JPH05152228A - ボートへのウエーハ搭載方法 - Google Patents

ボートへのウエーハ搭載方法

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JPH05152228A
JPH05152228A JP33763991A JP33763991A JPH05152228A JP H05152228 A JPH05152228 A JP H05152228A JP 33763991 A JP33763991 A JP 33763991A JP 33763991 A JP33763991 A JP 33763991A JP H05152228 A JPH05152228 A JP H05152228A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
boat
holding groove
heat treatment
mounting
Prior art date
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Pending
Application number
JP33763991A
Other languages
English (en)
Inventor
Kei Sugita
圭 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP33763991A priority Critical patent/JPH05152228A/ja
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱処理成膜後の冷却時におけるウェーハの破
損を完全に防止することができるボートへのウェーハ搭
載方法を提供する。 【構成】 複数のウェーハ保持溝14がその長手方向に
沿って配設された複数の支柱13と、これらの支柱13
同士を連結する連結部材12a,12bと、を備え、上
記各支柱13の同じ高さ位置に配設されたウェーハ保持
溝14同士が互いに対向して開口するように縦型熱処理
炉内に立装されるウェーハボート11の使用方法であっ
て、直径8インチのウェーハ2を上記ウェーハ溝14に
それぞれ挿入し、上記ウェーハ2の上面内に直径6イン
チのウェーハ1を置く。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CVD(化学的気相成
長)、酸化、拡散等の半導体ウェーハの熱処理に用いら
れる熱処理炉、特に縦型熱処理炉において使用されるウ
ェーハボート(ウェーハ保持用治具)の使用方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に、熱処理炉は、半導体ウェーハ
(以下、ウェーハ)の表面にCVD膜、酸化膜等の形
成、および、不純物拡散を行うための装置である。この
熱処理炉はその形状によって縦型炉と横型炉とがある。
そして、それぞれ炉の形状に合致する形状のウェーハボ
ートが用いられる。
【0003】従来の縦型熱処理炉用ウェーハボートにあ
っては、熱処理炉内に立装されるものであって、複数の
支柱においてその長手方向に沿って多数のウェーハ保持
溝を刻設したものである。そして、これらのウェーハ保
持溝には円形のウェーハがそれぞれえ挿入されて水平状
態となるように支持される。図7に示すように、このよ
うな従来のウェーハ保持溝34は、その断面がコの字形
形状であって、そのウェーハボートの炉内への立装状態
で、ウェーハ保持溝34の下壁面34Aは略水平な面で
形成されていた。したがって、ウェーハ37をウェーハ
保持溝34に保持させた場合、ウェーハ37は、その周
縁部分の下面(裏面または背面ともいう)37Aがウェ
ーハ保持溝34の下壁面34Aに接触していた。さら
に、支柱33同士の間の間隔もウェーハ37の直径を考
慮しておらず、ウェーハ保持溝34の底壁面34Bまで
の深さも充分なものではなかった。この結果、ウェーハ
37の面取りした端面(側面)37Bがウェーハ保持溝
34の底壁面34Bに当接していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このため、成膜等によ
って、例えばポリシリコンを1μm以上成膜させると、
ウェーハの接触部が保持溝壁面に固着される。そして、
ウェーハボートとウェーハとは熱膨張係数が違うので、
冷却時の熱応力の作用により、その固着部分からチッピ
ング破損を招いていた。ひどい場合は、この破損部から
ウェーハ全体へ破損がおよび、ウェーハが裂断するとい
う問題が生じていた(図8,図9参照)。
【0005】そこで、本発明は、熱処理成膜後の冷却時
におけるウェーハの破損を完全に防止することができる
ボートへのウェーハ搭載方法を提供することを、その目
的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のボートへのウェーハ搭載方法においては、複数のウェ
ーハ保持溝がその長手方向に沿って配設された複数の支
柱と、これらの支柱同士を連結する連結部材と、を備
え、上記各支柱の同じ高さ位置に配設されたウェーハ保
持溝同士が互いに対向して開口するように縦型熱処理炉
内に立装されるボートへのウェーハ搭載方法であって、
支持板を上記ウェーハ保持溝に挿入し、この支持板の上
面にウェーハを置くものである。
【0007】また、本発明の請求項2に記載のボートへ
のウェーハ搭載方法においては、請求項1のウェーハ保
持溝を、その下面壁の先端部の少なくとも一部分がその
奥側部分よりも高くなるように形成したボートへのウェ
ーハ搭載方法であって、ウェーハを上記ウェーハ保持溝
に挿入し、治具を用いて上記ウェーハを所定距離だけ、
水平方向に移動させ、上記ウェーハ保持溝の底壁面とウ
ェーハ側端との間に間隔を設けるものである。
【0008】
【作用】請求項1に記載の発明に係るボートへのウェー
ハ搭載方法にあっては、ウェーハが支持板の上に搭載さ
れ、ウェーハがウェーハボートに接触しない。このた
め、成膜時における、ウェーハとウェーハボートとの固
着が起こらない。
【0009】また、請求項2に記載の発明に係るボート
へのウェーハ搭載方法にあっては、ウェーハを挿入後治
具で移動させるため、ウェーハの端がウェーハボートの
ウェーハ保持溝に接触しない。この結果、成膜時におけ
る、ウェーハの端部とウェーハ保持溝との固着が起こら
ない。
【0010】
【実施例】以下、本発明に係るボートへのウェーハ搭載
方法の第1実施例について、図面を参照して説明する。
まず、ウェーハボート11を準備する。図2はこのウェ
ーハボート11を示すその斜視図である。図2に示すよ
うに、このウェーハボート11は、通常は石英または炭
化ケイ素を素材とし、2つの面板12a,12b間にこ
れらを橋絡するように設けられた4本の支柱13を有し
ている。各支柱13においては、ウェーハを保持するた
めのウェーハ保持溝14が、所定の間隔で支柱の軸線方
向に沿って約100〜200箇所に刻設されている。ま
た、ウェーハ保持溝14は、全体としてV字形の断面形
状である。縦型熱処理炉内へのこのウェーハボート11
の装入は、ウェーハボート11の長手方向が垂直方向に
一致するようにして行う。
【0011】次に、図1に示すように、ウェーハボート
11の高さ位置の異なる各ウェーハ保持溝14に下敷用
の直径8インチのウェーハ2をそれぞれ挿入する。これ
らのウェーハ2上面内に直径6インチのウェーハ1をそ
れぞれ置く。このため、ウェーハ1と支柱13とは接触
しない。ウェーハボート11にウェーハ2を介して保持
されたウェーハ1は、炉内において水平に保たれて熱処
理炉内にそれぞれ装入されることとなる。したがって、
縦型熱処理炉内でウェーハ1上に多結晶シリコン膜を1
0μmの厚さに成膜させても、ウェーハ1とウェーハボ
ート11とはそれぞれ固着することはない。その結果、
成膜後の冷却時にウェーハ1が破損することはない。な
お、下敷用のウェーハ2の代わりに、石英製の円板また
は炭化ケイ素製等の円板を用いてもよい。また、これら
の円板またはウェーハ2はその中央部をくり抜いたリン
グ状のものでもよい。さらに、これらの円板は支柱13
と一体型のものでもよい。
【0012】図3、図4を用いて第2実施例を説明す
る。これらの図は下敷用の円板3を示したものである。
この円板3には切込み4が形成され、円板3の上面の4
箇所には楕円球の半分の突起5が設けられている。この
円板3をウェーハ2の代わりに用いる他は第1実施例と
構成は同じである。治具の挿入用の切込み4は、ウェー
ハ1のウェーハボート11への出し入れを容易にする。
突起5は搭載したウェーハ1の滑り止め防止のために設
けられている。その他作用は第1実施例と同じである。
【0013】次に、図5、図6を用いて、第3実施例を
説明する。図5はウェーハボートの4本の支柱23と、
ウェーハボートに保持される直径8インチのウェーハ2
1と、このウェーハ21を移動させるピンセット22と
を示している。図6は、このピンセット22によりウェ
ーハ21がそれぞれ動く様子を示している。なお、ピン
セット22の代わりにピンセットに類する治具を用いて
もよい。
【0014】各支柱23にはウェーハ21を保持するた
めのウェーハ保持溝24がそれぞれ刻設されている。こ
れらのウェーハ保持溝24の下面壁24Aには、その開
口側(先端側)が最も高く位置して奥側に向かって徐々
に低くなるように、各支柱23の長手方向に直交する方
向(水平面方向)に対して8゜の傾きをもった平坦面で
形成されている。また、一つの支柱23のウェーハ保持
溝24の奥底壁24Bと、これに対向する(同一高さ
の)他の支柱23のウェーハ保持溝24の奥底壁24B
とは、その距離がウェーハ21の直径よりも大きくなる
ように、各支柱23の間隔は設定してある。
【0015】したがって、以上の構成に係るウェーハボ
ートにウェーハ21を保持した場合、図6に示すよう
に、ウェーハ21の主面(表面)21Aはウェーハ保持
溝24にそれぞれ接触することはない。かつ、ウェーハ
21の側端面21Bはウェーハ保持溝24の奥底壁24
Bに接触しても、ピンセット22を用いて、これから所
定間隔25離すことができる。そして、ウェーハ21の
下向きの背面(裏面)21Cの一部分のみがウェーハ保
持溝24の下面壁24Aの先端側の一部分と接触するこ
とにより、水平に保持されることとなる。その結果、ウ
ェーハ21上へポリシリコンを10μmの厚さに成膜し
た場合でも、このポリシリコン膜によってウェーハ21
の側端面21Bがウェーハ保持溝24の奥底壁24Bと
に固着されることはない。よって、冷却等の場合にもウ
ェーハ21の破損等は生じることはない。なお、第1実
施例または第2実施例のように下敷用の板をウェーハ保
持溝24に挿入等し、その下敷にウェーハを置いてもよ
い。
【0016】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明に係るボ
ートへのウェーハ搭載方法によれば、熱処理成膜後の冷
却時においても、チッピング損傷が生じることなく、ウ
ェーハ全体の破損、及び、ウェーハの破裂を完全に防止
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るボートへのウェーハ
搭載方法を示すための図である。
【図2】本発明の第1実施例に係るウェーハボートの斜
視図である。
【図3】本発明の第2実施例に係る円板3の平面図であ
る。
【図4】本発明の第2実施例に係る円板3の正面図であ
る。
【図5】本発明の第3実施例に係るボートへのウェーハ
搭載方法を示すための図である。
【図6】本発明の第3実施例に係るボートへのウェーハ
搭載方法を示すための図である。
【図7】従来例に係るボートへのウェーハ搭載方法を示
す図である。
【図8】従来例に係るウェーハを示す図面代用写真であ
る。
【図9】従来例に係るウェーハを示す図面代用拡大写真
である。
【符号の説明】
1 6”ウェーハ 2 8”ウェーハ 11 ウェーハボート 12a,12b 面板(連結部材) 13 支柱 14 ウェーハ保持溝 21 ウェーハ 22 ピンセット(治具) 23 支柱 24 ウェーハ保持溝 24A 下面壁

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のウェーハ保持溝がその長手方向に
    沿って配設された複数の支柱と、これらの支柱同士を連
    結する連結部材と、を備え、上記各支柱の同じ高さ位置
    に配設されたウェーハ保持溝同士が互いに対向して開口
    するように縦型熱処理炉内に立装されるボートへのウェ
    ーハ搭載方法であって、 支持板を上記ウェーハ保持溝に挿入し、 この支持板の上面にウェーハを置くことを特徴とするボ
    ートへのウェーハ搭載方法。
  2. 【請求項2】 請求項1のウェーハ保持溝を、その下面
    壁の先端部の少なくとも一部分がその奥側部分よりも高
    くなるように形成したボートへのウェーハ搭載方法であ
    って、 ウェーハを上記ウェーハ保持溝に挿入し、 治具を用いて上記ウェーハを所定距離だけ、水平方向に
    移動させ、 上記ウェーハ保持溝の底壁面とウェーハ側端との間に間
    隔を設けることを特徴とするボートへのウェーハ搭載方
    法。
JP33763991A 1991-11-26 1991-11-26 ボートへのウエーハ搭載方法 Pending JPH05152228A (ja)

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JP (1) JPH05152228A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1253631A1 (en) * 2000-10-16 2002-10-30 Nippon Steel Corporation Wafer holder, wafer support member, wafer holding device, and heat treating furnace
US7163393B2 (en) 2004-02-02 2007-01-16 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Heat treatment jig for semiconductor silicon substrate

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Legal Events

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19991116