JP2007529909A - 半導体ウェーハキャリヤ用改良型レール - Google Patents
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Abstract
複数の半導体ウェーハを保持する装置においてサポートとして使用するレールが提供される。レールは垂直列に配置された複数の歯を有し、1つの歯の頂面と次に高い隣接歯の底面間のスペースが半導体ウェーハを受け入れるためのスロットを形成するようにされている。ウェーハを支持する支持構造がスロットの底を形成する実質的に全ての歯の頂面上に配置されており、支持構造は側壁および頂面から間隔のとられた上面を有する。各支持構造上で、側壁と上面の各交点に半径が形成される。支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ50%に対して延びている。
Description
(技術の背景)
本発明は一般的に熱処理中に半導体ウェーハを保持する垂直キャリヤすなわちボートに関し、特に、およそ200mm以上の公称直径を有する大型ウェーハを有効に支持するように設計されたキャリヤに関し、本発明は処理中の結晶転位を低減する特徴を含んでいる。
本発明は一般的に熱処理中に半導体ウェーハを保持する垂直キャリヤすなわちボートに関し、特に、およそ200mm以上の公称直径を有する大型ウェーハを有効に支持するように設計されたキャリヤに関し、本発明は処理中の結晶転位を低減する特徴を含んでいる。
(関連技術の説明)
特にシリコンで作られた半導体ウェーハは、垂直方向に間隔を置いて保持装置すなわちキャリヤ内に水平に配置し、ウェーハ表面を炉内の高温ガスに曝して表面上に酸化膜を形成するか窒化物およびポリシリコン等の膜を堆積し、あるいはイオン注入後にウェーハをアニールすることにより従来処理することができる。熱処理に曝される表面積を最小限に抑えるためにウェーハは通常「ボート」、すなわち、キャリヤ内に保持され、それは典型的に長さに沿って均一な間隔とされた比較的短いスロットを有する平行な垂直サポート、すなわち、レールを含んでいる。1つのサポート内のスロットは通常他のサポート内のスロットと揃えられ、各サポート内の対応するスロットが一緒にウェーハを受け止められるようにされる。ウェーハをサポート上の適切なスロット内に配置することにより、ボートはウェーハの両側が熱処理に曝されるように互いに離された一山のウェーハを運ぶことができる。
特にシリコンで作られた半導体ウェーハは、垂直方向に間隔を置いて保持装置すなわちキャリヤ内に水平に配置し、ウェーハ表面を炉内の高温ガスに曝して表面上に酸化膜を形成するか窒化物およびポリシリコン等の膜を堆積し、あるいはイオン注入後にウェーハをアニールすることにより従来処理することができる。熱処理に曝される表面積を最小限に抑えるためにウェーハは通常「ボート」、すなわち、キャリヤ内に保持され、それは典型的に長さに沿って均一な間隔とされた比較的短いスロットを有する平行な垂直サポート、すなわち、レールを含んでいる。1つのサポート内のスロットは通常他のサポート内のスロットと揃えられ、各サポート内の対応するスロットが一緒にウェーハを受け止められるようにされる。ウェーハをサポート上の適切なスロット内に配置することにより、ボートはウェーハの両側が熱処理に曝されるように互いに離された一山のウェーハを運ぶことができる。
従来の垂直ボートおよびキャリヤは200mm以下の公称直径を有するウェーハを支持するように設計されてきている。このサイズのウェーハは通常およそ20mmよりも短い非常に短い距離だけウェーハの縁周りに内向きに延びる垂直レール上のスロットにより典型的に支持される。残念ながら、およそ200mmよりも大きい公称直径を有する大型ウェーハを支持するのにこのような設計が利用されると、ウェーハは自重により撓んでしまう。
炉内温度が上昇すると、この撓みすなわち変形により結晶転位、すなわち、「スリップ」および他の応力がウェーハ上に生じる。200mmの公称直径を有するウェーハに対して「スリップ」は典型的におよそ1200℃で生じるが、300mm以上の直径を有するウェーハに対しては1000℃以下の温度で生じることがある。ウェーハ上の応力に起因する結晶転位によりウェーハ上に作ることがあるチップ数が減少する。製品歩留りのこの減少はウェーハサイズと共に増大するため、従来の垂直ボート内で大型ウェーハを処理することは一般的に回避されてきている。
ウェーハ上の曲げ応力を減少させるためにさまざまな技術が示唆されてきていいる。その1つの方法はボートすなわちキャリヤのレールすなわち垂直サポートを、ウェーハがロードされるキャリヤの最前部へ向けてより多く配置することである。しかしながら、妨げられないローディングパスを必要とするためこれは困難である。
米国特許第5,931,666号はスロットを形成する各歯の内縁に丸みをつけた下向きに傾斜する歯先を設けることを開示している。従来技術設計において各歯の上面端部におけるシャープエッジに沿って通常発生するウェーハ内の応力集中は丸みをつけた端部により低減される。
大型ウェーハ上の曲げ応力を減少するためもう1つの技術が米国特許第5,492,229号に開示されており、それは、ウェーハをそれらのエッジにおいてではなくそれらの中心に向かって支持するための歯の端部またはその近くに配置された小さなコンタクトパッドを有する比較的長い支持歯、すなわち、支持レール上の長いスリットまたはスロットにより形成された支持アームを教示している。この特許では、コンタクトパッドやサポート突起は各ウェーハの内部がパッドにより支持され、周辺部すなわちウェーハ半径の10%までの距離だけウェーハのエッジから内向きに延びる部分はパッドやアームと接触しない。ウェーハをそれらの内部で支持することにより、この設計はその自重によるウェーハ上の応力を低減するだけでなく、垂直サポート内のスリットからウェーハへの直接伝熱により生じる熱応力も低減する。
前記した特許はウェーハ上の応力を減少させるために長い支持アームすなわち歯の使用を提案しているが、ウェーハサポートは支持アームの端部またはその近くに配置された小さなコンタクトパッドを頼りにするため決して均一ではなく、パッドは支持アームの長さの小部分しか占有せず各ウェーハの小面積としか接触しない。さらに、この特許に示された設計では歯の頂部から材料を除去して小さな支持パッドすなわち突起を形成することにより歯強度が低減する。
キャリヤレールに対する代替設計が米国特許第6,171,400号および第6,357,604号に開示されており、それらは共に同じ出願に基づいており本開示の一部としてここに組み入れられている。添付図1は4つの垂直サポートすなわちレール12,14が搭載される底部すなわち底板10を含む従来技術の半導体ウェーハキャリヤ11を示している。レール12,14は底板10および、図示せぬ、頂部すなわち天板間を上向きに延びている。キャリヤ11の左側に配置された2本のレール12は同一であり、キャリヤ11の右側に配置されたレール14のミラーイメージである。添付図2はレール14の各側の詳細を示す斜視図を含んでいる。一般的に、底板10および天板の設計はウェーハを処理する炉にキャリヤ11を出入りさせるのに使用される装置のタイプと炉自体の設計によって決まる。
ウェーハ16はウェーハキャリヤ11内に挿入された後のその適切な位置に点線で図1に示されている。一般的に、キャリヤ11の設計は保持され支持されるウェーハ16のサイズによって決まる。典型的に、キャリヤ11内に保持されるウェーハ16の公称直径はおよそ200mmからおよそ400mmであり、所望により、他の直径のウェーハ16も収納することができる。このサイズのウェーハ16は通常およそ0.5からおよそ1.5mmの厚さを有する。
図1および図2の両方について、各支持レール12,14は底板10の上面18上に搭載され、2本のレール12,14は横方向中心線20および縦方向中心線22の両側に配置される。各レール12,14は、それぞれ、複数の支持アームすなわち歯24,26を含み、それらはウェーハ16が挿入されるスロット28を画定する。スロット28は1枚のウェーハ16が各レール12,14内の対応するスロットにより一緒に受け入れられ、キャリヤ11がウェーハ16を積重ねて保持できるように揃えられる。
図1にはキャリヤ11上の4本の支持レール12,14が示されているが、キャリヤ11は2本のレール12,14しか持たないこともできる。キャリヤ11の支持および製作コストの観点から、通常は3本または4本の支持レール12,14が好ましいが、所望により、より多くのレール12,14を使用することができる。
レール12は底板10の左側に取り付けられかつ配置され、レール14は底板10の右側に配置される。理想的には、ウェーハ16の最も均一な支持に対して、レール12,14は底板10上の円内で互いに等間隔、すなわち、90°でなければならない。残念ながら、このような構成ではウェーハ16をキャリヤ11内に配置することができない。ウェーハ16をキャリヤ11の前面内にロードするのに十分なクリアランスとするために、底板10の前面部上に配置された各レール12,14は底板10周りの短い距離を測定した時に、通常、互いにおよそ150°およびおよそ175°間の間隔としなければならない。3本のレール12,14しか利用したくない場合には、図1に示すように2本のレール12,14はキャリヤ11の前面に向かって配置され、1本のレール12,14はキャリヤ11の背面に配置される。典型的に、前面のレール12,14は各ウェーハ16の重量のおよそ55%から90%を支持する。
‘400および‘604特許は各歯24,26の一面に沿ってそのフロントチップからそのバックエッジ34へ向かって歯長の少なくとも70%、通常は、少なくとも80%に等しい距離だけ延びる支持構造すなわち突起30を開示している。通常、突起30はウェーハ16の外縁から内向きにウェーハ16の中心からウェーハ半径のおよそ25%およびおよそ80%間、好ましくは、およそ45%および60%間に等しい距離に位置する点までウェーハ16に対する支持を行うように設計される。突起30はウェーハ16をそのエッジから内向きに支持するのが好ましいが、実際の支持はウェーハ16のエッジからその半径の9%、より好ましくは、ウェーハ16のエッジからその半径の5%未満から開始することができる。
通常、突起30はそのエッジから内向きにウェーハ16の連続的支持を行うように設計されるが、ウェーハ16の最大量の表面積を熱処理工程に曝しかつ熱伝導率によるウェーハ16底部への熱伝達、非均一膨張を生じる熱伝達およびウェーハ16上の応力を低減するために、ウェーハ16の下側との接触面積はできるだけ小さくするのが好ましい。もちろん、突起30の頂部の表面積は歯24,26のサイズによって決まり、それは支持されるウェーハ16のサイズによって決まる。典型的に、およそ200mmおよび400mm間の公称直径を有するウェーハ16に対して、突起30の頂部の表面積はおよそ20および200mm2間、好ましくは、およそ30および120mm2間の範囲である。
通常、突起30の高さは炉内のガスが歯24,26の頂面と各ウェーハ16の下側間のエリアに接近できるようにするのに十分である。典型的に、高さはおよそ0.25およびおよそ2.5mm間、好ましくは、0.5および1.25mm間の範囲である。突起30の頂部と次に高い隣接歯24,26の底面間の距離は通常およそ0.75およびおよそ4.0mm間、好ましくは、1.5および3.0mm間の範囲である。
突起30がウェーハ16のエッジに近い点で始まり内向きに続く各ウェーハ16に対する支持を行うと、ウェーハ16の重量による応力はウェーハ16の内部でしか支持されない場合に較べて実質的に低減されることが判っている。さらに、一体型で各歯24,26の長さの少なくとも50%を占有する突起30を利用すると個別の各歯24,26の強度が増す。
前記した方法によりウェーハ処理中のスリップは低減されるが、ウェーハキャリヤに対する改善されたレール設計が必要とされている。改善された設計により各歯の頂面よりも上にウェーハを支持する突起が提供され、各突起は応力集中を低減してさらにスリップを制限するための丸みをつけたエッジを有する。
(発明の概要)
複数の半導体ウェーハを保持する装置内でサポートとして使用するレールが提供される。このレールは垂直列に配置された複数の歯を有し、1つの歯の頂面と次に高い隣接歯の底面間のスペースが半導体ウェーハの一部を受け入れるスロットを形成するようにされている。ウェーハを支持する支持構造がスロットの底部を形成する実質的に全ての歯の頂面上に配置され、支持構造は側壁および頂面から間隔のとられた上面を有する。各支持構造上で、側壁と上面の各交点に半径が形成される。支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ50%に対して延びている。
複数の半導体ウェーハを保持する装置内でサポートとして使用するレールが提供される。このレールは垂直列に配置された複数の歯を有し、1つの歯の頂面と次に高い隣接歯の底面間のスペースが半導体ウェーハの一部を受け入れるスロットを形成するようにされている。ウェーハを支持する支持構造がスロットの底部を形成する実質的に全ての歯の頂面上に配置され、支持構造は側壁および頂面から間隔のとられた上面を有する。各支持構造上で、側壁と上面の各交点に半径が形成される。支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ50%に対して延びている。
本発明の特性と信じられる新しい特徴が添付した特許請求の範囲に記載されている。しかしながら、本発明自体および好ましい使用モード、そのさらなる目的および利点は添付図と共に実施例の下記の詳細な説明を読めば最もよく理解できる。図3は本発明のウェーハキャリヤの斜視図であり、図4は図3のレールの一実施例の斜視図である。レール36は前記したレール12の直接置換品であり、レール36のミラーイメージを有するレール38はレール14の直接置換品である。
図3はウェーハキャリヤ40を示し、それは底板10および4本の垂直レール36,38を含んでいる。レール36,38は底板10および天板(図示せず)間を上方に延びている。キャリヤ40の左側に配置された2本のレール36は同一であり、キャリヤ40の右側に配置されたレール38のミラーイメージである。図4はレール36の詳細を示す。
図3および4について、各レール36,38は板状構造とされ、狭い幅および延長された高さを有する。複数の支持アームすなわち歯42がウェーハ16を挿入するスロット44を画定する。レール36,38がキャリヤ44上に設置されると、スロット44は1枚のウェーハ16を各レール36,38内の対応するスロット44で一緒に受け入れて、キャリヤ40はウェーハ16をスタック内に保持できるように揃えられる。垂直サポート48は一番下の歯42から垂れ下がっており、垂直サポート48および垂直部46の下端は底板10の上面18に隣接している。
各歯42は垂直部46から横方向外向きに延びており、好ましくは、歯42は互いに平行で等間隔とされている。矩形垂直断面を有するように図示されてはいるが、各歯42は異なる形状、たとえば、楔状または半円状の垂直断面を有することができる。同様に、レール36,38は板状部材として図示されてはいるが、レール36は他の形状を有することができる。たとえば、それらはU字形またはC字形を有することができる。レール36,38の垂直高さはウェーハ16が処理される炉の高さによって決まる。典型的には、レール36,38の長さはおよそ0.5および1.5m間で変動するが、通常はおよそ0.6および1.0m間の長さである。
各レール36,38内のスロット44数はキャリヤ40により保持されるウェーハ16の数によって決まる。それは熱処理に使用される炉のサイズおよびウェーハ16の頂面および底面の両方を適切に熱処理に曝すのに望ましいウェーハ16間の分離によって決まる。通常、各レール36,38はおよそ50およびおよそ240間のスロットを含んでいる。典型的なサイズの炉に対して、スロット44の数はおよそ80およびおよそ160の間である。
支持構造50は各歯42の一面に沿ってそのフロントチップ52からそのバックエッジ54へ向かって各歯42の長さの好ましくは少なくとも70%、通常は少なくとも80%、に等しい距離だけ延びている。図3および図4に示すように、支持構造50は狭幅のニアバックエッジ54および比較的広幅のニアフロントチップ52を有する。
支持構造50は通常ウェーハ16の外縁から内向きにその中心からウェーハ16の半径のおよそ25%およびおよそ80%間、好ましくは、およそ45%および60%間に等しい距離にある点までウェーハ16に対する支持を行うように設計されている。支持構造50はウェーハ16をその外縁から内向きに支持することが好ましいが、実際の支持はウェーハ16の外縁の内向きに始まるかもしれない。
前記した理由から、ウェーハ16の下側との接触面積はできるだけ小さいことが望ましい。ウェーハ16は上面56上に静止し、それは各歯の頂面58から間隔がとられている。側壁60,62,64が上面56および頂面58間を延びて、実質的に三角形または楔状の支持構造50を形成する。熱処理中のウェーハ16上の応力集中を低減するために、側壁60,62,64は丸められ、各側壁60,62,64の上面56との交点に半径が形成される。好ましくは、半径は1mmから2.5mmであるが、他の値を使用することもできる。支持構造50の頂部の実際の表面積は各歯42のサイズによって決まり、それは支持されるウェーハ16のサイズによって決まる。隆起支持構造50と上面56および側壁60,62,64の交点に沿った半径との組合せにより、いずれかの技術しか使用しない場合に達成される低減を超えて有効にスリップが低減される。
支持構造50の高さは通常炉内のガスが歯42の頂面58と各ウェーハ16の下側との間のエリアへ到達できるようにするのに十分である。典型的には、高さはおよそ0.25mmおよびおよそ2.5mm間、好ましくは、0.5mmおよび1.25mm間の範囲である。支持構造50の上面56と次に高い隣接歯42の底面間の距離は通常およそ0.75mmおよびおよそ4.0mm間、好ましくは、およそ1.5mmおよび3.0mm間の範囲である。
レール36,38の歯42は、それぞれ、レール36,38内にスロット44が切り込まれる時に形成され、引例‘400および‘604に詳説されているのと同様な工程である。歯の形状は典型的にレールが作られる板状部材の形状によって決まる。歯42は図3および4に示すようにまっすぐであるが、フロントチップ52からバックエッジ54へ向かって外向きに先細の楔状とすることができる。歯2は円弧のように湾曲することもできる。一般的に、歯はまっすぐであれば、その長さはウェーハ16の半径のおよそ20%からおよそ80%間、好ましくは、40%および60%間の範囲である。通常、歯はおよそ20から150ミリメートル、好ましくは、50から100ミリメートル間の長さである。
本発明によりいくつかの利点が実現される。本発明のレールは隆起支持構造を提供し、応力およびスリップを増加させることがある加熱中の半導体ウェーハの非均一膨張を制限する。さらに、長い歯の使用によりウェーハ半径の大きい部分に対する支持がなされ、さらにスリップを制限する。また、支持構造の上面において丸みをつけたエッジに使用してこのエリア内への応力集中を低減し、さらにスリップを制限する。
本発明をそのいくつかの形についてのみ示し説明してきたが、当業者ならば本発明はそのように限定はされず、発明の範囲内でさまざまな変更を行うことができることをお判りであろう。
Claims (22)
- 複数の半導体ウェーハを保持する装置においてサポートとして使用するレールであって、前記レールは、
各々が頂面、底面、および長さを有する複数の歯であって、歯は1つの歯の頂面と次に高い隣接歯の底面間のスペースが半導体ウェーハの一部を受け入れるためのスロットを形成するようにされている複数の歯と、
前記ウェーハと接触してそれを支持しスロットの底を形成する実質的に全ての歯の頂面上に配置される隆起支持構造であって、その間の上面と交差してそれを画定する対向する側壁を有し、上面は頂面から間隔がとられており、各隆起支持構造は対応する歯の長さの少なくともおよそ50%に対して延びている隆起支持構造と、を含み、
各隆起支持構造上で、少なくとも選択された側壁および上面の各交点に半径が形成されるレール。 - 請求項1に記載のレールであって、各隆起支持構造上で、各側壁および上面の各交点に半径が形成されるレール。
- 請求項1に記載のレールであって、各歯の長さは25mmよりも大きいレール。
- 請求項1に記載のレールであって、各歯の長さはおよそ30およびおよそ100mm間であるレール。
- 請求項1に記載のレールであって、半径は少なくとも1mmであるレール。
- 請求項1に記載のレールであって、半径は少なくとも1mmで2.5mmよりも大きくはないレール。
- 請求項1に記載のレールであって、隆起支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ70%延びているレール。
- 請求項1に記載のレールであって、各隆起支持構造は1つの歯の一面に沿って延びる楔状隆起であるレール。
- 請求項1に記載のレールであって、各隆起支持構造は1つの歯のフロントチップから歯の先端から歯の長さの少なくとも80%の歯の上の点まで連続的に延びているレール。
- 請求項1に記載のレールであって、レールは炭化ケイ素により構成されるレール。
- 請求項1に記載のレールであって、レールはモノリシック構造として形成されるレール。
- 複数の半導体ウェーハを支持するためのウェーハキャリヤであって、前記キャリヤは、
少なくとも1つの一般的に平面状の板と、
少なくとも2つの支持レールであって、各々が垂直軸を有し、その垂直軸を一般的に板に垂直にして搭載される少なくとも2つの支持レールと、を含み、
各支持レールは垂直に積重ねられた複数の歯を有し、歯は互いに平行にかつ一般的に板面に平行に延びており、各歯はその上に隆起支持構造を有し、支持構造は歯の頂面上に間隔のとられた上面および上面を頂面につなぐ側壁を含み、少なくとも選択された側壁と上面の交点に半径が形成されるウェーハキャリヤ。 - 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、半径は各側壁と上面の各交点に形成されるウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各歯の長さは25mmよりも大きいウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各歯の長さはおよそ30およびおよそ100mm間であるウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、半径は少なくとも1mmであるウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、半径は少なくとも1mmで2.5mmよりも大きくないウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各支持構造は各歯の長さの少なくともおよそ70%延びているウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各支持構造は1つの歯の一面に沿って延びる楔状隆起であるウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各支持構造は1つの歯のフロントチップから歯の先端から歯の長さの少なくとも80%の歯の上の点まで連続的に延びているウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各支持レールは炭化ケイ素により構成されるウェーハキャリヤ。
- 請求項12に記載のウェーハキャリヤであって、各支持レールはモノリシック構造として形成されるウェーハキャリヤ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/803,820 US20050205502A1 (en) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | Rails for semiconductor wafer carriers |
PCT/US2005/009168 WO2005091341A1 (en) | 2004-03-18 | 2005-03-18 | Improved rails for semiconductor wafer carriers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007529909A true JP2007529909A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=34964289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007504159A Pending JP2007529909A (ja) | 2004-03-18 | 2005-03-18 | 半導体ウェーハキャリヤ用改良型レール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050205502A1 (ja) |
EP (1) | EP1735818A1 (ja) |
JP (1) | JP2007529909A (ja) |
WO (1) | WO2005091341A1 (ja) |
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