JP4590162B2

JP4590162B2 - 基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方

Info

Publication number: JP4590162B2
Application number: JP2003008037A
Authority: JP
Inventors: 智晴島田
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2002-01-17
Filing date: 2003-01-16
Publication date: 2010-12-01
Anticipated expiration: 2023-01-16
Also published as: JP2003282683A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体製造装置の基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、各種半導体装置を製造する際に行われる酸化、拡散、ＣＶＤなど各種熱処理を、処理時に発生する熱応力とウエーハ自身の自重によって生ずる応力によるスリップ（転位）や、ウエーハと基板ホルダ（ウエーハ保持治具）との接触によって発生するパーティクルやスクラッチなどの障害を、効果的に抑制して行うことができるとともに、上記基板ホルダ上へのウエハの載置および上記ホルダ上からのウエーハの取り出しを、容易に行うことができる半導体製造装置の基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開平９−２５１９６１号公報
【特許文献２】
特開平６−１６３４４０号公報
【特許文献３】
特開平１０−５０６２６号公報
【特許文献４】
特開平１０−２３７７８１号公報
半導体装置の形成においては、例えば酸化、拡散およびＣＶＤなど、各種熱処理が行われる。このような熱処理を行うための熱処理装置としては、多数のウエーハ（被処理基板）を、上下方向に適当な間隔でボート内に積層して配置して所要の熱処理を行う、縦型熱処理装置が多く用いられるようになった。この縦型熱処理装置においては、上記多数のウエーハが、内部に所定の間隔で上下方向に積層されたボートを反応管内に配置し、熱処理の目的に応じて選択されたガスを、前記反応管内に流しながら所望加熱手段を用いて加熱を行って、前記ボート内のウエーハに所要熱処理を行うものである。
【０００３】
このような縦型熱処理装置用として用いられる従来のボートは、図７に示したように、天板１０、底板１１およびこれらの天板１０と底板１１によって保持された支柱１２より構成されている。図７に示したように、支柱１２には多数の溝１３が設けられており、ウエーハ４は、これら多くの支柱１２に形成された前記溝１３によって保持される。なお、図７においては支柱１２の上端部および下端部の近傍に形成された溝のみが示され、他の部分に形成された溝は図示が省略されている。
【０００４】
また、前記特許文献１には、前記支柱に設けた溝に傾斜面や曲面を設けること、およびリング状（環状）のサセプタの上に処理すべきウエーハを置くことが提案されており、前記特許文献２、特許文献３および特許文献４には、リング状の基板ホルダの使用が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、処理すべきウエーハを、ボートの支持柱に設けた溝によって保持する場合は、図８から明らかなように、ウエーハ４を保持するための支柱１２に設けられた溝とウエーハ４との接触部分が少ないため（図８の場合は３ケ所）、熱とウエーハ４の自重によって生じた応力を緩和できず、スリップが発生する。また、支柱１２に設けられた溝１３の鋭角部分がウエーハ４に局所的に接触するため、熱によって軟化されたウエーハにスクラッチが発生した。さらには、保持部の表面粗さが大きいため、その凸部とウエーハとの接触によってスクラッチが発生してしまう。前記溝に傾斜面や曲面を形成しても、溝とウエーハ４との接触部分が少なく、両者の接触面積も小さいため、前記スリップの発生は防止できない。
【０００６】
また、前記リング状の基板ホルダ(サセプタ)の使用についても、前記各従来例には、基板ホルダ上へのウエーハの載置や基板ホルダからのウエ−ハの取り出しについては記載がなく、実用化のためにはさらに検討が必要である。
【０００７】
本発明の目的は、従来技術の有する前記問題を解決し、高温（８００℃以上）の熱処理のプロセスにおいても、スリップ、パーティクルおよびスクラッチの発生を効果的に防止することのできる基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、前記リング状の基板ホルダ上へのウエーハの載置や基板ホルダ上からのウエーハの取り出しを、極めて容易、迅速かつ正確に行うことのできる半基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の基板ホルダは、加熱手段を有する熱処理装置に用いられる基板ホルダであって、積層ボートのボート支柱に支持され、かつ被処理基板を載置する円環状の基板ホルダであって、当該被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつ前記ボート支柱に接する部分が直線状に形成された支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部を有し、前記支持部及び前記接続部をＳｉＣまたは単結晶シリコンまたはポリシリコンを用いて一体型で形成したことを特徴とする。
また、本発明の積層ボートは、加熱手段を有する熱処理装置に用いられる積層ボートであって、被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつボート支柱に接する部分が直線状である支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部からなり、前記支持部及び前記接続部が一体型で形成された円環状の基板ホルダを、前記ボート支柱に複数設け、所定の間隔を介して前記基板ホルダの表面と裏面を対向させることを特徴とする。
また、本発明の半導体製造装置は、被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつボート支柱に接する部分が直線状である支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部からなり、前記支持部及び前記接続部が一体型で形成された円環状の基板ホルダを、前記ボート支柱に複数設け、所定の間隔を介して前記基板ホルダの表面と裏面を対向させる積層ボートと、前記積層ボートが移される反応管と、前記反応管の外側に配置された加熱手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつボート支柱に接する部分が直線状である支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部からなり、前記支持部及び前記接続部が一体型で形成された円環状の基板ホルダを、前記ボート支柱に複数設け、所定の間隔を介して前記基板ホルダの表面と裏面を対向させる積層ボートに被処理基板が移された状態で、前記積層ボートを反応管に移し、熱処理を行うことを特徴とする。
【００１０】
すなわち、本発明において用いられる基板ホルダは円環状（リング状）であり、このような円環状の基板ホルダを用いることにより、ウエーハ（被処理基板）を支持柱の溝によって直接支持する従来の場合よりも、ウエーハ支持部との接触面積がはるかに大きく、支柱の溝によってウエーハを直接支持した際に生ずる前記問題は効果的に解決される。
【００１１】
熱処理の際におけるウエーハの昇降温および熱処理中における高温によって、ウエーハは変形する。しかし、前記のように、円環状の基板ホルダを用いることにより、ウエーハを支持柱の溝に直接保持した場合よりも、ウエーハ保持部の面積がはるかに広くなり、ウエーハが無理なく支持されるため、ウエーハが変形しても、スリップの発生は効果的に防止される。また、基板ホルダが円環状であるため、ヒータからの熱は基板ホルダによって吸収されて、ウエーハ面内の温度差が緩和され、熱処理の均一性が向上する。基板ホルダの外径がウエーハより大きければ、このような効果はさらに大きくなる。
【００１２】
しかも、例えば図３に示したように、本発明において用いられる円環状の基板ホルダ１は、表面が高い円弧状の部分である支持部２と、この支持部２の端部に接して形成された円弧状の凹部（支持部２の表面より表面が低い部分）である接続部３を有しており、図１に示したように、前記支持部２の上に処理すべきウエーハ４が載置される。前記接続部３は、ウエーハ移載機のツイーザよりも広い幅を有しており、この接続部３に前記ツイーザを抜き差しさせることによって、前記支持部２上へのウエーハ４の載置、および前記支持部２上からツイーザ上へのウエーハ４の取り出しを、極めて容易に行うことができる。
【００１３】
すなわち、処理すべきウエーハを載せたツイーザ（図示されていない）を、図１に示した矢印１３の方向に、前記接続部３上を移動させると、前記のように、前記接続部３はツイーザより広い幅を有し、ツイーザが接続部３を通過できるので、ツイーザは基板ホルダ１内に入る。ツイーザ上のウエーハ４が、基板ホルダ１とほぼ同心の位置に到達すると、ツイーザは停止し、その位置でツイーザを下降させる。このようにすれば、基板ホルダ１の高い部分である支持部２によってウエーハ４の縁部が支持されて、基板ホルダ１上に載置され、ウエーハ４はツイーザから分離される。この状態でツイーザを前記矢印１３とは逆の方向に動かせば、ウエーハ４は支持部２の上に残り、ツイーザを次の工程に供することができる。
【００１４】
基板ホルダ１の支持部２上からウエーハ４を取り出す場合は、まず、ツイーザを前記矢印１３の方向に動かして、基板ホルダ１内に入れた後、ツイーザを上昇させる。このようにすれば、ウエーハ４は支持部２の上からツイーザの上に移るから、その状態で、ツイーザを前記矢印１３とは逆の方向に動かして、基板ホルダ１の外部へ引き出せば、ウエーハ４はツイーザと共に基板ホルダ１の外部に移される。
【００１５】
このように、その上にウエーハ４を載せる支持部２と、ウエーハ移載機のツイーザが通過し得る寸法を持った凹部である接続部３を有する円環状の基板ホルダ１を用いることにより、基板ホルダ１上へのウエーハ４の載置および基板ホルダ１上からのウエーハ４の取り出しを、極めて容易に行うことが可能になった。
【００１６】
図１（ｂ）における端部１４を拡大して図２に示した。図２に示したように、前記支持部２のウエーハ４との接触面には、ウエーハ中心に向かうように、テーパや曲面を設けることができる。このようにすれば、ウエーハ４の端部が前記接触面と接触するから、基板ホルダ１の鋭角な部分がウエーハ４と接触することはなく、スクラッチが発生する恐れはない。さらに、基板ホルダ１の表面粗さを小さくすることによって、基板ホルダ１の表面のミクロな突起物は極度に減少し、ウエーハ表面におけるスクラッチの発生は防止されて、スクラッチに起因するスリップも抑制される。基板ホルダ１の表面粗さは小さいほど好ましいが、従来の約１／５から１／１０程度（Ｒａ０．５〜０．１μｍ）とすれば、十分に好ましい結果が得られる。
【００１７】
複数の前記基板ホルダを、所定の間隔を介して表面と裏面を対向させて積層するようボートの支柱に支持し、前記被処理基板を前記基板ホルダ上にそれぞれ載置した後、前記処理室に収容して、前記被処理基板に所望の処理が行われる。このようにすることによって、基板を支持している基板ホルダが支柱に直接保持されるので、ボートの製作は簡略化され、容易になる。前記支柱に溝を設けて、前記基板ホルダをこの溝に挿入するようにすれば、基板ホルダは極めて容易に支柱に支持される。
【００１８】
前記基板ホルダおよび前記支柱としてはＳｉＣ、単結晶シリコンまたはポリシリコンを用いて形成することができ、前記支柱に形成された前記溝に基板ホルダを抜き差し可能に配置される。本発明において用いられる円環状の基板ホルダ１は、図１から明らかなように、支持部２と接続部３のみからなる、一体化された極めて簡単な構造を有しているので、ＳｉＣ、単結晶シリコンまたはポリシリコンを用いても容易に形成できる。これらＳｉＣ、単結晶シリコンおよびポリシリコンは、耐熱性および耐薬品性が極めて高く、１，２００〜１，３００℃でも変形しないというすぐれた性質を有しており、ホルダやボートの材料として好ましいが、その反面、溶接加工が困難であるという問題があるため、複雑な形状のものは製作が困難である。
【００１９】
しかし、前記のように、本発明において用いられる円環状の基板ホルダ１の形状は極めてシンプルであるため、ＳｉＣ、単結晶シリコン、またはポリシリコンによって形成し、ボートの支柱に形成された溝と嵌合させて、基板ホルダ１を溝によって保持することは容易である。これらの材料を比較すると、ＳｉＣが単結晶およびポリシリコンより耐熱性および耐薬品性がすぐれており、酸化に対しても充分安定なので、基板ホルダや支柱の材質としてＳｉＣが最も好ましい。
【００２０】
従来、基板ホルダを接続可能なように二つに分割して、一方を支柱に熔着させ、その上にウエーハを置いた後、他方を前記一方に接続させることによって、基板ホルダ上にウエーハを載置する方法が提案されている。しかし、ＳｉＣは融点が極めて高いため、このような基板ホルダをＳｉＣから形成すると、前記基板ホルダの一方を支柱の所定の位置に、正確にに熔着させることは困難であり、ＳｉＣによって基板ホルダを構成するのは困難である。また、熔着ではなく、溝への差し込みによって基板ホルダを保持すると、基板ホルダが二分割されているために脱落し易く、しかも、前記基板ホルダの一方を左右対称に差し込むことは困難である。しかし、本発明における基板ホルダ１においては、高い部分である支持部２と凹部である接続部３は一体化されて形成され、２分割されていないので、基板ホルダを前記溝と嵌合させて支持柱に保持することは極めて容易である。
【００２１】
前記支持部２の端部と接して形成された凹部である接続部３は、基板移載器のツイーザが、出入し得る大きさを有している。そのため、処理すべきウエハがその上に戴置されたツイーザは、接続部３を容易に出入りすることができ、基板ホルダ１への処理すべきウエハの出し入れは極めて容易である。
【００２２】
前記基板ホルダは、一つ若しくは二つの前記接続部を有することができる。接続部の数が２の場合は、例えば図５に示した位置決め部８、８´を有するツイーザ６を、所定の位置に停止させて、支持部２上へのウエハの戴置が行われる。また、接続部の数が１の場合は、このような位置決め部８´を一つ有しているツイーザ用いることができる。図３および図１０に、接続部３の数がそれぞれ２および１である基板ホルダ１を示した。
【００２３】
【発明の実施の形態】
実施例１
図１および図３を用いて本発明の一実施例を説明する。図３において、図３（ａ）は本発明に用いる基板ホルダの一例を示す平面図、図３（ｂ）は正面図、図３（ｃ）は図３（ｂ）におけるＤ部を示した図、図３（ｄ）は図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面における上端部の断面形状を示した図である。
【００２４】
図３（ａ）に示したように、本発明においてウエーハ４を保持するための基板ホルダ１は円環状であり、表面が高い部分（厚い部分）である支持部２と、当該支持部２の表面より表面が低い凹部（薄い部分）である接続部３からなっている。前記支持部２の上には処理すべきウエーハ４が置かれ、ウエーハ４の縁部が支持部２によって支持される。接続部３は、ウエーハ移載機のツイーザ（図示されていない）を抜き差しするために設けられたもので、前記ツイーザの幅より大きな幅と、接続部３内にツイーザを挿入し、かつ、挿入されたツイーザを下降させることができる深さを有している。前記基板ホルダ１は、図１に示したように、ボートの有するボート支柱５に形成された段部に挿入されて、ボート支柱５に支持される。
【００２５】
本発明においては、ボート支柱に設けられた極めて小面積の段部によって、ウエーハを直接保持していた従来技術とは異なり、長い円弧状の、表面が高い部分である支持部２の上にウエーハ４が保持される。そのため、前記従来技術の場合にくらべて、基板ホルダ１とウエーハ４の接触面積がはるかに大きく、熱とウエーハの自重によって生ずる応力は効果的に防止され、スリップの発生ははるかに少ない。
【００２６】
また、本発明に用いられる基板ホルダ１は、ツイーザを出入りさせるための接続部３を有しているため、前記のように、基板ホルダ１上へのウエーハ４の装着および基板ホルダ１上からのウエーハ４の脱離は、極めて容易である。
【００２７】
本発明において、基板ホルダ１としては種々な寸法のものを使用することができるが、本実施例では下記寸法の円環状の基板ホルダ１を用いた。すなわち、図３（ａ）に示したように、基板ホルダ１の支持部２の外径ｒ_１は３０８ｍｍ、内径ｒ_２は２８０ｍｍ、二つの支持部２は垂直軸に対して互いに対称な位置に配置されており、これら二つの支持部２の中心点に対する角度はそれぞれ１２６°（水平軸に対して上下対称にそれぞれの角度αは６３°）である。基板ホルダ１の外周部分のうち、ボート支柱５に接する部分（図１の場合は４ケ所）には、それぞれ長さｗ_３が５５．３ｍｍの直線部分を形成した。そのため両直線部間の距離は３０３ｍｍとなり、前記直径ｒ_１よりわずかに小さい。この直線部分の下端部間の距離ｒ_３は２９４ｍｍであり、この直線部分によって、基板ホルダ１のボート支柱５への装着を、極めて確実に行うことができた。なお、前記ボート支柱５に形成された段部（溝）内に基板ホルダ１を挿入して、前記ボート支柱５に基板ホルダ１を接続するため、基板ホルダ１の支持部２の外縁部は、図２に示したように薄くされている。なお、接続部３の内径は前記支持部２と同じ２８０ｍｍとした。
【００２８】
図３（ｂ）に示したように、前記支持部２の厚さｔ_１は８ｍｍ、接続部３の厚さｔ_２は２ｍｍとして、接続部３の深さを６ｍｍとした。なお、図３（ｃ）に示したように、支持部２に接する部分の近傍における接続部３の厚さｔ_３は３ｍｍとした。
【００２９】
接続部３の横幅ｗ_１はほぼ１２７ｍｍとした。前記厚さが２ｍｍの部分の幅ｗ_２は１２０ｍｍとし、この部分をツイーザが出入りするようにした。ツイーザの幅は１０５ｍｍ、厚さ２ｍｍ程度であるから、前記深さが６ｍｍ（厚さ２ｍｍ）の部分上を支障なく出入させることができた。さらに、接続部３の上でツイーザを上下に動かし、ツイーザ上のウエーハ４を支持部２の上に残したり、支持部２上のウエーハ４をツイーザ上に移すことも容易であった。基板ホルダ１の材質としてはＳｉＣを使用し、さらにＣＶＤによってＳｉＣを表面上に厚さ約６０μｍ堆積させた。また、基板ホルダ１の各部の表面の平坦度は、±０．０５ｍｍ程度とした。前記基板ホルダ１の高い部分がウエーハ４と接する部分は、図２（ａ）、（ｂ）に示したように、曲面または傾斜面とした。
【００３０】
次に、このような基板ホルダ１上へのウエーハ（被処理基板）４の装着およびその後に行われる熱処理について、図４および図９を用いて説明する。まず、図４（ａ）に示したように、カセットケース７内の複数のウエーハ４を、移載機９のツイーザ６上に載せてカセットケース７から引き出す。次に、図４（ｂ）に示したように、移載機９を回転させてウエーハ４をボート１５内の基板ホルダ１に向け、さらに図４（ｃ）に示したように、移載機９を直進させて、ボート１５内の前記基板ホルダ１の上の位置にウエーハ４を移す。その後、前記のように、ツイーザ６を下げて、ウエーハ４を基板ホルダ１の支持部２の上に移した後、移載機９を前記直進とは逆方向に移動させて、ツイーザ６をボート１５から引き出して離す。この工程を繰り返すことによって、多数のウエーハ４をカセットケース７からボート１５内の基板ホルダ１の上に移し、所定の熱処理を行うことができた。
【００３１】
前記カセットケース７内から取り出されたウエーハ４を、移載機９によってボート１５内に搬送した後、図９に示したように、ボート１５をガス反応管１９内に移し、所定の熱処理を行った。ガス反応管１９は、ガス反応管１９内の温度分布を向上させるための均熱管１７内に配置されており、均熱管１７の外側には加熱手段１６が配置されて、ガス反応管１９内に挿入されたウエーハ４を所定の温度で処理する。前記ガス反応管１９は、ガス供給部１８を有しており、ガス反応管１９内を所定のガス雰囲気に保つ。
【００３２】
熱処理終了後、前記ボート１５をガス反応管１９から出し、さらに基板ホルダ１上からウエーハ４を引き出して、次の処理工程に供した。基板ホルダ１上からウエーハ４をカセットケース７に移すためには、前記ウエーハ４を挿入する場合とは、逆の順で処理を行えばよいことはいうまでもない。
【００３３】
前記ウエーハ移載機９が有するツイーザ６の一例を図５に示した。このツイーザ６は、ウエーハ４の位置を規定するための二つの位置決め部（位置規制部）８、８´を有しており、これら二つの位置決め部８、８´の間にウエーハ４が置かれる。二つの位置決め部８、８´はウエーハ４が置かれる部分より高くなっており、ウエーハ４は両位置決め部８、８´の間の低い部分上に置かれる。さらに、一方の位置決め部８´の壁面（ウエーハ４が置かれる部分との境界）は、図５に示したように円弧状になっているため、二つの位置決め部８、８´の間の低い部分上にウエーハ４を置き、ツイーザ６上の所定の位置に載置するのは、極めて容易である。
【００３４】
本発明において形成されたボート１５の外観の一例を図６に示した。多数の前記円環状の基板ホルダ１が、ボート支柱５に形成された多数の段部によってそれぞれ保持されている。これら多数の基板ホルダ１の上に、前記説明したように、それぞれウエーハが置かれる。なお、図６において、符号１０、１１は、それぞれ支柱５を固定するための天板および底板を表す。
【００３５】
本実施例に示した基板ホルダを用い、直径３０ｃｍのシリコンウエーハについて、８００℃の熱処理を支障なく行うことができた。
【００３６】
実施例２
次に、前記接続部３の数が１である基板ホルダの例について説明する。図３においては、前記のように、円環状の基板ホルダ１に、ツイーザを出入りさせるための接続部３を二つ設けた例を示したが、図１０に示したように、接続部３を一つのみとすることもできる。したがって、この場合は、図５に示したツイーザ６とは異なり、位置決め部８´を一つ有しているツイーザを用いることができる。
なお、図１０における各記号は、それぞれ図３の場合と同じものを表す。
【００３７】
本実施例においても、接続部３の数が２である前記実施例１の場合と同様に、極めて好ましい結果が得られた。
【００３８】
実施例３
本実施例は、位置決め部を有するツイーザを用いた例である。本半導体製造装置は、被処理基板を処理する処理室と、被処理基板を載置する環状の基板ホルダと、該基板ホルダが支柱に配置されたボートと、被処理基板を載置するツイーザであって、被処理基板の少なくとも外周の２個所で位置ずれを規制する位置決め部を有するツイーザと、前記基板ホルダには少なくとも前記ツイーザの位置決め部に対応した位置に、前記ツイーザの幅よりも広い幅の凹部である接続部を上面に有し、前記ツイーザに載置された被処理基板を前記基板ホルダへ、または前記基板ホルダに載置された被処理基板を前記ツイーザへ移し替える場合には、前記基板ホルダの凹部である接続部に前記ツイーザが出入するよう動作させることが可能な移載機とを具備していることを特徴としている。
【００３９】
このような構成とすることによって、ツイーザの出し入れや被処理基板の処理における、トラブルの減少や歩留まりの向上など、多くの好ましい効果が得られた。
【００４０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、円環状の基板ホルダの、表面が高い円弧状の支持部の上にウエーハが置かれて、所望熱処理が行われる。そのため、支持柱に設けた溝によってウエーハを直接支持した従来の場合よりも、高温度の熱処理とウエーハ自体の重量によって生ずる熱応力は大幅に緩和されてスリップの発生は減少し、また、ウエーハと基板ホルダの接触によるパーテイクルやスクラッチの発生も著しく減少して、歩留まりが向上する。
【００４１】
また、本発明においては、円環状の基板ホルダに、ウエーハがその上に置かれる高い部分である支持部と、この支持部に隣接して移載機のツイーザが出入りできる凹部である接続部を設けられており、この接続部を介してツイーザの出入れが行われる。それによって、基板ホルダ上へのウエーハの載置および基板ホルダ上からのウエーハの取り出しを、極めて容易に行うことができる。
【００４２】
しかも、円環状の基板ホルダの前記高い部分である支持部と凹部である接続部は、一体化して形成されており、構造が極めて簡単なので、耐熱性と耐薬品性がすぐれたＳｉＣを材質に用いて容易に形成することができ、ボート支持柱の段部に極めて容易かつ確実に嵌合して保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いられる円環状の基板ホルダを説明するための図。
【図２】基板ホルダの端部の構造を示す断面図。
【図３】接続部の数が２である円環状基板ホルダの構造を示す図。
【図４】カセット上へのウエーハの移送を説明するための図。
【図５】ツイーザの一例を示す図。
【図６】本発明におけるボートの一例を示す図。
【図７】従来のボートの構造を説明するための図。
【図８】従来のウエーハ支持を説明するための図。
【図９】本発明を用いた熱処理装置を説明するための図。
【図１０】接続部の数が１である円環状基板ホルダの例を示す図。
【符号の説明】
１…基板ホルダ、２…支持部、３…接続部、４…ウエーハ、５…ボート支柱、６…ツイーザ、７…カセットケース、８、８´…位置決め部、９…移載機、１０…天板、１１…底板、１２…支柱、１３…矢印、１４…端部、１５…ボート、１６…加熱手段、１７…均熱管、１８…ガス供給部、１９…ガス反応管、ｒ_１…支持部の外径、ｒ_２…基板ホルダの内径、ｒ_３…直線部分の下端部間の距離、ｗ_１…凹部の幅、ｗ_２…厚さ２ｍｍの接続部の幅、ｗ_３…直線部分の長さ、ｔ_１…支持部の厚さ、ｔ_２…厚さ２ｍｍの接続部の深さ、ｔ_３…厚さ３ｍｍの接続部の深さ。

Claims

加熱手段を有する熱処理装置に用いられる基板ホルダであって、積層ボートのボート支柱に支持され、かつ被処理基板を載置する円環状の基板ホルダであって、当該被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつ前記ボート支柱に接する部分が直線状に形成された支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部を有し、前記支持部及び前記接続部をＳｉＣまたは単結晶シリコンまたはポリシリコンを用いて一体型で形成したことを特徴とする基板ホルダ。
加熱手段を有する熱処理装置に用いられる積層ボートであって、被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつボート支柱に接する部分が直線状である支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部からなり、前記支持部及び前記接続部が一体型で形成された円環状の基板ホルダを、前記ボート支柱に複数設け、所定の間隔を介して前記基板ホルダの表面と裏面を対向させることを特徴とする積層ボート。
前記支持部及び前記接続部を、ＳｉＣまたは単結晶シリコンまたはポリシリコンを用いて形成したことを特徴とする請求項２に記載の積層ボート。
被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつボート支柱に接する部分が直線状である支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部からなり、前記支持部及び前記接続部が一体型で形成された円環状の基板ホルダを、前記ボート支柱に複数設け、所定の間隔を介して前記基板ホルダの表面と裏面を対向させる積層ボートと、
前記積層ボートが移される反応管と、
前記反応管の外側に配置された加熱手段と
を有することを特徴とする半導体製造装置。
被処理基板の縁部をその上に支持し、被処理基板の外径よりも大きく、かつボート支柱に接する部分が直線状である支持部と、当該支持部が互いに離間する部分に当該支持部の端部に接して設けられた前記支持部の表面より低い表面を有する接続部からなり、前記支持部及び前記接続部が一体型で形成された円環状の基板ホルダを、前記ボート支柱に複数設け、所定の間隔を介して前記基板ホルダの表面と裏面を対向させる積層ボートに被処理基板が移された状態で、
前記積層ボートを反応管に移し、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。