KR101160413B1 - 서셉터, 성막 장치 및 성막 방법 - Google Patents

서셉터, 성막 장치 및 성막 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101160413B1
KR101160413B1 KR1020100061860A KR20100061860A KR101160413B1 KR 101160413 B1 KR101160413 B1 KR 101160413B1 KR 1020100061860 A KR1020100061860 A KR 1020100061860A KR 20100061860 A KR20100061860 A KR 20100061860A KR 101160413 B1 KR101160413 B1 KR 101160413B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
gap
susceptor portion
substrate
silicon wafer
Prior art date
Application number
KR1020100061860A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110002427A (ko
Inventor
신야 히가시
히로노부 히라타
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20110002427A publication Critical patent/KR20110002427A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101160413B1 publication Critical patent/KR101160413B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 균일한 온도 분포를 실현하는 데에 유효한 서셉터와, 슬립의 발생을 감소시키면서 균일한 두께의 막을 성막할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것으로, 서셉터(102)는 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a)와, 제 1 서셉터부(102a)의 외주부에 접하여 설치되고, 제 1 서셉터부(102a)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b)를 구비하며, 제 2 서셉터부(102b)는 실리콘 웨이퍼(101)가 제 1 서셉터부(102a)에 지지된 상태에서 실리콘 웨이퍼(101)의 사이에 소정의 간격(H)의 간극(201)이 형성되도록 배치됨과 동시에, 또한 제 1 서셉터부(102a)와의 사이에도 간극(201)에 연속되고 또한 소정의 간격(H)과 실질적으로 동등한 간격(H′)의 간극(202)이 형성되도록 배치된다.

Description

서셉터, 성막 장치 및 성막 방법{SUSCEPTOR, FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD}
본 발명은 서셉터 및 이를 이용한 성막 장치와 성막 방법에 관한 것이다.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor: 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)등의 파워 디바이스와 같이, 비교적 막두께가 두꺼운 결정막을 필요로 하는 반도체 소자의 제조 공정에서는 에피택시얼 성장 기술이 이용된다.
막두께가 큰 에피택시얼 웨이퍼를 높은 수율로 제조하는 데에는 균일하게 가열된 웨이퍼의 표면에 새로운 원료 가스를 차례차례 접촉시켜 성막 속도를 향상시킬 필요가 있다. 그래서, 웨이퍼를 고속으로 회전시키면서 에피택시얼 성장시키는 것이 실시되고 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1에서는 웨이퍼를 지지하는 링 형상의 서셉터가 서셉터 지지부에 끼워 부착되어 있고, 서셉터 지지부에 접속되는 회전축이 회전함으로써 웨이퍼가 회전한다. 여기에서, 서셉터는 그 내주측에 설치된 카운터보링 내에 웨이퍼의 외주부를 수용하는 구조로 되어 있다. 즉, 웨이퍼의 이면은 외주부의 매우 좁은 부분만이 서셉터에 접촉되어 있고, 나머지 부분은 웨이퍼를 이면으로부터 가열하는 균열판의 표면을 향하여 노출되어 있다. 이러한 구조의 경우, 가열부나 회전부에서 발생한 금속 원자 등의 오염 물질에 의해 웨이퍼가 오염되어, 에피택시얼 막의 전기 특성이 저하될 우려가 있었다.
또한, 특허 문헌 1에서는 반응실 내에 도입된 원료 가스와 캐리어 가스의 혼합 가스는 웨이퍼의 회전에 수반하는 원심력에 의해, 웨이퍼의 상면 중심부로부터 방사상으로 흘러 외주부에 쓸어 낸 후, 배기공을 통하여 반응실의 외부로 배출된다. 그러나, 서셉터가 링형상을 나타냄으로써 쓸어내어진 가스의 일부가, 웨이퍼의 외주부와 서셉터의 간극을 통하여 서셉터의 개구 부분으로 흘러, 웨이퍼와 서셉터 사이에 에피택시얼 막이 형성되는 문제도 있었다. 이와 같은 막이 형성되면, 웨이퍼가 서셉터에 점착되고, 웨이퍼 반송시의 장해가 될 뿐만 아니라, 슬립이라고 불리는 결정 결함이 발생하는 원인이 되기도 한다. 슬립은 웨이퍼에 휨을 발생시키거나 IC 디바이스에 리크를 일으켜 IC 디바이스의 수율을 현저하게 감소시킨다.
그래서, 웨이퍼의 외주부를 지지하는 링형상의 제 1 서셉터부와, 제 1 서셉터부의 개구 부분에 밀착되어 끼워지는 원반 형상의 제 2 서셉터부로 이루어진 서셉터가 제안되어 있다. 상기 서셉터에 의하면 제 2 서셉터부에 의해 제 1 서셉터부의 개구 부분이 막히므로 가열부나 회전부에서 발생한 오염 물질에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 외주부와 서셉터의 간극을 통과하는 혼합 가스의 흐름을 차단할 수도 있다.
그런데, 웨이퍼를 서셉터상에 배치할 때, 웨이퍼와 제 2 서셉터 사이에는 혼합 가스가 끼워진다. 그렇게 하면, 웨이퍼의 자중(自重)에 의해 끼워진 혼합 가스의 압력이 상승한다. 상기 혼합 가스는 그 후 웨이퍼와 제 2 서셉터 사이로부터 빠져 나오지만, 그때까지 상승한 압력이 원인이 되어 웨이퍼가 소정의 위치로부터 어긋난다. 또한, 웨이퍼는 이면으로부터 가열되어 포면에 에피택시얼막이 형성된다. 따라서, 제 2 서셉터부에 웨이퍼의 이면 전체가 접촉되어 있으면, 가열에 의한 열 변형에 의해 웨이퍼는 표면측을 향하여 오목 형상으로 휘어 웨이퍼를 회전시키면서의 성막이 불가능해질 우려도 있었다.
이러한 문제에 대해서는 웨이퍼의 외주부를 제 1 서셉터부에 의해 지지하고, 웨이퍼와 제 2 서셉터부 사이에 간극을 설치하는 구성이 생각된다. 이 구성에 의하면 웨이퍼를 배치할 때 웨이퍼는 소정 위치로부터 어긋나지 않고, 또한 가열에 의해 웨이퍼가 오목 형상으로 휘는 문제도 해소된다. 그러나, 이 경우 새롭게 다음과 같은 문제가 발생한다.
도 8은 상기 구성을 모식적으로 나타낸 웨이퍼 외주부 부근의 일부 단면도이다. 이 도면에 도시한 바와 같이 서셉터(302)는 실리콘 웨이퍼(301)의 외주부를 지지하는 제 1 서셉터부(302a)와, 제 1 서셉터부(302a)의 개구 부분에 밀착되어 끼워지는 제 2 서셉터부(302b)로 이루어진다. 그리고, 실리콘 웨이퍼(301)와 제 2 서셉터부(302b) 사이에는 간극(303)이 설치되어 있다.
서셉터(302)는 도시하지 않은 히터에 의해 도면의 하방으로부터 가열되고 실리콘 웨이퍼(301)는 서셉터(302)를 통하여 가열된다. 이 때, 실리콘 웨이퍼(301)의 외주부는 제 1 서셉터부(302a)에 접하고 있으므로, 제 1 서셉터부(302a)를 통하여 가열된다. 한편, 실리콘 웨이퍼(301)의 외주부 이외의 부분은 제 2 서셉터부(302b)로부터 또한 간극(303)에 존재하는 분위기 가스를 통하여 가열된다. 여기에서, 제 1 서셉터부(302a)는 SiC로 이루어지고 분위기 가스보다 열저항이 낮으므로, 실리콘 웨이퍼(301)의 외주부는 그 이외의 부분에 비해 온도가 상승한다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(301)의 온도 분포는 불균일한 것이 되고, 형성되는 에피택시얼막의 막두께도 불균일해진다. 또한, 실리콘 웨이퍼(301)와 제 1 서셉터부(302a)의 접촉 부분에 열응력이 집중되어, 서셉터(302)의 파손이나 슬립의 발생을 초래하는 문제도 발생한다.
일본 공개특허공보 평5-152207호
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 균일한 온도 분포를 실현하는 데에 유효한 서셉터를 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 이하의 기재로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 제 1 형태는 기판에 대해서 소정의 처리를 실시할 때 기판이 배치되는 서셉터에 관한 것이다.
상기 서셉터는 기판의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부와, 제 1 서셉터부의 외주부에 연속되도록 하여 설치되고, 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부를 갖는다.
제 2 서셉터부는, 기판이 제 1 서셉터부에 지지된 상태에서, 기판과의 사이에 소정 간격의 제 1 간극이 형성되도록 배치되고 또한 제 1 서셉터부와의 사이에도 상기 제 1 간극에 연속되고 또한 상기 제 1 간극과 실질적으로 동등한 간격의 제 2 간극이 형성되도록 배치된다.
본 발명의 제 1 형태에서는 2개의 간극의 경계에서의 제 1 서셉터부와 제 2 서셉터부의 단면 단부가 각각 테이퍼 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 형태에서 제 2 서셉터부는 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 1 부분과, 제 1 서셉터부보다 개구 부분이 큰 링 형상으로 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되어, 제 1 부분의 외주부를 지지하는 제 2 부분으로 분할되는 구조로 할 수 있다.
이 경우, 또한 제 1 부분은 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 3 부분과, 제 3 부분을 지지하는 링 형상으로 제 2 부분에 지지되는 제 4 부분으로 분할되는 구조로 할 수 있다.
본 발명의 제 2 형태는 본 발명의 제 1 형태에 의한 서셉터를 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치에 관한 것이다.
구체적으로는 본 발명의 성막 장치는 기판이 반입되는 성막실과, 성막실내에서 기판이 배치되는 서셉터와, 서셉터를 통하여 기판을 가열하는 가열부를 구비하고, 서셉터는 기판의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부와, 제 1 서셉터부의 외주부에 연속되도록 하여 설치되고 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부를 구비하고 있고, 제 2 서셉터부는 제 1 서셉터부와 대향하는 부분에 오목부를 갖고, 기판이 제 1 서셉터부에 지지된 상태에서 기판과 제 2 서셉터부 사이에는 소정의 간격의 제 1 간극이 형성되고, 또한 제 1 서셉터부와 제 2 서셉터부 사이에도 간극이 연속되고 또한 상기 제 1 간극과 실질적으로 동등한 간격의 제 2 간극이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 형태는 성막실 내에서 기판을 가열하면서 기판 상에 소정의 막을 형성하는 성막 방법으로서, 기판의 외주부를 링 형상의 제 1 서셉터부로 지지하고, 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부를 제 1 서셉터부의 외주부에 연속되도록 하여 설치하고, 또한 기판이 균일하게 가열되도록 기판이 제 1 서셉터부에 지지된 상태로 기판과 제 2 서셉터부 사이에 소정의 간격의 제 1 간극을 두고 배치하고, 제 1 서셉터부와 제 2 서셉터부 사이에도 상기 제 1 간극에 연속되고 또한 상기 제 1 간극과 실질적으로 동등한 간격의 제 2 간극이 형성되도록 배치하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 제 1 형태에 의하면, 웨이퍼의 균일한 온도 분포를 실현하는 데에 유효한 서셉터가 제공된다.
본 발명의 제 2 형태에 의하면, 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 3 형태에 의하면, 균일한 막두께의 막을 성막할 수 있는 성막 방법이 제공된다.
도 1은 본 실시 형태의 성막 장치의 모식적인 단면도,
도 2는 본 실시 형태의 서셉터에 웨이퍼를 배치한 상태를 도시한 단면도,
도 3은 도 2의 일부 확대 단면도,
도 4는 웨이퍼의 온도 분포를 본 실시 형태의 구성과 종래 구성에서 비교한 일례,
도 5는 본 실시 형태의 서셉터의 일례,
도 6은 본 실시 형태의 서셉터의 일례,
도 7은 본 실시 형태의 서셉터의 일례, 및
도 8은 종래의 서셉터에 웨이퍼를 배치한 상태를 도시한 일부 단면도이다.
도 1은 본 실시 형태에서의 매엽식 성막 장치(100)의 모식적인 단면도이다.
본 실시 형태에서는 기판으로서 실리콘 웨이퍼(101)를 사용한다. 단, 이에 한정되는 것은 아니고 경우에 따라서 다른 재료로 이루어진 웨이퍼를 사용해도 좋다.
성막 장치(100)는 성막실로서의 챔버(103)를 갖는다.
챔버(103)의 상부에는 가열된 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 결정막을 성막하기 위한 원료 가스를 공급하는 가스 공급부(123)가 설치되어 있다. 또한, 가스 공급부(123)에는 원료 가스의 토출 구멍이 다수 형성된 샤워 플레이트(124)가 접속되어 있다. 샤워 플레이트(124)를 실리콘 웨이퍼(101)의 표면과 대향하여 배치함으로써 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 원료 가스를 공급할 수 있다.
챔버(103)의 하부에는 반응후의 원료 가스를 배기하는 가스 배기부(125)가 복수 설치되어 있다. 가스 배기부(125)는 조정 밸브(126) 및 진공 펌프(127)로 이루어진 배기 기구(128)에 접속되어 있다. 배기 기구(128)는 도시하지 않은 제어 기구에 의해 제어되어 챔버(103) 내를 소정의 압력으로 조정한다.
챔버(103)의 내부에는 본 실시 형태에 의한 서셉터(102)가 회전부(104)의 위에 설치되어 있다. 서셉터(102)는 고온하에 노출되는 점으로부터 예를 들어 고순도의 SiC를 이용하여 구성된다.
회전부(104)는 원통부(104a)와 회전축(104b)을 갖고 있다. 회전축(104b)이 도시하지 않은 모터에 의해 회전함으로써 원통부(104a)를 통하여 서셉터(102)가 회전한다.
도 1에서 원통부(104a)는 상부가 해방된 구조이지만, 서셉터(102)가 설치됨으로써 상부가 덮여 중공 영역(이하, P2영역이라고 부름)을 형성한다. 여기에서, 챔버(103) 내를 P1영역으로 하면 P2영역은 서셉터(102)에 의해 실질적으로 P1영역과 격리된 영역이 된다.
P2영역에는 서셉터(102)를 통하여 실리콘 웨이퍼(101)를 이면으로부터 가열하는 가열부로서의 인히터(120)와 아웃히터(121)가 설치되어 있다. 이들 히터는 회전축(104b)내에 설치된 거의 원통 형상의 석영제의 샤프트(108)의 내부를 지나는 배선(109)에 의해 급전된다.
가열에 의해 변화되는 실리콘 웨이퍼(101)의 표면 온도는 챔버(103)의 상부에 설치된 방사 온도계(122)에 의해 계측된다. 또한, 샤워 플레이트(124)를 투명 석영제로 함으로써, 방사 온도계(122)에 의한 온도 측정이 샤워 플레이트(124)로 저해되지 않도록 할 수 있다. 계측한 온도 데이터는 도시하지 않은 제어 기구에 보내어진 후, 인히터(120) 및 아웃히터(121)의 출력 제어에 피드백된다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼(101)를 원하는 온도가 되도록 가열할 수 있다.
회전부(104)의 회전축(104b)은 챔버(103)의 외부까지 연장되어 있고, 도시하지 않은 회전 기구에 접속되어 있다. 원통부(104a)가 소정의 회전수로 회전함으로써 서셉터(102)를 회전시킬 수 있고, 더 나아가서는 서셉터(102)에 지지된 실리콘 웨이퍼(101)를 회전시킬 수 있다. 원통부(104a)는 실리콘 웨이퍼(101)의 중심을 통과하고 또한 실리콘 웨이퍼(101)에 직교하는 선을 축으로 하여 회전하는 것이 바람직하다.
도 2는 서셉터(102)에 실리콘 웨이퍼(101)를 배치한 상태를 도시한 단면도이다. 또한, 도 3은 도 2의 일부 확대 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 서셉터(102)는 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a)와, 제 1 서셉터부(102a)의 외주부에 접속되어 설치되고, 제 1 서셉터부(102a)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b)를 갖는다. 도 1에 도시한 바와 같이 서셉터(102)를 챔버(103) 내에 설치하면, 제 2 서셉터부(102b)에 의해 제 1 서셉터부(102a)의 개구 부분이 막히므로, P2영역에서 발생한 오염 물질에 의해 실리콘 웨이퍼(101)가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부와 서셉터(102)의 간극을 통하여, 원료 가스가 P2영역에 진입하는 것을 방지할 수도 있다. 따라서, 실리콘 웨이퍼(101)와 서셉터(102) 사이에 에피택시얼막이 형성되어 실리콘 웨이퍼(101)가 서셉터(102)에 점착되거나 슬립이 발생하는 것을 감소시킬 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b) 사이에는 간극(201)이 설치되어 있다. 다시 말하면, 제 2 서셉터부(102b)는 제 1 서셉터부(102a)와 대향하는 부분에 오목부를 갖고 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)가 제 1 서셉터부(102a)에 지지된 상태에서 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b)의 사이에는 소정의 간격의 간극(201)이 형성된다. 이에 의해, 웨이퍼를 배치할 때 실리콘 웨이퍼(101)에 위치 어긋남이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 인히터(120)와 아웃히터(121)에 의해 서셉터(102)를 통하여 실리콘 웨이퍼(101)를 이면으로부터 가열했을 때 실리콘 웨이퍼(101)가 표면측을 향하여 오목 형상으로 휘는 것을 방지할 수도 있다.
실리콘 웨이퍼(101)가 소정의 위치에 배치된 상태이면, 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 소정의 막두께의 균일한 에피택시얼막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 실리콘 웨이퍼(101)가 변형되는 것을 방지할 수도 있다. 즉, 실리콘 웨이퍼(101)가 소정의 위치로부터 어긋나면 회전 운동에 의한 원심력의 편향이 원인으로 웨이퍼가 비산할 우려가 있다. 한편, 도 3과 같이 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b) 사이에 간극(201)이 있으면, 배치할 때에 실리콘 웨이퍼(101)가 어긋나지 않으므로 실리콘 웨이퍼(101)에 대해서 소정 위치에서 성막 처리를 실시할 수 있다. 즉, 실리콘 웨이퍼(101)가 비산하는 것을 방지할 수 있다.
서셉터(102)는 제 1 서셉터부(102a)와 제 2 서셉터부(102b) 사이에 간극(202)을 갖는다. 간극(202)은 간격(201)에 연속되는 공간이다. 즉, 간격(201)과 간극(202) 사이에 이들 공간을 간막이하는 차폐물은 설치되어 있지 않다.
도 1에 도시한 바와 같이 서셉터(102) 위에 실리콘 웨이퍼(101)를 배치하면, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부는 제 1 서셉터부(102a)에 접한다. 이 상태에서 인히터(120)와 아웃히터(121)에 의해 서셉터(102)를 통하여 실리콘 웨이퍼(101)를 이면으로부터 가열한다. 여기에서, 서셉터(102)는 실리콘 웨이퍼(101)의 외부주를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a)와, 제 1 서셉터부(102a)의 외주부에 접하여 설치되어 제 1 서셉터부(102a)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b)를 구비하여 이루어지므로, 인히터(120)와 아웃히터(121)에 의해 최초로 가열되는 것은 제 2 서셉터부(102b)이다. 그 후, 제 2 서셉터부(102b)로부터 간극(201) 및 간극(202)에 존재하는 분위기 가스나 제 1 서셉터부(102a)를 통하여 실리콘 웨이퍼(101)가 가열된다. 실리콘 웨이퍼(101)가 가열되는 모습에 대해서 이하에서 더욱 상세하게 설명한다.
실리콘 웨이퍼(101)의 외주부 이외의 부분은 제 2 서셉터부(102b)로부터 간극(201)에 존재하는 분위기 가스를 통하여 가열된다. 한편, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부는 제 1 서셉터부(102a)에 접하고 있으므로, 제 1 서셉터부(102a)를 통하여 가열된다. 이 때, 제 1 서셉터부(102a)와 제 2 서셉터부(102b) 사이에 간극(202)이 설치되어 있음으로써, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부는 다음의 2가지 루트를 통하여 가열된다.
하나는 제 2 서셉터부(102b)로부터 간극(202)에 존재하는 분위기 가스를 통하여, 또한 제 1 서셉터부(102a)를 통하여 실리콘 웨이퍼(101)가 가열되는 루트이다. 다른 하나는 제 2 서셉터부(102b)와의 접촉부를 통하여 제 1 서셉터부(102a)가 가열되고, 이어서 실리콘 웨이퍼(101)가 가열되는 루트이다. 어느 쪽의 루트도 제 1 서셉터부(102a)에 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부가 접하여 가열되는 점에서 상술한 도 8의 예와 공통이다.
그러나, 도 8의 예에서는 히터에 의해 우선 제 1 서셉터부(302a)가 가열되는 것에 대하여, 본 실시 형태의 구성에 의하면 우선 제 2 서셉터부(102b)가 히터로 가열되고, 이어서 이 열이 제 1 서셉터부(102a)에 전달되는 점에서 다르다. 또한 제 2 서셉터부(102b)로부터 제 1 서셉터부(102a)에 열이 전달될 때, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부에 가까운 제 1 서셉터부(102a)에는 간극(202)에 존재하는 분위기 가스를 통하여 열이 전달된다. 한편, 제 2 서셉터부(102b)로부터 제 1 서셉터부(102a)에 직접적으로 열이 전달되는 부분은 이들이 접하는 부분, 즉 제 1 서셉터부(102a)의 외주부이고, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부로부터 떨어진 부분이다. 즉, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부에 제 1 서셉터부(102a)가 접하여 이 부분이 가열되는 점에서 도 8과 공통이어도, 외주부에 접하는 제 1 서셉터부(102a)의 온도는 도 8의 경우에 비해 낮아진다. 또한, 본 실시 형태의 구성에 의하면 간극(201)과 간극(202) 사이에 이들의 공간을 간막이하는 차폐물이 설치되어 있지 않으므로 차폐물을 통하여 제 2 서셉터부(102b)로부터 실리콘 웨이퍼(101)나 제 1 서셉터부(102a)에 열이 전달되고, 실리콘 웨이퍼(101)의 특정 부분의 온도가 상승하는 일도 없다.
도 3에서 간극(201)의 높이(H)와, 간극(202)의 높이(H′)는 실질적으로 동등해지는 것이 바람직하다. 이들의 간극에 존재하는 분위기 가스의 열저항은 SiC보다 높으므로, 간극의 높이를 조정함으로써 실리콘 웨이퍼(101)의 온도 분포를 조정할 수 있다. 즉, 높이(H)와 높이(H′)를 동등하게 함으로써, 실리콘 웨이퍼(101)의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다. 높이(H)와 높이(H′)는 예를 들어 0.6 ㎜~0.8 ㎜의 범위에서 동등한 값으로 할 수 있지만, 챔버 내의 압력에 따라서 적절하게 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 실리콘 웨이퍼(101)의 온도 분포는 간극(202)의 횡방향의 길이(L)에 의해서도 조정할 수 있다. L이 길어지면 제 2 서셉터부(102b)와의 접촉부를 통하여 제 1 서셉터부(102a)로부터 실리콘 웨이퍼(101)에 전달되는 열량이 감소되어 실리콘 웨이퍼(101) 외주부의 온도가 낮아진다.
또한, 서셉터(102)에서 제 1 서셉터부(102a)와 제 2 서셉터부(102b)는 각각 별개로 형성된 후에 조합된 구조로 할 수 있지만, 최초부터 일체가 된 구조로 해도 좋다.
도 4는 열전도 시뮬레이션을 실시하고 본 실시 형태의 서셉터(서셉터(102))를 사용한 경우와, 도 8에 도시한 종래의 서셉터(서셉터(302))를 이용한 경우에서 실리콘 웨이퍼의 온도 분포를 비교한 일례이다. 또한, 횡축은 실리콘 웨이퍼의 중심으로부터의 거리를 나타내고 있고, 종축은 실리콘 웨이퍼의 온도를 나타내고 있다. 이 도면에서 알 수 있는 바와 같이 종래의 서셉터를 이용한 경우에는 실리콘 웨이퍼의 외주부에서 온도가 현저하게 높아지지만, 본 실시 형태의 서셉터에 의하면 외주부에서의 온도 상승이 억제되어 거의 균일한 온도 분포가 된다.
이와 같이 서셉터(102)에서는 실리콘 웨이퍼(101)가 제 1 서셉터부(102a)에 지지된 상태에서 실리콘 웨이퍼(101)와의 사이에 소정의 간격(H)의 간극(201)이 형성되도록 제 2 서셉터부(102b)가 배치됨과 동시에, 또한 제 1 서셉터부(102)와의 사이에도 간극(201)에 연속되는 간극(202)이 형성되도록 배치된다. 여기에서, 간극(202)의 간격(H’)은 간극(201)의 간격(H)과 실질적으로 동등해지는 것이 바람직하다. 이와 같은 구조를 갖는 서셉터(102)에 의하면 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부의 온도가 외주부 이외의 부분의 온도보다 급격하게 상승하는 일이 없으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 균일한 온도 분포가 저해되지 않는다. 또한, 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부에서의 열응력이 감소되므로, 실리콘 웨이퍼(101)에 슬립이 발생하는 것을 방지할 수도 있다.
도 5는 본 실시 형태의 서셉터의 다른 예이고, 서셉터에 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태의 일부 단면도이다. 또한, 도 5에 도시되어 있지 않은 서셉터의 타단도 도 5에 도시한 구조와 동일해진다.
도 5에 도시한 서셉터(1021)는 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a1)와, 제 1 서셉터부(102a1)의 외주부에 접하여 설치되고, 제 1 서셉터부(102a1)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b1)를 갖고, 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b1) 사이에 간극(2011)이 설치되어 있음과 동시에, 제 1 서셉터부(102a1)와 제 2 서셉터부(102b1) 사이에도 간극(2021)이 설치되어 있는 점에서 도 3에 도시한 서셉터(102)와 공통이다.
그러나, 서셉터(102)에서는 간극(201)과 간극(202)의 경계에서의 제 1 서셉터부(102a)와 제 2 서셉터부(102b)의 단면이, 각각 연직 방향으로 평행인 단부(102a', 102b')를 갖고 있는 것에 대하여, 서셉터(1021)에서는 간극(2011)과 간극(2021)의 경계에서의 제 1 서셉터부(102a1)와 제 2 서셉터부(102b1)의 단면 단부(102a1', 102b1')가 각각 테이퍼 형상을 갖고 있는 점에서 다르다.
상술한 바와 같이 서셉터(102)에서는 간극(201)과 간극(202) 사이에 이들의 공간을 간막이하는 차폐물이 설치되어 있지 않다. 따라서, 차폐물을 통하여 제 2 서셉터부(102b)로부터 실리콘 웨이퍼(101)나 제 1 서셉터부(102a)에 열이 전달되어, 실리콘 웨이퍼(101)의 특정 부분의 온도가 상승하는 일이 없다. 그러나, 제 1 서셉터부(102a)의 위치와 제 2 서셉터부(102b)의 위치가 상대적으로 어긋나서, 이들의 거리가 매우 근접하거나 또는 이들이 접하면 간극(201)과 간극(202) 사이에 차폐물이 설치된 것과 동일한 상태가 되는 것이 생각된다.
그래서, 도 5와 같이 간극(2011)과 간극(2021)의 경계에서의 제 1 서셉터부(102a1)와 제 2 서셉터부(102b1)의 단면 단부(102a1', 102b1')를, 각각 테이퍼 형상으로 한다. 이에 의해, 제 1 서셉터부(102a1)의 위치와 제 2 서셉터부(102b1)의 위치가 상대적으로 어긋나도, 이들 사이의 거리가 크게 변화되지 않도록 할 수 있다.
또한, 서셉터(1021)에서 제 1 서셉터부(102a1)와 제 2 서셉터부(102b1)는 각각 별개로 형성된 후에 조합된 구조로 할 수 있지만, 최초부터 일체가 된 구조로 해도 좋다.
도 6은 본 실시 형태의 서셉터의 다른 예이고, 서셉터에 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태의 일부 단면도이다. 또한, 도 6에 도시하고 있지 않은 서셉터의 타 단도 도 6에 도시한 구조와 동일하게 한다.
도 6에 도시한 서셉터(1022)는 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a2)와, 제 1 서셉터부(102a2)의 개구 구분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b2)와, 제 1 서셉터부(102a2)보다 개구 부분이 큰 링 형상으로 제 1 서셉터부(102a2)의 외주부에 접하여 설치되어, 제 2 서셉터부(102b2)의 외주부를 지지하는 제 3 서셉터부(102c2)를 갖는다. 즉, 서셉터부(1022)는 도 3이나 도 5에서의 제 2 서셉터부가 제 1 서셉터부를 지지하는 부분에서 2개로 분할된 구조에 대응한다.
다시 말하면, 서셉터(1022)는 도 3이나 도 5에서의 제 2 서셉터부가 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 1 부분과, 제 1 서셉터부보다 개구 부분이 큰 링 형상으로 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되어, 제 1 부분의 외주부를 지지하는 제 2 부분으로 분할된 구조로 표현할 수 있다. 제 1 부분은 도 6에서 제 2 서셉터부(102b2)에 대응하고, 제 2 부분은 도 6에서 제 3 서셉터부(102c2)에 대응한다.
도 6에 도시한 서셉터부(1022)는 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b2) 사이에 간극(2012)이 설치되어 있음과 동시에, 제 1 서셉터부(102a2)와 제 2 서셉터부(102b2) 사이에도 간극(2022)이 설치되어 있는 점에서, 도 3이나 도 5에 도시한 서셉터와 공통이다. 또한, 도 6에서는 간극(2012)과 간극(2022)의 경계에서의 제 1 서셉터부(102a2)와 제 2 서셉터부(102b2)의 단면 단부(102a2', 102b2')가 각각 테이퍼 형상을 갖고 있지만, 도 3에 도시한 서셉터와 동일하게 연직 방향으로 평행인 단부가 되어 있어도 좋다.
도 3이나 도 5에 도시한 제 2 서셉터부에서는 제 1 서셉터부를 지지하는 부분과, 제 1 서셉터부와 제 2 서셉터부의 간극의 경계 부근에 열응력이 집중하는 경우가 있다. 또한, 열변형에 의해 제 2 서셉터부가 휨으로써, 실리콘 웨이퍼와 제 2 서셉터부의 거리가 변화되면, 실리콘 웨이퍼의 온도 분포가 균일해지기 어려워지는 것이 생각된다.
그래서, 제 2 서셉터부를 제 1 서셉터부를 지지하는 부분으로 2개로 분할한다. 즉, 도 6에 도시한 바와 같이 서셉터부(1022)를 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a2)와, 제 1 서셉터부(102a2)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b2)와, 제 1 서셉터부(102a2)보다 개구 부분이 큰 링 형상으로, 제 1 서셉터부(102a2)의 외주부에 접하여 설치되어 제 2 서셉터부(102b2)의 외주부를 지지하는 제 3 서셉터부(102c2)로 구성한다. 이 구성에 의하면 응력이 집중되기 쉬운 부분이 미리 분할되어 있으므로, 이 부분에 응력이 집중되어 서셉터(1022)가 파손되는 것을 피할 수 있다. 또한, 제 2 서셉터부(102b2)의 휨에 의한 변형도 경감되므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 온도 분포를 보다 균일하게 할 수도 있다.
도 7은 본 실시 형태의 서셉터의 다른 예이고, 서셉터에 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태의 일부 단면도이다. 또한, 도 7에 도시되어 있지 않은 서셉터의 타 단도 도 7에 도시한 구조와 동일하게 한다.
도 7에 도시한 서셉터(1023)는 도 6에서 설명한 서셉터(1022)에서의 제 2 서셉터부(102b2)가 간극(2012)과 간극(2022)의 경계 부근에서 분할된 구조에 대응한다. 이것은 다음과 같이 말하여 나타낼 수도 있다. 즉, 도 6의 서셉터(1022)를, 도 3이나 도 5에서의 제 2 서셉터부의 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 1 부분과, 제 1 서셉터부보다 개구 부분이 큰 링 형상으로 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되어, 제 1 부분의 외주부를 지지하는 제 2 부분으로 분할된 구조로 표현한 경우, 도 7의 서셉터(1023)는 제 1 부분이, 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 3 부분과, 제 3 부분을 지지하는 링 형상으로, 제 2 부분에 지지되는 제 4 부분으로 분할된 구조로 표현할 수 있다. 제 3 부분은 도 7에서 제 2 서셉터부(102b3)에 대응하고, 제 4 부분은 도 7에서 제 4 서셉터부(102d3)에 대응한다.
도 7에서 서셉터(1023)는 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부(102a3)와, 제 1 서셉터부(102a3)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b3)와, 제 1 서셉터부(102a3)보다 개구 부분이 큰 링 형상이고 제 1 서셉터부(102a3)의 외주부에 접하여 설치되는 제 3 서셉터부(102c3)와, 제 2 서셉터부(102b3)를 지지하는 링 형상이고 제 3 서셉터부(102c3)에 지지되는 제 4 서셉터부(102d3)를 갖는다.
서셉터(1023)에서는 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b3) 사이에 간극(2013)이 설치되어 있음과 동시에, 제 1 서셉터부(102a3)와 제 4 서셉터부(102d3) 사이에도 간극(2023)이 설치되어 있다. 또한, 도 7에서는 간극(2013)과 간극(2023)의 경계에서의 제 1 서셉터부(102a3)와 제 4 서셉터부(102d3)의 단면 단부(102a3', 102d3')가 각각 테이퍼 형상을 갖고 있지만, 도 3에 도시한 서셉터와 동일하게 연직 방향으로 평행인 단부가 되어 있어도 좋다.
서셉터를 도 6에 도시한 구조로 함으로써 제 2 서셉터부에 발생하는 응력을 경감시킬 수 있는 것을 설명했다. 그리고, 도 7의 구조에 의하면 제 2 서셉터부에 발생하는 응력을 추가로 경감시킬 수 있다. 즉, 도 6의 제 2 서셉터부(102b2)의 간극(2012)과 간극(2022)의 경계 부근이 미리 분할된 도 7의 구조로 함으로써, 제 2 서셉터부의 열 변형시의 구속이 해방되므로, 제 2 서셉터부 전체에 발생하는 응력을 감소시킬 수 있다. 또한, 도 7의 구조이면 웨이퍼를 간편하고 안정된 상태에서 반송할 수 있다. 예를 들어, 도 1에서 회전부(104)의 내부에 승강핀을 설치하고, 이 승강핀을 상승시켜 제 2 서셉터부(102b3)를 지지한 후 승강핀을 추가로 상승시키고, 제 2 서셉터부(102b3)를 제 4 서셉터부(102d3)로부터 떼어 놓는다. 또한, 제 2 서셉터부(102b3)를 상승시키고, 챔버(103)의 내부에 반입된 실리콘 웨이퍼(101)의 하면을 제 2 서셉터부(102b3)로 지지한다. 이어서, 제 2 서셉터부(102b3)를 승강핀으로 지지한 상태에서 하강시켜 초기 위치로 되돌린다. 이와 같이 도 7의 구조에 의하면 실리콘 웨이퍼(101)를 제 2 서셉터부(102b3)로 지지한다. 따라서, 서셉터(1023) 상의 성막 처리가 가능한 위치에 간편하고 안정된 상태에서 실리콘 웨이퍼(101)를 배치할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 서셉터에 의하면 제 1 서셉터부와 제 2 서셉터부(단, 도 7의 예에서는 제 4 서셉터부) 사이에 간극을 가지므로, 웨이퍼의 외주부에 제 1 서셉터부가 접함으로써 이 부분이 가열되는 구성이어도, 외주부에 접하는 제 1 서셉터부의 온도는 종래의 구성에 비해 낮아진다. 따라서, 웨이퍼의 외주부의 온도가, 외주부 이외의 부분의 온도보다 급격하게 상승하지 않으므로, 웨이퍼의 균일한 온도 분포가 저해되지 않는다. 또한, 웨이퍼와 제 1 서셉터부의 접촉 부분에서의 열응력의 집중이 감소되므로, 서셉터가 파손되거나 웨이퍼에 슬립이 발생하는 것을 감소시킬 수도 있다.
또한, 본 실시 형태의 성막 장치에 의하면 상기 서셉터를 사용하므로 슬립의 발생을 감소시키면서 균일한 두께의 막을 웨이퍼상에 성막할 수 있다.
본 실시 형태에 의한 성막 방법의 일례에 대해서 도 1을 참조하면서 설명한다. 상기 성막 방법에 의하면 슬립의 발생을 감소시키면서 균일한 두께의 막을 성막할 수 있다. 또한, 서셉터(102)를 대신하여 서셉터(1021, 1022, 1023)를 사용해도 좋다.
우선, 도 2와 같이 서셉터(102) 상에 실리콘 웨이퍼(101)를 배치한다. 구체적으로는 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부를 링 형상의 제 1 서셉터부(102a)로 지지하고 제 1 서셉터부(102a)의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부(102b)를 제 1 서셉터부(102a)의 외주부에 접하여 설치함과 동시에, 실리콘 웨이퍼(101)가 균일하게 가열되도록, 실리콘 웨이퍼(101)가 제 1 서셉터부(102a)에 지지된 상태에서 실리콘 웨이퍼(101)와 제 2 서셉터부(102b) 사이에 소정 간격(H)의 간극(201)을 두고 배치하고, 제 1 서셉터부(102a)와 제 2 서셉터부(102b) 사이에도 간극(201)에 연속하고 또한 소정의 간격(H)과 실질적으로 동등한 간격(H’)의 간극(202)이 형성되도록 배치한다. 이어서, 예를 들어 수 10 torr의 감압하에서 수소 가스를 흐르게 하면서, 회전부(104)에 부수(付隨)시키고, 실리콘 웨이퍼(101)를 50 rpm 정도로 회전시킨다.
이어서, 인히터(120) 및 아웃히터(121)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)를 1100 ℃~1200 ℃로 가열한다. 예를 들어, 성막 온도인 1150 ℃까지 서서히 가열한다.
방사 온도계(122)에 의한 측정으로 실리콘 웨이퍼(101)의 온도가 1150 ℃에 도달한 것을 확인한 후에는 서서히 실리콘 웨이퍼(101)의 회전수를 높여 간다. 그리고, 가스 공급부(123)으로부터 샤워 플레이트(124)를 통하여 원료 가스를 챔버(103)의 내부에 공급한다. 본 실시 형태에서는 원료 가스로서 트리클로로실란을 사용할 수 있고, 캐리어 가스로서의 수소 가스와 혼합한 상태에서 가스 공급부(123)로부터 챔버(103)의 내부에 도입한다.
챔버(103)의 내부에 도입된 원료 가스는 실리콘 웨이퍼(101)쪽에 흘러 내린다. 그리고, 실리콘 웨이퍼(101)의 온도를 1150 ℃로 유지하고 서셉터(102)를 900 rpm 이상의 고속으로 회전시키면서 가스 공급부(123)로부터 샤워 플레이트(124)를 통하여 차례로 새로운 원료 가스를 실리콘 웨이퍼(101)에 공급한다. 이에 의해, 높은 성막 속도로 효율 좋게 에피택시얼막을 성막시킬 수 있다.
이와 같이, 원료 가스를 도입하면서 서셉터(102)를 회전시킴으로써, 실리콘 웨이퍼(101) 상에 균일한 두께의 실리콘의 에피택시얼층을 성장시킬 수 있다. 예를 들어, 파워 반도체의 용도에서는 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼상에 10 ㎛ 이상, 많게는 10 ㎛~100 ㎛ 정도의 막두께가 형성된다. 막두께를 형성하는 데에는 성막시의 기판의 회전수를 높게 하는 것이 좋고, 예를 들어 상기와 같이 900 rpm 정도의 회전수로 하는 것이 좋다.
또한, 실리콘 웨이퍼(101)의 챔버(103) 내로의 반입, 또는 챔버(103) 밖으로의 반출에는 공지의 방법을 적용할 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시한 서셉터(102)이고, 제 1 서셉터부(102a)와 제 2 서셉터부(102b)가 일체적으로 구성된 것을 사용하는 경우에는 예를 들어 베르누이 효과를 이용하여 실리콘 웨이퍼(101)를 반송할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼의 이면의 중앙부 근방으로부터 주연부 방향을 향하여 방사상으로 유지 가스가 분출되도록 한다. 그렇게 하면, 베르누이 효과가 발생하여 실리콘 웨이퍼를 부상시켜 유지할 수 있다. 또한, 도 5에 도시한 서셉터(1021)로서, 제 1 서셉터부(102a1)와 제 2 서셉터부(102b1)가 일체적으로 구성된 것을 사용하는 경우도 동일하다.
또한, 도 7에 도시한 서셉터를 사용하는 경우에는 다음과 같이 할 수 있다.
예를 들어, 도 1에서 도시하지 않은 반송용 로봇을 사용하여 실리콘 웨이퍼(101)를 챔버(103)로 반입한다. 여기에서, 회전부(104)의 내부에는 회전축(104b)의 내부를 관통하는 도시하지 않은 승강핀이 설치되어 있는 것으로 한다. 승강핀을 상승시켜 제 2 서셉터부(102b3)를 지지한 후, 승강핀을 더욱 상승시키고 제 2 서셉터부(102b3)를 제 4 서셉터부(102d3)로부터 들어 올려서 떼어낸다. 또한, 제 2 서셉터부(102b3)를 상승시키고, 반송용 로봇에 지지된 실리콘 웨이퍼(101)의 하면을 제 2 서셉터부(102b3)로 지지한다. 제 2 서셉터부(102b3)의 실리콘 웨이퍼(101)와 대향하는 면에 도시하지 않은 복수의 볼록부를 설치해 두면, 볼록부에서 실리콘 웨이퍼(101)를 지지하도록 할 수 있다. 이어서, 실리콘 웨이퍼(101)를 반송용 로봇으로부터 떼어내고, 제 2 서셉터부(102b3)만으로 실리콘 웨이퍼(101) 기판을 지지한다. 실리콘 웨이퍼(101)를 제 2 서셉터부(102b3)에 준 후의 반송용 로봇은 챔버(103)내로부터 퇴거시킨다. 다음에, 실리콘 웨이퍼(101)를 수취한 제 2 서셉터부(102b3)를 승강핀으로 지지한 상태에서 하강시킨다. 그리고, 제 2 서셉터부(102b3)를 초기 위치로 되돌린다. 이와 같이 하여, 실리콘 웨이퍼(101)를 서셉터(1023) 상의 성막 처리가 가능한 위치에 배치할 수 있다. 성막 처리를 마친 후에는 상기와 반대의 조작에 의해 실리콘 웨이퍼(101)를 제 2 서셉터부(102b3)로부터 반송용 로봇에 건네 받고 챔버(103)의 외부로 반출한다.
도 3 또는 도 5에 도시한 서셉터로서, 제 1 서셉터부와 제 2 서셉터부가 일체적으로 구성되어 있지 않은 것을 사용하는 경우나, 도 6에 도시한 서셉터를 사용하는 경우에는 제 1 서셉터부를 승강핀으로 승강시킴으로써 반송용 로봇과의 사이에서 실리콘 웨이퍼(101)를 주고 받도록 할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는 실리콘 웨이퍼를 회전시키면서 성막하는 구성으로 했지만, 실리콘 웨이퍼를 회전시키지 않고 성막해도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에서는 성막 장치의 일례로서 에피택시얼 성장 장치를 들었지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 성막실내에 반응 가스를 공급하고 성막실내에 배치되는 웨이퍼를 가열하여 웨이퍼의 표면에 막을 형성하는 성막 장치이면, CVD 장치 등의 다른 성막 장치이어도 좋다.
또한, 본 발명은 웨이퍼를 가열하면서 웨이퍼에 대해서 애싱 등의 처리를 실시하는 경우에도 적용할 수 있다. 즉, 본 발명의 서셉터에 의하면 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 할 수 있으므로, 웨이퍼에 대해서 균일한 처리를 실시하는 것이 가능하다.
100: 성막 장치 101: 실리콘 웨이퍼
102, 1021, 1022, 1023: 서셉터 103: 챔버
104: 회전부 104a: 원통부
104b: 회전축 108: 샤프트
109: 배선 126: 조정밸브
127: 진공 펌프 128: 배기 기구
120: 인히터 121: 아웃히터
122: 방사 온도계 123: 가스 공급부
124: 샤워 플레이트 125: 가스 배기구
201, 202, 2011, 2021, 2012, 2022, 2013, 2023: 간극
102a, 102a1, 102a2, 102a3: 제 1 서셉터부
102b, 102b1, 102b2, 102b3: 제 2 서셉터부
102c2, 102c3: 제 3 서셉터부
102d3: 제 4 서셉터부

Claims (12)

  1. 기판에 대하여 소정의 처리를 실시할 때에 상기 기판이 배치되는 서셉터에 있어서,
    상기 기판의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부와;
    상기 제 1 서셉터부의 외주부에 연속되도록 하여 설치되고, 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부;를 구비하고,
    상기 제 2 서셉터부는, 상기 기판이 상기 제 1 서셉터부에 지지된 상태에서, 상기 기판과의 사이에 소정 간격의 제 1 간극이 형성되도록 배치되고, 또한 상기 제 1 서셉터부와의 사이에도 상기 제 1 간극에 연속되며, 상기 제 1 간극과 동등한 간격의 제 2 간극이 형성되도록 배치되고,
    상기 제 1 간극과 상기 제 2 간극이 연속되는 경계에서, 상기 제 1 서셉터부의 단면의 단부와 상기 제 2 서셉터부의 단면의 단부가 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 서셉터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 서셉터부와 상기 제 2 서셉터부는 각각 별체이고, 상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 서셉터.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 1 부분과; 상기 제 1 서셉터부보다 개구 부분이 큰 링 형상이고, 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되며, 상기 제 1 부분의 외주부를 지지하는 제 2 부분;으로 분할되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 부분은 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 3 부분과; 상기 제 3 부분을 지지하는 링 형상이고 상기 제 2 부분으로 지지되는 제 4 부분;으로 분할되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
  5. 기판이 반입되는 성막실과;
    상기 성막실내에서 상기 기판이 배치되는 서셉터와;
    상기 서셉터를 통하여 상기 기판을 가열하는 가열부;를 구비하고,
    상기 서셉터는,
    상기 기판의 외주부를 지지하는 링 형상의 제 1 서셉터부와;
    상기 제 1 서셉터부의 외주부에 연속되도록 하여 설치되고, 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부;를 구비하고 있고,
    상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부와 대향하는 부분에 오목부를 갖고, 상기 기판이 상기 제 1 서셉터부에 지지된 상태에서 상기 기판과 상기 제 2 서셉터부 사이에는 소정의 간격의 제 1 간극이 형성되고, 또한 상기 제 1 서셉터부와 상기 제 2 서셉터부 사이에도 상기 제 1 간극에 연속되고 상기 제 1 간극과 동등한 간격의 제 2 간극이 형성되며,
    상기 제 1 간극과 상기 제 2 간극이 연속되는 경계에서, 상기 제 1 서셉터부의 단면의 단부와 상기 제 2 서셉터부의 단면의 단부가 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 서셉터부와 상기 제 2 서셉터부는 각각 별체이고, 상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 1 부분과; 상기 제 1 서셉터부보다 개구 부분이 큰 링 형상이고, 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되며, 상기 제 1 부분의 외주부를 지지하는 제 2 부분;으로 분할되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 부분은 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 3 부분과; 상기 제 3 부분을 지지하는 링 형상이고 상기 제 2 부분으로 지지되는 제 4 부분;으로 분할되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  9. 성막실내에서 기판을 가열하면서 상기 기판상에 소정의 막을 형성하는 성막 방법에 있어서,
    상기 기판의 외주부를 링 형상의 제 1 서셉터부로 지지하고, 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 2 서셉터부를 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 연속되도록 하여 설치하고, 상기 기판이 균일하게 가열되도록 상기 기판이 상기 제 1 서셉터부에 지지된 상태에서 상기 기판과 상기 제 2 서셉터부 사이에 소정의 간격의 제 1 간극을 두고 배치하고, 또한 상기 제 1 서셉터부와 상기 제 2 서셉터부 사이에도 상기 제 1 간극에 연속되고 상기 제 1 간극과 동등한 간격의 제 2 간극이 형성되도록 하며,
    추가로, 상기 제 1 간극과 상기 제 2 간극이 연속되는 경계에서, 상기 제 1 서셉터부의 단면의 단부와 상기 제 2 서셉터부의 단면의 단부가 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 서셉터부와 상기 제 2 서셉터부는 각각 별체이고, 상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 서셉터부는 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 1 부분과; 상기 제 1 서셉터부보다 개구 부분이 큰 링 형상이고, 상기 제 1 서셉터부의 외주부에 접하여 설치되며, 상기 제 1 부분의 외주부를 지지하는 제 2 부분;으로 분할되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 부분은 상기 제 1 서셉터부의 개구 부분을 차폐하는 제 3 부분과; 상기 제 3 부분을 지지하는 링 형상이고 상기 제 2 부분으로 지지되는 제 4 부분;으로 분할되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
KR1020100061860A 2009-07-01 2010-06-29 서셉터, 성막 장치 및 성막 방법 KR101160413B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-156809 2009-07-01
JP2009156809A JP5038365B2 (ja) 2009-07-01 2009-07-01 サセプタおよび成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110002427A KR20110002427A (ko) 2011-01-07
KR101160413B1 true KR101160413B1 (ko) 2012-06-26

Family

ID=43436405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100061860A KR101160413B1 (ko) 2009-07-01 2010-06-29 서셉터, 성막 장치 및 성막 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8795435B2 (ko)
JP (1) JP5038365B2 (ko)
KR (1) KR101160413B1 (ko)
CN (1) CN101944479B (ko)
TW (1) TWI412100B (ko)

Families Citing this family (202)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8104951B2 (en) * 2006-07-31 2012-01-31 Applied Materials, Inc. Temperature uniformity measurements during rapid thermal processing
JP5038365B2 (ja) * 2009-07-01 2012-10-03 株式会社東芝 サセプタおよび成膜装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI505400B (zh) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc 基座
US9330949B2 (en) 2012-03-27 2016-05-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light
JP6026124B2 (ja) * 2012-03-28 2016-11-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP2013253286A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Kaneka Corp 薄膜の製造方法
DE102012106796A1 (de) * 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US10727092B2 (en) * 2012-10-17 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Heated substrate support ring
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
DE102013012082A1 (de) 2013-07-22 2015-01-22 Aixtron Se Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung
JP6444641B2 (ja) 2014-07-24 2018-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置、サセプタ、及び成膜方法
US9517539B2 (en) * 2014-08-28 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer susceptor with improved thermal characteristics
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6424726B2 (ja) * 2015-04-27 2018-11-21 株式会社Sumco サセプタ及びエピタキシャル成長装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6539929B2 (ja) 2015-12-21 2019-07-10 昭和電工株式会社 ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
DE102016210203B3 (de) * 2016-06-09 2017-08-31 Siltronic Ag Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe, Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN106948002B (zh) * 2017-03-15 2019-07-09 南京国盛电子有限公司 电磁感应加热外延炉的双面基座结构
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
CN109423626B (zh) * 2017-08-30 2021-07-09 胜高股份有限公司 成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
EP3678164A4 (en) 2017-09-01 2021-09-15 NuFlare Technology, Inc. VAPOR PHASE GROWTH DEVICE AND PROCESS
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US20200270736A1 (en) * 2019-02-26 2020-08-27 Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. Thermal spray deposited environmental barrier coating
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11702728B2 (en) 2019-05-28 2023-07-18 Rolls-Royce Corporation Post deposition heat treatment of coating on ceramic or ceramic matrix composite substrate
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TWI772005B (zh) * 2021-04-28 2022-07-21 錼創顯示科技股份有限公司 半導體晶圓承載結構及有機金屬化學氣相沉積裝置
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211117A (ja) * 1990-03-19 1992-08-03 Toshiba Corp 気相成長装置および方法
JPH09186227A (ja) * 1995-12-14 1997-07-15 Cvd Inc 半導体ウエファ支持用サセプタ
KR20090036722A (ko) * 2007-10-10 2009-04-15 주성엔지니어링(주) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
JPH05152207A (ja) 1991-11-28 1993-06-18 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長方法
JP4211117B2 (ja) 1999-02-16 2009-01-21 東亞合成株式会社 接着剤組成物
JP3908112B2 (ja) * 2002-07-29 2007-04-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法
JP2006237516A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
TWI354320B (en) * 2006-02-21 2011-12-11 Nuflare Technology Inc Vopor phase deposition apparatus and support table
CN100514571C (zh) * 2006-08-02 2009-07-15 美商慧程系统科技股份有限公司 等离子体刻蚀系统
JP5038073B2 (ja) * 2007-09-11 2012-10-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5283370B2 (ja) * 2007-11-29 2013-09-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
JP5197030B2 (ja) * 2008-01-16 2013-05-15 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
JP5038365B2 (ja) * 2009-07-01 2012-10-03 株式会社東芝 サセプタおよび成膜装置
JP5038381B2 (ja) * 2009-11-20 2012-10-03 株式会社東芝 サセプタおよび成膜装置
JP5152207B2 (ja) * 2010-01-11 2013-02-27 株式会社デンソー 多相回転機の制御装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211117A (ja) * 1990-03-19 1992-08-03 Toshiba Corp 気相成長装置および方法
JPH09186227A (ja) * 1995-12-14 1997-07-15 Cvd Inc 半導体ウエファ支持用サセプタ
KR20090036722A (ko) * 2007-10-10 2009-04-15 주성엔지니어링(주) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201118978A (en) 2011-06-01
TWI412100B (zh) 2013-10-11
JP5038365B2 (ja) 2012-10-03
CN101944479B (zh) 2014-05-07
US8795435B2 (en) 2014-08-05
JP2011014682A (ja) 2011-01-20
US20110171380A1 (en) 2011-07-14
KR20110002427A (ko) 2011-01-07
CN101944479A (zh) 2011-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101160413B1 (ko) 서셉터, 성막 장치 및 성막 방법
JP5038381B2 (ja) サセプタおよび成膜装置
KR100858599B1 (ko) 기상성장장치와 지지대
US8535445B2 (en) Enhanced wafer carrier
US5938850A (en) Single wafer heat treatment apparatus
CN1294617C (zh) 包括热分布板和边缘支撑的组合装置
US20070148607A1 (en) Vertical boat and vertical heat processing apparatus for semiconductor process
JP5038073B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR20140018189A (ko) 서셉터 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
US7591908B2 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
US6971835B2 (en) Vapor-phase epitaxial growth method
KR101380179B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
KR20230074248A (ko) 기상 성장 장치
JP2013098340A (ja) 成膜装置および成膜方法
KR20110086286A (ko) 화학기상증착장치
JP2007224375A (ja) 気相成長装置
JP3863786B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP5032828B2 (ja) 気相成長装置
JP5513578B2 (ja) サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法
JP2001127143A (ja) 基板支持装置
JP2004104014A (ja) 半導体装置の製造方法
JP6878212B2 (ja) サセプタ、ｃｖｄ装置及びエピタキシャルウェハの製造方法
JP2005039121A (ja) 常圧ｃｖｄ装置
JP2006080294A (ja) 基板の製造方法
JP2005086132A (ja) 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150526

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160615

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180327

Year of fee payment: 7