JP4832142B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

露光処理前には、上記特許文献１に示されるような基板処理装置によって、基板に対して種々の成膜処理が施される。この成膜処理の過程で、基板に形成される膜の表面が不均一な状態になる場合がある。

上記特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が供給されるが、ここで、基板の表面が不均一な状態であると、投影光学系と基板との間において液体が保持されず、液体がはじかれたり、また、最悪の場合には液体が基板の外方に流出する場合がある。

この場合、流出した液体により露光装置の電気系統等が損傷を受けて露光装置の動作不良が発生したり、または液体で覆われていない基板の部分に露光処理が施されて基板の露光不良が発生するおそれがある。

また、基板の外方に流出した液体が雰囲気中のパーティクル等を含むことによって汚染物となり、基板の処理不良を招くおそれがある。

本発明の目的は、液浸法による露光処理時に露光装置の動作不良および基板の処理不良が防止された基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を施す露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットと、保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する判定手段と、露光装置による露光処理後の基板の現像処理を行う現像処理ユニットと、現像処理ユニットに基板を搬送する第１の搬送手段とを含み、受け渡し部は、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に基板を露光装置に搬送し、判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に露光装置に基板を搬送せずに基板を待機させ、第１の搬送手段は、露光装置による露光処理後の基板および受け渡し部で待機後の基板を現像処理ユニットに搬送し、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合における受け渡し部および露光装置での基板の滞在時間と判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合における受け渡し部での基板の滞在時間とが等しく設定されるものである。

本発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を施す露光装置に隣接するように配置される。基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、受け渡し部により処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。

処理部においては、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜が形成され、保護膜形成ユニットにより感光性膜を保護する保護膜が形成される。

保護膜が形成される際には、判定手段により保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合には、基板は、受け渡し部により露光装置に搬送される。一方、判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合には、基板は、露光装置に搬送されず、受け渡し部において待機する。

それにより、露光装置においては、保護膜が正常に形成された基板のみに対して液浸法による露光処理が行われる。そのため、露光処理時に基板上に供給される液体が基板の外方に流出することが防止される。したがって、露光装置の電気系統等の損傷が防止されるとともに、液体で覆われていない基板の部分に露光処理が行われることが防止される。その結果、露光装置の動作不良および基板の露光不良が防止される。

また、基板の外方に流出した液体が雰囲気中のパーティクル等を含んで汚染物となることが防止され、基板Ｗの処理不良が防止される。

露光処理後の基板および受け渡し部で待機後の基板は第１の搬送手段により現像処理ユニットに搬送される。現像処理ユニットにより露光処理後の基板に現像処理が行われる。この場合、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合における受け渡し部および露光装置での基板の滞在時間と判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合における受け渡し部での基板の滞在時間とが等しく設定される。それにより、連続的に処理される複数の基板に保護膜が正常に形成された基板と正常に形成されていない基板とが含まれる場合においても、露光処理の前後で、複数の基板の処理間隔が乱れることが防止される。それにより、スループットを維持しつつ、保護膜が正常に形成された基板のみを露光装置に搬送することができる。

（２）受け渡し部は、基板を一時的に格納する基板格納部と、処理部、基板格納部および露光装置の間で基板を搬送する搬送手段とを含み、搬送手段は、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に基板を露光装置に搬送し、判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に基板を基板格納部に格納してもよい。

この場合、保護膜が正常に形成された基板は、搬送手段により処理部から露光装置に搬送され、保護膜が正常に形成されていない基板は、搬送手段により受け渡し部の基板格納部に格納される。

それにより、保護膜が正常に形成された基板を露光装置に搬送し、保護膜が正常に形成されていない基板を受け渡し部に容易に待機させることできる。

（３）受け渡し部は、露光装置による露光処理後に基板を乾燥する乾燥ユニットをさらに含み、搬送手段は、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に露光装置による露光処理後の基板を乾燥ユニットに搬送し、乾燥ユニットによる乾燥後の基板を処理部に搬送し、判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に基板格納部による格納後の基板を処理部に搬送してもよい。

この場合、保護膜が正常に形成された基板は、露光処理後に乾燥ユニットより乾燥され、その後、処理部へと搬送される。それにより、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。また、基板が乾燥されることにより、露光処理時に基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。それにより、基板の処理不良を防止することができる。

一方、保護膜が正常に形成されていない基板は、基板格納部による格納後、露光装置における露光処理および乾燥ユニットによる乾燥が行われずに、処理部に搬送される。この場合、基板に液体が付着することがないので、基板を乾燥する必要がない。そのため、不良の基板に対する無駄な処理を省略することにより、処理コストを低減することができる。

（４）受け渡し部は、露光装置による露光処理前に基板を洗浄する洗浄ユニットをさらに含み、搬送手段は、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に露光装置による露光処理前に基板を洗浄ユニットに搬送し、洗浄ユニットによる洗浄後の基板を露光装置に搬送し、露光装置による露光処理後の基板を処理部に搬送し、判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に基板格納部による格納後の基板を処理部に搬送してもよい。

この場合、保護膜が正常に形成された基板は、露光処理前に洗浄ユニットにより洗浄される。それにより、露光処理前の処理工程において基板の表面に付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができる。

一方、保護膜が正常に形成されていない基板は、基板格納部による収納後に、洗浄ユニットによる洗浄および露光装置における露光処理が行われずに、処理部に搬送される。それにより、不良の基板に対する無駄な処理が省略されるので、処理コストが低減される。

（５）保護膜形成ユニットは、保護膜の塗布液を吐出するノズルを有し、判定手段は、ノズルから吐出される塗布液の吐出状態を検出するノズル検出器と、ノズル検出器により検出された吐出状態に基づいて保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する吐出状態判定部とを含んでもよい。

この場合、保護膜形成ユニットにおいて、ノズルから吐出される塗布液の吐出状態がノズル検出器により検出される。ノズル検出器により検出された吐出状態に基づいて吐出状態判定部により保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。

このように、簡単な構成で、保護膜の形成が正常であるか否かを判定することができる。

（６）判定手段は、保護膜形成ユニットにおいて保護膜が形成される基板を撮像する撮像装置と、撮像装置により得られる画像に基づいて保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する画像判定部とを含んでもよい。

この場合、保護膜形成ユニットにおいて、撮像装置により保護膜が形成される基板が撮像される。撮像装置により得られる画像に基づいて画像判定部により保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。

このような構成により、保護膜の形成が正常であるか否かを正確に判定することができる。

（７）判定手段は、保護膜形成ユニットにおいて基板に形成された保護膜の厚みを測定する膜厚測定器と、膜厚測定器により測定された保護膜の厚みに基づいて保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する膜厚判定部とを含んでもよい。

この場合、保護膜形成ユニットにおいて、膜厚測定器により基板に形成された保護膜の厚みが測定される。膜厚測定器により測定された厚みに基づいて膜厚判定部により保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。

このような簡単な構成により、保護膜の形成が正常であるか否かを正確に判定することができる。

（８）処理部は、保護膜の塗布液を保護膜形成ユニットに供給するポンプをさらに備え、判定手段は、ポンプの供給圧力を測定するポンプ圧測定器と、ポンプ圧測定器により測定されたポンプの供給圧力に基づいて保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定するポンプ圧判定部とを含んでもよい。

ポンプの供給圧力が適切でない場合には、保護膜形成ユニットにおいて、感光性膜上に保護膜が均一に形成されない。

そこで、ポンプから保護膜形成ユニットに保護膜の塗布液が供給される際のポンプの供給圧力がポンプ圧測定器により測定される。ポンプ圧測定器により測定された供給圧力に基づいてポンプ圧判定部により保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。

それにより、簡単な構成で、保護膜の形成が正常であるか否かを判定することができる。

（９）処理部は、ポンプを駆動するモータをさらに有し、判定手段は、モータの脱調の有無を検出する脱調検出器と、脱調検出器により検出されたモータの脱調の有無に基づいて保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する脱調判定部とを含んでもよい。

ポンプを駆動するモータが脱調すると、保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が均一に形成されない。

そこで、ポンプを駆動するモータの脱調の有無が脱調検出器により検出される。脱調検出器により検出されたモータの脱調の有無に基づいて脱調判定部により保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。

それにより、簡単な構成で、保護膜の形成が正常であるか否かを判定することができる。

（１０）処理部は、保護膜の塗布液を保護膜形成ユニットに導く供給管をさらに備え、判定手段は、供給管を通して保護膜形成ユニットに供給される塗布液の流量を測定する流量測定器と、流量測定器により測定された流量に基づいて保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する流量判定部とを含んでもよい。

供給管を通して保護膜形成ユニットに供給される塗布液の流量が適切でない場合、保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が均一に形成されない。

そこで、供給管を通して保護膜形成ユニットに供給される塗布液の流量が流量測定器により測定される。流量測定器により検出された流量に基づいて脱調判定部により保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かが判定される。

それにより、簡単な構成で、保護膜の形成が正常であるか否かを判定することができる。

本発明によれば、露光装置において、保護膜が正常に形成された基板のみに対して液浸法による露光処理が行われる。したがって、露光処理時に基板上に供給される液体が基板の外方に流出することが防止される。その結果、露光装置の動作不良および基板の処理不良が防止される。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（Ａ）第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４、図１５および図１６には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。

反射防止膜用処理ブロック１０の下部には、配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器および反射防止膜の塗布液を貯留する貯留タンク等の流体関連機器を収納する収納部１０Ａが設けられている。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１の下部には、配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器およびレジスト膜の塗布液を貯留する貯留タンク等の流体関連機器を収納する収納部１１Ａが設けられている。

現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。

現像処理ブロック１２の下部には、配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器および現像液を貯留する貯留タンク等の流体関連機器を収納する収納部１２Ａが設けられている。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜用処理ブロック１３の下部には、配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器およびレジストカバー膜の塗布液を貯留する貯留タンク等の流体関連機器を収納する収納部１３Ａが設けられている。

なお、各塗布ユニットＣＯＶおよび収納部１３Ａには、各構成要素の動作を検出する複数のカメラまたはセンサ（後述の図５参照）が設けられている。詳細は後述する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

また、レジストカバー膜除去ブロック１４の下部には、配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器および剥離液を貯留する貯留タンク等の流体関連機器を収納する収納部１４Ａが設けられている。

第１のインターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３０，１３１のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。

図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。

エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。

また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。

（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。

なお、後述するように、レジストカバー膜用処理ブロック１３においては、複数のカメラおよびセンサにより各構成要素の動作が検出される。さらに、その検出結果に基づいて、レジストカバー膜用塗布処理部８０のスレーブコントローラ（制御部）４００（後述の図５参照）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が正常に形成されているか否かの判定が行われる。以下、スレーブコントローラ４００による上記の判定処理をレジストカバー膜判定処理と呼ぶ。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、レジストカバー膜判定処理によりレジストカバー膜が正常に形成されていると判定された基板Ｗと、正常に形成されていないと判定された基板Ｗとに対して、レジストカバー膜の塗布処理後の工程でそれぞれ異なる処理が施される。以下、レジストカバー膜判定処理によりレジストカバー膜が正常に形成されていると判定された基板Ｗを正常基板と呼び、レジストカバー膜が正常に形成されていないと判定された基板Ｗを不良基板と呼ぶ。

まず、正常基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４〜インデクサブロック９の動作を説明する。不良基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４〜インデクサブロック９の動作は、後述する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。

露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

次に、不良基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４〜インデクサブロック９の動作を説明する。ここでは、正常基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４〜インデクサブロック９の動作と異なる点を説明する。

インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、正常基板に対しては、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１において露光後ベークが行われる。一方、不良基板に対しては、露光後ベークが行われず、不良基板は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１において所定の時間待機する。待機時間は、露光後ベークのための所要時間と等しくなるように設定される。その後、不良基板は、第６のセンターロボットＣＲ６により露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１から取り出される。

また、レジストカバー膜除去用処理部９０において、不良基板に対しては、レジストカバー膜の除去処理が行われず、不良基板は、レジストカバー膜除去用処理部９０において所定の時間待機する。待機時間は、レジストカバー膜の除去処理の所要時間と等しくなるように設定される。

また、現像処理部７０において、不良基板に対しては、現像処理が行われなわれず、不良基板は、現像処理部７０において所定の時間待機する。待機時間は、現像処理に要する時間と等しくなるように設定される。

また、基板処理装置５００において各処理が終了した後、インデクサブロック９に不良基板が戻される際には、オペレータに対する警告処理が行われる。警告処理は、例えば警告ブザーまたは警告ランプ等により行われる。この場合、オペレータは、基板処理装置５００内において不良基板が発生したことを認識し、不良基板を回収する等の処置をとる。

なお、インデクサブロック９に基板Ｗが戻された際に、レジストカバー膜判定処理の結果に基づいて、正常基板と不良基板とが予め定められたキャリア載置台４０に自動的に振り分けられることにより、不良基板の回収を可能としてもよい。

（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。

インターフェースブロック１５においては、正常基板と不良基板とでそれぞれ異なる処理が施される。

まず、正常基板に対するインターフェースブロック１５の動作について説明する。

インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

次に、不良基板に対するインターフェースブロック１５の動作について説明する。ここでは、正常基板に対するインターフェースブロック１５の動作と異なる点を説明する。

レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１から第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られた基板Ｗは、エッジ露光部ＥＥＷに搬入されずに、送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に搬入される。送りバッファ部ＳＢＦにおいて、基板Ｗは所定時間待機する。

所定時間経過後、第６のセンターロボットＣＲ６により基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦから取り出される。その後、第６のセンターロボットＣＲ６はその基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

このように、インターフェースブロック１５に搬入された不良基板は、送りバッファ部ＳＢＦで待機し、そのまま、インターフェースブロック１５から搬出される。すなわち、不良基板に対しては、エッジ露光部ＥＥＷにおけるエッジ露光処理、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄／乾燥処理、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰにおける温調処理、露光装置１６における露光処理、および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２における洗浄／乾燥処理が行われない。

送りバッファ部ＳＢＦにおける不良基板の待機時間は、インターフェースブロック１５および露光装置１６における正常基板の処理時間と等しくなるように設定される。すなわち、インターフェ−スブロック１５における不良基板の滞在時間とインターフェ−スブロック１５および露光装置１６における正常基板の滞在時間とが等しくなるように設定される。

（３）レジストカバー膜判定処理
次に、レジストカバー膜用処理ブロック１３におけるレジストカバー膜判定処理の詳細について説明する。

（３−１）構成
まず、塗布ユニットＣＯＶおよびその周辺部分の構成について説明する。

図５は、塗布ユニットＣＯＶおよびその周辺部分の構成を説明するための図である。図５に示すように、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック８１を備える。

スピンチャック８１は、チャック回転駆動機構４３６によって回転される回転軸４２５の上端に固定されている。また、スピンチャック８１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック８１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面をスピンチャック８１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。なお、吸着式スピンチャック８１の代わりに、基板Ｗの端面を保持するメカ式スピンチャックを用いてもよい。

スピンチャック８１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように飛散防止カップ４４０が設けられている。飛散防止カップ４４０の上面側には開口部４４１が設けられ、飛散防止カップ４４０の下部には排液口４４２および複数の排気口４４３が設けられている。排気口４４３は工場内の排気設備に接続される。飛散防止カップ４４０の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面４４０ａが形成されている。

飛散防止カップ４４０は、図示しない昇降駆動機構により上下方向に移動する。第４のセンターロボットＣＲ４（図１）がスピンチャック８１上に基板Ｗを載置する際、またはスピンチャック８１上の基板Ｗを取り出す際には、飛散防止カップ４４０の上端部の高さがスピンチャック８１上の基板Ｗの高さよりも低くなるように飛散防止カップ４４０が移動する。スピンチャック８１上の基板Ｗに塗布液が供給される際には、飛散防止カップ４４０は、傾斜面４４０ａが基板Ｗの外周端面に対向する位置（以下、基板処理位置と呼ぶ）に移動する。

また、スピンチャック８１上の基板Ｗの下方には、基板Ｗの裏面を洗浄するためのリンス液を吐出するバックリンスノズル４４５が設けられている。リンス液としては、例えば純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）または洗浄用の溶剤等が用いられる。

スピンチャック８１の上方には、基板Ｗ上にレジストカバー膜の塗布液を吐出する供給ノズル８２が上下動可能かつ基板Ｗの上方位置と基板Ｗの外方の待機位置との間で移動可能に設けられている。

供給ノズル８２の先端部には、液吐出センサ４４４が取り付けられている。液吐出センサ４４４は、赤外波長領域の光を照射する投光部４４４ａ、および赤外線波長領域において高い受光感度を有する受光素子を内蔵した受光器４４４ｂを備える。投光部４４４ａおよび受光部４４４ｂは、供給ノズル８２の先端部の僅かに鉛直下方の領域を挟んで互いに対向するように配置されている。

供給ノズル８２から塗布液が正常に吐出されている期間、すなわち、供給ノズル８２から鉛直下方に向けて塗布液が吐出されている期間には、投光部４４４ａからの光が塗布液により遮られる。そのため、受光部４４４ｂは投光部４４４ａからの光を受光しない。

一方、塗布液の吐出を停止している期間、または供給ノズル８２の詰まり等に起因して塗布液が正常に吐出されていない期間には、投光部４４４ａからの光が塗布液により遮られない。そのため、受光部４４４ｂは投光部４４４ａからの光を受光する。液吐出センサ４４４は、スレーブコントローラ４００に吐出信号ＤＩを与える。

受光部４４４ｂが投光部４４４ａからの光を受光している場合は、液吐出センサ４４４からスレーブコントローラ４００に与えられる吐出信号ＤＩが非検出状態（例えば、ハイレベル）となる。受光部４４４ｂが投光部４４４ａからの光を受光していない場合は、液吐出センサ４４４からスレーブコントローラ４００に与えられる吐出信号ＤＩが検出状態（例えば、ローレベル）となる。

供給ノズル８２には、塗布液供給管４４５が接続されている。塗布液供給管４４５は、流量計４５１、サックバックバルブ４４６、フィルタＦ、供給ポンプ４４７および逆止弁４４８を介してレジストカバー膜の塗布液が貯留される貯留タンク４４９へ延びている。流量計４５１、サックバックバルブ４４６、フィルタＦ、供給ポンプ４４７、逆止弁４４８および貯留タンク４４９は図２に示す収納部１３Ａに収納されている。

流量計４５１は、塗布液供給管４４５を通して供給ノズル８２に供給される塗布液の流量を測定し、その測定結果を流量信号ＦＩとしてスレーブコントローラ４００に与える。

サックバックバルブ４４６は、基板処理装置５００の外部に設けられる加圧空気源に接続されている。加圧空気源からサックバックバルブ４４６に加圧空気が供給されることにより、供給ノズル８２の先端部に残留する塗布液が僅かに上流側へ引き戻される。それにより、基板Ｗの処理時以外に供給ノズル８２から塗布液が落下することが防止される。

フィルタＦは、塗布液に混入した不純物を除去する。それにより、清浄な塗布液が基板Ｗに供給される。

供給ポンプ４４７は、モータ４４７ａを備える。モータ４４７ａが駆動されることにより、貯留タンク４４９内の塗布液が塗布液供給管４４５を通して供給ノズル８２に供給される。モータ４４７ａには、脱調センサ４４７ｂが取り付けられている。脱調センサ４４７ｂは、モータ４４７ａの脱調を検出し、スレーブコントローラ４００に脱調信号ＳＯを与える。

また、供給ポンプ４４７と塗布液供給管４４５との接続部分には、圧力計４４７ｃが取り付けられている。圧力計４４７ｃは、供給ポンプ４４７の供給圧力（以下、ポンプ圧と呼ぶ）を測定し、その測定結果を圧力信号ＰＩとしてスレーブコントローラ４００に与える。

逆止弁４４８は、塗布液が供給ポンプ４４７から貯留タンク４４９へ逆流することを防止する。

また、スピンチャック８１の上方には、ＣＣＤカメラ４５０がスピンチャック８１上の基板Ｗの中心部を撮影するように設置されている。なお、図５においては、ＣＣＤカメラ４５０と基板Ｗとの間に、供給ノズル８２の一部および液吐出センサ４４４の一部が位置するが、実際には、ＣＣＤカメラ４５０は、供給ノズル８２および液吐出センサ４４４が障害とならずに基板Ｗの中心部を撮影することができるように配置されている。

供給ノズル８２から基板Ｗに塗布液が吐出される際には、基板Ｗ上における塗布液の塗布状況がＣＣＤカメラ４５０により静止画像として連続的に撮影される。

ＣＣＤカメラ４５０により撮影された静止画像の画像データＩＤは、スレーブコントローラ４００に与えられる。

また、スピンチャック８１上の基板Ｗの中心部上方と基板Ｗの周縁部上方との間で直線移動可能に膜厚センサ４６０が設けられている。膜厚センサ４６０は、基板Ｗの中心部上方と周縁部上方との間で移動しつつ、基板Ｗ上の膜厚を連続的に測定し、その測定結果を膜厚信号ＣＴとしてスレーブコントローラ４００に与える。

なお、図５においては、１つの塗布ユニットＣＯＶおよび１つの供給系について説明したが、実際には、図２に示すように、レジストカバー膜用処理ブロック１３には３つの塗布ユニットＣＯＶが設けられており、収納部１３Ａには、この３つの塗布ユニットＣＯＶに対応する３つの供給系が設けられている。これらの塗布ユニットＣＯＶおよび供給系のそれぞれに図５に示す複数のセンサおよびカメラが設けられている。

（３−２）動作およびレジストカバー膜判定処理
次に、上記の図５を参照して、塗布ユニットＣＯＶの動作について説明する。

まず、第４のセンターロボットＣＲ４（図１）によりスピンチャック８１上に基板Ｗが載置され、その基板Ｗがスピンチャック８１により保持される。その後、供給ノズル８２が基板Ｗの中心部の直上に移動するとともに、飛散防止カップ４４０が、上述の基板処理位置に移動する。

続いて、チャック回転駆動機構４３６により回転軸４２５が回転し、それに伴ってスピンチャック８１に保持された基板Ｗが回転する。

次に、供給ノズル８２から基板Ｗの中心部に向けて塗布液が吐出される。基板Ｗ上に吐出された塗布液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により、基板Ｗの中心部から周縁部へと広がる。

所定時間経過後、塗布液の吐出が停止される。続いて、バックリンスノズル４４５から基板Ｗの裏面に向けてリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの裏面に付着した塗布液が洗い流される。

次いで、リンス液の吐出が停止されるとともに、回転軸４２５の回転数が上昇し、基板Ｗの裏面に付着したリンス液が振り切られる。それにより、基板Ｗが乾燥される。

その後、回転軸４２５の回転が停止され、基板Ｗの回転が停止する。そして、第４のセンターロボットＣＲ４（図１）により基板Ｗが塗布ユニットＣＯＶから搬出される。これにより、塗布ユニットＣＯＶにおける一連の動作が終了する。

本実施の形態では、上記の動作に並行して、スレーブコントローラ４００により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が正常に形成されているか否かの判定処理（レジストカバー膜判定処理）が行われる。

ここで、レジストカバー膜の形成状態の正否について説明する。図６（ａ）および図６（ｂ）には、レジストカバー膜が正常に形成されている場合の基板Ｗの上面図および側面図が示される。図６（ｃ）および図６（ｄ）には、レジストカバー膜が正常に形成されていない場合の基板Ｗの上面図および側面図が示される。なお、図６においては、基板Ｗおよびレジストカバー膜ＲＣＶのみが示されるが、実際には、基板Ｗとレジストカバー膜ＲＣＶとの間に、上記の反射防止膜およびレジスト膜が形成されている。

図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、基板Ｗの一面に均一な厚みで一様にレジストカバー膜ＲＣＶが形成されている場合には、レジストカバー膜ＲＣＶが正常に形成されているといえる。

一方、図６（ｃ）および図６（ｄ）に示すように、レジストカバー膜ＲＣＶの表面が不均一な状態であったり、基板Ｗの周縁部の一部にレジストカバー膜ＲＣＶが形成されていない場合には、レジストカバー膜ＲＣＶが正常に形成されているとはいえない。このような状態で、基板Ｗが露光装置１６に搬送されると、液浸法による露光処理の際に、基板Ｗ上に供給される液体が基板Ｗの外方に流出する場合がある。

この場合、流出した液体により露光装置１６の電気系統等が損傷を受けて露光装置１６の動作不良が発生したり、また、液体で覆われていない基板Ｗの部分に露光処理が施されて基板Ｗの露光不良が発生するおそれがある。

また、基板Ｗの外方に流出した液体が雰囲気中のパーティクル等を含むことによって汚染物となり、基板Ｗの処理不良を招くおそれがある。

そこで、本実施の形態では、レジストカバー膜判定処理により不良基板であると判定された基板Ｗは、上記のように、インターフェースブロック１５から露光装置１６に搬送されない。それにより、露光装置１６の動作不良および基板Ｗの処理不良が防止される。

次に、スレーブコントローラ４００によるレジストカバー膜判定処理の詳細について説明する。

図７は、スレーブコントローラ４００によるレジストカバー膜判定処理の一例を示すフローチャートである。図７に示すように、まず、供給ノズル８２から基板Ｗに塗布液が吐出されている期間、スレーブコントローラ４００は、脱調センサ４４７ｂから与えられる脱調信号ＳＯに基づいて、供給ポンプ４４７のモータ４４７ａの脱調が発生していないか否かを判定する（ステップＳ１）。

供給ポンプ４４７のモータ４４７ａの脱調が発生している場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ７）。供給ポンプ４４７のモータ４４７ａの脱調が発生していない場合、スレーブコントローラ４００は続いてステップＳ２の判定を行う。

ステップＳ２においては、スレーブコントローラ４００は、圧力計４４７ｃから与えられる圧力信号ＰＩに基づいて、供給ポンプ４４７のポンプ圧が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ２）。

供給ポンプ４４７のポンプ圧が予め設定された規定値の範囲内にない場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ７）。供給ポンプ４４７のポンプ圧が予め設定された規定値の範囲内にある場合、スレーブコントローラ４００は、続いてステップＳ３の判定を行う。

ステップＳ３においては、スレーブコントローラ４００は、流量計４５１から与えられる流量信号ＦＩに基づいて、塗布液供給管４４５を通して供給ノズル８２に供給される塗布液の流量が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ３）。

塗布液の流量が予め設定された規定値の範囲内にない場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ７）。塗布液の流量が予め設定された規定値の範囲内にある場合、スレーブコントローラ４００は、続いてステップＳ４の判定を行う。

ステップＳ４においては、スレーブコントローラ４００は、ＣＣＤカメラ４５０から与えられる画像データＩＤに基づいて、基板Ｗ上における塗布液の塗布状況が正常か否かを判定する（ステップＳ４）。具体的には、例えば正常な塗布状況の画像データを予めスレーブコントローラ４００に記憶させておき、その画像データと、ＣＣＤカメラ４５０から与えられる画像データＩＤとの近似率を算出する。算出された近似率がしきい値以上であればスレーブコントローラ４００は塗布液の塗布状況が正常であると判定し、近似率がしきい値よりも低ければスレーブコントローラ４００は塗布状況が正常でないと判定する。

なお、正常な塗布状況とは、塗布液が基板Ｗの中心部から周縁部に向かって一様に広がる場合をいう。すなわち、塗布液が基板Ｗの中心部からずれた位置に吐出されている場合、または基板Ｗ上で塗布液が偏った方向に広がる場合等には、ＣＣＤカメラ４５０から与えられる画像データＩＤと予めスレーブコントローラ４００に記憶される画像データとの近似率が低くなる。したがって、その場合は塗布状況が正常でないと判定される。

ステップＳ４において、基板Ｗ上における塗布液の塗布状況が正常でない場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ７）。基板Ｗ上における塗布液の塗布状況が正常である場合、スレーブコントローラ４００は、続いてステップＳ５の判定を行う。

ステップＳ５においては、スレーブコントローラ４００は、液吐出センサ４４４から与えられる吐出信号ＤＩの状態に基づいて、供給ノズル８２から塗布液が正常に吐出されているか否かを判定する（ステップＳ５）。

塗布液が正常に吐出されていない場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ７）。塗布液が正常に吐出されている場合、スレーブコントローラ４００は、続いてステップＳ６の判定を行う。

ステップＳ６においては、基板Ｗの乾燥が行われた後であって、基板Ｗの回転が停止される前に、膜厚センサ４６０により基板Ｗ上の膜厚が測定される。ここで、スレーブコントローラ４００は、膜厚センサ４６０から与えられる膜厚信号ＣＴに基づいて、基板Ｗ上の膜厚が予め設定された規定値の範囲内にあるかを判定する（ステップＳ６）。

基板Ｗ上の膜厚が予め設定された規定値の範囲内にない場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板を不良基板と判定する（ステップＳ７）。基板Ｗ上の膜厚が予め設定された規定値の範囲内にある場合、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板Ｗが正常基板であると判定する（ステップＳ８）。

このようにして、スレーブコントローラ４００は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗに対して、レジストカバー膜が正常に形成されているかまたは正常に形成されていないかの判定を行う。

スレーブコントローラ４００によるレジストカバー膜判定処理の結果は、メインコントローラ３０に与えられる。メインコントローラ３０は、スレーブコントローラ４００から与えられる判定結果に基づいて、基板処理装置５００の各構成要素を制御し、上述のように、正常基板と不良基板とでそれぞれ異なる処理を施す。

なお、本実施の形態では、ステップＳ１からステップＳ６までの判定の条件のうち、少なくとも１つの条件が満たされていなければ、処理中の基板Ｗが不良基板であると判定するが、他の方法により処理中の基板Ｗの判定を行ってもよい。

例えば、ステップＳ１からステップＳ６までの判定の条件のうち、規定の個数以上の条件が満たされていない場合に、処理中の基板Ｗが不良基板であると判定してもよい。

また、ステップＳ１からステップＳ６のそれぞれの判定に対して判定の重要度に応じたレベルを予め設定し、条件が満たされない判定のレベルの加算値に基づいて、処理中の基板Ｗが正常基板であるか不良基板であるかの判定を行ってもよい。例えば、ステップＳ１〜ステップＳ３の判定にレベル２を設定し、ステップＳ４〜ステップＳ６の判定にレベル１を設定する。また、しきい値を４とする。ステップＳ１〜ステップＳ６の判定の結果、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ５の条件が満たされない場合には、条件が満たされない判定のレベルの加算値が５となる。この場合、スレーブコントローラ４００は、処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する。

また、ステップＳ１からステップＳ６までの判定に加えてまたはステップＳ１からステップＳ６までの判定に代えて、例えば、塗布液の濃度が規定値の範囲内にあるか否か、または基板Ｗの偏心があるか否か等の判定を行ってもよい。この場合、塗布液の濃度を検出する濃度センサおよび基板Ｗの偏心を検出する偏心センサが設けられる。また、これらの判定のうち少なくとも１つを選択して、処理中の基板Ｗが正常基板であるか不良基板であるかの判定を行ってもよい。

また、本実施の形態では、塗布ユニットＣＯＶにおいて、基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗへの塗布液の供給を開始し、基板Ｗを回転させたままの状態で基板Ｗへの塗布液の供給を終了するが、基板Ｗを回転させることなく基板Ｗへの塗布液の供給を完了してもよく、または基板Ｗを停止した状態で基板Ｗへの塗布液の供給を開始し、基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗへの塗布液の供給を終了してもよい。

（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。上記のように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、正常基板に対してのみ、処理が施される。なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。

（４−１）構成
図８は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図８に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。

このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図８の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに、第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図８に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（４−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。

なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図９（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図９（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図８参照）の回転数が上昇するとともに、図９（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（５）本実施の形態における効果
（５−１）レジストカバー膜判定処理による効果
本実施の形態では、レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される際に、スレーブコントローラ４００によりレジストカバー膜が正常に形成されているか否かを判定するレジストカバー膜判定処理が行われる。このレジストカバー膜判定処理の結果に基づいて、レジストカバー膜が正常に形成されていない不良基板は、露光装置１６へ搬送されない。すなわち、露光装置１６には、レジストカバー膜が正常に形成された正常基板のみが搬送される。

それにより、露光装置１６においては、レジストカバー膜が所定の厚みで均一に形成された基板Ｗのみに対して液浸法による露光処理が行われるため、基板Ｗ上に供給される液体が、基板Ｗ上ではじかれたり、基板の外方に流出することが防止される。

したがって、露光装置１６の電気系統等の損傷が防止されるとともに、液体で覆われていない基板Ｗの部分に露光処理が行われることが防止される。その結果、露光装置１６の動作不良および基板Ｗの露光不良が防止される。

また、基板Ｗの外方に流出した液体が雰囲気中のパーティクル等を含んで汚染物となることが防止され、基板Ｗの処理不良が防止される。

また、本実施の形態では、インターフェースブロック１５における不良基板の滞在時間は、インターフェースブロック１５および露光装置１６における正常基板の滞在時間と等しくなるように設定される。

それにより、連続的に処理される複数の基板Ｗに正常基板と不良基板とが含まれる場合においても、インターフェースブロック１５における処理の前後で、複数の基板Ｗの処理間隔が乱れることが防止される。それにより、スループットを維持しつつ、正常基板のみを露光装置１６に搬送することができる。

また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および現像処理部７０において、不良基板の待機時間が各処理の所要時間と等しくなるように設定される。それにより、正常基板と不良基板とが混在する複数の基板Ｗを連続的に処理する場合においても、スループットを維持しつつ、正常基板と不良基板とで異なる処理を行うことができる。

（５−２）正常基板に対する各処理の効果
以下、正常基板に対する各処理の効果について説明する。

（５−２―ａ）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（５−２−ｂ）露光処理後の基板の洗浄処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

（５−２−ｃ）レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

（５−２−ｄ）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

（５−２−ｅ）露光処理前の基板の洗浄および乾燥処理による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（５−２−ｆ）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板の搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。

また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。

また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。

（５−２−ｇ）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。

すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（５−２−ｈ）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。

上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。

特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。

（６）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図８に示した洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図１０に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、図８に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１１に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図１１の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。

各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１１の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図１２は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図９（ａ）で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１２（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。

その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図８参照）の回転数が上昇するとともに、図１２（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図８の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１３に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１３の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。

この吐出口８７０ａからは、図１３の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１２の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図８に示す洗浄／乾燥処理ユニットの代わりに、図１４に示すような洗浄／乾燥処理ユニットを用いてもよい。

図１４に示す洗浄／乾燥処理ユニットが図８に示す洗浄／乾燥処理ユニットと異なるのは以下の点である。

図１４の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１４の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１５に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

（７）２流体ノズルを用いた洗浄／乾燥処理ユニットの例
（７−１）２流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２おいて、図８に示すような洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０を用いた場合について説明したが、洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０の一方または両方の代わりに図１６に示すような２流体ノズルを用いてもよい。

図１６は、洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズル９５０の内部構造の一例を示す縦断面図である。２流体ノズル９５０からは、気体、液体、および気体と液体との混合流体を選択的に吐出することができる。

本実施の形態の２流体ノズル９５０は外部混合型と呼ばれる。図１６に示す外部混合型の２流体ノズル９５０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部３１１の中心軸に沿って円筒状の液体導入部３１１ｂが形成されている。液体導入部３１１ｂには図８の洗浄処理用供給管６６３が取り付けられる。これにより、洗浄処理用供給管６６３から供給される洗浄液またはリンス液が液体導入部３１１ｂに導入される。

内部本体部３１１の下端には、液体導入部３１１ｂに連通する液体吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図８の乾燥処理用供給管６７４が取り付けられている。これにより、乾燥処理用供給管６７４から供給される不活性ガスが気体通過部３１２ｂに導入される。

気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、不活性ガスの流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。

液体吐出口３１１ａから吐出された洗浄液と気体吐出口３１２ａから吐出された不活性ガスとが２流体ノズル９５０の下端付近の外部で混合され、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

図１７は、図１６の２流体ノズル９５０を用いた場合の基板Ｗの洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図８で示したように、基板Ｗはスピンチャック６２１により吸着保持され、回転軸６２５の回転に伴い回転する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約５００ｒｐｍである。

この状態で、図１７（ａ）に示すように、２流体ノズル９５０から洗浄液および不活性ガスからなる霧状の混合流体が基板Ｗの上面に吐出されるとともに、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、２流体ノズル９５０から混合流体が基板Ｗの表面全体に吹き付けられ、基板Ｗの洗浄が行われる。

次いで、図１７（ｂ）に示すように、混合流体の供給が停止され、回転軸６２５の回転速度が低下するとともに、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０からリンス液が吐出される。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１０ｒｐｍである。これにより、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。また、基板Ｗを洗浄する混合流体中の洗浄液として純水を用いる場合には、リンス液の供給を行わなくてもよい。

液層Ｌが形成された後、リンス液の供給が停止される。次に、図１７（ｃ）に示すように、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０から不活性ガスが吐出される。これにより、基板Ｗの中心部の洗浄液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

その後、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１００ｒｐｍである。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するので、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除くことができる。その結果、基板Ｗが乾燥される。

なお、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除く際には、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動してもよい。これにより、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

（７−２）２流体ノズルを用いた場合の効果
図１６の２流体ノズルにおいては、２流体ノズル９５０から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板Ｗ表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板Ｗ上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗ表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。

したがって、特に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に２流体ノズルを用いた場合には、露光処理前に加熱ユニットＨＰによって基板Ｗに熱処理が施される際に、レジスト膜またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに再付着した場合でも、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、不活性ガスの流量を調節することにより、基板Ｗを洗浄する際の洗浄力を容易に調節することができる。これにより、基板Ｗ上の有機膜（レジスト膜またはレジストカバー膜）が破損しやすい性質を有する場合には洗浄力を弱くすることで基板Ｗ上の有機膜の破損を防止することができる。また、基板Ｗ表面の汚れが強固な場合には洗浄力を強くすることで基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。このように、基板Ｗ上の有機膜の性質および汚れの程度に合わせて洗浄力を調節することにより、基板Ｗ上の有機膜の破損を防止しつつ、基板Ｗを確実に洗浄することができる。

また、外部混合型の２流体ノズル９５０では、混合流体は２流体ノズル９５０の外部において洗浄液と不活性ガスとが混合されることにより生成される。２流体ノズル９５０の内部においては不活性ガスと洗浄液とがそれぞれ別の流路に区分されて流通する。それにより、気体通過部３１２ｂ内に洗浄液が残留することはなく、不活性ガスを単独で２流体ノズル９５０から吐出することができる。さらに、洗浄処理用供給管６６３からリンス液を供給することにより、リンス液を２流体ノズル９５０から単独で吐出することができる。したがって、混合流体、不活性ガスおよびリンス液を２流体ノズル９５０から選択的に吐出することが可能となる。

また、２流体ノズル９５０を用いた場合においては、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給するためのノズルと、基板Ｗに不活性ガスを供給するためのノズルとをそれぞれ別個に設ける必要がない。それにより、簡単な構造で基板Ｗの洗浄および乾燥を確実に行うことができる。

なお、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗにリンス液を供給してもよい。

また、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗに不活性ガスを供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗに不活性ガスを供給してもよい。

（Ｂ）他の実施の形態
上記実施の形態では、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および現像処理部７０において、不良基板に対しては、それぞれの処理が行われないが、必要に応じて、不良基板に対しても正常基板と同様の処理を施してもよい。

上記実施の形態では、塗布ユニットＣＯＶにおいて基板Ｗ上のレジストカバー膜の形成状態が検出されるが、他のユニットまたは複数のユニットにおいて基板Ｗ上のレジストカバー膜の形成状態が検出されてもよい。

例えば、インターフェースブロック１５のエッジ露光部ＥＥＷにおいて、膜厚センサにより基板Ｗ上の膜厚測定を行ってもよい。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１６においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４を設けなくてよい。それにより、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。なお、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設けない場合には、基板Ｗの露光後ベークは、現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１で行われる。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。

（Ｃ）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部に相当し、インターフェースブロック１５が受け渡し部に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、スレーブコントローラ４００、液吐出センサ４４４、流量計４５１、脱調センサ４４７ｂ、圧力計４４７ｃ、ＣＣＤカメラ４５０および膜厚センサ４６０が判定手段に相当する。

また、現像処理ユニットＤＥＶが現像処理ユニットに相当し、第３のセンターロボットＣＲ３が第１の搬送手段に相当し、送りバッファ部ＳＢＦが基板格納部に相当し、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが第２の搬送手段に相当し、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄ユニットに相当し、第２の洗浄／乾燥処理ユニットが乾燥処理ユニットに相当し、供給ノズル８２がノズルに相当し、液吐出センサ４４４がノズル検出器に相当し、ＣＣＤカメラ４５０が撮像装置に相当し、膜圧センサ４６０が膜厚測定器に相当し、供給ポンプ４４７がポンプに相当し、圧力計４４７ｃがポンプ圧測定器に相当し、脱調センサ４４７が脱腸検出器に相当し、塗布液供給管４４５が供給管に相当し、流量計４５１が流量測定器に相当し、スレーブコントローラ４００が吐出状態判定部、画像判定部、膜厚判定部、ポンプ圧判定部、脱調判定部および流量判定部に相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 塗布ユニットおよびその周辺部分の構成を説明するための図である。 レジストカバー膜の形成状態の正否について説明するための図である。 スレーブによるレジストカバー膜判定処理の一例を示すフローチャートである。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図１１の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１４の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。 図１６の２流体ノズルを用いた場合の基板の洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
８２ 供給ノズル
９０ レジストカバー膜除去用処理部
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１ 現像用熱処理部
１３０，１３１ レジストカバー膜用熱処理部
１４０，１４１ 露光後ベーク用熱処理部
４００ スレーブコントローラ
４４４ 液吐出センサ
４４５ 塗布液供給管
４４７ 供給ポンプ
４４７ａ モータ
４４７ｂ 脱調センサ
４４７ｃ 圧力計
４５０ ＣＣＤカメラ
４５１ 流量計
４６０ 膜厚センサ
５００ 基板処理装置
６５０ 洗浄処理用ノズル
６７０，７７０，８７０ 乾燥処理用ノズル
ＥＥＷ エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却ユニット
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部

Claims (10)

1. 液浸法により基板に露光処理を施す露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行うための処理部と、
   前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
   前記処理部は、
   基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
   前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットと、
   前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する判定手段と、
   前記露光装置による露光処理後の基板の現像処理を行う現像処理ユニットと、
   前記現像処理ユニットに基板を搬送する第１の搬送手段とを含み、
   前記受け渡し部は、前記判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に基板を露光装置に搬送し、前記判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に前記露光装置に基板を搬送せずに基板を待機させ、
   前記第１の搬送手段は、前記露光装置による露光処理後の基板および前記受け渡し部で待機後の基板を前記現像処理ユニットに搬送し、
   前記判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合における前記受け渡し部および前記露光装置での基板の滞在時間と前記判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合における前記受け渡し部での基板の滞在時間とが等しく設定されることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記受け渡し部は、
   基板を一時的に格納する基板格納部と、
   前記処理部、前記基板格納部および前記露光装置の間で基板を搬送する第２の搬送手段とを含み、
   前記第２の搬送手段は、前記判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に基板を前記露光装置に搬送し、前記判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に基板を前記基板格納部に格納することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記受け渡し部は、前記露光装置による露光処理後に基板を乾燥する乾燥ユニットをさらに含み、
   前記第２の搬送手段は、前記判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に前記露光装置による露光処理後の基板を前記乾燥ユニットに搬送し、前記乾燥ユニットによる乾燥後の基板を前記処理部に搬送し、前記判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に前記基板格納部による格納後の基板を前記処理部に搬送することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記受け渡し部は、前記露光装置による露光処理前に基板を洗浄する洗浄ユニットをさらに含み、
   前記第２の搬送手段は、前記判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に前記露光装置による露光処理前に基板を前記洗浄ユニットに搬送し、前記洗浄ユニットによる洗浄後の基板を前記露光装置に搬送し、前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理部に搬送し、前記判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に前記基板格納部による格納後の基板を前記処理部に搬送することを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。
5. 前記保護膜形成ユニットは、前記保護膜の塗布液を吐出するノズルを有し、
   前記判定手段は、
   前記ノズルから吐出される塗布液の吐出状態を検出するノズル検出器と、
   前記ノズル検出器により検出された吐出状態に基づいて前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する吐出状態判定部とを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記判定手段は、
   前記保護膜形成ユニットにおいて保護膜が形成される基板を撮像する撮像装置と、
   前記撮像装置により得られる画像に基づいて前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する画像判定部とを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記判定手段は、
   前記保護膜形成ユニットにおいて基板に形成された保護膜の厚みを測定する膜厚測定器と、
   前記膜厚測定器により測定された保護膜の厚みに基づいて前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する膜厚判定部とを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記処理部は、
   前記保護膜の塗布液を前記保護膜形成ユニットに供給するポンプをさらに備え、
   前記判定手段は、
   前記ポンプの供給圧力を測定するポンプ圧測定器と、
   前記ポンプ圧測定器により測定された前記ポンプの供給圧力に基づいて前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定するポンプ圧判定部とを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記処理部は、
   前記ポンプを駆動するモータをさらに有し、
   前記判定手段は、
   前記モータの脱調の有無を検出する脱調検出器と、
   前記脱調検出器により検出されたモータの脱調の有無に基づいて前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する脱調判定部とを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記処理部は、
    前記保護膜の塗布液を前記保護膜形成ユニットに導く供給管をさらに備え、
    前記判定手段は、
    前記供給管を通して前記保護膜形成ユニットに供給される塗布液の流量を測定する流量測定器と、
    前記流量測定器により測定された流量に基づいて前記保護膜形成ユニットにおける保護膜の形成が正常であるか否かを判定する流量判定部とを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。

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