JP4317871B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4317871B2 JP4317871B2 JP2006512485A JP2006512485A JP4317871B2 JP 4317871 B2 JP4317871 B2 JP 4317871B2 JP 2006512485 A JP2006512485 A JP 2006512485A JP 2006512485 A JP2006512485 A JP 2006512485A JP 4317871 B2 JP4317871 B2 JP 4317871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat treatment
- substrate
- support
- slip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/12—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H10P72/123—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterised by a material, a roughness, a coating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/12—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H10P72/127—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterised by the substrate support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
Description
本発明は、熱処理装置に関し、特に、被処理基板の保持技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に熱処理（thermal treatment ）を比較的に高い温度で施す熱処理工程に利用して有効な技術に関する。
ＩＣの製造方法においてウエハに酸化処理や拡散処理およびアニール処理のような熱処理を比較的に高い温度で施す熱処理工程には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置（以下、熱処理装置という。）は、ウエハが搬入される処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えている。
待機室において複数枚のウエハはボートに装填（ウエハチャージング）された後に、待機室から予熱された処理室に搬入（ボートローディング）される。そして、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、所望の熱処理がウエハに施される。
バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置（以下、熱処理装置という。）は、ウエハが搬入される処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えている。
待機室において複数枚のウエハはボートに装填（ウエハチャージング）された後に、待機室から予熱された処理室に搬入（ボートローディング）される。そして、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、所望の熱処理がウエハに施される。
従来のこの種の熱処理装置におけるボートは、上下で一対の端板と、両端板間に架設されて垂直に配設された例えば三本の保持部材と、この三本の保持部材に長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設された多数の保持溝とを備えている。ウエハは三本の保持部材の保持溝間に挿入されることにより、複数枚のウエハは水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持される。
ところが、このような構成のボートにおいては、次のような問題点がある。ウエハの全重量は三箇所の保持溝だけで支えられることになるため、熱ストレスがウエハに急激に加わった際に、結晶欠陥（スリップ）がウエハと保持溝との接触面間の引張応力や自重応力の関係から発生したり、ウエハが反ったりする。
ところが、このような構成のボートにおいては、次のような問題点がある。ウエハの全重量は三箇所の保持溝だけで支えられることになるため、熱ストレスがウエハに急激に加わった際に、結晶欠陥（スリップ）がウエハと保持溝との接触面間の引張応力や自重応力の関係から発生したり、ウエハが反ったりする。
この問題点を解決するための技術として、特許文献１には次のようなウエハホルダが開示されている。
このウエハホルダは炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されてウエハの周辺部を載置する円形リング形状に形成されている。このウエハホルダがウエハの全重量を全周にわたって分散して支持することにより、ウエハのウエハホルダとの支持点に作用する重力の負担を軽減してウエハのスリップや損傷および反りの発生を防止している。
特開平７−４５６９１号公報
このウエハホルダは炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されてウエハの周辺部を載置する円形リング形状に形成されている。このウエハホルダがウエハの全重量を全周にわたって分散して支持することにより、ウエハのウエハホルダとの支持点に作用する重力の負担を軽減してウエハのスリップや損傷および反りの発生を防止している。
一般に、ウエハと支持部との間に存在する突起との接触により、ウエハ自重による傷がウエハの裏面に形成され、その傷に起因する歪がスリップを発生させると、考えられている。そのため、ウエハを支持する支持部の表面を平滑に形成することによって突起を無くすことにより、ウエハと支持部との間に働く摩擦力を低減することが、従来からの「スリップ抑制」手段であった。
しかしながら、支持部の表面を平滑にし過ぎた場合には、突起による傷に起因するスリップではないスリップが確認されることがある。これは、支持部の表面を平滑にし過ぎたことにより、ウエハと支持部との界面の凝着力（２材料間の表面において、お互いの分子同士の分子力間力による結合力）によって、ウエハと支持部の表面とが貼り付き、それが剥がれるときにスリップが発生したと、考えられる（図１５参照）。
しかしながら、支持部の表面を平滑にし過ぎた場合には、突起による傷に起因するスリップではないスリップが確認されることがある。これは、支持部の表面を平滑にし過ぎたことにより、ウエハと支持部との界面の凝着力（２材料間の表面において、お互いの分子同士の分子力間力による結合力）によって、ウエハと支持部の表面とが貼り付き、それが剥がれるときにスリップが発生したと、考えられる（図１５参照）。
本発明の目的は、従来から問題とされて来た突起による傷に起因するスリップの発生を防止するとともに、平滑にし過ぎるために発生する凝着力に起因するスリップの発生を防止することにある。
本願が開示する発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を熱処理する処理室と、この処理室において前記基板を支持する支持具とを有し、前記支持具は前記基板と接触する支持板と、この支持板を支持する本体部とを有し、前記支持板の直径が前記基板の直径の６３〜７３％であるとともに、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、１μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
（２）前記（１）において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、１．５μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
（３）前記（１）において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、２μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
（４）前記（１）において、前記基板の直径が３００ｍｍであり、前記支持板の直径が、１９０ｍｍ〜２２０ｍｍであることを特徴とする熱処理装置。
（５）前記（１）において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の硬度は、前記基板の硬度と同等もしくはそれよりも大きいことを特徴とする熱処理装置。
（６）前記（１）において、前記本体部は炭化シリコンによって形成されており、前記支持板はシリコンまたは炭化シリコンによって形成されていることを特徴とする熱処理装置。
（７）前記（６）において、前記支持板の表面には酸化シリコン、炭化シリコンまたは窒化シリコンからなる層が形成されていることを特徴とする熱処理装置。
（８）前記（１）において、前記熱処理とは１３００℃以上の温度で行われる処理であることを特徴とする熱処理装置。
（９）前記（１）において、前記支持板には少なくとも一つの貫通孔が設けられていることを特徴とする熱処理装置。
（１０）直径が基板の直径の６３〜７３％であるとともに、少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが１μｍ〜１０００μｍである支持板にて前記基板を支持するステップと、
前記支持板にて支持した前記基板を処理室内に搬入するステップと、
前記支持板にて支持された前記基板を前記処理室内で熱処理するステップと、
前記熱処理後の前記基板を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
（１）基板を熱処理する処理室と、この処理室において前記基板を支持する支持具とを有し、前記支持具は前記基板と接触する支持板と、この支持板を支持する本体部とを有し、前記支持板の直径が前記基板の直径の６３〜７３％であるとともに、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、１μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
（２）前記（１）において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、１．５μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
（３）前記（１）において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、２μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
（４）前記（１）において、前記基板の直径が３００ｍｍであり、前記支持板の直径が、１９０ｍｍ〜２２０ｍｍであることを特徴とする熱処理装置。
（５）前記（１）において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の硬度は、前記基板の硬度と同等もしくはそれよりも大きいことを特徴とする熱処理装置。
（６）前記（１）において、前記本体部は炭化シリコンによって形成されており、前記支持板はシリコンまたは炭化シリコンによって形成されていることを特徴とする熱処理装置。
（７）前記（６）において、前記支持板の表面には酸化シリコン、炭化シリコンまたは窒化シリコンからなる層が形成されていることを特徴とする熱処理装置。
（８）前記（１）において、前記熱処理とは１３００℃以上の温度で行われる処理であることを特徴とする熱処理装置。
（９）前記（１）において、前記支持板には少なくとも一つの貫通孔が設けられていることを特徴とする熱処理装置。
（１０）直径が基板の直径の６３〜７３％であるとともに、少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが１μｍ〜１０００μｍである支持板にて前記基板を支持するステップと、
前記支持板にて支持した前記基板を処理室内に搬入するステップと、
前記支持板にて支持された前記基板を前記処理室内で熱処理するステップと、
前記熱処理後の前記基板を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
前記（１）によれば、基板の変位量（撓み量）が最小になるように基板を支持することができ、また、そのように基板を支持した場合における支持板の表面の突起による傷に起因するスリップと、支持板の表面を平滑にし過ぎた場合に発生する凝着力に起因するスリップとの両方を防止することができる。
前記（２）によれば、基板の変位量が最小になるように基板を支持する場合において、両方のスリップを確実に防止することができる。
前記（３）によれば、基板の変位量が最小になるように基板を支持する場合において、両方のスリップをより一層確実に防止することができる。
前記（４）によれば、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（５）によれば、支持板の少なくとも基板と接触する部分の硬度が基板の硬度と同等もしくはそれよりも大きい場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（６）によれば、本体部が炭化シリコンによって形成されており、支持板がシリコンまたは炭化シリコンによって形成されている場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（７）によれば、支持板の表面に酸化シリコン、炭化シリコンまたは窒化シリコンからなる層が形成されている場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（８）によれば、熱処理が１３００℃以上の温度で行われる処理である場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（９）によれば、支持板に少なくとも一つの貫通孔が設けられている場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（１０）によれば、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（２）によれば、基板の変位量が最小になるように基板を支持する場合において、両方のスリップを確実に防止することができる。
前記（３）によれば、基板の変位量が最小になるように基板を支持する場合において、両方のスリップをより一層確実に防止することができる。
前記（４）によれば、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（５）によれば、支持板の少なくとも基板と接触する部分の硬度が基板の硬度と同等もしくはそれよりも大きい場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（６）によれば、本体部が炭化シリコンによって形成されており、支持板がシリコンまたは炭化シリコンによって形成されている場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（７）によれば、支持板の表面に酸化シリコン、炭化シリコンまたは窒化シリコンからなる層が形成されている場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（８）によれば、熱処理が１３００℃以上の温度で行われる処理である場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（９）によれば、支持板に少なくとも一つの貫通孔が設けられている場合であっても、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
前記（１０）によれば、前記（１）と同様の効果を得ることができる。
１…ウエハ（被処理基板）、１０…酸化装置（バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置、熱処理装置）、１１…筐体、１２…プロセスチューブ、１３…処理室、１４…炉口、１５…流通孔、１６…ガス溜、１７…均熱チューブ、１８…ヒータユニット、１９…熱電対、２０…シールキャップ、２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…保持面、２７…Ｒ面取り部、３２…排気管、３３…排気ライン、３４…排気装置、３５…圧力調節器、３６…圧力センサ、３７…供給管、３８…処理ガス供給ライン、４０…酸素ガス源、４１…酸素ガス供給ライン、４２…窒素ガス源、４３…窒素ガス供給ライン、２９…ウエハホルダ（支持板）。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、本発明に係る熱処理装置は図１および図２に示されているように、構造的には熱処理装置（バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置）として構成されており、機能的にはウエハに酸化膜を形成するための酸化膜形成装置の一例であるドライ酸化装置（以下、単に、酸化装置という。）として構成されている。
本実施の形態においては、本発明に係る熱処理装置は図１および図２に示されているように、構造的には熱処理装置（バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置）として構成されており、機能的にはウエハに酸化膜を形成するための酸化膜形成装置の一例であるドライ酸化装置（以下、単に、酸化装置という。）として構成されている。
酸化装置１０はプロセスチューブ（反応管）１２を備えており、プロセスチューブ１２は石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。プロセスチューブ１２は中心線が垂直になるように縦に配されて、筐体１１の上部の設置室１１ａに支持されている。
プロセスチューブ１２の筒中空部は処理室１３を形成しており、処理室１３は複数枚のウエハ１を同心的に整列させた状態で保持したボート２１が搬入されるように構成されている。プロセスチューブ１２の下端開口はボート２１を搬入搬出するための炉口１４を構成している。
プロセスチューブ１２の上端の閉塞壁（以下、天井壁という。）には、複数個の流通孔１５がガスを処理室１３の全体に分散させるように配置されて厚さ方向に開設されており、プロセスチューブ１２の天井壁の上にはガス溜１６が流通孔１５群を覆うように形成されている。
プロセスチューブ１２の筒中空部は処理室１３を形成しており、処理室１３は複数枚のウエハ１を同心的に整列させた状態で保持したボート２１が搬入されるように構成されている。プロセスチューブ１２の下端開口はボート２１を搬入搬出するための炉口１４を構成している。
プロセスチューブ１２の上端の閉塞壁（以下、天井壁という。）には、複数個の流通孔１５がガスを処理室１３の全体に分散させるように配置されて厚さ方向に開設されており、プロセスチューブ１２の天井壁の上にはガス溜１６が流通孔１５群を覆うように形成されている。
プロセスチューブ１２の外側には均熱チューブ（均熱管）１７が同心円に設置されており、均熱チューブ１７も筐体１１に支持されている。均熱チューブ１７は炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。
均熱チューブ１７の外側にはヒータユニット１８が均熱チューブ１７を包囲するように同心円に設置されており、ヒータユニット１８も筐体１１に支持されている。プロセスチューブ１２と均熱チューブ１７との間には、熱電対１９が上下方向に敷設されており、ヒータユニット１８は熱電対１９の温度検出に基づくコントローラ（図示せず）の制御により、処理室１３内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
均熱チューブ１７の外側にはヒータユニット１８が均熱チューブ１７を包囲するように同心円に設置されており、ヒータユニット１８も筐体１１に支持されている。プロセスチューブ１２と均熱チューブ１７との間には、熱電対１９が上下方向に敷設されており、ヒータユニット１８は熱電対１９の温度検出に基づくコントローラ（図示せず）の制御により、処理室１３内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
プロセスチューブ１２の側壁の下部には排気管３２が、処理室１３に連通するように接続されており、排気管３２には排気ライン３３の一端が接続されている。排気ライン３３の他端には真空ポンプやブロア等によって構成された排気装置３４が接続されている。排気ライン３３の途中には圧力調節器３５が介設されており、圧力調節器３５は排気ライン３３の途中に接続された圧力センサ３６の検出結果に基づいてコントローラ（図示せず）によって制御されることにより、処理室１３の圧力を所定の圧力に制御するように構成されている。
プロセスチューブ１２の外側には供給管３７が敷設されており、供給管３７はプロセスチューブ１２の一部に沿って上下方向に延在した状態になっているとともに、上端がガス溜１６に接続されている。供給管３７の下端には処理ガス供給ライン３８が接続されており、処理ガス供給ライン３８には酸素（Ｏ2 ）ガス源４０に接続された酸素ガス供給ライン４１と、窒素（Ｎ2 ）ガス源４２に接続された窒素ガス供給ライン４３とがそれぞれ接続されている。
筐体１１の下部室である待機室１１ｂにおけるプロセスチューブ１２の真下には、プロセスチューブ１２の外径と略等しい円盤形状に形成されたシールキャップ２０が同心的に配置されており、シールキャップ２０は送りねじ機構によって構成されたボートエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるようになっている。シールキャップ２０の上には基板を支持する支持具としてのボート２１が垂直に立脚されて支持されている。
ボート２１は炭化シリコンが使用されて構成されており、上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された複数本（図示例では三本）の保持部材２４とを備えている。各保持部材２４には多数段の保持溝２５が、長手方向に等間隔に配されて同一の段において互いに対向して開口するように刻設されている。
図３に示されているように、各保持溝２５の上向き面から構成された保持面２６の外周縁辺（エッジ）には、Ｒ面取り部２７が形成されている。Ｒ面取り部２７の曲率半径は、１ｍｍ以上に設定されている。
保持面２６のウエハ１と接触する部分の表面は、表面粗さ（Ｒａ）が１０-6ｍ（１μｍ）ないし１０-3ｍ（１０００μｍ）に設定されている。ウエハ１は三本の保持部材２４、２４、２４の同一の段の保持溝２５、２５、２５に外周部を挿入されて、その下面における周辺部の三箇所を表面粗さ（Ｒａ）が１０-6ｍないし１０-3ｍに設定された保持面２６によって受けられることによって保持される。各保持溝２５によってそれぞれ保持された状態において、複数枚のウエハ１はボート２１に水平にかつ互いに中心を揃えて整列された状態になる。
図３に示されているように、各保持溝２５の上向き面から構成された保持面２６の外周縁辺（エッジ）には、Ｒ面取り部２７が形成されている。Ｒ面取り部２７の曲率半径は、１ｍｍ以上に設定されている。
保持面２６のウエハ１と接触する部分の表面は、表面粗さ（Ｒａ）が１０-6ｍ（１μｍ）ないし１０-3ｍ（１０００μｍ）に設定されている。ウエハ１は三本の保持部材２４、２４、２４の同一の段の保持溝２５、２５、２５に外周部を挿入されて、その下面における周辺部の三箇所を表面粗さ（Ｒａ）が１０-6ｍないし１０-3ｍに設定された保持面２６によって受けられることによって保持される。各保持溝２５によってそれぞれ保持された状態において、複数枚のウエハ１はボート２１に水平にかつ互いに中心を揃えて整列された状態になる。
次に、ウエハ１の下面に接触してウエハ１を支持する本発明の特徴である支持部における表面形状，粗さの設定方法について説明する。
一般に、ウエハの自重による傷がウエハと支持部に存在する突起との接触によってウエハに形成され、その傷に起因する歪がウエハにスリップを発生させると考えられている。したがって、スリップの発生を防止（以下、スリップフリーという場合がある。）するためには、ウエハの自重による傷の発生を抑制する必要がある。さらに、ウエハの自重による傷を抑制するためには、突起で発生する力を低減する必要がある。
一般的には、ウエハと支持部との間に働く摩擦力Ｆｆは、次式（１）の通り、ウエハの自重による垂直荷重Ｌに摩擦係数μを乗じた大きさで表される（クーロンの法則）。
Ｆｆ＝μ×Ｌ ・・・（１）
そのため、スリップフリーを実現するための手段としては、ウエハを支持する部分の表面を可及的に平滑に形成することにより、ウエハと支持部との間の摩擦係数μを小さくする場合が多い。
ところが、摩擦係数μは原則的に一定であり、支持部の表面を平滑にすることは、実際には垂直荷重を微視的な支持点の増加で分割させることにより、各支持点に働く摩擦力を低減していることになる。
一般に、ウエハの自重による傷がウエハと支持部に存在する突起との接触によってウエハに形成され、その傷に起因する歪がウエハにスリップを発生させると考えられている。したがって、スリップの発生を防止（以下、スリップフリーという場合がある。）するためには、ウエハの自重による傷の発生を抑制する必要がある。さらに、ウエハの自重による傷を抑制するためには、突起で発生する力を低減する必要がある。
一般的には、ウエハと支持部との間に働く摩擦力Ｆｆは、次式（１）の通り、ウエハの自重による垂直荷重Ｌに摩擦係数μを乗じた大きさで表される（クーロンの法則）。
Ｆｆ＝μ×Ｌ ・・・（１）
そのため、スリップフリーを実現するための手段としては、ウエハを支持する部分の表面を可及的に平滑に形成することにより、ウエハと支持部との間の摩擦係数μを小さくする場合が多い。
ところが、摩擦係数μは原則的に一定であり、支持部の表面を平滑にすることは、実際には垂直荷重を微視的な支持点の増加で分割させることにより、各支持点に働く摩擦力を低減していることになる。
ここで、ウエハと支持部との接触は、図４に示されているような平面（ウエハ）と半球状突起との接触であると、想定する。
図４において、Ｒは半球状突起の曲率半径、ａは半球状突起によって平面に形成される傷の半径、ｈは同じく傷の深さ、Ａは同じく傷の表面積、である。傷の表面積Ａは真実接触面積と呼ばれている。真実接触面積Ａは、二つの材料が垂直荷重Ｌで接触した場合に、軟らかい材料（降伏応力が小さい方の材料）が塑性変形し、接触面にかかる応力が当該降伏応力（σ）に等しくなるまで変形する面積であり、次式（２）で表される。そして、真実接触面積Ａの値は、接触する二つの材料に固有の値であり、表面状態に依存しない。
Ａ［ｍ2 ］＝Ｌ［Ｎ］／σ［Ｐａ］ ・・・（２）
図４において、Ｒは半球状突起の曲率半径、ａは半球状突起によって平面に形成される傷の半径、ｈは同じく傷の深さ、Ａは同じく傷の表面積、である。傷の表面積Ａは真実接触面積と呼ばれている。真実接触面積Ａは、二つの材料が垂直荷重Ｌで接触した場合に、軟らかい材料（降伏応力が小さい方の材料）が塑性変形し、接触面にかかる応力が当該降伏応力（σ）に等しくなるまで変形する面積であり、次式（２）で表される。そして、真実接触面積Ａの値は、接触する二つの材料に固有の値であり、表面状態に依存しない。
Ａ［ｍ2 ］＝Ｌ［Ｎ］／σ［Ｐａ］ ・・・（２）
ここで、図５に示されているように、複数の半球状突起の連続体がウエハを支持しているものと仮定した場合について説明する。
複数の半球状突起のそれぞれには「ウエハの自重Ｌ／支持点数Ｐ」の垂直荷重がかかる。なお、以降に記載する記号で、添字に「ｐ」が付加されているものは、「支持点一箇所当たり」という意味とする。
表面粗さ（Ｒａ）が大きいということは、図５（ａ）に示されているように、半球状突起の曲率半径（Ｒｐ）が大きく、支持点数が少ない状態である。表面粗さ（Ｒａ）が小さいということは、図５（ｂ）に示されているように、半球状突起の曲率半径（Ｒｐ）が小さく、支持点数が多い状態である。
半球状突起の曲率半径が大きい場合には、各支持点に働く摩擦力が大きくなることにより、ウエハに形成される傷が深く、大きくなるために、その傷を起点としたスリップが発生し易くなる。逆に、半球状突起の曲率半径が小さい場合には、各支持点に働く垂直荷重が低減することにより、スリップの起点となる傷の形成が抑制されることになる。
複数の半球状突起のそれぞれには「ウエハの自重Ｌ／支持点数Ｐ」の垂直荷重がかかる。なお、以降に記載する記号で、添字に「ｐ」が付加されているものは、「支持点一箇所当たり」という意味とする。
表面粗さ（Ｒａ）が大きいということは、図５（ａ）に示されているように、半球状突起の曲率半径（Ｒｐ）が大きく、支持点数が少ない状態である。表面粗さ（Ｒａ）が小さいということは、図５（ｂ）に示されているように、半球状突起の曲率半径（Ｒｐ）が小さく、支持点数が多い状態である。
半球状突起の曲率半径が大きい場合には、各支持点に働く摩擦力が大きくなることにより、ウエハに形成される傷が深く、大きくなるために、その傷を起点としたスリップが発生し易くなる。逆に、半球状突起の曲率半径が小さい場合には、各支持点に働く垂直荷重が低減することにより、スリップの起点となる傷の形成が抑制されることになる。
ところが、図６の垂直荷重および凝着力と摩擦係数との関係を示すグラフにおける実線曲線に示されているように、垂直荷重が非常に小さい条件下においては、摩擦係数μが非常に大きくなることがある。これは、摩擦力Ｆｆが実際には、次式（３）で表される通り、垂直荷重Ｌと「凝着力Ｆａ」の和に界面での一定値の見かけの摩擦係数（μ’）を乗じた大きさで表されるからである。なお、図６および考察の出典は、次の通りである。
安藤泰久，「マイクロマシーンとトライボロジー」，表面科学，１９９８年，第１９巻，第６号，ｐ．３８５−３９１
ここで、「凝着力Ｆａ」とは、二つの材料の間の表面において、お互いの分子同士の分子間力（ファンデルワールス力）による結合力のことである。
Ｆｆ＝μ’（Ｌ＋Ｆａ） ・・・（３）
ここで、凝着力Ｆａは、図４に示された接触モデルを想定した場合には、ＪＫＲ理論から次式（４）で表される。
Ｆａ＝３／２×γπＲ ・・・（４）
式（４）において、γは材料に固有の平面の表面エネルギーであり、Ｓｉ（１００）場合は、２．１３［Ｎ／ｍ］、である。式（４）からは、凝着力Ｆａが半球状突起の曲率半径Ｒに比例することが判る。
式（１）と式（３）とから、摩擦係数μは、次式（５）で表される。
μ＝μ’（Ｌ＋Ｆａ）／Ｌ ・・・（５）
但し、Ｆａ＝ｐ×Ｆａｐ ・・・（６）
安藤泰久，「マイクロマシーンとトライボロジー」，表面科学，１９９８年，第１９巻，第６号，ｐ．３８５−３９１
ここで、「凝着力Ｆａ」とは、二つの材料の間の表面において、お互いの分子同士の分子間力（ファンデルワールス力）による結合力のことである。
Ｆｆ＝μ’（Ｌ＋Ｆａ） ・・・（３）
ここで、凝着力Ｆａは、図４に示された接触モデルを想定した場合には、ＪＫＲ理論から次式（４）で表される。
Ｆａ＝３／２×γπＲ ・・・（４）
式（４）において、γは材料に固有の平面の表面エネルギーであり、Ｓｉ（１００）場合は、２．１３［Ｎ／ｍ］、である。式（４）からは、凝着力Ｆａが半球状突起の曲率半径Ｒに比例することが判る。
式（１）と式（３）とから、摩擦係数μは、次式（５）で表される。
μ＝μ’（Ｌ＋Ｆａ）／Ｌ ・・・（５）
但し、Ｆａ＝ｐ×Ｆａｐ ・・・（６）
図７は、事前の評価として「１２００℃」の熱処理を実施した時に得られたシリコンの降伏応力値および既に公知のＳｉの降伏応力値から、「１３５０℃」の熱処理での真実接触面積Ａを近似計算し、式（５）に適用した場合の摩擦係数μおよび支持点当たりの単位面積に働く垂直荷重と、曲率半径Ｒｐとの関係を示している。このとき、見かけの摩擦係数μ’は一定値「１」としている。
半球状突起の曲率半径が小さい領域（平滑平面）において摩擦係数μは、凝着力Ｆａ項が支配的になるために、急激に増加し、ウエハと支持部との間に大きな摩擦力Ｆｆが働くことが判る。逆に、支持点当たりの単位面積に働く荷重は、曲率半径（Ｒｐ）と共に増加する。
スリップの発生を抑制するには、突起による傷の形成を抑制（突起一個当たりに働く荷重を小さく）すること、また、ウエハと支持部との間に働く摩擦力Ｆｆを小さくする必要がある。そのためには、図７において、次の二つの領域のバランスが取れた曲率半径Ｒｐとなる表面状態が必要になる。
1) 摩擦係数μが小さい領域
2) 支持部一点当たりの垂直荷重が小さい領域
半球状突起の曲率半径が小さい領域（平滑平面）において摩擦係数μは、凝着力Ｆａ項が支配的になるために、急激に増加し、ウエハと支持部との間に大きな摩擦力Ｆｆが働くことが判る。逆に、支持点当たりの単位面積に働く荷重は、曲率半径（Ｒｐ）と共に増加する。
スリップの発生を抑制するには、突起による傷の形成を抑制（突起一個当たりに働く荷重を小さく）すること、また、ウエハと支持部との間に働く摩擦力Ｆｆを小さくする必要がある。そのためには、図７において、次の二つの領域のバランスが取れた曲率半径Ｒｐとなる表面状態が必要になる。
1) 摩擦係数μが小さい領域
2) 支持部一点当たりの垂直荷重が小さい領域
図７に示す例でいえば、曲率半径が１０-6ｍ以上の連続突起で支持した場合、摩擦係数（μ）は「１０」程度と大きいが、垂直荷重は１０-4［Ｎ／個／ｍ2 ］と小さく、突起による傷形成が原因となるスリップは発生し難いと、考えられる。
これ以上小さい連続突起での支持の場合、垂直荷重はさらに小さくなるが、凝着力に影響する摩擦係数（μ）が増加するため、突起とウエハとの接触部において凝着力により傷が形成され、それに起因するスリップが発生する。
また、逆に、曲率半径が１０-3ｍ以上の「大きな」連続突起で支持した場合には、摩擦係数は充分に小さいが、支持点当たりの垂直荷重が大きくなり、突起による傷形成が原因となるスリップが発生し易くなる。
つまり、最適なウエハ支持表面としては、曲率半径が１０-6ｍないし１０-3ｍ程度の連続突起で支持するとよい。このときの表面粗さ（Ｒａ）を計算すると、約１０-6ｍないし１０-3ｍになる。
これ以上小さい連続突起での支持の場合、垂直荷重はさらに小さくなるが、凝着力に影響する摩擦係数（μ）が増加するため、突起とウエハとの接触部において凝着力により傷が形成され、それに起因するスリップが発生する。
また、逆に、曲率半径が１０-3ｍ以上の「大きな」連続突起で支持した場合には、摩擦係数は充分に小さいが、支持点当たりの垂直荷重が大きくなり、突起による傷形成が原因となるスリップが発生し易くなる。
つまり、最適なウエハ支持表面としては、曲率半径が１０-6ｍないし１０-3ｍ程度の連続突起で支持するとよい。このときの表面粗さ（Ｒａ）を計算すると、約１０-6ｍないし１０-3ｍになる。
ここで、図４に示された半球状突起から、図７に示された摩擦係数μ、実評価に用いた表面粗さＲａを導出するまでを説明する。
まず、支持点当たりの各パラメータの計算を説明する。真実接触面積Ａは、曲率半径Ｒの半球状突起を半径ａ（傷の半径）で切り取った部分の表面積になる。切り取った部分の高さｈ（傷の深さ）で、角度をθとすると、次式の通りになる。
Ａ＝２πＲ2 （１−ｓｉｎθ） ・・・（７）
ａ＝Ｒｃｏｓθ ・・・（８）
ｈ＝Ｒ（１−ｓｉｎθ） ・・・（９）
ここで、傷の深さｈを傷の半径ａで除した食い込み度をＤｐとすると、
Ｄｐ＝ｈ／ａ ・・・（１０）
ａ＝［Ａ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１１）
ｈ＝ａ×Ｄｐ＝Ｄｐ×［Ａ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１２）
Ｒ＝｛Ａ×（１＋Ｄｐ2 ）／（４πＤｐ2 ）｝1/2 ・・・（１３）
が求まる。
Ｐ個の支持点数で支持する場合には、真実接触面積Ａおよび垂直荷重は、その支持点数Ｐで分割すればよく、
Ａｐ＝Ａ／Ｐ ・・・（１４）
Ｌｐ＝Ｌ／Ｐ ・・・（１５）
となる。これを式（３）、（４）、（１１）ないし（１３）に適用すると、
Ｆｆｐ＝μ’（Ｌｐ＋Ｆａｐ） ・・・（１６）
Ｆａｐ＝３／２×γπＲｐ ・・・（１７）
ａｐ＝［Ａｐ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１８）
ｈｐ＝ａ×Ｄｐ＝Ｄｐ×［Ａｐ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１９）
Ｒｐ＝｛Ａｐ×（１＋Ｄｐ2 ）／（４πＤｐ2 ）｝1/2 ・・・（２０）
がそれぞれ支持点一点当たりの値になる。
まず、支持点当たりの各パラメータの計算を説明する。真実接触面積Ａは、曲率半径Ｒの半球状突起を半径ａ（傷の半径）で切り取った部分の表面積になる。切り取った部分の高さｈ（傷の深さ）で、角度をθとすると、次式の通りになる。
Ａ＝２πＲ2 （１−ｓｉｎθ） ・・・（７）
ａ＝Ｒｃｏｓθ ・・・（８）
ｈ＝Ｒ（１−ｓｉｎθ） ・・・（９）
ここで、傷の深さｈを傷の半径ａで除した食い込み度をＤｐとすると、
Ｄｐ＝ｈ／ａ ・・・（１０）
ａ＝［Ａ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１１）
ｈ＝ａ×Ｄｐ＝Ｄｐ×［Ａ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１２）
Ｒ＝｛Ａ×（１＋Ｄｐ2 ）／（４πＤｐ2 ）｝1/2 ・・・（１３）
が求まる。
Ｐ個の支持点数で支持する場合には、真実接触面積Ａおよび垂直荷重は、その支持点数Ｐで分割すればよく、
Ａｐ＝Ａ／Ｐ ・・・（１４）
Ｌｐ＝Ｌ／Ｐ ・・・（１５）
となる。これを式（３）、（４）、（１１）ないし（１３）に適用すると、
Ｆｆｐ＝μ’（Ｌｐ＋Ｆａｐ） ・・・（１６）
Ｆａｐ＝３／２×γπＲｐ ・・・（１７）
ａｐ＝［Ａｐ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１８）
ｈｐ＝ａ×Ｄｐ＝Ｄｐ×［Ａｐ／｛π×（１＋Ｄｐ2 ）｝］1/2 ・・・（１９）
Ｒｐ＝｛Ａｐ×（１＋Ｄｐ2 ）／（４πＤｐ2 ）｝1/2 ・・・（２０）
がそれぞれ支持点一点当たりの値になる。
次に、ＩＣの製造方法において、前記構成に係る酸化装置を用いてウエハに酸化膜を形成する工程を説明する。
図１に示されているように、酸化膜形成処理に際して、複数枚のウエハ１を整列保持したボート２１はシールキャップ２０の上にウエハ１群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータによって差し上げられてプロセスチューブ１２の炉口１４から処理室１３に搬入（ボートローディング）されて行き、シールキャップ２０に支持されたままの状態で処理室１３に存置される。この状態で、シールキャップ２０はシールリングを挟んで密着することにより、処理室１３を気密に閉じた状態になる。
図１に示されているように、酸化膜形成処理に際して、複数枚のウエハ１を整列保持したボート２１はシールキャップ２０の上にウエハ１群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータによって差し上げられてプロセスチューブ１２の炉口１４から処理室１３に搬入（ボートローディング）されて行き、シールキャップ２０に支持されたままの状態で処理室１３に存置される。この状態で、シールキャップ２０はシールリングを挟んで密着することにより、処理室１３を気密に閉じた状態になる。
処理室１３が気密に閉じられた状態で、処理室１３の内部が排気ライン３３によって排気され、ヒータユニット１８によって所定の温度に加熱され、ウエハの温度が処理温度（例えば、１０００〜１２００℃）に達して安定化すると、酸素ガスおよび窒素ガスがそれぞれ酸素ガス供給ライン４１および窒素ガス供給ライン４３によって処理ガス供給ライン３８へ所定の流量供給される。
処理ガス供給ライン３８に供給された酸素ガスおよび窒素ガスは、処理ガス供給ライン３８から供給管３７へ送り出され、供給管３７によりプロセスチューブ１２のガス溜１６に供給される。ガス溜１６に供給された処理ガスは流通孔１５によって処理室１３内の全体にわたって均等に分散される。
処理室１３に均一に分散された処理ガスはボート２１に保持された複数枚のウエハ１にそれぞれ均一に接触しながら処理室１３を流下し、排気管３２から排気ライン３３の排気力によって処理室１３の外部に排気される。処理ガスのウエハ１の表面への接触による処理ガスの酸化反応により、ウエハ１の表面には酸化膜が形成される。
処理ガス供給ライン３８に供給された酸素ガスおよび窒素ガスは、処理ガス供給ライン３８から供給管３７へ送り出され、供給管３７によりプロセスチューブ１２のガス溜１６に供給される。ガス溜１６に供給された処理ガスは流通孔１５によって処理室１３内の全体にわたって均等に分散される。
処理室１３に均一に分散された処理ガスはボート２１に保持された複数枚のウエハ１にそれぞれ均一に接触しながら処理室１３を流下し、排気管３２から排気ライン３３の排気力によって処理室１３の外部に排気される。処理ガスのウエハ１の表面への接触による処理ガスの酸化反応により、ウエハ１の表面には酸化膜が形成される。
予め設定された処理時間が経過すると、処理室１３への酸素ガスおよび窒素ガスの供給が停止される。そして、処理室１３やガス溜１６等が窒素ガスによってパージされた後に、シールキャップ２０がボートエレベータによって下降され、ボート２１が処理室１３から待機室１１ｂに搬出（ボートアンローディング）される。
ボートアンローディングステップが終了すると、ボート２１から処理済みのウエハ１を取り出すためのウエハディスチャージステップが実行される。
ボートアンローディングステップが終了すると、ボート２１から処理済みのウエハ１を取り出すためのウエハディスチャージステップが実行される。
以降、前述した作用が繰り返されることにより、酸化装置によってウエハがバッチ処理されて行く。
以上の酸化膜形成工程においては、一般に、ウエハと支持部間との間に存在する突起との接触により、ウエハ自重による傷がウエハの裏面に形成され、その傷に起因する歪がスリップを発生させると、考えられている。そのため、従来から、ウエハ支持の表面を平滑にし、突起を無くすことにより、ウエハと支持部との間に働く摩擦力を低減することが実施されている。
しかしながら、支持部の表面を平滑にし過ぎた場合には、突起による傷に起因するスリップではないスリップが確認されることがある。これは、支持部の表面を平滑にし過ぎたことにより、ウエハと支持部との界面の凝着力によって、ウエハと支持部表面とが貼り付き、それが剥がれるときにスリップが発生したと、考えられる。
しかしながら、支持部の表面を平滑にし過ぎた場合には、突起による傷に起因するスリップではないスリップが確認されることがある。これは、支持部の表面を平滑にし過ぎたことにより、ウエハと支持部との界面の凝着力によって、ウエハと支持部表面とが貼り付き、それが剥がれるときにスリップが発生したと、考えられる。
本実施の形態においては、支持部すなわちボート２１の保持溝２５の保持面２６の表面粗さ（Ｒａ）が１０-6ｍないし１０-3ｍに設定されていることにより、従来から問題とされて来た突起による傷に起因するスリップと、平滑にし過ぎるために発生する凝着力に起因するスリップとの両方を防止することができる。
前記した実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) ウエハに接触して支持する支持部の表面粗さ（Ｒａ）を１０-6ｍないし１０-3ｍに設定することにより、酸化装置での酸化処理に際して、ウエハの支持部との接触部位にスリップが発生するのを防止することができるので、酸化装置ひいてはＩＣの製造方法全体としての製造歩留りを向上させることができる。
2) 支持部を炭化シリコンによって形成することにより、支持部のシリコンウエハとの接触部位での凝着度を所定値に設定することができるので、食い込み度を所定値未満に設定して、支持部の表面粗さ（Ｒａ）を１０-6ｍないし１０-3ｍに設定することにより、酸化装置での酸化処理に際して、ウエハの支持部との接触部位にスリップが発生するのを防止することができる。
図８は本発明の他の実施の形態である酸化装置を示しており、（ａ）はボートの保持溝の部分を示す平面断面図、（ｂ）は一部省略正面図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、支持具がウエハと接触する支持板としてのウエハホルダ２９と、この支持板としてのウエハホルダ２９を支持する本体部とを有し、ウエハ１がウエハホルダ２９によって支持されるように構成されている点、である。
本実施の形態に係るウエハホルダ２９は、シリコンからなる円板形状のプレートの表面に、硬度がシリコンのそれよりも大きい炭化シリコン膜または窒化シリコン膜が形成されて構成されている。
なお、ウエハホルダ２９は、シリコンからなる円板形状のプレートの表面に硬度がシリコンのそれよりも小さい酸化シリコン膜を形成して、構成してもよい。
また、ウエハホルダ２９は炭化シリコンによって構成してもよい。
ウエハホルダ２９の直径Ｄ29は、ウエハ１の直径Ｄ1 の略２／３以上ないしウエハ１の直径Ｄ1 未満に設定され、好ましくは、ウエハ１の直径Ｄ1 の６３〜７３％に設定され、さらに好ましくは、ウエハ１の直径Ｄ1 の６５〜７５％に設定される。
例えば、ウエハの直径Ｄ1 が３００ｍｍである場合には、ウエハホルダ２９の直径Ｄ29は略２００ｍｍないし３００ｍｍに設定され、好ましくは１９０〜２２０ｍｍ、さらに好ましくは、１９５〜２１０ｍｍに設定される。
ウエハホルダ２９のウエハ１と接触する表面の表面粗さ（Ｒａ）は、１０-6ｍ（１μｍ）ないし１０-3ｍ（１０００μｍ）に設定され、好ましくは、１．５〜１０００μｍに設定され、さらに好ましくは、２〜１０００μｍに設定される。
本実施の形態に係るウエハホルダ２９は、シリコンからなる円板形状のプレートの表面に、硬度がシリコンのそれよりも大きい炭化シリコン膜または窒化シリコン膜が形成されて構成されている。
なお、ウエハホルダ２９は、シリコンからなる円板形状のプレートの表面に硬度がシリコンのそれよりも小さい酸化シリコン膜を形成して、構成してもよい。
また、ウエハホルダ２９は炭化シリコンによって構成してもよい。
ウエハホルダ２９の直径Ｄ29は、ウエハ１の直径Ｄ1 の略２／３以上ないしウエハ１の直径Ｄ1 未満に設定され、好ましくは、ウエハ１の直径Ｄ1 の６３〜７３％に設定され、さらに好ましくは、ウエハ１の直径Ｄ1 の６５〜７５％に設定される。
例えば、ウエハの直径Ｄ1 が３００ｍｍである場合には、ウエハホルダ２９の直径Ｄ29は略２００ｍｍないし３００ｍｍに設定され、好ましくは１９０〜２２０ｍｍ、さらに好ましくは、１９５〜２１０ｍｍに設定される。
ウエハホルダ２９のウエハ１と接触する表面の表面粗さ（Ｒａ）は、１０-6ｍ（１μｍ）ないし１０-3ｍ（１０００μｍ）に設定され、好ましくは、１．５〜１０００μｍに設定され、さらに好ましくは、２〜１０００μｍに設定される。
次に、本実施の形態に係る特徴であるウエハホルダ２９の直径の設定方法について説明する。
図９はウエハをウエハホルダで支持したモデル（以下、ウエハホルダ支持モデルという。）と、ウエハを４点で支持したモデル（以下、４点支持モデルという。）とによる支持位置とウエハの端、中心での変位量の関係に関する解析結果を示すグラフである。
図９において、実線曲線がウエハホルダ支持モデルの場合を示しており、破線曲線が４点支持モデルの場合を示している。
図１０はその解析に使用されたモデルを示す模式図であり、（ａ）はウエハホルダ支持モデルを示し、（ｂ）は４点支持モデルを示している。
図１０中、１はウエハ、２９はウエハホルダ、６１、６２、６３、６４は四つの支持点であり、ウエハホルダ２９の半径ｒと同一の半径ｒの上に互いに９０度の位相差をもってそれぞれ配置されている。７１ないし７５は各測定点である。第一測定点７１はウエハホルダ支持モデルの中心Ｏに位置し、第二測定点７２はウエハホルダ支持モデルのウエハ１の端に位置する。第三測定点７３は４点支持モデルの中心Ｏに位置し、第四測定点７４はウエハの中心Ｏから第四支持点６４の延長線上のウエハ１の端に位置し、第五測定点７５はウエハの中心Ｏから隣合う第一支持点６１と第四支持点６４との中点を結ぶ直線の延長線上のウエハ１の端に位置する。
図９によれば、ウエハホルダ支持モデルおよび４点支持モデルに関わらず、支持位置をウエハの中心から半径９５ｍｍ〜１１０ｍｍ、好ましくは９７．５ｍｍ〜１０５ｍｍ、さらに好ましくは略１００ｍｍの位置に設定することにより、最も変位量が小さくなることが判る。
しかしながら、４点支持モデルにおいては、ウエハの中心から支持点を通る延長線上に位置する第四測定点７４において変位量が０ｍｍになるが、隣合う支持点の中点に位置する第五測定点７５においては、下方向に僅かに垂れる（−０．０１６ｍｍ）という結果になっている。すなわち、４点支持モデルの場合には、支持点の位置（角度ないし位相差）によって、同心円状で変位量が異なるということになる。
つまり、図８に示されているように、半径が１５０ｍｍすなわち直径が３００ｍｍのウエハ１を半径が９５ｍｍ、好ましくは９７．５ｍｍ、さらに好ましくは１００ｍｍすなわち直径が１９０ｍｍ、好ましくは１９５ｍｍ、さらに好ましくは２００ｍｍ以上のウエハホルダ２９によって支持すれば、ウエハ１の自重による変位は問題とならない。
すなわち、ウエハホルダ２９の直径はウエハ１の直径の６３％以上、好ましくは６５％以上、さらに好ましくは「２／３」以上あればよい。
但し、本実施の形態においては、ウエハ１をウエハホルダ２９に対して授受するウエハ移載装置（wafer transfer equipment）のツィーザの挿入スペース等を考慮し、ウエハホルダ２９の直径はウエハ１の略「２／３」以上ウエハ１の直径未満、好ましくはウエハ１の直径の６０％以上７３％以下、好ましくは６３％以上７０％以下、に設定した。
図９はウエハをウエハホルダで支持したモデル（以下、ウエハホルダ支持モデルという。）と、ウエハを４点で支持したモデル（以下、４点支持モデルという。）とによる支持位置とウエハの端、中心での変位量の関係に関する解析結果を示すグラフである。
図９において、実線曲線がウエハホルダ支持モデルの場合を示しており、破線曲線が４点支持モデルの場合を示している。
図１０はその解析に使用されたモデルを示す模式図であり、（ａ）はウエハホルダ支持モデルを示し、（ｂ）は４点支持モデルを示している。
図１０中、１はウエハ、２９はウエハホルダ、６１、６２、６３、６４は四つの支持点であり、ウエハホルダ２９の半径ｒと同一の半径ｒの上に互いに９０度の位相差をもってそれぞれ配置されている。７１ないし７５は各測定点である。第一測定点７１はウエハホルダ支持モデルの中心Ｏに位置し、第二測定点７２はウエハホルダ支持モデルのウエハ１の端に位置する。第三測定点７３は４点支持モデルの中心Ｏに位置し、第四測定点７４はウエハの中心Ｏから第四支持点６４の延長線上のウエハ１の端に位置し、第五測定点７５はウエハの中心Ｏから隣合う第一支持点６１と第四支持点６４との中点を結ぶ直線の延長線上のウエハ１の端に位置する。
図９によれば、ウエハホルダ支持モデルおよび４点支持モデルに関わらず、支持位置をウエハの中心から半径９５ｍｍ〜１１０ｍｍ、好ましくは９７．５ｍｍ〜１０５ｍｍ、さらに好ましくは略１００ｍｍの位置に設定することにより、最も変位量が小さくなることが判る。
しかしながら、４点支持モデルにおいては、ウエハの中心から支持点を通る延長線上に位置する第四測定点７４において変位量が０ｍｍになるが、隣合う支持点の中点に位置する第五測定点７５においては、下方向に僅かに垂れる（−０．０１６ｍｍ）という結果になっている。すなわち、４点支持モデルの場合には、支持点の位置（角度ないし位相差）によって、同心円状で変位量が異なるということになる。
つまり、図８に示されているように、半径が１５０ｍｍすなわち直径が３００ｍｍのウエハ１を半径が９５ｍｍ、好ましくは９７．５ｍｍ、さらに好ましくは１００ｍｍすなわち直径が１９０ｍｍ、好ましくは１９５ｍｍ、さらに好ましくは２００ｍｍ以上のウエハホルダ２９によって支持すれば、ウエハ１の自重による変位は問題とならない。
すなわち、ウエハホルダ２９の直径はウエハ１の直径の６３％以上、好ましくは６５％以上、さらに好ましくは「２／３」以上あればよい。
但し、本実施の形態においては、ウエハ１をウエハホルダ２９に対して授受するウエハ移載装置（wafer transfer equipment）のツィーザの挿入スペース等を考慮し、ウエハホルダ２９の直径はウエハ１の略「２／３」以上ウエハ１の直径未満、好ましくはウエハ１の直径の６０％以上７３％以下、好ましくは６３％以上７０％以下、に設定した。
ウエハホルダ支持モデルと４点支持モデルとを巨視的支持形状として、微視的表面形状として表面粗さＲａについて、１３５０℃においての熱処理評価を実施した。
図１１は半径１００ｍｍの位置での４点支持モデルによる熱処理を実施した結果を示しており、（ａ）は表面検査装置によるウエハの全面観察写真、（ｂ）はウエハ裏面の光学顕微鏡観察写真である。
図１１中の一点鎖線が半径１００ｍｍの円であり、この円周上の対角線との交点においてウエハが支持されている。
表面検査装置の結果では、四箇所の支持点の全てでスリップ（図中の矢印が指示する十字）が確認される。
図１１（ｂ）のウエハ裏面顕微鏡写真が示すように、ウエハの自重および昇降温時の熱膨張による変形に起因した応力が、ウエハ支持点に集中して付加されたことにより傷が形成され、それを起点としてスリップが発生したと、考えられる。
図１２は直径１８０ｍｍのウエハホルダ支持モデルによる熱処理の結果を示しており、（ａ）は表面検査装置によるウエハの全面観察写真、（ｂ）はウエハ裏面の光学顕微鏡観察写真である。
図１２中の一点鎖線が直径１８０ｍｍ（半径９０ｍｍ）の円である。
図１２中の縦線および横線のそれぞれがスリップを示しており、その縦線および横線で示されるスリップが交差する点がスリップの起点である。
図１２（ａ）においては、ウエハホルダの端と思われる箇所からのスリップを大量に確認することができる。
図１２（ｂ）においては、ウエハホルダの形状に沿ったと思われる傷の列が見られ、その傷を起点としてスリップが確認される。この場合においても、４点支持モデルと同じく、ウエハの自重および昇降温時の熱膨張による変形に起因した応力が、ウエハ支持点に集中して付加されたことにより傷が形成され、それを起点としてスリップが発生したと、考えられる。
図１１は半径１００ｍｍの位置での４点支持モデルによる熱処理を実施した結果を示しており、（ａ）は表面検査装置によるウエハの全面観察写真、（ｂ）はウエハ裏面の光学顕微鏡観察写真である。
図１１中の一点鎖線が半径１００ｍｍの円であり、この円周上の対角線との交点においてウエハが支持されている。
表面検査装置の結果では、四箇所の支持点の全てでスリップ（図中の矢印が指示する十字）が確認される。
図１１（ｂ）のウエハ裏面顕微鏡写真が示すように、ウエハの自重および昇降温時の熱膨張による変形に起因した応力が、ウエハ支持点に集中して付加されたことにより傷が形成され、それを起点としてスリップが発生したと、考えられる。
図１２は直径１８０ｍｍのウエハホルダ支持モデルによる熱処理の結果を示しており、（ａ）は表面検査装置によるウエハの全面観察写真、（ｂ）はウエハ裏面の光学顕微鏡観察写真である。
図１２中の一点鎖線が直径１８０ｍｍ（半径９０ｍｍ）の円である。
図１２中の縦線および横線のそれぞれがスリップを示しており、その縦線および横線で示されるスリップが交差する点がスリップの起点である。
図１２（ａ）においては、ウエハホルダの端と思われる箇所からのスリップを大量に確認することができる。
図１２（ｂ）においては、ウエハホルダの形状に沿ったと思われる傷の列が見られ、その傷を起点としてスリップが確認される。この場合においても、４点支持モデルと同じく、ウエハの自重および昇降温時の熱膨張による変形に起因した応力が、ウエハ支持点に集中して付加されたことにより傷が形成され、それを起点としてスリップが発生したと、考えられる。
以上の評価結果から、ウエハホルダの直径を１９０ｍｍ〜２２０ｍｍ、好ましくは１９５ｍｍ〜２１０ｍｍ、例えば２００ｍｍに設定し、表面粗さ（算術的平均粗さ）Ｒａを次の通り求め、その粗さを中心とした表面粗さ条件で熱処理評価を実施した。
表面粗さ（算術的平均粗さ）Ｒａは、その表面断面関数ｆ（ｘ）を積分し、その積分間隔で除することで求まる。図１３に示すモデルで簡単に導入方法を示す。
図１３において、円弧が連続した部分を支持表面とすると、その表面粗さＲａは以下の式で表される。
表面粗さ（算術的平均粗さ）Ｒａは、その表面断面関数ｆ（ｘ）を積分し、その積分間隔で除することで求まる。図１３に示すモデルで簡単に導入方法を示す。
図１３において、円弧が連続した部分を支持表面とすると、その表面粗さＲａは以下の式で表される。
図１４は評価した直径２００ｍｍのウエハホルダの表面粗さＲａと表面最大高さＲｙとの関係を、スリップフリーとなったウエハ（図１４中の☆）、傷を起点とするスリップが確認されたウエハ（図１４中の×）で示すグラフである。
１３５０℃での熱処理において、直径３００ｍｍのウエハのスリップフリーが検証されている。但し、図１４中の左側領域においてはスリップが確認された（「スリップ発生」領域）。また、図１４中の中央領域においては、スリップが確認されたウエハもあった（「混在」領域）。複数枚のウエハで、安定してスリップフリーを達成することができたのは、右端部の領域である（「スリップフリー」領域）。
なお、スリップ発生領域の表面粗さＲａと混在領域の表面粗さＲａとの境界値は、１μｍ程度であり、混在領域の表面粗さＲａとスリップフリー領域の表面粗さＲａとの境界値は、１．５μｍ程度である。
また、ウエハホルダの表面粗さＲａの値を２．０μｍに設定することにより、確実にスリップフリーを達成することができるのを、確認することができた。
ここで、図４〜図７について説明したように、凝着力は摩擦力に置き換えて考えることができる。
そして、表面粗さＲａと相関する突起の曲率半径が小さくなると、摩擦係数は大きくなるために、凝着力は増加する。
逆に、突起の曲率半径が大きくなると、摩擦係数は小さくなるために、凝着力は低減する。
この摩擦係数から応力を計算すると、突起の曲率半径が１μｍ以下である場合は、トータル応力がウエハの降伏応力を超えるために、スリップが発生する。しかし、突起の曲率半径が１μｍ以上である場合は、スリップは発生しないことがわかる。
但し、突起の曲率半径が１μｍきっかりではマージンが少ないために、スリップが発生する可能性がある。そこで、突起の曲率半径を１．５μｍに設定すると、マージンもかなり発生するために、スリップの発生はかなりの確率で防止することができる。突起の曲率半径を２．０μｍに設定すると、確率はさらに高めることができる。
他方、ウエハホルダの表面粗さＲａの上限値である１０００μｍ超では、ウエハホルダの実際の表面加工において加工精度を維持することが困難になるために、スリップフリーを実現することが困難になる。
また、ウエハホルダの直径を１９０ｍｍ〜２２０ｍｍの間で変化させても、図１４に示されたような結果を同様に確認することができた。
なお、ウエハホルダの直径を１８０ｍｍ以下に設定した場合、および、ウエハホルダの直径を２３０ｍｍ以上に設定した場合には、図１４に示されたような結果は得られなかった。
これは、次の理由による。
まず、ウエハにおいてスリップが発生するか否かは、ウエハホルダのウエハと接触する部分の表面粗さＲａだけで定まるものではなく、ウエハホルダのウエハとの接触面積（ウエハホルダの直径）やウエハホルダによるウエハの支持箇所にも依存する。
例えば、所定の温度（例えば、１３５０℃）での熱処理において、直径３００ｍｍのウエハを所定の表面粗さＲａ（例えば、２．０μｍ）のウエハホルダによって支持した場合であっても、ウエハホルダの直径すなわちウエハホルダのウエハとの接触面積やウエハホルダによるウエハの支持箇所が変わると、ウエハにおいてスリップが発生する場合と、発生しない場合とが生じることになる。
つまり、ウエハホルダの直径を１９０ｍｍ〜２２０ｍｍとして、ウエハホルダによりウエハの変位量（撓み量）が最も小さくなるようにウエハを支持する場合には、ウエハホルダの表面粗さＲａを１μｍ〜１０００μｍ、好ましくは１．５μｍ〜１０００μｍ、さらに好ましくは、２μｍ〜１０００μｍとすれば、ウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップおよびウエハホルダを平滑にし過ぎる場合に発生するスリップの両方の発生を防止することができる。しかしながら、ウエハホルダの直径を１８０ｍｍ以下とした場合、および、ウエハホルダの直径を２３０ｍｍ以上とした場合すなわちウエハの変位量（撓み量）が比較的大きい場合には、ウエハホルダの表面粗さＲａを１μｍ〜１０００μｍ、好ましくは１．５μｍ〜１０００μｍ、さらに好ましくは、２μｍ〜１０００μｍとしても、ウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップまたはウエハホルダを平滑にし過ぎる場合に発生するスリップの少なくとも一方が発生してしまうという訳である。
１３５０℃での熱処理において、直径３００ｍｍのウエハのスリップフリーが検証されている。但し、図１４中の左側領域においてはスリップが確認された（「スリップ発生」領域）。また、図１４中の中央領域においては、スリップが確認されたウエハもあった（「混在」領域）。複数枚のウエハで、安定してスリップフリーを達成することができたのは、右端部の領域である（「スリップフリー」領域）。
なお、スリップ発生領域の表面粗さＲａと混在領域の表面粗さＲａとの境界値は、１μｍ程度であり、混在領域の表面粗さＲａとスリップフリー領域の表面粗さＲａとの境界値は、１．５μｍ程度である。
また、ウエハホルダの表面粗さＲａの値を２．０μｍに設定することにより、確実にスリップフリーを達成することができるのを、確認することができた。
ここで、図４〜図７について説明したように、凝着力は摩擦力に置き換えて考えることができる。
そして、表面粗さＲａと相関する突起の曲率半径が小さくなると、摩擦係数は大きくなるために、凝着力は増加する。
逆に、突起の曲率半径が大きくなると、摩擦係数は小さくなるために、凝着力は低減する。
この摩擦係数から応力を計算すると、突起の曲率半径が１μｍ以下である場合は、トータル応力がウエハの降伏応力を超えるために、スリップが発生する。しかし、突起の曲率半径が１μｍ以上である場合は、スリップは発生しないことがわかる。
但し、突起の曲率半径が１μｍきっかりではマージンが少ないために、スリップが発生する可能性がある。そこで、突起の曲率半径を１．５μｍに設定すると、マージンもかなり発生するために、スリップの発生はかなりの確率で防止することができる。突起の曲率半径を２．０μｍに設定すると、確率はさらに高めることができる。
他方、ウエハホルダの表面粗さＲａの上限値である１０００μｍ超では、ウエハホルダの実際の表面加工において加工精度を維持することが困難になるために、スリップフリーを実現することが困難になる。
また、ウエハホルダの直径を１９０ｍｍ〜２２０ｍｍの間で変化させても、図１４に示されたような結果を同様に確認することができた。
なお、ウエハホルダの直径を１８０ｍｍ以下に設定した場合、および、ウエハホルダの直径を２３０ｍｍ以上に設定した場合には、図１４に示されたような結果は得られなかった。
これは、次の理由による。
まず、ウエハにおいてスリップが発生するか否かは、ウエハホルダのウエハと接触する部分の表面粗さＲａだけで定まるものではなく、ウエハホルダのウエハとの接触面積（ウエハホルダの直径）やウエハホルダによるウエハの支持箇所にも依存する。
例えば、所定の温度（例えば、１３５０℃）での熱処理において、直径３００ｍｍのウエハを所定の表面粗さＲａ（例えば、２．０μｍ）のウエハホルダによって支持した場合であっても、ウエハホルダの直径すなわちウエハホルダのウエハとの接触面積やウエハホルダによるウエハの支持箇所が変わると、ウエハにおいてスリップが発生する場合と、発生しない場合とが生じることになる。
つまり、ウエハホルダの直径を１９０ｍｍ〜２２０ｍｍとして、ウエハホルダによりウエハの変位量（撓み量）が最も小さくなるようにウエハを支持する場合には、ウエハホルダの表面粗さＲａを１μｍ〜１０００μｍ、好ましくは１．５μｍ〜１０００μｍ、さらに好ましくは、２μｍ〜１０００μｍとすれば、ウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップおよびウエハホルダを平滑にし過ぎる場合に発生するスリップの両方の発生を防止することができる。しかしながら、ウエハホルダの直径を１８０ｍｍ以下とした場合、および、ウエハホルダの直径を２３０ｍｍ以上とした場合すなわちウエハの変位量（撓み量）が比較的大きい場合には、ウエハホルダの表面粗さＲａを１μｍ〜１０００μｍ、好ましくは１．５μｍ〜１０００μｍ、さらに好ましくは、２μｍ〜１０００μｍとしても、ウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップまたはウエハホルダを平滑にし過ぎる場合に発生するスリップの少なくとも一方が発生してしまうという訳である。
図１５は表面粗さＲａが「スリップ発生」領域にあるウエハホルダを用いた場合の処理結果を示しており、（ａ）は表面検査装置による観察写真、（ｂ）は傷を起点としたスリップの顕微鏡観察写真をそれぞれ示している。
ウエハの中央付近に集中したスリップを確認することができる。
この結果は以下のように考えられる。
表面粗さＲａが小さいため、ウエハと支持部（ウエハホルダ）との間には大きな凝着力Ｆａが発生し、ウエハの中心付近においてウエハと支持部とが凝着した状態で、熱処理が進行したために、スリップが発生した。その証拠として、図１５（ｂ）においては、ウエハの裏面に支持部すなわちウエハホルダ表面の一部がはぎ取られた痕跡があり、さらに、その衝撃でスリップも観察される。
ウエハの中央付近に集中したスリップを確認することができる。
この結果は以下のように考えられる。
表面粗さＲａが小さいため、ウエハと支持部（ウエハホルダ）との間には大きな凝着力Ｆａが発生し、ウエハの中心付近においてウエハと支持部とが凝着した状態で、熱処理が進行したために、スリップが発生した。その証拠として、図１５（ｂ）においては、ウエハの裏面に支持部すなわちウエハホルダ表面の一部がはぎ取られた痕跡があり、さらに、その衝撃でスリップも観察される。
図１６は表面粗さＲａが「スリップフリー」の領域にあるウエハホルダを用いた場合の処理結果を示しており、（ａ）はＸ線トポグラフ（X-Ray Topograph)による観察写真、（ｂ）はウエハホルダ端の小傷の顕微鏡写真をそれぞれ示している。
ウエハにはスリップは一切確認することができない。但し、顕微鏡写真に示されているように、ウエハホルダ端の円周上に小さな傷が形成されている。小さな傷からは、表面検査装置、Ｘ線トポグラフおよび顕微鏡観察において、スリップの発生は確認することができない。また、この小さな傷はＸ線トポグラフにおいては確認することができないほど小さいながら、ウエハホルダとの接触部全面に存在している。顕微鏡においては確認することができる。これはウエハと支持部すなわちウエハホルダとの界面全域に存在する微少突起が、摩擦力Ｆｆをバランスよく分散させている証拠と考えられる。
ウエハにはスリップは一切確認することができない。但し、顕微鏡写真に示されているように、ウエハホルダ端の円周上に小さな傷が形成されている。小さな傷からは、表面検査装置、Ｘ線トポグラフおよび顕微鏡観察において、スリップの発生は確認することができない。また、この小さな傷はＸ線トポグラフにおいては確認することができないほど小さいながら、ウエハホルダとの接触部全面に存在している。顕微鏡においては確認することができる。これはウエハと支持部すなわちウエハホルダとの界面全域に存在する微少突起が、摩擦力Ｆｆをバランスよく分散させている証拠と考えられる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、ウエハホルダは、シリコン製のプレートの表面に炭化シリコン膜や窒化シリコン膜等のシリコンよりも硬い物質の膜を被着して構成するに限らず、シリコン製のプレートの表面に酸化シリコン膜等のシリコンよりも硬度の小さい物質からなる膜を被着して構成してもよく、また、炭化シリコン製のプレートや窒化シリコン製のプレートによって構成してもよい。
また、ウエハホルダには少なくとも一つの貫通孔を設けるようにしてもよい。このような構成とすることにより、ウエハホルダへのウエハ移載時に、ウエハとウエハホルダとの間の空気を貫通孔を通して外部に逃がすことができ、ウエハのウエハホルダに対する滑りを防止することができる。このような構成のウエハホルダであっても、ウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップおよびウエハホルダを平滑にし過ぎ場合に発生するスリップの両方の発生を防止することができる。
また、ウエハホルダには少なくとも一つの貫通孔を設けるようにしてもよい。このような構成とすることにより、ウエハホルダへのウエハ移載時に、ウエハとウエハホルダとの間の空気を貫通孔を通して外部に逃がすことができ、ウエハのウエハホルダに対する滑りを防止することができる。このような構成のウエハホルダであっても、ウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップおよびウエハホルダを平滑にし過ぎ場合に発生するスリップの両方の発生を防止することができる。
前記実施の形態においては、ＩＣの製造方法においてウエハに酸化膜を形成する工程について説明したが、本発明に係る熱処理装置はＩＣの製造方法の他の熱処理工程に適用することもできる。
特に、比較的に高い温度で実施される熱処理、例えば、ドライ酸化、ウエット酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、塩酸（ＨＣｌ）酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程、アニール工程等に適用するのが好ましい。
このようなＩＣの製造方法の熱処理工程に本発明に係る熱処理装置を適用することにより、ウエハのスリップの発生を防止することができる。
特に、比較的に高い温度で実施される熱処理、例えば、ドライ酸化、ウエット酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、塩酸（ＨＣｌ）酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程、アニール工程等に適用するのが好ましい。
このようなＩＣの製造方法の熱処理工程に本発明に係る熱処理装置を適用することにより、ウエハのスリップの発生を防止することができる。
さらに、本発明に係る熱処理装置は、基板の製造方法に適用して優れた効果を発揮する。
例えば、ＳＯＩ（silicon on insulator) ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（separation by implanted oxygen) ウエハの製造方法の熱処理工程に、本発明に係る熱処理装置を適用する場合について説明する。
まず、酸素イオンが単結晶シリコンウエハの内部にイオン注入装置等によって注入される。その後に、酸素イオンが注入されたウエハが本発明に係る熱処理装置によって、例えば、アルゴン（Ａｒ）や酸素（Ｏ2 ）雰囲気の下で、１３００℃〜１４００℃程度（例えば、１３５０℃以上）の高温をもってアニール処理される。これらの処理によって、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）層がウエハの内部に形成された（酸化シリコン層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが製造される。
例えば、ＳＯＩ（silicon on insulator) ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（separation by implanted oxygen) ウエハの製造方法の熱処理工程に、本発明に係る熱処理装置を適用する場合について説明する。
まず、酸素イオンが単結晶シリコンウエハの内部にイオン注入装置等によって注入される。その後に、酸素イオンが注入されたウエハが本発明に係る熱処理装置によって、例えば、アルゴン（Ａｒ）や酸素（Ｏ2 ）雰囲気の下で、１３００℃〜１４００℃程度（例えば、１３５０℃以上）の高温をもってアニール処理される。これらの処理によって、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）層がウエハの内部に形成された（酸化シリコン層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが製造される。
また、水素アニールウエハの製造方法の熱処理工程にも、本発明に係る熱処理装置を適用することができる。この場合には、本発明に係る熱処理装置を使用して水素雰囲気中で、１２００℃程度以上の高温をもってウエハをアニール処理することになる。これによって、ＩＣが製造されるウエハの表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
この他には、エピタキシャルウエハの製造方法の熱処理工程にも、本発明に係る熱処理装置を適用することができる。
以上のような基板の製造方法の一工程である高温アニール処理を実施する場合であっても、本発明に係る熱処理装置を使用することにより、ウエハのスリップの発生を防止することができる。
この他には、エピタキシャルウエハの製造方法の熱処理工程にも、本発明に係る熱処理装置を適用することができる。
以上のような基板の製造方法の一工程である高温アニール処理を実施する場合であっても、本発明に係る熱処理装置を使用することにより、ウエハのスリップの発生を防止することができる。
ドライ酸化装置に適用するに限らず、その他の酸化装置、拡散装置、アニール装置およびその他の熱処理装置等の熱処理装置全般に適用することができる。
前記実施の形態ではシリコンウエハに処理が施される場合について説明したが、被処理基板はゲルマニウムウエハや化合物半導体ウエハ等であってもよく、さらには、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
Claims (10)
- 基板を熱処理する処理室と、この処理室において前記基板を支持する支持具とを有し、前記支持具は前記基板と接触する支持板と、この支持板を支持する本体部とを有し、前記支持板の直径が前記基板の直径の６３〜７３％であるとともに、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、１μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、１．５μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが、２μｍ〜１０００μｍに設定されていることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記基板の直径が３００ｍｍであり、前記支持板の直径が、１９０ｍｍ〜２２０ｍｍであることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記支持板の少なくとも前記基板と接触する部分の硬度は、前記基板の硬度と同等もしくはそれよりも大きいことを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記本体部は炭化シリコンによって形成されており、前記支持板はシリコンまたは炭化シリコンによって形成されていることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項６に記載の熱処理装置において、前記支持板の表面には酸化シリコン、炭化シリコンまたは窒化シリコンからなる層が形成されていることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記熱処理とは１３００℃以上の温度で行われる処理であることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記支持板には少なくとも一つの貫通孔が設けられていることを特徴とする熱処理装置。
- 直径が基板の直径の６３〜７３％であるとともに、少なくとも前記基板と接触する部分の表面粗さＲａが１μｍ〜１０００μｍである支持板にて前記基板を支持するステップと、
前記支持板にて支持した前記基板を処理室内に搬入するステップと、
前記支持板にて支持された前記基板を前記処理室内で熱処理するステップと、
前記熱処理後の前記基板を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004125132 | 2004-04-21 | ||
| JP2004125132 | 2004-04-21 | ||
| PCT/JP2005/005101 WO2005104204A1 (ja) | 2004-04-21 | 2005-03-22 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2005104204A1 JPWO2005104204A1 (ja) | 2008-03-13 |
| JP4317871B2 true JP4317871B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=35197266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006512485A Expired - Fee Related JP4317871B2 (ja) | 2004-04-21 | 2005-03-22 | 熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7865070B2 (ja) |
| JP (1) | JP4317871B2 (ja) |
| KR (1) | KR100840705B1 (ja) |
| WO (1) | WO2005104204A1 (ja) |
Families Citing this family (408)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4534619B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2010-09-01 | 株式会社Sumco | 半導体シリコン基板用熱処理治具 |
| US20060060145A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Van Den Berg Jannes R | Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing |
| JP2007281030A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Sumco Corp | シリコンウェーハの保持方法 |
| CN101479840B (zh) * | 2006-06-30 | 2010-12-22 | Memc电子材料有限公司 | 晶片平台 |
| EP2009582A1 (fr) | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Gemplus | Procédé pour une lecture optimisée de visas à transpondeurs radiofréquences, ensemble de visas adaptés et document les contenant |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| DE102011083041B4 (de) * | 2010-10-20 | 2018-06-07 | Siltronic Ag | Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung und Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe unter Verwendung eines solchen Stützrings |
| JP2011176320A (ja) * | 2011-03-07 | 2011-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| KR101990533B1 (ko) * | 2012-11-06 | 2019-09-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 배치식 기판처리장치 |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US9370863B2 (en) * | 2014-02-04 | 2016-06-21 | Asm Ip Holding B.V. | Anti-slip end-effector for transporting workpiece |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US10375901B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-08-13 | Mtd Products Inc | Blower/vacuum |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| JP6469046B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2019-02-13 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| TWI879056B (zh) | 2018-05-11 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| CN120591748A (zh) | 2018-06-27 | 2025-09-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构 |
| TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| JP7150567B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2022-10-11 | クアーズテック株式会社 | ウェハボートの製造方法 |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP7175210B2 (ja) * | 2019-02-04 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気装置、処理システム及び処理方法 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102929471B1 (ko) | 2019-05-07 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR102929472B1 (ko) | 2019-05-10 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN120998766A (zh) | 2019-11-29 | 2025-11-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| CN113363196A (zh) | 2020-03-04 | 2021-09-07 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于反应器系统的对准夹具 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TWI907417B (zh) | 2020-05-04 | 2025-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI864307B (zh) | 2020-07-17 | 2024-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構、方法與系統 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US20230258405A1 (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-17 | Nano One Materials Corp. | Thermal Processing Apparatus |
| KR20250136886A (ko) * | 2023-03-27 | 2025-09-16 | 교세라 가부시키가이샤 | 지지판 및 지지판의 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531835A (en) | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
| JP3160229B2 (ja) | 1997-06-06 | 2001-04-25 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 |
| JP4575570B2 (ja) | 2000-10-16 | 2010-11-04 | 新日本製鐵株式会社 | ウェーハ保持具、ウェーハ保持装置及び熱処理炉 |
| JP2003289027A (ja) | 2002-11-26 | 2003-10-10 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
-
2005
- 2005-03-22 JP JP2006512485A patent/JP4317871B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-22 KR KR1020067019847A patent/KR100840705B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-22 US US11/578,963 patent/US7865070B2/en active Active
- 2005-03-22 WO PCT/JP2005/005101 patent/WO2005104204A1/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060132952A (ko) | 2006-12-22 |
| US20080267598A1 (en) | 2008-10-30 |
| JPWO2005104204A1 (ja) | 2008-03-13 |
| US7865070B2 (en) | 2011-01-04 |
| KR100840705B1 (ko) | 2008-06-24 |
| WO2005104204A1 (ja) | 2005-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4317871B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4386837B2 (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 | |
| JP4833074B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3586031B2 (ja) | サセプタおよび熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP2004134761A (ja) | 高温熱処理用のサセプタプレート | |
| CN101479840A (zh) | 晶片平台 | |
| JP4597868B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR102211607B1 (ko) | 실리콘 부재 및 실리콘 부재의 제조 방법 | |
| JP5495920B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
| JP4611229B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2005093608A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2006100303A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
| JP2004228459A (ja) | ウエーハの熱処理方法及び熱処理装置並びに熱処理用ボート | |
| JP2007073865A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2006080294A (ja) | 基板の製造方法 | |
| JP4435221B2 (ja) | 熱処理装置の空焼き方法 | |
| JP2000124143A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2004214260A (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
| JP2003100645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4105640B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JP2012069774A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
| JP2004296492A (ja) | 熱処理装置 | |
| WO2004001835A1 (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP4559257B2 (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板支持具 | |
| JP2005086132A (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090519 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090525 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4317871 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140529 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |