출부를 갖는 것을 특징으로 하는 상기 6에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
8. 상기 냉각 수단은 상면이 평면형상으로 되어 상기 피처리체의 이면에 접근된 중앙 냉각면을 갖는 것을 특징으로 하는 상기 6에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
9. 상기 냉각 수단은, 상기 피처리체의 중앙부에 대응시켜서 배치되어, 상면이 상기 중앙 냉각면으로서 형성되어 있는 열전도성이 양호한 금속 재료로 이루어지는 열교환 촉진 볼록부를 갖는 것을 특징으로 하는 상기 8에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
10. 상기 냉각 수단은, 상기 지지대 자체가 주변부로부터 중앙부로 감에 따라서 점차 두꺼워져서 경사면으로 되는 동시에, 중앙이 상기 중앙 냉각면이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 8에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
11. 상기 대기 반송실에는 다운플로우가 형성되어 있고, 상기 지지대에는, 상기 지지대의 하단에 위치하는 지지대에 지지된 상기 피처리체를 상기 다운플로우에 의해 냉각하기 위한 도풍판이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 6에 기재된 쿨링 기구이어도 좋다.
본 국제 출원은, 2012년 5월 16일에 출원된 일본 특허 출원 제 2012-112087 호에 근거하는 우선권 및 2012년 12월 14일에 출원된 일본 특허 출원 제 2012-273363 호에 근거하는 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 본 국제 출원에 인용한다.
2 : 처리 시스템 4A, 4B, 4C : 대기 처리실
6 : 대기 반송실 8 : 반송 기구
10 : 쿨링 기구 28 : 다운플로우
30 : 제 1 아암 32 : 제 2 아암
30D : 저온용 픽 32D : 고온용 픽
48 : 검출 센서 48A : 발광 소자
48B : 수광 소자 52 : 광축
54(54A, 54B, 54C) : 지지대 56 : 지지 핀
58(58A, 58B, 58C) : 도풍판 60A, 60B, 60C : 지지 아암
62 : 열교환 촉진 볼록부 82 : 냉각 수단
94 : 중앙 냉각면 96 : 경사면
98 : 냉각 기체 사출부 100 : 측부 냉각 수단
102 : 냉각 기체 104 : 냉각 기체 통로
106 : 기체 출구 108 : 통로 덕트
112 : 취입구 114, 114A 내지 114D : 기체 방출구
116, 116A 내지 116C : 안내 칸막이판
W : 반도체 웨이퍼

Claims (14)

  1. 다운플로우가 형성되어 있는 대기 반송실에 마련되고, 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 마련된 복수의 지지대와,
    상기 각 지지대에 마련되어 상기 피처리체의 이면과 접하여 상기 피처리체를 지지하는 복수의 지지 핀과,
    상기 지지대에 지지된 상기 피처리체의 측부로부터 냉각 기체를 방출하여 상기 피처리체의 면을 따라 상기 냉각 기체를 흘리는 측부 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 측부 냉각 수단은,
    상기 냉각 기체를 흘리는 냉각 기체 통로와,
    상기 냉각 기체 통로의 출구측에 마련되어 상기 피처리체의 측방에 위치된 기체 출구부를 갖는 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각 기체 통로는 상하로 연장되어 있는 동시에 상단이 상기 다운플로우를 받아들이는 취입구로서 형성되어 있고, 상기 다운플로우를 상기 냉각 기체로서 이용하는 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기체 출구부는 상기 피처리체에 대응시켜서 횡방향으로 연장되도록 형성된 복수의 기체 방출구를 갖고 있으며, 각 기체 방출구를 구획하도록 상기 냉각 기체 통로 내부를 따라 연장되는 복수의 안내 칸막이판이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 안내 칸막이판은 수직 부분과 곡면 부분과 수평 부분에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 기체 방출구의 개구 면적은 상기 기체 방출구로부터의 상기 냉각 기체의 유속이 동일해지도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 냉각 기체의 유속은 0.3 내지 1.5m/sec의 범위 내인 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 각 기체 방출구의 높이 위치는 상하 방향으로 복수 단에 걸쳐서 지지된 상기 피처리체 사이에 위치하도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 기체 통로는 불활성 가스를 흘리는 통로인 것을 특징으로 하는
    쿨링 기구.
  10. 대기압 분위기의 대기 반송실과,
    상기 대기 반송실에 연결되어 대기압 분위기에서 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실행하는 복수의 처리실과,
    상기 피처리체를 냉각하기 위한 제 1 항에 기재된 쿨링 기구와,
    상기 처리실과 상기 쿨링 기구 사이에서 상기 피처리체를 반송하는 반송 기구를 구비한 것을 특징으로 하는
    처리 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반송 기구는 고온의 상기 피처리체를 보지하는 고온용 픽과, 저온의 상기 피처리체를 보지하는 저온용 픽을 갖는 것을 특징으로 하는
    처리 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 픽에는, 상기 피처리체의 유무를 검출하기 위한 검출 센서가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 검출 센서는 발광 소자와 수광 소자를 갖고, 상기 발광 소자의 광축은 상기 피처리체의 평면을 통과하는 동시에 평면 방향에 대하여 약간 경사지도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 시스템.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 대기 반송실에는, 청정 기체의 다운플로우가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 시스템.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5819357B2 (ja) * 2013-07-09 2015-11-24 川崎重工業株式会社 基板搬送装置および基板搬送ロボット
JP5819356B2 (ja) * 2013-07-09 2015-11-24 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよび基板搬送装置
CN105742205A (zh) * 2014-12-11 2016-07-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 基片处理腔室及半导体加工设备
JP6559976B2 (ja) * 2015-03-03 2019-08-14 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよび基板処理システム
JP6545519B2 (ja) * 2015-04-27 2019-07-17 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよび基板検出方法
US9564350B1 (en) * 2015-09-18 2017-02-07 Globalfoundries Inc. Method and apparatus for storing and transporting semiconductor wafers in a vacuum pod
JP6339057B2 (ja) * 2015-09-29 2018-06-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
JP6830772B2 (ja) * 2016-08-04 2021-02-17 株式会社ジャパンディスプレイ 積層膜の製造装置、及び積層膜の製造方法
JP6670713B2 (ja) * 2016-09-20 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
JP6932017B2 (ja) * 2017-03-27 2021-09-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN112074940A (zh) * 2018-03-20 2020-12-11 东京毅力科创株式会社 结合有集成半导体加工模块的自感知校正异构平台及其使用方法
JP7225613B2 (ja) * 2018-09-03 2023-02-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構、基板処理装置及び基板搬送方法
JP7269713B2 (ja) * 2018-10-09 2023-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板冷却装置及び基板冷却方法
JP2021082654A (ja) * 2019-11-15 2021-05-27 株式会社ディスコ 加工装置
US20230069085A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Process tool and method for handling semiconductor substrate
CN114956529B (zh) * 2022-07-12 2024-04-26 吉林迎新玻璃有限公司 一种用于热弯玻璃加工的高效冷却装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135306A (ja) * 1996-10-24 1998-05-22 Omron Corp 基板検出装置とそれを用いた基板搬送用アーム
JP3803487B2 (ja) 1998-05-08 2006-08-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板冷却装置および基板冷却方法
JP3538330B2 (ja) 1998-09-02 2004-06-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3852253B2 (ja) * 1999-10-21 2006-11-29 富士通株式会社 電子部品の冷却装置及び電子機器
JP2002057092A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 水冷式非接触型コールドプレート
JP2002208624A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP3888608B2 (ja) * 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
CN100435269C (zh) * 2001-07-15 2008-11-19 应用材料有限公司 处理系统
JP2005260065A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd トレー式ロボットハンド
US7467916B2 (en) * 2005-03-08 2008-12-23 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing apparatus equipped with cooling stage and semiconductor-manufacturing method using same
JP4534886B2 (ja) 2005-07-15 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP4887913B2 (ja) * 2006-06-02 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US9254566B2 (en) * 2009-03-13 2016-02-09 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot having end effector and method of operating the same
JPWO2010113941A1 (ja) * 2009-03-30 2012-10-11 東京エレクトロン株式会社 被処理体の冷却方法および被処理体処理装置
JP5454286B2 (ja) 2010-03-26 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5071514B2 (ja) * 2010-04-21 2012-11-14 株式会社安川電機 水平多関節ロボットおよびそれを備えた基板搬送システム
KR20120056705A (ko) * 2010-11-25 2012-06-04 주식회사 대우일렉트로닉스 건조기

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Publication number Publication date
TWI594813B (zh) 2017-08-11
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WO2013172209A1 (ja) 2013-11-21
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CN104303284B (zh) 2016-10-26

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