TWI409908B - 垂直型熱處理裝置及待處理基板之移載方法 - Google Patents

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Description

垂直型熱處理裝置及待處理基板之移載方法
本發明係關於垂直型熱處理裝置及待處理基板之移載方法，且更特定言之，係關於使得有可能一次將複數個待處理基板移載至具有環狀支撐板之固持器的垂直型熱處理裝置及待處理基板之移載方法。
本申請案主張2007年4月24日申請之日本專利申請案第2007-114181號之權利，該案之內容以引用的方式併入本申請案中。
半導體設備係藉由對半導體晶圓或其他待處理基板執行諸如氧化、擴散、CVD及退火之各種熱處理過程來製造。能夠執行分批法(亦即，一次熱處理多數晶圓)之垂直型熱處理裝置用作用於執行以上過程之熱處理裝置。
垂直型熱處理裝置包括：熱反應器，其具有在其底部處之反應器開口；蓋罩，其氣密地封閉反應器開口；固持器(亦被稱為晶圓晶舟(wafer boat))，其定位於蓋罩上方以便以使得以預定間隔來垂直地配置多數晶圓之方式而經由環狀支撐板來固持晶圓；升降機構，其上下移動蓋罩以將固持器裝載至熱反應器中及自熱反應器卸載固持器；及移載機構，其具有用於在固持器與儲存容器(亦被稱為晶匣或環箍)之間移載晶圓之移載板(亦被稱為叉形物)，儲存容器以預定間隔來儲存複數個晶圓。環狀支撐板用於抑制或防止在高溫熱過程期間在晶圓之周邊處產生滑動(晶體缺 陷)。
向上推型移載機構(在下文中被稱為移載機構A)用作移載機構(參考(例如)JP－A－5－13547)，向上推型移載機構包括如圖10A至圖10C所示之主移載板50及向上推移載板51。主移載板50係由具有與晶圓w之下部表面進行接觸之上部表面的板狀體製成。向上推移載板51係由具有在上部表面上與晶圓w之下部表面進行接觸之三個支撐引腳52的板狀體製成。
當晶圓待移載至固持器時，支撐晶圓w之主移載板50插入至固持器9中之預定支撐板15上方的位置中。另外，向上推移載板51插入至支撐板15下方的位置中(圖10A)。緊接著，向上推移載板51上升以自主移載板50提起晶圓w，藉此使主移載板50離開固持器9(圖10B)。緊接著，向上推移載板51下降以使支撐板15支撐晶圓w，且接著使固持器9完成用於一晶圓之移載操作(圖10C)。
另一已知移載機構(在下文中被稱為移載機構B)包括複數個鎖定部件，鎖定部件鎖定至晶圓周邊之下部側表面上以在晶圓垂下(其頂部被抓住)時支撐晶圓。允許每一鎖定部件在晶圓垂下時支撐晶圓之晶圓支撐位置與鎖定部件移動至晶圓外周邊外部之位置以釋放所支撐晶圓之晶圓釋放位置之間往復。另外，每一鎖定部件由致動器驅動以在晶圓支撐位置與晶圓釋放位置之間往復(參考JP－A－2003－338531)。
然而，習知垂直型熱處理裝置在晶圓移載中花費相當大 的時間量，因為以上已描述之移載機構A及B一次可移載一晶圓。另外，所使用之移載機構結構需要固持器支撐板之間的長間隔(近似16 mm)(此間隔亦可被稱為移載間隔)。此對分批處理量強加限制，因為固持器僅可容納至多近似50個晶圓。其意謂處理量不能容易地藉由使用習知垂直型熱處理裝置來增加。詳言之，移載機構A一次移載一晶圓且花費相當大的時間量來完成晶圓傳遞(其涉及一個以上之操作)。結果，移載過程涉及長時段，藉此使得不可能提供增加之產量。
已鑒於上述情形而製造本發明。本發明之一目標為提供垂直型熱處理裝置及待處理基板移載方法，其使得有可能一次將複數個待處理基板移載至具有環狀支撐板之固持器、減少移載時間、增加處理量且提供增加之產量。
在實現以上目標時，根據本發明之第一態樣，提供一種垂直型熱處理裝置，垂直型熱處理裝置包含：熱反應器，其在其底部處具有反應器開口；蓋罩，其氣密地封閉反應器開口；固持器，其定位於蓋罩上方，經由環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持基板；升降機構，其上下移動蓋罩以將固持器裝載至熱反應器中及自熱反應器卸載固持器；儲存容器，其定位於熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及移載機構，其具有以預定間隔配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，移載機構在儲存容器與固持器之間移 載待處理基板；其中用於固持器之支撐板被分成外支撐板及內支撐板，外支撐板具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部，內支撐板置放於外支撐板之內周邊處且具備用於阻塞缺口部之阻塞部。
在以上態樣中，外支撐板之內徑及內支撐板之外徑較佳小於待處理基板之直徑。另外，移載機構較佳移載待處理基板，同時移載板經由內支撐板而支撐待處理基板。此外，移載板較佳在其表面中具有用於吸氣之真空孔。此外，內支撐板較佳包括真空保持器，其藉由允許移載板中之真空孔提供吸氣而將待處理基板附著至內支撐板。
內支撐板可包括：圓形部，其置放於外支撐板之內周邊處；及阻塞部，其與圓形部成整體且配合於外支撐板之缺口部。另外，第一肩部可形成於外支撐板之內周邊處以接納內支撐板之外周邊。在此情況下，第二肩部可形成於內支撐板之外周邊處以與外支撐板之第一肩部接合。
根據本發明之第二態樣，提供一種垂直型熱處理裝置，垂直型熱處理裝置包含：熱反應器，其在其底部處具有反應器開口；蓋罩，其氣密地封閉反應器開口；固持器，其定位於蓋罩上方，經由環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持基板；升降機構，其上下移動蓋罩以將固持器裝載至熱反應器中及自熱反應器卸載固持器；儲存容器，其定位於熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及移載機構，其具有以預定間隔配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板， 移載機構在儲存容器與固持器之間移載待處理基板；其中用於固持器之支撐板被分成支撐板主體及阻塞板，主體具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部，阻塞板阻塞支撐板主體之缺口部。
根據本發明之第三態樣，提供一種用於在垂直型熱處理裝置中移載待處理基板之待處理基板移載方法，該裝置包含：熱反應器，其在其底部處具有反應器開口；蓋罩，其氣密地封閉反應器開口；固持器，其定位於蓋罩上方，經由環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持基板；升降機構，其上下移動蓋罩以將固持器裝載至熱反應器中及自熱反應器卸載固持器；儲存容器，其定位於熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及移載機構，其具有以預定間隔配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，移載機構在儲存容器與固持器之間移載待處理基板；其中用於固持器之支撐板被分成外支撐板及內支撐板，外支撐板具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部，內支撐板置放於外支撐板之內周邊處且具備用於阻塞缺口部之阻塞部，該方法包含以下步驟：移載待處理基板，同時移載機構使移載板經由內支撐板而支撐待處理基板。
根據本發明之第四態樣，提供一種用於在垂直型熱處理裝置中移載待處理基板之待處理基板移載方法，該裝置包含：熱反應器，其在其底部處具有反應器開口；蓋罩，其氣密地封閉反應器開口；固持器，其定位於蓋罩上方，經 由環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持基板；升降機構，其上下移動蓋罩以將固持器裝載至熱反應器中及自熱反應器卸載固持器；儲存容器，其定位於熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及移載機構，其具有以預定間隔配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，移載機構在儲存容器與固持器之間移載待處理基板；其中用於固持器之支撐板被分成支撐板主體及阻塞板，主體具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部，阻塞板阻塞支撐板主體之缺口部，該方法包含以下步驟：移載待處理基板，同時移載機構使移載板與阻塞板協作而支撐待處理基板。
根據本發明之第一態樣，用於固持器之支撐板被分成：外支撐板，其具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部；及內支撐板，其置放於外支撐板之內周邊處且具備用於阻塞缺口部之阻塞部。因此，具有複數個移載板之移載機構可一次將複數個待處理基板移載至具有環狀支撐板之固持器。此使得有可能減少移載時間、增加處理量且提供增加之產量。
根據本發明之第二態樣，用於固持器之支撐板被分成：支撐板主體，其具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部；及阻塞板，其阻塞支撐板主體之缺口部。因此，具有複數個移載板之移載機構可一次將複數個待處理基板移載至具有環狀支撐板之固持器。此使得有可能減少移載時間、增加處理量且提供增加之產量。
根據本發明之第三態樣，用於固持器之支撐板被分成：外支撐板，其具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部；及內支撐板，其置放於外支撐板之內周邊處且具備用於阻塞缺口部之阻塞部。另外，移載機構移載待處理基板，同時移載板經由內支撐板而支撐待處理基板。因此，可一次將複數個待處理基板移載至具有環狀支撐板之固持器。此使得有可能減少移載時間、增加處理量且提供增加之產量。
根據本發明之第四態樣，用於固持器之支撐板被分成：支撐板主體，其具有移載板可垂直地穿過以移載待處理基板之缺口部；及阻塞板，其阻塞支撐板主體之缺口部。另外，移載機構移載待處理基板，同時移載板與阻塞板協作而支撐待處理基板。因此，可一次將複數個待處理基板移載至具有環狀支撐板之固持器。此使得有可能減少移載時間、增加處理量且提供增加之產量。
現將參看隨附圖式來描述本發明之實施例。圖1為示意性地展示根據本發明之一實施例之垂直型熱處理裝置的垂直橫截面圖。圖2為示意性地展示基板固持器之水平橫截面圖。圖3為沿圖2之線A－A所截取之放大橫截面圖。圖4為支撐板之分解透視圖。
如圖1所示，垂直型熱處理裝置1具有外殼2，其形成封裝體。垂直型熱反應器3定位於外殼2內之上部部中以接納碟狀薄晶圓或其他待處理基板且對其執行CVD或其他預定 過程。熱反應器3包括：反應管5，其係由石英製成，或具有在底部處打開之反應器開口4的其他垂直長處理儲存容器；及加熱器(加熱機構)7，其經安裝以封裝反應管5且提供加熱控制以在反應管5內維持(例如)在300℃與1200℃之間的預定溫度。另外，蓋罩6定位於熱反應器3下方。此蓋罩6可上下移動以打開及封閉反應管5中之反應器開口4。
由(例如)不鏽鋼製成之基座板8水平地定位於外殼2內以允許反應管5及加熱器7之安裝，其構成熱反應器3。基座板8具有允許反應管5之向上插入的開口(未圖示)。
向外凸緣部形成於反應管5之下部末端處。由於凸緣部經由凸緣固持部件而緊固至基座板8，所以反應管5藉由將其經由基座板8中之開口而向上插入來安裝。反應管5可自基座板8向下被移除以用於清潔或其他目的。反應管5連接至：複數個氣體引入管(未圖示)，其將處理氣體及淨化惰性氣體引入至反應管5中；真空泵(未圖示)，其可對反應管5之內部實行減壓控制；及排出管(未圖示)，其具有調壓閥及其類似物。
在外殼2內，工作區域(裝載區域)10提供於基座板8下方且用於將安裝於蓋罩6上方之固持器(晶舟)9裝載至熱反應器3(更具體言之，反應管5)中、自熱反應器3卸載固持器(晶舟)9，或將晶圓w移載至固持器9。工作區域10具備升降機構11，其上下移動蓋罩6以裝載及卸載固持器9(晶舟)。蓋罩6與反應器開口4之開口末端進行接觸且氣密地封閉反應器開口4。旋轉機構(未圖示)安裝於蓋罩6下方以 旋轉固持器9。
圖中所例示之固持器9係由(例如)石英製成。固持器9包括主體部9a及底腳部9b。主體部9a經由稍後將描述之環狀支撐板15而同時支撐具有在水平位置中達(例如)300 mm之直徑的多數晶圓w(例如，100至130個晶圓)，同時晶圓以預定間隔p(例如，以近似6 mm之間隔)被垂直地配置。底腳部9b支撐主體部9a。底腳部9b連接至上述旋轉機構之旋轉軸。下部加熱機構(未圖示)安裝於主體部9a與蓋罩6之間，以避免可由來自反應器開口4之熱耗散所引起的溫度下降。或者，固持器9可僅包括主體部9a且排除底腳部9b，且可置放於蓋罩6上方，熱絕緣管定位於其間。固持器9包括：複數個支柱12(例如，三個支柱)；頂板13及底板14，其置放於支柱12之上部末端或下部末端處；及多級環狀支撐板15，其與以預定間隔在支柱12中被製造之凹槽19接合。稍後將詳細地描述支撐板15之結構。
安裝基座(裝載埠)17安裝於外殼2之前部(經置放成與熱反應器3相對)。安裝基座17接納以預定間隔來儲存複數個晶圓w(例如，近似25個晶圓w)之儲存容器16(亦被稱為晶匣或環箍)，且將儲存容器16裝載至外殼2中及自外殼2卸載儲存容器16。定位於熱反應器3外部之儲存容器16為在前部具有可拆卸蓋罩(未圖示)之氣密型儲存容器。門機構18在工作區域10內朝向安裝基座17而安裝於側上。門機構18揭開儲存容器16以使儲存容器16與工作區域10連通。工作區域10亦具備具有複數個移載板(叉形物)20之移載機構 21，移載板以預定間隔被定位以在儲存容器16與固持器9之間移載晶圓w。
儲存架部22及輸送機構(未圖示)定位於工作區域10外部之上部前部中。儲存架部22儲備儲存容器16。輸送機構將儲存容器16自安裝基座17輸送至儲存架部22或自儲存架部22輸送至安裝基座17。擋板機構23安裝於工作區域10之上。擋板機構23覆蓋(或阻塞)反應器開口4以抑制或防止在打開蓋罩6時高溫反應器內之熱自反應器開口4釋放至下方之工作區域10。
上述移載機構21包括複數個移載板20(例如，五個移載板)，其支撐複數個晶圓w(例如，五個晶圓w)，同時以預定間隔來垂直地配置晶圓w。假定中心移載板(第三移載板)可在前向方向上獨立地推進及收縮。亦假定間隔改變機構(未圖示)可連續地改變其他移載板(第一、第二、第四及第五移載板)相對於中心移載板被垂直地配置時之間隔。原因在於：晶圓儲存於儲存容器16中時之間隔可能不同於晶圓定位於固持器9內時之間隔。即使當此等間隔不匹配時，間隔改變機構亦根據需要而操作以在儲存容器16與固持器9之間一次移載複數個晶圓w。
移載機構21包括升降臂24及盒狀基座25。升降臂24可上下移動。基座25附著至升降臂24且被允許水平地樞轉。基座25具備第一可移動體26及第二可移動體27，其在基座25之縱向方向上被配置且被允許推進及收縮。第一可移動體26可向前移動中心移載板20。第二可移動體27可向前移動 剩餘四個移載板20(應注意，此等移載板中之兩者定位於中心移載板20上方，而剩餘兩個移載板定位於中心移載板20下方)。以上組態之使用使得有可能藉由僅移動第一可移動體26而一次移載一晶圓(單晶圓移載)且藉由移動第一可移動體26及第二可移動體27兩者而同時移載複數個晶圓(例如，五個晶圓)(多晶圓移載)。移動機構(未圖示)建置於基座25中以移動第一可移動體26及第二可移動體27。例如，JP－A－2001－44260中所描述之移動機構及間隔改變機構用作上述移動機構及間隔改變機構。
移載板20為由氧化鋁陶瓷製成且厚度為近似2 mm之垂直長薄板。較佳的是，移載板20為在其末端處具有兩個叉尖之大體上U形平面板(見圖2)。移載板20之一前末端可具有用於映射感測器之感測頭，其允許紅外光之輸入及輸出。移載板20之另一前末端可具有反射鏡，其反射自映射感測器之感測頭所發射的紅外光且引起映射感測器之感測頭接收經反射光。當紅外光由待偵測物件截取同時移載機構21移動以用於教示目的時，偵測到待偵測物件之位置。
如圖2至圖4所示，用於固持器9之支撐板15被分成：外支撐板(外環)29，其具有移載板20可垂直地穿過以移載晶圓w之缺口部28；及內支撐板(內環)31，其置放於外支撐板29之內周邊處且具備用於阻塞缺口部28之阻塞部30。換言之，支撐板15係由外支撐板29及內支撐板31構成。外支撐板29為大體上C形平面板，且水平地附著至固持器9之支柱9a，同時其以預定間隔p被垂直地配置。缺口部28之寬 度d大於移載板之寬度e。
內支撐板31包括：圓形部32，其置放於外支撐板29之內周邊處；及阻塞部30，其與圓形部32成整體且配合於外支撐板29之缺口部28(見圖4)。定位凹形部(肩部)33較佳形成於外支撐板29之內周邊的上部表面上以接納內支撐板31之圓形部32的外周邊。另外，凹形部(肩部)34較佳形成於內支撐板31之外周邊的下部表面上。在此情況下，使外支撐板29之凹形部(肩部)33與內支撐板31之凹形部(肩部)34接合會減小內支撐板31與外支撐板29之間的重疊厚度。
由於與以上所描述相同的原因，定位凹形部(肩部)35較佳形成於缺口部28之邊緣的上部表面上以接納阻塞部30之邊緣，如圖5所示。另外，凹形部(肩部)36較佳形成於阻塞部30之邊緣的下部表面上。以上所提及之凹形部(肩部)33、34、35、36可形成為楔形形狀(見圖4)。外支撐板29之厚度為近似2 mm至2.5 mm。同樣地，內支撐板31之厚度為近似2 mm至2.5 mm。由於如圖3所示，外支撐板29與內支撐板31重疊，所以支撐板15之總厚度小至近似2 mm至2.5 mm。
當晶圓w待移載至固持器9之支撐板15時，晶圓w之周邊較佳置放於外支撐板29之上部表面上。當晶圓w待移載至儲存容器16時，外支撐板29之內徑及內支撐板31之外徑較佳小於晶圓w之直徑，使得晶圓w之周邊適合於儲存凹槽(未圖示)，其形成於儲存容器16內之兩側上且以預定間隔被垂直地配置。
現將描述經執行以將晶圓w自固持器9移載至儲存容器16之操作。在此情況下，移載機構21首先自固持器9之前部(自外支撐板29之缺口部28的前部)推進移載板20(在箭頭f之方向上)且將其插入至上部支撐板與下部支撐板15之間的間隙37中，如圖3所示。緊接著，移載機構21向上移動移載板20(在箭頭g之方向上)以使移載板20經由內支撐板31而支撐晶圓w，如由假想線所指示。移載機構21接著將晶圓w載運至儲存容器16中，同時其以以上方式被支撐。隨後，移載機構21使移載板20上之內支撐板31返回至外支撐板29上方之位置。
現將描述經執行以將晶圓w自儲存容器16移載至固持器9之操作。在此情況下，移載機構21之移載板20首先接取固持器9之內支撐板31。移載機構21接著朝向儲存容器16移動，其中內支撐板31置放於移載板20上。緊接著，移載機構21在儲存容器16中接取晶圓w、將晶圓w置放於內支撐板31上，且自儲存容器16移除晶圓w。隨後，移載機構21將晶圓w及內支撐板31移載至固持器9之外支撐板29上方的位置。
現將詳細地描述如以上所描述被組態之垂直型熱處理裝置1中之移載機構21的操作及由垂直型熱處理裝置1所使用之移載方法。當晶圓w待自儲存容器16移載至固持器9時，移載機構21首先將移載板20插入至固持器9中之上部支撐板與下部支撐板15之間的間隙中且提起移載板20以將置放於外支撐板29上之內支撐板31移動至移載板20上方之位 置。在所得狀態中，移載機構21將移載板20插入至儲存容器16中、使移載板20經由內支撐板31而支撐晶圓w，且自儲存容器16移除晶圓w。在所得狀態中，移載機構21將移載板20插入至固持器9中之上部支撐板與下部支撐板15之間的間隙中且降低移載板20以將晶圓w及內支撐板31移載至外支撐板29上方之位置。在如以上所描述，將晶圓w完全移載至(置放於)固持器9之後，將固持器9裝載至熱反應器3中以對晶圓w執行預定熱過程。當在完成熱過程之後執行操作以自熱反應器3卸載固持器9、將固持器9輸送至工作區域10且將晶圓w自固持器9移載至儲存容器16時，移載機構21藉由顛倒以上所描述之程序來移動移載板20。
如以上所描述，垂直型熱處理裝置1經組態成使得固持器9之支撐板15被分成：外支撐板29，其具有移載機構21之移載板20可垂直地穿過以移載待處理基板w之缺口部28；及內支撐板31，其置放於外支撐板29之內周邊處且具備用於阻塞缺口部28之阻塞部30。因此，一或複數個移載板20(例如，五個移載板)可操作一次以完成移載操作。此使得有可能一次將複數個晶圓w(例如，五個晶圓w)移載至具有環形支撐板15之固持器9。因此，可顯著地減少移載時間以提供增加之產量。另外，由於以上所描述之移載機構21可執行移載操作，所以儘管習知間隔為近似16 mm，但可將固持器9之環形支撐板15被配置時的間隔p減小至近似6 mm。結果，可將處理量增加至近似100至130個晶圓，亦即，習知處理量之2至2.6倍，其為近似50個晶圓。
現將參看圖6及圖7來描述本發明之經修改實施例。圖6為展示移載板之經修改實例的示意性平面圖。圖7為沿圖6之線C－C所截取之橫截面圖。等同於結合參看圖1至圖5所描述之實施例而描述之對應物的元件被指派與其對應物相同的參考數字且將不被再次描述。
參看圖6及圖7，內支撐板31具有複數個真空保持器(真空保持凹穴)，其藉由將吸氣自側提供朝向移載板20而將晶圓w附著至內支撐板31。每一真空保持器38經形成以便垂直地穿透過內支撐板31。另外，移載板20在其表面中具備複數個真空孔39，真空孔39與內支撐板31之真空保持器38連通以提供吸氣。移載板20中之每一真空孔39置放於對應於內支撐板31之每一真空保持器38之位置的位置處。真空路徑40形成於移載板20內部以在基座末端20a與真空孔39之間建立連通。真空路徑40經由吸管(未圖示)而連接至真空泵(未圖示)，其用作真空源。圖6及圖7所示之經修改實施例允許移載板20經由內支撐板31而真空保持晶圓w。此使得有可能適當地防止晶圓w在移載期間掉落。
現將描述本發明之另一經修改實施例。圖8為展示支撐板之經修改實例的透視圖。圖9為展示置放於圖8所示之支撐板上之晶圓的正視圖。等同於結合參看圖1至圖5所描述之實施例而描述之對應物的元件被指派與其對應物相同的參考數字且將不被再次描述。
參看圖8及圖9，支撐板15被分成：支撐板主體15a，其具有移載板20可垂直地穿過以移載晶圓w之缺口部28；及 阻塞板15b，其阻塞支撐板主體15a之缺口部28。在此情況下，如圖9所示，定位凹形部(肩部)35較佳形成於缺口部28之邊緣的上部表面上以接納阻塞板15b，同時凹形部(肩部)36亦形成於阻塞板15b之兩個末端上之邊緣的下部表面上。此等凹形部(肩部)35、36可形成為楔形形狀。
應執行晶圓移載操作，使得移載板20移載晶圓w，同時與阻塞板15b協作而支撐晶圓w。在此情況下，移載板20之基座末端經由阻塞板15b而支撐晶圓w之一末端，同時移載板20之前末端支撐晶圓w之另一末端。移載板20可包括真空保持器，其藉由移載板20之前末端處的抽吸來直接保持晶圓w且經由阻塞板15b而藉由移載板20之基座末端處的抽吸來保持晶圓w。圖8及圖9所示之經修改實施例提供與圖1至圖5所示之實施例相同的優點。
雖然上文已參看隨附圖式而詳細地描述本發明之各種較佳實施例，但應理解，本發明不限於彼等較佳實施例。對於熟習相關技術者而言將顯而易見的是，可在不偏離本發明之精神及範疇的情況下進行設計改變及各種其他修改。
1‧‧‧垂直型熱處理裝置
2‧‧‧外殼
3‧‧‧熱反應器
4‧‧‧反應器開口
5‧‧‧反應管
6‧‧‧蓋罩
7‧‧‧加熱器
8‧‧‧基座板
9‧‧‧固持器
9a‧‧‧主體部
9b‧‧‧底腳部
10‧‧‧工作區域
11‧‧‧升降機構
12‧‧‧支柱
13‧‧‧頂板
14‧‧‧底板
15‧‧‧環狀支撐板
15a‧‧‧支撐板主體
15b‧‧‧阻塞板
16‧‧‧儲存容器
17‧‧‧安裝基座
18‧‧‧門機構
19‧‧‧凹槽
20‧‧‧移載板
20a‧‧‧基座末端
21‧‧‧移載機構
22‧‧‧儲存架部
23‧‧‧擋板機構
24‧‧‧升降臂
25‧‧‧盒狀基座
26‧‧‧第一可移動體
27‧‧‧第二可移動體
28‧‧‧缺口部
29‧‧‧外支撐板
30‧‧‧阻塞部
31‧‧‧內支撐板
32‧‧‧圓形部
33‧‧‧凹形部
34‧‧‧凹形部
35‧‧‧凹形部
36‧‧‧凹形部
37‧‧‧間隙
38‧‧‧真空保持器
39‧‧‧真空孔
40‧‧‧真空路徑
50‧‧‧主移載板
51‧‧‧向上推移載板
52‧‧‧支撐引腳
d‧‧‧寬度
e‧‧‧寬度
f‧‧‧箭頭
g‧‧‧箭頭
p‧‧‧間隔
w‧‧‧晶圓
圖1為示意性地展示根據本發明之一實施例之垂直型熱處理裝置的垂直橫截面圖。
圖2為示意性地展示基板固持器之水平橫截面圖。
圖3為沿圖2之線A－A所截取之放大橫截面圖。
圖4為支撐板之分解透視圖。
圖5為沿圖2之線B－B所截取之視圖。
圖6為展示移載板之經修改實例的示意性平面圖。
圖7為沿圖6之線C－C所截取之橫截面圖。
圖8為展示支撐板之經修改實例的透視圖。
圖9為展示置放於圖8所示之支撐板上之晶圓的正視圖。
圖10A至圖10C描繪習知垂直型熱處理裝置中之移載機構的實例。
1‧‧‧垂直型熱處理裝置
2‧‧‧外殼
3‧‧‧熱反應器
4‧‧‧反應器開口
5‧‧‧反應管
6‧‧‧蓋罩
7‧‧‧加熱器
8‧‧‧基座板
9‧‧‧固持器
9a‧‧‧主體部
9b‧‧‧底腳部
10‧‧‧工作區域
11‧‧‧升降機構
12‧‧‧支柱
13‧‧‧頂板
14‧‧‧底板
15‧‧‧環狀支撐板
16‧‧‧儲存容器
17‧‧‧安裝基座
18‧‧‧門機構
20‧‧‧移載板
21‧‧‧移載機構
22‧‧‧儲存架部
23‧‧‧擋板機構
24‧‧‧升降臂
25‧‧‧盒狀基座
26‧‧‧第一可移動體
27‧‧‧第二可移動體
w‧‧‧晶圓

Claims (10)

  1. 一種垂直型熱處理裝置，包含：一熱反應器，其在其一底部處具有一反應器開口；一蓋罩，其氣密地封閉該反應器開口；一固持器，其定位於該蓋罩上方，經由一環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持該等基板；一升降機構，其上下移動該蓋罩以將該固持器裝載至該熱反應器中及自該熱反應器卸載該固持器；一儲存容器，其定位於該熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及一移載機構，其具有以預定間隔配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，該移載機構在該儲存容器與該固持器之間移載該等待處理基板；其中用於該固持器之該支撐板被分成彼此各別形成之一外支撐板及一內支撐板，大體上C形之該外支撐板具有該等移載板可垂直地穿過以移載該等待處理基板之一缺口部，該內支撐板置放於該外支撐板之內周邊處且具備一用於阻塞該缺口部之阻塞部。
  2. 如請求項1之垂直型熱處理裝置，其中該外支撐板之內徑及該內支撐板之外徑小於該等待處理基板之直徑。
  3. 如請求項1之垂直型熱處理裝置，其中該移載機構移載該等待處理基板，同時該等移載板經由該內支撐板而支撐該等待處理基板。
  4. 如請求項1之垂直型熱處理裝置，其中該等移載板在其一表面中具有用於吸氣之一真空孔；且其中該內支撐板包括一真空保持器，其藉由允許該等移載板中之該真空孔提供吸氣而將該等待處理基板附著至該內支撐板。
  5. 如請求項1之垂直型熱處理裝置，其中該內支撐板包括：一圓形部，其置放於該外支撐板之該內周邊處；及一阻塞部，其與該圓形部成整體且配合於該外支撐板之該缺口部。
  6. 如請求項1之垂直型熱處理裝置，其中一第一肩部形成於該外支撐板之該內周邊處以接納該內支撐板之外周邊。
  7. 如請求項6之垂直型熱處理裝置，其中一第二肩部形成於該內支撐板之該外周邊處以與該外支撐板之該第一肩部接合。
  8. 一種垂直型熱處理裝置，包含：一熱反應器，其在其一底部處具有一反應器開口；一蓋罩，其氣密地封閉該反應器開口；一固持器，其定位於該蓋罩上方，經由一環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持該等基板；一升降機構，其上下移動該蓋罩以將該固持器裝載至該熱反應器中及自該熱反應器卸載該固持器；一儲存容器，其定位於該熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及 一移載機構，其具有以預定間隔配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，該移載機構在該儲存容器與該固持器之間移載該等待處理基板；其中用於該固持器之該支撐板被分成彼此各別形成之一支撐板主體及一阻塞板，大體上C形之該主體具有該等移載板可垂直地穿過以移載該等待處理基板之一缺口部，該阻塞板阻塞該支撐板主體之該缺口部。
  9. 一種待處理基板之移載方法，其係用於在一垂直型熱處理裝置中移載待處理基板者，該裝置包含：一熱反應器，其在其一底部處具有一反應器開口；一蓋罩，其氣密地封閉該反應器開口；一固持器，其定位於該蓋罩上方，經由一環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持該等基板；一升降機構，其上下移動該蓋罩以將該固持器裝載至該熱反應器中及自該熱反應器卸載該固持器；一儲存容器，其定位於該熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及一移載機構，其具有以預定間隔被配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，該移載機構在該儲存容器與該固持器之間移載該等待處理基板；其中用於該固持器之該支撐板被分成彼此各別形成之一外支撐板及一內支撐板，大體上C形之該外支撐板具有該等移載板可垂直地穿過以移載該等待處理基板之一 缺口部，該內支撐板置放於該外支撐板之內周邊處且具備一用於阻塞該缺口部之阻塞部，且該方法包含以下步驟：移載該等待處理基板，同時該移載機構使該等移載板經由該內支撐板而支撐該等待處理基板。
  10. 一種待處理基板之移載方法，其係用於在一垂直型熱處理裝置中移載待處理基板者，該裝置包含：一熱反應器，其在其一底部處具有一反應器開口；一蓋罩，其氣密地封閉該反應器開口；一固持器，其定位於該蓋罩上方，經由一環狀支撐板而將多數待處理基板以預定間隔而垂直地配置之方式來固持該等基板；一升降機構，其上下移動該蓋罩以將該固持器裝載至該熱反應器中及自該熱反應器卸載該固持器；一儲存容器，其定位於該熱反應器外部，以預定間隔來儲存複數個待處理基板；及一移載機構，其具有以預定間隔被配置之複數個移載板以載運在其上之待處理基板，該移載機構在該儲存容器與該固持器之間移載該等待處理基板；其中用於該固持器之該支撐板被分成彼此各別形成之一支撐板主體及一阻塞板，大體上C形之該主體具有該等移載板可垂直地穿過以移載該等待處理基板之一缺口部，該阻塞板阻塞該支撐板主體之該缺口部，該方法包含以下步驟： 移載該等待處理基板，同時該移載機構使該等移載板與該阻塞板協作而支撐該等待處理基板。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9169554B2 (en) * 2008-05-30 2015-10-27 Alta Devices, Inc. Wafer carrier track
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
US8882431B2 (en) * 2008-10-07 2014-11-11 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot and substrate transfer system
US20100098519A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Memc Electronic Materials, Inc. Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment
JP5324231B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
JP5543813B2 (ja) * 2010-03-23 2014-07-09 日東電工株式会社 ワーク搬送方法およびワーク搬送装置
JP6095958B2 (ja) * 2011-12-27 2017-03-15 新光電気工業株式会社 発光装置
CN103187347B (zh) * 2011-12-29 2016-10-05 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种卸载电池硅片的方法
US9099514B2 (en) * 2012-03-21 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer holder with tapered region
KR101990533B1 (ko) * 2012-11-06 2019-09-30 주식회사 원익아이피에스 배치식 기판처리장치
DE102012111167A1 (de) * 2012-11-20 2014-05-22 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
FI125222B (en) * 2013-03-22 2015-07-15 Beneq Oy Apparatus for processing two or more substrates in a batch process
TWI549881B (zh) * 2014-11-14 2016-09-21 Chung King Entpr Co Ltd Substrate storage container and its manufacturing method
CN107112265B (zh) * 2015-01-09 2020-12-04 应用材料公司 基板传送机构
KR101718422B1 (ko) 2015-02-11 2017-04-04 한국지질자원연구원 연속열처리 방식 폐전지 처리장치 및 이를 이용한 리튬계전지로부터 유가금속의 회수방법
KR101905822B1 (ko) 2017-03-21 2018-10-08 주식회사 유진테크 기판 처리장치
JP2019046941A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置、ウェハ搬送装置、およびウェハ搬送方法
SG11202102655YA (en) * 2018-09-20 2021-04-29 Kokusai Electric Corp Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program
JP7245071B2 (ja) * 2019-02-21 2023-03-23 株式会社ジェイテクトサーモシステム 基板支持装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
JP2003031647A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20050062465A1 (en) * 2003-08-20 2005-03-24 De Ridder Christianus Gerardus Maria Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
JP2005203727A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Tera Semicon Corp 半導体製造装置の基板ホルダ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2630366B2 (ja) * 1989-08-28 1997-07-16 東京エレクトロン株式会社 板状体の搬入搬出方法および搬入搬出装置
JP3081025B2 (ja) 1991-07-03 2000-08-28 東京エレクトロン株式会社 ウエハの移載装置
US6217663B1 (en) * 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3265498B2 (ja) * 1996-08-28 2002-03-11 東芝セラミックス株式会社 半導体ウェーハ用縦型炉
JP2000235974A (ja) 1999-02-12 2000-08-29 Toshiba Microelectronics Corp 半導体製造装置
JP2001044260A (ja) 1999-08-02 2001-02-16 Tokyo Electron Ltd 被処理基板搬送装置およびその支持板取外し方法
JP3377996B1 (ja) * 2001-12-27 2003-02-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
JP2003338531A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハの搬送装置および熱処理装置
CN100433285C (zh) * 2004-03-25 2008-11-12 东京毅力科创株式会社 立式热处理装置和被处理体移送方法
JP4266197B2 (ja) * 2004-10-19 2009-05-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
JP2003031647A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20050062465A1 (en) * 2003-08-20 2005-03-24 De Ridder Christianus Gerardus Maria Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
JP2005203727A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Tera Semicon Corp 半導体製造装置の基板ホルダ

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