JP2000021796A - 半導体ウェ―ハボ―ト - Google Patents

半導体ウェ―ハボ―ト

Info

Publication number
JP2000021796A
JP2000021796A JP11162254A JP16225499A JP2000021796A JP 2000021796 A JP2000021796 A JP 2000021796A JP 11162254 A JP11162254 A JP 11162254A JP 16225499 A JP16225499 A JP 16225499A JP 2000021796 A JP2000021796 A JP 2000021796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
wafer
wafer boat
ring
hemispherical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11162254A
Other languages
English (en)
Inventor
Chikun Ko
智勳 洪
Kikin Nan
基欽 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2000021796A publication Critical patent/JP2000021796A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハとの接触面積を減らした半導体ウェ
ーハボートを提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハボートは、多数個のウェ
ーハ１が積載されるように上側部材、下側部材及び前記
上側部材と下側部材とを連結する指示部材１４を備え、
前記各支持部材１４の内側にウェーハ１の一部分を収容
可能な多数個のスロット１５が形成された垂直型半導体
ウェーハボートにおいて、前記スロット１５内に前記ウ
ェーハ１の底面と接触する半球型突起１６が形成された
ことを特徴とする。 従って、微細スクラッチの誘発を
防止してウェーハ１のスリップ現象を最小化し、半導体
素子の生産性及び収率を向上させることができる効果を
有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハボー
トに関するもので、より詳しくは、ウェーハとの接触面
積を減らした半導体ウェーハボートに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体製造工程中にはいくつ
かの工程が反復的に遂行され、このような工程が遂行さ
れる設備としていくつかの種類の主設備及び補助設備が
使用されている。
【０００３】このような設備に設置されて多数個のウェ
ーハを積載し、前記設備にローディング及びアンローデ
ィングするためのウェーハ容器の一種として半導体ウェ
ーハボートがある。
【０００４】このような半導体ウェーハボートは、厳し
い工程条件、特に高温の環境でウェーハに酸化膜を成長
させるか、電気的な特性を有するためにホウ素や燐等の
不純物を活性化及び安定化させる拡散工程（Ｄｉｆｆｕ
ｓｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）等に耐える石英系列の材質
で製作される。
【０００５】図１は従来の一般的な半導体ウェーハボー
トを示したものである。前記図面に示されるように、従
来の垂直型（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｔｙｐｅ）半導体ウェ
ーハボートは、多数個のウェーハ１が積載されるように
上側部材２、下側部材３、及び前記上側部材２と下側部
材３とを連結する３つの支持部材４を備え、前記各支持
部材４の内側にウェーハ１の縁の一部分を挿入収容可能
な多数個のスロット５が形成されている構成である。こ
の際、前記スロット５に安着された前記ウェーハ１は、
図２に示されるように、前記スロット５によって半月形
状の接触面６を有する。
【０００６】一方、従来の他の形態の半導体ウェーハボ
ートは、図３に示されるように、多数個のウェーハ１が
積載されるように上側部材７、下側部材８、及び前記上
側部材７と下側部材８とを連結する支持部材９を備え、
前記各支持部材９の内側の間にウェーハ１を安着可能な
多数個のリング形安着板１０が形成されたものである。
この際、前記安着板１０に安着される前記ウェーハ１
は、図４に示されるように、前記安着板１０によって所
定の幅のリング形状からなる接触面１１を有する。
【０００７】しかし、前述したような従来の半導体ウェ
ーハボートは図２及び図４に示される接触面６、１１に
よってスリップ（Ｓｌｉｐ）現象（一般的に接触面でよ
く始まり、ウェーハ表面に発生する微細なスクラッチに
よってウェーハの結晶構造が立て続けに壊れながらひび
が入る現象）が頻繁に発生する問題点があった。
【０００８】即ち、このようなスリップ現象は、前記ウ
ェーハの熱膨張係数が前記スロットまたは前記安着板の
接触面の熱膨張係数と互いに相異でこれらの間に形成さ
れた接触摩擦が発生し、このような摩擦によってウェー
ハの表面に微細スクラッチが生じ、微細スクラッチを始
発にウェーハの結晶構造が格子線に沿ってねじれながら
ひびが入る現象である。
【０００９】このようなスリップ現象が発生する要因は
高温（約摂氏９００度以上）の工程条件でウェーハ加工
が行われ、工程が行われるチャンバーの加熱速度が速い
からで、前記ウェーハボートのスロット間隔または前記
安着板の間隔が非常に狭い場合、または前記工程を終え
た半導体ウェーハボートが前記チャンバー内にローディ
ング及びアンローディングされる時、前記半導体ウェー
ハボートの乗降速度が速い場合にもスリップ現象が発生
することがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、スリップ現象
を防止するために従来には前述したような前記４つの要
因等を考慮してウェーハを生産することで半導体素子の
生産性が落ちる問題点があった。
【００１１】また、このような要因以外にも、まだ明ら
かになっていない要因によって前記接触面が広いほど微
細スクラッチが多発して前記スリップ現象が頻繁に発生
することでウェーハに致命的な損傷を誘発させるか、ウ
ェーハの可溶面積が減るという等の問題点があった。
【００１２】本発明の目的は、微細なスクラッチを防止
してウェーハスリップ現象を防止し、半導体素子の生産
性及び収率を向上させるようにした半導体ウェーハボー
トを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような、前記の目的
を達成するために本発明による半導体ウェーハボート
は、多数個のウェーハが積載されるように上側部材、下
側部材、及び前記上側部材と下側部材とを連結する支持
部材を備え、前記各支持部材の内側にウェーハの縁の一
部分を挿入収容可能な多数個のスロットが形成された垂
直型半導体ウェーハボートにおいて、前記スロット内に
前記ウェーハの底面と接触する半球型突起が形成される
ことを特徴とする。
【００１４】また、本発明による半導体ウェーハボート
は、多数個のウェーハが積載されるように上側部材、下
側部材、及び前記上側部材と下側部材とを連結する支持
部材を備え、前記各支持部材の内側の間にウェーハを安
着可能な多数個のリング型安着板が一定間隔をおいて積
層配置された垂直型半導体ウェーハボートにおいて、前
記安着板上に前記ウェーハの底面と接触する球型表面を
有し、その断面形状が半円型であるリング型突起が形成
されることを特徴とする。
【００１５】また、本発明による半導体ウェーハボート
は、多数個のウェーハが積載されるように上側部材、下
側部材、及び前記上側部材と下側部材とを連結する支持
部材を備え、前記各支持部材の内側の間にウェーハを安
着可能な多数個のリング型安着板が一定の間隔をおいて
積層配置された垂直型半導体ウェーハボートにおいて、
前記安着板上に前記ウェーハの底面と接触する多数個の
半球型突起が形成されることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
添付された図面を参照して詳しく説明する。図５及び図
６を参照して説明すると、本発明の好ましい一実施例に
よる半導体ウェーハボートは、多数個のウェーハ１が積
載されるように上側部材１２、下側部材１３、及び前記
上側部材１２と下側部材１３とを連結する３つの支持部
材１４（通常３つまたは４つ設置される。）を備え、前
記各支持部材１４の内側にウェーハ１の縁の一部分を挿
入収容可能な多数個のスロット１５が形成された垂直型
半導体ウェーハボートで、前記スロット１５内に前記ウ
ェーハ１の底面と接触する半球型突起１６が形成された
構成をしている。
【００１７】即ち、前記半球型突起１６は、前記ウェー
ハ１の底面と点接触する球型表面が形成されたもので、
このような半球型突起１６に接触するウェーハ１は、接
触する部分が図８に示されるように３つの接触点１７で
表れる。
【００１８】ここで、図６に示される前記半球型突起１
６の球型表面の曲率半径が非常に小さい場合には、前記
ウェーハ１の表面にスクラッチを誘発することができる
反面、非常に大きい場合には前記半球型突起１６と前記
ウェーハ１の接触点１７付近で熱気流の流れが円滑では
なくなる。このような前記球型表面の曲率半径はウェー
ハ１の重さ、強度、硬度等を考慮して最適化される。
【００１９】従って、図７に示されるように、高温の工
程チャンバーで形成された熱気流が前記半球型突起１６
の周辺間隙を通じて前記ウェーハ１の上面及び底面に均
一に循環され、特にスロット１５の付近でウェーハ１の
熱気流の循環が容易に行われるようになることである。
【００２０】従って、急激な熱変化によって前記ウェー
ハ１の上面及び底面で発生される熱ストレスを減少さ
せ、熱膨張係数が相異である前記支持部材１４との接触
面積を縮小させることでスリップ現象を防止することが
できる。
【００２１】このような前記半球型突起１６は前記支持
部材１４にスロット１５を形成する時、切削加工によっ
て形成することが可能で、射出成形やプレス加工によっ
て製作することもでき、または前記支持部材１４と同種
の材質で製作して前記支持部材１４のスロットに溶接し
た後、アニーリング（Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）処理するこ
とで熱膨張による破損を防止することができる。
【００２２】この際、前記支持部材１４と前記半球型突
起１６の密着性を向上させるためには、前記スロット１
５の底面に前記半球型突起１６の底面とかみ合う形状の
溶接用溝を形成することが好ましい。
【００２３】このような本発明の一実施例による半導体
ウェーハボートの半球型突起１６の概念は他の形態の半
導体ウェーハボートにも適用することができ、これは当
業者において、修正及び変更が可能である。
【００２４】一方、本発明の他の実施例による半導体ウ
ェーハボートは図９及び図１０に示されるように、多数
個のウェーハ１が積載されるように上側部材１８、下側
部材１９、及び前記上側部材１８と下側部材１９とを連
結する３つの支持部材２０（通常３つまたは４つが設置
される）を備え、前記各支持部材２０の内側の間にウェ
ーハ１を安着可能な多数個のリング型安着板２１が一定
の間隔をおいて積層配置された垂直型半導体ウェーハボ
ートで、前記安着板２１上に前記ウェーハ１の底面と接
触する球型表面を有し、その断面形状が半円形であるリ
ング型突起２２が形成された構成をしている。
【００２５】このような前記安着板２１は、高温で前記
ウェーハ１の垂れ下がることを防止するために考案され
たもので、本発明は前記安着板２１にリング型突起２２
を形成して前記ウェーハ１の表面と接触面積を減らすこ
とができるようにしたものである。
【００２６】即ち、前記リング型突起２２は前記ウェー
ハ１の底面と線接触するドーナッツ型表面が形成された
もので、このようなリング型突起２２に接触するウェー
ハ１は接触する部分が図１２に図示されたようにリング
型接触線２３で表れる。
【００２７】前記接触線２３はウェーハ１の底面にウェ
ーハの中心から一定な半径を維持しながら形成される
し、高温の環境でウェーハ１の垂れ下がりを防止するこ
とができるように支持する。
【００２８】即ち、前記リング形状の接触線２３の位置
がウェーハ１の中心を基準に、ウェーハ１の外枠から始
まってその半径が小さくなるほどウェーハ１の中央部の
垂れ下がる現象を減らすことができる反面、所定の半径
以下にさらに小さくなった場合にはウェーハ１の縁部の
垂れ下がる現象が発生するので、前記リング型突起２２
の半径はウェーハ１の垂れ下がり現象を考慮して最適化
することができる。
【００２９】また、前記リング型突起２２の断面は半減
形で、前記半円の曲率半径が非常に小さい場合には、前
記ウェーハ１の表面にスクラッチを誘発することができ
るし、非常に大きい場合には前記リング型突起２２と前
記ウェーハ１の接触線２３の付近で熱気流の流れが円滑
ではなくなる。従って、前記リング型突起２２の前述し
たような要因を全て考慮して設計するべきである。
【００３０】一方、図１１で図示されたように、高温の
工程チャンバーで形成された熱気流が前記ウェーハ１の
上面及び底面にそれぞれ到達されるし、特に安着板２１
の周辺の前記ウェーハ１の表面に熱気流が円滑に到達す
ることができる。
【００３１】従って、急激な熱変化によって前記ウェー
ハ１の上面及び底面で発生される熱ストレスを減少さ
せ、熱膨張係数が相異である前記安着板２１との接触面
積を縮小させることでスリップ現象を防止することがで
きる。
【００３２】このような前記リング型突起２２は前記安
着板２１を製作する時、切削加工によって形成すること
が可能で、射出成形やプレス加工によって製作すること
もでき、または前記安着板２１と同種の材質で制作して
前記支持部材２０の安着板２１に溶接した後、アニーリ
ング処理することで熱膨張による破損を防止することが
できる。
【００３３】この際、前記安着板２１と前記リング型突
起２２の密着性を向上させるためには溶接作業の前に前
記安着板２１上に前記リング型突起２２の底面とかみ合
わされる形状である溶接用リング溝を形成することが好
ましい。
【００３４】このような本発明の他の実施例による半導
体ウェーハボートのリング型突起２２の概念は他の形態
の半導体ウェーハボートにも適用することができ、これ
は当業者において修正及び変更が可能なものである。
【００３５】一方、図１３及び図１４に示されるよう
に、本発明の他の実施例による半導体ウェーハボートは
多数個のウェーハ１が積載されるように上側部材２４、
下側部材２５、及び前記上側部材２４と下側部材２５と
を連結する３つの支持部材２６（通常３つまたは４つが
設置される）を備え、前記各支持部材２６の内側の間に
ウェーハ１を安着可能な多数個のリング型安着板２７が
一定の間隔をおいて積層配置された垂直型半導体ウェー
ハボートで、前記安着板２７に前記ウェーハの底面と接
触する６つの半球型突起２８が形成された構成をしてい
る。
【００３６】このような前記安着板２７は高温で前記ウ
ェーハ１の垂れ下がりをある程度防止するために発明さ
れたもので、前記安着板２７に半球型突起２８を形成し
て前記ウェーハ１の表面と接触面積を減らすことができ
るようになされたものである。
【００３７】即ち、前記半球型突起２８は前記ウェーハ
１の底面と線接触する球型表面が形成されたもので、こ
のような半球型突起２８に接触するウェーハ１は接触す
る部分が図１６に示されるように６つの接触点２９で表
れる。前記各接触点２９はウェーハ１の底面の周りに沿
って等間隔で形成されるし、前記半球型突起２８は高温
の環境でウェーハの垂れ下がりを防止可能に支持する。
【００３８】即ち、前記各接触点２９を連結する円の位
置がウェーハ１の中心を基準にウェーハ１の外枠から始
まって、その半径が小さくなるほどウェーハ１の中央部
の垂れ下がり現象を減らすことができる反面、所定の半
径以下にさらに小さくなった場合にはウェーハ１の縁部
の下がる現象が発生するようになる。
【００３９】また、前記接触点２９の間隔が広いほど
（前記半球型突起の形成個数が減るほど）ウェーハの部
分的な垂れ下がり現象が増加し、その間隔が狭いほど
（形成の個数が増えるほど）製作費が増加し、熱気流の
循環効果は低下される。
【００４０】また、前記半球型突起２８の曲率半径が非
常に小さい場合には、前記ウェーハ１の表面にスクラッ
チを誘発することができるし、非常に大きい場合には前
記半球型突起２８と前記ウェーハ１の各接触点２９の付
近で熱気流の流れが円滑ではなくなる。
【００４１】従って、前記半球型突起２８の形成個数、
配置半径及び曲率半径等はウェーハ１の重さ、強度、硬
度、下がり現象、熱気流の循環効果等を考慮して最適化
することができる。
【００４２】一方、図１５に図示されたように、高温の
工程チャンバーで形成された熱気流が前記ウェーハ１の
上面及び底面に均一に循環され、特に安着板２７の周辺
での熱気流の循環を円滑にすることができる。
【００４３】従って、急激な熱変化によって前記ウェー
ハ１の上面及び底面で発生される熱ストレスを現象さ
せ、熱膨張係数が相異である前記安着板２７との接触面
積を縮小させることでスリップ現象を防止することがで
きる。
【００４４】このような前記半球型突起２８は前記安着
板２７を製作する時、切削加工によって形成されること
もでき、射出形成やプレス加工によって製作することも
できるし、また、前記安着板２７と同種の材質で制作し
て前記安着板２７に溶接された後、アニーリング処理す
ることで熱膨張による破損を防止することができる。
【００４５】この際、前記安着板２７と前記半球型突起
２８の密着性を向上させるためには前記安着板２７上に
前記半球型突起２８の底面形状とかみ合う溶接用溝を形
成することが好ましい。また、前記半球型突起２８は１
個の前記安着板２７上に等間隔で３個乃至１２個程度形
成することが好ましい。
【００４６】このような本発明の他の実施例による半導
体ウェーハボートの半球型突起２８の概念は他の形態の
半導体ウェーハボートにも適用することができ、これは
当業者において修正及び変更が可能なものである。
【００４７】従って、本発明の各実施例による半導体ウ
ェーハボートによると、ウェーハに対する従来の面接触
支持状態を点接触または線接触支持状態に転換すること
で前記ウェーハに発生する微細スクラッチを減少させて
スリップ現象を最小化することができる利点がある。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
ェーハボートによると、スリップ現象を防止してより高
温での加工が自由になり、工程チャンバーの加熱速度を
向上させることができるし、ウェーハボートのスロット
間隔をより狭くしてウェーハを大量積載することができ
るだけではなく、ウェーハボートのローディング及びア
ンローディングを迅速にすることができるので半導体素
子の生産性を大きく向上させることができる。
【００４９】以上、本発明は記載された具体例に対して
のみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が添付された
特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体ウェーハボートを示した斜視図で
ある。
【図２】図１に積載されたウェーハの接触面を示した底
面図である。
【図３】従来の他の半導体ウェーハボートを示した斜視
図である。
【図４】図３に積載されたウェーハの接触面を示した底
面図である。
【図５】本発明の一実施例による半導体ウェーハボート
を示す斜視図である。
【図６】図５の半球型突起を示した部分拡大図である。
【図７】図５のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】図５に積載されたウェーハの接触点を示した底
面図である。
【図９】本発明の他の実施例による半導体ウェーハボー
トを示した斜視図である。
【図１０】図９のリング型突起を示した部分拡大図であ
る。
【図１１】図９のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１２】図９に積載されたウェーハの接触線を示した
底面図である。
【図１３】本発明の他の実施例による半導体ウェーハボ
ートを示した斜視図である。
【図１４】図１３の半球型突起を示した部分拡大図であ
る。
【図１５】図１３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１６】図１３に積載されたウェーハの接触点を示し
た底面図である。
【符号の説明】
１ ウェーハ ２、７、１２、１８、２４ 上側部材 ３、８、１３、１９、２５ 下側部材 ４、９、１４、２０、２６ 支持部材 ５、１５ スロット ６、１１ 接触面 １０、２１、２７ 安着板 １６、２８ 半球型突起 １７、２９ 接触点 ２２ リング型突起 ２３ 接触線

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多数個のウェーハが積載されるように上
    側部材、下側部材、及び前記上側部材と下側部材とを連
    結する支持部材を備え、前記各支持部材の内側にウェー
    ハのふち部分の一部分を挿入収容可能な多数個のスロッ
    トが形成された垂直型半導体ウェーハボートにおいて、 前記スロット内に前記ウェーハの底面と接触する半球型
    突起が形成されたことを特徴とする半導体ウェーハボー
    ト。
  2. 【請求項２】 前記半球型突起は前記支持部材と同種の
    材質から構成されたことを特徴とする請求項１に記載の
    前記半導体ウェーハボート。
  3. 【請求項３】 前記半球型突起は前記支持部材のスロッ
    トに溶接して形成されることを特徴とする請求項１に記
    載の前記半導体ウェーハボート。
  4. 【請求項４】 多数個のウェーハが積載されるように上
    側部材、下側部材、及び前記上側部材と下側部材とを連
    結する支持部材を備え、前記各支持部材の内側の間にウ
    ェーハを安着可能な多数個のリング型安着板が一定間隔
    をおいて積層配置された垂直型半導体ウェーハボートに
    おいて、 前記安着板上に前記ウェーハの底面と接触する球型表面
    を有し、その断面形状が半円形であるリング型突起が形
    成されたことを特徴とする半導体ウェーハボート。
  5. 【請求項５】 前記リング型突起は、前記安着板と同種
    の材質で構成されたことを特徴とする請求項４に記載の
    前記半導体ウェーハボート。
  6. 【請求項６】 前記リング型突起は、前記安着板上に溶
    接して形成されることを特徴とする請求項４に記載の前
    記半導体ウェーハボート。
  7. 【請求項７】 多数個のウェーハが積載されるように上
    側部材、下側部材、及び前記上側部材と下側部材とを連
    結する支持部材を備え、前記各支持部材の内側の間にウ
    ェーハを安着可能な多数個のリング型安着板が一定の間
    隔をおいて積層配置された垂直型半導体ウェーハボート
    において、 前記安着板上に前記ウェーハの底面と接触する多数個の
    半球型突起が形成されたことを特徴とする半導体ウェー
    ハボート。
  8. 【請求項８】 前記半球型突起は、前記安着板と同種の
    材質で構成されたことを特徴とする請求項７に記載の前
    記半導体ウェーハボート。
  9. 【請求項９】 前記半球型突起は、前記安着板上に溶接
    して形成されることを特徴とする請求項７に記載の前記
    半導体ウェーハボート。
  10. 【請求項１０】 前記半球型突起は、前記安着板上で等
    間隔を維持しながら、３個乃至１２個の個数で形成され
    ることを特徴とする請求項７に記載の前記半導体ウェー
    ハボート。
JP11162254A 1998-06-23 1999-06-09 半導体ウェ―ハボ―ト Pending JP2000021796A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1998P23770 1998-06-23
KR1019980023770A KR20000002833A (ko) 1998-06-23 1998-06-23 반도체 웨이퍼 보트

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005018488A Division JP2005191585A (ja) 1998-06-23 2005-01-26 半導体ウェーハボート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000021796A true JP2000021796A (ja) 2000-01-21

Family

ID=19540538

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11162254A Pending JP2000021796A (ja) 1998-06-23 1999-06-09 半導体ウェ―ハボ―ト
JP2005018488A Pending JP2005191585A (ja) 1998-06-23 2005-01-26 半導体ウェーハボート

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005018488A Pending JP2005191585A (ja) 1998-06-23 2005-01-26 半導体ウェーハボート

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6099302A (ja)
JP (2) JP2000021796A (ja)
KR (1) KR20000002833A (ja)
TW (1) TW417141B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008124A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート

Families Citing this family (418)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI250604B (en) * 1999-07-29 2006-03-01 Ibm Improved ladder boat for supporting wafers
KR100427916B1 (ko) * 1999-09-03 2004-04-28 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 웨이퍼 보유 지지구
US6287112B1 (en) * 2000-03-30 2001-09-11 Asm International, N.V. Wafer boat
US6455395B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-24 Integrated Materials, Inc. Method of fabricating silicon structures including fixtures for supporting wafers
US6450346B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-17 Integrated Materials, Inc. Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing
CN1128470C (zh) * 2000-09-01 2003-11-19 陈正明 晶片减薄后与载体分离的工艺方法及其装置
US6497403B2 (en) 2000-12-28 2002-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer holder
KR100410982B1 (ko) * 2001-01-18 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 보트
US6571964B2 (en) * 2001-03-28 2003-06-03 International Business Machines Corporation Tray for retaining disks
KR100876626B1 (ko) 2001-04-01 2008-12-31 인티그리스, 인코포레이티드 박형 웨이퍼 인서트
US6871657B2 (en) * 2001-04-06 2005-03-29 Akrion, Llc Low profile wafer carrier
JP4467028B2 (ja) * 2001-05-11 2010-05-26 信越石英株式会社 縦型ウェーハ支持治具
JP2003146704A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の化学強化処理装置
US7077913B2 (en) * 2002-01-17 2006-07-18 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Apparatus for fabricating a semiconductor device
US6835039B2 (en) * 2002-03-15 2004-12-28 Asm International N.V. Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace
US7737034B2 (en) * 2002-06-27 2010-06-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate treating apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US7256375B2 (en) * 2002-08-30 2007-08-14 Asm International N.V. Susceptor plate for high temperature heat treatment
US6814808B1 (en) 2002-10-08 2004-11-09 Sci-Tech Glassblowing, Inc. Carrier for semiconductor wafers
KR100492977B1 (ko) * 2002-12-12 2005-06-07 삼성전자주식회사 다공성 실리카 박막의 소결을 위한 웨이퍼 보트
CN100352032C (zh) * 2003-03-26 2007-11-28 信越半导体株式会社 热处理用晶片支持器具及热处理装置
US7033126B2 (en) * 2003-04-02 2006-04-25 Asm International N.V. Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
US7083694B2 (en) 2003-04-23 2006-08-01 Integrated Materials, Inc. Adhesive of a silicon and silica composite particularly useful for joining silicon parts
WO2005004967A2 (en) * 2003-07-02 2005-01-20 Cook Incorporated Small gauge needle catheterization apparatus
US7017758B2 (en) * 2003-07-09 2006-03-28 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Wafer protective cassette
TWI310850B (en) * 2003-08-01 2009-06-11 Foxsemicon Integrated Tech Inc Substrate supporting rod and substrate cassette using the same
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
WO2005027195A2 (en) * 2003-09-05 2005-03-24 Akrion, Llc Apparatus for carrying reticles and method of using the same to process reticles
US20050205502A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Brown Steven A Rails for semiconductor wafer carriers
US7498062B2 (en) * 2004-05-26 2009-03-03 Wd Media, Inc. Method and apparatus for applying a voltage to a substrate during plating
JP4534619B2 (ja) * 2004-06-21 2010-09-01 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体シリコン基板用熱処理治具
US7891975B2 (en) * 2004-08-06 2011-02-22 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Heat treatment apparatus and method of manufacturing substrate
KR100953707B1 (ko) * 2004-08-24 2010-04-19 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 부품 및 이를 사용하는 반도체 제조방법
US20060060145A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Van Den Berg Jannes R Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing
US20060065634A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Van Den Berg Jannes R Low temperature susceptor cleaning
CN2762903Y (zh) * 2004-12-30 2006-03-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光学元件清洗机构
US7748542B2 (en) 2005-08-31 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Batch deposition tool and compressed boat
WO2007099786A1 (ja) * 2006-02-23 2007-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US7661544B2 (en) * 2007-02-01 2010-02-16 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer boat for batch processing
KR100912136B1 (ko) * 2007-09-20 2009-08-13 김종민 링보트 제조장치
JP5071217B2 (ja) * 2008-04-17 2012-11-14 信越半導体株式会社 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
TWI371076B (en) * 2008-08-27 2012-08-21 Gudeng Prec Industral Co Ltd A wafer container with at least one supporting module having a long slot
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8267831B1 (en) 2009-05-19 2012-09-18 Western Digital Technologies, Inc. Method and apparatus for washing, etching, rinsing, and plating substrates
WO2011008753A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-20 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Chimerized wafer boats for use in semiconductor chip processing and related methods
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8420554B2 (en) 2010-05-03 2013-04-16 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer support ring
USD666709S1 (en) * 2010-06-21 2012-09-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Kiln post
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
USD763807S1 (en) * 2014-05-22 2016-08-16 Hzo, Inc. Boat for a deposition apparatus
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9153466B2 (en) * 2012-04-26 2015-10-06 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat
US8785303B2 (en) * 2012-06-01 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for depositing amorphous silicon
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
FR2995394B1 (fr) * 2012-09-10 2021-03-12 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de support d'une pluralite de substrats pour un four vertical
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
TWD161688S (zh) * 2012-12-27 2014-07-11 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
TWD163542S (zh) * 2013-03-22 2014-10-11 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置用晶舟
TWD166332S (zh) * 2013-03-22 2015-03-01 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置用晶舟之部分
US10190235B2 (en) * 2013-05-24 2019-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer supporting structure and method for forming the same
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
TWD165429S (zh) * 2013-07-29 2015-01-11 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
TWD167988S (zh) * 2013-07-29 2015-05-21 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
TWD168827S (zh) * 2013-07-29 2015-07-01 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
CN104178806A (zh) * 2014-08-20 2014-12-03 中国科学院半导体研究所 悬挂式双面外延生长装置
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
JP1537312S (ja) * 2014-11-20 2015-11-09
JP1537313S (ja) * 2014-11-20 2015-11-09
JP1537629S (ja) * 2014-11-20 2015-11-09
JP1537630S (ja) * 2014-11-20 2015-11-09
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
DE102015114964A1 (de) * 2015-09-07 2017-03-09 Von Ardenne Gmbh Substratträger, Substrathaltevorrichtung, Substrattransportvorrichtung und Prozessiervorrichtung
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP1563649S (ja) * 2016-02-12 2016-11-21
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
DE102016113924B4 (de) 2016-07-28 2024-06-13 Infineon Technologies Ag Waferbox und Verfahren zum Anordnen von Wafern in einer Waferbox
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
TWI671792B (zh) 2016-12-19 2019-09-11 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 基板處理設備
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6770461B2 (ja) * 2017-02-21 2020-10-14 クアーズテック株式会社 縦型ウエハボート
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
US10468148B2 (en) * 2017-04-24 2019-11-05 Infineon Technologies Ag Apparatus and method for neutron transmutation doping of semiconductor wafers
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7030604B2 (ja) * 2018-04-19 2022-03-07 三菱電機株式会社 ウエハボートおよびその製造方法
USD847105S1 (en) * 2018-05-03 2019-04-30 Kokusai Electric Corporation Boat of substrate processing apparatus
USD846514S1 (en) * 2018-05-03 2019-04-23 Kokusai Electric Corporation Boat of substrate processing apparatus
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
USD908102S1 (en) * 2019-02-20 2021-01-19 Veeco Instruments Inc. Transportable semiconductor wafer rack
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
USD908103S1 (en) * 2019-02-20 2021-01-19 Veeco Instruments Inc. Transportable semiconductor wafer rack
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
JP1658652S (ja) * 2019-08-07 2020-04-27
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
US12046495B2 (en) * 2020-06-26 2024-07-23 Globalwafers Co., Ltd. Wafer boats for supporting semiconductor wafers in a furnace
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4407654A (en) * 1982-01-21 1983-10-04 The Potters Supply Company Handling and support system for kiln fired ware
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
JP3151118B2 (ja) * 1995-03-01 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH0992625A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理用ボ−ト
US5931666A (en) * 1998-02-27 1999-08-03 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008124A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート
JP2009021368A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート

Also Published As

Publication number Publication date
US6099302A (en) 2000-08-08
TW417141B (en) 2001-01-01
JP2005191585A (ja) 2005-07-14
KR20000002833A (ko) 2000-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000021796A (ja) 半導体ウェ―ハボ―ト
EP2165358B1 (en) Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
JP4669476B2 (ja) 半導体製造時にウェハを支持するホルダ
KR20040020023A (ko) 고온 열처리를 위한 서셉터 플레이트
US20080041798A1 (en) Wafer Platform
JPH0758039A (ja) サセプタ
JP2007529909A (ja) 半導体ウェーハキャリヤ用改良型レール
JP4637475B2 (ja) 取外し可能なサセプタを用いた半導体基板搬送システム、及び半導体基板の搬送方法
JPH09251961A (ja) 熱処理用ボート
WO2005124848A1 (ja) 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
JP3469000B2 (ja) 縦型ウエハ支持装置
JPH04304652A (ja) 熱処理装置用ボート
JP3685319B2 (ja) ウェーハの熱処理方法とその装置
JP5130808B2 (ja) ウエーハ熱処理用治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボート
US20130180446A1 (en) Susceptor
KR20010062144A (ko) 열처리용 기판 보유 지지구, 기판 열처리 장치 및 기판의열처리 방법
JP2001176811A (ja) ウエーハ支持装置
JP2007036105A (ja) シリコンウェーハ用サセプタ
TWI797779B (zh) 直立型熱處理爐處理舟及半導體晶圓的熱處理方法
KR20230062184A (ko) 웨이퍼 보트
JPH09251960A (ja) 半導体製造用ボート
JP2005166823A (ja) 半導体基板熱処理装置、半導体基板熱処理用ウェハボート、及び半導体基板の熱処理方法
JPH08107080A (ja) 縦型ウェ−ハボ−ト
JPH11243064A (ja) ウェーハ支持板
JPH09186228A (ja) ウェーハ支持装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041101

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050126

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050221