JP2006108677A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板ホルダ1が円環状であって、基板ホルダ1はウエーハを載置した時にウエーハの外周を保持するための二つの円弧状の支持部2と、支持部2の端部を相互接続する二つの接続部3とが交互に配置され、接続部3は基板移載機のツイーザの幅よりも大きな幅を有し、かつ接続部3は支持部2の高さとの差を有し、該高さの差は接続部3の上でツイーザを上下に動かし、ツイーザ上のウエーハを支持部2の上に残し、かつ支持部2の上のウエーハをツイーザ上に移すことが可能な差とする。
【選択図】 図3
Description
図1および図3を用いて本発明の一実施の形態を説明する。図3において、図3(a)は本発明に用いる基板ホルダの一例を示す平面図、図3(b)は正面図、図3(c)は図3(b)におけるD部を示した図、図3(d)は図3(a)におけるA−A断面における上端部の断面形状を示した図である。
次に、前記接続部3の数が1である基板ホルダの例について説明する。図3においては、前記のように、円環状の基板ホルダ1に、ツイーザを出入りさせるための接続部3を二つ設けた例を示したが、図10に示したように、接続部3を一つのみとすることもできる。したがって、この場合は、図5に示したツイーザ6とは異なり、位置決め部8´を一つ有しているツイーザを用いることができる。なお、図10における各記号は、それぞれ図3の場合と同じものを表す。
本実施の形態は、位置決め部を有するツイーザを用いた例である。本半導体製造装置は、被処理基板を処理する処理室と、被処理基板を載置する環状の基板ホルダと、該基板ホルダが支柱に配置されたボートと、被処理基板を載置するツイーザであって、被処理基板の少なくとも外周の2個所で位置ずれを規制する位置決め部を有するツイーザと、前記基板ホルダには少なくとも前記ツイーザの位置決め部に対応した位置に、前記ツイーザの幅よりも広い幅の凹部である接続部を上面に有し、前記ツイーザに載置された被処理基板を前記基板ホルダへ、または前記基板ホルダに載置された被処理基板を前記ツイーザへ移し替える場合には、前記基板ホルダの凹部である接続部に前記ツイーザが出入するよう動作させることが可能な基板移載機とを具備していることを特徴としている。
Claims (4)
- 反応管と、該反応管の外側に配置された加熱手段と、前記反応管内で基板を保持する基板ホルダと、前記基板を前記基板ホルダに載置するための基板移載機とを有し、前記基板ホルダが一つまたはそれ以上の実質的にリング状の基板ホルダであって、各前記基板ホルダは前記基板を載置した時に前記基板の外周を保持するための少なくとも二つの円弧状の支持部と、該支持部の端部を相互接続する少なくとも二つの凹部とが交互に配置され、
前記凹部は前記基板移載機のツイーザの幅よりも大きな幅を有し、かつ前記凹部は前記支持部の高さとの差を有し、該高さの差は前記凹部の上で前記ツイーザを上下に動かし、前記ツイーザ上の前記基板を前記支持部の上に残し、かつ前記支持部の上の前記基板を前記ツイーザ上に移すことが可能な差であり、
前記基板は前記基板ホルダに載置された状態で前記反応管内で前記加熱手段により加熱されて熱処理されることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記基板ホルダを積層する複数の支柱を有するボートを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記基板ホルダおよび前記支柱がSiC製であることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記基板ホルダは前記支柱に形成された溝に挿入されることによって、前記ボートに積層されることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
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2005
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