TWI445120B - 縱型熱處理裝置 - Google Patents

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TWI445120B
TWI445120B TW098129966A TW98129966A TWI445120B TW I445120 B TWI445120 B TW I445120B TW 098129966 A TW098129966 A TW 098129966A TW 98129966 A TW98129966 A TW 98129966A TW I445120 B TWI445120 B TW I445120B
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Kiichi Takahashi
Toshihiro Abe
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Tokyo Electron Ltd
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Description

縱型熱處理裝置
本發明係關於一種對被處理基板進行熱處理之縱型熱處理裝置。
半導體裝置之製造中，為了對被處理基板，譬如半導體晶圓(以下亦稱為晶圓)進行氧化、擴散、CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)等處理而使用各種處理裝置(半導體製造裝置)。然後，已知其中之一有可一次對多片被處理基板進行熱處理之批次式縱型熱處理裝置。
該縱型熱處理裝置具有：熱處理爐；將晶圓在上下方向以特定的間隔加以支承並搬入搬出至該熱處理爐的基板支承具(亦稱為晶舟)；以及具有可昇降及可旋轉之基台及用以支承可進退移動地設置於該基台上之晶圓的複數片移載板(亦稱為叉具)，且在以特定的間隔收納複數片晶圓之收納容器(亦稱為晶圓匣盒)與該上述晶舟之間進行晶圓的移載之移載機構(譬如參照日本特開2001-223254號公報)。
藉由上述移載機構來移載晶圓的方式有不具位置對準(定位)功能之軟著陸(soft landing)方式(緩慢地移載之方式)，或具有位置對準功能之邊緣握持方式(把持晶圓的邊緣部並正確且迅速地進行移載之方式)等。
又，晶舟並非直接將晶圓支承在複數根支柱所形成之多層溝槽或突起這一類的晶舟，而是透過複數基板支承片將晶圓支承在較晶圓要大口徑的環狀板(ring plate)上這種習知的晶舟(譬如參照日本特開平4-133417號公報)。依據此種晶舟，則不會受到薄膜形成時支柱的影響，且可提高膜厚的面內均勻性，此外亦可達到利用移載機構之移載作業的簡單化、迅速化。
圖10A為習知的叉具之概略側視圖。圖10B為習知叉具的前端部側在彎曲的情況下之概略側視圖。如圖10A及圖10B所示，叉具50的上部在對應於晶圓w的周緣部位置，設置有用以規範晶圓w的周緣部之高度為0.8mm左右的規範部51。又，在除了晶圓w周緣部以外之晶圓w重疊的區域，叉具50設置有0.5~1mm左右的段差或凹部52，以使即便叉具50或晶圓w彎曲，兩者也不會形成不希望的接觸狀態。由於該種形狀，叉具50的厚度t為3mm左右相當地厚。對此種形狀的叉具50的前端部負荷有晶圓重量時，會在叉具50產生相對較大的彎曲量。
如上所述，習知的縱型熱處理裝置之移載機構的叉具厚度很厚，且其彎曲量亦很大。因此，向間隔狹窄的晶舟之移載作業較為困難。特別是，使用環狀晶舟時，只能移載有限的處理片數之晶圓，亦即，對處理片數來說有不希望的底限(約75片左右為底限)。
本發明係鑑於上述情況所發明者。本發明之目的在於提供一種藉由減少移載板的彎曲量及厚度，以使向間隔狹窄的晶舟之移載變得可能，且最終地可增加處理片數之所謂的縱型熱處理裝置。
本發明之處理裝置，係具有移載板，以及該移載板的上面載置有被處理基板時可在將該被處理基板保持在水平的狀態下移動該移載板之移載機構，其特徵在於：該移載板具有在前後方向從基端部朝前端部水平地延伸之單側支承構造，該移載板的上面設置有以其前後方向的略中央部與後部將被處理基板水平地支承之複數支承突起部，且該移載板的前端側未支承有該被處理基板。
依據本發明則移載板的彎曲量及厚度會減少，因而使得向間隔狹窄的晶舟之移載變得可能，且最終地可增加處理片數。
亦或，本發明之縱型熱處理裝置，係具有：基板支承具，可將複數片被處理基板在上下方向以特定的間隔加以支承；移載機構，具有用以將複數片被處理基板在該基板支承具與可收納複數被處理基板的收納容器之間移載之移載板；以及熱處理爐，對該基板支承具連同被搬入其內部的被處理基板一起進行熱處理；其特徵在於：該移載板具有在前後方向從基端部朝前端部水平地延伸之單側支承構造，該移載板的上面設置有以其前後方向的略中央部與後部將被處理基板水平地支承之複數支承突起部，且該移載板的前端側未支承有該被處理基板。
依據本發明則移載板的彎曲量及厚度會減少，因而使得向間隔狹窄的晶舟之移載變得可能，且最終地可增加處理片數。
較佳地，該移載板在較該略中央部的支承突起部要更前端側的區域，其下面設置有段差，且該區域的厚度較其他部分的厚度要薄。
又，較佳地，該支承突起部係利用耐熱性樹脂而形成為接近扁平的小圓形狀。
又，較佳地，該移載板為俯視呈略U字狀，該移載板的上面的左右2處設置有該略中央部的支承突起部，且於該移載板的基端側中央的1處設置有該後部的支承突起部。
又，較佳地，該移載板前端的上面設置有規範該被處理基板的周緣部使其不會向前方方向及左右方向移動之規範片；該移載板的基端側在與該規範片之間，設置有可進退的把持機構，以將被處理基板規範並把持被處理基板在該把持機構與該規範片之間，使其不會向後方方向移動。
以下，根據添附圖式詳述用以實施本發明之最佳形態。圖1為概略地顯示本發明一實施形態之縱型熱處理裝置的縱剖面圖。
如圖1所示，該縱型熱處理裝置1具有形成外框之框體2。該框體2內的上方設置有用以容納被處理基板(譬如薄圓板狀半導體晶圓w)並實施特定處理(譬如CVD處理等)之縱型熱處理爐3。該熱處理爐3主要由下部具有作為爐口4的開口之縱長型處理容器(譬如石英製之反應管5)、用以開閉該反應管5的爐口4之可昇降的蓋體6、以及以覆蓋上述反應管5周圍的方式所設置之可將該反應管5內加熱並控制在特定的溫度(譬如300~1200℃)之加熱器(加熱裝置)7所構成。
上述框體2內水平地設置有構成熱處理爐3之反應管5或用以設置加熱器7之例如SUS製的底板8。底板8形成有用以將反應管5從下方插入至上方之開口部(未圖示)。
反應管5的下端部形成有朝外之凸緣部。藉由利用凸緣保持組件來將該凸緣部保持(固定)於底板8，以在將底板8的開口部從下方插通至上方的狀態下設置反應管5。由於清洗等緣故，可將反應管5從底板8朝下方取出。反應管5連接有將處理氣體或吹淨用惰性氣體導入反應管5內之複數氣體導入管，或具有可減壓並控制反應管5內之真空幫浦或壓力控制閥等之排氣管(省略圖式)。此外，反應管5的下端部亦可連接有具有用以連接氣體導入管或排氣管之氣體導入埠或排氣埠的圓筒狀分歧管。此情況下，該分歧管係形成爐口。
上述框體2內較底板8要下方處，設置有用以將蓋體6上透過保溫筒所載置之晶舟(基板支承具)9搬入(載入)熱處理爐3(即反應管5)內、從熱處理爐3搬出(卸下)、或對晶舟9進行晶圓w移載等之載置區域(作業區域)11。該載置區域11設置有用以昇降蓋體6以進行晶舟9的搬入、搬出之昇降機構10。
上述蓋體6為連接於爐口4的開口端並將該爐口4密閉之結構。蓋體6的上部透過用以防止來自爐口4的放熱之機構(保溫筒12)，而載置有晶舟9。此外，蓋體6的上部設置有載置保溫筒12並使其迴轉的迴轉台(未圖式)。又，蓋體6的下部設置有用以迴轉該迴轉台之迴轉機構(未圖式)。
上述晶舟9為譬如石英製，並透過環狀支承板13，在水平狀態下將大口徑(譬如直徑300mm)晶圓w於在上下方向以特定的間隔P(譬如9~15mm之間隔，較佳地為11.5mm之間隔)多層狀地加以支承。晶舟9係由圓板狀或圓環狀底板14、圓板狀或圓環狀頂板15、以及介設於該等底板14與頂板15間之複數(譬如4根)棒狀支柱16所構成。複數根支柱16中，位於向晶圓的移載方向開放(參照圖2)之左右一對支柱間的間隔被設定地較大，以便可自該移載方向(水平方向)進行晶圓的移載或環狀支承板13的裝卸。
圖2為用以說明移載作動之概略立體圖，圖3為顯示晶舟的一例之擴大立體圖，圖4為環狀支承板之立體圖。如該等圖所示，環狀支承板13係由較上述晶圓w要大口徑的環狀板(ring plate)17，以及如同突出於該環狀板17上所設置之複數(譬如4個)基板支承片18所構成。晶圓w的周緣部係藉由該等基板支承片18而被加以卡固，且在維持與環狀板17之間隔S(特定的間隙，譬如3~10mm左右，較佳地為6mm左右)的狀態下支承晶圓w。可使用習知的支承板(譬如，參照日本特開平4-133417號公報)來作為環狀支承板13。環狀支承板13為譬如石英製。此外，晶舟9、環狀支承板13可為碳化矽製。支承板13亦可為氧化鋁製。
環狀板17的厚度為譬如3mm左右，外徑為譬如320mm左右，開口18d的內徑為譬如300mm左右。此外，依情況開口18d的內徑可較晶圓w的直徑稍大，或亦可較晶圓的直徑稍小。基板支承片18係由直立地設置並固定於環狀板17上之圓柱狀組件(直立部)18a，以及從該圓柱狀組件18a朝向環狀板17內側(中心方向)如同略水平地突出所設置之板狀組件(支承部)18b所構成。藉由該板狀組件18b以將晶圓w的下面周緣部加以支承。為了將依上述方式所構成的環狀支承板13載置於上述晶舟9上，而在上下方向以特定的間隔P將用以支承環狀板17外側緣部的溝槽20或突起形成於晶舟9之支柱16。
為了將晶圓搬入搬出至框體2內，框體2的前部處設置有可以特定的間隔收納複數(譬如25片左右)晶圓之收納容器21所被載置的載置台(載置埠)26。收納容器21係被用作為於前面處蓋為可裝卸地設置之密閉型收納容器(亦稱為晶圓匣盒)。載置區域11內的前部處，設置有用以將收納容器21的蓋取下，並將收納容器21內連通且開放至載置區域11內的門機構22。又，載置區域11設置有具有用以在收納容器21與晶舟9間進行晶圓w移載之特定間隔的複數片叉具(移載板)23之移載機構24。
載置區域11外的前部上側處，設置有暫時儲存收納容器21之保管棚部25，以及用以將收納容器21從載置台26搬送至保管棚部25或從保管棚部25搬送至載置台26之搬送機構(未圖示)。此外，載置區域11上方設置有當蓋體6下降且爐口4打開時，將爐口4覆蓋(或堵塞)以抑制或防止爐內高溫的熱從該爐口4放出至下方的載置區域11之開閉機構27。又，載置台26下方設置有用以使設置於移載機構24所移載之晶圓w外圍的缺陷部(譬如缺口)向同一方向對齊之對齊裝置(對準裝置)28。
移載機構24具有將複數片(譬如5片)晶圓w在上下方向以特定的間隔加以支承之複數片(譬如5片)移載板(亦稱為叉具)23。此時，中央的叉具可單獨於前後方向進退移動，而中央以外的叉具(第一片、第二片、第四片及第五片)可同時於前後方向進退移動，另一方面，在上下方向利用間隔轉換機構並以中央的叉具為基準而可不分階段地轉換間隔。此係為了能夠對應於收納容器21內之晶圓的收納間隔與晶舟9內之晶圓的載置間隔相異時的情況。此情況亦可利用間隔轉換功能而在收納容器21與晶舟9之間每次多片地移載晶圓。
移載機構24具有可昇降並旋轉之基台30。具體來說，移載機構24係具有利用滾珠螺桿等而可在上下方向移動(可昇降)之昇降臂31，該昇降臂31設置有可水平旋轉的箱型基台30。該基台30上之可使中央的1片叉具23往前後方向移動之第1移動體32，以及可使將中央的叉具23挾置其中之上下各2片(總計4片)的叉具23往前後方向移動之第2移動體33，係沿著水平方向(基台30的長度方向)設置。藉此，可選擇性地進行藉由第1移動體32的單獨作動來移載1片晶圓之枚葉移載，以及藉由第1及第2移動體32、33的共同作動來將5片晶圓同時移載之整批移載。由於係使第1及第2移動體32、33分別作動，因此基台30的內部設置有移動機構(未圖式)。該移動機構及具有該間隔轉換功能的機構可利用譬如日本特開2001-44260號公報所揭示的種類。
移載機構24具有由上下軸(z軸)、旋轉軸(θ軸)及前後軸(x軸)所構成的座標(座標軸)。又，移載機構24具有用以使基台30於上下軸方向移動、於旋轉軸周圍旋轉、透過第1及第2移動體32、33使叉具23於前後方向移動、以及進行叉具23的間隔轉換之各驅動系統。
叉具23如圖5A、圖5B及圖8A所示，係於前後方向具有從基端部(圖的左側)朝前端部(圖的右側)水平地延伸之單側支承構造。叉具23的上面設置有以其前後方向的略中央部與後部將晶圓w水平地支承之複數支承突起部34。叉具23的前端側未支承有該晶圓w的重量。
叉具23在較略中央部的支承突起部34要更前端側區域的下面設置有段差35。藉此，該區域的厚度tc係較其他部分(譬如基部側)的厚度ta要薄。圖式例中，叉具23之基端部(基端部側)23a的厚度ta、中間部(略中央部的支承突起部與後部的支承突起部之間)23b的厚度tb、前端部(前端部側)23c的厚度tc係以此順序而階段地形成為愈來愈薄。譬如，ta=2.3mm，tb=1.2mm，tc=0.8mm。
叉具23係由譬如氧化鋁陶瓷而形成為縱長薄板狀，其前端部側從中間部分支為二道而形成為俯視呈略U字狀。其中間部上面的左右2處，設置有該略中央的支承突起部34，而基端部側的中央1處設置有該後部的支承突起部34。
支承突起部34如圖6A及圖6B所示，係由耐熱性樹脂，譬如PEEK(Poly Ether Ether Ketone；聚二醚酮)材料而形成為接近扁平(自叉具上面的突出高度為0.3mm左右)的小圓形狀(直徑2mm左右)。為了可裝卸(可更換)地裝設此種支承突起部34，因此叉具23設置有裝設孔36，且支承突起部34的下面中央部形成有和裝設孔36嵌合之嵌合部37。為了提高裝設性，因此在嵌合部37形成有將其分割為2等分之分割溝38，且在裝設孔36的內側緣部形成有互相卡合之2個(對向)凸緣部39。又，叉具23的下面(內面)形成有用以收納該凸緣部39之凹部40，以使上述凸緣部39不會從叉具23的下面突出。
叉具23前端的上面設置有規範晶圓的周緣部使其不會向前方方向(圖5A之右方方向)及左右方向(圖5A之上下方向)移動之規範片41。又，叉具23的基端部側設置有可進退的把持機構42，以將晶圓規範並把持在該把持機構42與該規範片41之間，使其不會向後方方向移動。如圖7A及圖7B所示，規範片41係具備當晶圓的前端部側(圖5A右側)因本身的重量而彎曲時，可支承晶圓的下面之水平的受面43，以及較該受面43要向更上方突出並具有規範晶圓周緣部之規範面44的突出部45。
叉具23的前端上面形成有決定該規範片41的位置之定位溝46。規範片41係從叉具23的下面側以小螺絲47可裝卸地裝設。此時，為了使小螺絲47的頭部47a不會從叉具23的下面突出，而在叉具23的下面形成有收納該小螺絲47的頭部47a之凹部48。較佳地，規範片41係由耐熱性樹脂(譬如PEEK材料)所形成。
把持機構42具有連接於晶圓w的後緣部之連接組件42a，以及用以進退並驅動該連接組件42a之驅動機構(氣缸42b)。此外，叉具23的前端部亦可設置有用以測量晶舟內晶圓的位置並進行製圖之影像感測器。
接下來，詳述由上述結構所構成之縱型熱處理裝置1的作用。首先，將晶圓w從收納容器21移載至晶舟9上的環狀支承板13。此時，移載機構24首先使複數叉具23前進並插入收納容器21內。當各叉具23上面載置有晶圓w時，則在把持上述的狀態下將叉具23從收納容器21取出。接下來，移載機構24將叉具23的方向從收納容器21側改變至晶舟9側，以使各叉具23前進並插入上下的環狀支承板13、13間。然後，藉由將各叉具23下降以使晶圓w載置在環狀支承板13上(詳而言之係在基板支承片18上)。之後，將叉具23後退。
此處，叉具23的上面設置有以其略中央部與後部水平地支承晶圓w之支承突起部34，叉具23的前端部未支承有晶圓w的重量。藉由上述方式來減低叉具23前端部側的彎曲量。因此，不必為了抑制該彎曲而預先使該彎曲叉具23的厚度增厚，亦即，可減少叉具的厚度。依上述方式，藉由可減少叉具23的彎曲量及厚度，而使得向間隔狹窄的晶舟之移載變得可能，因此可增加縱型熱處理裝置1之每一晶舟的晶圓處理片數。具體來說，可從習知的75片左右增加至100片左右。
又，叉具23在較略中央部的支承突起部34要更前端部側的下面設置有段差，而藉由使該前端部側區域的厚度tc係較其他部分的厚度ta、tb要薄，亦可減少叉具23的厚度。再者本例中，亦在叉具23的中間部下面設置有段差49，且藉由將叉具23的厚度從基端部側階段地形成為愈來愈薄，亦可更加減少叉具23的厚度。藉此，向間隔更狹窄的晶舟之移載變得可能。
又，由於支承突起部34係由PEEK材料而形成為接近扁平的小圓形狀，因此叉具23的實際厚度不會增加，且可小面積地或點接觸地穩定並支承晶圓w。又，藉由使叉具23為俯視呈略U字狀，且於其上面的左右2處設置略中央的支承突起部34，並於基端部側中央的1處設置後部的支承突起部34，則可藉由3點支承而穩定並支承晶圓w。
藉由於叉具23前端的上面設置規範晶圓的周緣部使其不會向前端方向及左右方向移動之規範片41，且於叉具23的基端部側設置可進退移動之把持機構42，以將晶圓w把持在把持機構42與規範片41之間，則可使叉具的厚度較薄，而確實地把持晶圓並以高速搬送。藉此，可提高處理能力。
又，上述晶舟9係具備具有較晶圓w要大口徑之環狀板17以及如同突出於該環狀板17上所設置之複數基板支承片18，並藉由利用該等基板支承片18來將晶圓w的周緣部加以卡固以在維持與環狀板17之間隔的狀態下將晶圓w加以支承之環狀支承板13，以及利用如同圍繞該等環狀支承板13的周圍所設置之數根突起或溝槽20來將上述支承板13的周緣部加以支承之支柱16。利用該構造則不需複雜的機構即可簡單地進行晶圓移載。亦即，可簡化移載機構24的結構。
依上述方式，向晶舟9之晶圓移載結束後，上昇蓋體6以將該晶舟9搬入熱處理爐3內。然後，在特定溫度、特定壓力及特定的環境氣體下對晶圓實施熱處理。熱處理結束後，下降蓋體6以將晶舟9從熱處理爐3內搬出至載置區域11內。然後，利用移載機構24以和上述相反的順序將處理完畢的晶圓從晶舟9移載至收納容器21。
以上，係參照圖式詳述本發明一實施形態，但本發明不限於上述實施形態，可在不脫離本發明要旨的範圍內做各種設計變化等。譬如，晶舟可如日本專利第3234617號公報所揭示地使用間隔狹窄之環狀晶舟。支承突起部34的形狀可如圖9A所示地為下部為圓筒形但上部為凸面狀，亦可如圖9B所示地下部為圓筒形但上部為圓錐狀，亦可如圖9C所示地為所謂的魚板型(半圓柱形)，亦可如圖9D所示地為三角屋頂型。又，本發明亦可適用於將被處理基板一片片地載置在移載板上面並在保持其水平姿勢的狀態下移載被處理基板之枚葉式移載機構。
S、P．．．間隔
w．．．晶圓
t、ta、tb、tc．．．厚度
1．．．縱型熱處理裝置
2．．．框體
3．．．熱處理爐
4．．．爐口
5．．．反應管
6．．．蓋體
7．．．加熱器
8．．．底板
9．．．晶舟
10．．．昇降機構
11．．．載置區域
12．．．保溫筒
13．．．環狀支承板
14．．．底板
15．．．頂板
16．．．支柱
17．．．環狀板
18．．．基板支承片
18a．．．圓柱狀組件
18b．．．板狀組件
18d．．．開口
20．．．溝槽
21．．．收納容器
22．．．門機構
23．．．叉具
23a．．．基端部
23b．．．中間部
23c．．．前端部
24．．．移載機構
25．．．保管棚部
26．．．載置台
27．．．開閉機構
28．．．對齊裝置
30．．．基台
31．．．昇降臂
32．．．第1移動體
33．．．第2移動體
34．．．支承突起部
35．．．段差
36．．．裝設孔
37．．．嵌合部
38．．．分割溝
39．．．凸緣部
40‧‧‧凹部
41‧‧‧規範片
42‧‧‧把持機構
42a‧‧‧連接組件
42b‧‧‧氣缸
43‧‧‧受面
44‧‧‧規範面
45‧‧‧突出部
46‧‧‧定位溝
47‧‧‧小螺絲
47a‧‧‧頭部
48‧‧‧凹部
49‧‧‧段差
50‧‧‧叉具
51‧‧‧規範部
52‧‧‧凹部
圖1為概略地顯示本發明一實施形態之縱型熱處理裝置的縱剖面圖。
圖2為用以說明移載作動之概略立體圖。
圖3為顯示晶舟的一例之擴大立體圖。
圖4為環狀支承板之立體圖。
圖5A為移載板之平面圖。
圖5B為移載板之側視圖。
圖6A為圖5A之A-A線擴大剖面圖。
圖6B為從圖5B的B方向所見之移載板的仰視圖。
圖7A為圖5A的C部之擴大圖。
圖7B為圖7A之D-D線剖面圖。
圖8A為移載板之概略側視圖。
圖8B為移載板的前端部側彎曲的情況下之概略側視圖。
圖9A為概略地顯示支承突起部的其他的形狀之立體圖。
圖9B為概略地顯示支承突起部的其他的形狀之立體圖。
圖9C為概略地顯示支承突起部的其他的形狀之立體圖。
圖9D為概略地顯示支承突起部的其他的形狀之立體圖。
圖10A為習知的叉具之概略側視圖。
圖10B為習知叉具的前端部側在彎曲的情況下之概略側視圖。
1．．．縱型熱處理裝置
2．．．框體
3．．．熱處理爐
4．．．爐口
5．．．反應管
6．．．蓋體
7．．．加熱器
8．．．底板
9．．．晶舟
10．．．昇降機構
11．．．載置區域
12．．．保溫筒
21．．．收納容器
22．．．門機構
23．．．叉具
24．．．移載機構
25．．．保管棚部
26．．．載置台
27．．．開閉機構
28．．．對齊裝置
30．．．基台
31．．．昇降臂
32．．．第1移動體
33．．．第2移動體

Claims (10)

  1. 一種處理裝置，其具有移載板，以及該移載板的上面載置有被處理基板時，可在將該被處理基板保持在水平的狀態下移動該移載板之移載機構，其特徵在於：該移載板具有在前後方向從基端部朝前端部水平地延伸之單側支承構造；該移載板的上面設置有以其前後方向的略中央部與後部將被處理基板經時性且水平地支承之複數支承突起部；該移載板的前端側未支承有該被處理基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該移載板在較該略中央部的支承突起部要更前端側的區域，其下面設置有段差，且該區域的厚度較其他部分的厚度要薄。
  3. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該支承突起部係利用耐熱性樹脂而形成為接近扁平的小圓形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中：該移載板為俯視呈略U字狀；該移載板的上面的左右2處設置有該略中央部的支承突起部；於該移載板的基端側中央的1處設置有該後部的支承突起部。
  5. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中：該移載板前端的上面設置有規範該被處理基板的周緣部使其不會向前方方向及左右方向移動之規範片；該移載板的基端側設置有可進退的把持機構，以將被處理基板規範並把持在該把持機構與該規範片之間，使其不會向後方方向移動。
  6. 一種縱型熱處理裝置，其具有：基板支承具，可將複數片被處理基板在上下方向以特定的間隔加以支承；移載機構，具有用以將複數片被處理基板在該基板支承具與可收納複數被處理基板的收納容器之間移載之移載板；以及熱處理爐，對該基板支承具連同被搬入其內部的被處理基板一起進行熱處理；其特徵在於：該移載板具有在前後方向從基端部朝前端部水平地延伸之單側支承構造；該移載板的上面設置有以其前後方向的略中央部與後部將被處理基板經時性且水平地支承之複數支承突起部；該移載板的前端側未支承有該被處理基板。
  7. 如申請專利範圍第6項之縱型熱處理裝置，其中該移載板在較該略中央部的支承突起部要更前端側 的區域，其下面設置有段差，且該區域的厚度較其他部分的厚度要薄。
  8. 如申請專利範圍第6項之縱型熱處理裝置，其中該支承突起部係利用耐熱性樹脂而形成為接近扁平的小圓形狀。
  9. 如申請專利範圍第6項之縱型熱處理裝置，其中：該移載板為俯視呈略U字狀；該移載板的上面的左右2處設置有該略中央部的支承突起部；於該移載板的基端側中央的1處設置有該後部的支承突起部。
  10. 如申請專利範圍第6項之縱型熱處理裝置，其中：該移載板前端的上面設置有規範該被處理基板的周緣部使其不會向前方方向及左右方向移動之規範片；該移載板的基端側設置有可進退的把持機構，以將被處理基板規範並把持在該把持機構與該規範片之間，使其不會向後方方向移動。
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