JP2011129679A

JP2011129679A - 基板処理装置

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Publication number: JP2011129679A
Application number: JP2009286279A
Authority: JP
Inventors: Tomoshi Taniyama; 智志谷山
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2009-12-17
Filing date: 2009-12-17
Publication date: 2011-06-30
Also published as: KR20130000367A; TW201131684A; KR20110069696A; US20110146578A1

Abstract

【課題】ウェハを支持する際にウェハの裏側周縁部と接触することのない基板載置プレート、あるいは、ウェハのたわみ量を小さくすることのできる基板載置プレート、および該基板載置プレートを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し、基板に熱処理を行う処理室と、基板を基板載置プレートに載置して処理室内へ搬送する基板移載機とを備えた基板処理装置であって、前記基板載置プレートは、３以上の基板載置部を有し、該３以上の基板載置部は同一水平面上に位置するものであり、該３以上の基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該３以上の基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである基板処理装置。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウェハ（以下、ウェハという。）等の基板を処理するための基板処理装置に関し、特に、基板処理装置において基板を搬送する基板移載機で使用される基板載置プレート（ツイーザ）の構造に関する。

ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理等の熱処理を行うことにより、例えば半導体ウェハの表面に薄膜を形成する場合、基板処理装置として、内部にウェハを搭載するボートを収容する処理室を有する縦型熱処理装置が使用される。縦型熱処理装置の内部において、ウェハは、ウェハ移載機により、ウェハカセットやポッド（ＦＯＵＰ：Ｆront Ｏpening Ｕnified Ｐod）から、ボートに搬送され収容されて熱処理される。

図１３に、従来例の基板移載機で使用される基板載置プレートの構造を示す。図１３は、従来例に係る基板載置プレートの斜視図である。図１４は、図１３における基板載置プレートの平面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。図１３において、９０は基板載置プレートであり、９１ａ、９１ｂは、基板載置プレートの先端側に設けられた基板載置部であり、９２ａ、９２ｂは、基板載置プレートの根元側に設けられた基板載置部である。基板載置部９１ａ、９１ｂ、９２ａ、９２ｂは、基板であるウェハの周縁部に接触して支持するものである。

しかし、上記の従来例の基板載置プレートでは、ウェハの裏側周縁部を支持するため、ウェハの裏側周縁部に生成されたＣＶＤ膜と接触し、パーティクルの原因となるという課題がある。また、特に直径が４５０ｍｍのウェハを載置する場合に、ウェハのたわみ量が大きくなるという課題がある。
特許文献１には、ツイーザに、ウェハを載置する基端側載置部及び先端側載置部と、ウェハの周縁部を引っ掛ける基端側引掛部及び先端側引掛部とを設け、ウェハをポッドから取り出す際に、ウェハの位置ずれを防止することが開示されている。

特開２００７−２５０７９７号公報

本発明の目的は、ウェハを支持する際にウェハの裏側周縁部と接触することのない基板載置プレート、あるいは、特に、直径が４５０ｍｍのウェハのような大きなウェハを載置するときに、ウェハのたわみ量を小さくすることのできる基板載置プレートを提供すること、及び該基板載置プレートを用いた基板処理装置を提供することにある。

本発明の代表的な構成は、次のとおりである。
基板を収容し、基板に熱処理を行う処理室と、
基板を基板載置プレートに載置して処理室内へ搬送する基板移載機とを備えた基板処理装置であって、
前記基板載置プレートは、３以上の基板載置部を有し、
該３以上の基板載置部は同一水平面上に位置するものであり、該３以上の基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該３以上の基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである基板処理装置。

上記の構成によれば、基板載置プレートにウェハを載置するときにウェハ裏面の周縁部が基板載置プレートに接触することを防止することができる。

本発明の実施例に係る基板処理装置を示す斜視図である。本発明の実施例に係る基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。本発明の実施例に係る基板移載機の側面図である。本発明の実施例に係る基板載置プレートの斜視図である。本発明の実施例に係る基板載置プレートの平面図、側面図、背面図である。本発明の実施例に係る基板載置プレートの部分断面図である。本発明の実施例に係る基板載置プレートの断面の模式図である。直径４５０ｍｍのウェハを４点で支持する場合の説明図である。直径４５０ｍｍのウェハを４点で支持する場合のウェハのたわみ量を示す図である。図９の部分拡大図である。直径４５０ｍｍのウェハを４点で支持するボートの支持点を示す図である。ポッドにおける、基板載置プレートの進入領域を示す図である。従来例に係る基板載置プレートの斜視図である。従来例に係る基板載置プレートの平面図、側面図である。

以下、本発明の１実施形態を、図面を用いて説明する。
［基板処理装置の概略］
まず、図１、図２、図３を参照して、本実施形態に係る基板処理装置１０を概略的に説明する。図１は、本発明の１実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。図２は、本発明の１実施形態に係る基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。図３は、本発明の実施例に係る基板移載機の側面図である。
図１に示すように、基板処理装置１０の筐体１０１内部の前面側には、カセットステージ１０５が設けられている。カセットステージ１０５は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う。カセットステージ１０５の後方には、カセット搬送機１１５が設けられている。カセット搬送機１１５の後方には、カセット１００を保管するためのカセット棚１０９が設けられる。また、カセットステージ１０５の上方には、カセット１００を保管するための予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方には、クリーンユニット１１８が設けられている。クリーンユニット１１８は、クリーンエアを筐体１０１の内部を流通させる。

筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下方には、ボートエレベータ１２１が設けられている。ボートエレベータ１２１は、ウェハ２００を搭載したボート２１７を、処理炉２０２の内と外の間で昇降させる。ボート２１７は、ウェハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持具である。ボートエレベータ１２１には、処理炉２０２の下端を塞ぐための蓋体としてのシールキャップ２１９が取り付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持する。
ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には、ウェハ２００を搬送するウェハ移載機１１２が設けられている。図３に示すように、本実施例では、ウェハ移載機１１２には、基板載置プレート４０が垂直方向に重なるように複数、それぞれ所定の間隔を空けて取り付けられている。勿論、ウェハ移載機１１２に取り付けられる基板載置プレート４０は、１枚であってもよい。ボートエレベータ１２１の横には、処理炉２０２の下端を気密に閉塞するための炉口シャッタ１１６が設けられている。炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が処理炉２０２の外にあるときに、処理炉２０２の下端を閉塞することができる。

ウェハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５に搬入される。さらに、カセット１００は、カセット搬送機１１５により、カセットステージ１０５からカセット棚１０９または予備カセット棚１１０に搬送される。カセット棚１０９には、ウェハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３がある。ボート２１７に対してウェハ２００が移載されるカセット１００は、カセット搬送機１１５により移載棚１２３に移載される。カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウェハ移載機１１２により、移載棚１２３から降下状態のボート２１７に、ウェハ２００を移載する。

ボート２１７に所定枚数のウェハ２００が移載されると、ボートエレベータ１２１により、ボート２１７が処理炉２０２内に挿入され、シールキャップ２１９により、処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内では、ウェハ２００が加熱されると共に、処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウェハ２００に加熱等の処理がなされる。
ウェハ２００の処理が完了すると、上記した動作の逆の手順により、ウェハ２００は、ウェハ移載機１１２により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００は、カセット搬送機１１５により、移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により、筐体１０１の外部に搬出される。
ボート２１７が降下状態において、炉口シャッタ１１６は、処理炉２０２の下端を気密に閉塞し、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
上記の例では、ウェハ収容容器としてカセットを用いて説明したが、ポッドを用いることもできる。

［処理炉］
図１、図２に示されているように、本実施形態に係る基板処理装置１０は、処理炉２０２を備えており、処理炉２０２は、石英製の反応管２０３を備えている。反応管２０３は、基板（本例ではウェハ２００）を収容し、加熱処理する反応容器である。反応管２０３は、加熱部（本例では抵抗ヒータ）２０７の内側に設けられている。反応管２０３は、その下端開口をシールキャップ２１９により、気密部材（図示せず）を介して気密に閉塞される。
ヒータ２０７、反応管２０３およびシールキャップ２１９により、処理炉２０２が形成されている。また、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により、処理室２０１が形成されている。シールキャップ２１９の上には、基板保持部材（ボート）２１７が立設されている。ボート２１７は、処理炉２０２内に、処理炉２０２の下端開口から挿入される。ボート２１７には、バッチ処理される複数のウェハ２００が、それぞれ水平姿勢で管軸方向（垂直方向）に多段に積載される。ヒータ２０７は、処理炉２０２に挿入されたウェハ２００を、所定の温度に加熱する。

［ガス供給系］
図２に示すように、処理室２０１へ原料ガスを供給するガス供給系としてのガスノズル２３２が、反応管２０３の側壁に設けられている。ガスノズル２３２の一端は、反応管２０３の下部を水平方向に貫通するように設けられ、図示しない原料ガス供給源から、流量制御手段としてのＭＦＣ(マスフローコントローラ)、及び開閉弁を介し、原料ガスが供給される。ガスノズル２３２に供給された原料ガスは、ガスノズル２３２の他端、又はガスノズル２３２に設けられた複数の孔から、処理室２０１内に導入される。

反応管２０３内の中央部には、複数枚のウェハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７はボートエレベータ機構１２１（図１参照）により反応管２０３に出入りできるようになっている。

［排気部］
処理室２０１には、処理室２０１内のガスを排気するガス排気管２３１の一端が接続されている。ガス排気管２３１の他端は、図示しない真空ポンプ（排気装置）にＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブを介して接続されている。処理室２０１内は、真空ポンプによって排気される。

［ボート］
次に、本発明の実施例に係るボート２１７の構造を、図８ないし図１１を用いて説明する。図８は、直径４５０ｍｍのウェハを４点で支持する場合の説明図である。図９は、直径４５０ｍｍのウェハを４点で支持する場合のウェハのたわみ量を示す図である。図１０は、図９の部分拡大図である。図１１は、直径４５０ｍｍのウェハを４点で支持するボートの支持点を示す図であり、本発明の実施例に係る基板載置プレートのウェハ支持位置の関係を示す図である。

図８において、８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄは、直径４５０ｍｍのウェハ２００を支持する４つの支持点である。Ｒは、各支持点とウェハ２００の中心点との間の距離を半径とする円の直径である。Ｘは、各支持点間の角度であるが、実験の結果から、各支持点間の角度が均等となるＸ＝９０度の場合に、ウェハ２００のたわみ量は最も小さくなることが分かっている。図８において、直径Ｒを変化させた場合のウェハのたわみ量を、図９に示す。また、図９の部分拡大図を、図１０に示す。図１０に示すように、Ｒが３２０ｍｍから３４０ｍｍの場合に、たわみ量が最小となることが分かる。したがって、図１１に示すように、Ｒが３２０ｍｍから３４０ｍｍとなる位置に、ウェハ２００を支持する４つの支持部である８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄを配置するように、ウェハ支持具８３をボート２１７に設ける。図１１において、矢印は、ウェハ２００の進入方向である。詳しく説明すると、ウェハ支持具８３の４つの支持部である８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄは、Ｒが３２０ｍｍから３４０ｍｍの間を、ウェハ２００の中心点に向けて直線状の形状をしている。ウェハ支持具８３は、Ｒが３４０ｍｍの位置から、水平方向（横方向）に湾曲しながら、ウェハ２００の外周方向に向かっている。その結果、ウェハ支持具８３は、略Ｃ字状（爪状）をしている。

ウェハ支持具８３において、４つの支持部である８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄだけが、他の部分よりも高い形状（島形状）をしている。その結果、前記４つの支持部以外のウェハ支持具８３が、ウェハ２００に接触することを防止することができる。ボート２１７は、周知の３本柱、又は４本柱のボートにおいて、その３本又は４本のボート柱に、前記ウェハ支持具８３を取り付けるものである。
Ｒが３２０ｍｍの場合、支持部である８２ａと８２ｄの間隔Ｚは、約２２０ｍｍとなる。この支持部８２ａと８２ｄの間が、基板載置プレート４０の進入領域となる。したがって、基板載置プレート４０の側方のクリアランス（余裕度）を片側１０ｍｍとすると、基板載置プレート４０の幅は、２００ｍｍ以下とする必要がある。

［ポッド］
次に、直径４５０ｍｍのウェハを収容するポッドにおける、基板載置プレート４０の進入領域を、図１２を用いて説明する。図１２は、ポッドを上方から見た図であり、ウェハ２００は、その側部及び奥部をポッドの側壁等により支持されている。図１２における上方から、矢印で示すように、ウェハ２００をポッド内に出し入れできるようになっている。したがって、基板載置プレート４０は上方から進入するものであるが、基板載置プレート４０の進入領域ｐは、例えば２７０ｍｍ以上とした場合、基板載置プレート４０の側方のクリアランス（余裕度）を片側１０ｍｍとすると、基板載置プレート４０の幅は、２５０ｍｍ以下とする必要がある。

［基板載置プレート］
次に、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の構造を、図４ないし図７を用いて説明する。図４は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の斜視図である。図５の（ａ）は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は背面図である。図６は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の部分断面図である。図６の（ａ）は、図５（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図、（ｄ）はＤ−Ｄ断面図、（ｅ）はＥ−Ｅ断面図、（ｆ）はＦ−Ｆ断面図である。図７は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の断面の模式図である。図７の（ａ）は基板載置プレート４０の先端側を示し、（ｂ）は基板載置プレート４０の根元側を示す。基板載置プレート４０の材質としては、アルミナ、カーボン、ＳｉＣ、石英から１つ又は複数を選択して用いるのが好ましい。

図４、図５に示すように、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０は、板状の１枚の板が、根元側から先端側へかけて、板状に延びる２つの腕部４１ａ、４１ｂに分かれており、二股のフォーク形状をしている。基板載置プレート４０の先端側には、ウェハを載置した状態においてウェハの位置ずれを防止する先端側位置ずれ防止部４２ａおよび４２ｂ、ウェハ２００を下方から支持する先端側基板載置部４４ａおよび４４ｂ等がある。
基板載置プレート４０の根元側には、ウェハ移載機１１２の基板載置プレート固定部３２に取り付けるための取付部５２、ウェハを載置した状態においてウェハの位置ずれを防止する根元側位置ずれ防止部５１、ウェハ２００を下方から支持する根元側基板載置部４７ａおよび４７ｂ等がある。取付部５２は、取付穴５３を有する。
前記４つの基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂは、同一水平面上に位置しており、該４つの基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該４つの基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである。
上記実施例では、基板載置部を４つとしたが、先端側基板載置部を１つとし、基板載置部の総数を３つとすることも可能である。

図６（ｂ）に示すように、先端側基板載置部４４ａは、周囲の４３ａ、４５ａよりも高い島状に形成されている。また、先端側基板載置部４４ａの上部は平面であり、角部６３，６４は、曲面に加工されている。すなわち、先端側基板載置部４４ａは、基板を載置する基板載置面と、基板載置プレートの面４３ａ、４５ａから前記基板載置面へ立ち上がる立ち上がり面とを有し、該立ち上がり面と前記基板載置面との境界が曲面を形成する。先端側位置ずれ防止部４２ａは、基板載置プレート４０の板面である４３ａより垂直に立ち上がる垂直面、該垂直面に続く先端側への上り傾斜面、該上り傾斜面に続く上部の平面部、該上部の平面部に続く先端側への下り傾斜面を有する。前記上り傾斜面により、ウェハ２００の移動が制限される。
また、図６（ａ）に示すように、根元側基板載置部４７ａは、周囲の４６ａ、４８ａよりも高い島状に形成されている。また、根元側基板載置部４７ａの上部は平面であり、角部６１，６２は、曲面に加工されている。すなわち、根元側基板載置部４７ａは、基板を載置する基板載置面と、基板載置プレートの面４６ａ、４８ａから前記基板載置面へ立ち上がる立ち上がり面とを有し、該立ち上がり面と前記基板載置面との境界が曲面を形成する。根元側位置ずれ防止部５１は、基板載置プレート４０の板面である４８ａより垂直に立ち上がる垂直面、該垂直面に続く先端側への上り傾斜面、該上り傾斜面に続く上部の平面部を有する。前記上り傾斜面により、ウェハ２００の移動が制限される。
先端側基板載置部４４ｂ、根元側基板載置部４７ｂについても、それぞれ、先端側基板載置部４４ａ、根元側基板載置部４７ａと同様の構造である。

２つの腕部４１ａ、４１ｂの外辺５４ａ、５４ｂは、互いに平行であり、その長さｃ（図５（ｃ）参照）は、本実施例では、約３７０ｍｍである。外辺５４ａ、５４ｂを、互いに平行とせず、例えばテーパ状に形成する場合は、外辺５４ａ、５４ｂ間の幅ａが大きくなり、幅ａが、前述したポッドの進入領域ｐより大きくなると、基板載置プレート４０がポッドに進入することが困難になる。
また、図５に示すように、前記外辺５４ａ、５４ｂの間隔ａよりも、根元側基板載置部４７ａおよび４７ｂがある根元部の幅ｂを大きくしている。これにより、根元側基板載置部４７ａとウェハ中心とを結ぶ線と、根元側基板載置部４７ｂとウェハ中心とを結ぶ線が形成する角度αを６０度以上にすることができる。したがって、ウェハのたわみ量を小さくすることができる。

基板載置プレート４０がボート２１７に進入する場合は、例えば図１１の矢印で示すように、８２ａ、８２ｄの間に、基板載置プレート４０の２つの腕４１ａ、４１ｂが進入するが、根元側基板載置部４７ａおよび４７ｂがある根元部は、８２ａ、８２ｄの間に、進入しない。
また、基板載置プレート４０がポッドに進入する場合は、図１２に示す進入領域ｐに、基板載置プレート４０の２つの腕４１ａ及び４１ｂと、根元側基板載置部４７ａおよび４７ｂがある根元部が進入する。したがって、本実施例では、図５（ｃ）に示すaとｂ、すなわち、２つの腕４１ａ、４１ｂの外辺５４ａ、５４ｂ間の幅aは、図１１に示すボート２１７の８２ａ、８２ｄの間を通過できる最大幅である２００ｍｍとし、根元部の幅ｂは、図１２に示すポッドの進入領域ｐを通過できる最大幅である２５０ｍｍとしている。

図７に模式的に示すように、先端側位置ずれ防止部４２ａや、根元側位置ずれ防止部５１の高さは、先端側基板載置部４４ａや、根元側基板載置部４７ａの高さよりも高くなっている。同様に、先端側位置ずれ防止部４２ｂや、根元側位置ずれ防止部５１の高さは、先端側基板載置部４４ｂや、根元側基板載置部４７ｂの高さよりも高くなっている。この高さの差により、先端側位置ずれ防止部４２ａおよび４２ｂ、根元側位置ずれ防止部５１が、ウェハ２００の位置ずれを防止する。

また、先端側基板載置部４４ａの周囲は、全周に亘って、４３ａ、４５ａのように、先端側基板載置部４４ａよりも低くなっている。先端側基板載置部４４ｂの周囲も、４４ａと同様である。また、根元側基板載置部４７ａの周囲は、全周に亘って、４６ａ、４８ａのように、根元側基板載置部４７ａよりも低くなっている。根元側基板載置部４７ｂの周囲も、４７ａと同様である。つまり、先端側基板載置部４４ａ、４４ｂや、根元側基板載置部４７ａ、４７ｂは、全周に亘って、周囲よりも高い島状となっている。基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂの上部は平面となっている。
このように、基板載置部４４ａ、４７ａ等の高さを、その周囲の４３ａ、４８ａ等の高さより高くすることにより、ウェハ２００の裏側周縁部が、基板載置プレート４０に接触しないようにしている。

基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂの高さｄ、すなわち、ウェハ２００を載置したときの、ウェハ２００の裏面と基板載置プレート４０の凹部である４５ａ等との距離ｄは、１〜１．５ｍｍが好ましい。一度に処理するウェハ２００の数を増やすには、ボート２１７に積載するウェハ２００の間隔（ピッチ）を小さくする必要がある。そのためには、基板載置プレート４０の厚さｔを小さくするとともに、距離ｄも小さくするのが好ましい。しかし、距離ｄを小さくしすぎると、ウェハ２００と基板載置プレート４０が接触するので、上述したように、距離ｄは、１〜１．５ｍｍが好ましい。

また、本実施例では、先端側基板載置部４４ａ、４４ｂや、根元側基板載置部４７ａ、４７ｂの位置は、ウェハ２００を載置したときに、ウェハ２００の端から５ｍｍ以上離れた位置となるようにしている。図７において、ウェハ２００の端と位置ずれ防止部４２ａ、５１との間には、隙間ｆが存在するので、例えばウェハ２００が根元側にずれた場合を考慮すると、（ｅ−ｆ）が５ｍｍ以上であることが必要となる。
このように、ウェハ２００の裏側周縁部が、基板載置プレート４０に接触しないようにする理由は、ＣＶＤ法により成膜する際に、ウェハ２００の裏側周縁部に、結晶化されてないＣＶＤ膜が生成されるためである。この結晶化されてないＣＶＤ膜は、脆いため、基板載置プレート４０に接触すると、剥がれて、パーティクルの原因となる。ＩＳＭＩ（International Sematech Manufacturing Initiative）では、ウェハの周縁３ｍｍ以内を支持しないように規定している。

また、図６の部分断面図に示すように、先端側基板載置部４４ａ、４４ｂや、根元側基板載置部４７ａ、４７ｂにおいて、ウェハ接触面と隣接する角部は、すべて曲面となるように加工している。例えば、図６（ａ）において角部６１、６２を、図６（ｂ）において角部６３、６４を、曲面となるように加工している。これにより、ウェハ２００の裏面に傷が付くことを防止できる。

なお、上記実施例では縦型装置の基板移載機を用いて説明したが、枚葉装置の基板移載機にも同様に適用可能である。
また、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

なお、本明細書には、次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
基板を収容し、基板に熱処理を行う処理室と、
基板を基板載置プレートに載置して処理室内へ搬送する基板移載機とを備えた基板処理装置であって、
前記基板載置プレートは、３以上の基板載置部を有し、
該３以上の基板載置部は同一水平面上に位置するものであり、該３以上の基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該３以上の基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板載置プレートにウェハを載置するときにウェハ裏面の周縁部が基板載置プレートに接触することを防止することができる。

第２の発明は、前記第１の発明における基板処理装置であって、
前記基板載置部は、基板載置プレートの先端部と根元部にそれぞれ２ヶ所あり、
先端部にある基板載置部間の長さよりも、根元部にある基板載置部間の長さの方が長いものである基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板載置プレートにウェハを載置するときにウェハのたわみ量を低減し、また、基板載置プレートにウェハを載置して移動する際に、ウェハが位置ずれすることを防止することができる。

第３の発明は、前記第２の発明又は第３の発明における基板処理装置であって、
前記基板載置部は、基板を載置する基板載置面と、基板載置プレートの面から前記基板載置面へ立ち上がる立ち上がり面とを有し、該立ち上がり面と前記基板載置面との境界が曲面を形成するものである基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板載置部にウェハを載置するときに、ウェハに傷が付くことを防止することができる。

第４の発明は、前記第１の発明ないし第３の発明における基板処理装置であって、
前記基板載置プレートは、根元側から先端側へかけて、板状に延びる２つの腕部に分かれており、該２つの腕部の外辺は、互いに平行である基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板載置プレートがポッドに進入することが容易となる。

第５の発明は、前記第４の発明における基板処理装置であって、
前記２つの腕部の外辺の間隔よりも、根元側基板載置部がある根元部の幅が大きいものである基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板載置プレートがポッドに進入することが容易となる。

第６の発明は、
複数の基板のそれぞれを４つの支持部で支持するボートと、
該ボートを収容し、ボートに搭載した基板に熱処理を行う処理室と、
基板を載置する基板載置プレートを有し、ボートに基板を搭載するための基板移載機とを備え、
前記ボートの４つの支持部のうち、基板移載機に近い２つの前側支持部の間から、基板を載置した基板載置プレートが進入可能な基板処理装置であって、
該基板載置プレートは、その根元側に少なくとも２ヶ所の基板載置部と、その先端側に少なくとも１ヶ所の基板載置部を有し、前記根元側の２ヶ所の基板載置部の間隔が、前記ボートの２つの前側支持部の間隔よりも大きいものである基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板載置プレートにウェハを載置するときにウェハのたわみ量を低減し、また、基板載置プレートにウェハを載置して移動する際に、ウェハが位置ずれすることを防止することができる。

１０…基板処理装置、３２…基板載置プレート固定部、４０…基板載置プレート、４１…腕部、４２…先端側位置ずれ防止部、４４…先端側基板載置部、４７…根元側基板載置部、５１…根元側位置ずれ防止部、５２…取付部、５４…外辺、１１２…ウェハ移載機、２００…ウェハ、２０１…処理室、２０２…処理炉、２０３…反応管、２０７…ヒータ、２１７…ボート、２１９…シールキャップ、２３１…ガス排気管、２３２…ガスノズル。

Claims

基板を収容し、基板に熱処理を行う処理室と、
基板を基板載置プレートに載置して処理室内へ搬送する基板移載機とを備えた基板処理装置であって、
前記基板載置プレートは、３以上の基板載置部を有し、
該３以上の基板載置部は同一水平面上に位置するものであり、該３以上の基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該３以上の基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである基板処理装置。
前記請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記基板載置部は、基板載置プレートの先端部と根元部にそれぞれ２ヶ所あり、
先端部にある基板載置部間の長さよりも、根元部にある基板載置部間の長さの方が長いものである基板処理装置。
複数の基板のそれぞれを４つの支持部で支持するボートと、
該ボートを収容し、ボートに搭載した基板に熱処理を行う処理室と、
基板を載置する基板載置プレートを有し、ボートに基板を搭載するための基板移載機とを備え、
前記ボートの４つの支持部のうち、基板移載機に近い２つの前側支持部の間から、基板を載置した基板載置プレートが進入可能な基板処理装置であって、
該基板載置プレートは、その根元側に少なくとも２ヶ所の基板載置部と、その先端側に少なくとも１ヶ所の基板載置部を有し、前記根元側の２ヶ所の基板載置部の間隔が、前記ボートの２つの前側支持部の間隔よりも大きいものである基板処理装置。