JP2015141994A - 支持機構及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】蓋体のマニホールドに対する弾性的な当接と、気密保持性とを両立する支持機構を提供すること。【解決手段】 昇降手段を用いた昇降により熱処理炉の炉口の封止又は前記封止の解除を行う蓋体を支持する支持機構であって、前記支持機構は、第１の弾性係数を有する第１の弾性体と、前記第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体と、を有し、前記前記蓋体は、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接する際に、前記第１の弾性体に係る反力が印加され、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接した後に、前記第１の弾性体及び前記第２の弾性体に係る反力が印加される、支持機構。【選択図】図１

Description

本発明は、支持機構及び基板処理装置に関する。
例えば半導体装置の製造においては、被処理体である基板（例えば半導体ウエハ：以下ウエハ）に対して、成膜処理、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理が施される。一般的に、これらの処理は、複数枚のウエハをバッチ式で処理可能な、ヒータ装置を有する縦型の基板処理装置で実施される。
基板処理装置は、一般的に、前工程から基板処理装置へと搬送される基板を収納する密閉型収納容器（例えば、ＦＯＵＰ）と、処理中にウエハが収納されるウエハボートと、の間でウエハの移載を行うローディングエリアを有する。このローディングエリアの上部空間には、プロセスチューブ（処理容器）及びヒータ装置が設けられており、ウエハが収納されたウエハボートは、昇降機構を介してプロセスチューブ内へと配置される。
ウエハボートの下方には、一般的に、基板処理中のヒータ装置内の気密を保持するために、プロセスチューブの開口部側に設けられたマニホールドをキャップする蓋体が、ウエハボートと一体的に形成されている。蓋体によりマニホールドをキャップする際には、キャップがマニホールドに対して弾性的に当接することが求められる。また、当接後には、気密保持性の観点から、キャップは所定の密着度を有してマニホールドに密着させる必要がある（例えば、特許文献１参照）。
特開平５−２１４２１号公報
しかしながら、特許文献１の方法では、蓋体のマニホールドに対する弾性的な当接と、気密保持性とを両立することは困難であった。
上記課題に対して、蓋体のマニホールドに対する弾性的な当接と、気密保持性とを両立する支持機構を提供する。
昇降手段を用いた昇降により熱処理炉の炉口の封止又は前記封止の解除を行う蓋体を支持する支持機構であって、前記支持機構は、
第１の弾性係数を有する第１の弾性体と、
前記第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体と、
を有し、
前記蓋体は、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接する際に、前記第１の弾性体に係る反力が印加され、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接した後に、前記第１の弾性体及び前記第２の弾性体に係る反力が印加される、支持機構。
蓋体のマニホールドに対する弾性的な当接と、気密保持性とを両立する支持機構を提供できる。
本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略構成図である。 本実施形態に係る熱処理炉の一例の概略構成図である。 従来の支持機構近傍の概略構成図である。 第１の実施形態に係る支持機構近傍の概略構成図である。 第１の実施形態に係る支持機構の効果の一例を説明するための概略図である。 第２の実施形態に係る支持機構の効果の一例を説明するための概略図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。先ず、本実施形態に係る基板処理装置の一例の全体概略構成について、図１及び図２を用いて説明し、その後、本実施形態に係る蓋体４３及び支持機構５０近傍の概略構成について、図３乃至図６を参照して説明する。なお、図２においては、説明の容易性の目的で、蓋体４３近傍の構成を概略的に示している。
（基板処理装置）
図１に、本実施形態に係る基板処理装置の一例の概略縦断面図を示す。なお、図１においては、説明のために、Ｘ軸方向を前後方向の前方向とし、ｚ軸方向を上下方向（又は昇降方向）の上方向として、説明する。また、図２に、本実施形態に係る熱処理炉の一例の概略構成図を示す。
基板処理装置１０は、載置台（ロードポート）２０、筐体３０及び制御部１２０を有する。
載置台２０は、筐体３０内の前方に設けられ、筐体３０内へのウエハＷの搬入搬出を行うためのものである。載置台２０は、複数枚例えば２５枚程度のウエハＷを所定の間隔で収納可能な密閉型収納容器（ＦＯＵＰ、基板搬送機器とも称される）２１、２２が、Ｚ軸方向又はＹ軸方向に整列して載置可能に構成される。図１に示す例では、密閉型収納容器２１、２２は、Ｚ軸方向に２つ設けられている例を示している。
密着型収納容器２１、２２は、前工程から基板処理装置１０の後述するローディングエリア４０へとウエハＷを搬入する又は基板処理装置１０から後工程へとウエハＷを搬出するための収納容器であり、前面に図示しない蓋を着脱可能に備える。
また、載置台２０の下方には、後述する移載機構４７により移載されたウエハＷの外周に設けられた切欠部（例えばノッチ）を一方向に揃えるための整列装置（アライナ）２３が設けられていても良い。
載置台２０の後方領域には、作業領域であるローディングエリア４０が設けられている。ローディングエリア４０は、密閉型収納容器２１、２２と、後述するウエハボート４４との間でウエハＷの移載を行う領域である。また、ローディングエリア４０の上方には、ウエハボート４４に収納されたウエハＷに対して、各種熱処理を実施する熱処理炉６０が設けられている。なお、ローディングエリア４０と熱処理炉６０との間には、ベースプレート３１が設けられている。
前述したように、ローディングエリア４０は、密閉型収納容器２１、２２と、後述するウエハボート４４との間でウエハＷの移載を行う領域である。ローディングエリア４０は、ドア機構４１、シャッター機構４２、蓋体４３、ウエハボート４４、移載機構４７及び昇降機構４８等が設けられている。
ドア機構４１は、密閉型収納容器２１、２２の図示しない蓋を取外して、密閉型収納容器２１、２２内をローディングエリア４０内に連通開放するためのものである。
シャッター機構４２は、ローディングエリア４０の上方領域であって、ベースプレート３１の下方側に設けられている。シャッター機構４２は、炉口６８から炉内の熱がローディングエリア４０に放出されるのを制御するために、蓋体４３を開けている（即ち、蓋体４３が降下している）場合に炉口６８を塞ぐように設けられている。
蓋体４３は、ウエハボート４４の下方側に、ウエハボート４４と一体的に設けられている。より具体的には、ウエハボート４４の下方側には、ウエハボート４４が蓋体４３側との伝熱により冷却されることを防止するために、保温筒４９が設けられている。そして、保温筒４９の下方には、例えばステンレススチールよりなるテーブル９２が固定されており、このテーブル９２の下方に設けられた軸９０の下方に、蓋体４３が設けられている。
また、蓋体４３の下方側には、蓋体４３を支持するための支持機構５０が設けられいる。蓋体４３を支持する支持機構５０の詳細については、後述する。なお、蓋体４３の上方に載置されているウエハボート４４は、処理容器６５内でウエハＷを水平面内で回転可能に保持することができる。
ウエハボート４４は、例えば、石英製であり、大口径例えば直径４５０ｍｍ又は３００ｍｍ等のウエハＷを、水平状態で上下方向に所定の間隔で搭載するように構成されている。一般的に、ウエハボート４４に収容されるウエハＷの枚数は、限定されないが、例えば５０〜１５０枚程度である。なお、図１では、基板処理装置１０が、ウエハボート４４を１つ有する構成について示したが、複数のウエハボート４４を有する構成であっても良い。
移載機構４７は、密閉型収納容器２１、２２と、ウエハボート４４との間でウエハＷの移載を行うためのものである。移載機構４７は、基台５７、昇降アーム５８、及び、複数のフォーク（移載板）５９を有する。基台５７は、昇降及び旋回可能に設けられている。昇降アーム５８は、昇降可能に設けられ、基台５７は、昇降アーム５８に水平旋回可能に設けられている。
昇降機構４８は、例えばボートエレベータであり、ウエハＷが移載されたウエハボート４４を、ローディングエリア４０から熱処理炉６０に対して搬出入する際において、ウエハボート４４（及び蓋体４３）を昇降駆動する。昇降機構４８は、支持機構５０と係合しており、支持機構５０を介してウエハボート４４及び蓋体４３を昇降駆動することができる。そして、昇降機構４８によって上昇した蓋体４３は、後述するマニホールド８４の下端部の開口部に設けられたキャップ部８６と当接して、炉口６８を密閉するように設けられている。蓋体４３とキャップ部８６との間には、Ｏリング等のシール部材９４が設けられている。
また、ウエハＷの各種処理が終了した後は、ウエハボート４４をローディングエリア４０の下方領域へと下降させる。即ち、昇降機構４８は、ウエハボート４４を、熱処理炉６０内に位置するロード位置（図２のウエハボート４４の位置参照）と、熱処理炉６０外に位置し、ロード位置の下方に位置するアンロード位置（図１のウエハボート４４の位置参照）との間で昇降させることができる。なお、本実施形態に係る蓋体４３による炉口６８の密閉の詳細については、本実施形態に係る支持機構５０の構造と共に、後述する。
熱処理炉６０は、複数枚のウエハＷを収容して、所定の熱処理を施すためのバッチ型縦型炉であり、処理容器６５を備えている。処理容器６５は、後述するマニホールド８４（図２参照）を介してベースプレート３１に支持されている。
次に、本実施形態に係る基板処理装置１０の熱処理炉６０部分の詳細な構成例について、図２を参照して説明する。
図２に示す例では、縦型の熱処理炉６０は、長手方向が垂直である処理容器６５と、処理容器６５の外周側に処理容器６５を囲むように設けられたヒータ装置７０と、を有する。
処理容器６５は、有天井の外筒８０と、この外筒８０の内周側に同心的に配置された円筒体の内筒８２とを有する、２重管構造で構成される。
外筒８０及び内筒８２は、石英等の耐熱性材料から形成される。また、外筒８０及び内筒８２は、ステンレススチール等から形成されるマニホールド８４によって、その下端部が保持される。
マニホールド８４の下端部の開口部には、例えばステンレススチール等からなる円環状のキャップ部８６が、Ｏリング等のシール部材８８を介して気密防止可能に取り付けられている。この円環状のキャップ部８６の中心の開口部が、熱処理炉６０の炉口に対応する。
熱処理炉６０には、処理容器６５内に処理ガスを導入するための、ガス導入手段９６が設けられる。ガス導入手段９６は、マニホールド８４を気密に貫通するように設けられたガスノズル１００を有する。なお、図２に示す例は、ガス導入手段９６が１つ設置される構成を示したが、本発明はこの点において限定されない。使用するガス種の数等に応じて、複数のガス導入手段９６を有する構成であっても良い。また、ガスノズル１００から処理容器６５へと導入されるガスは、図示しない流量制御機構により、流量制御される。
また、熱処理炉６０には、ガス出口１０２が設けられており、ガス出口１０２には、排気系１０４が連結される。排気系１０４には、ガス出口１０２に接続された排気通路１０６と、排気通路１０６の途中に順次接続された圧力調整弁１０８及び真空ポンプ１１０を含む。排気系１０４により、処理容器６５内の雰囲気を圧力調整しながら排気することができる。
処理容器６５の外周側には、処理容器６５を囲むようにして、ウエハＷ等の被処理体に熱処理を施すヒータ装置７０が設けられる。
ヒータ装置７０は、筒体の断熱壁体７２を有する。断熱壁体７２は、例えば、熱伝導性が低く、柔らかい無定形のシリカ及びアルミナの混合物等から形成することができる。
断熱壁体７２は、その内周面が処理容器６５の外周面に対して所定の距離離間するように配置される。また、断熱壁体７２の外周には、例えば、ステンレススチール等から形成される保護カバー７４が、断熱壁体７２の外周全体を覆うように取り付けられている。
断熱壁体７２の内周面側には、ヒータエレメント７６が複数回巻回して設けられている。例えば、ヒータエレメント７６は、筒体の断熱壁体７２の中心軸を軸として、螺旋状に形成されている。
また、断熱壁体７２には、ヒータエレメント７６を所定のピッチで保持するために、図示しない保持部材が、断熱壁体７２の軸方向に沿って設けられていても良い。もしくは、断熱壁体７２の内周側に、ヒータエレメント７６を保持するための溝部が設けられ、この溝部にヒータエレメント７６が収容される構成であっても良い。
ヒータ装置７０は、一般的に、その軸方向においてゾーン分割され、各ゾーン毎に温度制御できる構成になっている。
また、本実施形態に係る基板処理装置１０は、制御部１２０を有する。制御部１２０は、例えば、演算処理部、記憶部及び表示部を有する。演算処理部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するコンピュータである。記憶部は、演算処理部に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、例えばハードディスクにより構成されるコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。表示部は、例えばコンピュータの画面よりなる。演算処理部は、記憶部に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに従って、基板処理装置を構成する各部に制御信号を送り、各種熱処理を実行する。
（第１の実施形態）
次に、本実施形態に係る蓋体４３及び支持機構５０近傍の実施形態例について、図を参照して説明する。
［従来の支持機構４５０の問題点］
先ず、従来の支持機構４５０を用いた、蓋体による炉口の封止の問題点について、図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照して説明する。図３（ａ）〜図３（ｃ）に、従来の支持機構４５０近傍の概略構成図を示す。図３（ａ）は、昇降機構４８による蓋体４３の上昇において、蓋体４３がキャップ部８６に当接する前の概略図であり、図３（ｂ）は、蓋体４３がキャップ部８６に当接した直後の概略図であり、図３（ｃ）は、蓋体４３が炉口６８を十分に封止した状態の概略図である。
なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）においては、説明の簡略化のために、マニホールド８４のキャップ部８６より上方の構成、及び、蓋体４３より上方の構成については、省略して示している。
先ず、従来の支持機構４５０は、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、一方の端部が蓋体４３を接するバネ部材等の弾性部材４５２ａ、ｂと、各々の弾性部材４５２ａ、ｂの他方の端部に接する、弾性部材４５２ａ、ｂを支持する支持部材４５４（キャップベースとも呼ばれる）とを有する。
弾性部材４５２ａ、ｂは、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す例では、蓋体４３に対して２箇所に設けられているが、限定されず、蓋体４３の周に沿って例えば３箇所又はそれ以上設けられていても良い。そして、各々の弾性部材４５２ａ、ｂは、弾性係数が同じものが使用される。
支持部材４５４は、その下方側に搬送機構４８が設けられ、支持部材４５４を介して、蓋体４３及び弾性部材４５２ａ、ｂが昇降される。
従来の支持機構４５０においては、蓋体４３により炉口６８を確実に封止するために、全ての弾性部材４５２ａ、ｂの弾性係数は、シール部材９４を十分に潰す押圧力に対応する値に設計される。そのため、図３（ａ）に示す蓋体４３がキャップ部８６に当接する前の状態においても、蓋体４３には、前記押圧力の反力が印加されている。特に、近年、直径４５０ｍｍ又は３００ｍｍ等の大口径のウエハが求められており、その要求に対応して、ウエハＷの重量も増大している。即ち、蓋体４３の上方の負荷（ウエハＷが収納されたウエハボート４４の重量等）が大きくなっており、それに伴い、蓋体４３により炉口６８を確実に封止するために、全ての弾性部材４５２ａ、ｂの弾性係数は大きくなっている。
弾性部材４５２ａ、ｂの弾性係数が、炉口６８を確実に封止する程度に大きい状態で、蓋体４３を更に上昇させて、図３（ｂ）に示すように蓋体４３をキャップ部８６に当接させた場合、蓋体４３を弾性的に（又はソフトタッチで又は緩やかに）キャップ部８６に当接することができない。
蓋体４３を弾性的にキャップ部８６に当接させる案としては、昇降機構４８の上昇速度を遅くすることが考えられるが、この場合、スループットが低くなる。また、弾性部材４５２ａ、ｂを支持機構５０への組み込み時において、撓み量を少なくすること等も考えられるが、この場合、蓋体４３の厚みを大きくする必要があり、装置高さが高くなる。また、蓋体４３によるキャップクローズに要する時間が増えるため、スループットが低くなる。
なお、従来の支持機構４５０を使用した場合であっても、図３（ｃ）に示すように、シール部材９４を十分に潰すことにより、蓋体４３によって炉口６８を確実に封止することができる。
本発明者らは、従来技術に対する問題点を鋭意検討した結果、第１の弾性係数を有する第１の弾性体と、第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体とを含む支持機構を使用し、各々の弾性体からの反力が蓋体に印加されるタイミングを制御することにより、弾性的な当接と、気密保持性とを両立できることを見出した。
即ち、本実施形態に係る支持機構は、
昇降手段を用いた昇降により熱処理炉の炉口の封止又は前記封止の解除を行う蓋体を支持する支持機構であって、前記支持機構は、
第１の弾性係数を有する第１の弾性体と、
前記第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体と、
を有し、
前記蓋体は、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接する際に、前記第１の弾性体に係る反力が印加され、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接した後に、前記第１の弾性体及び前記第２の弾性体に係る反力が印加される。
本実施形態に係る支持機構の詳細については、下記に具体的な実施形態を挙げて、図を参照して説明する。
［第１の実施形態に係る支持機構５０ａの構成］
第１の実施形態に係る支持機構５０ａの構成例及び効果について、図４及び図５を参照して説明する。図４に、第１の実施形態に係る支持機構近傍の概略構成図を示す。
第１の実施形態に係る支持機構５０ａは、第１の弾性体と第２の弾性体が、昇降方向において並列に整列され、具体的には、
蓋体４３に対して下方に離間して設けられ、前記昇降機構の昇降に対応して昇降可能な第１の支持部材２０２と、
一方の端部が前記蓋体４３に接し、他方の端部が前記第１の支持部材２０２の前記蓋体４３に対向する第１の面２０２ａに接する、第１の弾性係数を有する第１の弾性体２０４と、
一方の端部が前記第１の支持部材２０２の第１の面２０２ａに接し、前記第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体２０６と、
を有する。
そして、前記蓋体４３は、前記昇降手段４８によって上昇した前記蓋体４３が前記炉口６８に当接する際に、第１の弾性体２０４に係る反力が印加され、前記昇降手段４８によって上昇した前記蓋体４３が前記炉口６８に当接した後に、前記第２の弾性体２０６及び前記第１の弾性体２０４に係る反力が印加される。
なお、「前記昇降手段４８によって上昇した前記蓋体４３が前記炉口６８に当接した後に、前記第２の弾性体２０６に係る反力が印加される」とは、「蓋体４３が前記炉口６８に当接する際（又はその前）には、例えば図４のクリアランスＤ１により、蓋体４３に第２の弾性体２０６に係る反力が印加されないことを意味する。
第１の実施形態に係る支持機構５０ａの効果について、図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照して説明する。図５（ａ）〜図５（ｃ）に、第１の実施形態に係る支持機構５０ａの効果の一例を説明するための概略図を示す。図５（ａ）は、昇降機構４８による蓋体４３の上昇において、蓋体４３がキャップ部８６に当接する前の概略図であり、図５（ｂ）は、蓋体４３がキャップ部８６に当接した後であって、第２の弾性体２０６が蓋体４３に当接する直前の概略図であり、図５（ｃ）は、蓋体４３が炉口６８を十分に封止した状態の概略図である。
なお、図５（ａ）〜（ｃ）では、図４に示す第１の弾性体２０４及び第２の弾性体２０６が、蓋体４３の周方向に沿って２つずつ配置される例について示し、各々、第１の弾性体２０４ａ、ｂ、第２の弾性体２０６ａ、ｂと示す。しかしながら、本発明はこの点において限定されず、図４に示す第１の弾性体２０４、第２の弾性体２０６は、蓋体４３の周方向に沿って３つ以上、例えば６つずつ配置されても良い。
図５（ａ）に示すように、蓋体４３が炉口６８を封止していない場合には、第２の弾性体２０６ａ、ｂは、蓋体４３に対して離間している（クリアランスＤ１参照）。即ち、第２の弾性体２０６ａ、ｂは、蓋体４３と接していない。そのため、図５（ａ）に示す状態では、蓋体４３には、第１の弾性体２０４ａ、ｂに対応する反力が印加されるが、第２の弾性体２０６ａ、ｂに対応する反力は印加されていない。
この図５（ａ）に示す状態から、昇降機構４８により第１の支持部材２０２及び蓋体４３を上昇させると、第１の弾性体２０４ａ、ｂのみの弾性係数に対応して、蓋体４３がキャップ部８６に当接される。そのため、本実施形態に係る支持機構５０ａにより、蓋体４３を、弾性的に（又はソフトタッチで又は緩やかに）キャップ部８６へと当接することができる。
蓋体４３がキャップ部８６に当接した状態で、昇降機構４８により更に第１の支持部材２０２を上昇させると、この上昇幅に対応して、第１の弾性体２０４ａ、ｂが撓む。そして、第１の支持部材２０２が、クリアランスＤ１と等しい上昇幅で上昇した段階で、図５（ｂ）に示すように、第２の弾性体２０６ａ、ｂが、蓋体４３に接する。
この図５（ｂ）に示す状態から、昇降機構４８により更に支持機構５０ａを上昇させると、蓋体４３には、第１の弾性係数及び第２の弾性係数の和に対応する反力が印加される。その結果、シール部材９４を十分に潰すことができ、蓋体４３によって炉口６８を気密性良く封止することができる。
第１の弾性体２０４ａ、ｂの第１の弾性係数としては、蓋体４３（及びシール部材９４）を、弾性的に（又はソフトタッチで又は緩やかに）キャップ部８６へと当接することができれば、シール部材９４の材料や昇降機構４８による昇降速度に応じて当業者が選択することができる。具体的には、例えば、蓋体４３上の負荷が３０〜３００ｋｇｆの範囲内である場合、３５〜４００ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲内とすることができる。
また、第２の弾性体２０６ａ、ｂの第２の弾性係数は、第１の弾性体２０４ａ、ｂの１の弾性係数の和が、シール部材９４を十分に潰すことができる値であれば、特に制限はなく、シール部材９４の材料や昇降機構４８による昇降速度に応じて当業者が選択することができる。具体的には、例えば、蓋体４３上の負荷が１００〜１５００ｋｇｆの範囲内である場合、例えば、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲内とすることができる。
また、第１の弾性係数に対する第２の弾性係数の比の値としては、好ましくは、２〜５の範囲内、より好ましくは２〜１０の範囲内、さらに好ましくは２〜２０の範囲内である。
また、第１の弾性体２０４ａ、ｂ及び第２の弾性体２０６ａ、ｂは、好ましくはコイル状のバネ部材を使用することが好ましい。
クリアランスＤ１としては、特に制限はなく、例えば１〜２０ｍｍの範囲内とすることができる。
本実施形態に係る支持機構５０ａは、図４に示すように、軸２０８及びブッシュガイド２１０を有することが好ましい。
軸２０８は、第１の弾性体２０４ａ、ｂ及び第２の弾性体２０６ａ、ｂの、軸直角方向への伸縮を抑制又は低減し、軸方向への伸縮をガイドする部材である。
好ましくは、コイル状のバネ部材の第１の弾性体２０４ａ、ｂの各々の内周側に、コイル状のバネ部材の第２の弾性体２０６ａ、ｂが配置され、第２の弾性体２０６ａ、ｂの各々の内周側に、軸２０８が配置される。
また、ブッシュガイド２１０は、軸２０８の外周側に、軸２０８と接して配置される部材であり、軸２０８の軸方向長さよりも短く構成される。これにより、軸２０８の軸方向長さと、ブッシュガイド２１０の前記軸方向長さの差が、第１の弾性体２０４ａ、ｂ及び第２の弾性体２０６ａ、ｂの、最大収縮量となる。
以上、第１の実施形態に係る支持機構５０ａは、蓋体４３をキャップ部８６へと弾性的に当接させるための第１の弾性体２０４と、蓋体４３をキャップ部８６へと気密的に封止するための第２の弾性体２０６とを有する。これにより、蓋体４３のマニホールドに対する弾性的な当接と、気密保持性とを両立することができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る支持機構５０ｂについて、図６（ａ）〜図６（ｄ）を参照して説明する。図６（ａ）〜図６（ｄ）に、第２の実施形態に係る支持機構５０ｂの効果の一例を説明するための概略図を示す。なお、図６（ａ）〜図６（ｄ）においては、支持機構５０ｂにおける必須の構成以外の構成要素については、省略して示している。
第２の実施形態に係る支持機構５０ｂは、弾性係数が異なる２種類の弾性体が、昇降方向に直列に配置される点で、第１の実施形態とは異なる。
より具体的には、第２の実施形態に係る支持機構５０ｂは、
蓋体４３に対して下方に離間して設けられ、前記昇降機構４８の昇降に対応して昇降可能な第２の支持部材３０２と、
前記第２の支持部材３０２に対して下方に離間して設けられ、前記昇降機構４８の昇降に対応して昇降可能な第３の支持部材３０４と、
前記第２の支持部材３０２と前記第３の支持部材３０４との間に設けられる基部３０６ａと、前記基部３０６ａと前記蓋体４３との間の距離が所定の距離となるように前記基部３０６ａと前記蓋体４３とを接続する接続部３０６ｂとを有する、第４の支持部材３０６と、
一方の端部が前記蓋体４３に接し、他方の端部が前記第２の支持部材３０２の前記蓋体に対向する第２の面３０２ａに接する、第３の弾性係数を有する第３の弾性体３０８ａ、ｂと、
一方の端部が前記第３の支持部材３０４の前記基部３０６ａと対向する第３の面３０４ａに接し、前記第３の弾性係数よりも弾性係数が大きい第４の弾性係数を有する第４の弾性体３１０と、
を有する。
そして、前記蓋体４３は、前記昇降手段４８によって上昇した前記蓋体４３が前記炉口６８に当接する際に、第３の弾性体３０８ａ、ｂに係る反力が印加され、前記昇降手段４８によって上昇した前記蓋体４３が前記炉口６８に当接した後に、前記第４の弾性体３１０ａ、ｂ及び前記第３の弾性体３０８ａ、ｂに係る反力が印加される。
第２の実施形態に係る支持機構５０ｂの効果について、改めて図６（ａ）〜図６（ｄ）を参照して説明する。図６（ａ）は、昇降機構４８による蓋体４３の上昇において、蓋体４３がキャップ部８６に当接する前の概略図であり、図６（ｂ）は、蓋体４３がキャップ部８６に当接する直前（又は直後）の概略図であり、図６（ｃ）は、蓋体４３がキャップ部８６に当接した後であって、第４の弾性体３１０が第２の支持部材３０２に当接する直前の概略図であり、図６（ｄ）は、蓋体４３が炉口６８を十分に封止した状態の概略図である。
図６（ａ）に示すように、蓋体４３が炉口６８を封止していない場合には、第４の弾性体３１０ａ、ｂは、基部３０６ａに対して離間している（所定のクリアランスＤ２を有している）。一方、第３の弾性体３０８ａ、ｂは、蓋体４３に直接接している。そのため、図６（ａ）に示す状態では、蓋体４３には、第３の弾性体３０８ａ、ｂに係る反力のみが印加される。別の言い方をすると、図６（ａ）に示す状態では、蓋体４３には、第４の弾性体３１０ａ、ｂに係る反力は印加されていない。
この図６（ａ）に示す状態から、昇降機構４８により蓋体４３、第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４を上昇させて図６（ｂ）に示すように蓋体４３がキャップ部８６に当接させる。この図６（ｂ）に示す状態では、第１の実施形態と同様に、蓋体４３には、第３の弾性体３０８ａ、ｂに係る反力のみが印加される。そのため、蓋体４３のシール部材９４を介したキャップ部８６への当接は、弾性的に（又はソフトタッチで又は緩やかに）実施される。即ち、本実施形態に係る支持機構５０ｂにより、蓋体４３を、弾性的に（又はソフトタッチで又は緩やかに）キャップ部８６へと当接することができる。
図６（ｂ）に示す蓋体４３がキャップ部８６に当接した状態で、昇降機構４８により更に第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４を上昇させる（蓋体４３は、シール部材９４の潰れ量に対応する分だけ上昇する）。第２の支持部材３０２の上昇によって、この上昇量に対応して、第３の弾性体３０８ａ、ｂが撓み、そして、第３の支持部材３０４の上昇によって、この上昇量に対応して、第３の弾性体３１０ａ、ｂの上端が基部３０６ａへと近づく。なお、第４の支持部材３０６の基部３０６ａと、蓋体４３との間の距離は、接続部３０６ｂの長さに対応して、常に一定の距離に維持されている。
そして、図６（ｃ）に示すように、第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４の前記上昇量が、クリアランスＤ２の長さに達した時点で、第４の弾性体３１０ａ、ｂが基部３０６ａに当接する。これにより、蓋体４３には、第３の弾性体３０８ａ、ｂ及び第４の弾性体３１０ａ、ｂの両方に係る反力が印加される。なお、図６（ｃ）には、説明のために、図６（ｂ）における第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４の位置を、破線で示している。
図６（ｃ）で示した第４の弾性体３１０ａ、ｂが基部３０６ａへと当接した後、更に、第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４を、例えば幅Ｄ３（図６（ｄ））だけ上昇させる。その結果、シール部材９４を、第３の弾性体３０８ａ、ｂ及び第４の弾性体３１０ａ、ｂの両方に係る反力によって、十分に潰すことができる、即ち、蓋体４３によって炉口６８を気密性良く封止することができる。なお、図６（ｄ）には、説明のために、図６（ｃ）における第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４の位置を、破線で示している。
なお、第３の弾性体３０８ａ、ｂの第３の弾性係数に関する好ましい範囲は、第１の実施形態の第１の弾性体２０４ａ、ｂの第１の弾性係数と同様である。また、第４の弾性体３１０ａ、ｂの第４の弾性係数に関する好ましい範囲は、第１の実施形態の第２の弾性体２０６ａ、ｂの第２の弾性係数と同様である。
また、第２の実施形態に係る支持機構５０ｂにおいても、図示しない軸及びブッシュガイドを配置する構成であっても良い。
クリアランスＤ２としては、特に制限はなく、クリアランスＤ１と同様に、例えば１〜２０ｍｍの範囲内とすることができる。
さらに、図６においては、第３の弾性体３０８ａ、ｂ及び第４の弾性体３１０ａ、ｂに示されるように、第３の弾性体及び第４の弾性体が、各々、蓋体４３の周方向に沿って２つずつ配置される例について示したが、本発明はこの点において限定されず、例えば、蓋体４３の周方向に沿って、３つ以上ずつ、例えば６つずつ配置される構成であっても良い。
以上、第２の実施形態に係る支持機構５０ｂは、蓋体４３をキャップ部８６へと弾性的に当接させるための第１の弾性体２０４と、蓋体４３をキャップ部８６へと気密的に封止するための第２の弾性体２０６とを有する。これにより、蓋体４３のマニホールドに対する弾性的な当接と、気密保持性とを両立することができる。
１０ 基板処理装置
２０ 載置台
３０ 筐体
３１ ベースプレート
４０ ローディングエリア
４３ 蓋体
４４ ウエハボート
４７ 移載機構
４８ 昇降機構
４８ 搬送機構
４９ 保温筒
５０ 支持機構
５８ 昇降アーム
６０ 熱処理炉
６５ 処理容器
６８ 炉口
７０ ヒータ装置
８４ マニホールド
８６ キャップ部
８８ シール部材
９０ 軸
９２ テーブル
９４ シール部材
１２０ 制御部
２０２ 第１の支持部材
２０４ 第１の弾性体
２０６ 第２の弾性体
２０８ 軸
２１０ ブッシュガイド
３０２ 第２の支持部材
３０４ 第３の支持部材
３０６ 第４の支持部材
３０８ 第３の弾性体
３１０ 第４の弾性体
また、第２の弾性体２０６ａ、ｂの第２の弾性係数は、第１の弾性体２０４ａ、ｂの第１の弾性係数との和が、シール部材９４を十分に潰すことができる値であれば、特に制限はなく、シール部材９４の材料や昇降機構４８による昇降速度に応じて当業者が選択することができる。具体的には、例えば、蓋体４３上の負荷が１００〜１５００ｋｇｆの範囲内である場合、例えば、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲内とすることができる。
図６（ｂ）に示す蓋体４３がキャップ部８６に当接した状態で、昇降機構４８により更に第２の支持部材３０２及び第３の支持部材３０４を上昇させる（蓋体４３は、シール部材９４の潰れ量に対応する分だけ上昇する）。第２の支持部材３０２の上昇によって、この上昇量に対応して、第３の弾性体３０８ａ、ｂが撓み、そして、第３の支持部材３０４の上昇によって、この上昇量に対応して、第４の弾性体３１０ａ、ｂの上端が基部３０６ａへと近づく。なお、第４の支持部材３０６の基部３０６ａと、蓋体４３との間の距離は、接続部３０６ｂの長さに対応して、常に一定の距離に維持されている。

Claims (6)

  1. 昇降手段を用いた昇降により熱処理炉の炉口の封止又は前記封止の解除を行う蓋体を支持する支持機構であって、前記支持機構は、
    第１の弾性係数を有する第１の弾性体と、
    前記第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体と、
    を有し、
    前記蓋体は、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接する際に、前記第１の弾性体に係る反力が印加され、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接した後に、前記第１の弾性体及び前記第２の弾性体に係る反力が印加される、支持機構。
  2. 前記蓋体に対して下方に離間して設けられ、前記昇降手段の昇降に対応して昇降可能な第１の支持部材を更に有し、
    前記第１の弾性体は、一方の端部が前記蓋体に接し、他方の端部が前記第１の支持部材の前記蓋体に対向する第１の面に接し、
    前記第２の弾性体は、一方の端部が前記第１の支持部材の第１の面に接する、
    請求項１に記載の支持機構。
  3. 前記蓋体に対して下方に離間して設けられ、前記昇降手段の昇降に対応して昇降可能な第２の支持部材と、
    前記第２の支持部材に対して下方に離間して設けられ、前記昇降手段の昇降に対応して昇降可能な第３の支持部材と、
    前記第２の支持部材と前記第３の支持部材との間に設けられる基部と、前記基部と前記蓋体との間の距離が所定の距離となるように前記基部と前記蓋体とを接続する接続部と、を有する第４の支持部材と、
    を更に有し、
    前記第１の弾性体は、一方の端部が前記蓋体に接し、他方の端部が前記第２の支持部材の前記蓋体に対向する第２の面に接し、
    前記第２の弾性体は、一方の端部が前記第３の支持部材の前記基部と対向する第３の面に接する、
    請求項１に記載の支持機構。
  4. 前記第１の弾性係数は、３５〜４００ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲内であり、
    前記第２の弾性係数は、１００〜１５００ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲内である、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の支持機構。
  5. 前記第１の弾性係数の前記第２の弾性係数に対する比の値は、２〜２０の範囲内である、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の支持機構。
  6. 熱処理炉と、
    前記熱処理炉の炉口の封止又は前記封止の解除を行う蓋体と、
    前記蓋体を支持する支持機構と
    前記支持機構を介して前記蓋体を昇降する昇降手段と、
    を有し、
    前記支持機構は、
    第１の弾性係数を有する第１の弾性体と、
    前記第１の弾性係数よりも弾性係数が大きい第２の弾性係数を有する第２の弾性体と、
    を有し、
    前記蓋体は、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接する際に、前記第１の弾性体に係る反力が印加され、前記昇降手段によって上昇した前記蓋体が前記炉口に当接した後に、前記第１の弾性体及び前記第２の弾性体に係る反力が印加される、支持機構と、
    を有する基板処理装置。
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Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
CN205980793U (zh) * 2016-08-12 2017-02-22 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种低压扩散炉炉门密封装置
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102652784B1 (ko) 2019-02-20 2024-03-28 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치 및 노구 폐색 유닛 및 반도체 장치의 제조 방법
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
JP7339853B2 (ja) * 2019-10-31 2023-09-06 株式会社ジェイテクトサーモシステム 熱処理装置
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5316251Y2 (ja) * 1973-03-30 1978-04-28
US4523885A (en) * 1982-04-29 1985-06-18 Heraeus Quarzschmelze Gmbh Apparatus for loading magazines into furnaces
JPS6291439U (ja) * 1985-11-27 1987-06-11
US4752219A (en) * 1984-10-04 1988-06-21 Btu Engineering Corporation Wafer softlanding system and cooperative door assembly
JPH03151632A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハの熱処理炉
JPH0521421A (ja) * 1991-07-11 1993-01-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2004319979A (ja) * 2003-03-28 2004-11-11 Asahi Glass Co Ltd 半導体熱処理装置
US20070080156A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat treatment equipment and method of driving the same
JP2010238900A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Materials Corp 回路基板接合治具及び回路基板の製造方法
JP2011166112A (ja) * 2010-01-12 2011-08-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2685750B1 (fr) * 1991-12-27 1994-04-01 Propulsion Ste Europeenne Vanne a joint retractable a double elasticite.
JP2548062B2 (ja) * 1992-11-13 1996-10-30 日本エー・エス・エム株式会社 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
JPH09148261A (ja) 1995-11-16 1997-06-06 Kokusai Electric Co Ltd 縦型炉の炉口部構造
US5796074A (en) * 1995-11-28 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Wafer heater assembly
JP2002261081A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Asm Japan Kk 半導体ウエハのエッチング装置及び方法
JP2002359237A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003017543A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
JP4342765B2 (ja) 2002-04-18 2009-10-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2004311509A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2010073955A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 富士電機ホールディングス株式会社 可撓性基板の処理装置
CN102135751B (zh) * 2010-01-27 2014-08-20 京瓷办公信息系统株式会社 处理单元定位装置以及具有该装置的图像形成装置
JP5606174B2 (ja) * 2010-01-27 2014-10-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および反応室の閉塞方法。

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5316251Y2 (ja) * 1973-03-30 1978-04-28
US4523885A (en) * 1982-04-29 1985-06-18 Heraeus Quarzschmelze Gmbh Apparatus for loading magazines into furnaces
US4752219A (en) * 1984-10-04 1988-06-21 Btu Engineering Corporation Wafer softlanding system and cooperative door assembly
JPS6291439U (ja) * 1985-11-27 1987-06-11
JPH03151632A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハの熱処理炉
JPH0521421A (ja) * 1991-07-11 1993-01-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2004319979A (ja) * 2003-03-28 2004-11-11 Asahi Glass Co Ltd 半導体熱処理装置
US20070080156A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat treatment equipment and method of driving the same
JP2010238900A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Materials Corp 回路基板接合治具及び回路基板の製造方法
JP2011166112A (ja) * 2010-01-12 2011-08-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

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