JP2010147361A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光装置内の汚染が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。インターフェースブロック１５は、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２を含む。第１の検査ユニットＥＥ１は、露光処理前の基板Ｗの状態の検査を行い、第２の検査ユニットＥＥ２は、露光処理後の基板Ｗの状態の検査を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法がある（例えば特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系（露光レンズ）と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。

液浸法を用いて露光処理を行う場合、基板上に供給される液体がレジスト膜に直接接触すると、レジスト膜の成分がその液体中に溶出する。それにより、露光レンズが汚染され、基板の処理不良が発生する。さらに、露光レンズが損傷すると、その復旧に多大なコストが必要となる。そこで、レジスト膜を覆うようにレジストカバー膜を形成することが提案されている（例えば特許文献３参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開２００６−１４０２８３号公報

しかしながら、基板が露光装置に搬送される前に、レジストカバー膜の一部が基板から剥離することがある。この場合、露光装置における露光処理時に、レジストカバー膜が剥離した部分からレジスト膜等の成分が溶出し、露光レンズが汚染される。

本発明の目的は、露光装置内の汚染が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、処理部および受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、処理部は、基板に第１の膜を形成する成膜ユニットと、成膜ユニットにより形成された第１の膜に熱処理を施す熱処理ユニットとを含み、受け渡し部は、熱処理ユニットによる熱処理後であって露光装置による露光処理前の基板の状態を検査する第１の検査ユニットを含み、制御部は、第１の検査ユニットによる検査の結果に基づいて基板の状態が正常であるか否かを判定し、正常である基板を露光装置に搬送し、正常でない基板を露光装置に搬送しないように受け渡し部を制御するものである。

その基板処理装置では、処理部において、成膜ユニットにより基板に第１の膜が形成された後、熱処理ユニットにより第１の膜に熱処理が施される。熱処理ユニットによる熱処理後、受け渡し部の第１の検査ユニットにより基板の状態が検査される。第１の検査ユニットの検査で正常であった基板は、受け渡し部から露光装置に搬送される。露光装置においては、第１の膜に液体が接触する状態で基板の露光処理が行われる。一方、第１の検査ユニットによる検査で正常でなかった基板は、受け渡し部から露光装置に搬送されない。

この場合、基板に異常があると、露光処理を安定に行うことができない。それにより、露光装置内が汚染される。したがって、異常があった基板を露光装置に搬送しないことにより、露光装置内の汚染を事前に防止することができる。

（２）第１の検査ユニットは、成膜ユニットにより形成された第１の膜の外観を検査する外観検査装置を含み、制御部は、外観検査装置による検査で第１の膜の外観に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定してもよい。

この場合、第１の膜の一部が剥離している基板または第１の膜が汚染されている基板は、露光装置に搬送されない。それにより、第１の膜の剥離または汚染に起因して露光装置内が汚染されることが防止される。

（３）第１の検査ユニットは、基板のベベル部を検査するベベル部検査装置を有し、制御部は、ベベル部検査装置による検査で基板のベベル部に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定してもよい。

この場合、ベベル部が汚染されている基板は、露光装置に搬送されない。それにより、基板のベベル部の汚染に起因して露光装置内が汚染されることが防止される。

（４）第１の検査ユニットは、成膜ユニットにより形成された第１の膜の成分を検査する成分検査装置を有し、制御部は、成分検査装置による検査で第１の膜の成分に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定してもよい。

この場合、第１の膜の成分が適正でない基板は、露光装置に搬送されない。それにより、露光処理時に供給された液体が基板の周囲に流出すること、および第１の膜の成分が液体内に溶出して露光装置を汚染することが防止される。

（５）第１の検査ユニットは、成膜ユニットにより形成された第１の膜上における液体の接触角を検査する接触角検査装置を有し、制御部は、接触角検査装置による検査で第１の膜上における液体の接触角に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定してもよい。

この場合、第１の膜上における液体の接触角に異常がある基板は、露光装置に搬送されない。それにより、露光処理時に供給された液体が基板の周囲に流出することが防止される。

（６）第１の検査ユニットは、成膜ユニットにより形成された第１の膜の膜厚を検査する膜厚検査装置を有し、制御部は、膜厚検査装置による検査で第１の膜の膜厚に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定してもよい。

この場合、第１の膜の膜厚に異常がある基板は、露光装置に搬送されない。それにより、露光処理時に第１の膜が基板から剥離することが防止される。

（７）処理部および受け渡し部の一方は、熱処理ユニットによる熱処理後であって露光装置による露光処理前の基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットをさらに含み、第１の検査ユニットは、洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板の状態を検査してもよい。

この場合、洗浄処理ユニットにおいて、洗浄液またはリンス液等の液体を用いて基板の洗浄処理を行うと、その処理中に第１の膜が剥離しやすい。そのため、洗浄後の基板の状態を検査することにより、洗浄処理時に発生した第１の膜の剥離を確実に検出することができる。

（８）受け渡し部は、露光装置による露光処理後の基板の状態を検査する第２の検査ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、第１および第２の検査ユニットによる検査結果に基づいて、露光処理前後の基板の状態の変化を検出することができる。それにより、露光装置内で基板に異常が発生した場合、それを迅速に認識することができる。したがって、露光装置内での異常発生後、迅速に露光装置のメンテナンスを行うことができる。その結果、露光装置内の汚染および損傷を最小限に抑えることができる。

（９）成膜ユニットは、基板に第１の膜として感光性材料からなる感光性膜を形成してもよい。

この場合、露光装置内において、感光性膜に液体が接触する状態で基板の露光処理が行われる。そのため、感光性膜上に他の膜が形成されない。それにより、簡単な構成で迅速に基板の処理を行うことができる。

（１０）成膜ユニットは、基板に第２の膜として感光性材料からなる感光性膜を形成するとともに、第１の膜として感光性膜を保護する保護膜を形成してもよい。

この場合、露光装置内において、保護膜に液体が接触する状態で基板の露光処理が行われる。そのため、感光性膜と保護膜との接触が防止される。それにより、感光性膜が液体に溶出しやすい場合でも、露光装置内の汚染を防止することができる。

（１１）第２の発明に係る基板処理方法は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理するための基板処理方法であって、処理部において基板に第１の膜を形成するステップと、処理部において第１の膜に熱処理を施すステップと、受け渡し部において第１の膜の熱処理後であって露光装置による露光処理前の基板の状態を検査するステップと、検査の結果に基づいて基板の状態が正常であるか否かを判定するステップと、正常であると判定された基板を受け渡し部により露光装置に搬送するステップと、正常でないと判定された基板を受け渡し部により露光装置に搬送しないステップとを備えるものである。

その基板処理方法においては、処理部において基板に第１の膜が形成された後、第１の膜に熱処理が施される。熱処理後、受け渡し部において基板の状態が検査される。その検査で正常であった基板は、受け渡し部から露光装置に搬送される。露光装置においては、第１の膜に液体が接触する状態で基板の露光処理が行われる。一方、その検査で正常でなかった基板は、受け渡し部から露光装置に搬送されない。

この場合、基板に異常があると、露光処理を安定に行うことができない。それにより、露光装置内が汚染される。したがって、異常があった基板を露光装置に搬送しないことにより、露光装置内の汚染を事前に防止することができる。

本発明によれば、異常があった基板を露光装置に搬送しないことにより、露光装置内の汚染を事前に防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、警報装置３０ｂ、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１５は、第１の検査ユニットＥＥ１、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、第２の検査ユニットＥＥ２、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。

なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。また、第１の検査ユニットＥＥ１は、露光処理前の基板Ｗの状態の検査を行い、第２の検査ユニットＥＥ２は、露光処理後の基板Ｗの状態の検査を行う。第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２の詳細については後述する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。

図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、第１の検査ユニットＥＥ１、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。

エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、第２の検査ユニットＥＥ２、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。

また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の検査ユニットＥＥ１、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、第２の検査ユニットＥＥ２、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。

なお、上記の塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。

（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１において、レジスト膜の加熱処理および冷却処理が順に行われる。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１において、レジストカバー膜の加熱処理および冷却処理が順に行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。

露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、除去ユニットＲＥＭにより基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。

上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板を取り出し、その基板Ｗを第１の検査ユニットＥＥ１に搬入する。第１の検査ユニットＥＥ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの状態が検査される。第１の検査ユニットＥＥ１における具体的な検査内容については後述する。

ここで、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２における検査結果は、メインコントローラ３０に与えられる。メインコントローラ３０は、その検査結果に基づいて基板Ｗの状態が正常か否かを判定するとともに、正常な基板Ｗと異常がある基板Ｗとでそれぞれ異なる処理が施されるように各処理ブロックを制御する。

第１の検査ユニットＥＥ１における検査で異常があった基板Ｗは、その後の処理が行われることなく回収される。具体的には、異常があった基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によってベベル部検査ユニットＥＥから取り出された後、送りバッファ部ＳＢＦに搬入される。そして、１ロットの基板Ｗの処理の終了後に、作業者によって送りバッファ部ＳＢＦの基板Ｗが回収され、廃棄またはリワーク（再処理）等の処置が別途施される。なお、異常がある基板Ｗを収納するためのバッファ部を送りバッファ部ＳＢＦとは別に設けてもよい。

また、異常があった基板Ｗが、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６によってインデクサブロック９に戻され、インデクサロボットＩＲによってキャリアＣ（図１）に回収されてもよい。

以下、正常な基板Ｗに対するインターフェースブロック１５の動作を説明する。

正常な基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によって第１の検査ユニットＥＥ１から取り出された後、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入される。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。

なお、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６が、第１の検査ユニットＥＥ１から取り出した基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の検査ユニットＥＥ２に搬入する。第２の検査ユニットＥＥ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの状態の検査が行われる。第２の検査ユニットＥＥ２における具体的な検査内容については後述する。

第２の検査ユニットＥＥ２における検査で基板Ｗに異常があった場合、警報装置３０ｂにより作業者に警報が発せられる。警報装置３０ｂは、例えばブザーまたはランプを含む。

露光装置１６には正常な基板Ｗのみが搬入されるので、露光処理後の基板Ｗに異常があった場合、露光装置１６内において基板Ｗに異常が発生したと考えられる。作業者は、警報装置３０ｂにより警報が発せられると、基板処理装置５００および露光装置１６の動作を停止させ、露光装置１６のメンテナンスを行う。

なお、第２の検査ユニットＥＥ２において基板Ｗが正常であると判定された場合でも、第２の検査ユニットＥＥ２における検査結果が第１の検査ユニットＥＥ１における検査結果に比べて悪化していれば、上記同様に警報装置３０ｂによる警報が発せられてもよい。

第２の検査ユニットＥＥ２における検査で異常があった基板Ｗは、その後の処理が行われることなく回収される。具体的には、異常があった基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲによって第２の検査ユニットＥＥ２から取り出された後、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置される。そして、第６のセンターロボットＣＲ６がその基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３から取り出し、戻りバッファ部ＲＢＦに搬入する。１ロットの基板Ｗの処理の終了後に、作業者によって戻りバッファ部ＲＢＦの基板Ｗが回収され、廃棄またはリワーク（再処理）等の処置が別途施される。なお、異常があった基板Ｗを収納するためのバッファ部を戻りバッファ部ＲＢＦとは別に設けてもよい。

また、異常があった基板が、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６によってインデクサブロック９に戻され、インデクサロボットＩＲによってキャリアＣ（図１）に回収されてもよい。

第２の検査ユニットＥＥ２における検査で正常であった基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２によって第２の検査ユニットＥＥ２から取り出された後、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入される。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

（３）検査ユニット
図５は、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２により検査される基板Ｗの模式的断面図である。図６は、第１の検査ユニットＥＥ１の構成を示す模式的側面図である。

（３−１）基板
まず、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２による検査時の基板Ｗの状態について説明する。図５に示すように、基板Ｗは、平坦な表面および裏面を有するとともに、その外周部にベベル部ＢＥを有する。ベベル部ＢＥは、基板Ｗの表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域ＢＥ１および基板Ｗの裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域ＢＥ２を含む。

第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２での検査時には、基板Ｗの表面に、反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が重ねて形成されている。図５の例では、基板Ｗの表面上において、反射防止膜Ｆ１を覆うようにレジスト膜Ｆ２が形成され、レジスト膜Ｆ２を覆うようにレジストカバー膜Ｆ３が形成されている。

なお、膜Ｆ１〜Ｆ３の形成状態はこれに限定されず、例えばレジスト膜Ｆ２が反射防止膜Ｆ１の周縁部を除く領域上に形成されてもよく、または、膜Ｆ１〜Ｆ３が上ベベル領域ＢＥ１上まで広がるように形成されてもよい。

（３−２）検査ユニットの構成
次に、第１の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２の構成について説明する。なお、第２の検査ユニットＥＥ２は、図６に示す第１の検査ユニットＥＥ１と同様の構成を有する。

図６に示すように、第１の検査ユニットＥＥ１には、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１が設けられる。

スピンチャック５２１は、チャック回転駆動機構５２２によって回転される回転軸５２３の上端に固定されている。また、スピンチャック５２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック５２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面をスピンチャック５２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック５２１の上方には、マクロ検査カメラ５３１が配置されている。マクロ検査カメラ５３１は、基板Ｗ上のレジストカバー膜Ｆ１の全体を撮像する。マクロ検査カメラ５３１により得られた画像データＩＤ１は、メインコントローラ３０に与えられる。

スピンチャック５２１により保持される基板Ｗのベベル部ＢＥ近傍には、ベベル検査カメラ５３２ａ，５３２ｂが配置されている。ベベル検査カメラ５３２ａは、基板Ｗの上ベベル領域ＢＥ１（図５）を撮像し、ベベル検査カメラ５３２ｂは、基板の下ベベル領域ＢＥ２（図５）を撮像する。

スピンチャック５２１によって基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗの上ベベル領域ＢＥ１および下ベベル領域ＢＥ２の全体を撮像することができる。ベベル検査カメラ５３２ａにより得られた画像データＩＤ２およびベベル検査カメラ５３２ｂにより得られた画像データＩＤ３は、メインコントローラ３０に与えられる。

なお、図６の例では基板Ｗの上ベベル領域ＢＥ１と下ベベル領域ＢＥ２とが別個のベベル検査カメラ５３２ａ，５３２ｂにより撮像されるが、共通のベベル検査カメラによって基板Ｗの上ベベル領域ＢＥ１および下ベベル領域ＢＥ２が撮像されてもよい。

スピンチャック５２１により保持される基板Ｗの表面に近接するように、膜質検査器５３３が配置されている。膜質検査器５３３は、例えば分光光度計を含み、基板Ｗ上のレジストカバー膜Ｆ３に種々の波長の光を照射し、その反射光に基づいてレジストカバー膜の成分を分析する。

スピンチャック５２１によって基板Ｗを回転させることにより、レジストカバー膜Ｆ３の複数の部分において、成分分析を行うことができる。膜質検査器５３３により得られた成分データＣＤは、メインコントローラ３０に与えられる。

スピンチャック５２１により保持される基板Ｗの側方には、接触角測定器５３４が配置されている。接触角測定器５３４は、レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角を測定する。この場合、図示しない液体供給部によって基板Ｗ上に液体（例えば純水）が滴下され、その液体の接触角が測定される。膜質検査器５３３により得られた接触角データＡＤは、メインコントローラ３０に与えられる。

スピンチャック５２１により保持される基板Ｗの中心部上方と周縁部上方との間で移動可能に膜厚測定器５３５が配置されている。膜厚測定器５３５は、基板Ｗの中心部上方と周縁部上方との間で移動しつつ、基板Ｗ上のレジストカバー膜Ｆ３の膜厚を連続的に測定し、その測定結果を膜厚データＣＴとしてメインコントローラ３０に与える。

なお、マクロ検査カメラ５３１による撮像時には、マクロ検査カメラ５３１が基板Ｗの表面の全体を撮像することができるように膜質検査器５３３、接触角測定器５３４および膜厚測定器５３５が基板Ｗの外方に移動する。

（３−３）基板状態判定処理
メインコントローラ３０は、与えられた画像データＩＤ１〜ＩＤ３、成分データＣＤ、接触角データＡＤおよび膜厚データＣＴに基づいて基板状態判定処理を行う。これにより、メインコントローラ３０は、基板Ｗの状態が正常であるか否かを判定する。

図７は、メインコントローラ３０による基板状態判定処理のフローチャートである。

図７に示すように、メインコントローラ３０は、まず、マクロ検査カメラ５３１からの画像データＩＤ１に基づいて、基板Ｗ上のレジストカバー膜Ｆ３に外観上の欠陥があるか否かを判定する（ステップＳ１）。レジストカバー膜Ｆ３の外観上の欠陥としては、形成領域のずれ、パーティクルの付着、および剥離等がある。

レジストカバー膜Ｆ３に外観上の欠陥がある場合、メインコントローラ３０は、その基板Ｗに異常があると判定する（ステップＳ６）。

レジストカバー膜Ｆ３に外観上の欠陥がない場合、メインコントローラ３０は、ベベル検査カメラ５３２ａ，５３２ｂからの画像データＩＤ２，ＩＤ３に基づいて、基板Ｗのベベル部ＢＥが汚染されているか否かを判定する（ステップＳ２）。

基板Ｗのベベル部ＢＥが汚染されている場合、メインコントローラ３０は、その基板Ｗに異常があると判定する（ステップＳ６）。

基板Ｗのベベル部ＢＥが汚染されていない場合、メインコントローラ３０は、膜質検査器５３３からの成分データＣＤに基づいて、レジストカバー膜Ｆ３の成分比が正常であるか否かを判定する（ステップＳ３）。具体的には、予め記憶された成分比の標準値と膜質検査器５３３によって得られた成分比との誤差が算出される。算出された誤差が規定範囲内にある場合、レジストカバー膜Ｆ３の成分比が正常であると判定され、規定範囲内にない場合、レジストカバー膜Ｆ３の成分比が異常であると判定される。

レジストカバー膜Ｆ３の成分比が異常である場合、メインコントローラ３０は、その基板Ｗに異常があると判定する（ステップＳ６）。

レジストカバー膜Ｆ３の成分比が正常である場合、メインコントローラ３０は、接触角測定器５３４からの接触角データＡＤに基づいて、レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角が規定範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ４）。この場合、露光装置１６における露光処理時に、基板Ｗ上に安定に液体を保持することができるように、接触角の規定範囲が設定される。

レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角が規定範囲内にない場合、メインコントローラ３０は、その基板Ｗに異常があると判定する（ステップＳ６）。

レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角が規定範囲内にある場合、メインコントローラ３０は、膜厚測定器５３５からの膜厚データＣＴに基づいて、レジストカバー膜Ｆ３の膜厚が規定範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ５）。

レジストカバー膜Ｆ３の膜厚が規定範囲内にない場合、メインコントローラ３０は、その基板Ｗに異常があると判定する（ステップＳ６）レジストカバー膜Ｆ３の膜厚が規定範囲内にある場合、メインコントローラ３０は、その基板Ｗが正常であると判定する（ステップＳ７）。

なお、ベベル部ＢＥの上ベベル領域ＢＥ１にレジストカバー膜Ｆ３が形成される場合、メインコントローラ３０は、ベベル検査カメラ５３２ａからの画像データＩＤ２に基づいて、上ベベル領域ＢＥ１上でレジストカバー膜Ｆ３が剥離しているか否かを判定してもよい。この場合、上ベベル領域ＢＥ１上でレジストカバー膜Ｆ３が剥離していれば、メインコントローラ３０は、その基板Ｗに異常があると判定する。

（４）実施の形態の効果
本実施の形態では、露光装置１６における露光処理前の基板Ｗの状態が第１の検査ユニットＥＥ１において検査される。第１の検査ユニットＥＥ１における検査で基板Ｗに異常があれば、その基板Ｗは露光装置１６に搬入されない。

この場合、レジストカバー膜Ｆ３が一部でも剥離していれば、その基板Ｗは露光装置１６に搬入されない。これにより、露光処理時に、レジストカバー膜Ｆ３が剥離した部分からレジスト膜Ｆ２等の成分が溶出することが防止される。その結果、露光レンズの汚染および損傷が防止される。

また、基板Ｗのベベル部ＢＥが汚染されていれば、その基板Ｗは露光装置１６に搬入されない。そのため、基板Ｗのベベル部ＢＥの汚染が露光装置１６内に伝播することが防止される。

また、レジストカバー膜Ｆ３の成分比に異常があると、露光処理時に、基板Ｗ上で液体を安定に保持することができず、または、レジストカバー膜Ｆ３の成分がその液体中に溶出する。そこで、レジストカバー膜Ｆ３の成分比に異常があれば、その基板Ｗは露光装置１６に搬入されない。それにより、露光処理時に基板Ｗ上に供給された液体が基板Ｗの周囲に流出すること、およびレジストカバー膜Ｆ３から溶出した成分によって露光装置１６内が汚染されることが防止される。

また、レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角が適正でないと、露光処理時に、基板Ｗ上で液体を安定に保持することができない。そこで、レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角が規定範囲内になければ、その基板Ｗは露光装置１６に搬入されない。それにより、基板Ｗ上に供給された液体が基板Ｗの周囲に流出することが防止される。

また、レジストカバー膜Ｆ３の膜厚が適正でないと、露光処理時に、レジスト膜Ｆ２等の成分の溶出を十分に防止することができず、または、レジストカバー膜Ｆ３が剥離する可能性が高くなる。そこで、レジストカバー膜Ｆ３の膜厚が規定範囲内になければ、その基板Ｗは露光装置１６に搬入されない。それにより、露光処理時におけるレジスト膜Ｆ２等の成分の溶出、およびレジストカバー膜Ｆ３の剥離が十分に防止される。

また、第１の検査ユニットＥＥ１における基板Ｗの状態の検査は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１よる基板Ｗの洗浄および乾燥処理後に行われる。洗浄液またはリンス液等の液体を用いて基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行う場合、その処理中にレジストカバー膜Ｆ３の剥離が発生しやすい。そのため、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗの状態を検査することにより、洗浄および乾燥処理時に発生したレジストカバー膜Ｆ３の剥離を確実に検出することができる。

また、本実施の形態では、露光装置１６における露光処理後の基板Ｗの状態が第２の検査ユニットＥＥ２において検査される。この場合、露光処理前後の基板Ｗの状態の変化を検出することができる。それにより、露光装置１６内で基板Ｗに異常が発生したことを迅速に認識することができる。したがって、露光装置１６内での異常発生後、迅速に露光装置１６のメンテナンスを行うことができる。その結果、露光レンズの汚染を最小限に抑えることができる。

第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２では、レジストカバー膜Ｆ３の外観が検査される。露光処理前後におけるレジストカバー膜Ｆ３の外観の変化により、露光装置１６内でレジストカバー膜Ｆ３が剥離したことを迅速に認識することができる。この場合、レジストカバー膜Ｆ３が剥離した部分からレジスト膜Ｆ２等の成分が溶出する可能性がある。または、剥離したレジストカバー膜Ｆ３の部分が汚染物として露光装置１６内に滞留する可能性がある。したがって、迅速に露光装置１６のメンテナンスを行うことにより、露光レンズの汚染を最小限に抑えることができる。

また、露光処理前後におけるレジストカバー膜Ｆ３の外観の変化により、露光装置１６内でレジストカバー膜Ｆ３にパーティクル等の汚染物が付着したことを迅速に認識することができる。この場合、露光装置１６内が汚染されている可能性がある。したがって、迅速に露光装置１６のメンテナンスを行うことにより、露光レンズの汚染を最小限に抑えることができる。

また、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２では、基板Ｗのベベル部ＢＥの状態が検査される。露光処理前後における基板Ｗのベベル部ＢＥの状態の変化により、露光装置１６内で基板Ｗのベベル部ＢＥが汚染されたことを迅速に認識することができる。この場合も、露光装置１６内が汚染されている可能性がある。したがって、迅速に露光装置１６のメンテナンスを行うことにより、露光レンズの汚染を最小限に抑えることができる。

また、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２では、レジストカバー膜Ｆ３の成分、膜厚およびレジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角が検査される。これらが露光処理前後で変化している場合、露光処理時にレジストカバー膜Ｆ３の成分が溶出した可能性がある。したがって、迅速に露光装置１６のメンテナンスを行うことにより、露光レンズの汚染を最小限に抑えることができる。

また、第２の検査ユニットＥＥ２における基板Ｗの状態の検査は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２による洗浄および乾燥処理前に行われる。上記のように、洗浄液またはリンス液等の液体を用いて基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行うと、レジストカバー膜Ｆ３の剥離が発生しやすい。そのため、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２による洗浄および乾燥処理前に基板Ｗの状態を検査することにより、正確に露光処理直後の基板Ｗの状態を認識することができる。

（５）変形例
（５−１）
上記実施の形態では、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２の各々において、レジストカバー膜Ｆ３の外観検査、ベベル部ＢＥの汚染の検査、レジストカバー膜Ｆ３の成分の検査、レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角の検査、およびレジストカバー膜Ｆ３の膜厚の検査が行われるが、これらの検査がそれぞれ個別の装置において行われてもよい。

具体的には、レジストカバー膜Ｆ３の外観検査装置、ベベル部検査装置、レジストカバー膜Ｆ３の成分検査装置、レジストカバー膜Ｆ３上における液体の接触角の検査装置およびレジストカバー膜Ｆ３の膜厚検査装置がそれぞれ設けられる。基板Ｗは、露光装置１６に搬入される前に、これらの検査装置に順に搬入され、それぞれの検査が行われる。また、基板Ｗは、露光装置１６から搬出された後に、これらの検査装置に順に搬入され、それぞれの検査が行われる。

この場合も、上記実施の形態と同様に、各検査装置での検査結果に応じてその後の基板Ｗの処理を制御することにより、露光装置１６内の汚染を防止することができる。また、露光処理前後の基板Ｗの状態の変化を検出することにより、露光装置１６内で基板Ｗに異常が発生したことを迅速に認識することができる。それにより、適切なタイミングで露光装置１６のメンテナンスを行うことができる。

（５−２）
上記実施の形態では、インターフェースブロック１５において露光処理前および露光処理後の基板Ｗの検査が行われるが、これに限らず、インターフェースブロック１５と露光装置１６との間に、露光処理前後の基板Ｗの検査を行うためのブロックが別途設けられてもよい。

この場合、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２がそのブロックに設けられてもよく、個別の検査をそれぞれ行う複数の装置がそのブロックに設けられてもよい。

（５−３）
上記実施の形態では、露光処理前の基板Ｗの状態の検査が第１の検査ユニットＥＥ１において行われ、露光処理後の基板Ｗの状態の検査が第２の検査ユニットＥＥ２において行われるが、露光処理前の基板Ｗの検査と露光処理後の基板Ｗの検査とが共通の検査ユニットにおいて行われてもよい。

（５−４）
上記実施の形態では、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５に設けられるが、レジストカバー膜用処理ブロック１３またはレジストカバー膜除去ブロック１４等の他のブロックに第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が設けられてもよい。

（５−５）
上記実施の形態では、第２の検査ユニットＥＥ２における露光処理後の基板Ｗの状態の検査が、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２による洗浄および乾燥処理の前に行われるが、第２の検査ユニットＥＥ２における露光処理後の基板Ｗの状態の検査が、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２による洗浄および乾燥処理の後に行われてもよい。

（６）他の実施の形態
上記実施の形態では、レジスト膜Ｆ２を覆うようにレジストカバー膜Ｆ３が形成され、レジストカバー膜Ｆ３に液体が接触する状態で露光処理が行われるが、これに限らず、他の膜に液体が接触する状態で露光処理が行われてもよい。

例えば、レジスト膜Ｆ２が高い疎水性を有する場合、レジストカバー膜Ｆ３を形成しなくてもよい。その場合、レジスト膜Ｆ２に液体が接触する状態で露光処理が行われる。

また、この場合には、第１および第２の検査ユニットＥＥ１，ＥＥ２の各々において、レジスト膜Ｆ２の外観検査、ベベル部ＢＥの汚染の検査、レジスト膜Ｆ２の成分の検査、レジスト膜Ｆ２上における液体の接触角の検査、およびレジスト膜Ｆ２の膜厚の検査が行われる。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶが成膜ユニットの例であり、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１またはレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１が熱処理ユニットの例であり、メインコントローラ３０が制御部の例である。

また、マクロ検査カメラ５３１が外観検査装置の例であり、ベベル検査カメラ５３２ａ，５３２ｂがベベル部検査装置の例であり、膜質検査器５３３が成分検査装置の例であり、接触角測定器５３４が接触角検査装置の例であり、膜厚測定器５３５が膜厚検査装置の例であり、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットの例であり、レジスト膜Ｆ２またはレジストカバー膜Ｆ３が第１の膜の例であり、レジスト膜Ｆ２が第２の膜の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 基板の模式的断面図である。 第１の検査ユニットの構成を示す模式的側面図である。 メインコントローラによる基板状態判定処理のフローチャートである。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
３０ メインコントローラ
３０ｂ 警報装置
５００ 基板処理装置
ＥＥ１，ＥＥ２ 検査ユニット
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
Ｃ キャリア
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (11)

1. 液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行うための処理部と、
   前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
   前記処理部および受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、
   前記処理部は、
   基板に第１の膜を形成する成膜ユニットと、
   前記成膜ユニットにより形成された前記第１の膜に熱処理を施す熱処理ユニットとを含み、
   前記受け渡し部は、
   前記熱処理ユニットによる熱処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板の状態を検査する第１の検査ユニットを含み、
   前記制御部は、前記第１の検査ユニットによる検査の結果に基づいて基板の状態が正常であるか否かを判定し、正常である基板を前記露光装置に搬送し、正常でない基板を前記露光装置に搬送しないように前記受け渡し部を制御することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１の検査ユニットは、前記成膜ユニットにより形成された前記第１の膜の外観を検査する外観検査装置を含み、
   前記制御部は、前記外観検査装置による検査で前記第１の膜の外観に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の検査ユニットは、基板のベベル部を検査するベベル部検査装置を有し、
   前記制御部は、前記ベベル部検査装置による検査で基板のベベル部に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記第１の検査ユニットは、前記成膜ユニットにより形成された前記第１の膜の成分を検査する成分検査装置を有し、
   前記制御部は、前記成分検査装置による検査で前記第１の膜の成分に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記第１の検査ユニットは、前記成膜ユニットにより形成された前記第１の膜上における液体の接触角を検査する接触角検査装置を有し、
   前記制御部は、前記接触角検査装置による検査で前記第１の膜上における液体の接触角に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記第１の検査ユニットは、前記成膜ユニットにより形成された前記第１の膜の膜厚を検査する膜厚検査装置を有し、
   前記制御部は、前記膜厚検査装置による検査で前記第１の膜の膜厚に異常がある場合に、基板の状態が正常でないと判定することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記処理部および前記受け渡し部の一方は、前記熱処理ユニットによる熱処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットをさらに含み、
   前記第１の検査ユニットは、前記洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板の状態を検査することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記受け渡し部は、
   前記露光装置による露光処理後の基板の状態を検査する第２の検査ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記成膜ユニットは、基板に前記第１の膜として感光性材料からなる感光性膜を形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記成膜ユニットは、第２の膜として基板に感光性材料からなる感光性膜を形成するとともに、前記第１の膜として前記感光性膜を保護する保護膜を形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理するための基板処理方法であって、
    前記処理部において基板に第１の膜を形成するステップと、
    前記処理部において前記第１の膜に熱処理を施すステップと、
    前記受け渡し部において前記第１の膜の熱処理後であって前記露光装置による露光処理前の基板の状態を検査するステップと、
    検査の結果に基づいて基板の状態が正常であるか否かを判定するステップと、
    正常であると判定された基板を前記受け渡し部により前記露光装置に搬送するステップと、
    正常でないと判定された基板を前記受け渡し部により前記露光装置に搬送しないステップとを備えることを特徴とする基板処理方法。

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