CN100433285C - 立式热处理装置和被处理体移送方法 - Google Patents

Abstract

在立式热处理装置中，通过被处理体收纳容器(托架)(16)和环状支撑板(15)在与上下方向隔开间隔保持多个被处理体的被处理体保持工具(舟皿)(9)之间移送被处理体的改良移送机构(21)，具有多个基板支撑工具(20)，各基板支撑工具包括在下侧夹紧被处理体W的夹紧机构(28)，各夹紧机构具有固定在基板支撑工具前端卡止被处理体W前缘部的固定卡止部(30)；和可移动设在基板支撑工具(20)基端部来可装卸卡止被处理体W后缘部的可动卡止部(31)。能同时迅速可靠移送多个被处理体W。利用夹紧机构的结构，可减小基板支撑工具的厚度和环状支撑板的配置间距，可增大在热处理炉内一次处理的被处理体W的片数，可提高生产率。

Description

立式热处理装置和被处理体移送方法

技术领域

本发明涉及立式热处理装置和被处理体的移送方法，特别涉及可以成批地向具有环状支撑板的保持工具移送多个被处理体的移送机构的改良。

背景技术

在半导体装置的制造中，包含对被处理体(例如半导体晶片)进行氧化、扩散、CVD(化学气相沉积)和退火等各种热处理的工序。作为实施这些工序的热处理装置的一种，使用一次可以热处理多片晶片的立式热处理装置。

该立式热处理装置包括：在下部具有炉口的热处理炉；密闭该炉口的盖体；设置在该盖体上并经由环状支撑板在上下方向以规定间隔保持多片晶片的保持工具(被称为晶片舟皿)；使上述盖体升降而将保持工具搬入搬出热处理炉的升降机构；和在以规定间隔收纳多片晶片的收纳容器(被称为托架(carrier)或盒)与上述保持工具之间进行晶片移送的移送机构。移送机构具有隔开规定间隔而配置的多片基板支撑工具(被称为叉子)。上述环状支撑板用作抑制乃至防止在高温热处理时在晶片周边边缘部产生的滑移(结晶缺陷)的对策。

如图12所示，在(日本专利)JP5-13547A中揭示了一种立式热处理装置，其包括具有搬送用基板支撑工具50和顶出用基板支撑工具51的顶出式移送机构(以下称为“移送机构A”)。搬送用基板支撑工具50由具有支撑晶片W下面的上面用的板状体构成；顶出用基板支撑工具51由各个上面具有支撑晶片W的下面的三根支撑销52的板状体构成。

在将晶片移送到保持工具9上的情况下，首先，将支撑晶片W的搬送用基板支撑工具50配置在保持工具9内的环状支撑板15的上方，然后，将顶出用基板支撑工具51配置在该环状支撑板15的下方(图12(a))。接着，使顶出用基板支撑工具51上升，使晶片W从搬送用基板支撑工具50上被托起，在该状态下，使搬送用基板支撑工具50从保持工具9退出(图12(b))。其次，使顶出用基板支撑工具51下降，将晶片W放置在环状支撑板15上，然后，使顶出用基板支撑工具51从保持工具9退出(图12(c))。从而，完成一片晶片的移送作业。

在(日本专利)JP2003-338531A中揭示了具有在叉子(基板支撑工具)的下侧悬挂支撑晶片的移送机构(以下称为“移送机构B”)的立式热处理装置。该移送机构具有向叉子的下侧突出的截面为L字形的多个卡止部件，这些卡止部件利用L字形的水平部分的上面来支撑晶片的周边边缘部的下面。各个卡止部件通过致动器的驱动而在各卡止部件支撑晶片的支撑位置和各卡止部件从晶片的外周边缘向外侧移动来解除晶片的支撑的解除位置之间移动。

因为上述移送机构A和B每次只能移送一片晶片，所以移送作业需要很长时间，这就成为了妨碍生产率提高的重要原因。此外，由于移送机构因其构造而导致厚度(高度方向的尺寸)较大，所以必需增大保持工具的环状支撑板之间的间隔(例如16mm左右)。因此，放置在规定尺寸的保持工具上的最大晶片片数(处理片数)为50片，从这点来看，也会阻碍生产率的提高。此外，在移送机构B中，配置在叉子前端侧和基端侧的卡止部件是可动的，因此，在叉子上要附设复杂的结构物，这就使得叉子的高度方向尺寸增大，结果，难以减小保持工具的环状支撑板之间的间隔。

发明内容

本发明总的目的在于提高立式热处理装置的生产率。

本发明的一个目的在于可以每次将多片被处理体移送在具有环状支撑板的保持工具上，以缩短被处理体的移送时间。

本发明的另一个目的在于使移送机构、特别是其基板支撑工具的夹紧机构简单，可将基板支撑工具插入狭窄的间隙中，以减小环状支撑板之间的间距，能够增加一次可以热处理的被处理体的片数。

本发明提供了一种立式热处理装置，其特征在于，包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设在上述盖体上、通过环状支撑板，在上下方向以规定间隔保持多片被处理体的保持工具；使上述盖体升降、将保持工具搬入搬出热处理炉的升降机构；和具有隔开规定间隔而配置的多个基板支撑工具，在以规定间隔收纳多个被处理体的收纳容器和上述保持工具之间移送被处理体的移送机构，其中，上述移送机构在上述各基板支撑工具的下侧具有夹紧被处理体的夹紧机构，上述夹紧机构具有固定设置在上述各基板支撑工具的前端并卡止被处理体的前缘部的固定卡止部、和可移动地安装在上述各基板支撑工具的基端部上并可装卸地卡止被处理件的后缘部的可动卡止部。

优选在上述各基板支撑工具上，设置有承受被处理体的前后周缘部的承受部，使得在该基板支撑工具的下面和被处理体的上面之间存在间隙。这样，可防止因基板支撑工具的下面在夹紧被处理体时擦伤被处理体的上面。

优选在上述各环状支撑板上设置用于避免上述固定卡止部和上述可动卡止部的干涉的切口部。这样，夹紧机构不与环状支撑板干涉，可以可靠地夹紧被处理体。

优选在上述基板支撑工具中的至少一个上设置有映像传感器，该映像传感器，通过移动上述基板支撑工具而使在上述基板支撑工具的两个前端部之间行进的光线由被检测物所遮挡，以此来检测被检测物的位置。这样，通过沿着配置方向扫描在保持工具内分别保持在环状支撑板上的多个被处理体，可以检测标出在各个圆环形支撑板上有无被处理体。由于可以检测处理前后被处理体从保持工具中有无突出，而可以在未发生前防止被处理体的破损等。

优选上述固定卡止部和上述可动卡止部由耐热性树脂材料制成。这样，可以提高上述固定卡止部和上述可动卡止部的耐久性，另外，这些接合部不会成为被处理体的污染源。

本发明还提供一种被处理体移送方法，其特征在于：是通过立式热处理装置来移送被处理体的方法，其中，上述立式热处理装置包括下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设在上述盖体上、通过环状支撑板而在上下方向以规定间隔保持多片被处理体的保持工具；使上述盖体升降而将保持工具搬入搬出热处理炉的升降机构；和在以规定间隔收纳多个被处理体的收纳容器和上述保持工具之间移送被处理体的移送机构，其中，作为上述移送机构，具有以规定间隔配置的多个基板支撑工具，作为上述移送机构，具有在上述各个基板支撑工具的下侧夹紧被处理体的夹紧机构，并且上述夹紧机构具有固定设置在上述基板支撑工具的前端部来卡止被处理体的前缘部的固定卡止部，和可移动地安装在基板支撑工具的基端侧上来可装卸地卡止被处理件的后缘部的可动卡止部；通过将上述各个基板支撑工具配置在位于移送出发地点的被处理体的上方，而使上述可动卡止部接近上述固定卡止部，来夹紧被处理体，接着，将夹紧被处理体的上述各基板支撑工具移动至移送目标地点的上方，然后，通过使上述可动卡止部远离上述固定卡止部，来解放被处理体，从而将被处理体放置在移送目标地点上。

附图说明

图1是概略地表示本发明的立式热处理装置的一个实施方式的纵截面图。

图2是移送机构的侧视图。

图3是从另一个方向看的图2的移送机构的侧视图。

图4是表示移送机构的基板保持工具及其相关部件的平面图。

图5是环状支撑板的平面图。

图6是从下方表示基板支撑工具的平面图。

图7是另一个从下方表示基板支撑工具的平面图。

图8是表示基板支撑工具前端部的固定卡止部和承受部的简要侧视图。

图9是表示基板支撑工具前端侧的可动卡止部和承受部的简要侧视图。

图10是表示基板支撑工具的基端侧的可动卡止部和驱动部的简要侧视图。

图11是说明移动机构的作用的简要侧视图。

图12是说明现有技术的立式热处理装置的移动机构的一个例子的图。

符号说明

1-立式热处理装置

W-半导体晶片(被处理体)

3-热处理炉

4-炉口

6-盖体

9-保持工具

11-升降机构

15-环状支撑板

16-收纳容器

20-基板支撑工具(被处理体支撑工具)

21-移送机构

28-夹紧机构

30-固定卡止部

31-可动卡止部

34，35-承受部

36，37-切口部

40-映像传感器

具体实施方式

以下，根据附图，对用于实施本发明的最优实施方式进行详细说明。

图1是概略地表示本发明的立式热处理装置的一个实施方式的纵截面图，图2是移送机构的侧视图，图3是从另一个方向看到的图2的移送机构的侧视图，图4是表示移送机构的基板保持工具及其相关部件的平面图，此外，图5是环状支撑板的平板图。

如图1所示，该立式热处理装置1具有形成装置外部轮廓的框体2，在该框体2内的上方设置有立式的热处理炉3。热处理炉3收纳被处理体(称为“被处理基板”)、例如薄板圆板状的半导体晶片W来进行规定的处理(例如CVD处理)。热处理炉3主要包括：其下端作为炉口4而开口的纵长的处理容器，在本实施例中为石英制的反应管5；开闭该反应管5的炉口4用的可升降的盖体6；和覆盖反应管5的周围，能够将反应管5加热至规定的控制温度(例如300～1200℃)的加热器(加热机构)7。

在框体2内，水平设置有构成热处理炉3的反应管5和支撑加热器7的不锈钢制的底座8。在底座8上形成有插入反应管5用的、图中没有示出的开口。

将反应管5从底座8的下侧向上插入到其开口中，通过凸缘保持部件而将在反应管5的下端部形成的向外的凸缘部固定在底座8上，从而，将反应管5设置在底座8上。反应管5为了洗净等而可以从底座8取出。反应管5连接着将处理气体或者清洗用的惰性气体导入到反应管5内的多条气体导入管，此外，还连接着具有可以对反应管5内进行减压控制的真空泵以及压力控制阀等的排气管(图中省略)。

在框体2内的底座8的下方设置有作业区域(装料区域)10。利用该作业区域10，将设置在盖体6上的保持工具(舟皿)9装入热处理炉3(即反应管5)内以及从热处理炉3卸下，此外，还可以进行相对于保持工具9的晶片W的移送。在作业区域10中，为了将舟皿9装入热处理炉3中以及从热处理炉3卸下，而设置有升降盖体6的升降机构11。盖体6与炉口4的开口端接触来密闭该炉口4。在盖体6的下部设置有用于使保持工具9转动的、图中没有示出的旋转机构。

保持工具9具有多层支撑多片晶片W的主体部9a和支撑该主体部9a的脚部9b，脚部9b与旋转机构的旋转轴连接。图示例子的保持工具9例如由石英制成，其能够通过环状的支撑板15、以水平姿势并在上下方向以规定间隔(例如11mm的间距)来保持大口径(例如直径为300mm)的多片(例如75片)晶片W。在主体部9a和盖体6之间，设置有图中没有示出的下部加热机构，用于防止因从炉口4的放热而引起的反应管5内的温度降低。其中，保持工具9也可以没有脚部9b，在这种情况下，主体部9a通过保温筒而放置在盖体6上。保持工具9包括多根支柱12、与该支柱12的上端以及下端连接的顶板13和底板14、和配置在支柱12上的环状支撑板15。环状支撑板15与以规定间隔设置在支柱12上的凹部或者凸部接合，被配置成多层。环状支撑板15例如由石英或者陶瓷制成，其厚度大约为2～3mm，其形成为比晶片W的外径稍大一些的外径。

在框体2的前部设置有放置台(称为装料舟)17。在放置台17上，放置有能够以规定间隔收纳多片(例如25片)晶片W的收纳容器(称为托架或者盒)16，用于将晶片W从收纳容器16搬入框体2内或者相反将其从收纳容器16搬出。收纳容器16是在前面具有图中没有示出的可装卸的盖的密闭型收纳容器。在作业区域10内的前部，设置有卸下收纳容器16的盖而使收纳容器16内与作业区域10内连通的门机构18。在作业区域10内设置移送机构21，其具有以规定间隔配置的多个基板支撑工具(称为叉子)20，能够在收纳容器16和保持工具9之间进行晶片W的移送。

在作业区域10外，在框体2内的前部上侧设置有存贮收纳容器16用的保管棚22和图中没有示出的搬送机构，其中，该搬送机构用于将收纳容器16从放置台17搬送至保管棚22或者相反从保管棚22搬出。另外，为了抑制乃至防止在打开盖体6时，高温的炉内热量从炉口4放出至下方的作业区域10，而在作业区域10的上方设置有覆盖或者塞住炉口4的闸门机构23。

移送机构21具有在上下方向以规定间隔支撑多片(例如5片)晶片W的多个(例如5个)基板支撑工具(称为叉子或者支撑板)20(20a～20e)。中心的基板支撑工具20a与其它的基板支撑工具不同，可单独在前后方向移动。中央的基板支撑工具20a以外的基板支撑工具(从上数第1、2、4以及第5个)20b、20c、20d以及20e，通过图中没有示出的间距变换机构，而可以在上下方向相对于中心基板支撑工具20a无级地移动。即，五个基板支撑工具20a～20e，能够以中央的基板支撑工具20a为基准，无级地改变上下方向的间隔(间距)。因此，即使在收纳容器16内的晶片W的收纳间距与保持工具9内的晶片W的放置间距不同的情况下，也可以在收纳容器16和保持工具9之间，一次移送多片晶片W。

移送机构21具有可升降的升降臂24，和能够在水平面内旋转地安装在该升降臂24上的箱型的基台25。在该基台25上设置有能够使中央的一个基板支撑工具20a向前方移动的第一移动体26；和夹住中央的基板支撑工具20a并使在上下各配置两个的四个基板支撑体20b～20e向前方移动的第二移动体27，并可沿着基台25的长度方向进退移动。因此，通过只移动第一移动体26，就可以进行移送一片晶片W的单片移送；和通过一起移动第一和第二移动体26和27，来同时移送5片晶片W的多片情况的选择。如上所述，为了使第一和第二移动体26和27动作，在基台25的内部设置有图中没有示出的移动机构。该移动机构和上述间距变换机构例如可以使用日本专利JP2001-44260A中所示的机构。

各基板支撑体20例如由氧化铝陶瓷(alumina ceramic)薄板制成，优选前端分叉成两股、在平面视图大致为U字形(参见图4、图6和图7)。移送机构21具有夹紧机构28，其可以在每个基板支撑工具20的下侧，从前后保持每一片晶片W。如图8～图10所示，该夹紧机构28具有设置在基板支撑工具20的前端、卡止晶片W的前边边缘部的固定卡止部30，设置在基板支撑工具20的基端部、可装卸地卡止晶片W的后缘部的可动卡止部31，和驱动该可动卡止部31的驱动机构(例如气缸)32等。

通过利用气缸32来使可动卡止部31前进，能够在可动卡止部31和固定卡止部30之间从前后夹住(夹紧)晶片W，通过使可动卡止部31后退而可以解放晶片W。优选在基板支撑工具20的基端部设置有避免与可动卡止部31干涉用的切口33。

对于固定卡止部30和可动卡止部31，为了以使晶片W不会因自重而从其脱开的方式而支撑晶片W的周边边缘部，优选具有倾斜面30a和31a。另外，优选在各基板支撑工具20上设置有作为隔板来承受晶片W的前后周边边缘部的承受部34和35，使得在各基板支撑工具20的下面和保持在其上的晶片W的上面之间存在间隙g。在图示例子的情况下，在基板支撑工具20的前端部的左右分别设置有一个承受部34，而在基端部的左右分别设置有一个承受部35。此外，前端侧的承受部34和固定卡止部30形成为一体(作为一个部件)，从而可以实现紧凑化。固定卡止部30、可动卡止部31和承受部34以及35，由耐热性树脂、例如PEEK(polyetheretherketone：聚醚醚酮)制成，在提高耐久性方面和不成为晶片的污染源方面较好。

如图4和图5所示，在上述环状支撑板15的外径比晶片W的外径大的情况下，为了避免固定卡止部30和可动卡止部31的干涉，另外，根据需要为了避免与基端侧的承受部35的干涉，优选在环状支撑板15上设置有切口36和37。其中，在环状支撑板15的外径比晶片W的外径小的情况下，不需要在环状支撑板15上设置切口36和37。

基板支撑工具20的上面和固定卡止部30的下面之间距离h，优选比放置在上侧的环状支撑板15的下面和下侧的环状支撑板15上的晶片W上面之间的距离k(约为7.7mm)小(例如大约5.95mm)，以便将一个基板支撑工具20插入上下相邻的两个环状支撑板15、15之间的间隙中。其中，在单片移送时所使用的基板支撑工具20a的前端部，设置进行夹持在保持工具9上的晶片W的映像用的映像传感器(Mapping Sensor)40。

在图示的例子中，在基板支撑工具20的一个前端部，设置有红外光线可以出入的映像传感器40的传感器头40a，在基板支撑工具20的另一个前端部，设置有反射从映像传感器40的传感器头40a输出的红外光线而输入映像传感器40的传感器头40a中的反射镜41。在图示的例子中，映像传感器40具有图中没有示出的检测机构，安装在检测机构内的发光元件和受光元件通过光纤42而与传感器头40a连接。如图5所示，移送机构21通过沿着多层保持在保持工具9内的晶片W而在上下方向(图5的与纸面垂直方向)扫描映像传感器40，来检测在保持工具9内的各层(各环状支撑板15)上有无晶片W，并可以与根据移送机构21的驱动系统编码器值所掌握的位置信息相互联系，来记录(映像)该检测结果。此外，还可以检测处理前后在保持工具9内的各晶片W的保持状态(例如晶片W有无从保持工具9突出)。该映像传感器40，也可以在移送机构21的自动示教时，在设置于目标移送装置上的示教用目标部件的检测中使用。在自动示教时，当移送机构21移动至被目标部件遮住红外光线的位置时，根据这时的移送机构21的驱动系统的编码器值来算出目标部件的位置。

通过图11来对晶片W移送时的移送机构21的动作进行简要说明。首先，将基板支撑工具20插入收纳容器内，并使其位于移送对象的晶片W的上方。然后，以使基板保持工具20下的夹紧机构28的可动卡止部31接近固定卡止部30的方式来运动(关闭夹紧机构28)，以夹住晶片W。在该状态下，将基板支撑工具20从收纳容器退出，将晶片W从收纳容器搬出，接着，使基板支撑工具20位于保持工具9的环状支撑板15的上方(图11(a))。其次，进行动作(打开夹紧机构28)，使得夹紧机构28的可动卡止部31远离固定卡止部30，从而使晶片W从夹紧机构28解放出来并放置在环状支撑板15上(图11(b))。其次，使基板支撑工具20上升，再将基板支撑工具20从保持工具9退出(图11(c))。在图11中，为了图面的简化，只示出了多个基板支撑工具20中的一个，多个基板支撑工具20同时进行上述动作，可以同时移送多片晶片W。

采用上述实施方式可得到以下的各种有利效果。由于移送机构21具有多个(例如5个)基板支撑工具20(20a～20e)，各基板支撑工具20的下侧具有夹紧晶片W的夹紧机构28，因此可以每次将多片晶片W(例如5片)移送在具有环状支撑板15的保持工具9上，可以大幅度缩短移送时间。特别是，由于夹紧机构28包括：固定设置在基板支撑工具20的前端部来卡止晶片W的前缘部的固定卡止部30；和可移动地安装在基板支撑工具20的基端部上，可装卸地卡止晶片W的后缘部的可动卡止部31；换句话说，将基板支撑工具20的前端部的卡止部作成固定式，所以与配置在叉子(基板支撑工具)20的前端部和基端部的卡止部件都是可动的现有技术的移送机构B(参照“背景技术”)比较，可使基板支撑工具20的全体结构简单，而且可以减薄基板支撑工具20的厚度。由于薄的基板支撑工具20可以插入狭窄的间隙中，因此可减小保持工具9的环状支撑板15之间的间距。从现有技术的16mm减小至11mm，其结果，利用相同尺寸的保持工具9就可以保持多片晶片W。因此，可将一次热处理的处理片数从现有技术的50片增加1.5倍、至75片，可以提高生产率。

另外，利用夹紧机构28容易在基板支撑工具20的下侧夹紧晶片W。另外，由于在基板支撑工具20上设置有承受晶片W的前后周边边缘部的承受部34和35，使得在基板支撑工具20的下面和晶片W的上面之间有间隙，因此可以防止在夹紧晶片W时，基板支撑工具20的下面擦伤晶片W的上面。此外，由于在环状支撑板15上形成避免固定卡止部30和可动卡止部31的干涉用的切口36和37，因此夹紧机构28可以不与环状支撑板15干涉，而可靠地夹紧晶片W。

由于在基板支撑工具20中的至少一个(20a)上设置映像传感器40，通过移动基板保持工具20a，使在基板保持工具20a的两个前端部之间进行的光线，由被处理体(晶片)W遮住，该映像传感器40可以检测被处理体W的位置，因此，通过沿着配置方向(上下方向)扫描分别保持在保持工具9内的环状支撑板15上的多个被处理体W，可以检测各环状支撑板15上的被处理体W的有无，并且与位置信息关连，进行记录(映像)。另外，由于可以检测处理前后被处理体W有无从保持工具9突出，因此可以在未发生前防止被处理体W的破损等。另外，由于固定卡止部30设在基板支撑工具20的前端部，不是可动结构，不需考虑防止与固定卡止部30的干涉，因此容易设置映像传感器40，还可以将基板支撑工具20全体的厚度抑制得较小。

以上，利用附图详细说明了本发明的实施方式，但本发明并不是仅限于上述实施方式，在不偏离本发明的精神和范围的条件下，可作各种设计变更。

Claims (6)

1.一种立式热处理装置，其特征在于，包括：

下部具有炉口的热处理炉；

密闭所述炉口的盖体；

设在所述盖体上、通过环状支撑板而在上下方向以规定间隔保持多片被处理体的保持工具；

使所述盖体升降而将保持工具搬入搬出热处理炉的升降机构；和

具有隔开规定间隔而配置的多个基板支撑工具，在以规定间隔收纳多个被处理体的收纳容器和所述保持工具之间移送被处理体的移送机构，其中，

所述移送机构在所述各基板支撑工具的下侧具有夹紧被处理体的夹紧机构，所述夹紧机构具有固定设置在所述各基板支撑工具的前端部来卡止被处理体的前缘部的固定卡止部、和可移动地安装在所述各基板支撑工具的基端部上来可装卸地卡止被处理件的后缘部的可动卡止部。

2.如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：

在所述各基板支撑工具上，设置有承受被处理体的前后的周缘部的承受部，使得在该基板支撑工具的下面和被处理体的上面之间存在间隙。

3.如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：

在所述各环状支撑板上设置有用于避免所述固定卡止部和所述可动卡止部的干涉的切口部。

4.如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：

在所述基板支撑工具中的至少一个上设置有映像传感器，该映像传感器，通过移动所述基板支撑工具而使在所述基板支撑工具的两个前端部之间行进的光线由被检测物所遮挡，以此来检测被检测物的位置。

5.如权利要求1所述的立式热处理装置，其特征在于：

所述固定卡止部和所述可动卡止部由耐热性树脂材料制成。

6.一种被处理体移送方法，其特征在于：

是通过立式热处理装置来移送被处理体的方法，其中，所述立式热处理装置包括下部具有炉口的热处理炉；密闭所述炉口的盖体；设在所述盖体上、通过环状支撑板而在上下方向以规定间隔保持多片被处理体的保持工具；使所述盖体升降而将保持工具搬入搬出热处理炉的升降机构；和在以规定间隔收纳多个被处理体的收纳容器和所述保持工具之间移送被处理体的移送机构，其中，

作为所述移送机构，具有以规定间隔配置的多个基板支撑工具，

作为所述移送机构，具有在所述各个基板支撑工具的下侧夹紧被处理体的夹紧机构，并且所述夹紧机构具有固定设置在所述基板支撑工具的前端部来卡止被处理体的前缘部的固定卡止部，和可移动地安装在基板支撑工具的基端侧上来可装卸地卡止被处理件的后缘部的可动卡止部；

通过将所述各个基板支撑工具配置在位于移送出发地点的被处理体的上方，而使所述可动卡止部接近所述固定卡止部，来夹紧被处理体，接着，将夹紧被处理体的所述各基板支撑工具移动至移送目标地点的上方，然后，通过使所述可动卡止部远离所述固定卡止部，来解放被处理体，从而将被处理体放置在移送目标地点上。

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