JPH01272112A - ウエハ保持治具 - Google Patents

ウエハ保持治具

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Publication number
JPH01272112A
JPH01272112A JP63100326A JP10032688A JPH01272112A JP H01272112 A JPH01272112 A JP H01272112A JP 63100326 A JP63100326 A JP 63100326A JP 10032688 A JP10032688 A JP 10032688A JP H01272112 A JPH01272112 A JP H01272112A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holding jig
wafer holding
bars
grooves
Prior art date
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Pending
Application number
JP63100326A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinya Ichikawa
市川 晋也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Priority to JP63100326A priority Critical patent/JPH01272112A/ja
Publication of JPH01272112A publication Critical patent/JPH01272112A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、酸化、拡散、CVD(化学的気相成長)等の
ウニ八表面処理に使用するウェハ保持治具に適用して有
効な技術に関するものである。
〔従来の技術〕
ウェハ表面に酸化膜を形成する装置(酸化装置)は、電
子材料別冊超LSI製造、試験装置ガイドブック198
7年版p54〜59に開示されている。このうち、縦形
の酸化装置は、ボード(ウェハ保持治具)と炉心管(反
応管)とが非接触で挿入引出しできるため、横形に比較
して異物が発生しにくいという長所があり、今後ますま
す適用が増加していくものと考えられている。
HM 〔発明が解決しようとする場蕃無〕 ところで、従来の°縦型炉くおいては、第4図に示すよ
うなウェハ保持治具1が用いられている。
図示するように鉛直方向に延在する石英あるいはシリコ
ンカーバイト等のバー2が複数木工いに平行に配置され
ている。各バー2には底面を平坦にした溝が定間隔おき
く形成されている。従って、第5図に示すようにウェハ
4はバー2の溝3の平坦部A、すなわち面で支持される
ととくなる。そのため、ウェハ保持治具1ヘウエハ4を
チャージする際、あるいはウェハ保持治具1からウェハ
4をディスチャージする際、溝3の平坦部Aとウェハ4
とのこすれにより異物が発生し易くウェハ4の主表面上
に付着してしまうという問題がある。
また、ウェハ4の表面を化学的に処理する場合、一般に
ウェハ4の全面が−様な温度分布となるよ5に維持しな
ければならないが、平坦部Aから放熱してしまいウェハ
4内の温度分布が不均一となるため、ウェハ4とバー2
との接触面積を縮小する必要がある。
本発明の目的は、異物発生の低減したウニ八表面処理技
術を提供するものである。
本発明の他の目的は、ウェハ保持治具を介して熱が放散
するのを低減できうる技術を提供するものである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
〔Aνシを解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、ウェハ保持治具におけるウェハの支持を点あ
るいは線支持で行なうものである。
〔作用〕
上記した手段によれば、ウェハとウェハ支持部分との接
触面積を極めて小さくできるので、とずれを最小部分に
限定でき、しかも熱がウェハからウェハ保持治具へ逃げ
るのを最小限に抑えることができるものである。
〔実施例0 第1図は、本発明の一実施例であるウェハ保持治具の部
分拡大図、第2図は、第1図のウェハ保持治具を適用し
た酸化炉である。以下、■面に従い詳細に説明する。
第1図に示すように、ウェハ保持治具5は複数本のバー
6からなっ【おり、各バー6には一定間隔おきに溝7が
形成されている。各溝7の底面8の平坦面にはそれぞれ
突起9が形成されており、ウェハ100周辺部において
点支持できるようKなっている。前記バー6は一般に石
英ガラスを用いているが、より耐熱性の良いシリコンカ
ーバイト等を用いても良い。また、突起9をバー6と一
体的に形成しても良いが溝7の形成後に取り付けても良
い。ところで、ウェハ保持治具6は縦方向に配置された
石英製の反応管12内に上下方向自在に移動できる昇降
機構で挿入されるようになっている。前記反応管12内
はガス供給孔14から反応ガス、例えばモノシラン(S
 IH4)と水素(H2)を供給され−様なガス雰囲気
及び温度分布に維持されている。15はヒータ16から
放射される熱が均一に反応管12内に伝達されるように
前記反応管12の外周に沿って設けられた均熱管である
。なお、17は断熱材である。
次に本実施例の作用効果について説明する。
(1)ウェハ保持治具にウェハな点で支持することがで
きるので、ウェハとウェハ保持治具との接触面を可及的
に小さくでき、とずれを最小限にすることができるとい
う効果が得られるものである。
+21  +1)により、異物の発生を最小限に抑制で
きるという効果が得られるものである。
(3)ウェハ保持治具にウェハを点で支持することがで
きるので、ウェハとウェハ保持具との接触面を可及的に
小さくでき、従うて、ウェハ保持治具を介してウェハか
ら熱が逃げることを抑制でき、均一なウェハ表面温度が
維持できるという動電ができるものである。
(4)  (3)によりウェハ表面温度が均一となるの
でウェハ表面において均一な反応が可能となり、−様な
厚さの膜が生成できるなどのウェハ表面処理が行なえる
という効果が得られるという効果がある。
〔実施例の 本実施例が〔実施例1〕と異なるのは、〔実施例1〕で
はウェハな点で支持していたが、本実施例では線で支持
するところにある。第3図に示すように、鉛直方向に設
けられたバー18の溝19にはウェハ20を線で支持す
るようにテーパ21が形成されている。本実施例では、
溝入口側が狭く、奥はど広くなるようにテーパ21が形
成されている。この場合、ウェハ周縁部より内側を線支
持することができる。また、逆に溝入口側が広く、奥は
ど狭くなるようテーパを形成しても良く、この場合、ウ
ェハの周縁部で支持できる。なお、テーバ21を溝19
の一部に形成しているが、溝幅全体でテーバを形成し、
よりウエノ’20とテーバ21の接触面積を小さくして
も良い。
次に本実施例の作用効果について説明する。
+11  溝にテーバを形成することにより、従来のよ
うにウェハ保持治具がウェハと面で接触しないので、ウ
ニへの挿入及び引き出しの際のとずれを小さくできる。
よって、異物の発生を防止でき、従って歩留りの良好な
ウェハ表面処理が行なえるという効果が得られるもので
ある。
(2)溝にテーパを形成し、ウェハを線で支持すること
により、従来のようにウェハを面で支持する場合に比較
して、ウェハ保持治具にウェハから逃げる熱を低減する
ことができるので、ウェハ表面全面を均一な温度分布と
することができ、−様な薄膜を形成できるという効果が
得られる。
(3)溝にテーパを形成し、ウェハを線で支持すること
により、(1)及び(2)の効果が得られると同時に、
ウェハをウェハ保持治具に安定して載置できる。
従って、炉内ヘウエハ保持治具を挿入する際あるいは抜
き出す際にウェハがガタつくこともなく、それにより異
物が発生するということもない。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施何重及び2に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、点
支持や線支持でなくても、溝の底面に凹あるいは凸を形
成するだけでも従来技術に比較して効果が得られる。ま
た、突起をバーの溝内に形成せずK、バーからウェハ側
に張り出したアームの先端部に設けて支持するようにし
ても良い。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、異物発生の低減及びウニ八表面温度の均一化
を達成できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例であるウェハ保持治具の部
分図、 第2図は、第1図のウェハ保持治具を用いる酸化炉の全
体構成断面図、 第3図は、本発明の他の実施例であるウェハ保持治具の
部分図、 第4図及び第5図は、従来のウェハ保持治具の説明図で
ある。 5・・・ウェハ保持治具、6.18・・・バー、7゜1
9・・・溝、8・・・平坦部、9・・・突起、10.2
0・・・ウェハ、11・・・酸化炉、12・・・反応管
、13・・・昇降機構、14・・・ガス供給孔、15・
・・均熱管、16・・・ヒータ、17・・・断熱材、2
1・・・テーバ。 第  1 図 工 5−ラボへa碕退里 C−ハ゛− 7−5爾 7−タ起 10−ウエノ\ 第  2  図 第3図 互 2θ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、多数枚のウェハをほぼ水平に、かつ鉛直方向に配列
    して保持するウェハ保持治具において、前記ウェハがそ
    の円周付近において複数ヵ所で点もしくは線で支持され
    るように突起が形成されるように突起が形成されている
    ことを特徴とするウェハ保持治具。 2、鉛直方向に延在する複数本のバーと、前記バーに定
    間隔でウェハの周辺部が挿入できるような溝が形成され
    ているウェハ保持治具において、前記溝の底面に突起が
    形成されていることを特徴とするウェハ保持治具。 3、前記突起はバーと同材質であることを特徴とする特
    許請求の範囲第2項記載のウェハ保持治具。 4、鉛直方向に延在する複数本のバーと、前記バーに定
    間隔でウェハの周辺部が挿入できるような溝が形成され
    ているウェハ保持治具において、前記溝には溝入口から
    奥に向けてテーパが形成されていることを特徴とするウ
    ェハ保持治具。 5、前記テーパは溝の一部分に形成されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第4項記載のウェハ保持治具。
JP63100326A 1988-04-25 1988-04-25 ウエハ保持治具 Pending JPH01272112A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02102523A (ja) * 1988-10-11 1990-04-16 Nec Corp ウェハーボート
JPH02295150A (ja) * 1989-05-09 1990-12-06 Yodogawa Kasei Kk ガラス基板用カセット
JPH04120723A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Kawasaki Steel Corp ウエハ熱処理用治具
KR101450710B1 (ko) * 2013-09-02 2014-10-16 국제엘렉트릭코리아 주식회사 기판 보우트의 제조 방법

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