CN107256838B - 基板处理系统和基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。基板处理系统具有在曝光前进行基板的背面清洗的功能，能够提高基板处理的成品率。涂敷显影处理系统的交接站(5)具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的清洗单元(100)；在晶片搬入到曝光装置之前，对于清洗后的晶片的背面检查该晶片能否进行曝光的检查单元(101)；暂时收纳由检查单元(101)检查后的晶片的缓冲单元(111)；和晶片搬送机构(120，130)，其包括在各单元(100，101，111)之间搬送晶片的臂。

Description

基板处理系统和基板搬送方法
技术领域
本发明涉及进行基板处理的基板处理系统、基板处理系统中的基板处理方法。
背景技术
例如半导体器件的制造工序中的光刻工序中，依次进行在晶片上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理、对曝光的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等的一系列的处理，从而在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。这些一系列的处理在作为搭载有处理晶片的各种处理单元或输送晶片的输送单元等的基板处理系统的涂敷显影处理系统中进行。
如图32所示，例如，以往，涂敷显影处理系统300作为整体具有：用于从外部搬入搬出盒(cassette)C的载盒台(cassette station)301、正面和背面设置有进行抗蚀剂涂敷处理、显影处理以及热处理等的各种处理的多个处理单元的处理台302和在设置于涂敷显影处理系统300的外部的曝光装置A与处理系统302之间进行晶片的交接的交接交接台303。
但是，近年来，形成于晶片上的电路图案的精细化不断发展，曝光处理时的离焦裕度(defocus margin)更加严格。与此相伴，在曝光装置A中需要尽量不能掺入有颗粒(particle)。尤其是，晶片背面的颗粒成为问题。因此，与曝光装置A相邻的交接站303中，为了极力减少颗粒向曝光装置A的掺入，设置有对搬送到曝光装置A之前的晶片的背面进行清洗去除颗粒的晶片清洗单元310、检查清洗后的晶片的晶片检查单元311。另外，在交接站303中，设置有用于在各单元310、311之间交接晶片的交接单元312、在这些各单元310、311、312之间搬送晶片的晶片搬送装置313等(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-135583号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，如上述的涂敷显影处理系统300，当交接站303中设置有如晶片清洗单元310或晶片检查装置311这样的多个单元时，需要进行各单元之间的晶片的交接，因此，无法避免晶片的搬送次数的增加。
结果是，晶片搬送装置的控制变复杂，而且，由晶片搬送装置搬送的晶片的移动距离也变长，因此，晶片运送装置的负荷也提高。
另外，上述的涂敷显影处理系统300中，通过晶片检查单元311被判断为有异常的晶片越少，涂敷显影处理系统300的成品率就越提高。
通过本发明者们的验证可知，即使由晶片检查单元311被判断为有异常的晶片，也包括多个通过在晶片清洗单元310中再次清洗，成为能够搬入到曝光装置A的状态的晶片。
但是，在上述专利文献1的涂敷显影处理系统300中，被判断为有异常的晶片都被回收到盒站301，因此，不能提高成品率。
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，在具备在曝光前进行基板的背面清洗的功能的基板处理系统中，保证基板的背面的清洁性并且减少基板搬送的负荷，以及提高基板处理的成品率。
用于解决课题的技术方案
为了达到上述的目的，本发明为一种基板处理系统，其包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站；和在上述处理站和设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站，该基板处理系统的特征在于：上述交接站具有：在将基板搬入到上述曝光装置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；和在清洗后的上述基板搬入到上述曝光装置之前，至少对于清洗后的上述基板的背面检查该基板能否进行曝光的基板检查部，上述基板清洗部和上述基板检查部配置于同一箱体的内部，在上述箱体的内部，设置有在上述基板清洗部和上述基板检查部之间搬送基板的搬送手段。
根据本发明，清洗基板的背面的基板清洗部和检查清洗后的基板的基板检查部收纳于同一箱体的内部，并且，能够通过设置于箱体的内部的搬送手段进行该基板清洗部和基板检查部之间的基板搬送。因此，在基板清洗部和基板检查部之间搬送基板时，无需如以往那样，使用例如设置于箱体的外部的搬送装置。于是，能够减少基板搬送的负荷。
在上述交接站中，也可以设置有去除附着于由上述基板清洗部清洗后的基板的水分的脱水单元。
基板搬送控制部，其以如下方式控制上述搬送手段：当在上述基板检查部的检查结果被判断为，基板的状态成为通过在上述基板清洗部的再清洗能够曝光的状态时，再次将该基板搬送到上述基板清洗部。
上述基板搬送控制部以将再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板检查部的方式控制上述基板搬送机构。
在上述交接站中，设置有将由上述基板检查部检查后且搬入到上述曝光装置之前的基板调整到规定的温度的温度调整机构。
上述温度调整机构设置于上述箱体的内部。
在上述交接站中，也可以设置有使由上述基板检查部检查后的基板暂时待机的缓冲待机部。
上述缓冲待机部设置于上述箱体的内部。
上述缓冲待机部使上述检查后的基板待机直到判断出该检查后的基板的检查结果。
在上述箱体的内部设置有清洗上述搬送手段的搬送手段清洗机构。
上述基板清洗部兼用作上述搬送手段清洗机构。
根据另一个观点的本发明为基板处理系统的基板搬送方法，该基板处理系统包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站；和在上述处理站与设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站，该基板搬送方法的特征在于：上述交接站具有：在将基板搬入到上述曝光装置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；和在清洗后的上述基板搬入到上述曝光装置之前，至少对于清洗后的上述基板的背面检查该基板能否进行曝光的基板检查部，上述基板清洗部和上述基板检查部配置于同一箱体的内部，在上述基板清洗部和上述基板检查部之间的基板的搬送通过在上述箱体的内部设置的基板搬送手段进行。
在上述交接站中，也可以设置有去除附着于上述基板的水分的脱水单元，由上述基板清洗部清洗后的基板通过上述脱水单元进行脱水。
当在上述基板检查部的检查结果被判断为，基板的状态成为通过在上述基板清洗部的再清洗能够曝光的状态时，再次将该基板搬送到上述基板清洗部进行清洗。
也可以将再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板，再次搬送到基板检查部。
也可以将由上述基板检查部检查之后且在搬入到上述曝光装置之前的基板调整到规定的温度。
上述基板的温度调整在上述箱体的内部进行。
也可以使由上述基板检查部检查之后的基板暂时在设置于上述交接站的缓冲待机部待机。
上述缓冲待机部设置于上述箱体的内部。
也可以使检查后的上述基板在上述缓冲待机部待机直到判断出在上述基板检查部的检查结果。
在上述箱体的内部设置有清洗上述搬送手段的搬送手段清洗机构。
上述基板清洗部兼用作上述搬送手段清洗机构。
为了达到上述的目的，本发明为基板处理系统，其包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站；和在上述处理站和设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站，该基板处理系统的特征在于：上述交接站具有：在将基板搬入到上述曝光装置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；在清洗后的上述基板搬入到上述曝光装置之前，至少对于清洗后的上述基板的背面检查该基板能否进行曝光的基板检查部；具有在上述基板清洗部和上述基板检查部之间搬送基板的臂的基板搬送机构；和控制上述基板搬送机构的动作的基板搬送控制部，上述基板搬送控制部对上述基板搬送机构进行控制，使得在上述基板检查部的检查的结果被判断为，基板的状态成为通过上述基板清洗部的再清洗能够曝光的状态的情况下，再次将该基板搬送到上述基板清洗部。
根据本发明，具有基板搬送控制部，其以如下方式控制基板搬送机构：当在基板检查部判断出清洗后的基板的背面的检查结果为，虽然基板的状态的现状为不能够曝光，但是通过基板清洗部的再清洗成为能够曝光的状态时，则能够将该基板再次搬送到基板清洗部。此时，按照需要进行基板的再清洗，因此，即使以往被判断为不能够曝光的基板也能够继续进行基板处理。从而，与对被判断为不能够曝光的全部的基板在中途停止处理回收到盒中的以往的涂敷显影处理系统相比，能够减少中途停止处理被回收到盒中的基板的数量。结果是，能够提高基于基板处理系统的基板处理的成品率。
上述基板搬送控制部以将再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板检查部的方式，对上述基板搬送机构进行控制。
在上述交接站设置有暂时收纳由上述基板检查部检查后的基板的缓冲收纳部。
上述基板搬送机构也可以具有将已搬入到上述交接站中的基板搬送到上述基板清洗部的第一搬送臂；和将由上述基板清洗部清洗之后的基板搬送到上述基板检查部，进一步将由上述基板检查部检查之后的基板搬送到上述缓冲收纳部的第二搬送臂。
上述基板搬送机构也可以设置有：将已搬入到上述交接站中的基板搬送到上述基板清洗部的第一搬送臂；将由上述基板清洗部清洗之后的基板搬送到上述基板检查部的第二搬送臂；和将由上述基板检查部检查之后的基板搬送到上述缓冲收纳部的第三搬送臂。
上述缓冲收纳部也可以收纳上述检查后的基板直到判断出该检查后的基板的检查结果。
也可以在上述交接站设置有去除附着在由上述基板清洗部清洗之后的基板的水分的脱水单元。
也可以是，上述基板搬送机构以沿上下方向自由移动的方式设置，
上述基板清洗部设置于上述交接站的正面侧和背面侧中的任意一侧，上述基板检查部夹着上述基板搬送机构设置于上述基板清洗部的相反一侧，上述脱水单元相对于上述基板清洗部或上述基板检查部多层地设置于上述基板清洗部侧和上述基板检查部侧中的任意一侧。
也可以是，上述基板搬送机构以沿上下方向自由移动的方式设置，上述基板清洗部和上述基板检查部在上下方向上多层地设置于上述交接站的正面侧和背面侧中的任意一侧，上述脱水单元夹着上述基板搬送机构设置于上述基板清洗部和上述基板检查部的相反一侧。
也可以具有清洗上述基板搬送机构的臂的臂清洗机构。
上述基板清洗部兼用作上述臂清洗机构。
也可以具有温度调整机构，其将由上述基板检查部检查之后且在搬入到上述曝光装置之前的基板调整到规定的温度。
上述温度调整机构设置于上述基板检查部内。
根据另一个观点的本发明为基板处理系统的基板搬送方法，该基板处理系统包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站；和在上述处理站与设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站，该基板搬送方法的特征在于：上述交接站具有：在将基板搬入到上述曝光装置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；在清洗后的上述基板搬入到上述曝光装置之前，至少对于清洗后的上述基板的背面检查该基板能否进行曝光的基板检查部，和具有在上述基板清洗部和上述基板检查部之间搬送基板的臂的基板搬送机构，当上述基板检查部的检查的结果被判断为，基板的状态成为通过上述基板清洗部的再清洗能够曝光的状态时，再次将该基板搬送到上述基板清洗部。
也可以将再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板检查部。
在上述交接站也可以设置有暂时收纳由上述基板检查部检查后的基板的缓冲收纳部。
上述基板搬送机构也可以具有：将已搬入到上述交接站中的基板搬送到上述基板清洗部的第一搬送臂；和将由上述基板清洗部清洗之后的基板搬送到上述基板检查部，进一步将由上述基板检查部检查之后的基板搬送到上述缓冲收纳部的第二搬送臂。
上述基板搬送机构也可以设置有：将已搬入到上述交接站中的基板搬送到上述基板清洗部的第一搬送臂；将由上述基板清洗部清洗之后的基板搬送到上述基板检查部的第二搬送臂；和将由上述基板检查部检查之后的基板搬送到上述缓冲收纳部的第三搬送臂。
上述缓冲收纳部收纳上述检查后的基板直到判断出在上述基板检查部的检查结果。
在上述交接站设置有去除附着在由上述基板清洗部清洗之后的基板的水分的脱水单元。
也可以是，上述基板搬送机构以沿上下方向自由移动的方式设置，上述基板清洗部设置于上述交接站的正面侧和背面侧中的任意一侧，上述基板检查部夹着上述基板搬送机构设置于上述基板清洗部的相反一侧，上述脱水单元相对于上述基板清洗部或上述基板检查部多层地设置于上述基板清洗部侧和上述基板检查部侧中的任意一侧。
清洗上述基板搬送机构的臂的臂清洗机构设置于上述交接站的配置有上述基板清洗部的一侧。
上述基板清洗部兼用作上述臂清洗机构。
也可以将由上述基板检查部检查之后且被搬入到上述曝光装置之前的基板调整到规定的温度。
上述基板的温度调整也可以在上述基板检查部内进行。
发明效果
根据本发明，能够在具被在曝光前进行基板的背面清洗的功能的基板处理系统中，减少基板搬送的负荷，提高基板处理的成品率。
附图说明
图1是表示第一实施方式的涂敷显影处理系统的内部构成的概略的平面图。
图2是表示第一实施方式的涂敷显影处理系统的正面侧的内部构成的概略的说明图。
图3是表示第一实施方式的涂敷显影处理系统的背面侧的内部构成的概略的说明图。
图4是表示第一实施方式的交接站的构成的概略的说明图。
图5是表示第一实施方式的清洗检查单元的构成的概略的纵截面图。
图6是表示第一实施方式的清洗检查单元的晶片清洗部附近的构成的概略的横截面图。
图7是表示第一实施方式的将晶片交给晶片清洗部的情况的说明图。
图8是表示第一实施方式的将晶片交给晶片清洗部的状态的说明图。
图9是表示第一实施方式的在晶片清洗部内晶片在水平方向上移动的情况的说明图。
图10是表示第一实施方式的在晶片清洗部内晶片在水平方向上移动的情况的说明图。
图11是表示第一实施方式的晶片清洗部中晶片的周缘部被清洗的情况的说明图。
图12是表示第一实施方式的脱水单元的构成的概略的平面图。
图13是表示第一实施方式的脱水单元的构成的概略的纵截面图。
图14是表示第一实施方式的涂敷显影处理装置中进行的晶片处理的主要的工序的流程图。
图15是表示第一实施方式的清洗检查单元的构成的概略的纵截面图。
图16是表示第一实施方式的清洗检查单元的另外的构成例的概略的纵截面图。
图17是表示第二实施方式的涂敷显影处理系统的内部构成的概略的平面图。
图18是表示第二实施方式的涂敷显影处理系统的正面侧的内部构成的概略的说明图。
图19是表示第二实施方式的涂敷显影处理系统的背面侧的内部构成的概略的说明图。
图20是表示第二实施方式的交接站的构成的概略的说明图。
图21是表示第二实施方式的清洗部的构成的概略的平面图。
图22是表示第二实施方式的清洗部的构成的概略的纵截面图。
图23是表示第二实施方式的将晶片交接给晶片清洗部的情况的说明图。
图24是表示第二实施方式的晶片已被交接给晶片清洗部的状态的说明图。
图25是表示第二实施方式的在晶片清洗部内晶片在水平方向上移动的情况的说明图。
图26是表示第二实施方式的在晶片清洗部内晶片在水平方向上移动的情况的说明图。
图27是表示第二实施方式的晶片清洗部中晶片的周缘部被清洗的情况的说明图。
图28是表示构成第二实施方式的检查部的构成的概略的纵截面图。
图29是表示第二实施方式的脱水单元的构成的概略的平面图。
图30是表示第二实施方式的脱水单元的构成的概略的纵截面图。
图31是表示第二实施方式的涂敷显影处理装置中进行的晶片处理的主要的工序的流程图。
图32是表示现有的涂敷显影处理系统的构成的概略的说明图。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。图1是表示构成本实施方式的作为基板处理系统的涂敷显影处理系统1的内部构成的说明图。图2和图3为分别从正面侧和背面侧表示涂敷显影处理系统1的内部构成的概略的说明图。
涂敷显影处理系统1例如如图1所示具有，将在与外部之间搬出搬入收纳有多个晶片W的盒C的载盒台2；具有多个在光刻处理中对晶片W施行规定的处理的处理单元的处理站3；和在与曝光装置4之间进行晶片W的交接的交接站5一体连接的结构。另外，涂敷显影处理系统1具有进行各种处理单元等的控制的控制装置6。
载盒台2例如包括盒搬入搬出部10和晶片搬送部11。盒搬入搬出部10例如设置于涂敷显影处理系统1的Y方向负方向(图1的左方向)侧的端部。盒搬入搬出部10中，设置有盒载置台12。在盒载置台12上例如设置有四个盒载置板13。盒载置板13以一列并排设置在水平方向的X方向上(图1的上下方向)。在这些盒载置板13中，当对于涂敷显影处理系统1的外部搬入搬出盒C时，能够载置盒C。
在晶片搬送部11中，如图1所示例如设置有在沿X方向延伸的搬送路20上自由移动的晶片搬送装置21。晶片搬送装置21在上下方向和绕铅直轴(θ方向)都能够自由移动，能够在各盒载置板13上的盒C和后述的处理站3的第三区域块(block)G3的交接装置之间搬送晶片W。
与载盒台2相邻的处理站3中，设置有具有各种单元的多个例如四个区域块G1、G2、G3、G4。处理站3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区域块G1，处理站3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区域块G2。另外，处理站3的载盒台2侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区域块G3，处理站3的交接站5侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区域块G4。
例如第一区域块G1中，如图2所示，多个液处理单元，例如在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜(以下称为“下部反射防止膜”)的下部反射防止膜形成单元30、在晶片W上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷单元31、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜(以下称为“上部反射防止膜”)的上部反射防止膜形成单元32、和对晶片W进行显影处理的显影处理单元33从下开始依次重叠四层。
这些第一区域块G1的各处理单元30～33在水平方向上具有多个在处理时收纳晶片W的罩F，能够将多个晶片W并行处理。
例如在第二区域块G2中，如图3所示，在上下方向和水平方向并排设置有进行晶片W的热处理的热处理单元40、对晶片W进行疏水化处理的作为疏水化处理装置的粘附单元(adhesion unit)41、和对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光单元42。热处理单元40具有载置晶片W进行加热的热板和载置晶片W进行冷却的冷却板，能够进行加热处理和冷却处理两者。另外，热处理单元40、粘附单元41以及周边曝光单元42的数量或配置能够任意选择。
例如在第三区域块G3中从下开始依次设置有多层的多个交接单元50、51、52、53、54、55、56。另外，在第四区域块G4中从下开始依次设置有多层的多个交接单元60、61、62。
如图1所示，被第一区域块G1～第四区域块G4包围的区域中，形成有晶片搬送区域D。晶片搬送区域D中，例如设置有多个例如三个晶片搬送装置70。各晶片搬送装置70各自为相同的结构。
晶片搬送装置70例如构成为在Y方向、前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动。晶片搬送装置70在晶片搬送区域D内移动，能够将晶片W搬送到周围的第一区域块G1、第二区域块G2、第三区域块G3和第四区域块G4内的规定的单元。各晶片搬送装置70、70、70例如如图3所示上下配置，例如能够将晶片W搬送到各区域块G1～G4的同程度的高度的规定的区域。
另外，如图3所示，在晶片搬送区域D中设置有在第三区域块G3和第四区域块G4之间直线搬送晶片W的梭(shuttle)搬送装置80。
梭搬送装置80例如在图3的Y方向上直线地自由移动。梭搬送装置80在支承晶片W的状态下在Y方向上移动，能够在第三区域块G3的交接单元52和第四区域块G4的交接单元62之间搬送晶片W。
如图1所示，在与第三区域块G3的X方向正方向侧相邻的区域中，设置有晶片搬送装置90。晶片搬送装置90例如构成为在前后方向、θ方向和上下方向上自由移动。晶片搬送装置90在支承晶片W的状态下上下移动，能够将该晶片W搬送到第三区域块G3内的各交接单元。
在第四区域块G4的例如X方向正方向侧，设置有晶片搬送装置85。晶片搬送装置85例如构成为在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动。晶片搬送装置85在支承晶片W的状态下上下移动，能够将晶片W搬送到交接站5。
图4是表示从载盒台2侧观察的、交接站5的内部构成的概略的说明图。如图4所示，在交接站5中设置有具有各种单元的三个区域块G5、G6、G7。第五区域块G5设置于交接站5的正面侧(图1的X方向负方向侧)。第六区域块G6例如设置于交接站5的背面侧(图1的X方向正方向侧)。另外，第七区域块G7设置于第五区域块G5和第六区域块G6之间。
例如在第五区域块G5，如图4所示，例如在上下方向上配置有两个对搬入到曝光装置4之前的晶片W进行检查的清洗检查单元100。清洗检查单元100的具体结构在后文叙述。
在第六区域块G6，例如在上下方向配置有三个对附着于由清洗检查单元100清洗和检查后的晶片W的水分进行脱水去除的脱水单元101。
在第七区域块G7中，经由晶片搬送装置85与处理站3之间进行晶片W的交接的交接单元110；用于将在清洗检查单元100中清洗并检查完成后的晶片W交接给脱水单元101或曝光装置4的交接单元110’；和将脱水后的晶片W在搬入到曝光装置4之前调整到规定的温度的作为温度调整机构的温度调整单元112，在上下方向上设置有多个。具体而言，在第七区域块G7的上部，交接单元110和交接单元110’从上开始按该顺序交替地重叠各配置有三层。在第七区域块G7的下部，交接单元110’和温度调整单元112从上开始按该顺序交替地重叠配置有各两层。温度调整单元112具有具备帕尔贴元件等的温度调整部件的温度调整板，能够将载置于该温度调整板的晶片W进行温度调整为规定的温度，例如常温。
在第五区域块G5和第七区域块G7之间且与第五区域块G5相邻的区域中设置有晶片搬送装置120。晶片搬送装置120具有多个搬送臂，例如作为搬送臂具有两个，即第一搬送臂121和第二搬送臂122。各搬送臂121、122例如构成为在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动。由此各搬送臂121、122在支承晶片W的状态下上下移动，能够在各区域块G5、G7的各单元之间搬送晶片W。
在第六区域块G6和第七区域块G7之间的区域中设置有晶片搬送装置130。晶片搬送装置130具有多个搬送臂，例如作为搬送臂具有两个，即第三搬送臂131和第四搬送臂132。各搬送臂131、132例如构成为在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动。由此，各搬送臂131、132在支承晶片W的状态下上下移动，能够在第六区域块G6、第七区域块G7以及曝光装置4之间搬送晶片W。另外，在图4中，作为晶片搬送装置120描绘的是独立移动的多个搬送臂121、122，但是，也可以以设置有多个例如两个将晶片W保持在一个搬送臂上的固定销(pin set)的部件替代多个搬送臂使用。晶片搬送装置130也一样。
基于晶片搬送装置120、130的晶片W的搬送，由图1所示的作为控制装置6的基板搬送控制部的晶片搬送控制部135进行控制。晶片搬送控制部135以如下方式控制晶片搬送装置120：由晶片搬送装置120的例如第一搬送臂121将从处理站3搬送到交接单元110的晶片W向清洗检查单元100搬送，由第二搬送臂122将在清洗检查单元100中清洗并检查完成的晶片W搬送到第七区域块G7的交接单元110’。另外，晶片搬送控制部135按如下方式控制晶片W搬送装置130：由晶片搬送装置130的第三搬送臂131进行在清洗检查单元100中清洗之后的晶片W的、从交接单元110’向脱水单元101的搬送和从脱水单元101向温度调整单元112的搬送，由第四搬送臂132在温度调整单元112、交接单元110’和曝光装置4之间搬送晶片W。另外，晶片搬送控制部135也进行涂敷显影处理系统1内的其他的晶片搬送装置、如后述的搬送手段143的动作的控制。
接着说明清洗检查单元100的构成。图5是表示清洗检查单元100的构成的概略的纵截面图。
清洗检查单元100具有：箱体140；作为清洗晶片W的背面的基板清洗部的晶片清洗部141；作为基板检查部的晶片检查部142，其在晶片被搬入到曝光装置4之前检查在晶片清洗部141中清洗后的晶片W背面是否为在曝光装置4中能够曝光的状态；和在晶片清洗部141与晶片检查部142之间搬送晶片W的搬送手段143。
晶片清洗部141和晶片检查部142从下至上依次配置于箱体140内。另外，在晶片清洗部141和晶片检查部142之间的区域，即在晶片清洗部141的上方且晶片检查部142的下方，配置有使在晶片检查部142检查之后的晶片W暂时待机的、作为缓冲待机部的待机载置台144。
如图6所示，晶片清洗部141具有：在水平地吸附保持晶片W的两个吸附垫(pad)150、150；和将从该吸附垫150、150接收的晶片W水平地吸附保持的旋转吸盘(spin chuck)151；和清洗晶片W的背面的刷(brush)152。
如图6所示，两个吸附垫150、150以能够保持晶片W背面的周缘部的方式，在俯视时夹住旋转吸盘151大致平行的设置。各吸附垫150、150通过由驱动机构(未图示)在水平方向和上下方向自由移动的框体153支承其两端部。
框体153的上表面设置有上部罩154。上部罩154的上表面形成有比晶片W的直径更大直径的开口部154a。开口部154a形成为，当在吸附垫150与例如第一搬送臂121之间进行晶片W的交接时，该晶片W能够通过该开口部154a的大小。
如图5所示，旋转吸盘151经由传动轴(shaft)160连接到驱动机构161，旋转吸盘151构成为通过该驱动机构161自由旋转和升降。
旋转吸盘151的周围设置有多个通过升降机构(未图示)自由升降的升降销(pin)162。
例如将大量塑料纤维捆扎为圆柱状而构成刷152，其由支承体163支承。在支承体163的与刷152相反侧的端部，连接有驱动机构164。如图6所示，驱动机构164沿在X方向上延伸的轨道(rail)165在水平方向上自由移动。从而，使驱动机构164沿轨道在X方向上移动，能够通过支承体163使刷152在X方向上移动。刷152构成为通过内置于支承体163的驱动机构(未图示)自由旋转。从而，通过在将其上表面按压在晶片W的背面的状态下使其旋转使该刷152在晶片W的背面滑动，由此能够去除附着在晶片W的背面的颗粒。
另外，在支承体163的前端，设置有供给冲洗由刷除去的颗粒的清洗液的清洗液喷嘴(nozzle)163a；和在清洗后用于干燥附着在晶片W的背面的清洗液的、例如供给氮等的气体的清洗喷嘴(purge nozzle)163b。
在箱体140的底部，设置有排出清洗液的排液管170；和对箱体140内部进行排气向晶片清洗部141形成下方向的气流的排气管171。
接着，说明晶片检查部142的构成。
如图5所示，晶片检查部142具有：设置于晶片清洗部141的上方的保持臂180；对晶片W的背面照射线状的平行光线的光源181；和对照射的光进行摄像的摄像机(camera)182。保持臂180构成为，通过驱动机构(未图示)在水平方向上自由移动。
在保持臂180的前端部形成有向下方突出的卡止部180a。另外，在保持臂180的下表面，设置有通过未图示的驱动机构在晶片W的直径方向上自由移动的可动保持部180b。保持臂180通过该卡止部180a和可动保持部180b夹住晶片W，并能够将该晶片W以其背面朝向下方的状态保持。
光源181在保持臂180的下方以相对于晶片W的背面成规定的角度θ照射光线的方式配置。摄像机182，在保持臂180的下方以相对于晶片W的背面与光源181同样倾斜规定的角度θ的状态被配置，对照射到晶片W的背面的光线的图像进行摄像。
光源181、摄像机182能够通过未图示的旋动机构调整照射角度和摄像角度。由此，对以某个角度照射的光线下无法观察的颗粒，能够以不同的角度照射光线而能够进行观察。
在晶片清洗部141和晶片检查部142之间进行晶片W的搬送的搬送手段143，例如如图5所示，设置于与晶片清洗部141和晶片检查部142的Y方向正方向侧相邻的区域。
搬送手段143，例如如图6所示，具有其前端分叉为两个的大致U字形状的搬送臂143a。在搬送臂143a的端部，设置有使该搬送臂143a在前后方向上移动的臂驱动机构143b。臂驱动机构143b有基台143c支承。
在基台143c，内置有沿着在铅直方向上延伸设置的升降轨道143d使该基台143c在θ方向和上下方向上自由移动的驱动机构(未图示)。由此，搬送臂143a构成为，在前后方向、θ方向和上下方向上自由移动，在保持有晶片W的状态下上下移动，能够在晶片清洗部141和晶片检查部142之间搬送晶片W。
在待机载置台144中内置有升降销(未图示)，经由该升降销能够在搬送臂143a和例如第二搬送臂122之间进行晶片W的交接。
接着，说明在清洗检查单元100中进行的晶片W的清洗和检查。
进行晶片W的清洗时，首先如图7所示，晶片W例如通过搬送臂121被搬送到上部罩154的上方。接着，升降销162上升，将晶片W交接到升降销162。此时，吸附垫150在其上表面比刷152的上表面高的位置待机，旋转吸盘151退避到比刷152的上表面低的位置。此后，升降销162下降，如图8所示将晶片W交接给吸附垫150进行保持。
接着，如图9所示，在由吸附垫150吸附保持晶片W的状态下，使框体153在水平方向移动，使得例如刷152位于对应于晶片W背面的中央部的区域。此后，使吸附垫150下降，晶片W的背面被推碰到刷152的上表面。
接着，从清洗液喷嘴163a供给清洗液，并且使刷152旋转，清洗晶片W背面的中央部。此时，支承体163在图6的X方向上往复移动，框体153在Y方向上往复移动，晶片W背面的中央部被全面均匀地清洗。
当晶片W背面的中央部的清洗完成时，如图10所示，在利用吸附垫150保持晶片W的状态下，使框体153在水平方向移动，以使晶片W的中心和旋转吸盘151的中心在俯视时一致。接着，使框体153下降，并且使旋转吸盘151上升，将晶片W从吸附垫150交接给旋转吸盘151。
然后，如图11所示，在将刷152推碰到晶片W的背面的状态下，使晶片W旋转，并且利用支承体163使刷在图6的X方向上滑动，晶片W背面的周缘部被清洗。由此，除去晶片W的背面整体的颗粒。
当晶片W背面的清洗完成时，刷152的旋转和来自清洗液喷嘴163a的清洗液的供给停止。接着，使旋转吸盘151以高速旋转，附着在晶片W背面的清洗液被甩脱而干燥。此时，也并行地进行基于净化喷嘴163b的净化。
然后，当甩脱干燥结束时，晶片W以与被搬送到晶片清洗部141时相反的顺序，此次被交接给搬送手段143的搬送臂143a。
接着，搬送臂143a在保持晶片W的状态下上升到晶片检查部142从而移动到保持臂180的下方，接着由保持臂180的卡止部180a和可动保持部180b夹住晶片W，将该晶片W交接给保持臂180。
当晶片W被交接给保持臂180时，保持臂180在保持有晶片W的状态下在水平方向移动。在保持臂180水平移动的期间，由光源181向晶片W的背面照射线状的平行光线，照射到背面的光线被摄像机182连续摄像。利用摄像机182摄像的图像依次输入到控制装置6。然后，当从晶片W的一端部到另一端部完成摄像时，在晶片检查部142中的检查结束。
当检查结束时，晶片W再次被交接到搬送手段143，此后，交接到作为缓冲待机部的待机载置台144。缓冲待机部也可以设置于清洗检查单元100的外部，例如第七区域块G7。
与此并行，在控制装置6中，基于利用摄像机182摄像的图信息像(画情報像，图像信息)，判断被摄像的晶片W是否为能够曝光的状态。更具体而言，在控制装置6中，基于例如从所摄像的图信息像算出的、例如附着于晶片W的背面的颗粒的数量或附着的范围、或颗粒的高度或大小等的信息，判断出晶片W的状态属于：在曝光装置4中能够曝光的状态、在曝光装置4中不能曝光的状态；或目前还不能在曝光装置4中进行曝光，但如果在清洗部141中再次清洗则能够在曝光装置4中进行曝光的状态，这三种状态中的哪一种。
当判断出晶片检查部142中的检查结果，晶片搬送控制部135则基于规定的规则(rule)控制晶片W的搬送。也就是说，如果晶片检查部142中的检查的结果判定为晶片W的状态是能够在曝光装置4中曝光，则待机载置台144的晶片W由第二搬送臂122搬送到第七区域块G7的交接单元110’。另外，如果检查的结果判定为晶片W的状态是在曝光装置4中不能曝光，则中止该晶片W以后的处理，并由第一搬送臂121搬送到交接单元110。另外，将判断为不能在曝光装置4中曝光的晶片W由第一搬送臂121进行搬送，是为了防止由搬送被判断为能够曝光的晶片W、换言之背面处于清洁状态的晶片W的第二搬送臂122保持被判断为不能曝光的晶片W，而被颗粒污染。
另外，如果检查的结果判定为，晶片W的状态是虽然现状为无法曝光，但是在晶片清洗部141再次清洗就能够在曝光装置4中曝光，则待机载置台144的晶片W由搬送手段143再次搬送到晶片清洗部141。对再次搬送到晶片清洗部141的晶片W，再次进行上述的清洗和检查，再次清洗和再次检查后的晶片W由第二搬送臂122搬送到交接单元110’。
接着，说明脱水单元101的构成。图12是表示脱水单元101的构成的概略的平面图，图13是表示脱水单元101的构成的概略的纵截面图。
脱水单元101具有：在内部对晶片W进行脱水处理的处理容器190；保持晶片W背面的外周部的保持部件191；和经由传动轴192使保持部件191在上下方向升降的升降机构193。
如图12所示，保持部件191例如在俯视时形成为大致圆弧状，以同心圆状设置有多个，在本实施方式中以同心圆状设置有四个。如图13所示，保持部件191具有外周侧的上端部191a比内周侧的上端部191b高的大致U字形状的截面形状。由此，保持部件191的外周侧起到在内周侧的上端部191b保持晶片W时防止晶片W脱落的导板(guide)的功能。
在各保持部件191和晶片搬送装置130之间交接晶片W时，例如如图12所示，例如使第三搬送臂131从处理容器190的开闭器(shutter)190a进入。接着，使该第三搬送臂131移动，以使得利用该第三搬送臂131保持的晶片W的中心部和多个保持部件191的圆弧的中心一致。接着，在该状态下，通过升降机构193使保持部件191上升。由此，从第三搬送臂131将晶片W交接到保持部件191。此后，搬送臂131退避到处理容器190的外部。另外，搬送臂131和保持部件191之间的晶片W的交接也可以例如使第三搬送臂131升降移动代替保持部件191的升降移动而进行。
在处理容器190的底部，设置有与排气机构194连接的排气管195；和例如将氮气送入处理容器190内对处理容器190内进行清洗的净化管196。在净化管196连接有供给氮气的气体供给源197。
在脱水单元101中进行晶片W的脱水处理时，首先，由第三搬送臂131将晶片W搬入到处理容器190内，接着，将该晶片W交接到保持部件191。此后，第三搬送臂131退避到处理容器190外，关闭开闭器190a。接着，由排气机构194对处理容器190内进行减压。由此，附着在晶片W的水分蒸发，进行晶片W的脱水处理。
当晶片W的脱水处理结束时，通过净化管196进行处理容器190内的净化和升压。此后，开放开闭器190a，并由第三搬送臂131从脱水单元101搬出晶片W。
控制装置6由例如具有CPU、存储器等的计算机构成。在该控制装置6中，例如决定涂敷显影处理系统1的各种处理单元中的晶片处理的内容或各晶片W的搬送路径(route)的处理方案(recipe)作为程序例如存储于存储器。通过执行该程序，进行涂敷显影处理系统1的各种处理单元的控制、或控制基于上述晶片搬送控制部135的各晶片搬送装置或清洗检查单元100的搬送手段143的动作，进行涂敷显影处理系统1的晶片W的各种处理或搬送控制。另外，上述程序例如是记录于计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、高密度光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等的计算机可读取的存储介质H的程序，也可以是从该存储介质H安装到控制装置6的程序。
如上所述构成的涂敷显影处理系统1中，例如进行如下的晶片处理。图14是表示所述的晶片处理的主要的工序的例子的流程图。
进行晶片W的处理时，首先，收纳有多个晶片W的盒C被载置于盒搬入搬出部10的规定的盒载置板13。此后，由晶片搬送装置21依次取出盒C内的各晶片W，并搬送到处理站3的第三区域块G3的例如交接单元53。
接着，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第二区域块G2的热处理单元40，进行温度调节(图14的工序S1)。此后，晶片W由晶片搬送装置70例如搬送到第一区域块G1的下部反射防止膜形成单元30，在晶片W上形成下部反射防止膜(图14的工序S2)。此后晶片W被搬送到第二区域块G2的热处理单元40，进行加热处理。此后返回到第三区域块G3的交接单元53。
接着，晶片W由晶片搬送装置90搬送到相同的第三区域块G3的交接单元54。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第二区域块G2的粘附单元41，进行粘附处理(图14的工序S3)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到抗蚀剂涂敷单元31，在晶片W上形成抗蚀剂膜。(图14的工序S4)
此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，进行预烘焙(prebake)处理(图14的工序S5)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第三区域块G3的交接单元55。
接着，晶片W由晶片搬送装置70搬送到上部反射防止膜形成单元32，在晶片W上形成上部反射防止膜(图14的工序S6)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，被加热，进行温度调节。此后，晶片W被搬送到周边曝光单元42，进行周边曝光处理(图14的工序S7)。
此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第三区域块G3的交接单元56。
接着晶片W由晶片搬送装置90搬送到交接单元52，并由梭搬送装置80搬送到第四区域块G4的交接单元62。
此后，晶片W由晶片搬送装置85搬送到第七区域块G7的交接单元110。接着晶片W由晶片搬送装置120的第一搬送臂121搬送到清洗检查单元100的晶片清洗部141，晶片W的背面被清洗(图14的工序S8)。
背面被清洗后的晶片W由搬送手段143搬送到晶片检查部142，晶片W的背面被检查(图14的工序S9)。接着，晶片W由搬送手段143搬送到待机载置台144，暂时载置于该待机载置台144直到判断出晶片检查部142中的晶片W的检查结果。
当判断出晶片检查部142中的检查结果时，晶片搬送控制部135则基于检查结果进行晶片W的搬送。也就是说，如果晶片检查部142中的检查的结果被判断为晶片W的状态是能够在曝光装置4中曝光，则待机载置台144上的晶片W由第二搬送臂122搬送到第七区域块G7的交接单元110’，接着由晶片搬送装置130的搬送臂131搬送到脱水单元101。
另外，如果检查的结果被判断为晶片W的状态是在曝光装置4中不能曝光，则中止该晶片W的以后的处理，并由第一搬送臂121搬送到交接单元110。此后，以后的处理被中止的晶片W由晶片搬送装置85搬送到处理站3，接着，回收到规定的盒载置板13的盒C(图14的工序S10)。另外，作为回收被判断为不能曝光的晶片W时的路径，例如可以是利用梭搬送装置80的路径，也可以是经由第一区域块G1中的显影处理单元33的层进行回收的路径。利用显影处理单元33的层是因为，该显影处理单元33的层中的曝光后的晶片W的搬送方向与判断为不能曝光的晶片W的搬送方向相同，是从曝光装置4朝向载盒台2侧的方向，不干扰通常的晶片W搬送就能够搬送不能曝光的晶片W。
另外，如果检查的结果被判断为，虽然晶片W的现状为无法曝光，但是在晶片清洗部141再次清洗就能够在曝光装置4中进行曝光，则晶片W由搬送手段143再次搬送到晶片清洗部141。并且，通过晶片清洗部141再次清洗后的晶片W由搬送手段143再次搬送到晶片检查部142。并且，如果晶片检查部142中的检查的结果被判断为能够曝光，则该晶片W由第二搬送臂122搬送到第七区域块G7的交接单元110’。接着由晶片搬送装置130的第三搬送臂131搬送到脱水单元101。
被搬送到交接单元110’的晶片W，接着由晶片搬送装置130的第三搬送臂131搬送到脱水单元101。搬送到脱水单元101的晶片W在脱水单元101中被脱水处理(图14的工序S11)。
此后，晶片W由第三搬送臂131搬送到温度调整单元112，接着，由第四搬送臂132搬送到曝光装置4，进行曝光处理(图14的工序S12)。
曝光处理后的晶片W由第四搬送臂132搬送到第七区域块G7的交接单元110。此后，晶片W由晶片搬送装置85搬送到第四区域块G4的交接单元40。
接着，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，进行曝光后被烘焙(bake)处理(图14的工序S13)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到显影处理单元33，进行显影处理(图14的工序S14)。显影结束后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，进行后烘(post bake)处理(图14的工序S15)。
此后晶片W由晶片搬送装置70搬送到第三区域块G3的交接单元50，此后由载盒台2的晶片搬送装置21搬送到规定的盒载置板13的盒C。这样，结束一系列的光刻工序。
根据以上的实施方式，清洗晶片W的背面的晶片清洗部141和检查清洗后的晶片W的晶片检查部142收纳于相同的箱体140的内部，并且，能够由设置于箱体140的内部的搬送手段143进行该晶片清洗部141和晶片检查部142之间的晶片的搬送。因此，进行晶片清洗部141和晶片检查部142之间的晶片的搬送时，无需如以往那样利用例如设置于箱体140的外部的晶片搬送装置120。结果是，能够减少涂敷显影处理系统1中的晶片搬送的负荷。
在以上的实施方式中，如果在晶片检查部142中检查清洗后的晶片W的结果被判断为，虽然该晶片W现状为无法曝光，但是通过在晶片清洗部141再次清洗就能够在曝光装置中进行曝光，则晶片W再次被搬送到晶片清洗部141。此时，与对判断为不能曝光的全部的晶片W中止以后的处理，并回收到盒C的以往的涂敷显影处理系统300相比，能够减少中止以后的处理并回收到盒C的晶片W的数量。结果是，能够提高涂敷显影处理系统1中的晶片W的成品率。
另外，伴随在晶片清洗部141中再次进行清洗的、晶片W的搬送，由搬送手段143进行。从而，当在清洗检查单元100中进行晶片W的再次清洗时，不会增加箱体140外部的晶片搬送装置的负荷。
另外，在箱体140内，设置有使检查后的晶片W暂时待机的待机载置台144，因此，能够使该检查后的晶片W在该待机载置台144中待机直到判断出检查结果。假如在没有判断出检查的结果的状态下从清洗检查单元100搬出晶片W，则需要根据此后判断出的检查结果变更搬送中的晶片W的搬送目的地，有可能会对晶片W的搬送产生较大的影响。与此相反，如本实施方式，使检查后的晶片W在待机载置台144待机直到判断出检查结果，从而从清洗检查单元100搬出之后晶片W的搬送目的地不需要变更。因此，从这一点，能够防止晶片W的搬送负荷的增加。
另外，使在晶片检查部142中检查之后的晶片W在待机载置台144待机的时间，无需一定要到判断出该晶片W的检查结果，也可以待机到其以上的时间。例如，如果对从第五区域块G5的最上部的清洗检查单元100到最下部的清洗检查单元100，以此顺序依次搬入从处理站3搬送的晶片W时，例如最先判断出检查结果的最上部的清洗检查单元100中的检查结果为上述的“再清洗”时，则有时会在该晶片W在晶片清洗部141中再次清洗过程中，判断出配置于比最上部靠下方的其他的清洗检查单元100中的检查结果。所述情况中，如果将先判断出检查结果的该晶片W搬送到曝光装置4侧，该晶片W则超过正在再清洗的晶片W被搬送到曝光装置4。此时，例如由于以与按批量(lot)单位设定于处理方案的晶片W的搬送次序(schedule)不同的顺序将晶片W搬送到曝光装置4，因此，曝光装置4不能识别该晶片W，有可能会发生搬送错误(error)。
因此，如上所述如果任意的晶片W被判断为“再清洗”时，则优选在该晶片W的再清洗之后再次在晶片检查部142中进行检查，直到再次在待机载置台144上载置之后判断出再检查的检查结果为止，在其它的清洗检查单元100中使检查后的晶片W在待机载置台144中待机。这样，调整在待机载置台144中使晶片W待机的时间，从而在“再清洗”的情况下也能够将晶片W以预定的规定顺序进行搬送。另外，也可以采用将待机载置台144例如在上下方向设置多层，在清洗检查单元100内能够使多个晶片待机的构成。在这样的情况下，例如当待机载置台144上的晶片W判断为不能曝光时，将该晶片W载置于待机载置台144上，直到变成不影响利用晶片搬送装置120或搬送手段143进行晶片搬送的安排的时刻，由此能够回收晶片W而不对搬送安排造成影响。另外，例如也可以使多个判断为能够曝光的晶片W在待机载置台144上待机。在该情况下，例如在对判断为“再清洗”的晶片W进行再次清洗的期间，如果使待机的能够曝光的晶片W搬送到曝光装置4，则总能够确保搬送到曝光装置4的晶片W，因此，能够防止曝光装置4处于等待状态。
另外，以上的实施方式中，晶片清洗部141的上方配置有晶片检查部142，但是，与此相反，也可以将晶片清洗部141配置于晶片检查部142上方。
以上的实施方式中，结束清洗和检查的晶片W当中，将被判断为在曝光装置4中不能曝光的晶片W由第一搬送臂121搬送，将判断为能够曝光的晶片W由第二搬送臂122搬送，因此，能够防止第二搬送臂122被附着在被判断为不能曝光的晶片W上的颗粒污染。结果是，能够确保在下游的工序中使用的各搬送臂122、131、132或各单元洁净。
另外，通过在晶片搬送装置120、130设置多个搬送臂121、122、131、132，能够使基于各搬送臂121、122、131、132的搬送工序数均等化。由此，晶片W的搬送时间管理变得容易。
另外，如果基于晶片检查部142的检查结果是，晶片W的状态被判断为例如不能在曝光装置4中曝光，则搬送手段143例如搬送过背面上附着有颗粒的状态的晶片W。如若如此，附着于晶片W上的颗粒附着于该搬送手段143，有可能会污染接下来被搬送的晶片W的背面。因此，如果晶片检查部142中的检查结果是，晶片W的状态例如被判断为不能在曝光装置4中曝光或通过再清洗能够曝光，则也可以在搬送该晶片W之后，清洗搬送手段143。
上述搬送手段143的清洗例如也可以在晶片清洗部141中进行。该情况下，也可以例如将搬送手段143构成为上下自由反转，在使保持该搬送手段143的晶片W的面朝向下表面的状态下，由刷152清洗。另外，也可以将刷152构成为上下自由反转，当清洗搬送手段143时使该刷152反转。
以上的实施方式中，在交接站5设置有脱水单元101，对在清洗时附着在晶片W上的水分进行脱水，因此，能够将带入到曝光装置4的水分抑制到最小限度。另外，脱水单元101未必一定要设置，其设置与否能够任意选择。
另外，由于第六区域块G6中只设置有脱水单元101，因此，能够在背面侧确保例如附随于脱水单元101而设置的诸如处理容器190或排气机构194之类的大型且大重量的机器的设置场所。
另外，也可以将脱水单元101，代替第六区域块G6而配置于例如第五区域块G5。该情况下，例如，优选将清洗检查单元100和脱水单元101从上至下依次交替设置。这样，不经由第七区域块G7就能够将完成了清洗和检查后的晶片W例如由第二搬送臂122直接搬送到脱水单元101。由此，能够将晶片W和各搬送臂接触的次数抑制到最小限度，因此，比以往更能减少晶片W的背面被颗粒污染的可能性。
另外，也可以将脱水单元101设置于清洗检查单元100的内部。在该情况下，优选例如代替待机载置台144而将脱水单元101配置于箱体140的内部，在晶片检查部142中进行检查之后，将晶片W搬送到脱水单元101进行脱水处理。这样，能够与等待晶片W的检查结果的期间并行地进行脱水处理，因此，晶片处理的生产率(throughput)提高。
在以上的实施方式中，由温度调整单元112进行搬送到曝光装置4之前的晶片W的温度调整，但是，晶片W的温度调整例如也可以在清洗检查单元100的内部进行。在该情况下，例如如图15所示，在清洗检查单元100的箱体140的顶部，例如设置有冷却箱体140内的空气的冷却机构200，由该冷却机构200将箱体140内的气氛调整到规定的温度，从而进行晶片W的温度调整。在冷却机构200中，能够使用例如在内部流通规定的温度的冷媒的散热器(radiator)。这样，能够在例如结束晶片W的检查，使晶片W在待机载置台144待机的期间，进行该晶片W的温度调整。结果是，缩短晶片W的温度调整所需的时间，并且无需搬送到温度调整单元112，因此，能够提高涂敷显影处理系统1的生产率。另外，不需要温度调整单元112，因此，能够使交接站5小型化。
另外，以上的实施方式中，作为搬送手段143的搬送臂143a说明的是使用略U字形状的情况，但是，搬送臂143a的形状或种类并不限于所述的实施方式，例如，作为搬送臂143a也可以使用不接触就保持晶片W的伯努利吸盘(Bernoulli chuck)等。
另外，例如也可以在上下反转晶片检查部142的状态，即，以在晶片检查部142中使晶片W的背面朝向上方的方式配置该晶片检查部142。此时，也可以按照例如使搬送臂143a以水平轴中心在上下方向自由反转的方式，在搬送手段143设置旋动机构(未图示)。无论在何种情况下，对于箱体140内的机器配置或晶片W的搬送，如果是本领域技术人员，则显然能够想到在本申请所记载的思想范畴内的各种变更例和修正例，可以认为这些当然也属于本发明的技术范围。
另外，在以上的实施方式中，晶片清洗部141和晶片检查部142在上下方向上配置于清洗检查单元100的箱体140内，但是，晶片清洗部141和晶片检查部142的配置也不限于本实施方式。例如如图16所示，也可以将晶片清洗部141和晶片检查部142在水平方向配置于箱体140内。此时，在晶片清洗部141和晶片检查部142之间的晶片W的搬送，例如通过在晶片清洗部141的吸附垫150保持有晶片W的状态下使框体153移动而进行。并且，保持于吸附垫150的晶片W的背面由光源181和摄像机182检查。
另外，也可以由吸附垫150保持晶片W直到例如判断出晶片W的背面的检查结果。如若如此，则无需将晶片W搬送到待机载置台144，因此，待机载置台144和搬送手段143都不需要。并且，当再清洗时，将晶片W以保持在吸附垫150的状态移动到清洗部141，清洗后，以保持在吸附垫150的状态再移动到晶片检查部142。另外，如果判断为能够曝光或不能曝光时，则将晶片W交接到晶片清洗部141的升降销162，由晶片搬送装置120从清洗检查单元100搬出。在该情况下，支承于框体153的吸附垫150起到本实施方式的搬送手段的功能。
另外，如图5所示，在上下方向配置晶片清洗部141和晶片检查部142的情况下，也可以例如以将晶片W保持在保持臂180的状态，使晶片W待机直到判断出晶片W的检查结果。
(第二实施方式)
下面，说明本发明的第二实施方式。图17是表示构成本实施方式的作为基板处理系统的涂敷显影处理系统1的内部构成的说明图。图18和图19为分别从正面侧和背面侧表示涂敷显影处理系统1的内部构成的概略的说明图。
如图17所示，涂敷显影处理系统1具有将：例如在与外部之间搬出搬入收纳有多个晶片W的盒C的载盒台2；具备多个在光刻处理中对晶片W实施规定的处理的处理单元的处理站3；和在与曝光装置4之间进行晶片W的交接的交接站5连接为一体的构成。另外，涂敷显影处理系统1具有进行各种处理单元等的控制的控制装置6。
载盒台2例如由盒搬入搬出部10和晶片搬送部11构成。盒搬入搬出部10例如设置于涂敷显影处理系统1的Y方向负方向(图17的左方向)侧的端部。在盒搬入搬出部10，设置有作为盒载置部的盒载置台12。盒载置台12上例如设置有四个盒载置板13。盒载置板13以一列并排设置在水平方向的X方向上(图17的上下方向)。在这些盒载置板13，当相对于涂敷显影处理系统1的外部搬入搬出盒C时，能够载置盒C。
晶片搬送部11中，如图17所示例如设置有在沿着X方向延伸的搬送路20上自由移动的晶片搬送装置21。晶片搬送装置21能够在上下方向上和围绕铅直轴(θ方向)自由移动，能够在各盒载置板13上的盒C和后述的处理站3的第三区域块(block)G3的交接装置之间搬送晶片W。
与载盒台2相邻的处理站3中，设置有具有各种单元的多个例如四个区域块G1、G2、G3、G4。处理站3的正面侧(图17的X方向负方向侧)设置有第一区域块G1，处理站3的背面侧(图17的X方向正方向侧)设置有第二区域块G2。另外，处理站3的载盒台2侧(图17的Y方向负方向侧)设置有第三区域块G3，处理站3的交接站5侧(图17的Y方向正方向侧)设置有第四区域块G4。
例如在第一区域块G1中，如图18所示，多个液处理单元，例如：在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成反射防止膜(以下称为“下部反射防止膜”)的下部反射防止膜形成单元30、在晶片W上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷单元31、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜(以下称为“上部反射防止膜”)的上部反射防止膜形成单元32、对晶片W进行显影处理的显影处理单元33，从下起依次层叠有四层。
这些第一区域块G1的各处理单元30～33在水平方向上具有多个在处理时收纳晶片W的罩F，能够将多个晶片W并行处理。
例如第二区域块G2中，如图19所示，在上下方向和水平方向并排设置有进行晶片W的热处理的热处理单元40、对晶片W进行疏水化处理的作为疏水化处理装置的粘附单元(adhesion unit)41、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光单元42。热处理单元40具有载置晶片W进行加热的热板和载置晶片W进行冷却的冷却板，能够进行加热处理和冷却处理两者。另外，热处理单元40、粘附单元41以及周边曝光单元42的数量或配置能够任意选择。
例如在第三区域块G3中从下起依次设置有多个交接单元50、51、52、53、54、55、56。另外，在第四区域块G4中从下起依次设置有多个交接单元60、61、62。
如图17所示，被第一区域块G1～第四区域块G4包围的区域中，形成有晶片搬送区域D。在晶片搬送区域D中，例如设置有多个，例如三个晶片搬送装置70。各晶片搬送装置70分别为相同的结构。
晶片搬送装置70例如具有在Y方向、前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动的搬送臂70a。搬送臂70a在晶片搬送区域D内移动，能够将晶片W搬送到周围的第一区域块G1、第二区域块G2、第三区域块G3以及第四区域块G4内的规定的单元。晶片搬送装置70例如如图19所示上下地配置有多个，例如能够将晶片W搬送到各区域块G1～G4的同程度的高度的规定的单元。
另外，晶片搬送区域D中设置有在第三区域块G3和第四区域块G4之间直线地搬送晶片W的梭(shuttle)搬送装置80。
梭搬送装置80例如在图19的Y方向上直线地自由移动。梭搬送装置80在支承晶片W的状态下在Y方向上移动，能够在第三区域块G3的交接单元52和第四区域块G4的交接单元62之间搬送晶片W。
如图17所示，在第三区域块G3的X方向正方向侧设置有晶片搬送装置90。晶片搬送装置90例如具有在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动的搬送臂90a。晶片搬送装置90在支承晶片W的状态下上下移动，能够将该晶片W搬送到第三区域块G3内的各交接单元。
在第四区域块G4的例如X方向正方向侧，设置有晶片搬送装置85。晶片搬送装置85例如具有在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动的搬送臂85a。晶片搬送装置85在支承晶片W的状态下上下移动，能够将晶片W搬送到交接站5。
在交接站5中设置有具有各种单元的三个区域块G5、G6、G7。例如在交接站5的正面侧(图17的X方向负方向侧)设置有第五区域块G5。第六区域块G6例如设置于交接站5的背面侧(图17的X方向正方向侧)。另外，第七区域块G7设置于第五区域块G5和第六区域块G6之间。
例如在第五区域块G5中，如图20所示，例如在上下方向上层叠设置有四层的将晶片搬入到曝光装置4之前清洗晶片W的背面的清洗部141。
在第六区域块G6中，在搬入到曝光装置4之前检查由晶片清洗部141清洗后的晶片W背面是否为在曝光装置4中能够曝光的状态的晶片检查部142；和去除附着在由晶片清洗部141清洗后的晶片W的水分的脱水单元101，从下至上依次层叠设置有各两层。另外，图20是表示从盒站2一侧观察交接站5时的、交接站5的内部构成的概略的说明图。
在第七区域块G7中，在上下方向上层叠设置有多层：经由晶片搬送装置85与处理站3之间进行晶片W的交接的交接单元110；暂时收纳由晶片检查部142检查之后的晶片W的作为缓冲收纳部的缓冲单元111；和将检查后的晶片W搬入到曝光装置4之前调整到规定的温度的作为温度调整机构的温度调整单元112。更具体而言，在第七区域块G7的上部，交接单元110和缓冲单元111从上起依次交替地层叠配置有各三层。在第七区域块G7的下部，交接单元110和温度调整单元112从上起依次交替地层叠配置有各两层。温度调整单元112具有具备帕尔贴元件等的温度调整部件的温度调整板，能够将载置于该温度调整板的晶片W温度调整到规定的温度，例如常温。
在第五区域块G5和第七区域块G7之间且与第五区域块G5相邻的区域中设置有作为基板搬送机构的晶片搬送装置120。晶片搬送装置120，具有多个搬送臂，即第一搬送臂121和第二搬送臂122。各搬送臂121、122例如构成为在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动。由此各搬送臂121、122在支承晶片W的状态下上下移动，能够在各区域块G5、G7的各单元之间搬送晶片W。
在第六区域块G6和第七区域块G7之间且与第六区域块G6相邻的区域，设置有晶片搬送装置130。晶片搬送装置130具有第三搬送臂131和第四搬送臂132。各搬送臂131、132例如构成为在前后方向、θ方向以及上下方向上自由移动。由此，各搬送臂131、132在支承晶片W的状态下上下移动，能够在第六区域块G6的各单元之间、第六区域块G6和第七区域块G7之间以及第六区域块G6和曝光装置4之间搬送晶片W。另外，在图20中，作为晶片搬送装置120描绘的是独立移动的多个搬送臂121、122，但是，也可以例如以设置有多个例如2个将晶片W保持在一个搬送臂上的固定销(pin set)的部件替代多个搬送臂使用。关于晶片搬送装置130也是同样。
基于晶片搬送装置120、130的晶片W的搬送，由图17所示的作为控制装置6的基板搬送控制部的晶片搬送控制部135进行控制。晶片搬送控制部135控制晶片搬送装置120，使得由第一搬送臂121在晶片清洗部141和交接单元110之间搬送晶片W，由第二搬送臂122将清洗后的晶片W搬送到交接单元110。另外，晶片搬送控制部135控制晶片搬送装置130，使得由第三搬送臂131进行由晶片清洗部141清洗之后的晶片W的、从交接单元110向脱水单元101的搬送、从脱水单元101向晶片检查部142的搬送、从检查单元向缓冲单元111的搬送以及从缓冲单元111向温度调整单元112的搬送。
另外，晶片搬送控制部135进行控制，使得由晶片搬送装置130的第四搬送臂132在温度调整单元112、交接单元110和曝光装置4之间搬送晶片W。另外，晶片搬送控制部135也进行涂敷显影处理系统1内的其他的晶片搬送装置的动作的控制。
接着说明晶片清洗部141的构成。图21是表示晶片清洗部141的构成的概略的平面图，图22是表示晶片清洗部141的构成的概略的纵截面图。
晶片清洗部141具有：水平地吸附保持经由第一搬送臂121搬送的晶片W的两个吸附垫(pad)150、150；将从该吸附垫150接收的晶片W水平地吸附保持的旋转吸盘(spinchuck)151；清洗晶片W的背面的刷(brush)152；和上表面开口的箱体140。
如图21所示，两个吸附垫150、150以能够保持晶片W背面的周缘部的方式，在俯视时夹住旋转吸盘151而大致平行地被设置。各吸附垫150、150由通过驱动机构(无图示)在水平方向和上下方向自由移动的框体153支承其两端部。
框体153的上表面设置有上部罩154。上部罩154的上表面形成有比晶片W的直径大直径的开口部154a，经由该开口部154a在吸附垫150和第一搬送臂121之间进行晶片W的交接。
如图22所示，旋转吸盘151经由传动轴(shaft)160连接到驱动机构161，旋转吸盘151构成为通过该驱动机构161旋转和自由升降。
旋转吸盘151的周围设置有通过升降机构(无图示)自由升降的升降销(pin)162。
例如将大量塑料纤维捆扎为圆柱状而构成刷152，其由支承体163支承。支承体163连接于驱动机构164。驱动机构164连接于箱体140，能够沿图21的X方向且沿箱体140在水平方向移动。因此，通过使驱动机构164在X方向上移动，就能够经由支承体163使刷152在图21的X方向上移动。刷152构成为，通过内置于支承体163的驱动机构(未图示)自由旋转，通过在将其上表面按压在晶片W的背面的状态下使其旋转从而使该刷152在晶片W的背面滑动，由此就能够去除附着在晶片W的背面的颗粒。
另外，在支承体163的前端设置有：供给冲洗利用刷去除的颗粒的清洗液的清洗液喷嘴(nozzle)163a；和清洗后用于干燥附着在晶片W的背面的清洗液的、例如供给氮等的气体的净化喷嘴(purge nozzle)163b。
在箱体140的底部设置有：排出清洗液的排液管170；和在晶片清洗部141内形成下方向的气流且对该气流进行排气的排气管171。
接着，说明晶片检查部141中的晶片W的清洗。进行晶片W的清洗时，首先如图23所示，例如通过第一搬送臂121将晶片W搬送到上部罩154的上方。接着，升降销162上升，将晶片W交接到升降销162。此时，吸附垫150在其上表面比刷152的上表面高的位置待机，旋转吸盘151退避到比刷152的上表面低的位置。此后，升降销162下降，如图24所示将晶片W交接到吸附垫150加以保持。
接着，如图25所示，在由吸附垫150吸附保持晶片W的状态下，使框体153在水平方向移动，使得例如刷152位于对应于晶片W背面的中央部的区域。此后，使吸附垫150下降，晶片W的背面被推碰到刷152的上表面。
接着，从清洗液喷嘴163a供给清洗液，并且使刷152旋转，清洗晶片W背面的中央部。此时，支承体163在图21的X方向上往复移动，框体153在Y方向上往复移动，由此晶片W背面的中央部被全面均匀地清洗。
当晶片W背面的中央部的清洗完成时，如图26所示，使框体153在水平方向移动，以使晶片W的中心与旋转吸盘151的中心在俯视时一致。接着，使旋转吸盘151上升，将晶片W从吸附垫150交接给旋转吸盘151。
此后，如图27所示，在将刷152推碰到晶片W的背面的状态下，使晶片W旋转，并且经由支承体163使刷在X方向上滑动，清洗晶片W背面的周缘部。由此，去除晶片W的背面整体的颗粒。
当晶片W背面的清洗完成时，使刷152的旋转或清洗液的供给停止，使旋转吸盘151以高速旋转，由此附着在晶片W背面的清洗液被甩脱干燥。此时，也并行地进行基于净化喷嘴163b的清洗。
并且，当干燥结束时，以与将晶片W搬送到晶片清洗部141时相反的顺序将晶片W交接给第二搬送臂122。
接着，说明晶片检查部142的构成。图28是表示晶片检查部142的结构的概略的纵截面图。
晶片检查部142具有箱体170’，在箱体170’的内部设置有以至少将晶片W的背面朝向下方敞开的状态加以保持的保持臂180；对由保持臂180保持的晶片W的背面照射线状的平行光线的光源181；和对照射于晶片W的背面的光进行摄像的摄像机(camera)182。保持臂180构成为通过驱动机构(未图示)在水平方向上自由移动。
在保持臂180的前端部，形成有向下方突出的卡止部171a，另外，在保持臂180的下表面，设置有通过无图示的驱动机构在晶片W的直径方向上自由移动的可动保持部171b。保持臂180利用该卡止部171a和可动保持部171b夹住从经由箱体170’的开口部170a进入箱体170’内的第三搬送臂131交接的晶片W，并能够将该晶片W以其背面朝向下方的状态加以保持。
光源181在保持臂180的下方，以对晶片W的背面以规定的角度θ照射光线的方式进行配置。摄像机182以对照射到晶片W的背面的光线的图像进行摄像的方式，在保持臂180的下方，以相对于晶片W的背面倾斜与光源181同样的规定的角度θ的状态进行配置。
光源181、摄像机182，能够通过未图示的旋动机构调整照射角度和摄像角度。由此，对在某个角度照射的光线下不能观察的颗粒，能够以不同的角度照射光线而能够观察。
在晶片检查部142中，保持臂180以保持有晶片W的状态在水平方向移动，并由摄像机182对照射到晶片W的背面的光线连续摄像，从而对晶片W的背面的整体进行摄像。由摄像机182摄像的图像被输入到控制装置6，并由控制装置6判断该晶片W的背面的状态是否为能够在曝光装置4中曝光。另外，在控制装置6中，基于例如附着于晶片W的背面的颗粒的数量或附着的范围、或颗粒的高度或大小等，对晶片W能否在曝光装置4中曝光加以判断。
接着，说明脱水单元101的构成。图29是表示脱水单元101的构成的概略的平面图，图30是表示脱水单元101的构成的概略的纵截面图。
脱水单元101具有在内部对晶片W进行脱水处理的处理容器190、保持晶片W背面的外周部的保持部件191和经由传动轴192使保持部件191在上下方向升降的升降机构193。
保持部件191，例如如图29所示，在俯视时，形成为略圆弧状，以同心圆状设置有多个，在本实施方式中以同心圆状设置有四个。保持部件191，如图30所示，是略U字形状的截面形状。保持部件191的外周侧的上端部191a比内周侧的上端部191b形成得更高。由此，保持部件191的外周侧起到在由内周侧的上端部191b保持晶片W时防止晶片W脱落的导板(guide)的功能。
在各保持部件191和第三搬送臂131之间交接晶片W时，例如如图29所示，例如使第三搬送臂131从处理容器190的开闭器(shutter)190a进入，移动第三搬送臂131，以使由该第三搬送臂131保持的晶片W的中心部和由多个保持部件191形成的圆弧的中心一致。接着，在该状态下，通过升降机构193使保持部件191上升。由此，从搬送臂131将晶片W交接给保持部件191。此后，第三搬送臂131退避到处理容器190的外部。另外，第三搬送臂131和保持部件191之间的晶片W的交接也可以例如通过使第三搬送臂131的升降移动而进行。
在处理容器190的底部，设置有连接到排气机构194的排气管195；和例如将氮气送入处理容器190内对处理容器190内进行净化的净化管196。净化管196中连接有供给氮气的气体供给源187。
在脱水单元101中进行晶片W的脱水处理时，首先，由第三搬送臂131将晶片W搬入到处理容器190内，接着，将该晶片W交接给保持部件191。此后，第三搬送臂131退避到处理容器190外，关闭开闭器190a。接着，由排气机构194对处理容器190内进行减压。由此，附着在晶片W上的水分蒸发，进行晶片W的脱水处理。
当晶片W的脱水处理结束时，由净化管196进行处理容器190内的净化和升压。此后，打开开闭器190a，并由第三搬送臂131将晶片W搬送到晶片检查部142。
控制装置6由例如具有CPU、存储器等的计算机构成。在该控制装置6中，例如决定涂敷显影处理系统1的各种处理单元中的晶片处理的内容或各晶片W的搬送路径(route)的处理方案(recipe)作为程序例如存储于存储器。通过执行该程序，进行涂敷显影处理系统1的各种处理单元的控制、或控制基于上述晶片搬送控制部135的晶片搬送装置120和各晶片搬送装置的动作，进行涂敷显影处理系统1的晶片W的各种处理或搬送控制。另外，上述程序例如是记录于计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、高密度光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等的计算机可读取的存储介质H的程序，也可以是从该存储介质H安装到控制装置6的程序。
如上构成的涂敷显影处理系统1中，例如进行如下的晶片处理。图31是表示所述的晶片处理的主要的工序的例子的流程图。
进行晶片W的处理时，首先，收纳有多个晶片W的盒C载置于盒搬入搬出部10的规定的盒载置板13。此后，由晶片搬送装置21依次取出盒C内的各晶片W，搬送到处理站3的第三区域块G3的例如交接单元53。
接着，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第二区域块G2的热处理单元40，进行温度调节(图31的工序S1)。此后，晶片W由晶片搬送装置70例如搬送到第一区域块G1的下部反射防止膜形成单元30，在晶片W上形成下部反射防止膜(图31的工序S2)。此后晶片W被搬送到第二区域块G2的热处理单元40，进行加热处理。此后返回到第三区域块G3的交接单元53。
接着，晶片W由晶片搬送装置90搬送到同一第三区域块G3的交接单元54。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第二区域块G2的粘附单元41，进行粘附处理(图31的工序S3)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到抗蚀剂涂敷单元31，在晶片W上形成抗蚀剂膜。(图31的工序S4)
此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，进行预烘焙(prebake)处理(图31的工序S5)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第三区域块G3的交接单元55。
接着，晶片W由晶片搬送装置70搬送到上部反射防止膜形成单元32，在晶片W上形成上部反射防止膜(图31的工序S6)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，被加热，进行温度调节。此后，晶片W被搬送到周边曝光单元42，进行周边曝光处理(图31的工序S7)。
此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到第三区域块G3的交接单元56。
接着晶片W由晶片搬送装置90搬送到交接单元52，并由梭搬送装置80搬送到第四区域块G4的交接单元62。
此后，晶片W由晶片搬送装置85搬送到第七区域块G7的交接单元110。接着晶片W由第一搬送臂121搬送到晶片清洗部141，晶片W的背面被清洗(图31的工序S8)。
背面被清洗的晶片W由第二搬送臂122搬送到第七区域块G7的交接单元110。接着晶片W由第三搬送臂131搬送到脱水单元101被进行脱水处理(图31的工序S9)。
被脱水处理的晶片W由第三搬送臂131搬送到晶片检查部142，晶片W的背面被检查(图31的工序S10)。接着，晶片W由第三搬送臂131搬送到缓冲单元111，暂时收纳于该缓冲单元111中直到判断出晶片检查部142中的晶片W的检查结果。
当判断出晶片检查部142中的检查结果时，晶片搬送控制部135基于规定的路径控制晶片搬送装置120进行晶片W的搬送。即，如果晶片检查部142中的检查的结果被判断为该晶片W的状态是能够在曝光装置4中曝光，则晶片W由第三搬送臂131搬送到温度调整单元112，接着由第四搬送臂132搬送到曝光装置4。另外，如果检查的结果被判断为该晶片W的状态是在曝光装置4中不能曝光，则中止该晶片W的以后的处理，并由第三搬送臂131搬送到交接单元110。此后，以后的处理被中止的晶片W由晶片搬送装置85搬送到处理站3，接着，被回收到规定的盒载置板13的盒C(图31的工序S11)。另外，作为回收被判断为不能曝光的晶片W时的路径，例如可以是利用梭搬送装置80的路径，也可以是经由第一区域块G1中的显影处理单元33的层回收的路径。利用显影处理单元33的层是因为，该显影处理单元33的层中的曝光后的晶片W的搬送方向与判断为不能曝光的晶片W的搬送方向相同，是从曝光装置4朝向盒站2侧的方向，不干涉通常的晶片W搬送就能够搬送不能曝光的晶片W。
另外，如果检查的结果被判断为，虽然该晶片W现状为不能曝光，但是通过晶片清洗部141再次清洗就能够在曝光装置4中进行曝光，则晶片W由第三搬送臂131搬送到交接单元110，由第一搬送臂121再次搬送到晶片清洗部141。并且，通过晶片清洗部141再次清洗的晶片W被再次搬送到晶片检查部142。此后，如果晶片检查部142中的检查的结果被判断为能够曝光，则该晶片W由第三搬送臂131搬送到温度调整单元112，接着由晶片搬送装置130搬送到曝光装置4进行曝光处理(图31的工序S12)。
被曝光处理后的晶片W由第四搬送臂132搬送到第七区域块G7的交接单元110。此后，晶片W由晶片搬送装置85搬送到第四区域块G4的交接单元40。接着，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，进行曝光后烘焙(bake)处理(图31的工序S13)。此后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到显影处理单元33，进行显影处理(图31的工序S14)。显影结束后，晶片W由晶片搬送装置70搬送到热处理单元40，进行后烘(post bake)处理(图31的工序S15)。
此后晶片W由晶片搬送装置70搬送到第三区域块G3的交接单元50，此后由盒站2的晶片搬送装置21搬送到规定的盒载置板13的盒C。这样，结束一系列的光刻工序。
根据以上的实施方式，当由晶片检查部142检查清洗后的晶片W的结果被判断为，虽然该晶片W的现状为不能曝光，但是通过晶片清洗部141再清洗就能够在曝光装置中进行曝光时，晶片搬送控制部135控制晶片搬送装置120，将该晶片W再次搬送到晶片清洗部141。该情况下，与对判断为不能曝光的全部的晶片W中止以后的处理回收到盒C的、以往的涂敷显影处理系统300相比，能够减少中止以后的处理并回收到盒C的晶片W的数量。其结果是，能够提高涂敷显影处理系统1中的晶片W的成品率。
另外，由于设置有暂时收容由晶片检查部142检查后的晶片W的缓冲单元111，因此，能够将检查后的晶片W在该缓冲单元111待机直到判断出晶片检查部142中的检查结果。假如在没有判断出检查的结果的状态下搬送晶片W，则需要根据此后判断出的检查结果变更搬送中的晶片W的搬送目的地，有可能对晶片W的搬送产生较大的影响。但是，使检查后的晶片W在缓冲单元111待机直到判断出检查结果，从而能够在确定搬送目的地之后搬送晶片W，因此，不产生上述的影响。
另外，使由晶片检查部142检查之后的晶片W在缓冲单元111待机的时间，未必一定直至判断出该晶片W的检查结果，也可以待机到其以上的时间。例如，多个检查后的晶片W被收纳于缓冲单元111时，例如最先判断出检查结果的晶片W的检查结果为上述的“再清洗”时，则有可能在该晶片W在晶片清洗部141中被再次清洗的过程中，收纳于缓冲单元111的另外的晶片W的检查结果被判断出。在所述情况下，如果将被判断出检查结果的下一晶片W搬送到曝光装置4侧，则该晶片W超过被再次清洗的晶片W被搬送到曝光装置4。此时，由于例如以与按批量(lot)单位设定于处理方案的晶片W的搬送安排(schedule)不同的顺序将晶片W搬送到曝光装置4，因此，曝光装置4无法识别该晶片W，有可能会发生搬送错误(error)。
因此，如上所述当任意的晶片W被判断为“再清洗”时，优选在该晶片W的再清洗之后再次由晶片检查部142进行检查，直到再次被收纳在缓冲单元111中之后判断出再清洗的检查结果为止，使下一晶片W在缓冲单元111中待机。这样，通过调整在缓冲单元111中使晶片W待机的时间，即使在“再清洗”的情况下也能够将晶片W以预定的规定的顺序进行搬送。另外，缓冲单元111也可以采用例如能够收纳多层晶片W的构成。在该情况下，例如当缓冲单元111内的晶片W被判断为不能曝光时，将该晶片W收纳于缓冲单元111中，直到成为不影响基于晶片搬送装置120的晶片搬送的安排的定时，从而能够不影响搬送安排就能够回收晶片W。另外，例如也可以使多个被判断为能够曝光的晶片W在缓冲单元111中待机。在该情况下，例如在对被判断为“再清洗”的晶片W进行再次清洗的期间，如果使待机的能够曝光的晶片W搬送到曝光装置4，则总能够确保搬送到曝光装置4的晶片W，因此，能够防止曝光装置4处于等待状态。
在以上的实施方式中，清洗后的晶片W由各搬送臂122、131、132搬送到各单元，因此，能够抑制搬送清洗后的晶片W的各搬送臂122、131、132被附着在晶片W的背面的颗粒所污染。其结果是，能够确保各搬送臂122、131、132的清净，在搬送清洗后的晶片W时，能够减少晶片W的背面被附着在各搬送臂122、131、132的颗粒污染的可能性。
另外，在基于晶片检查部142的检查的结果是，该晶片W的状态例如被判断为不能在曝光装置4中进行曝光的情况下，第二搬送臂122和第三搬送臂131例如已搬送过背面附着有颗粒的状态的晶片W。如若如此，附着于晶片W的颗粒附着于各搬送臂122、131，有可能会污染下次搬送的晶片W的背面。因此，在晶片检查部142中的检查的结果是，该晶片W的状态例如判断为不能在曝光装置4中进行曝光或通过再清洗能够曝光的情况下，则也可以在搬送该晶片W之后，清洗第二搬送臂122和第三搬送臂131。这样的第二搬送臂122的清洗例如也可以在晶片清洗部141中进行。在该情况下，也可以构成为晶片清洗部141的刷152能够上下自由反转，使进入到晶片清洗部141内的第二搬送臂122的上表面由反转后的刷152清洗。另外，也可以与晶片清洗部141相区分，将进行搬送臂122的清洗的作为臂清洗机构的另外的清洗单元设置于第五区域块G5或第七区域块G7。另外，在进行第三搬送臂131的清洗时，也可以将其它的清洗单元设置于第六区域块G6或第七区域块G7。另外，也可以在缓冲单元111设置搬送臂122、131的清洗机构。
在以上的实施方式中，例如在涂敷显影处理系统1的正面侧配置有晶片清洗部141，在背面侧配置有晶片检查部142和脱水单元101，但是，例如也可以将晶片清洗部141和脱水单元101设置于交接站5的正面侧，即在第五区域块G5多层地设置，仅将晶片检查部142设置于第六区域块G6。这样，就能够使清洗后的晶片W和搬送臂的接触次数处于最小限度。也就是说，在晶片清洗部141和脱水单元101分别设置于正面侧和背面侧的情况下，则当从晶片清洗部141将晶片W搬送到脱水单元101时，首先，需要从晶片清洗部141搬送到交接单元110，接着从交接单元110搬送到脱水单元101。此时，清洗后的晶片W的背面与晶片搬送装置120、130的各搬送臂122、131最低各接触一次。与此相反，如果将晶片清洗部141和脱水单元101配置于上下方向，则无需经由交接单元110，因此，能够将晶片W和晶片搬送装置120的第二搬送臂122的接触次数抑制为一次。其结果是，比以往能够进一步减少晶片W的背面被附着在晶片搬送装置120的颗粒污染的可能性。
另外，也可以将晶片清洗部141和晶片检查部142设置于交接站5的正面侧，即在第五区域块G5多层地设置，仅将脱水单元101设置于第六区域块G6。在背面侧只配置脱水单元101，由此能够在背面侧确保附随于脱水单元101设置的诸如排气机构194或处理容器190之类的大型且大重量的机器的设置场所。
另外，在以上的实施方式中，在交接站5设置有脱水单元101，但是在本发明中，未必一定要设置脱水单元101，能够任意选择其设置的有无。
另外，通过将多个搬送臂121、122、131、132设置于晶片搬送装置120、130，能够使基于各搬送臂121、122、131、132的搬送工序数量均匀化。由此，晶片W的搬送时间管理变得容易。
在以上的实施方式中，通过温度调整单元112对搬送到曝光装置4之前的晶片W进行了温度调整，但是，例如也可以在晶片检查部142设置将晶片检查部142内的气氛调整到规定的温度的温度调整机构，在该晶片检查部142检查晶片W的期间进行该晶片W的温度调整。这样，就能够缩短温度调整单元112中的处理时间或向温度调整单元112的搬送时间，因此能够提高涂敷显影处理系统1的生产率。
以上，参照附图说明了本发明的优选的实施方式，但是本发明不限于所述的例子。作为本领域技术人员，显然能够在本申请请求保护的范围所记载的思想范畴内想到各种变更例或修正例，可以理解这些当然也属于本发明的技术范围。本发明并不限于此例，可以采用各种方式。本发明也能够适用于基板为晶片以外的FPD(Flat Panel Display)、光掩模(photo mask)用的掩模(mask rectile)等的其它的基板的情况。
产业上的可利用性
本发明适用于例如对半导体晶片等的基板进行清洗处理的情况。
附图标记
1 涂敷显影处理系统
2 盒站
3 处理站
4 曝光装置
5 交接站
6 控制装置
10 盒搬入搬出部
11 晶片搬送部
12 盒载置台
13 盒载置板
20 搬送路
21 晶片搬送装置
30 下部反射防止膜形成单元
31 抗蚀剂涂敷单元
32 上部反射防止膜形成单元
33 显影处理单元
40 热处理单元
41 粘附单元
42 周边曝光单元
50～56 交接单元
60～62 交接单元
70 晶片搬送装置
85 晶片搬送装置
90 晶片搬送装置
100 清洗检查单元
101 脱水单元
110 交接单元
110’ 交接单元
111 缓冲单元
112 温度调整单元
120 晶片搬送装置
121 第一搬送臂
122 第二搬送臂
130 晶片搬送装置
131 第三搬送臂
132 第四搬送臂
135 晶片搬送控制部
140 箱体
141 晶片清洗部
142 晶片检查部
143 搬送手段
144 待机载置台
150 吸附垫
151 旋转吸盘
152 刷
153 框体
154 上部罩
154a 开口部
160 传动轴
161 驱动机构
162 升降销
163 支承体
163a 清洗液喷嘴
163b 净化喷嘴
164 驱动机构
170 排液管
170’ 箱体
171 排气管
180 保持臂
181 光源
182 摄像机
190 处理容器
191 保持部件
192 传动轴
193 升降机构
194 排气机构
195 排气管
196 净化管
200 冷却机构
C 盒
D 晶片搬送区域
F 罩
W 晶片

Claims (9)

1.一种基板处理系统，其包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站；和在所述处理站和设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站，该基板处理系统的特征在于：
所述交接站具有：
在将基板搬入到所述曝光装置之前至少清洗基板的背面的清洗单元；
在所述基板搬入到所述曝光装置之前，对于所述基板的背面检查该基板能否进行曝光的检查单元；
暂时收纳由所述检查单元检查后的基板的缓冲收纳部；和
基板搬送机构，其包括在所述清洗单元、所述检查单元和所述缓冲收纳部之间搬送基板的臂，
依据所述检查单元的检查结果，当判断为基板的状态是能够曝光的状态时，将基板搬送到所述曝光装置，
当判断为基板的状态是通过在所述清洗单元的再清洗而能够曝光的状态时，将基板再次搬送到所述清洗单元，将被再次搬送到所述清洗单元并被清洗后的基板再次搬送到所述检查单元，
当判断为基板的状态是不能够曝光的状态时，按照回收基板的路径搬送基板。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于：
所述缓冲收纳部收纳所述检查后的基板直到判断出该检查后的基板的检查结果。
3.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于：
所述基板搬送机构包括：
将已搬入到所述交接站中的基板搬送到所述清洗单元的第一搬送臂；和
将由所述清洗单元清洗之后的基板搬送到所述检查单元，进一步将由所述检查单元检查之后的基板搬送到所述缓冲收纳部的第二搬送臂。
4.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于：
所述基板搬送机构包括：
将已搬入到所述交接站中的基板搬送到所述清洗单元的第一搬送臂；
将由所述清洗单元清洗之后的基板搬送到所述检查单元的第二搬送臂；和
将由所述检查单元检查之后的基板搬送到所述缓冲收纳部的第三搬送臂。
5.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于：
所述清洗单元设置于所述交接站的正面侧和背面侧中的任意一侧，
所述检查单元设置于所述清洗单元的相反一侧，
所述缓冲收纳部设置于所述清洗单元与所述检查单元之间。
6.如权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于：
所述清洗单元设置于所述交接站的正面侧和背面侧中的任意一侧，
所述检查单元设置于所述清洗单元的相反一侧，
所述缓冲收纳部在上下方向上多层地设置于所述清洗单元与所述检查单元之间，
所述第一搬送臂以沿上下方向自由移动的方式设置于所述清洗单元与所述缓冲收纳部之间，
所述第二搬送臂以沿上下方向自由移动的方式设置于所述检查单元与所述缓冲收纳部之间。
7.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，具有：
将由所述检查单元检查后且搬入到所述曝光装置之前的基板调整到规定的温度的温度调整机构。
8.一种基板处理系统的基板搬送方法，该基板处理系统包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站；和在所述处理站与设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站，该基板搬送方法的特征在于：
所述交接站具有：
在将基板搬入到所述曝光装置之前至少清洗基板的背面的清洗单元；
在所述基板搬入到所述曝光装置之前，对于所述基板的背面检查该基板能否进行曝光的检查单元；
暂时收纳由所述检查单元检查后的基板的缓冲收纳部；和
基板搬送机构，其包括在所述清洗单元、所述检查单元和所述缓冲收纳部之间搬送基板的臂，
背面由所述清洗单元清洗后的所述基板被所述基板搬送机构搬送到所述检查单元，之后，被所述基板搬送机构搬送到所述缓冲收纳部，由所述缓冲收纳部收纳所述基板直到判断出所述检查单元的检查结果，
依据所述检查单元的检查结果，当判断为基板的状态是能够曝光的状态时，将基板搬送到所述曝光装置，
当判断为基板的状态是通过在所述清洗单元的再清洗而能够曝光的状态时，将基板再次搬送到所述清洗单元，将被再次搬送到所述清洗单元并被清洗后的基板再次搬送到所述检查单元，
当判断为基板的状态是不能够曝光的状态时，按照回收基板的路径搬送基板。
9.一种可读取的计算机存储介质，其特征在于：
存储有程序，该程序在对基板处理系统进行控制的控制装置的计算机上运行，使得通过所述基板处理系统执行权利要求8所述的基板处理系统的基板搬送方法。
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