JP7150567B2 - ウェハボートの製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、ウェハの大口径化や熱処理温度の向上、ボート一台あたりのウェハ積載量の増加に伴い、ウェハ支持部や支柱の変形、ウェハ自体の重さによる反りが発生する場合がある。そのようなボートの変形やウェハの反りが生じた場合、ウェハとウェハ支持部との接触界面で、擦れる状況が作り出され、スリップ、表面キズ、パーティクル発生といった不良問題が発生していた。
まず、この研磨部材50のブラシ51を、支柱60から突出するウェハ支持部60aのウェハ載置面60a1及び、ウェハ載置面60a1の周端のエッジ部60a2に接触する位置に配置する(図5(a)の位置)。
そして、前記研磨部材50を回転させて研磨しながら、図5(b)に示すようにウェハ載置面60a1の先端側に向けて移動させる。
このようなウェハボートを使用してウェハの熱処理を行う場合、ウェハが前記エッジ部60a2の後端側部分UnP(面取りしていないエッジ)に接した際に、そこに応力集中によるスリップが発生する虞があった。また、前記エッジ部60a2の後端側部分UnP(面取りしていないエッジ)にウェハが接触し、デポ膜が剥離してパーティクルが発生する虞があった。
尚、前記面取りされたエッジ部の表面粗さが0.2μm<Ra≦0.4μmであることが望ましい。また、SiC質基材の表面に、SiC被覆膜が形成されていることが望ましい。
そのため、ウェハが載置された際、ウェハ裏面と鋭角なエッジとが接触する虞がなく、荷重の応力集中によるスリップ発生を防止することができる。また、ウェハの熱処理に伴い、ウェハ載置面の周端エッジ部の後端側(付け根側)にはデポ膜が堆積するが、鋭角なエッジがないためデポ膜が剥離せず、パーティクルの発生を防止することができる。
尚、SiC膜が形成された前記面取り部の表面粗さはRa0.4μm以下とするのが好ましく、それによりウェハWにおける不具合防止効果を向上することができる。
図3(a)は加工治具10の平面図であり、図3(b)は図3(a)のA-A矢視断面図であり、図3(c)は図3(a)のB-B矢視断面図である。
前記研磨ベルト13は、表面に研磨砥粒を接着した輪状(エンドレス状)の帯体であり、2本の従動シャフトに巻張された際、外周面が研磨面となる。研磨砥粒の大きさは、#100以上#1200以下とするのが好ましい。また、軸回転モータ12による従動シャフト11の回転速度は2000rpm以上3000rpm以下とするのが好ましい。
まず、SiC質基材を支柱2、天板3、底板4の所定の形状に機械加工して製作する。その後、支柱2、天板3、底板4を組み立て、表面にSiC被覆膜をCVD法により形成する。このとき支柱2に多数形成されたウェハ支持部2aはエッジ部の面取りをしていない状態である。
そして、ウェハWが接する部分あるいは接する可能性のある部分である、ウェハ支持部2aのウェハ載置面2a1と、このウェハ載置面2a1の周端であるエッジ部、即ち側面エッジ部2a2及び先端エッジ部2a3を加工治具10により研磨加工しR面取り加工する。
各ウェハ支持部2aに対しては、先ず、ロボットアーム14により研磨ベルト13を先端エッジ部2a3の上方に移動させる。このとき、支柱2からのウェハ支持部2aの突出方向に対し、研磨ベルト13の回転方向(ベルトの帯状に延びる方向)が直交するよう配置する。
これによりウェハ載置面2a1の研磨加工がなされ平滑化される。また、研磨ベルト13は側面エッジ部2a2に沿って撓むため、側面エッジ部2a2のR面取りがなされる。図示するように研磨ベルト13は、側面エッジ部2a2の後端側(付け根側)まで研磨するため、エッジ部はすべてR面取りされる。尚、R面取りされたエッジ部の表面粗さはRa≦0.4とされる。
そのため、ウェハWが載置された際、ウェハW裏面と鋭角なエッジとが接触する虞がなく、荷重の応力集中によるスリップ発生やパーティクルの発生を防止することができる。
実験1では、ウェハ支持部における先端エッジ部及び側面エッジ部の面取り加工の状態が、スリップやパーティクルの発生に及ぼす影響について検証した。
実施例1では、図2に示したようにウェハ支持部におけるウェハ載置面の研磨と、先端エッジ部及び側面エッジ部の面取り加工とを行い、先端エッジ部及び側面エッジ部は全てR面取り加工を施したウェハボートを製造した。前記先端エッジ部及び側面エッジ部の表面粗さ(算術平均粗さ)は、0μm<Ra<0.3μmとなるよう形成した。
このウェハボートを用い、評価用の複数のウェハを載置して熱処理を行った。熱処理後、評価用ウェハにおけるスリップ評価、及びパーティクル評価を行った。
使用条件は、600℃でウェハを100枚積載したウェハボートを炉入れして1200℃で昇温後1時間保持し、600℃まで降温したのち取出した。ガスは全工程アルゴンガス100%を毎分15リットル流した。
その他の条件は、実施例1と同じである。
その他の条件は、実施例1と同じである。
尚、表1において、スリップ評価の判定指標は、最大スリップ長が30mmを越えるものがあった場合を×、最大スリップ長が10mm以上30mm未満であった場合を△、最大スリップ長が10mm未満もしくはスリップ自体が存在しなかった場合を○という指標によって3区分に分け、ランク付けした。
また、パーティクル評価の判定指標は、φ300mmシリコンウエハに0.2μm以上のパーティクルが30個以上の場合を×、10個以上30個未満を△、10個未満を○という指標によって3区分に分け、ランク付けした。
一方、比較例1、2では、スリップ、或いはパーティクルが発生したウェハがあった。比較例3では、より多くのウェハでスリップ、或いはパーティクルの発生が確認された。
これらの実験1の結果から、本発明に係るウェハボートによれば、長尺形状のウェハ支持部におけるウェハ載置面の周端エッジ部の後端側(付け根側)まで面取り加工することで、スリップの発生をより抑制することができると確認した。また、面取りしたエッジ部の表面粗さをRa≦0.4μmとすることで、よりスリップ及びパーティクルの発生を抑制することができることを確認した。
2 支柱
2a ウェハ支持部
2a1 ウェハ載置面
2a2 側面エッジ部
2a3 先端エッジ部
3 天板
4 底板
Claims (3)
- 天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記支柱の側面から水平方向に突出するウェハ支持部とを有し、
前記ウェハ支持部は、研磨されたウェハ載置面と、前記ウェハ載置面の周端に形成された平面視U字状のエッジ部とを有し、
前記支柱との付け根部分のエッジ部がR面取りされると共に、一のR面取りされた付け根部分のエッジ部から、他のR面取りされた付け根部分のエッジ部まで、U字状のエッジ部が連続してR面取りされているウェハボートの製造方法において、
前記エッジ部および前記ウェハ載置面が、研磨ベルトによって、研磨されることによって形成されることを特徴とするウェハボートの製造方法。 - 前記面取りされたエッジ部の表面粗さが0.2μm<Ra≦0.4μmであることを特徴とする請求項1記載のウェハボートの製造方法。
- SiC質基材の表面に、SiC被覆膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載されたウェハボートの製造方法。
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