TW201410340A - 潔淨機構及處理系統 - Google Patents

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Abstract

提供潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台，被設於形成有下降流的大氣搬送室，於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面，用來支撐上述被處理體；及導風板，係設於上述支撐台，為了藉由上述下降流來冷卻被位於該支撐台之下段的支撐台所支撐之上述被處理體而設置。

Description

潔淨機構及處理系統
本發明關於冷卻半導體晶圓等被處理體的潔淨機構及使用其的處理系統。
通常製造半導體裝置時，係對半導體晶圓重複進行成膜處理、氧化擴散處理、改質處理、蝕刻處理、退火處理等各種處理。為了有效進行上述各種處理，例如專利文獻1等所揭示的所謂集束型(Cluster Tool)處理系統為習知者。該處理系統係對設為真空環境的共通搬送室連結複數個葉片式處理室，透過該共通搬送室將半導體晶圓搬送至各處理室搬送之同時依序進行必要的處理。
此情況下，於上述共通搬送室，係連結著可以選擇性實現真空環境狀態與大氣壓環境狀態的1個或複數個小容量的真空隔絕(load lock)裝置。為了在真空環境之上述共通搬送室與大略大氣壓之外部之間進行半導體晶圓之搬入、搬出，係藉由選擇性設定上述真空隔絕裝置內成為真空環境狀態或大氣壓環境狀態，而在不破壞上述共通搬送室內之真空環境下，進行半導體晶圓之搬入及搬出操作。 於上述真空隔絕裝置，為了將經歷上述處理室中之各種熱處理而成為高溫狀態的半導體晶圓，冷卻至安全溫度之例如100℃左右而具有冷卻機構之例如冷卻板等，將半導體晶圓冷卻至100℃以下之後取出至外部。
此外，作為冷卻上述半導體晶圓的手法被提案者，例如有使用形成於大氣壓環境之搬送室的下降流(down flow)來進行冷卻(專利文獻2等)，或於大氣壓環境之搬送室設置冷卻部(專利文獻3等)。另外，作為半導體晶圓之冷卻機構被提案者，有設置配設有冷卻配管的冷卻板(專利文獻4)，或於潔淨板之中央部設置凸狀之吸附部而針對晶圓之特別是中央部進行有效冷卻者(專利文獻5)。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]特開2007-027378號公報
[專利文獻2]特開2006-253683號公報
[專利文獻3]特表2005-518655號公報
[專利文獻4]特開2002-057092號公報
[專利文獻5]特開平11-330212號公報
但是，最近基於處理系統之簡化，而提案將半導體晶圓非在真空環境中，而是僅在大氣壓環境中處理的處理室 予以集合而成的處理系統。又，本說明書中之「大氣壓環境」正確而言並非指大氣之壓力，而是相對於實施減壓的真空環境的用語，實際上係相對於大氣壓而將±0.01Torr左右之壓力範圍稱為「大氣壓環境」。於此種大氣壓環境中進行處理的處理，例如有退火處理、氧化擴散處理、改質處理。
於上述大氣壓環境實施熱處理時，無須選擇性實現真空環境狀態與大氣壓環境狀態的上述真空隔絕裝置，可將處理室直接連結於大氣壓環境之搬送室。此時，為使晶圓冷卻至處理溫度需要將設於上述真空隔絕裝置的冷卻機構獨立另外設置，但是上述專利文獻2~4所示冷卻機構為複雜的構成，因此要求更簡單構造之冷卻機構。
依據一側面，目的在於提供可以在大氣搬送室內有效進行被處理體之冷卻的潔淨機構及使用其的處理系統。
一態樣提供的潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台，被設於形成有下降流的大氣搬送室，於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面而支撐上述被處理體；及導風板，係設於上述支撐台，為了藉由上述下降流來冷卻位於該支撐台之下段而由支撐台所支撐之上述被處理體而設置。
另一態樣提供的潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台，被設於大氣搬送室，於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面而支撐上述被處理體；及冷卻手段，用來冷卻上述被處理體之中央部。
另一態樣提供的潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台，被設於形成有下降流的大氣搬送室，於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面而支撐上述被處理體；及側部冷卻手段，係由支撐於上述支撐台的上述被處理體之側部放出冷卻氣體，並使上述冷卻氣體沿著上述被處理體之面流動。
另一態樣提供的處理系統，其特徵為具備：大氣壓環境之大氣搬送室；複數個處理室，係連結於上述大氣搬送室，於大氣壓環境下對被處理體進行特定之處理；申請專利範圍第1項之潔淨機構，係用來冷卻上述被處理體；及搬送機構，於上述處理室與上述潔淨機構之間進行上述被處理體之搬送。
依據本發明之一實施形態的潔淨機構及處理系統，係藉由設於支撐台的導風板，該支撐台為設於形成有下降流的大氣搬送室、且涵蓋複數段被設置者，將下降流導引朝向被處理體，因此可於大氣搬送室內有效冷卻被處理體。
2‧‧‧處理系統
4A、4B、4C‧‧‧大氣處理室
6‧‧‧大氣搬送室
8‧‧‧搬送機構
10‧‧‧潔淨機構
28‧‧‧下降流
30‧‧‧第1臂部
32‧‧‧第2臂部
30D‧‧‧低溫用夾取器
32D‧‧‧高溫用夾取器
48‧‧‧檢測感測器
48A‧‧‧發光元件
48B‧‧‧受光元件
52‧‧‧光軸
54(54A、54B、54C)‧‧‧支撐台
56‧‧‧支撐銷
58(58A、58B、58C)‧‧‧導風板
60A、60B、60C‧‧‧支撐臂部
62‧‧‧熱交換促進凸部
82‧‧‧冷卻手段
94‧‧‧中央冷卻面
96‧‧‧傾斜面
98‧‧‧冷卻氣體射出部
100‧‧‧側部冷卻手段
102‧‧‧冷卻氣體
104‧‧‧冷卻氣體通路
106‧‧‧氣體出口
108‧‧‧通路導管
112‧‧‧取入口
114，114A~114D‧‧‧氣體放出口
116，116A~116C‧‧‧導引隔間板
W‧‧‧半導體晶圓
[圖1]表示具有本發明之一實施形態的潔淨機構之處理系統之一例的概略構成圖。
[圖2]表示本發明之一實施形態的大氣搬送室的縱斷面圖。
[圖3]表示本發明之一實施形態的搬送機構之低溫用夾取器的平面圖。
[圖4]表示本發明之一實施形態的搬送機構之高溫用夾取器的平面圖。
[圖5]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第1實施例的擴大平面圖。
[圖6]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之一例的擴大側面圖。
[圖7]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第2實施例的側面圖。
[圖8]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第2實施例之動作說明圖。
[圖9A]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第3實施例之一部分的圖。
[圖9B]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第4實施例之一部分的圖。
[圖10]表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第5實施例之一部分的部分斷面圖。
[圖11]表示第5實施例之側部冷卻手段與半導體晶圓 之位置關係的擴大縱斷面圖。
[圖12]表示圖11之側部冷卻手段之氣體出口部的部分擴大平面圖。
[圖13]表示本發明之一實施形態的第5實施例之評估結果圖。
以下依據圖面詳細說明本發明之一實施形態的潔淨機構與處理系統之各實施例。
<處理系統>
首先，說明具有本發明之一實施形態的潔淨機構之處理系統。圖1表示具有本發明之一實施形態的潔淨機構之處理系統之一例的概略構成圖，圖2表示本發明之一實施形態的大氣搬送室的縱斷面圖，圖3表示本發明之一實施形態的搬送機構之低溫用夾取器的平面圖(同時標記部分擴大側面圖)，圖4表示本發明之一實施形態的搬送機構之高溫用夾取器的平面圖(同時標記檢測感測器部分之側面圖)，圖5表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第1實施例的擴大平面圖，圖6表示本發明之一實施形態的潔淨機構之一例的擴大側面圖。
首先，如圖1所示，該處理系統2主要具有：於複數個例如3個大氣壓環境下進行熱處理的第1~第3大氣處理室4A、4B、4C；矩形的大氣壓環境之大氣搬送室6； 搬送被處理體之搬送機構8；及冷卻被處理體的潔淨機構10。
於上述3個大氣處理室4A~4C內分別設置載置台12A、12B、12C，用來載置被處理體之一例的半導體晶圓W，各大氣處理室4A~4C內係成為進行大氣壓環境之處理。該處理包含於常溫左右進行的處理或高溫進行的熱處理，例如供給必要的氣體同時進行退火處理、氧化擴散處理、改質處理等。藉由該處理則半導體晶圓W之溫度雖依存於處理態樣，例如可以達常溫(室溫)~600℃左右。
上述大氣搬送室6係形成為矩形之箱狀，於長邊之一方之側壁形成有3個開口12之同時，於該開口12經由可以分別將上述3個大氣處理室4A~4C設為開關的柵閥G被橫向並列而接合。如此則經由該開口12可於大氣搬送室6與各大氣處理室4A~4C之間進行晶圓W之搬出入。
另外，於上述大氣搬送室6之長邊之另一方之側壁，形成複數個、此處為3個搬出入口14之同時，於該搬出入口14以可滑動地設置分別可以開關的開關門16。對應於該各搬出入口16分別設置導入埠18，於該導入埠18分別可以載置各1個卡匣容器20。於各卡匣容器20可以將複數片例如25片之半導體晶圓W以等間距以多段予以載置、收容。該半導體晶圓W之直徑例如為300mm。
該卡匣容器20內被設為例如密閉狀態，內部充滿清淨空氣或N2氣體等之惰性氣體所構成的清淨氣體之環 境。上述卡匣容器20設有對其實施開關之蓋部，於上述開關門16安裝著對卡匣容器20之蓋部進行開關的蓋部開關機構(未圖示)。
於該大氣搬送室6之天井部設置由HEPA過濾器等構成的過濾器24或送風風扇26(參照圖2)，可於該大氣搬送室6內之全域形成由天井朝下方向降下的清淨氣體之下降流28。於該大氣搬送室6之底部形成多數之排氣口30，可由各排氣口30排出上述下降流28。該下降流28之一部分或全部可被循環使用。下降流28之清淨氣體可使用清淨空氣或N2等之惰性氣體。
回至圖1，於大氣搬送室6內之短邊之一端部，設置進行半導體晶圓之定位的定向器22。上述定向器22具有被驅動馬達旋轉的旋轉台22A，可於其上載置有半導體晶圓W之狀態下旋轉。於該旋轉台22A之外周，設置用來檢測半導體晶圓W之周緣部之未圖示的光學感測器，如此則可以檢測半導體晶圓W之定位缺口，例如溝槽或定向平面之位置方向或半導體晶圓W之中心之位置偏移量。
另外，於該大氣搬送室6內之短邊之另一端，設置本發明之一實施形態的上述潔淨機構10。該潔淨機構10之詳細如後述。於該大氣搬送室6內之中央部，設置搬送晶圓W之上述搬送機構8。該搬送機構8具有可以個別獨立操作的2個夾取器，搬送機構8之全體設為可以伸展及旋動。
具體言之為，該搬送機構8設置成為使第1臂部30及第2臂部32依序串聯可以互相旋動而予以連結，於該第2臂部32之前端部係將2個夾取器30D、32D以同軸狀設為可以個別旋動。另外，第1臂部30之基端部被安裝、固定於2軸機構之旋轉軸34(參照圖2)。
藉由使該旋轉軸34朝正逆方向旋轉，來進行該搬送機構8之定向、伸展(前進後退)與各夾取器30D、32D之個別旋動。另外，該旋轉軸34可於上下方向(Z軸方向)昇降，可以變化搬送機構8全體之高度位準。藉由該搬送機構8可於上述導入埠18、定向器22、各大氣處理室4A~4C及潔淨機構10之間進行晶圓W之搬送。
另外，上述2個夾取器30D、32D之中，一方之夾取器30D為搬送低溫晶圓W的低溫用夾取器(參照圖3)，另一方之夾取器32D主要為搬送高溫晶圓W的高溫用夾取器(參照圖4)。具體言之為，圖3所示上述低溫用夾取器30D，例如係由鋁合金板形成為2股狀，於其上面之前端側設置2個橫長之保持突起38，於基端側設置2個橫長之保持突起40。於該各保持突起38、40上觸接晶圓W之周邊部之背面而予以保持。上述前端側之保持突起38，係如該部分擴大側面圖所示，具有傾斜的推拔面38A，及朝上方突出的突部38B。
於該低溫用夾取器30D之基端部側，設有可以前進及後退，且前端分開為2股狀的推進臂部42，於該推進臂部42之前端安裝著和晶圓W之外周端面相接的減震器 (damper)44。在將晶圓W保持於上述保持突起38、40上的狀態下藉由上述推進臂部42將晶圓W壓向前端側，而於其與保持突起38之突部38B之間挾持晶圓W，則在晶圓W不由低溫用夾取器30D脫落之情況下可以進行搬送。
上述保持突起38、40及減震器44係由合成樹脂之例如聚苯並咪唑構成，該合成樹脂之耐熱溫度被設為設計溫度之例如300℃左右。此時，使用時之上限溫度為110℃左右。於該推進臂部42之基端部，設置用來檢測推進臂部42之前進及後退的未圖示的感測器部。又，上述低溫用夾取器30D之材料可以使用陶瓷材之例如氧化鋁等。
另外，圖4所示高溫用夾取器32D，係藉由例如高溫耐熱性材料構成的板材被形成為2股狀，以在其上面側之前端設置2個，基端設置1個的方式，設置有由配置於大略三角形狀之頂點的高溫耐熱性材料構成的3個保持突起46，使觸接於晶圓W之周邊部之背面並保持於該保持突起46上。
作為形成上述高溫用夾取器32D及保持突起46的高溫耐熱性材料，可使用陶瓷材之例如氧化鋁。此種搬送機構可使用例如特開2011-205044號公報揭示的搬送臂部。又，上述保持突起46之配置位置不限定於上述位置。於上述高溫用夾取器32D之基端部，設有用來檢測該高溫用夾取器32D上之晶圓W之有無的檢測感測器48。該檢測感測器48具有朝晶圓側傾斜而大致朝水平方向延伸的感 測器安裝臂部50，於該感測器安裝臂部50之兩端分別設置發光元件48A與受光元件48B。
此時，如圖4中之檢測感測器部分之側面圖所示，發光元件48A與受光元件48B係跨越晶圓W之水平位準之上下而配置，上述發光元件48A之光軸52係通過晶圓W之平面之同時，僅對晶圓W之平面方向略微傾斜而設定。藉由檢測該光軸52是否被晶圓W之周邊部遮斷則可以檢測出晶圓W之有無。之所以限制該檢測感測器48之全體之高度的理由在於，防止該高溫用夾取器32D對大氣處理室4A~4C或潔淨機構10取用時於其他構件之干涉。
<潔淨機構之第1實施例之說明>
接著，說明潔淨機構10。如圖5及圖6所示，該潔淨機構10主要由以下構成：於上下方向涵蓋複數段而設置的複數個支撐台54；設於該支撐台54，相接於晶圓W之背面，用來支撐晶圓W的複數個支撐銷56；及導風板58，其設於上述支撐台54，藉由上述下降流來冷卻被位於下段的支撐台54所支撐之晶圓W。
具體言之為，上述支撐台54，此處設為4個，係由其上段朝下段而成為第1~第4支撐台54A、54B、54C、54D。各支撐台54係由例如鋁合金成形為板狀。上述各支撐台54之基端部，係安裝、固定於用來區隔大氣搬送室6的壁面6A側。該支撐台54相互間之距離L1(參照圖 6)，係設為例如40mm左右。另外支撐台54之寬度W1(參照圖5)，係設為小於前端之2股狀之夾取器30D、32D之開啟寬度，在夾取器30D、32D取用支撐台54時支撐台54可以進入2股狀之夾取器30D、32D之內側。
於各支撐台54之前端側設置熱交換促進凸部62，該熱交換促進凸部62係作為冷卻手段而由熱傳導性良好的金屬材料構成，於其上面側設置上述支撐銷56。該熱傳導性良好的金屬材料可以使用例如鋁合金(含鋁)。針對1個熱交換促進凸部62設置3個上述支撐銷56，而配置成為正三角形狀。該支撐銷56，可為例如前端設有自由轉動之石英球的所謂圓珠筆之構造，可以防止於晶圓W之背面形成刮痕。此時，上述晶圓W之背面與熱交換促進凸部62之表面之間之距離L2(參照圖6)設為例如0.3mm左右。
上述熱交換促進凸部62，係成形為例如直徑100mm左右，高度10mm左右之圓板狀，可以促進來自晶圓W之中央部之熱交換有效地進行冷卻。又，不設置上述熱交換促進凸部62，而直接於支撐台54上設置支撐銷56亦可。
除了最下段之第4支撐台54D以外，於較其上方之第1~第3支撐台54A~54C設置上述導風板58。該導風板58係由上方至下方而為第1導風板58A、第2導風板58B及第3導風板58C。各導風板58A、58B、58C，係安裝於由分別對應的第1~第3支撐台54A~54C延伸的2個支 撐臂部60A、60B、60C之前端。上述各導風板58A~58C，係以大部分比起晶圓W之平面更位於外側的方式被配置，係沿著晶圓W之大致外周端之切線方向被設置。該各導風板58A~58C之外側端部之輪廓大致構成為圓弧狀。
而且，各導風板58A~58C，為了對晶圓W之面內方向導引、取入更多的下降流28，而是以朝向位於下段(正下方)的晶圓W之中心方向呈傾斜的狀態被安裝，以使更多的下降流供給至位於下段的晶圓W之表面而實施冷卻。該導風板58之傾斜角度θ，例如在10~20度左右之範圍內。此時，各導風板58被設定於取用該潔淨機構10的兩夾取器30D、32D間不產生干涉的高度位置。
此處，上述各導風板58，係以不重疊於上下方向的方式由上下方向看時設置位置朝水平方向錯開而被設置。例如，圖5中第1導風板58A配置於支撐台54之左側(圖中之下方)，第2導風板58B配置於支撐台54之前端側，第3導風板58C配置於支撐台54之右側(圖中之上方)，下降流28分別直接接觸各導風板58A~58C。
位於最上段支撐台的第1支撐台54A與最下段支撐台的第4支撐台54D之間之第2及第3支撐台54B、54C，因為該第2及第3支撐台54B、54C所支撐的各晶圓W，係位於位在其上下位置的熱的晶圓間，而成為最難被下降流冷卻的狀態。在大氣搬送室6內，在遠離的中央部側會比起用來隔間的壁面側形成更多的下降流28，而為了導 入該更多的下降流28，因此，針對最下段支撐台的第4支撐台54D之正上方位置上的第3支撐台54C所支撐的晶圓W進行冷卻的第2導風板58B，係將該第2導風板58B配置於支撐台54之前端側。
如此則，可以針對4段支撐的晶圓W之中最難被冷卻的支撐台之1、亦即第3支撐台54C所支撐的晶圓W之冷卻加以促進。又，將導引更多下降流的第2導風板58B設於第1支撐台54A，而對其正下方之第2支撐台54B所支撐的晶圓W之冷卻加以促進亦可。
上述結果，各導風板58A~58C，於平面上相對於晶圓中心成為分別各差90度被配置的狀態，各導風板58A~58C之長度例如為50mm左右，寬度為200mm左右。該導風板58之材料可使用例如不鏽鋼等，另外支撐臂部60A~60C之材料可使用例如不鏽鋼等。
上述支撐台54之設置台數不限定於4台，只要是2以上即可。例如設置台數設為n(2以上之正整數)，則導風板58之設置台數成為除掉最下段支撐台的「n-1」台。
回至圖1，該處理系統2係為了控制系統全體之動作，而具有例如由電腦等構成的系統控制部70。該處理系統全體之動作控制所必要的程式，係記憶於軟碟或CD(Compact Disc)或硬碟或快閃記憶體等之記憶媒體72。具體言之為，依據來自該系統控制部70之指令，進行各氣體之供給之開始、停止或流量控制，製程溫度(半導體 晶圓溫度)及製程壓力(處理室內之壓力)之控制，各柵閥G之開關，搬送機構8之控制而對半導體晶圓之搬送作業等。
<處理系統及潔淨機構之動作之說明>
說明如此構成的處理系統2及潔淨機構10之動作。首先，設於導入埠18的卡匣容器20之蓋部，係藉由開啟開關門16而被取下，使用搬送機構8之低溫用夾取器30D而由該卡匣容器22，將未處理之例如矽基板構成的半導體晶圓W取入大氣搬送室6內。將晶圓W保持於低溫用夾取器30D上時，晶圓W係藉由推進臂部42(參照圖3)被按壓於夾取器前端側，而被夾持於其與保持突起38之間，以防止搬送時晶圓W之脫落。該被取入的半導體晶圓W係被搬送至設於大氣搬送室6之一端的定向器22，於此進行定位。
定位完成的半導體晶圓W，係藉由上述低溫用夾取器30D取出並搬入第1~第3大氣處理室4A~4C之中之任一大氣處理室內。於該大氣處理室內關閉柵閥G密閉大氣處理室內之後於，大氣壓環境下進行特定之熱處理，例如退火處理或改質處理等。處理後之晶圓W成為高溫狀態，例如雖與熱處理之種類有關，最大為600℃左右，該高溫狀態之晶圓W係使用搬送機構8之高溫用夾取器32D來取出。
之後，該高溫狀態之晶圓W需要更進一步連續進行 熱處理時，係被搬送至其他大氣處理室內。此時，晶圓W被保持於高溫用夾取器32D上時，例如即使晶圓W因為熱而產生彎曲等之變形時，藉由光軸52僅設為略微傾斜的檢測感測器48(參照圖4)可以確實檢測出晶圓W之有無。
另外，該處理系統2之熱處理完了時，上述高溫狀態之晶圓W係使用高溫用夾取器32D予以取出，而取用至設於大氣搬送室6內之另一端的潔淨機構10，高溫狀態之晶圓W被移載至該潔淨機構10具有的4台之第1~第4支撐台54A~54D之中之空狀態之支撐台54。
保持於該支撐台54上的高溫狀態之晶圓W，係於該狀態下藉由形成於大氣搬送室6內的清淨氣體之下降流28(參照圖2)，被冷卻至低溫用夾取器30D可以處理的溫度，例如100℃以下。
之後，該冷卻後的晶圓W，接著使用搬送機構8之低溫用夾取器30D取出並保持，並被搬入卡匣容器20內，該卡匣容器20係用來收納載置於導入埠18的處理完畢之晶圓W者。在支撐台54與夾取器30D、32D之間進行晶圓W之移載時，係使夾取器30D、32D進入支撐台54間之狀態下，使夾取器30D、32D朝上下方向略微昇降即可，如此則可以進行晶圓W之移載。又，使用上述低溫用夾取器30D的搬送，當然亦可改用高溫用夾取器32D來進行。
以下詳細說明上述潔淨機構10中之晶圓W之冷卻態 樣。如上述說明，於大氣搬送室6內形成清淨氣體之下降流28(參照圖2)，如圖6所示，被支撐於各支撐台54的高溫狀態之各晶圓W係藉由上述下降流28實施冷卻。此時，被支撐於最上段之第1支撐台54A的晶圓W，基於其上方無任何障害物，因此下降流28直接接觸晶圓W之上面之全面，可以有效冷卻該晶圓W。
相對於此，除了上述第1支撐台54A以外的第2~第4支撐台54B~54D所支撐的各晶圓W，其上方所支撐的晶圓W會成為障害物而遮蔽下降流28，幾乎不存在下降流28與晶圓W之直接接觸，而成為阻礙該第2~第4支撐台54B~54D所支撐的各晶圓W之冷卻的原因。
但是，本發明之一實施形態中，在除了最下段支撐台54D以外的第1~第3支撐台54A~54C，係設有第1~第3導風板58(58A~58C)，可以將上述下降流28取入至晶圓W之表面，可以有效實施晶圓W之冷卻。亦即，上述導風板58，係於晶圓W之外周端之外側之區域，由晶圓之外側朝向晶圓之中心側朝斜下方被傾斜設置，因此當形成於上方的下降流28接觸該導風板58時，係如圖6中之箭頭74所示，該下降流28之方向改變而朝向傾斜下方之晶圓中心側被導引流入，結果，接觸到位於上述導風板58之下段的晶圓W，亦即接觸下段之支撐台54所支撐的晶圓W之上面，而可以有效實施該晶圓W之冷卻。
亦即，被設於第1支撐台54A的第1導風板58A所導引的下降流28，可以對其正下方之第2支撐台54B所 支撐的晶圓W實施冷卻，被設於第2支撐台54B的第2導風板58B導引的下降流28，可以對其正下方之第3支撐台54C所支撐的晶圓W實施冷卻，被設於第3支撐台54C的第3導風板58C導引的下降流28，可以對其正下方之第4支撐台54D所支撐的晶圓W實施冷卻。
此時，上述各導風板58A~58C由上下方向看並未重疊而被設置於不同位置，因此各導風板58A~58C可以接觸足夠量之下降流28。如上述說明，在形成有下降流的大氣搬送室6內所設置的被處理體W之潔淨機構中，係藉由在涵蓋複數段而設置的支撐台54上設置之導風板58，藉由該導風板58將下降流導引朝向晶圓W，因此可於大氣搬送室6內有效實施晶圓W之冷卻。另外，因為可以有效實施晶圓W之冷卻，結果，可以提升處理速度，可以提升生產性。
另外，該實施例中係於各支撐台54，對應於晶圓W之中央部設置由熱傳導性良好的材料構成的熱交換促進凸部62，該熱交換促進凸部62之上面與晶圓W之中央部之背面成為非常接近之狀態，兩者之距離L2(參照圖6)成為0.3mm左右。結果，可以促進該部分之熱交換，積極冷卻晶圓W之中央部。通常而言，晶圓W之周邊部容易被冷卻，但晶圓W之中央部比周邊部較難冷卻，如上述藉由積極冷卻晶圓W之中央部，可以在維持晶圓W之中央部與周邊部之較小溫度差狀態下，進行晶圓全體之冷卻。
因此，晶圓W之中央部與周邊部之間溫度差大時成為彎曲等之晶圓W變形之原因，但是如上述在維持晶圓W之中央部與周邊部之較小溫度差狀態下，進行晶圓全體之冷卻，結果，可以防止晶圓W之產生彎曲等之變形。
<潔淨機構之第2實施例之說明>
接著，參照圖7及圖8說明本發明之一實施形態的潔淨機構之第2實施例。圖7表示一實施形態的潔淨機構之第2實施例的側面圖，圖8表示一實施形態的潔淨機構之第2實施例之動作說明圖。又，和圖5及圖6所示構成部分同一構成部分附加同一參照符號並省略該說明。
於如圖5及圖6所示先前之第1實施例，係將支撐台54之基端部直接安裝於壁面6A側，而且使用導風板58，但於該第2實施例則不使用導風板58，而且將支撐台54本身之大小設為能覆蓋晶圓W全體之較大者。
具體言之為，將上述支撐台54之大小，設為和晶圓W之大小大致同一大小，或者其以上之大小之圓板狀，以能覆蓋晶圓W之全面的方式係藉由安裝構件80將該支撐台54安裝、固定於壁面6A側。於此，支撐台54亦於上下方向設置複數個，於此為涵蓋4段而設置，由上至下設為第1支撐台54A，第2支撐台54B，第3支撐台54C，第4支撐台54D。該支撐台54之材料係使用熱傳導性良好的金屬材料。
之後，於該圓板狀之支撐台54之周邊部以等間隔將 3個支撐銷56(圖7僅標記2個)設為正三角形狀，使該支撐銷56之前端接觸晶圓W之背面，而將晶圓W予以支撐。該第2實施例之支撐銷56，係比圖6所示支撐銷56設為更長。於該圓板狀之支撐台54之中央部，設置作為冷卻手段82的熱交換促進凸部62，該熱交換促進凸部62係和圖6說明者同樣由熱傳導性良好的金屬材料構成。構成上述熱交換促進凸部62及先前之支撐台54的熱傳導性良好的金屬材料，可使用例如鋁合金(含鋁)。此時，上述晶圓W之背面與熱交換促進凸部62之表面之間之距離L3，係和圖6所示時同樣設為例如0.3mm左右。
和圖6所示時同樣，上述熱交換促進凸部62，係成形為例如直徑100mm左右，高度10mm左右之圓板狀，可促進晶圓W之中央部之熱交換而進行有效地冷卻。該熱交換促進凸部62之上面，係設為平面狀，接近晶圓W之背面而成為中央冷卻面94。於上述支撐台54設有移載晶圓W時使用的升降機構84。該升降機構84係將延伸於水平方向的銷支撐臂部88，固定於昇降可能的昇降桿86之前端，將3個升降銷90(圖示例中僅標記2個)安裝於該銷支撐臂部88而構成。
上述銷支撐臂部88，係被成形為一部分具有缺口的環狀，於該環狀之銷支撐臂部88以正三角形狀配置而被固定。和上述銷支撐臂部88呈對應而於上述支撐台54形成銷插通孔92，上述升降銷90被插通於該銷插通孔92。如圖8所示，藉由該升降銷90之進出銷插通孔92而使晶 圓W上下方向移動。亦即，欲將夾取器30D、32D保持的晶圓W移載於支撐台54時，係在升降銷90往下方下降之狀態下使其進入支撐著晶圓W的支撐台54上，於該狀態下上升升降銷90而使晶圓W被傳遞至支撐銷56(圖8之步驟A)。
之後，於該狀態下如圖8之步驟B所示，藉由下降升降銷90而使晶圓W被傳遞至支撐銷56上。之後，欲將支撐銷56上之晶圓W傳遞至夾取器30D、32D時，係進行上述相反之操作。亦即，如圖8之步驟C所示，藉由上升升降銷90來推升晶圓W，於該狀態下使空狀態之夾取器30D、32D進入晶圓W之下方，藉由下降升降銷90而使晶圓W被傳遞至夾取器30D、32D。
本實施例之情況下，各晶圓W係藉由下降流28(參照圖2)來冷卻晶圓W的同時，支撐台54係由熱傳導性良好的材料構成，因此晶圓W之溫度被放出至支撐台54而被冷卻。此時，和先前之圖6所示實施例同樣，於該第2實施例，係於各支撐台54對應於晶圓W之中央部設置由熱傳導性良好的材料構成的熱交換促進凸部62，該熱交換促進凸部62之上面與晶圓W之中央部之背面成為非常接近的狀態，兩者之距離L3成為(參照圖7)0.3mm左右。
結果，可以促進該部分之熱交換，積極冷卻晶圓W之中央部。通常而言，晶圓W之周邊部容易被冷卻，但晶圓W之中央部比周邊部較難冷卻，如上述藉由積極冷 卻晶圓W之中央部，可以在維持晶圓W之中央部與周邊部之較小溫度差狀態下，進行晶圓全體之冷卻。
因此，晶圓W之中央部與周邊部之間溫度差大時會成為彎曲等之晶圓W變形之原因，但是如上述在維持晶圓W之中央部與周邊部之較小溫度差狀態下，進行晶圓全體之冷卻，結果，可以防止晶圓W之產生彎曲等之變形。
以上，依據該第2實施例，在設於大氣搬送室6的被處理體W之潔淨機構中，係在涵蓋複數段而設置的支撐台54分別設置用來冷卻被處理體之中央部的冷卻手段82，因此可於大氣搬送室6內有效實施被處理體之冷卻，而且針對和周邊部比較冷卻具有變慢傾向的被處理體之中央部，可以有效進行冷卻，可以防止被處理體產生彎曲等之變形。又，於該第2實施例，亦可以安裝圖6所示第1實施例所使用的導風板58而加以使用。
<潔淨機構之第3及第4實施例之說明>
接著，說明本發明之一實施形態的潔淨機構之第3實施例及第4實施例。圖9A表示一實施形態的潔淨機構之第3實施例之一部分。圖9B表示一實施形態的潔淨機構之第4實施例之一部分。又，和圖6乃至圖8所示構成部分為同一之構成部分被附加同一參照符號，並省略該說明。
於此為求記載之簡化而僅分別記載一台支撐台54， 但和先前之實施例同樣，實際上設置複數台之例如4台。圖7所示冷卻手段82的熱交換促進凸部62，相對於支撐台54係形成為段部狀，但不限定於此，亦可以將兩者成形為一體，而且，由周邊部朝向中央部使厚度呈增加的傾斜面。此種第3實施例係如圖9A所示。
亦即，如圖9A所示，圓板狀之支撐台54與冷卻手段82的熱交換促進凸部62係成形為一體，而且，支撐台54本身隨著由周邊部往中央部依序使厚度變大，增大厚度而使到達水平冷卻面94為止之面成為傾斜面96。亦即，支撐台54全體被設為圓錐台形狀。此情況下，亦可以發揮和先前使用圖7及圖8說明的第3實施例同樣之作用效果。
另外，圖9B所示第4實施例之情況下，係取代圖7及圖8所示第2實施例之冷卻手段82的熱交換促進凸部62，改為在支撐台54之上方，設置噴出冷卻氣體的冷卻氣體射出部98作為冷卻手段82。具體言之為，該冷卻氣體射出部98，係對應於上述晶圓W之中央部之上方而設置，由設於該冷卻氣體射出部98的噴射噴嘴98A朝晶圓W之上面之中央部噴射冷卻氣體，對該中央部進行特別冷卻。該冷卻氣體可使用例如氮氣體，但不限定於此。
此時，晶圓W之中央部可以藉由冷卻氣體更有效實施冷卻，因此晶圓W之周邊部與中央部之間之溫度差可以抑制較小，可以發揮和先前之第2及第3實施例同樣作用效果。
<潔淨機構之第5實施例之說明>
接著，參照圖10乃至圖12說明本發明之一實施形態的潔淨機構之第5實施例。圖10表示本發明之一實施形態的潔淨機構之第5實施例之一部分的部分斷面圖，圖11表示第5實施例之側部冷卻手段與半導體晶圓之位置關係的擴大縱斷面圖(支撐台之記載被省略)，圖12表示圖11之側部冷卻手段之氣體出口部的部分擴大平面圖。又，和圖1乃至圖9所示構成部分為同一之構成部分係附加同一參照符號並省略其說明。
於圖5所示第1實施例，係於支撐台54設置導風板58，於該第5實施例，則是取代(或並用)此而設置側部冷卻手段100。該側部冷卻手段100設於不干涉搬送機構8之動作的位置。該側部冷卻手段100，係由上述支撐台54所支撐的被處理體之半導體晶圓W之側部放出冷卻氣體102，使冷卻氣體102沿著晶圓W之面流動。
具體言之為，該側部冷卻手段100具有流通上述冷卻氣體102的冷卻氣體通路104，及設於該冷卻氣體通路104之出口側，位於上述晶圓W之側方的氣體出口部106。其中，上述冷卻氣體通路104，係由例如斷面設為四角形狀，內部為中空之通路導管108形成。該通路導管108係由例如不鏽鋼形成，係於上述支撐台54之側部，延伸於高度方向，亦即上下方向豎立而被設置。
該通路導管108，係藉由支撐臂部110被安裝、固定於大氣搬送室6之側壁6A。該通路導管108之平面之縱 橫尺寸被設為例如300mm×300mm左右，其上下方向之長度設為例如300mm左右。
上述通路導管108之上端，係作為取入由天井降下的下降流28的取入口112而被形成，以該下降流28作為上述冷卻氣體102予以使用。此時，係使上述取入口112之周邊部之隔間壁朝上方擴大成為逆末端擴大狀而予以傾斜形成，亦擴大取入口112之面積的方式來取入多量之下降流28亦可。
上述氣體出口部106，係藉由於通路導管108之下端部之側壁形成開口而設置。具體言之為，該氣體出口部106，係具有對應於晶圓W朝橫方向(水平方向)延伸而形成的複數、圖示例為4個之氣體放出口114。以隔開上述各氣體放出口114的方式，設置沿著冷卻氣體通路104內而延伸的複數個導引隔間板116。該氣體放出口114，係自上段至下段而成為第1~第4氣體放出口114A、114B、114C、114D。
此時，除了最上段之第1氣體放出口114A以外，其他之第2~第4各氣體放出口114B~114D之高度位置，係以位於藉由第1~第4各支撐台54A~54D而在涵蓋上下方向4段被支撐的各晶圓W間的方式而予以設定。亦即，第2~第4氣體放出口114B~114D，係成為對應於除了最上段晶圓以外的其他3片晶圓而被設置的狀態。
如此則，由第2~第4各氣體放出口114B~114D朝水平方向放出的冷卻氣體102受重力而略微彎曲向下方 向，而如箭頭115(參照圖11)所示朝傾斜下方流入時可以沿著晶圓W之表面上有效地流動。
此時，在最上段之第1支撐台54A所支撐的晶圓W之上面，係直接接觸由天井部下降的下降流28而有效地被冷卻，因此無需特別來自側部冷卻手段100之冷卻氣體。因此，上述第1氣體放出口114A，係和第2氣體放出口114B同樣，以位於最上段之第1支撐台54A與第2支撐台54B所支撐的晶圓W間之水平位準的方式被設定。該第1氣體放出口114A之機能，如後述說明係為了防止通路導管108內產生冷卻氣體之亂流者。
作為間隔上述各氣體放出口114A~114D的導引隔間板116，係設有第1、第2及第3之3個導引隔間板116A、116B、116C。因此，通路導管108內係於縱方向被分割間隔為4個。上述第1~第3之各導引隔間板116A~116C，係大致成形為斷面L字狀，其角部被設為曲線狀以使流向下方向的下降流之方向可以圓滑地朝向水平方向流動。因此，第1~第3之各導引隔間板116A~116C，係由垂直方向(上下方向)延伸的垂直部分、形成為圓弧形狀的曲面部分以及水平方向延伸的水平部分形成。
第1導引隔間板116A之下部前端，係連接於第1與第2氣體放出口114A、114B間之通路導管108之側壁，第2導引隔間板116B之下部前端，係連接於第2與第3氣體放出口114B、114C間之通路導管108之側壁，第3 導引隔間板116C之下部前端，係連接於第3與第4氣體放出口114C、114D間之通路導管108之側壁。
另外，通路導管108之與氣體出口部106相反側的下端部之隔間壁之角部118亦成形為斷面圓弧形狀，可使下降流之方向圓滑地變更90度。第1~第3各導引隔間板116A~116C及通路導管108之表面側、背面側的隔間壁之相互間之距離L5，係在70~80mm左右之範圍內。另外，在第1導引隔間板116A與通路導管108之表面側之隔間壁之間之區域120，取入的下降流會有滯留之傾向，為防止此而如上述形成第1氣體放出口114A來放出冷卻氣體。
另外，上述各氣體放出口114A~114D之寬度L6(參照圖12)，可依據晶圓W之半径而設定為直徑之範圍內，例如直徑為300mm之晶圓之情況下，寬度L6設為150~300mm之範圍內，而可以有效冷卻晶圓。另外，以使由第1~第4各氣體放出口114A~114D放出的冷卻氣體之流速成為大致同一的方式，來設定各氣體放出口114A~114D之開口面積。
因此，各氣體放出口114A~114D之高度L7(參照圖12)，係設為例如15~25mm之範圍內，以使由此放出的冷卻氣體之流速成為0.3~1.5m/sec之範圍內。此時由天井部降下的下降流28之流速係例如在0.2~0.4m/sec左右之範圍內。
又，防止亂流之產生用的上述第1氣體放出口114A 之高度L7，可以設為較其他之第2~第4氣體放出口114B~114D之高度L7短。另外，可於各氣體放出口114A~114D之部分設置各開口面積之調整用的調整板。
於以上形成的第5實施例之情況下，藉由第1支撐台54A(參照圖6)被支撐於最上段的晶圓，基於下降流28直接接觸其上面全體，因此和先前之各實施例同樣可以有效地被冷卻。
相對於此，由上起第2段以下之支撐台54B~54D所支撐的各晶圓W，來自上方之下降流28並未與其直接接觸，但可以藉由設於該側部的側部冷卻手段100所放出的冷卻氣體有效地進行冷卻。亦即，來自天井部之下降流28之一部分，係由設於側部冷卻手段100之通路導管108之上端的取入口112被取入通路導管108內。該被取入的下降流28會被各導引隔間板116A~116C及通路導管108之隔間壁導引其流向，其方向可由下方向圓滑地彎向水平方向。
之後，流動方向彎向水平方向的下降流，會成為冷卻氣體102而由氣體出口部106之第1~第4各氣體放出口114A~114D朝水平方向放出。放出的冷卻氣體102，會與最上段所支撐的晶圓以外之第2~第4段所支撐的各晶圓W之表面接觸沿著該表面來冷卻晶圓W之同時流向水平方向。此時，一部分之冷卻氣體102，亦和第1~第3段所支撐的晶圓W之下面(背面)接觸而冷卻。
如此則，可以有效且迅速將晶圓W冷卻至特定之溫 度。例如可將晶圓移載時搬送機構8之夾取器30D所接觸的晶圓緣部之溫度，迅速冷卻至夾取器30D之耐熱溫度，例如80℃以下。
<第5實施例之評估結果>
接著，對上述第5實施例進行實驗，說明該時之評估結果。針對由處理室搬出時之溫度為600℃之4片晶圓之冷卻速度進行測定。作為比較例亦針對僅設置支撐台的習知例(於圖5未設置導風板的構造)亦進行同一實驗。結果如圖13所示。圖13係表示本發明之一實施形態的第5實施例之評估結果的圖。於該實驗，係針對自4片晶圓被支撐於潔淨機構起至晶圓緣部冷卻至78℃為止的冷卻時間，及自支撐起至147秒後之晶圓中心及晶圓緣部之各溫度進行測定。
依據圖13，緣部溫度冷卻至78℃為止的時間，在習知例時除了最上段晶圓以外需要177~186秒。相對於此，該第5實施例時僅需要較上述短的時間之107~140秒，因此可知可以有效地進行冷卻。
又被最上段支撐的晶圓之冷卻速度亦變快，其理由可推測為基於接觸該晶圓背面(下面)的冷卻氣體之助益。另外，晶圓被支撐於潔淨機構起147秒後之晶圓中心之溫度，在習知例時除了最上段晶圓以外係在81.5~102.5℃之範圍內。相對於此，該第5實施例時為54~84℃之範圍內，因此可以判斷能有效地冷卻晶圓。
另外，晶圓被支撐於潔淨機構起147秒後之晶圓緣部之溫度，習知例時除了最上段晶圓以外係在92~104℃之範圍內。相對於此，該第5實施例時為55~74℃之範圍內，因此可以判斷能有效地冷卻晶圓。特別是關於和夾取器30D接觸的晶圓緣部，可以確認為低於夾取器30D之耐熱溫度例如80℃。
於上述第5實施例，為了亂流防止而設置第1氣體放出口114A，但亦可以不設置。另外，各氣體放出口114A~114D之水平位準，係以位於晶圓W間而被設置，但不限定於此，亦可以將除了第1氣體放出口114A以外的其他氣體放出口114B~114D之水平位準與除了最上段晶圓以外的其他各晶圓之水平位準設為同一。另外，雖於通路導管108內設置導引隔間板116A~116C，但亦可以不設置。
另外，於該第5實施例，冷卻氣體係使用下降流，但不限定於此，亦可構成為在冷卻氣體通路104之通路導管108，連接N2氣體源或He等之稀有氣體源，N2或He等之惰性氣體作為冷卻氣體來使用。另外，將上述第5實施例之側部冷卻手段100組合於先前之第1~第4實施例而設置亦可。
如以上說明，依據上述實施例，在形成有下降流的大氣搬送室內所設置的被處理體之潔淨機構中，藉由在涵蓋複數段而設置的支撐台上所設置的導風板將下降流導向被處理體，可於大氣搬送室內有效冷卻被處理體。
另外，依據上述實施例，在設於大氣搬送室的被處理體之潔淨機構中，係在涵蓋複數段設置的各個支撐台，設置用於冷卻被處理體中央部的冷卻手段，因此可於大氣搬送室內有效冷卻被處理體。另外，和周邊部比較，冷卻具有較慢傾向的被處理體之中央部，亦可以被有效冷卻，因此可以有效防止被處理體產生彎曲等之變形。
另外，依據上述實施例，在形成有下降流的大氣搬送室內所設置的被處理體之潔淨機構中，係藉由側部冷卻手段由被處理體之側部放出冷卻氣體使冷卻氣體沿著被處理體之面流動，因此可於大氣搬送室內有效冷卻被處理體。
另外，依據上述實施例，在形成有下降流的大氣搬送室內所設置的被處理體之潔淨機構中，係藉由側部冷卻手段由被處理體之側部放出冷卻氣體使冷卻氣體沿著被處理體之面流動，因此可於大氣搬送室內有效冷卻被處理體。
以上，係依據實施例說明潔淨機構及處理系統，但本發明不限定於上述實施例，在本發明之範圍內可做各種變形及改良。另外，上述複數個實施例在不產生矛盾範圍內可以組合。
例如，於以上之各實施例中，於各支撐台54設置流入冷媒的冷卻管而強制冷卻晶圓亦可。另外，被處理體雖說明半導體晶圓之例，但該半導體晶圓亦可包含矽基板或GaAs、SiC、GaN等之化合物半導體基板，另外，不限定於彼等基板，本發明亦適用液晶表示裝置使用的玻璃基板或陶瓷基板等。
另外，導風板只要設於複數個支撐台之中最下段以外之至少任一支撐台即可。但是，導風板設於複數個支撐台之中最下段以外之全部支撐台為較好。
另外，上述各實施例說明的晶圓W為被處理體之一例，被處理體不限定於此，亦可為基板。
以下，本發明之潔淨機構彙整說明如下。
1．提供潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台，被設於形成有下降流的大氣搬送室，於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面，用來支撐上述被處理體；及導風板，係於上述支撐台，為了藉由上述下降流來冷卻被位於該支撐台之下段的支撐台所支撐之上述被處理體而設置。
2．如上述1記載之潔淨機構，其中上述導風板，為了將上述下降流導向上述被處理體之面內方向，而以傾斜狀態透過支撐臂部被安裝於上述支撐台亦可。
3．如上述2記載之潔淨機構，其中上述導風板，係在上下方向不重疊而由上下方向看時使水平方向之設置位置不同而被設置亦可。
4．如上述1記載之潔淨機構，其中於上述支撐台，可以對應於上述被處理體之中央部而設置由熱傳導性良好的金屬材料構成的熱交換促進凸部作為冷卻手段。
5．如上述4記載之潔淨機構，其中上述支撐銷，可以設於上述熱交換促進凸部之上面。
6．提供潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台， 被設於大氣搬送室，係於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面，用來支撐上述被處理體；及冷卻手段，用來冷卻上述被處理體之中央部。
7．如上述6記載之潔淨機構，其中上述冷卻手段，可以具有對應於上述被處理體之中央部而吹出冷卻氣體的冷卻氣體射出部。
8．如上述6記載之潔淨機構，其中上述冷卻手段，可以上面設為平面狀，具有接近上述被處理體之背面的中央冷卻面。
9．如上述8記載之潔淨機構，其中上述冷卻手段具有，對應於上述被處理體之中央部而配置，上面作為上述中央冷卻面而形成，由熱傳導性良好的金屬材料構成的熱交換促進凸部亦可。
10．如上述8記載之潔淨機構，其中上述冷卻手段可以構成為，上述支撐台本身隨著由周邊部朝向中央部而依序變厚，成為傾斜面之同時，中央成為上述中央冷卻面。
11．如上述6記載之潔淨機構，其中可於上述大氣搬送室形成下降流，於上述支撐台設置導風板，該導風板係藉由上述下降流來冷卻位於該支撐台之下段的支撐台所支撐的上述被處理體者。
本申請案主張2012年5月16日申請的日本專利申請2012-112087號之優先權及2012年12月14日申請的日本專利申請2012-273363號之優先權，其全部內容亦被引用 於本申請。
6‧‧‧大氣搬送室
6A‧‧‧壁面
54(54A)‧‧‧支撐台
56‧‧‧支撐銷
58(58A、58B、58C)‧‧‧導風板
60A、60B、60C‧‧‧支撐臂部
62‧‧‧熱交換促進凸部
W‧‧‧半導體晶圓
W1‧‧‧支撐台54之寬度

Claims (14)

  1. 一種潔淨機構，其特徵為具備：複數個支撐台，被設於形成有下降流的大氣搬送室，於上下方向涵蓋複數段被設置；複數個支撐銷，設於上述各支撐台，相接於上述被處理體之背面而支撐上述被處理體；及側部冷卻手段，係由支撐於上述支撐台的上述被處理體之側部放出冷卻氣體，並使上述冷卻氣體沿著上述被處理體之面流動。
  2. 如申請專利範圍第1項之潔淨機構，其中上述側部冷卻手段係具有：流通上述冷卻氣體的冷卻氣體通路；及氣體出口部，係設於上述冷卻氣體通路之出口側，位於上述被處理體之側方。
  3. 如申請專利範圍第2項之潔淨機構，其中上述冷卻氣體通路，係朝上下延伸之同時上端被形成作為取入上述下降流的取入口，使用上述下降流作為上述冷卻氣體。
  4. 如申請專利範圍第3項之潔淨機構，其中上述氣體出口部，係具有和上述被處理體對應而朝橫方向延伸被形成的複數個氣體放出口，設有以隔開各氣體放出口的方式沿著上述冷卻氣體通路內而延伸的複數個導引隔間板。
  5. 如申請專利範圍第4項之潔淨機構，其中 上述導引隔間板，係由垂直部分、曲面部分及水平部分形成。
  6. 如申請專利範圍第4項之潔淨機構，其中上述氣體放出口之開口面積，係設定成為和來自上述氣體放出口的上述冷卻氣體之流速同一。
  7. 如申請專利範圍第6項之潔淨機構，其中上述冷卻氣體之流速在0.3~1.5m/sec之範圍內。
  8. 如申請專利範圍第4項之潔淨機構，其中上述各氣體放出口之高度位置，係以位於上下方向涵蓋複數段而被支撐的上述被處理體間的方式被設定。
  9. 如申請專利範圍第1項之潔淨機構，其中上述冷卻氣體通路為流通惰性氣體的通路。
  10. 一種處理系統，其特徵為具備：大氣壓環境之大氣搬送室；複數個處理室，係連結於上述大氣搬送室，於大氣壓環境下對被處理體進行特定之處理；用來冷卻上述被處理體的如申請專利範圍第1項之潔淨機構；及搬送機構，於上述處理室與上述潔淨機構之間進行上述被處理體之搬送。
  11. 如申請專利範圍第10項之處理系統，其中上述搬送機構具有：高溫用夾取器，用來保持高溫之上述被處理體；及低溫用夾取器，用來保持低溫之上述被處理體。
  12. 如申請專利範圍第11項之處理系統，其中於上述夾取器設有檢測感測器，用來檢測上述被處理體之有無。
  13. 如申請專利範圍第12項之處理系統，其中上述檢測感測器具有發光元件及受光元件，上述發光元件之光軸係設定成為通過上述被處理體之平面之同時，相對於平面方向略微傾斜。
  14. 如申請專利範圍第10項之處理系統，其中於上述大氣搬送室形成清淨氣體之下降流。
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