JP4833074B2 - 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4833074B2 JP4833074B2 JP2006537808A JP2006537808A JP4833074B2 JP 4833074 B2 JP4833074 B2 JP 4833074B2 JP 2006537808 A JP2006537808 A JP 2006537808A JP 2006537808 A JP2006537808 A JP 2006537808A JP 4833074 B2 JP4833074 B2 JP 4833074B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- heat treatment
- plate
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 434
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 73
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 71
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 38
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 139
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 26
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical group ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
この原因は、処理基板と板状部材との間に存在する空気の抜けが遅いために、基板を置くことにより空気が圧縮され、その圧縮空気の処理基板を押す力と、処理基板の自重が均衡するため発生すると考えられる。
図14はその実験結果を示している。図14によれば、ピッチ比率が小さくなるに従って、スリップの発生状況が悪化しているのが分かる。
すなわち、熱容量が増加することで、同じ昇温(降温)レートでの炉内温度変化であっても、ボート、プレート自体の温度変化の追従性が悪化するために、ウエハとプレートとの接触部はプレートの温度に近く、接触しない部分は炉内の温度変化に比較的追従するという現象が起こる。
その結果、処理ウエハの面内の温度分布は、次のようになる。
すなわち、プレートの熱容量が小さいときには面内偏差が小さいものの、プレートの熱容量が大きい場合には面内偏差が大きくなる。
この処理ウエハ面内の局所的な温度差は、面内に局所的な熱ストレスを加えることになり、その結果、スリップが入り易くなる。
なお、熱容量(heat capacity)とは、物体の温度を単位温度だけ上昇させるのに要する熱量である。一様な物体では、熱容量は比熱(J/K・g)と質量(g)の積で与えられるので、この場合の熱容量の単位は(J/K)となる。
このため、それまでの熱処理シーケンスの温度変化レートを大きくしても、スリップが発生しない状況を実現でき、その結果、1バッチの処理時間すなわちスループットを増加することが可能となる。
を有する基板の製造方法である。
を有する半導体装置の製造方法である。
26 基板移載機
30 支持具
32 ツィーザ
40 反応炉
54 基板
57 本体部
58 支持部
70 非接触部
72 貫通孔
74 アーム部
82 溝
図1に、本発明の第1の実施形態に係る熱処理装置10を示す。この熱処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。この筺体12の正面側には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
図3に支持具30の概略図を示す。図3(a)は平面断面図、図3(b)は図3(a)のA−A線断面図である。
支持具30は、基板54と接触する支持部58と、この支持部58を支持する本体部57とから構成されている。本体部57は、例えば、炭化珪素(SiC)又はシリコンを含浸させた炭化珪素からなり、円板状の上板61(図1に示す)、同じく円板状の下板63(図1に示す)、及び上板61と下板63とを接続する例えば3本の支柱65、65、65と、該支柱65、65、65から延びる支持片67、67、67とを有する。支柱65、65、65は、互いに90度ずつ隔てて配置され、ツィーザ32が挿入される側に180度隔てて2本、ツィーザ32の反挿入側に1本配置されている。支持片67、67、67は、支柱65、65、65から水平方向に延びている。この支持片67、67、67は、垂直方向に一定間隔てて支柱65、65、65に多数形成され、該多数の支持片67、67、67のそれぞれに、プレート状の支持部58が支持されている。この支持部58の上面には基板54の下面が接触するように基板54が支持される。すなわち、本体部57は、複数の支持部58を水平姿勢で間隔をもって多段に支持するように構成され、この構成により複数枚の基板54は水平姿勢で間隔をもって多段に支持されることとなる。
図4(a)はツィーザ32と基板54とを支持具30に挿入した状態を示す平面断面図、図4(b)は図4(a)のB−B線断面図、図4(c)はツィーザ32を示す平面図である。ツィーザ32はU字型であり、2つのアーム部74、74がツィーザ本体76から平行に延びて構成されている。2つのアーム部74、74間の内端距離d1は、支持部58の直径d3よりも大きく、且つ基板54の直径d4より小さい。また、2つのアーム部74、74の外端距離d2は、基板54の直径d4と等しいかやや大きく、且つツィーザ挿入側の2本の支柱65、65の内端距離d5よりも小さい。基板54の直径d4は、支持部58の直径d3よりも大きく、ツィーザ挿入側の2本の支柱65、65の内端距離d5よりも小さい。また、アーム部74、74の厚さt1は、支持部58の厚さt2よりも小さい。
本発明者は、支持部(板状部材)の直径を200mm、厚さを6mm〜7mmに固定した条件で支持部に対して図5(a)〜(d)に示すような種々のタイプの貫通孔を形成し、これらの支持部に対して基板としての12インチシリコンウェハ(直径300mmのシリコンウエハ)を自動移載する実験を行い、それぞれの場合において、基板に滑りが生じるか否かを調査した。この結果を表1に示す。なお、表1の多孔とは、図5(a)に示すように、支持部58に貫通孔72を規則的に多数形成したタイプである。表1の4つの孔とは、図5(b)に示すように、貫通孔72の中心が支持部58の同心円上に位置するように合計4つの貫通孔72を形成したタイプである。表1の3つの孔とは、図5(c)に示すように、貫通孔72の中心が支持部58の同心円上に位置するように合計3つの貫通孔72を形成したタイプである。表1の1つの孔(リング)とは、図5(d)に示すように、支持部58の中心に1つの孔を形成してリング状にしたタイプである。なお、移載速度は3〜4mm/secとした。
貫通孔開口の総面積を基板載置面の総面積の90%より大きくすると、基板の滑りは確実に防止できるものの、支持部の基板と接触する部分の幅が非常に狭くなり、マシニング加工により貫通孔を形成する場合、その部分が破損したりするため、加工が難しくなる。本実施形態のように支持部を円板状とする場合、図6(a)に示すように、基板と接触する部分の幅の加工限界は5mm程度(このとき貫通孔開口の総面積は基板載置面の総面積の90%)であり、それより小さくすると加工時に破損するおそれがある。なお、レーザ等による加工の場合、貫通孔開口の総面積を基板載置面の総面積の90%よりも大きくできる(ただし、コストアップとなる)が、94%よりも大きくすると反応炉への基板搬入時、搬出時、基板昇温、降温時、熱処理時等における温度変動により支持部58が変形し、スリップを発生させる原因となる。本実施形態のように支持部58を円板状とした場合、図6(b)に示すように、基板と接触する部分の幅の熱変動時における強度限界は3mm程度(このとき貫通孔開口の総面積は基板載置面の総面積の94%)であり、それより小さくすると熱変動時に変形するおそれがある。即ち、マシニング加工による加工限界を考慮すると、貫通孔開口の総面積を基板載置面の総面積の90%以下とする必要があり、温度変動時における支持部58の強度限界を考慮すると、貫通孔開口の総面積を基板載置面の総面積の94%以下とする必要がある。
図7(a)は第1の変形例における支持部58の平面図と側面図を示している。この第1の変形例においては、基板に接触しない部分である非接触部70が溝82として構成されている。溝82は支持部58の基板載置面上に形成され、それぞれ交わる半径方向のものと同心円上のものとからなる。半径方向の溝82の一端が支持部58の側面に開口し、該支持部58の側面で外部に連通している。この第1の変形例においては、溝82が基板載置面に開口する総面積を基板載置面の総面積の25%以上94%以下とすればよい。
1)基板搬送時における基板支持の仕方、基板の撓み方
図8(a)に示すように、本発明の実施形態における周縁非支持タイプの支持部においては、基板搬送時にはツィーザ32により基板54の周縁部を支持するので、基板の自重により基板中央部が周縁部よりも下方に撓む。これに対し、周縁支持タイプの支持部においては、ツィーザにより基板中央部を支持するので、基板の自重により基板周縁部が中央部よりも下方に撓む。
2)基板載置時における基板と支持部との接触の仕方(支持部に貫通孔が形成されていない場合)、基板支持の仕方、基板の撓み方
図8(b)に示すように、本発明の実施形態における周縁非支持タイプにおいては、基板載置時にはまず基板中心部が支持部中心部と接触し、ツィーザ32の下降と共に徐々に中心部の外側と接触し、ツィーザ32により基板周縁部を、支持部58により基板中央部を支持するようになる。基板54の撓み方はツィーザ32の下降と共に搬送時と逆転することとなる。これに対し、周縁支持タイプの支持部においては、まず基板エッジ部が支持部周縁部と接触し、ツィーザの下降と共に徐々にその内側と接触し、ツィーザにより基板中央部を、支持部により基板周縁部を支持するようになる。基板の撓み方はツィーザ32の下降と共に搬送時と逆転することとなる。
3)基板支持時における基板支持の仕方、基板の撓み方
図8(c)に示すように、本実施形態における周縁非支持タイプの支持部においては、基板支持時には支持部58が基板54の中央部を支持し、基板54の周縁部分とは非接触であるので、基板の自重により、基板周縁部が基板中央部よりも下方に撓む。これに対し、周縁支持タイプの支持部においては、支持部が基板周縁部分を支持し、基板中央部とは非接触であるので、基板の自重により基板中央部が基板周縁部よりも下方に撓む。
4)滑り量(滑りの度合い)
本実施形態における周縁非支持タイプの支持部においては、貫通孔が形成されていない場合の基板の支持部に対する滑り量が4乃至5mm〜10mm程度であるのに対し、周縁支持タイプの支持部においては、3mm〜5mm程度である。したがって、本実施形態における周縁非支持タイプにおいては、基板の支持部に対する滑りの度合いが比較的大きいのに対し、周縁支持タイプの支持部では比較的小さい。
即ち、本発明の第1の実施形態のような周縁非支持タイプの支持部と周縁支持タイプの支持部とでは、支持部上での基板の滑り方が異なる。それゆえ、滑りを生じさせなくする貫通孔開口の総面積の臨界値も異なる。例えば本発明の第1の実施形態のような周縁非支持タイプの支持部においては、前述したように、滑りを確実に生じさせなくするには貫通孔開口の総面積を基板載置面の総面積の少なくとも25%以上とする必要があるのに対し、周縁支持タイプの支持部においては、貫通孔開口の総面積を基板載置面の総面積の0.5%程度とすれば滑りは生じなくなるものと考えられる。
このように本発明の第1の実施形態は、基板の周縁部とは接触しないタイプの支持部に対して基板を載置する場合特有の、基板の滑りを防止する貫通孔開口の総面積の臨界値を見出したものである。
図9乃至12には、第2の実施形態における支持具30が示されている。
図9(a)、(b)は、第1の形態における支持具30の一部の平面断面図と、そのC−C線断面図である。
図9に示すように、支持部58の裏面(下面)における支持片67、67、67の先端部よりも内側の部分には、支持部58と同心円状にザグリ(凹部)58aが設けられている。すなわち、ザグリ58aの内径は、3個の支持片67、67、67の先端が構成する円形の直径以下に設定されている。
ザグリ58aの深さは支持部58の厚さの半分程度に設定されている。ザグリ58aは、支持部58の基板54との接触面に及ばない範囲に設けるのが好ましい。
ザグリ58aは、この例のように支持部58と同心円状に1つ設けるようにしてもよいし、複数設けるようにしてもよい。
すなわち、スリップフリーを実現しつつ一度に処理する基板の枚数を増やすことができる。また、処理時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
図10(a)、(b)は、第2の形態における支持具30の一部の平面断面図と、そのD−D線断面図である。
図11(a)、(b)、(c)は、第2の形態における支持部58の変形例の平面図である。
図10に示すように、支持部58における支持片67、67、67の先端部よりも内側の部分には、少なくとも一つの貫通孔58bが支持部58と同心円状に設けられている。
貫通孔58bは図10に示すように支持部58と同心円状に1つ設けるようにしてもよいし、図11(a)〜(c)に示すように、複数設けるようにしてもよい。図11(a)、(b)、(c)はそれぞれ貫通孔58bを3つ設けた例、4つ設けた例、9つ設けた例を示している。
なお、支持部58の加工の簡便さのためには、基板54に接触しない非接触部である貫通孔58bは、支持部58の外周から2〜5mm以上を除外した内側に配置することがよい。すなわち、貫通孔58bを図11(c)に想像線で示された円形の内側に配置すると、支持部58への加工は容易になる。なお、第1の実施形態で述べたように、温度変動時における支持部の強度限界を考慮すると貫通孔58bは、支持部58の外周から3mm以上を除外した内側に配置する必要がある。
すなわち、スリップフリーを実現しつつ一度に処理する基板の枚数を増やすことができる。また、処理時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
図12(a)、(b)、(c)、(d)、(e)は、第3の形態における支持部58の変形例の断面図である。
図12(a)〜(e)は貫通孔58bとザグリ58aとを併用した例である。
図12(a)は支持部58の中央部に貫通孔58bを基板と同心円状に設けると共に、支持部58裏面の周縁部以外の部分にザグリ58aを設けた例を示している。
図12(b)は支持部58の中央部に貫通孔58bを基板と同心円状に設けると共に、支持部58裏面の外周部にザグリ58aを設けた例を示している。
図12(c)は支持部58の中央部に貫通孔58bを基板と同心円状に設けると共に、支持部58裏面の外周部と中央部の両方にザグリ58aを設けた例を示している。
図12(d)は支持部58の中央部に貫通孔58bを基板と同心円状に設けると共に、支持部58側面にザグリ58aを設けた例を示している。
図12(e)は支持部58の中央部に貫通孔58bを基板と同心円状に設けると共に、支持部58上面の外周部以外の部分にザグリ58aを設けた例を示している。
図12(a)〜(e)の例においては、支持部58の高さ方向の幅(厚み)が残るために、支持部58の強度を維持しつつ、支持部58の熱容量を低減することができる。
なお、これらの例を組み合わせるようにしてもよい。
すなわち、スリップフリーを実現しつつ一度に処理する基板の枚数を増やすことができる。また、処理時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
図13は前述の第1の形態、第2の形態の手法を取り入れて作成した支持部58で基板54を支持した場合のスリップ発生率評価の結果を示している。熱処理シーケンスは種々のもので検討したため、比率で示している。
このスリップ発生率評価の結果によれば、熱容量を低減することで、スリップの発生率を低減できることが確認される。さらに、熱容量を低減する手法として、前述の第1の形態、第2の形態は適切であると言える。
ウエハに作用する次の応力は、スリップの発生原因になることが知られている。
(1)支持されたウエハの自重によるウエハの変形(曲がり)に起因する変形応力。
(2)支持されたウエハの支持点(接触点)でのウエハの自重に起因する圧縮応力。
(3)ウエハ面内の温度差に起因する熱応力。
さらに、次の力がスリップの発生原因になることが発明者等によって究明された。
(4)ウエハの接触点での摩擦力および凝着力に起因する応力。
したがって、スリップの発生を防止するためには、これら(1)〜(4)の応力を低減する必要がある。すなわち、次のウエハ支持方法を究明する必要がある。
A.ウエハの変形が最も少ないウエハ支持方法。
B.ウエハ面内温度差がつきにくいウエハ支持方法。
C.接触点での摩擦力および凝着力が最小となるウエハ支持方法。
ここで、以下に挙げる支持部に関する物理的な定数は、前記(1)〜(4)のスリップ発生原因にそれぞれ関連すると考えられる。
1) ウエハ支持方法;(1)、(2)、(3)
2) 支持部の熱容量;(3)
3) ウエハと支持部との接触面積;(2)、(4)
4) 支持部の表面粗さ(接触部);(4)
従来のウエハ支持方法としては、例えば図15(a)に示されたウエハを3点で支持する方法(以下、3点支持という。)や、図16(a)に示されたウエハを4点で支持する方法(以下、4点支持という。)や、図17(a)に示されたウエハをリング部材(以下、リングという。)で支持する方法(以下、リング支持という。)等が、挙げられる。
これらのウエハ支持方法についてウエハの変形およびウエハ面内の典型的な位置での最大主応力をシミュレーションによって計算した結果は、図15(b)(c)、図16(b)(c)および図17(b)(c)の通りである。
図15(b)および図16(b)によれば、3点支持および4点支持の場合には、ウエハの周方向について隣合う二つ(一対)の支持点間での変形量が大きく、この部分でウエハが垂れることがわかる。
それに伴って、図15(c)および図16(c)から明らかなように、3点支持および4点支持の場合には、支持点位置でのウエハ表面の最大主応力が、1MPa以上と大きくなっている。
これに対して、リング支持の場合には、ウエハの周方向についての支持の特異点が存在しないので、図17(b)に示されているように、3点支持および4点支持の場合よりも変形量が小さく、また、図17(c)に示されているように、最大主応力も小さい。
特に、図17(c)によれば、ウエハ中心部での最大応力は、支持点半径すなわちリング外径の半径R(図17(a)参照)が95〜105mm程度の場合に極小となることが確認できる。
また、図17(c)によれば、支持点での応力も3点支持および4点支持の場合よりも小さくなることが確認できる。
以上のことから、外径が190〜210mm程度のリングによるウエハ支持方法が、ウエハの変形が最も少ない支持方法であるということになる。
ところで、類似のウエハ支持方法として、図18(b)に示されているように、ウエハ54の周縁部をリング58Bによって支持するウエハ支持方法がある。すなわち、このウエハ支持方法におけるリング58Bの外径はウエハ54の外径よりも大きく、このリング58Bの内径(貫通孔の口径)はウエハ54の外径よりも小さい。
しかし、このリング58Bによるウエハ支持方法の場合には、ウエハ54の中心部での垂れ量が大きくなるために、ウエハ裏面(下面)での最大主応力は、図17に示された外径が190〜210mm程度のリング支持の場合における最大主応力をはるかに超える値になる。つまり、ウエハ54の変形という観点においては、外径が190〜210mm程度のリングによりウエハを支持する場合と、ウエハの周縁部をリングにより支持する場合とでは全く異なる変形を呈することになる。
ウエハの自重によるウエハの変形に起因する変形応力(前記スリップ発生原因(1))が、スリップの主たる発生原因になっている場合には、スリップはウエハ面内における応力が最大の位置において発生すると考えられる。
すなわち、外径が190〜210mm程度のリングによるウエハ支持方法においては、支持部の表面でスリップが発生し、ウエハ周縁部に接触するリング58Bによるウエハ支持方法においては支持部表面ではなく、ウエハ54の中心部でスリップが発生することとなる。すなわち、外径が190〜210mm程度のリングとウエハ周縁部に接触するリング58Bでは、スリップ発生箇所も全く異なることとなる。
したがって、本発明は、外径がウエハ外径よりも小さい板状部材、その中でも外径が190〜210mm程度の板状部材、特に、リングによるウエハ支持方法を前提として、以下に述べる所定のスリップフリー率を達成できる熱容量および非接触部の面積の値を究明したものである。
ウエハ面内に温度差があると、それに起因した熱応力(前記スリップ発生原因(3))が発生するために、スリップの発生原因になる。これは、ウエハを搬入する温度から処理する温度までの温度変化のレート(昇温レート)を上げると、スリップが発生し易くなる現象からも、推察することができる。
ところで、温度変化のレートが一定の場合であっても、昇温時においては熱容量の大きな物は温まり難く、熱容量の小さな物は温まり易い。また、降温時においては、熱容量の大きな物は冷え難く、熱容量の小さな物は冷え易い。
したがって、昇温時においてはウエハを支持する板状部材(プレートおよびリング)の熱容量が大きい場合には、板状部材は温まり難くなり、その結果、板状部材に支持されるウエハは、板状部材との接触位置に近い部分ほど温まり難くなる。
また、降温時においてはウエハを支持する板状部材(プレートおよびリング)の熱容量が大きい場合には板状部材は冷え難くなり、その結果、板状部材に支持されるウエハは、板状部材との接触位置に近い部分ほど冷え難くなる。
また、縦型バッチ式熱処理装置の反応炉においては、ヒータがウエハの外側に位置することから、炉内が昇温する際にはウエハの周縁部が高温度領域になり、炉内が降温する際にはウエハの中心部が高温度領域になる。
このことから、ウエハ周縁部に接触する図18(b)に示されたリングによってウエハを支持する場合には、リングの熱容量の効果によって昇降温時のウエハ面内の温度差を緩和することができる。
これに対して、外径が190〜210mm程度のリングやプレート等の板状部材によってウエハを支持する場合には、昇温時はウエハのエッジから板状部材の周縁部までは容易に温まるが、それより半径の小さい方向(内部)へは板状部材も温める必要があるために、この部位での温度差が大きくなり易い。
したがって、リングによってウエハを周縁部で支持する場合には、その熱容量の検討は熱衝撃を緩和する効果があるために、比較的に安易でよい。
しかし、本発明に係る板状部材のようにウエハ面内部(外周より内側)でウエハを支持する場合には、その熱容量を極力低減させる必要がある。
図19はその結果を示している。
実験には、板状部材として厚みが6〜7mm、外径が200mm(表面側エッジにR面取り部を有するので、接触部の外径は200mm以下になっている。)の中央に貫通孔を有するリングを使用し、リング内径(貫通孔の口径)を変化させることにより、リングの質量すなわち熱容量を変化させたサンプルを使用した。すなわち、厚みおよび外径が同一であって貫通孔のない板状部材(プレート)すなわち内径が零であるリングの質量を基準(100%)として、質量が40%のサンプル、質量が32%のサンプル、質量が31%のサンプル、質量が26%のサンプル、質量が19%のサンプルを使用した。
実験の条件は次の通りである。
ウエハの直径は300mm、ウエハのピッチ(ウエハ間の距離)は13〜14mm、一度に処理するウエハの枚数は40〜50枚、処理温度は1300℃以上の温度である1300〜1400℃とした。
また、各サンプルは同時に実験炉内に設置し、それぞれを炉内の温度が均一な領域に設置した。
図19において、下側の横軸には、貫通孔のない板状部材(プレート)の質量に対するサンプルの質量の割合が取られており、上側の横軸には、下側横軸に対応する熱容量が取られている。
縦軸はスリップフリー率を示している。スリップフリー率は、スリップが観察されなかったウエハの枚数をトータル処理枚数で割った百分率を示している。
図19の結果によれば、リングの熱容量が100J/K(プレートに対するリングの質量の割合で32%)以下であれば、40%のスリップフリー率が得られることが明らかになった。
すなわち、ウエハ面内の温度差に起因する熱応力(前記スリップ発生原因(3))が発生させるスリップは、リング(板状部材)の熱容量が100J/K以下であれば、影響が少ないと判断することができる。
図19において、リングの熱容量をさらに減少させた場合に、スリップフリー率は極大値を示した後に、減少している。これは、次に述べる板状部材の接触面積の効果によるものと考えられる。
なお、図19の結果によれば、次の点も明らかになる。
リングの熱容量が61J/K以上103J/K以下(リングのプレートに対する質量の割合が18%以上31%以下)の場合には、50%以上のスリップフリー率が得られる。 リングの熱容量が63J/K以上96J/K以下(リングのプレートに対する質量の割合が19%以上29%以下)の場合には、60%以上のスリップフリー率が得られる。
リングの熱容量が66J/K以上91J/K以下(リングのプレートに対する質量の割合が20%以上28%以下)の場合には、70%以上のスリップフリー率が得られる。
リングの熱容量が70J/K以上84J/K以下(リングのプレートに対する質量の割合が21%以上26%以下)の場合には、80%以上のスリップフリー率が得られる。
なお、スリップフリー率は実用上、少なくとも50%以上とする必要があり、それより低いと実用上好ましくない。
ちなみに、前述の3点支持や4点支持の場合において、前述の実験と同様な条件、すなわち、ウエハの直径300mm、ウエハのピッチ13〜14mm、一度に処理するウエハの枚数40〜50枚、処理温度1300〜1400℃として、ウエハに対して熱処理を行う実験を行ったところ、ウエハにスリップが発生しないことはなくスリップフリー率は0%であった。
前述したように、ウエハと板状部材とが熱膨張率の差または温度差等によって支持面に平行な方向へ相対変形(熱膨張等)する際には、凝着部に剪断応力が発生し、これがスリップの発生原因の一つになる。ここで、その理由を簡単に説明する。
摩擦の一般的な概論としては、見かけの接触面積と真実の接触面積とは異なる。また、真実の接触面積は荷重および接触物の物性が同一であれば、見かけの接触面積によらず一定である。このことから、見かけの接触面積が小さくなれば、ウエハまたはウエハを支持する支持部の微視的な突起部において、食い込み量は増大することになる。
それは、支持されたウエハの支持点(接触点)でのウエハの自重に起因する圧縮応力(前記スリップ発生原因(2))を増大することになるとともに、接触点での摩擦力および凝着力(前記スリップ発生原因(4))の変化をもたらすことになる。
図20はその結果を示している。
実験には、板状部材として厚みが6〜7mm、外径が200mm(表面側エッジにR面取り部を有するので、接触部の外径は200mm以下になっている。)の中央に貫通孔を有するリングを使用し、リングの内径(貫通孔の口径)を変化させることにより、リングのウエハ載置面内におけるウエハとの非接触部の面積を変化させたサンプルを使用した。すなわち、厚みおよび外径が同一であって貫通孔のない板状部材(プレート)のウエハ載置面の面積を基準(0%)として、非接触部の面積が25%のサンプル、非接触部の面積が35%のサンプル、非接触部の面積が50%のサンプル、非接触部の面積が65%のサンプル、非接触部の面積が80%のサンプルを使用した。
実験の条件は次の通りである。
ウエハの直径は300mm、ウエハのピッチ(ウエハ間の距離)は13〜14mm、一度に処理するウエハの枚数は40〜50枚、処理温度は1300〜1400℃とした。
また、各サンプルは同時に実験炉内に設置し、それぞれを炉内の温度が均一な領域に設置した。
図20において、横軸には非接触部割合(プレートのウエハ載置面の面積に対するサンプルのウエハ載置面内におけるウエハとの非接触部の面積の割合)が取られており、百分率で示されている。
縦軸は各サンプルでのスリップフリー率を示している。
図20の結果によれば、スリップフリー率は非接触部割合が大きくなるにつれて上昇し、ある程度上昇した所で低下することがわかる。
また、図20によれば、次の点も明らかになる。
非接触部割合を50%以上83%以下に設定することにより、50%以上のスリップフリー率を達成することができる。
非接触部割合を55%以上80%以下に設定することにより、60%以上のスリップフリー率を達成することができる。
非接触部割合を58%以上78%以下に設定することにより、70%以上のスリップフリー率を達成することができる。
非接触部割合を64%以上75%以下に設定することにより、80%以上のスリップフリー率を達成することができる。
なお、上述のように、スリップフリー率は実用上、少なくとも50%以上とする必要があり、それより低いと実用上好ましくない。
ところで、第1の実施形態における基板の滑りを防止するための非接触部割合の範囲は25%以上94%以下であった。すなわち、実用上要求されるスリップフリー率を達成するための非接触部割合の範囲は、基板の滑りを防止するための非接触部割合の範囲内に含まれる。つまり、非接触部割合を50%以上83%以下に設定することにより、実用上要求されるスリップフリー率を達成できるだけでなく、基板の支持部への自動移載時における基板の滑りを防止することも可能となり、異なる課題を同時に解決できることが判明した。
図21(b)の縦軸に示されたウエハと板状部材との接触点での摩擦力(凝着力を含む。)が極小となる範囲は、図21(a)に示された接触部球の半径Rに依存しており、図21(a)に示された挟角θが減少することにより、摩擦力が極小となる範囲がより広くなっている。
すなわち、現実の板状部材の表面粗さRaが一定の場合には、見かけの接触面積を減少させると、ウエハを支持する微視的な点の数が減少するために、真実の接触面積一定の概念から食い込み量が大きくなる。
つまり、図21における挟角θが減少することになり、結局、板状部材の表面粗さRaが最適な範囲すなわち摩擦力が極小となる範囲に入る可能性が高くなる。
なお、本発明における板状部材でウエハを支持する場合の表面粗さRaの摩擦力が極小となる範囲は、1μm〜1000μmであることが確認できている。
一方、板状部材の非接触部割合を増加させて行くと、食い込み量はさらに大きくなる。この場合には、摩擦力よりも支持点(接触点)でのウエハ自重に起因する圧縮応力(前記スリップ発生原因(2))が大きくなるために、スリップフリー率が減少するものと、考えられる。
SOI(Silicon On Insulator)ウエハの一種であるSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)ウエハの製造方法の一工程に、本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施形態の熱処理装置を用いて、例えば、Ar、O2雰囲気の下で、1300℃〜1400℃、例えば1350℃以上の高温でアニールする。
これらの処理により、ウエハ内部にSiO2層が形成された(SiO2層が埋め込まれた)SIMOXウエハが作製される。
この場合、ウエハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中もしくはAr雰囲気中で1200℃程度以上の高温でアニールすることとなる。これにより、IC(集積回路)が作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
Claims (11)
- 基板を処理する反応容器と、
前記反応容器内で基板を支持する支持具と、
基板を前記支持具に移載する基板移載機と、
を有する熱処理装置であって、
前記基板移載機は基板の周縁部分を支持するアーム部を有し、
前記支持具は、
基板と接触する支持部と、
この支持部を支持する本体部と、
を有し、
前記支持部は、厚さが基板の厚さの2倍以上10mm以下であって、基板の周縁部分とは接触しないように基板を支持する板状部材で構成され、該板状部材の基板載置面内の中央部には基板と接触することなく外部と連通する非接触部が設けられ、この非接触部の面積は前記板状部材の基板載置面の外縁線で囲まれる領域の面積の25%以上94%以下の範囲に設定されている熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、前記基板移載機は、基板を前記支持部に移載する際の移載速度が1〜5mm/secとなるように設定されている熱処理装置。
- 請求項2記載の熱処理装置において、前記基板移載機は、基板を前記支持部に移載する際の移載速度が3〜4mm/secとなるように設定されている熱処理装置。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱処理装置において、前記非接触部の面積は前記板状部材の基板載置面の外縁線で囲まれる領域の面積の25%以上90%以下の範囲に設定されている熱処理装置。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱処理装置において、前記支持部は円板状であり、その直径が基板の直径の63%以上70%以下の範囲に設定されている熱処理装置。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の熱処理装置において、前記支持具は複数枚の基板を水平姿勢で間隔をもって複数段に支持するように構成される熱処理装置。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の熱処理装置において、前記本体部はSiCで構成され、前記支持部はSiまたはSiCで構成され、前記支持部の表面にはSiO 2 、SiCまたはSi 3 N 4 を含む層が形成されている熱処理装置。
- 基板を処理する反応容器と、
前記反応容器内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をもって複数段に支持する支持具と、
基板を前記支持具に移載する基板移載機と、
を有する熱処理装置であって、
前記支持具は、
複数枚の基板のそれぞれと接触する複数の支持部と、
この複数の支持部を水平姿勢で間隔をもって複数段に支持する本体部と、
を有し、
前記複数の支持部のそれぞれは、厚さが基板の厚さの2倍以上10mm以下であって、基板の周縁部分とは接触しないように基板を支持する板状部材で構成され、該板状部材の基板載置面内の中央部には基板と接触することなく外部と連通する非接触部が設けられ、この非接触部の面積は前記板状部材の基板載置面の外縁線で囲まれる領域の面積の25%以上94%以下の範囲に設定されており、
前記基板移載機は、基板の周縁部分を支持するアーム部を有し、基板を前記支持部に移載する際の移載速度が1〜5mm/secとなるように設定されていると共に、複数枚の基板を同時に移載するように構成されている熱処理装置。 - 厚さが基板の厚さの2倍以上10mm以下であって、基板の周縁部分とは接触しないように基板を支持する板状部材で構成され、該板状部材の基板載置面内の中央部には基板と接触することなく外部と連通する非接触部が設けられ、この非接触部の面積が前記板状部材の基板載置面の外縁線で囲まれる領域の面積の25%以上94%以下の範囲に設定された支持部に対して、基板の周縁部分を支持するように構成された基板移載機により基板を移載する工程と、
前記支持部により支持した基板を反応容器内に搬入する工程と、
前記支持部により支持した基板を前記反応容器内で熱処理する工程と、
前記支持部により支持した熱処理後の基板を前記反応容器より搬出する工程と、
を有する熱処理方法。 - 厚さが基板の厚さの2倍以上10mm以下であって、基板の周縁部分とは接触しないように基板を支持する板状部材で構成され、該板状部材の基板載置面内の中央部には基板と接触することなく外部と連通する非接触部が設けられ、この非接触部の面積が前記板状部材の基板載置面の外縁線で囲まれる領域の面積の25%以上94%以下の範囲に設定された支持部に対して、基板の周縁部分を支持するように構成された基板移載機により基板を移載する工程と、
前記支持部により支持した基板を反応容器内に搬入する工程と、
前記支持部により支持した基板を前記反応容器内で熱処理する工程と、
前記支持部により支持した熱処理後の基板を前記反応容器より搬出する工程と、
を有する基板の製造方法。 - 厚さが基板の厚さの2倍以上10mm以下であって、基板の周縁部分とは接触しないように基板を支持する板状部材で構成され、該板状部材の基板載置面内の中央部には基板と接触することなく外部と連通する非接触部が設けられ、この非接触部の面積が前記板状部材の基板載置面の外縁線で囲まれる領域の面積の25%以上94%以下の範囲に設定された支持部に対して、基板の周縁部分を支持するように構成された基板移載機により基板を移載する工程と、
前記支持部により支持した基板を反応容器内に搬入する工程と、
前記支持部により支持した基板を前記反応容器内で熱処理する工程と、
前記支持部により支持した熱処理後の基板を前記反応容器より搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006537808A JP4833074B2 (ja) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004287739 | 2004-09-30 | ||
JP2004287120 | 2004-09-30 | ||
JP2004287739 | 2004-09-30 | ||
JP2004287120 | 2004-09-30 | ||
JP2005232275 | 2005-08-10 | ||
JP2005232275 | 2005-08-10 | ||
PCT/JP2005/017967 WO2006035879A1 (ja) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
JP2006537808A JP4833074B2 (ja) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006035879A1 JPWO2006035879A1 (ja) | 2008-05-15 |
JP4833074B2 true JP4833074B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=36119024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006537808A Expired - Fee Related JP4833074B2 (ja) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7625205B2 (ja) |
JP (1) | JP4833074B2 (ja) |
KR (1) | KR100875464B1 (ja) |
WO (1) | WO2006035879A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4820755B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
JP4936707B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-05-23 | 株式会社東京精密 | プローバ |
JP4642692B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
KR101077106B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2011-10-26 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5130808B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-01-30 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート |
JP5071217B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2012-11-14 | 信越半導体株式会社 | 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法 |
US8042697B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-10-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low thermal mass semiconductor wafer support |
US20100098519A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment |
KR20110007434A (ko) * | 2009-07-16 | 2011-01-24 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 제조 장치 |
JP2011129679A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
JP2014093420A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Toyota Motor Corp | ウェハを支持ディスクに接着する治具、および、それを用いた半導体装置の製造方法 |
KR101990533B1 (ko) * | 2012-11-06 | 2019-09-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 배치식 기판처리장치 |
US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
EP2784422B1 (en) * | 2013-03-28 | 2017-10-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Holding plate for deposition and heat treatment and method of producing the same |
JP6287240B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
DE102015112036B4 (de) * | 2015-07-23 | 2017-05-11 | Schott Ag | Monolithische Unterlage zur vollflächigen Unterstützung eines Werkstücks |
KR101760316B1 (ko) | 2015-09-11 | 2017-07-21 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
CN112740373A (zh) * | 2018-09-20 | 2021-04-30 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147258A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの熱処理装置 |
JPH07326593A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Toshiba Corp | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JPH0992625A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用ボ−ト |
WO2001018856A1 (fr) * | 1999-09-03 | 2001-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Support de tranche |
JP2004200678A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 取外し可能な半導体ウェハサセプタ |
JP2006093283A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumco Corp | ウェーハ支持具 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE8321679U1 (de) * | 1983-07-27 | 1983-12-01 | Norton Co., 01606 Worcester, Mass. | Platte aus feuerfestem material |
JP3122364B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハボート |
US6293749B1 (en) * | 1997-11-21 | 2001-09-25 | Asm America, Inc. | Substrate transfer system for semiconductor processing equipment |
KR20010109748A (ko) * | 2000-06-02 | 2001-12-12 | 윤종용 | 웨이퍼 이송 장치 |
JP2002033284A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 縦型cvd用ウェハホルダー |
US6578893B2 (en) * | 2000-10-02 | 2003-06-17 | Ajs Automation, Inc. | Apparatus and methods for handling semiconductor wafers |
US6464445B2 (en) * | 2000-12-19 | 2002-10-15 | Infineon Technologies Richmond, Lp | System and method for improved throughput of semiconductor wafer processing |
US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
JP2004071730A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Sendai Nikon:Kk | レチクルハンドリング方法、レチクルハンドリング装置及び露光装置 |
WO2004030073A1 (ja) | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
US6852644B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-02-08 | The Boc Group, Inc. | Atmospheric robot handling equipment |
US6709267B1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-03-23 | Asm America, Inc. | Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss |
WO2004090967A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Sumco Corporation | 半導体ウェーハ用熱処理治具 |
US7654596B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-02-02 | Mattson Technology, Inc. | Endeffectors for handling semiconductor wafers |
US7329947B2 (en) * | 2003-11-07 | 2008-02-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor substrate |
US7163393B2 (en) * | 2004-02-02 | 2007-01-16 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor silicon substrate |
JP4534619B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2010-09-01 | 株式会社Sumco | 半導体シリコン基板用熱処理治具 |
-
2005
- 2005-09-29 JP JP2006537808A patent/JP4833074B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-29 KR KR1020077006112A patent/KR100875464B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-09-29 US US11/663,852 patent/US7625205B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-29 WO PCT/JP2005/017967 patent/WO2006035879A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147258A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの熱処理装置 |
JPH07326593A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Toshiba Corp | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JPH0992625A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用ボ−ト |
WO2001018856A1 (fr) * | 1999-09-03 | 2001-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Support de tranche |
JP2004200678A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 取外し可能な半導体ウェハサセプタ |
JP2006093283A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumco Corp | ウェーハ支持具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070083564A (ko) | 2007-08-24 |
US20070292814A1 (en) | 2007-12-20 |
KR100875464B1 (ko) | 2008-12-22 |
US7625205B2 (en) | 2009-12-01 |
JPWO2006035879A1 (ja) | 2008-05-15 |
WO2006035879A1 (ja) | 2006-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4833074B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4317871B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4386837B2 (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 | |
KR100692496B1 (ko) | 반도체 기판의 열처리 방법 및 장치 | |
JP4820755B2 (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
US20030170583A1 (en) | Heat treatment apparatus and a method for fabricating substrates | |
JP4597868B2 (ja) | 熱処理装置 | |
WO2007099786A1 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4611229B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007073865A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2006080294A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP4559257B2 (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板支持具 | |
JP2006100303A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
WO2004001835A1 (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2000124143A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2005093608A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005086132A (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法 | |
JP2005203482A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2009147383A (ja) | 熱処理方法 | |
JP2005044891A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2004281669A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2008078459A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005116750A (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110901 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |