JP5038365B2 - サセプタおよび成膜装置 - Google Patents

サセプタおよび成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5038365B2
JP5038365B2 JP2009156809A JP2009156809A JP5038365B2 JP 5038365 B2 JP5038365 B2 JP 5038365B2 JP 2009156809 A JP2009156809 A JP 2009156809A JP 2009156809 A JP2009156809 A JP 2009156809A JP 5038365 B2 JP5038365 B2 JP 5038365B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
gap
silicon wafer
outer peripheral
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009156809A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011014682A (ja
Inventor
真也 東
博信 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Toshiba Corp
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Nuflare Technology Inc filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2009156809A priority Critical patent/JP5038365B2/ja
Priority to TW099121065A priority patent/TWI412100B/zh
Priority to KR1020100061860A priority patent/KR101160413B1/ko
Priority to CN201010220837.9A priority patent/CN101944479B/zh
Priority to US12/828,963 priority patent/US8795435B2/en
Publication of JP2011014682A publication Critical patent/JP2011014682A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5038365B2 publication Critical patent/JP5038365B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Description

本発明は、サセプタおよびこれを用いた成膜装置に関する。
ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等のパワーデバイスのように、比較的膜厚の大きい結晶膜を必要とする半導体素子の製造工程では、エピタキシャル成長技術が利用される。
膜厚の大きなエピタキシャルウェハを高い歩留まりで製造するには、均一に加熱されたウェハの表面に新たな原料ガスを次々に接触させて成膜速度を向上させる必要がある。そこで、ウェハを高速で回転させながらエピタキシャル成長させることが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１では、ウェハを支持するリング状のサセプタがサセプタ支えに嵌着されており、サセプタ支えに接続する回転軸が回転することによって、ウェハが回転する。ここで、サセプタは、その内周側に設けられた座ぐり内にウェハの外周部を受け入れる構造となっている。つまり、ウェハの裏面は、外周部の極狭い部分のみがサセプタに接触しており、残りの部分は、ウェハを裏面から加熱する均熱板の表面に向けて露出している。こうした構造の場合、加熱部や回転部で発生した金属原子などの汚染物質によってウェハが汚染され、エピタキシャル膜の電気特性が低下するおそれがあった。
また、特許文献１では、反応室内に導入された原料ガスとキャリアガスとの混合ガスは、ウェハの回転に伴う遠心力によって、ウェハの上面中心部から放射状に流れて外周部に掃き出された後、排気孔を通じて反応室の外部へ排出されるとある。しかしながら、サセプタがリング状を呈することによって、掃き出されたガスの一部が、ウェハの外周部とサセプタの隙間を通ってサセプタの開口部分へと流れ、ウェハとサセプタの間にエピタキシャル膜が形成されるという問題もあった。このような膜が形成されると、ウェハがサセプタに貼り付いてしまい、ウェハ搬送時の障害となるだけでなく、スリップと称される結晶欠陥が発生する原因ともなる。スリップは、ウェハに反りを生じさせたり、ＩＣデバイスにリークを起こしたりして、ＩＣデバイスの歩留まりを著しく減少させる。
そこで、ウェハの外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部と、第１のサセプタ部の開口部分に密嵌される円盤状の第２のサセプタ部とからなるサセプタが提案されている。このサセプタによれば、第２のサセプタ部によって第１のサセプタ部の開口部分が塞がれるので、加熱部や回転部で発生した汚染物質によってウェハが汚染されるのを防ぐことができる。また、ウェハの外周部とサセプタの隙間を通る混合ガスの流れを遮断することもできる。
ところで、ウェハをサセプタ上に載置する際に、ウェハと第２のサセプタとの間には混合ガスが挟まれる。すると、ウェハの自重によって挟まれた混合ガスの圧力が上昇する。この混合ガスは、その後ウェハと第２のサセプタの間から抜け出るが、それまでに上昇した圧力が原因となってウェハが所定の位置からずれてしまう。また、ウェハは、裏面から加熱されて表面にエピタキシャル膜が形成される。したがって、第２のサセプタ部にウェハの裏面全体が接触していると、加熱による熱変形によりウェハは表面側に向かって凹状に反ってしまい、ウェハを回転させながらの成膜ができなくなるおそれもあった。
こうした問題に対しては、ウェハの外周部を第１のサセプタ部によって支持し、ウェハと第２のサセプタ部との間に隙間を設ける構成が考えられる。この構成によれば、ウェハを載置する際にウェハは所定位置からずれず、また、加熱によってウェハが凹状に反る問題も解消される。しかし、この場合、新たに次のような問題が生じる。
図８は、上記構成を模式的に示したウェハ外周部付近の一部断面図である。この図に示すように、サセプタ３０２は、シリコンウェハ３０１の外周部を支持する第１のサセプタ部３０２ａと、第１のサセプタ部３０２ａの開口部分に密嵌される第２のサセプタ部３０２ｂとからなる。そして、シリコンウェハ３０１と第２のサセプタ部３０２ｂとの間には隙間３０３が設けられている。
サセプタ３０２は、図示しないヒータによって図の下方から加熱され、シリコンウェハ３０１は、サセプタ３０２を介して加熱される。このとき、シリコンウェハ３０１の外周部は、第１のサセプタ部３０２ａに接しているので、第１のサセプタ部３０２ａを通じて加熱される。一方、シリコンウェハ３０１の外周部以外の部分は、第２のサセプタ部３０２ｂから、さらに、隙間３０３に存在する雰囲気ガスを介して加熱される。ここで、第１のサセプタ部３０２ａはＳｉＣからなり雰囲気ガスより熱抵抗が低いので、シリコンウェハ３０１の外周部はそれ以外の部分に比べて温度が上昇する。その結果、シリコンウェハ３０１の温度分布は不均一なものとなり、形成されるエピタキシャル膜の膜厚も不均一になる。また、シリコンウェハ３０１と第１のサセプタ部３０２ａとの接触部分に熱応力が集中して、サセプタ３０２の破損やスリップの発生を招くという問題も生じる。
特開平５−１５２２０７号公報
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタを提供することにある。
また、本発明の目的は、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置を提供することにある。
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
本発明の第１の態様は、基板に対して所定の処理を行う際に基板が載置されるサセプタに関する。
このサセプタは、基板の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部と、第１のサセプタ部の外周部に連続するようにして設けられ、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部とを有する。
第２のサセプタ部は、基板が第１のサセプタ部に支持された状態で、基板との間に所定の間隔の第１の隙間が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部との間にも第１の隙間に連続し、且つ第１の隙間と実質的に等しい間隔の第２の隙間が形成されるように配置される。
第１の隙間と第２の隙間が連続する境界において、第１のサセプタ部の断面の端部と第２のサセプタ部の断面の端部はテーパ形状である。
さらに、第２のサセプタ部は、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第１の部分と、第１のサセプタ部より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部の外周部に接して設けられ、第１の部分の外周部を支持する第２の部分とに分割される。
本発明の第１の態様において、第１の部分は、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第３の部分と、第３の部分を支持するリング状であって、第２の部分に支持される第４の部分とに分割される構造とすることができる。
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様によるサセプタを備えたことを特徴とする成膜装置に関する。
具体的には、本発明の成膜装置は、基板が搬入される成膜室と、成膜室内で基板が載置されるサセプタと、サセプタを介して基板を加熱する加熱部とを有し、サセプタは、基板の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部と、第１のサセプタ部の外周部に連続するようにして設けられ、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部とを備えており、第２のサセプタ部は第１のサセプタ部と対向する部分に凹部を有し、基板が第１のサセプタ部に支持された状態で、基板と第２のサセプタ部との間には所定の間隔の第１の隙間が形成されるとともに、第１のサセプタ部と第２のサセプタ部の間にも第１の隙間に連続し、且つ第１の隙間と実質的に等しい間隔の隙間が形成される。
第１の隙間と第２の隙間が連続する境界において、第１のサセプタ部の断面端部と第２のサセプタ部の断面端部はテーパ形状である。また、第２のサセプタ部は、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第１の部分と、第１のサセプタ部より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部の外周部に接して設けられ、第１の部分の外周部を支持する第２の部分とに分割される。
また、第１の部分は、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第３の部分と、第３の部分を支持するリング状であって、第２の部分に支持される第４の部分とに分割される構造とすることができる。
本発明の第１の態様によれば、ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタが提供される。
本発明の第２の態様によれば、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置が提供される。
本実施の形態の成膜装置の模式的な断面図である。 本実施の形態のサセプタにウェハを載置した状態を示す断面図である。 図２の一部拡大断面図である。 ウェハの温度分布を、本実施の形態の構成と従来の構成とで比較した一例である。 本実施の形態のサセプタの一例である。 本実施の形態のサセプタの一例である。 本実施の形態のサセプタの一例である。 従来のサセプタにウェハを載置した状態を示す一部断面図である。
図１は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置１００の模式的な断面図である。
本実施の形態においては、基板としてシリコンウェハ１０１を用いる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハを用いてもよい。
成膜装置１００は、成膜室としてのチャンバ１０３を有する。
チャンバ１０３の上部には、加熱されたシリコンウェハ１０１の表面に結晶膜を成膜するための原料ガスを供給するガス供給部１２３が設けられている。また、ガス供給部１２３には、原料ガスの吐出孔が多数形成されたシャワープレート１２４が接続している。シャワープレート１２４をシリコンウェハ１０１の表面と対向して配置することにより、シリコンウェハ１０１の表面に原料ガスを供給できる。
チャンバ１０３の下部には、反応後の原料ガスを排気するガス排気部１２５が複数設けられている。ガス排気部１２５は、調整弁１２６および真空ポンプ１２７からなる排気機構１２８に接続されている。排気機構１２８は、図示しない制御機構により制御されてチャンバ１０３内を所定の圧力に調整する。
チャンバ１０３の内部には、本実施の形態によるサセプタ１０２が、回転部１０４の上に設けられている。サセプタ１０２は、高温下にさらされることから、例えば高純度のＳｉＣを用いて構成される。
回転部１０４は、円筒部１０４ａと回転軸１０４ｂを有している。回転軸１０４ｂが図示しないモータによって回転することにより、円筒部１０４ａを介してサセプタ１０２が回転する。
図１において、円筒部１０４ａは、上部が解放された構造であるが、サセプタ１０２が設けられることにより、上部が覆われて中空領域（以下、Ｐ２領域と称す。）を形成する。ここで、チャンバ１０３内をＰ１領域とすると、Ｐ２領域は、サセプタ１０２によって実質的にＰ１領域と隔てられた領域となる。
Ｐ２領域には、サセプタ１０２を介してシリコンウェハ１０１を裏面から加熱する加熱部としてのインヒータ１２０とアウトヒータ１２１が設けられている。これらのヒータは、回転軸１０４ｂ内に設けられた略円筒状の石英製のシャフト１０８の内部を通る配線１０９によって給電される。
加熱により変化するシリコンウェハ１０１の表面温度は、チャンバ１０３の上部に設けられた放射温度計１２２によって計測される。尚、シャワープレート１２４を透明石英製とすることによって、放射温度計１２２による温度測定がシャワープレート１２４で妨げられないようにすることができる。計測した温度データは、図示しない制御機構に送られた後、インヒータ１２０およびアウトヒータ１２１の出力制御にフィードバックされる。これにより、シリコンウェハ１０１を所望の温度となるように加熱できる。
回転部１０４の回転軸１０４ｂは、チャンバ１０３の外部まで延設されており、図示しない回転機構に接続している。円筒部１０４ａが所定の回転数で回転することにより、サセプタ１０２を回転させることができ、ひいてはサセプタ１０２に支持されたシリコンウェハ１０１を回転させることができる。円筒部１０４ａは、シリコンウェハ１０１の中心を通り、且つ、シリコンウェハ１０１に直交する線を軸として回転することが好ましい。
図２は、サセプタ１０２にシリコンウェハ１０１を載置した状態を示す断面図である。また、図３は、図２の一部拡大断面図である。
図２および図３に示すように、サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有する。図１に示すように、サセプタ１０２をチャンバ１０３内に設置すると、第２のサセプタ部１０２ｂによって第１のサセプタ部１０２ａの開口部分が塞がれるので、Ｐ２領域で発生した汚染物質によってシリコンウェハ１０１が汚染されるのを防ぐことができる。また、シリコンウェハ１０１の外周部とサセプタ１０２の隙間を通って、原料ガスがＰ２領域に進入するのを防ぐこともできる。したがって、シリコンウェハ１０１とサセプタ１０２の間にエピタキシャル膜が形成されて、シリコンウェハ１０１がサセプタ１０２に貼り付いたり、スリップが発生したりするのを低減できる。
図３に示すように、シリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂとの間には、隙間２０１が設けられている。換言すると、第２のサセプタ部１０２ｂは第１のサセプタ部１０２ａと対向する部分に凹部を有しているので、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂとの間には所定の間隔の隙間２０１が形成される。これにより、ウェハを載置する際に、シリコンウェハ１０１に位置ずれが起こるのを防ぐことができる。また、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１により、サセプタ１０２を介してシリコンウェハ１０１を裏面から加熱したときに、シリコンウェハ１０１が表面側に向かって凹状に反るのを防ぐこともできる。
シリコンウェハ１０１が所定の位置に載置された状態であると、シリコンウェハ１０１の表面に所定の膜厚の均一なエピタキシャル膜を形成できるだけでなく、シリコンウェハ１０１が変形するのを防ぐこともできる。すなわち、シリコンウェハ１０１が所定の位置からずれると、回転運動による遠心力の偏りが原因でウェハが飛散するおそれがある。一方、図３のように、シリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂとの間に隙間２０１があると、載置する際にシリコンウェハ１０１がずれないので、シリコンウェハ１０１に対して所定の位置で成膜処理を行える。つまり、シリコンウェハ１０１が飛散するのを防ぐことができる。
サセプタ１０２は、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとの間に隙間２０２を有する。隙間２０２は、隙間２０１に連続する空間である。すなわち、隙間２０１と隙間２０２との間に、これらの空間を仕切る遮蔽物は設けられていない。
図１に示すように、サセプタ１０２の上にシリコンウェハ１０１を載置すると、シリコンウェハ１０１の外周部は第１のサセプタ部１０２ａに接する。この状態で、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１により、サセプタ１０２を介してシリコンウェハ１０１を裏面から加熱する。ここで、サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有してなるので、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１によって最初に加熱されるのは、第２のサセプタ部１０２ｂである。その後、第２のサセプタ部１０２ｂから、隙間２０１および隙間２０２に存在する雰囲気ガスや、第１のサセプタ部１０２ａを介して、シリコンウェハ１０１が加熱される。シリコンウェハ１０１が加熱される様子について、以下でさらに詳しく説明する。
シリコンウェハ１０１の外周部以外の部分は、第２のサセプタ部１０２ｂから、隙間２０１に存在する雰囲気ガスを介して加熱される。一方、シリコンウェハ１０１の外周部は、第１のサセプタ部１０２ａに接しているので、第１のサセプタ部１０２ａを通じて加熱される。この際、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとの間に隙間２０２が設けられていることにより、シリコンウェハ１０１の外周部は次の２通りのルートを通じて加熱されることになる。
１つは、第２のサセプタ部１０２ｂから、隙間２０２に存在する雰囲気ガスを介し、さらに第１のサセプタ部１０２ａを介してシリコンウェハ１０１が加熱されるルートである。他の１つは、第２のサセプタ部１０２ｂとの接触部を通じて第１のサセプタ部１０２ａが加熱され、次いで、シリコンウェハ１０１が加熱されるルートである。どちらのルートも、第１のサセプタ部１０２ａにシリコンウェハ１０１の外周部が接して加熱される点で、前述した図８の例と共通する。
しかしながら、図８の例では、ヒータによってまず第１のサセプタ部３０２ａが加熱されるのに対して、本実施の形態の構成によれば、まず、第２のサセプタ部１０２ｂがヒータで加熱され、次いで、この熱が第１のサセプタ部１０２ａに伝わる点で異なる。さらに、第２のサセプタ部１０２ｂから第１のサセプタ部１０２ａに熱が伝わる際、シリコンウェハ１０１の外周部に近い第１のサセプタ部１０２ａには、隙間２０２に存在する雰囲気ガスを通じて熱が伝わる。一方、第２のサセプタ部１０２ｂから第１のサセプタ部１０２ａに直接的に熱が伝わる部分は、これらが接する部分、すなわち、第１のサセプタ部１０２ａの外周部であり、シリコンウェハ１０１の外周部から離れた部分である。つまり、シリコンウェハ１０１の外周部に第１のサセプタ部１０２ａが接してこの部分が加熱されるという点で図８と共通していても、外周部に接する第１のサセプタ部１０２ａの温度は、図８の場合に比べて低くなる。また、本実施の形態の構成によれば、隙間２０１と隙間２０２との間に、これらの空間を仕切る遮蔽物が設けられていないので、遮蔽物を通じて第２のサセプタ部１０２ｂからシリコンウェハ１０１や第１のサセプタ部１０２ａに熱が伝わり、シリコンウェハ１０１の特定部分の温度が上昇することもない。
図３において、隙間２０１の高さＨと、隙間２０２の高さＨ’とは、実質的に等しくなることが好ましい。これらの隙間に存在する雰囲気ガスの熱抵抗はＳｉＣより高いので、隙間の高さを調整することにより、シリコンウェハ１０１の温度分布を調整することができる。すなわち、高さＨと高さＨ’とを等しくすることで、シリコンウェハ１０１の温度分布を均一にすることができる。高さＨと高さＨ’とは、例えば、０．６ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲で等しい値とすることができるが、チャンバ内の圧力に応じて適宜設定することが好ましい。また、シリコンウェハ１０１の温度分布は、隙間２０２の横方向の長さＬによっても調整することができる。Ｌが長くなると、第２のサセプタ部１０２ｂとの接触部を通じて第１のサセプタ部１０２ａからシリコンウェハ１０１に伝わる熱量が減少しシリコンウェハ１０１外周部の温度が低くなる。
尚、サセプタ１０２において、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとは、それぞれ別個に形成された後に組み合わされた構造とすることができるが、最初から一体となった構造としてもよい。
図４は、熱伝導シミュレーションを実施し、本実施の形態のサセプタ（サセプタ１０２）を用いた場合と、図８に示す従来のサセプタ（サセプタ３０２）を用いた場合とでシリコンウェハの温度分布を比較した一例である。尚、横軸は、シリコンウェハの中心からの距離を示しており、縦軸は、シリコンウェハの温度を示している。この図から分かるように、従来のサセプタを用いた場合には、シリコンウェハの外周部で温度が著しく高くなるが、本実施の形態のサセプタによれば、外周部での温度上昇が抑制されて略均一な温度分布となる。
このように、サセプタ１０２においては、第２のサセプタ部１０２ｂが、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１との間に所定の間隔Ｈの隙間２０１が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部１０２ａとの間にも隙間２０１に連続する隙間２０２が形成されるように配置される。ここで、隙間２０２の間隔Ｈ’は、隙間２０１の間隔Ｈと実質的に等しくなることが好ましい。このような構造を有するサセプタ１０２によれば、シリコンウェハ１０１の外周部の温度が、外周部以外の部分の温度より急激に上昇することがないので、シリコンウェハ１０１の均一な温度分布が妨げられない。また、シリコンウェハ１０１の外周部における熱応力が低減されるので、シリコンウェハ１０１にスリップが発生するのを防止することもできる。
図５は、本実施の形態のサセプタの別の例であり、サセプタにシリコンウェハを載置した状態の一部断面図である。尚、図５に示されていないサセプタの他端も図５に示す構造と同様とする。
図５に示すサセプタ１０２１は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａ１と、第１のサセプタ部１０２ａ１の外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａ１の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂ１とを有し、シリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂ１との間に隙間２０１１が設けられているとともに、第１のサセプタ部１０２ａ１と第２のサセプタ部１０２ｂ１との間にも隙間２０２１が設けられている点で、図３に示すサセプタ１０２と共通する。
しかし、サセプタ１０２では、隙間２０１と隙間２０２の境界における第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂの断面が、それぞれ鉛直方向に平行な端部１０２ａ’、１０２ｂ’を有しているのに対して、サセプタ１０２１では、隙間２０１１と隙間２０２１の境界における第１のサセプタ部１０２ａ１と第２のサセプタ部１０２ｂ１の断面端部１０２ａ１’、 １０２ｂ１’が、それぞれテーパ形状を有している点で異なる。
上述したように、サセプタ１０２では、隙間２０１と隙間２０２との間に、これらの空間を仕切る遮蔽物が設けられていない。したがって、遮蔽物を通じて第２のサセプタ部１０２ｂからシリコンウェハ１０１や第１のサセプタ部１０２ａに熱が伝わり、シリコンウェハ１０１の特定部分の温度が上昇するといったことがない。しかし、第１のサセプタ部１０２ａの位置と第２のサセプタ部１０２ｂの位置とが相対的にずれて、これらの距離が非常に近づくか、あるいは、これらが接してしまうと、隙間２０１と隙間２０２との間に遮蔽物が設けられたのと同じ状態になることが考えられる。
そこで、図５のように、隙間２０１１と隙間２０２１の境界における第１のサセプタ部１０２ａ１と第２のサセプタ部１０２ｂ１の断面端部１０２ａ１’、 １０２ｂ１’を、それぞれテーパ形状にする。これにより、第１のサセプタ部１０２ａ１の位置と第２のサセプタ部１０２ｂ１の位置とが相対的にずれても、これらの間の距離が大きく変わらないようにすることができる。
尚、サセプタ１０２１において、第１のサセプタ部１０２ａ１と第２のサセプタ部１０２ｂ１とは、それぞれ別個に形成された後に組み合わされた構造とすることができるが、最初から一体となった構造としてもよい。
図６は、本実施の形態のサセプタの別の例であり、サセプタにシリコンウェハを載置した状態の一部断面図である。尚、図６に示されていないサセプタの他端も図６に示す構造と同様とする。
図６に示すサセプタ１０２２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａ２と、第１のサセプタ部１０２ａ２の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂ２と、第１のサセプタ部１０２ａ２より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部１０２ａ２の外周部に接して設けられ、第２のサセプタ部１０２ｂ２の外周部を支持する第３のサセプタ部１０２ｃ２とを有する。すなわち、サセプタ１０２２は、図３や図５における第２のサセプタ部が、第１のサセプタ部を支持する部分で２つに分割された構造に対応する。
換言すると、サセプタ１０２２は、図３や図５における第２のサセプタ部が、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第１の部分と、第１のサセプタ部より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部の外周部に接して設けられ、第１の部分の外周部を支持する第２の部分とに分割された構造と表現することができる。第１の部分は、図６で第２のサセプタ部１０２ｂ２に対応し、第２の部分は、図６で第３のサセプタ部１０２ｃ２に対応する。
図６に示すサセプタ１０２２は、シリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂ２との間に隙間２０１２が設けられているとともに、第１のサセプタ部１０２ａ２と第２のサセプタ部１０２ｂ２との間にも隙間２０２２が設けられている点で、図３や図５に示すサセプタと共通する。尚、図６では、隙間２０１２と隙間２０２２の境界における第１のサセプタ部１０２ａ２と第２のサセプタ部１０２ｂ２の断面端部１０２ａ２’、 １０２ｂ２’が、それぞれテーパ形状を有しているが、図３に示すサセプタと同様に鉛直方向に平行な端部となっていてもよい。
図３や図５に示す第２のサセプタ部では、第１のサセプタ部を支持する部分と、第１のサセプタ部と第２のサセプタ部の隙間との境界付近に熱応力が集中する場合がある。また、熱変形により第２のサセプタ部が撓むことによって、シリコンウェハと第２のサセプタ部との距離が変化すると、シリコンウェハの温度分布が均一になり難くなることが考えられる。
そこで、第２のサセプタ部を第１のサセプタ部を支持する部分で２つに分割する。すなわち、図６に示すように、サセプタ１０２２を、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａ２と、第１のサセプタ部１０２ａ２の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂ２と、第１のサセプタ部１０２ａ２より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部１０２ａ２の外周部に接して設けられ、第２のサセプタ部１０２ｂ２の外周部を支持する第３のサセプタ部１０２ｃ２とで構成する。この構成によれば、応力が集中しやすい部分が予め分割されているので、この部分に応力が集中してサセプタ１０２２が破損するのを回避できる。また、第２のサセプタ部１０２ｂ２の撓みによる変形も軽減されるので、シリコンウェハ１０１の温度分布をより均一にすることもできる。
図７は、本実施の形態のサセプタの他の例であり、サセプタにシリコンウェハを載置した状態の一部断面図である。尚、図７に示されていないサセプタの他端も図７に示す構造と同様とする。
図７に示すサセプタ１０２３は、図６で述べたサセプタ１０２２における第２のサセプタ部１０２ｂ２が、隙間２０１２と隙間２０２２の境界付近で分割された構造に対応する。このことは、次のように言い表すこともできる。つまり、図６のサセプタ１０２２を、図３や図５における第２のサセプタ部の第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第１の部分と、第１のサセプタ部より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部の外周部に接して設けられ、第１の部分の外周部を支持する第２の部分とに分割された構造と表現した場合、図７のサセプタ１０２３は、第１の部分が、第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第３の部分と、第３の部分を支持するリング状であって、第２の部分に支持される第４の部分とに分割された構造と表現することができる。第３の部分は、図７で第２のサセプタ部１０２ｂ３に対応し、第４の部分は、図７で第４のサセプタ部１０２ｄ３に対応する。
図７において、サセプタ１０２３は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａ３と、第１のサセプタ部１０２ａ３の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂ３と、第１のサセプタ部１０２ａ３より開口部分の大きいリング状であって、第１のサセプタ部１０２ａ３の外周部に接して設けられる第３のサセプタ部１０２ｃ３と、第２のサセプタ部１０２ｂ３を支持するリング状であって、第３のサセプタ部１０２ｃ３に支持される第４のサセプタ部１０２ｄ３とを有する。
サセプタ１０２３では、シリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂ３との間に隙間２０１３が設けられているとともに、第１のサセプタ部１０２ａ３と第４のサセプタ部１０２ｄ３との間にも隙間２０２３が設けられている。尚、図７では、隙間２０１３と隙間２０２３の境界における第１のサセプタ部１０２ａ３と第４のサセプタ部１０２ｄ３の断面端部１０２ａ３’、 １０２ｄ３’が、それぞれテーパ形状を有しているが、図３に示すサセプタと同様に鉛直方向に平行な端部となっていてもよい。
サセプタを図６に示す構造とすることによって、第２のサセプタ部に生じる応力を軽減できることを述べた。そして、図７の構造によれば、第２のサセプタ部に生じる応力をさらに軽減することができる。すなわち、図６の第２のサセプタ部１０２ｂ２の隙間２０１２と隙間２０２２の境界付近が予め分割された図７の構造とすることによって、第２のサセプタ部の熱変形時の拘束が解放されるので、第２のサセプタ部全体に生じる応力を低減することができる。また、図７の構造であれば、ウェハを簡便かつ安定した状態で搬送することができる。例えば、図１で回転部１０４の内部に昇降ピンを設け、この昇降ピンを上昇させて第２のサセプタ部１０２ｂ３を支持した後、昇降ピンをさらに上昇させて、第２のサセプタ部１０２ｂ３を第４のサセプタ部１０２ｄ３から引き離す。さらに第２のサセプタ部１０２ｂ３を上昇させて、チャンバ１０３の内部に搬入されたシリコンウェハ１０１の下面を第２のサセプタ部１０２ｂ３で支持する。次いで、第２のサセプタ部１０２ｂ３を、昇降ピンで支持したままの状態で下降させて初期位置に戻す。このように、図７の構造によれば、シリコンウェハ１０１を第２のサセプタ部１０２ｂ３で支持する。したがって、サセプタ１０２３上の成膜処理が可能な位置に簡便かつ安定した状態でシリコンウェハ１０１を載置することができる。
以上述べたように、本実施の形態のサセプタによれば、第１のサセプタ部と第２のサセプタ部（但し、図７の例では第４のサセプタ部）との間に隙間を有するので、ウェハの外周部に第１のサセプタ部が接することによってこの部分が加熱される構成であっても、外周部に接する第１のサセプタ部の温度は、従来の構成に比べて低くなる。したがって、ウェハの外周部の温度が、外周部以外の部分の温度より急激に上昇することがないので、ウェハの均一な温度分布が妨げられない。また、ウェハと第１のサセプタ部との接触部分における熱応力の集中が低減されるので、サセプタが破損したり、ウェハにスリップが発生したりするのを低減することもできる。
また、本実施の形態の成膜装置によれば、上記サセプタを用いるので、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜をウェハ上に成膜することができる。
本実施の形態による成膜方法の一例について、図１を参照しながら説明する。この成膜方法によれば、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することができる。尚、サセプタ１０２に代えて、サセプタ１０２１、１０２２、１０２３を用いてもよい。
まず、図２のようにサセプタ１０２の上にシリコンウェハ１０１を載置する。具体的には、シリコンウェハ１０１の外周部をリング状の第１のサセプタ部１０２ａで支持し、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂを第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けるとともに、シリコンウェハ１０１が均一に加熱されるように、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１と第２のサセプタ部１０２ｂとの間に所定の間隔Ｈの隙間２０１をおいて配置し、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとの間にも隙間２０１に連続し且つ所定の間隔Ｈと実質的に等しい間隔Ｈ’の隙間２０２が形成されるように配置する。次いで、例えば、数１０ｔｏｒｒの減圧下で水素ガスを流しながら、回転部１０４に付随させて、シリコンウェハ１０１を５０ｒｐｍ程度で回転させる。
次に、インヒータ１２０およびアウトヒータ１２１によってシリコンウェハ１０１を１１００℃〜１２００℃に加熱する。例えば、成膜温度である１１５０℃まで徐々に加熱する。
放射温度計１２２による測定でシリコンウェハ１０１の温度が１１５０℃に達したことを確認した後は、徐々にシリコンウェハ１０１の回転数を上げていく。そして、ガス供給部１２３からシャワープレート１２４を介して原料ガスをチャンバ１０３の内部に供給する。本実施の形態においては、原料ガスとしてトリクロロシランを用いることができ、キャリアガスとしての水素ガスと混合した状態で、ガス供給部１２３からチャンバ１０３の内部に導入する。
チャンバ１０３の内部に導入された原料ガスは、シリコンウェハ１０１の方に流下する。そして、シリコンウェハ１０１の温度を１１５０℃に維持し、サセプタ１０２を９００ｒｐｍ以上の高速で回転させながら、ガス供給部１２３からシャワープレート１２４を介して次々に新たな原料ガスをシリコンウェハ１０１に供給する。これにより、高い成膜速度で効率よくエピタキシャル膜を成膜させることができる。
このように、原料ガスを導入しつつサセプタ１０２を回転させることにより、シリコンウェハ１０１の上に均一な厚さのシリコンのエピタキシャル層を成長させることができる。例えば、パワー半導体の用途では、３００ｍｍのシリコンウェハ上に１０μｍ以上、多くは１０μｍ〜１００μｍ程度の厚膜が形成される。厚膜を形成するには、成膜時の基板の回転数を高くするのがよく、例えば、上記のように９００ｒｐｍ程度の回転数とするのがよい。
尚、シリコンウェハ１０１のチャンバ１０３内への搬入、あるいは、チャンバ１０３外への搬出には、公知の方法を適用することができる。
例えば、図３に示すサセプタ１０２であって、第１のサセプタ部１０２ａと第２のサセプタ部１０２ｂとが一体的に構成されたものを用いる場合には、例えば、ベルヌーイ効果を利用してシリコンウェハ１０１を搬送することができる。例えば、シリコンウェハの裏面の中央部近傍から周縁部方向に向けて、放射状に保持ガスが噴き出されるようにする。すると、ベルヌーイ効果が生じて、シリコンウェハを浮上させて保持することができる。尚、図５に示すサセプタ１０２１であって、第１のサセプタ部１０２ａ１と第２のサセプタ部１０２ｂ１とが一体的に構成されたものを用いる場合も同様である。
また、図７に示すサセプタを用いる場合には、次のようにすることができる。
例えば、図１において、図示しない搬送用ロボットを用い、シリコンウェハ１０１をチャンバ１０３へと搬入する。ここで、回転部１０４の内部には、回転軸１０４ｂの内部を貫通する図示しない昇降ピンが設けられているとする。昇降ピンを上昇させて第２のサセプタ部１０２ｂ３を支持した後、昇降ピンをさらに上昇させて、第２のサセプタ部１０２ｂ３を第４のサセプタ部１０２ｄ３から持ち上げて引き離す。さらに第２のサセプタ部１０２ｂ３を上昇させて、搬送用ロボットに支持されたシリコンウェハ１０１の下面を第２のサセプタ部１０２ｂ３で支持する。第２のサセプタ部１０２ｂ３のシリコンウェハ１０１と対向する面に、図示しない複数の凸部を設けておけば、凸部でシリコンウェハ１０１を支持するようにすることができる。次いで、シリコンウェハ１０１を搬送用ロボットから引き離し、第２のサセプタ部１０２ｂ３のみでシリコンウェハ１０１基板を支持する。シリコンウェハ１０１を第２のサセプタ部１０２ｂ３に受け渡した後の搬送用ロボットは、チャンバ１０３内から退去させる。次に、シリコンウェハ１０１を受け取った第２のサセプタ部１０２ｂ３を、昇降ピンで支持したままの状態で下降させる。そして、第２のサセプタ部１０２ｂ３を初期位置に戻す。このようにして、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２３上の成膜処理が可能な位置に載置することができる。成膜処理を終えた後は、上記と逆の操作によりシリコンウェハ１０１を第２のサセプタ部１０２ｂ３から搬送用ロボットに受け渡し、チャンバ１０３の外部へと搬出する。
図３または図５に示すサセプタであって、第１のサセプタ部と第２のサセプタ部とが一体的に構成されていないものを用いる場合や、図６に示すサセプタを用いる場合には、第１のサセプタ部を昇降ピンで昇降させることで、搬送用ロボットとの間でシリコンウェハ１０１を受け渡すようにすることができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施の形態では、シリコンウェハを回転させながら成膜する構成としたが、シリコンウェハを回転させずに成膜してもよい。
また、上記実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に反応ガスを供給し、成膜室内に載置されるウェハを加熱してウェハの表面に膜を形成する成膜装置であれば、ＣＶＤ装置などの他の成膜装置であってもよい。
また、本発明は、ウェハを加熱しながらウェハに対してアッシングなどの処理を行う場合にも適用することができる。すなわち、本発明のサセプタによれば、ウェハの温度分布を均一にすることができるので、ウェハに対して均一な処理を行うことが可能である。
１００…成膜装置
１０１…シリコンウェハ
１０２、１０２１、１０２２、１０２３…サセプタ
１０３…チャンバ
１０４…回転部
１０４ａ…円筒部
１０４ｂ…回転軸
１０８…シャフト
１０９…配線
１２６…調整弁
１２７…真空ポンプ
１２８…排気機構
１２０…インヒータ
１２１…アウトヒータ
１２２…放射温度計
１２３…ガス供給部
１２４…シャワープレート
１２５…ガス排気部
２０１、２０２、２０１１、２０２１、２０１２、２０２２、２０１３、２０２３…隙間
１０２ａ、１０２ａ１、１０２ａ２、１０２ａ３…第１のサセプタ部
１０２ｂ、１０２ｂ１、１０２ｂ２、１０２ｂ３…第２のサセプタ部
１０２ｃ２、１０２ｃ３…第３のサセプタ部
１０２ｄ３…第４のサセプタ部

Claims (4)

  1. 基板に対して所定の処理を行う際に前記基板が載置されるサセプタであって、
    前記基板の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部と、
    前記第１のサセプタ部の外周部に連続するようにして設けられ、前記第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部とを有し、
    前記第２のサセプタ部は、前記基板が前記第１のサセプタ部に支持された状態で、前記基板との間に所定の間隔の第１の隙間が形成されるように配置されるとともに、前記第１のサセプタ部との間にも前記第１の隙間に連続し、且つ前記第１の隙間と実質的に等しい間隔の第２の隙間が形成されるように配置され、
    前記第１の隙間と前記第２の隙間が連続する境界において、前記第１のサセプタ部の断面の端部と前記第２のサセプタ部の断面の端部が、テーパ形状であり、
    前記第２のサセプタ部は、前記第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第１の部分と、前記第１のサセプタ部より開口部分の大きいリング状であって、前記第１のサセプタ部の外周部に接して設けられ、前記第１の部分の外周部を支持する第２の部分とに分割されることを特徴とするサセプタ。
  2. 前記第１の部分は、前記第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第３の部分と、前記第３の部分を支持するリング状であって、前記第２の部分に支持される第４の部分とに分割されることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
  3. 基板が搬入される成膜室と、
    前記成膜室内で前記基板が載置されるサセプタと、
    前記サセプタを介して前記基板を加熱する加熱部とを有し、
    前記サセプタは、前記基板の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部と、
    前記第１のサセプタ部の外周部に連続するようにして設けられ、前記第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部とを備えており、
    前記第２のサセプタ部は前記第１のサセプタ部と対向する部分に凹部を有し、前記基板が前記第１のサセプタ部に支持された状態で、前記基板と前記第２のサセプタ部との間には所定の間隔の第１の隙間が形成されるとともに、前記第１のサセプタ部と前記第２のサセプタ部の間にも前記第１の隙間に連続し、且つ前記第１の隙間と実質的に等しい間隔の第２の隙間が形成され、
    前記第１の隙間と前記第２の隙間が連続する境界において、前記第１のサセプタ部の断面端部と前記第２のサセプタ部の断面端部が、テーパ形状であり、
    前記第２のサセプタ部は、前記第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第１の部分と、前記第１のサセプタ部より開口部分の大きいリング状であって、前記第１のサセプタ部の外周部に接して設けられ、前記第１の部分の外周部を支持する第２の部分とに分割されることを特徴とする成膜装置。
  4. 前記第１の部分は、前記第１のサセプタ部の開口部分を遮蔽する第３の部分と、前記第３の部分を支持するリング状であって、前記第２の部分に支持される第４の部分とに分割されることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
JP2009156809A 2009-07-01 2009-07-01 サセプタおよび成膜装置 Active JP5038365B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009156809A JP5038365B2 (ja) 2009-07-01 2009-07-01 サセプタおよび成膜装置
TW099121065A TWI412100B (zh) 2009-07-01 2010-06-28 A susceptor, a film forming apparatus, and a film forming method
KR1020100061860A KR101160413B1 (ko) 2009-07-01 2010-06-29 서셉터, 성막 장치 및 성막 방법
CN201010220837.9A CN101944479B (zh) 2009-07-01 2010-07-01 基座、成膜装置及成膜方法
US12/828,963 US8795435B2 (en) 2009-07-01 2010-07-01 Susceptor, coating apparatus and coating method using the susceptor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009156809A JP5038365B2 (ja) 2009-07-01 2009-07-01 サセプタおよび成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011014682A JP2011014682A (ja) 2011-01-20
JP5038365B2 true JP5038365B2 (ja) 2012-10-03

Family

ID=43436405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009156809A Active JP5038365B2 (ja) 2009-07-01 2009-07-01 サセプタおよび成膜装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8795435B2 (ja)
JP (1) JP5038365B2 (ja)
KR (1) KR101160413B1 (ja)
CN (1) CN101944479B (ja)
TW (1) TWI412100B (ja)

Families Citing this family (198)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8104951B2 (en) * 2006-07-31 2012-01-31 Applied Materials, Inc. Temperature uniformity measurements during rapid thermal processing
JP5038365B2 (ja) * 2009-07-01 2012-10-03 株式会社東芝 サセプタおよび成膜装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI505400B (zh) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc 基座
US9330949B2 (en) 2012-03-27 2016-05-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light
JP6026124B2 (ja) * 2012-03-28 2016-11-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP2013253286A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Kaneka Corp 薄膜の製造方法
DE102012106796A1 (de) * 2012-07-26 2014-01-30 Aixtron Se Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US10727092B2 (en) * 2012-10-17 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Heated substrate support ring
DE102013012082A1 (de) 2013-07-22 2015-01-22 Aixtron Se Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung
JP6444641B2 (ja) 2014-07-24 2018-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置、サセプタ、及び成膜方法
US9517539B2 (en) 2014-08-28 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer susceptor with improved thermal characteristics
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6424726B2 (ja) * 2015-04-27 2018-11-21 株式会社Sumco サセプタ及びエピタキシャル成長装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6539929B2 (ja) 2015-12-21 2019-07-10 昭和電工株式会社 ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
DE102016210203B3 (de) * 2016-06-09 2017-08-31 Siltronic Ag Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe, Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN106948002B (zh) * 2017-03-15 2019-07-09 南京国盛电子有限公司 电磁感应加热外延炉的双面基座结构
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
CN109423626B (zh) * 2017-08-30 2021-07-09 胜高股份有限公司 成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
WO2019044440A1 (ja) * 2017-09-01 2019-03-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置、及び、気相成長方法
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529880A (ja) 2018-06-27 2021-11-04 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US20200270736A1 (en) * 2019-02-26 2020-08-27 Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. Thermal spray deposited environmental barrier coating
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11702728B2 (en) 2019-05-28 2023-07-18 Rolls-Royce Corporation Post deposition heat treatment of coating on ceramic or ceramic matrix composite substrate
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TWI772005B (zh) * 2021-04-28 2022-07-21 錼創顯示科技股份有限公司 半導體晶圓承載結構及有機金屬化學氣相沉積裝置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
JP3090339B2 (ja) * 1990-03-19 2000-09-18 株式会社東芝 気相成長装置および方法
JPH05152207A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長方法
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
JP4211117B2 (ja) 1999-02-16 2009-01-21 東亞合成株式会社 接着剤組成物
JP3908112B2 (ja) * 2002-07-29 2007-04-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法
JP2006237516A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
TWI354320B (en) * 2006-02-21 2011-12-11 Nuflare Technology Inc Vopor phase deposition apparatus and support table
CN100514571C (zh) * 2006-08-02 2009-07-15 美商慧程系统科技股份有限公司 等离子体刻蚀系统
JP5038073B2 (ja) * 2007-09-11 2012-10-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置および半導体製造方法
KR101405299B1 (ko) * 2007-10-10 2014-06-11 주성엔지니어링(주) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
JP5283370B2 (ja) * 2007-11-29 2013-09-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
JP5197030B2 (ja) * 2008-01-16 2013-05-15 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
JP5038365B2 (ja) * 2009-07-01 2012-10-03 株式会社東芝 サセプタおよび成膜装置
JP5038381B2 (ja) * 2009-11-20 2012-10-03 株式会社東芝 サセプタおよび成膜装置
JP5152207B2 (ja) 2010-01-11 2013-02-27 株式会社デンソー 多相回転機の制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110171380A1 (en) 2011-07-14
TWI412100B (zh) 2013-10-11
CN101944479A (zh) 2011-01-12
CN101944479B (zh) 2014-05-07
KR20110002427A (ko) 2011-01-07
JP2011014682A (ja) 2011-01-20
US8795435B2 (en) 2014-08-05
TW201118978A (en) 2011-06-01
KR101160413B1 (ko) 2012-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5038365B2 (ja) サセプタおよび成膜装置
JP5038381B2 (ja) サセプタおよび成膜装置
US7700376B2 (en) Edge temperature compensation in thermal processing particularly useful for SOI wafers
KR20150119901A (ko) 인젝터 대 기판 갭 제어를 위한 장치 및 방법들
KR101719909B1 (ko) 성막 장치, 서셉터, 및 성막 방법
US20090269490A1 (en) Coating apparatus and coating method
JP5204721B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP5794893B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JPWO2008139871A1 (ja) パージガスアセンブリ
JP2013098340A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP2011021253A (ja) 成膜装置
KR101799968B1 (ko) 서셉터 처리 방법 및 서셉터 처리용 플레이트
JP2013084943A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP6034771B2 (ja) 半導体製造装置、半導体製造方法、および半導体ウェーハホルダ
JP5032828B2 (ja) 気相成長装置
JP2007224375A (ja) 気相成長装置
JP2011187543A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6878212B2 (ja) サセプタ、ｃｖｄ装置及びエピタキシャルウェハの製造方法
JP5832173B2 (ja) 気相成長装置および気相成長方法
JP2009182009A (ja) 気相成長装置および気相成長方法
JP6208063B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及びリフレクタユニット
JP5264384B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
JP2012033805A (ja) 半導体製造装置および方法
JP2000252222A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110830

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111028

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120316

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120612

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120705

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5038365

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250