CN101295628B - 立式热处理装置以及被处理基板移载方法 - Google Patents

立式热处理装置以及被处理基板移载方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101295628B
CN101295628B CN2008100923656A CN200810092365A CN101295628B CN 101295628 B CN101295628 B CN 101295628B CN 2008100923656 A CN2008100923656 A CN 2008100923656A CN 200810092365 A CN200810092365 A CN 200810092365A CN 101295628 B CN101295628 B CN 101295628B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transfer
branch fagging
keeper
mentioned
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008100923656A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101295628A (zh
Inventor
荻原顺一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101295628A publication Critical patent/CN101295628A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101295628B publication Critical patent/CN101295628B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种立式热处理装置(1)，包括具有炉口(4)的热处理炉(3)；密闭炉口的盖体(6)；通过环状支撑板(15)沿上下以规定间隔保持多个被处理基板的保持件(9)；和将保持件搬入搬出热处理炉的升降机构(11)。移载机构(21)具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板(20)并在收纳容器(16)和保持件间移载被处理基板。支撑板(15)分割成具有移载被处理基板时移载板能上下通过的切口部(28)的外侧支撑板(29)和载置在外侧支撑板的内周缘部并具有封堵切口部的封堵部(30)的内侧支撑板(31)。由此能对具有环状支撑板的保持件每次移载多个被处理基板并缩短移载时间、增加处理个数、提高生产率。

Description

立式热处理装置以及被处理基板移载方法
技术领域
本发明涉及立式热处理装置以及被处理基板移载方法，特别涉及能够相对于具有环状支撑板的支撑件每次多个地移载被处理基板的立式热处理装置以及被处理基板移载方法。
背景技术
在半导体装置的制造中，包括对被处理基板(例如半导体晶片)实施例如氧化、扩散、CVD、退火等各种热处理的工序，作为用于实施这些工序的热处理装置的一种，使用批量式即一次能够处理多个晶片的立式热处理装置。
该立式热处理装置包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭该炉口的盖体；设置在该盖体上、通过环状支撑板在上下方向以规定间隔保持多个晶片的保持件(也称为“晶舟”)；使上述盖体升降从而将保持件搬入搬出热处理炉的升降机构；以及移载机构，该移载机构具有一个移载板(也称为“叉(fork)”)，能够在以规定间隔收纳有多个晶片的收纳容器(盒体、FOUP(晶圆传送盒、前端开口片盒))与上述保持件之间进行晶片的移载。上述环状支撑板用作抑制或者防止高温热处理时在晶片周缘部产生滑移(slip)(结晶缺陷)的策略。
作为上述移载机构，如图10A～图10C所示，使用具有移载用移载板50和突起用移载板51的突起式移载机构(以下称为“移载机构A”)(例如参照日本特开平5-13547号公报)。移载用移载板50由具有与晶片w的下面对接的上面的板状体构成，突起用移载板51由具有其上面与晶片w的下面对接的3个支撑销52的板状体构成。
当向保持件移载晶片时，首先将支撑有晶片w的移载用移载板50向保持件9内的规定支撑板15的上方插入，并且同时使突起用移载板51向上述支撑板15的下方插入(图10A)。接着，使突起用移载板51上升，使晶片w从移载用移载板50上被抬起，在该状态下使移载用移载板50从保持件9退去(图10B)。接着，使突起用移载板51下降，将晶片w支撑在支撑板15上，之后，使突起用移载板51从保持件9退去，由此完成一个晶片的移载作业(图10C)。
其中，作为移载机构，其具有多个卡止部件，与晶片周缘部的下侧面卡止，使晶片在垂吊状态(上侧固定状态)下被保持，构成为各卡止部件能够在处于垂吊状态下支撑晶片的晶片支撑位置、和移动至晶片外形周缘的外侧从而解除晶片的支撑状态的晶片解除位置之间往复移动，并且构成为各卡止部件能够利用致动器在晶片支撑位置和晶片解除位置的范围内往返移动(以下，称为“移动机构B”)(日本特开2003-338531号公报)。
专利文献1：日本特开平5-13547号公报
专利文献2：日本特开2003-338531号公报
然而，在上述现有技术的立式热处理装置中，上述任一个移载机构A、B均只能逐个地移载晶片，因此存在花费较多移载时间的问题。此外，在移载机构的构造上，保持件的支撑板间的间距(所谓的移载间距)必须很大(16mm)，搭载在保持件上的晶片个数(处理个数)最多为50个左右，批量处理存在界限，难以增加处理个数。特别是，对于移载机构A的情况，因为晶片的搬送仅为一个并且交接过渡的动作时间长(不只一个动作)，因此在移载作业中花费较多时间，不能实现生产率的提高。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种立式热处理装置以及被处理基板移载方法，能够相对于具有环状支撑板的保持件每次移载多个被处理基板，实现移载时间的缩短，并增加处理个数以及提高生生产率。
为了实现上述目的，第一发明提供一种立式热处理装置，其特征在于，包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设置在上述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；使上述盖体升降从而将上述保持件搬入以及搬出上述热处理炉的升降机构；位于上述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在上述收纳容器与上述保持件之间进行上述被处理基板的移载，其中，上述保持件的上述支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，上述外侧支撑板具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述内侧支撑板被配置在上述外侧支撑板的内周缘部上并且具有封堵上述切口部的封堵部。
此时，优选上述外侧支撑板的内径和上述内侧支撑板的外径形成为比上述被处理基板的直径小。此外，优选上述移载机构在通过上述内侧支撑板将上述被处理基板支撑在上述移载板上的状态下进行上述被处理基板的移载。而且，优选在上述移载板上表面设置有用于吸引空气的吸引孔，在上述内侧支撑板上设置有通过由上述移载板的吸引孔吸引空气而将上述被处理基板吸附在上述内侧支撑板上的吸附部。
此外，上述内侧支撑板也可以具有载置在上述外侧支撑板的上述内周缘部上的环状部以及与上述环状部形成为一体并且嵌入上述外侧支撑板的上述切口部的封堵部。此外，也可以在上述外侧支撑板的上述内周缘部形成有收容上述内侧支撑板的外周缘部的第一台阶部。此时，也可以在上述内侧支撑板的上述外周缘部形成有与上述外侧支撑板的上述第一台阶部结合的第二台阶部。
第二发明提供一种立式热处理装置，其特征在于，包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设置在上述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；使上述盖体升降从而将上述保持件搬入以及搬出上述热处理炉的升降机构；位于上述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在上述收纳容器与上述保持件之间进行上述被处理基板的移载，其中，上述保持件的上述支撑板被分割为支撑板主体和封堵板，上述支撑板主体具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述封堵板用于封堵上述支撑板主体的上述切口部。
第三发明提供一种被处理基板移载方法，在立式热处理装置内对被处理基板进行移载，其中，上述立式热处理装置包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设置在上述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；使上述盖体升降从而将上述保持件搬入以及搬出上述热处理炉的升降机构；位于上述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在上述收纳容器与上述保持件之间进行上述被处理基板的移载，其中，上述保持件的上述支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，上述外侧支撑板具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述内侧支撑板被配置在上述外侧支撑板的内周缘部上并且具有封堵上述切口部的封堵部，上述被处理基板移载方法的特征在于，具有下述步骤：上述移载机构在通过上述内侧支撑板将上述被处理基板支撑在上述移载板上的状态下进行上述被处理基板的移载。
第四发明提供一种被处理基板移载方法，在立式热处理装置内对被处理基板进行移载，其中，上述立式热处理装置包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设置在上述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；使上述盖体升降从而将上述保持件搬入以及搬出上述热处理炉的升降机构；位于上述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在上述收纳容器与上述保持件之间进行上述被处理基板的移载，其中，上述保持件的上述支撑板被分割为支撑板主体和封堵板，上述支撑板主体具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述封堵板用于封堵上述支撑板主体的上述切口部，上述被处理基板移载方法的特征在于，具有下述步骤：上述移载机构在上述封堵板与上述被处理基板一起被支撑在上述移载板上的状态下进行上述被处理基板的移载。
根据本发明中的第一发明，因为保持件的支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，上述外侧支撑板具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述内侧支撑板被配置在上述外侧支撑板的内周缘部上并且具有封堵上述切口部的封堵部，所以能够利用具有多个移载板的移载机构相对于具有环状支撑板的保持件每次多个地进行被处理基板的移载，从而能够实现处理时间的缩短、移载时间的缩短、处理个数的增加以及生产效率的提高。
根据第二发明，因为保持件的支撑板被分割为支撑板主体和封堵板，上述支撑板主体具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述封堵板用于封堵上述支撑板主体的上述切口部，所以能够利用具有多个移载板的移载机构相对于具有环状支撑板的保持件每次多个地进行被处理基板的移载(一次移载多个被处理基板)，从而能够实现处理时间的缩短、移载时间的缩短、处理个数的增加以及生产效率的提高。
根据本发明第三发明，因为保持件的支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，上述外侧支撑板具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述内侧支撑板被配置在上述外侧支撑板的内周缘部上并且具有封堵上述切口部的封堵部，上述移载机构在通过上述内侧支撑板将上述被处理基板支撑在上述移载板上的状态下进行上述被处理基板的移载，所以，能够相对于具有环状支撑板的保持件每次多个地进行被处理基板的移载，从而能够实现处理时间的缩短、移载时间的缩短、处理个数的增加以及生产效率的提高。
根据第四发明，因为保持件的支撑板被分割为支撑板主体和封堵板，上述支撑板主体具有在进行上述被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述封堵板用于封堵上述支撑板主体的上述切口部，上述移载机构在上述封堵板与上述被处理基板一起被支撑在上述移载板上的状态下进行上述被处理基板的移载，所以能够相对于具有环状支撑板的保持件每次多个地进行被处理基板的移载，从而能够实现处理时间的缩短、移载时间的缩短、处理个数的增加以及生产效率的提高。
附图说明
图1是简要表示本发明的一个实施方式所涉及的立式热处理装置的纵截面图。
图2是简要表示基板保持件的横截面图。
图3是图2的A-A线的放大截面图。
图4是支撑板的分解立体图。
图5是图2的B-B线箭头视图。
图6是简要表示移载板的变形例的平面图。
图7是图6的C-C线截面图。
图8是表示支撑板的变形例的立体图。
图9是表示在图8的支撑板上载置有晶片的状态的正面图。
图10A～图10C是表示现有的立式热处理装置的移载机构的一个例子的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行详细说明。图1是简要表示本发明的一个实施方式所涉及的立式热处理装置的纵截面图，图2是简要表示基板保持件的横截面图，图3是图2的A-A线的放大截面图，图4是支撑板的分解立体图。
如图1所示，该立式热处理装置1具有形成为外廓的框体2，在该框体2内的上方设置有用于收容被处理基板(例如薄板圆板状的半导体晶片w)并对其进行规定处理例如CVD处理等的立式热处理炉3。该热处理炉3具有纵长的处理容器例如石英制成的反应管5和加热器(加热机构)7，其中，反应管5具有下部开口的炉口4，加热器7被设置成覆盖反应管5的周围并且能够将反应管5内加热控制在规定温度例如300～1200℃。此外，在热处理炉3的下方设置有用于开闭反应管5的炉口4并且能够升降的盖体6。
在上述框体2内水平地设有用于设置构成热处理炉3的反应管5和加热器7的例如SUS制的基体板8。在基体板8上形成有用于从下方向上方插入反应管5的图未示出的开口部。
在反应管5的下端部形成有向着外侧的凸缘部(外向的凸缘部)。该凸缘部通过凸缘保持部件而被保持在基体板8上，由此，反应管5被设置成从下方向着上方插通基体板8的开口部的状态。反应管5为了进行清洗等而形成为能够向着下方从基体板8取出。反应管5与用于向反应管5内导入处理气体和吹扫用非活性气体的多个气体导入管、能够对反应管5内进行减压控制的真空泵、以及具有压力控制阀等的排气管连接(省略图示)。
在上述框体2内的基体板8的下方，为了向热处理炉3(即反应管5)内搬入(装载)设置在盖体6上的保持件(舟体)9，或者将保持件(舟体)9从热处理炉3搬出(卸载)，或者相对于保持件9进行晶片w的移载，而设置有作业区域(装载区域)10。在该作业区域10内设置有在进行舟体9的搬入和搬出时用于使盖体6进行升降的升降机构11。盖体6构成为与炉口4的开口端抵接从而密闭该炉口4。在盖体6的下部设置有用于使保持件旋转的图未示出的旋转机构。
图示例子的保持件9例如由石英制成，包括本体部9a和脚部9b，其中本体部9a通过后述的环状支撑板15以水平状态沿上下方向并且以规定间隔p(例如6mm左右的间距)多层地保持大口径(例如直径为300mm)的多个(例如100～130个左右)晶片w，脚部9b用于支撑该本体部9a。其中，脚部9b与上述旋转机构的旋转轴连接。在本体部9a和盖体6之间设置有用于防止因从炉口4放热而导致温度降低的图未示出的下部加热机构。此外，作为保持件9，也可以只有主体部9a而没有脚部9b，通过保温筒而载置于盖体6上。上述保持件9具有多个例如三个支柱12、分别设置在这些支柱12的上端以及下端的顶板13和底板14、和与以规定间隔设置在支柱12上的槽部19相结合的多层配置的环状支撑板15。对于这些支撑板15的具体构造将在下面进行详细说明。
在框体2的前部(即热处理炉3的相反一侧)设置有载置台(装载舟体)17，用于载置以规定间隔收纳有多个(例如25个左右)晶片w的收纳容器(盒体或者FOUP(晶圆传送盒、前端开口片盒))16，并用于相对于框体2内搬入和搬出收纳容器16。收纳容器16由位于热处理炉3的外侧并且在前面可装卸地具有图未示出的盖体的密闭型收纳容器构成。在作业区域10内的载置台17一侧设置有卸载收纳容器16的盖以使收纳容器内与作业区域10内连通开放的门机构18。此外，在作业区域10设置有移载机构21，该移载机构21用于在收纳容器16与保持件9之间进行晶片w的移载并且具有以规定间隔配置的多个移载板(叉)20。
在作业区域10外的前部上侧设置有用于存储收纳容器16的保管搁板部22、以及从载置台17向保管搁板部22或者反向地从保管搁板部22向载置台17进行收纳容器16的搬送的图未示出的搬送机构。此外，在作业区域10的上方设置有覆盖(或者塞住)炉口4的闸阀机构(shutter)23，用于抑制或者防止当打开盖体6时处于高温的炉内的热量从炉口4向下方的作业区域10放出。
上述移载机构21具有多个(例如5个)移载板20，用于按照规定间隔沿上下方向支撑多个(例如5个)晶片w。此时，在该情况下，中央(第三个)移载板能够单独地向着前方进退移动。中央以外的移载板(第一个、第二个、第四个以及第五个)能够通过图未示出的间距变换机构以中央移载板为基准沿着上下方向以无级方式进行间距变换。因为收纳容器16内的晶片的收纳间距与保持件9内的晶片的搭载间距存在不同的情况，因在，这样设计是为了在此情况下也能够在收纳容器16和保持件9之间每次对多个晶片w进行移载。
移载机构21具有能够进行升降的升降臂24、以及能够水平旋转地设置在该升降臂24上的箱型的基台25。其中在基台25上，沿着基台25的长度方向能够进退移动地设置有：能够使中央的一个移载板20向前方移动的第一移动体26和能够使夹着中央的移载板20沿着上下各配置两个的共计4个移载板20向前方移动的第二移动体27。由此，形成为能够有选择地进行利用第一移动体26的单独动作来移载一个晶片的单片移载、以及利用第一和第二移动体26、27的共同动作同时移载多个(例如5个)晶片的一并移载(多个同时移载)。为了对第一和第二移动体26、27进行移动操作，在基台25的内部设置有图未示出的移动机构。该移动机构以及上述间距变换机构例如使用在日本特开2001-44260号公报中所公开的设备。
移载板20例如由氧化铝陶瓷(Alumina Ceramics)形成为纵长薄板状。移载板20的厚度为2mm左右。优选移载板20形成为前端分支成两股的平面大致呈U字形(参照图2)。其中，也可以在移载板20的一方的前端部设置有能够出入红外光线的映像传感器(mappingsensor)的传感头(sensor head)，在另一方的前端部设置有反射从映像传感器的传感头发出的红外光线并使其入射至映像传感器的传感头的反射镜，在移载机构21的示教移动时，通过被检测物遮住红外光线而能够检测出该被检测物的位置。
另一方面，如图2至图4所示，上述保持件9的支撑板15被分割成外侧支撑板(外环)29和内侧支撑板(内环)31，其中外侧支撑板29具有在进行晶片w的移载时上述移载板20能够在上下方向通过的切口部28，内侧支撑板31被配置在该外侧支撑板29的内周缘部并且具有封堵上述切口部28的封堵部30。换言之，上述支撑板15由外侧支撑板29和内侧支撑板31构成。各外侧支撑板29形成为平面大致呈C字形，分别在水平状态下沿着上下方向互相隔开规定间隔p安装在保持件9的支柱9a上。此外，切口部28的宽度d形成为比移载板的宽度e大。
上述内侧支撑板31具有：载置在外侧支撑板29的内周缘部上的环状部32；和与该环状部32形成为一体并且嵌入到上述外侧支撑板29的切口部28的封堵部30(参照图4)。此外，优选在外侧支撑板29的内周缘部上表面一侧形成有收容内侧支撑板31的环状部32的外周缘部的定位用凹部(台阶部)33。此外，优选在内侧支撑板31的外周缘部下面一侧也形成有凹部(台阶部)34。此时，通过使内侧支撑板31的凹部(台阶部)34与外侧支撑板29的凹部(台阶部)33相结合，而能够使内侧支撑板31和外侧支撑板29重合的重合部的厚度变薄。
根据同样的理由，如图5所示，优选在上述切口部28的边缘部上表面形成有收容封堵部30的边缘部的定位用凹部(台阶部)35，并且在封堵部30的边缘部下面也形成有凹部(台阶部)36。其中，这些凹部(台阶部)33、34、35、36也可以呈圆锥状倾斜而形成(参照图4)。外侧支撑板29的厚度为2～2.5mm左右，内侧支撑板31的厚度同样为2～2.5mm左右。外侧支撑板29和内侧支撑板31因为如图3所示那样重合，所以作为支撑板15全体的厚度薄至2～2.5mm左右。
为了能够在向保持件9的支撑板15上移载晶片w时使晶片w的周缘部被载置在外侧支撑板29的上面，并且在向收纳容器16移载晶片w时使晶片w的周缘部收纳在以规定间隔沿上下方向形成在收纳容器16内的两侧的收纳槽(图示省略)内，优选上述外侧支撑板29的内径以及上述内侧支撑板31的外径形成为分别比晶片w的直径小。
接着，对从保持件9向收纳容器16移载晶片w时的作用进行说明。此时，首先如图3所示，移载机构21使移载板20从保持件9的正面侧(外侧支撑板29的切口部28侧)前方前进(箭头f方向)，插入至上下的支撑板15之间的间隙37。接着，移载机构21通过使移载板20上升(箭头g方向)，而如虚线所示那样，在移载板20上通过内侧支撑板31支撑晶片w。之后，移载机构21在该状态下将晶片w移载至收纳容器16内。之后，移载机构21使移载板20上的内侧支撑板31返回至外侧支撑板29上。
接着，对从收纳容器16将晶片w移载至保持件9的情况进行说明。此时，移载机构21的移载板20首先收取保持件9的内侧支撑板31。接着，移载机构21在移载板20上载置有内侧支撑板31的状态下向收纳容器16的方向移动。接着，移载机构21将收纳容器16内的晶片w载置在该内侧支撑板31上，并将晶片w从收纳容器16取出。之后，移载机构21将晶片w与内侧支撑板31一起移载至保持件9的外侧支撑板29上。
对以上构成的立式热处理装置1的移载机构21的动作以及移载方法更加详细地进行说明。当从收纳容器16向保持件9移载晶片w时，移载机构21首先将移载板20插入到保持件9内的上下的支撑板15之间并且使移载板20上升，由此，载置在外侧支撑板29上的内侧支撑板31移动至移载板20上。移载机构21在该状态下将移载板20插入到收纳容器16内，通过内侧支撑板31将晶片w支撑在移载板20上，从收纳容器16将晶片w取出。移载机构21在该状态下将移载板20插入到保持件9内的上下的支撑板15之间并使其下降，由此，晶片w与内侧支撑板31一起被移载至外侧支撑板29上。由此，在结束晶片w向保持件9的移载(搭载)之后，将保持件9搬入到热处理炉3内，对晶片w进行规定的热处理。对于在实施完该热处理之后，从热处理炉3内将保持件9搬出至作业区域10，从该保持件9将晶片w移载至收纳容器16内时，移载机构21按照与上述顺序相反的顺序对移载板20进行移动操作。
这样，根据上述立式热处理装置1，因为保持件9的支撑板15被分割成具有在进行被处理基板w的移载时能够使移载机构21的移载板20沿上下方向通过的切口部28的外侧支撑板29和载置在外侧支撑板29的内周缘部上并且具有封堵切口部28的封堵部30的内侧支撑板31，所以，能够利用一个或者多个例如5个移载板20进行的一个动作来进行移载作业，能够相对于具有环状支撑板15的保持件9移载多个例如5个晶片w。从而，能够实现移载时间的大幅度缩短，实现生产效率的提高。此外，因为能够利用上述移载机构21进行移载，所以保持件9的环状支撑板15之间的间距p能够从现有技术的16mm左右减小至6mm左右，由此，处理个数能够从现有的50个左右增大至其2～2.6倍的100～130个左右。
接着，参照图6和图7对本实施方式的变形例进行说明。图6是简要表示移载板的变形例的平面图，图7是图6的C-C线截面图。在本实施方式中，对于与图1～图5所示实施方式相同的部分标注同一标号并省略其说明。
在图6以及图7中，在内侧支撑板31上设置有通过从上述移载板20侧吸引空气而将晶片w吸附在内侧支撑板31上的多个吸附部(真空吸附阱(pocket))38。该吸附部38以沿着上下方向贯通内侧支撑板31的方式形成。此外，在移载板20的上面设置有与内侧支撑板31的吸附部38连通连接、吸引空气的多个吸引孔39。移载板20的各吸引孔39分别被设置在与内侧支撑板31的各吸附部38对应的位置。在移载板20的内部形成有从基端部20a侧与吸引孔39连通的吸引通路40。其中，上述吸引通路40经由吸引管与作为吸引源的真空泵连接(省略图示)。根据图6以及图7的实施方式，因为能够通过内侧支撑板31将晶片w真空吸附在移载板20上，所以能够可靠地防止在移载途中晶片w发生脱落。
接着，对本实施方式的其它变形例进行说明。图8是表示支撑板的变形例的立体图，图9是表示在图8的支撑板上载置有晶片的状态的正面图。在本实施方式中，对于与图1～图5所示实施方式相同的部分标注同一标号并省略其说明。
在图8以及图9中，支撑板15被分割为支撑板主体15a和封堵板15b，其中支撑板主体15a具有在进行晶片w的移载时上述移载板20能够在上下方向通过的切口部28，封堵板15b用于封堵上述支撑板主体15a的上述切口部28。此时，如图9所示，优选在上述切口部28的边缘部上表面形成有收容封堵板15b的定位用凹部(台阶部)35，并且在封堵板15b的两端边缘部下面也形成有凹部(台阶部)36。其中，这些凹部(台阶部)35、36也可以形成为圆锥状。
当进行晶片w的移载时，只要晶片w与封堵板15b一起被支撑在移载板20上，在该状态下进行晶片w的移载即可。此时，在移载板20的基部侧通过封堵板15b支撑晶片w的一侧，在移载板20的前端侧支撑晶片w的另一侧。此外，在移载板20上，也可以设置在移载板20的前端一侧直接吸附晶片w，在移载板20的基端一侧经由封堵板15b吸附晶片w的真空吸附部。根据图8以及图9的实施方式，能够得到与上述图1至图5所示实施方式相同的效果。
以上，利用附图对本发明的实施方式以及实施例进行了详细说明，但是本发明并不局限于上述实施方式或者实施例，在不脱离本发明宗旨的范围内可以对其进行种种设计变更等。

Claims (10)

1. 一种立式热处理装置，其特征在于，包括：
下部具有炉口的热处理炉；
密闭所述炉口的盖体；
设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；
使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的升降机构；
位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和
移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板的移载，其中，
所述保持件的所述支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，所述外侧支撑板具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿上下方向通过的切口部，所述内侧支撑板被配置在所述外侧支撑板的内周缘部上，并且具有封堵所述切口部的封堵部。
2. 如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：
所述外侧支撑板的内径和所述内侧支撑板的外径形成为比所述被处理基板的直径小。
3. 如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：
所述移载机构在通过所述内侧支撑板将所述被处理基板支撑在所述移载板上的状态下进行所述被处理基板的移载。
4. 如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：
在所述移载板上表面设置有用于吸引空气的吸引孔，在所述内侧支撑板上设置有通过由所述移载板的吸引孔吸引空气而将所述被处理基板吸附在所述内侧支撑板上的吸附部。
5. 如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：
所述内侧支撑板具有载置在所述外侧支撑板的所述内周缘部上的环状部以及与所述环状部形成为一体并且嵌入所述外侧支撑板的所述切口部的封堵部。
6. 如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：
在所述外侧支撑板的所述内周缘部形成有收容所述内侧支撑板的外周缘部的第一台阶部。
7. 如权利要求6所述的立式热处理装置，其特征在于：
在所述内侧支撑板的所述外周缘部形成有与所述外侧支撑板的所述第一台阶部结合的第二台阶部。
8. 一种立式热处理装置，其特征在于，包括：
下部具有炉口的热处理炉；
密闭所述炉口的盖体；
设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；
使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的升降机构；
位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和
移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板的移载，其中，
所述保持件的所述支撑板被分割为支撑板主体和封堵板，所述支撑板主体具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿上下方向通过的切口部，所述封堵板用于封堵所述支撑板主体的所述切口部。
9. 一种被处理基板移载方法，在立式热处理装置内对被处理基板进行移载，其中，所述立式热处理装置包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭所述炉口的盖体；设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的升降机构；位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板的移载，其中，所述保持件的所述支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，所述外侧支撑板具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿上下方向通过的切口部，所述内侧支撑板被配置在所述外侧支撑板的内周缘部上并且具有封堵所述切口部的封堵部，所述被处理基板移载方法的特征在于，具有下述步骤：
所述移载机构在通过所述内侧支撑板将所述被处理基板支撑在所述移载板上的状态下进行所述被处理基板的移载。
10. 一种被处理基板移载方法，在立式热处理装置内对被处理基板进行移载，其中，所述立式热处理装置包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭所述炉口的盖体；设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处理基板的保持件；使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的升降机构；位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个移载板，并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板的移载，其中，所述保持件的所述支撑板被分割为支撑板主体和封堵板，所述支撑板主体具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿上下方向通过的切口部，所述封堵板用于封堵所述支撑板主体的所述切口部，所述被处理基板移载方法的特征在于，具有下述步骤：
所述移载机构在所述封堵板与所述被处理基板一起被支撑在所述移载板上的状态下进行所述被处理基板的移载。
CN2008100923656A 2007-04-24 2008-04-24 立式热处理装置以及被处理基板移载方法 Expired - Fee Related CN101295628B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-114181 2007-04-24
JP2007114181A JP4313401B2 (ja) 2007-04-24 2007-04-24 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101295628A CN101295628A (zh) 2008-10-29
CN101295628B true CN101295628B (zh) 2013-01-16

Family

ID=39885495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100923656A Expired - Fee Related CN101295628B (zh) 2007-04-24 2008-04-24 立式热处理装置以及被处理基板移载方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7981217B2 (zh)
JP (1) JP4313401B2 (zh)
KR (1) KR101383935B1 (zh)
CN (1) CN101295628B (zh)
TW (1) TWI409908B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI549881B (zh) * 2014-11-14 2016-09-21 Chung King Entpr Co Ltd Substrate storage container and its manufacturing method

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9169554B2 (en) * 2008-05-30 2015-10-27 Alta Devices, Inc. Wafer carrier track
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
WO2010041562A1 (ja) * 2008-10-07 2010-04-15 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよびシステム
US20100098519A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Memc Electronic Materials, Inc. Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment
JP5324231B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
JP5543813B2 (ja) * 2010-03-23 2014-07-09 日東電工株式会社 ワーク搬送方法およびワーク搬送装置
JP6095958B2 (ja) * 2011-12-27 2017-03-15 新光電気工業株式会社 発光装置
CN103187347B (zh) * 2011-12-29 2016-10-05 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种卸载电池硅片的方法
US9099514B2 (en) 2012-03-21 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer holder with tapered region
KR101990533B1 (ko) * 2012-11-06 2019-09-30 주식회사 원익아이피에스 배치식 기판처리장치
DE102012111167A1 (de) * 2012-11-20 2014-05-22 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
FI125222B (en) * 2013-03-22 2015-07-15 Beneq Oy Apparatus for processing two or more substrates in a batch process
CN107112265B (zh) 2015-01-09 2020-12-04 应用材料公司 基板传送机构
KR101718422B1 (ko) * 2015-02-11 2017-04-04 한국지질자원연구원 연속열처리 방식 폐전지 처리장치 및 이를 이용한 리튬계전지로부터 유가금속의 회수방법
KR101905822B1 (ko) * 2017-03-21 2018-10-08 주식회사 유진테크 기판 처리장치
JP2019046941A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置、ウェハ搬送装置、およびウェハ搬送方法
CN112740373B (zh) * 2018-09-20 2024-09-10 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质
JP7245071B2 (ja) * 2019-02-21 2023-03-23 株式会社ジェイテクトサーモシステム 基板支持装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1608313A (zh) * 2001-12-27 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理用舟式容器和立式热处理装置
CN1774607A (zh) * 2004-03-25 2006-05-17 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置和被处理体移送方法
CN1906748A (zh) * 2004-10-19 2007-01-31 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置及其使用方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2630366B2 (ja) * 1989-08-28 1997-07-16 東京エレクトロン株式会社 板状体の搬入搬出方法および搬入搬出装置
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
JP3081025B2 (ja) 1991-07-03 2000-08-28 東京エレクトロン株式会社 ウエハの移載装置
US6217663B1 (en) * 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3265498B2 (ja) * 1996-08-28 2002-03-11 東芝セラミックス株式会社 半導体ウェーハ用縦型炉
JP2000235974A (ja) 1999-02-12 2000-08-29 Toshiba Microelectronics Corp 半導体製造装置
JP2001044260A (ja) 1999-08-02 2001-02-16 Tokyo Electron Ltd 被処理基板搬送装置およびその支持板取外し方法
JP2003031647A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003338531A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハの搬送装置および熱処理装置
US7181132B2 (en) * 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
KR100549273B1 (ko) * 2004-01-15 2006-02-03 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치의 기판홀더
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1608313A (zh) * 2001-12-27 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理用舟式容器和立式热处理装置
CN1774607A (zh) * 2004-03-25 2006-05-17 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置和被处理体移送方法
CN1906748A (zh) * 2004-10-19 2007-01-31 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置及其使用方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平10-70081A 1998.03.10

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI549881B (zh) * 2014-11-14 2016-09-21 Chung King Entpr Co Ltd Substrate storage container and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW200910510A (en) 2009-03-01
CN101295628A (zh) 2008-10-29
JP4313401B2 (ja) 2009-08-12
KR20080095781A (ko) 2008-10-29
US7981217B2 (en) 2011-07-19
JP2008270652A (ja) 2008-11-06
US20080264343A1 (en) 2008-10-30
KR101383935B1 (ko) 2014-04-10
TWI409908B (zh) 2013-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101295628B (zh) 立式热处理装置以及被处理基板移载方法
JP5108557B2 (ja) ロードロック装置および基板冷却方法
CN101667531B (zh) 纵型热处理装置以及基板支承器具
TWI246145B (en) Substrate support mechanism in semiconductor processing system
KR101664939B1 (ko) 로드록 장치
JP4642619B2 (ja) 基板処理システム及び方法
WO2011024762A1 (ja) ロードロック装置及び処理システム
JP2015141994A (ja) 支持機構及び基板処理装置
WO2013172209A1 (ja) クーリング機構及び処理システム
JP2005311306A (ja) 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法
CN101667530A (zh) 处理装置、纵型热处理装置
TW201909321A (zh) 真空搬送模組及基板處理裝置
KR20180111592A (ko) 기판 처리 장치
KR20110028250A (ko) 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템
JP2009099996A (ja) 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法
JP5696612B2 (ja) 熱処理装置
JP2002261148A (ja) 処理システム及び被処理体の予熱方法
TWI700764B (zh) 裝載鎖定裝置中的基板冷卻方法、基板搬運方法及裝載鎖定裝置
KR20210100184A (ko) 기상 성장 장치
JP2005277049A (ja) 熱処理システム及び熱処理方法
TWI770478B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、記錄媒體及基板處理程式
CN113380660A (zh) 基片输送系统和负载锁定模块
KR20210100719A (ko) 기상 성장 장치
JP2011238962A (ja) 載置プレート、基板移載装置および基板処理装置
KR100364089B1 (ko) 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Hagihara Junichi

Inventor before: Hagihara Junichi

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130116

Termination date: 20190424

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee