KR20140018189A - 서셉터 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

서셉터 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 서셉터의 두께를 증대시키는 것에 의해, 서셉터 외주부의 열용량을 증대시켜, 웨이퍼 외주부와 내주부에서의 열적 조건을 동일하게 할 수 있는 서셉터이고, 또한, 그 서셉터를 이용하여 에피택셜층의 기상 성장을 실시하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법이다. 본 발명자는, 지금까지의 실험 결과나 경험으로부터, 이면 석출물은 웨이퍼와 서셉터에 발생하는 열전달에 밀접한 관계가 있다고 추측하여, 즉, 웨이퍼 외주부는, 웨이퍼와 서셉터가 접촉하거나, 또는 웨이퍼와 서셉터가 근접하고 있기 때문에, 웨이퍼 내주부보다도 온도가 높아지는 것에 의해 이면 석출물이 발생하기 쉬워진다고 추측하여, 웨이퍼 이면에서의, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 일정하게 하는 것으로 문제의 해결을 시도했다.

Description

서셉터 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법{SUSCEPTOR AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER}
본 발명은 서셉터 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는, 에피택셜 기상 성장시, 웨이퍼 이면(裏面) 외주에 발생하는 석출물(deposition)을 저감할 수 있는 서셉터 및 해당 서셉터를 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼의 에피택셜 성장에 있어서, 외주 저항률 분포의 향상이나 이면 외관의 개선을 목적으로 하여, 서셉터 이면까지 관통하여 개방된 관통공이 설치된 서셉터가 이용된다(특허문헌 1). 서셉터에 설치된 관통공에 의해, 다양한 품질 개선이 달성되었으나, 이와 동시에, 웨이퍼의 이면 외주부에의 국소적인 석출물(이하, "이면 석출물"이라고 한다)이 발생하게 되었다.
통상, 원료 가스는 웨이퍼 표면 측에 흐르지만, 에피택셜 제조 장치의 구조 상, 서셉터의 이면에도 원료 가스가 돌면서 들어가는 경우가 있다. 서셉터의 이면으로 돌면서 들어간 원료 가스는, 서셉터의 관통공으로부터 웨이퍼의 이면에 더 돌면서 들어가고 , 웨이퍼의 이면에서 반응하여, 이면 석출물이 발생해 버린다.
이때, 웨이퍼의 이면 석출물은, 서셉터와 웨이퍼의 접촉부 근방, 즉, 웨이퍼 이면의 외주 부분(직경 300mm의 웨이퍼인 경우, 웨이퍼의 중심으로부터 반경 147 내지 149mm 정도의 부분)에서 국소적으로 발생하고, 그 높이는 반응 시간에 따라 변화하지만, 수 백 nm에 이른다.
이면 석출물이 발생한 에피택셜 웨이퍼의 평탄도를 이면 기준으로 측정한 경우, 에피택셜 웨이퍼의 두께 형상은, 외주 부분에서 급격하게 증대한 형상이 되어, 평탄도 악화의 요인이 된다. 디바이스가 미세화되고, 웨이퍼 외주 부분에까지 고평탄도가 요구되는 요즈음에 있어서, 이면 석출물은 첨단 제품 제조에 대해서 큰 방해가 된다.
종래, 이면 석출물은 웨이퍼와 서셉터가 접촉 또는 매우 근접하여 서로 겹치는 부분, 즉 서셉터의 재치대의 부분에 집중하여 발생하고, 이면 석출물 높이는 서셉터측의 가열량에 따라 변동하는 것으로부터, 상기 서셉터의 재치대를 가능한 한 작게 하는 방법이나, 반대로 서셉터의 재치대를 확대하여, 이면 석출물을 연속적으로 발생시키는 방법, 또는 서셉터 하측의 램프에 의한 램프 가열을 저감하는 방법 등이 주로 이용되어, 대응되어 왔다.
그러나, 상기의 방법은 이면 석출물에 대해서는 유효하면서도, 슬립 전위가 발생하기 쉽고, 표면의 나노 토폴러지 품질을 해치는, 외주 저항률 분포 품질을 해친다고 하는 폐해도 있었다.
또한, 특허문헌 2에는, 서셉터 이면의 웨이퍼 외주부에 대응하는 위치에 돌출물을 설치하여, 서셉터의 열용량을 증대시켜 보온 효과를 높이는 것으로, 웨이퍼 외주부를 가온하여, 슬립 전위의 발생을 억제하는 것에 대해 기재되어 있다.
일본특허공개 2003－229370 일본특허공개 2003－37071
본 발명자는, 지금까지의 실험 결과나 경험으로부터, 이면 석출물은 웨이퍼와 서셉터의 사이에서 발생하는 열전달에 밀접한 관계가 있다고 추측하여, 즉, 웨이퍼 외주부는, 웨이퍼와 서셉터가 접촉하거나, 또는 웨이퍼와 서셉터가 근접하기 때문에, 웨이퍼 내주부 보다도 온도가 높아지는 것에 의해 이면 석출물이 발생하기 쉬워진다고 추측하여, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 일정하게 하는 것으로 문제의 해결을 시도했다.
즉, 본 발명은, 상기 문제를 해소하기 위해, 서셉터의 두께를 증대시키는 것에 의해, 서셉터 외주부의 열용량을 증대시키고, 웨이퍼의 외주부와 내주부에서의 열적 조건을 동일하게 할 수 있는 서셉터를 제공하며, 또한 그 서셉터를 이용하여 에피택셜층의 기상 성장을 실시하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 에피택셜층의 기상 성장을 실시할 때에 반도체 기판을 지지하는 서셉터에 있어서, 해당 서셉터의 상면에는, 내부에 상기 반도체 기판이 배치되는 스폿 페이싱(spot facing)이 형성되고, 해당 스폿 페이싱은, 상기 반도체 기판의 외주연부를 지지하는 상단 스폿 페이싱부와 해당 상단 스폿 페이싱부보다 하단이면서 또한 중심 측에 형성된 하단 스폿 페이싱부를 가지는 2단 구조를 이루고, 상기 하단 스폿 페이싱부에는, 상기 서셉터의 이면까지 관통하고, 상기 기상 성장을 실시할 때에도 개방 상태가 되는 구멍부(孔部)가 형성되어 있고, 상기 서셉터의 이면 측에는, 적어도 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에 돌출부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 서셉터를 제공한다.
이와 같이 함으로써, 상기 서셉터는, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치의 두께가 증대되는 것으로 열용량도 증대되므로, 웨이퍼 외주부의 온도가 상승하기 어려워지기 때문에, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼 표면의 나노 토폴러지 품질이나 외주 저항률 분포 품질을 해치지 않고 이면 석출물의 발생을 억제할 수 있다.
또한 이때, 상기 돌출부의 두께는, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에서의, 상기 돌출부 이외의 서셉터 두께의 3배 이하인 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 더욱 정확하게 일정히 할 수 있기 때문에, 본 발명의 효과인 이면 석출물을 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.
또한 이때, 상기 돌출부에 홈이 설치되는 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 램프 가열에 대하여 그림자가 되는 부분을 상기 돌출부 상에 필연적으로 만들 수 있으며, 또한 표면적이 커짐에 따라 방열도 용이해지므로 상기 돌출부의 온도를 낮출 수 있기 때문에, 본 발명의 효과인 이면 석출물의 억제를 더욱 효과적으로 실시할 수 있다.
또한 이때, 상기 홈은 격자 형상인 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 한층 더 효과적으로 상기 돌출부의 온도를 내릴 수 있어 이면 석출물을 억제할 수 있다.
또한 이때, 상기 홈의 깊이가, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치의 서셉터의 두께의 1/10 이상인 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 한층 더 효과적으로 상기 돌출부의 온도를 내릴 수 있어 이면 석출물의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 상기 본 발명의 서셉터를 이용하여, 해당 서셉터의 스폿 페이싱에 웨이퍼를 재치하고, 원료 가스를 흘리면서 상기 웨이퍼 상에 에피택셜층의 기상 성장을 실시하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
이와 같이 기상 성장을 실시하는 것에 의해, 웨이퍼 표면의 나노 토폴러지 품질이나 외주 저항률 분포 품질을 해치지 않고, 이면 석출물의 발생이 억제된 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시킬 때에, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼 표면의 나노 토폴러지 품질이나 외주 저항률 분포 품질을 해치지 않고 이면 석출물의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 이러한 서셉터를 이용하여 웨이퍼 표면 상에 에피택셜층의 기상 성장을 실시하는 것으로, 이면 석출물의 발생이 억제된 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 있어서 이용되는 에피택셜 성장 장치의 개략 단면도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 서셉터의 개략 하면도, 개략 단면도 및 돌출부의 한 부분을 확대한 도면을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실험예에 있어서, 종래 서셉터와 본 발명의 서셉터를 각각 이용하여 웨이퍼 표면 상에 에피택셜층의 기상 성장을 실시하고, 그 웨이퍼 이면을 웨이퍼 사이트(WaferSight)에 의해 평가한 결과를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실험예에 있어서, 본 발명의 서셉터를 이용하여 웨이퍼 표면 상에 에피택셜층의 기상 성장을 실시하고, 그 웨이퍼 이면을 UA3P에 의해 평가한 결과를 나타낸다.
도 5는 본 발명이 적용되는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법의 처리의 흐름을 나타낸 흐름도를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하면서 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명이 적용되는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 순서의 흐름도를 도 5에 나타낸다.
우선, 공정 (a)에서는, 에피택셜층을 성장시키는 웨이퍼(실리콘 웨이퍼)를 준비한다. 여기서, 본 발명은 실리콘 웨이퍼에 한정되지 않고, 실리콘 카바이드 웨이퍼나, GaP 웨이퍼, GaAs 웨이퍼 등의 화합물 반도체 웨이퍼 등에도 이용할 수 있다.
다음으로, 공정 (b)에 있어서, 실리콘 웨이퍼에 대해, 적절한 RCA 세정 등의 세정을 실시한다.
이 세정 공정에 있어서의 세정법은, 전형적인 RCA 세정 외에, 약액의 농도나 종류를 통상 행해지는 범위에서 변경한 것을 이용할 수도 있다.
공정 (c) 이후에는, 에피택셜 성장 장치에 실리콘 웨이퍼를 이송하여 처리를 실시한다. 공정 (c) 이후에 이용하는 에피택셜 성장 장치의 일례의 개략도를 도 1에 나타냈다.
에피택셜 성장 장치(51)는, 챔버(52)와, 챔버 내부에 배치된 서셉터(71), 서셉터를 하방으로부터 지지하고, 회전 상하 이동이 자유로운 서셉터 지지 수단(53), 챔버(52) 내에 웨이퍼를 반입하거나, 반대로 밖으로 반출하기 위한 웨이퍼 반송구(54), 챔버 내에 각종 가스를 공급하는 가스 도입관(55), 가스 도입관(55)에 접속되고, 챔버 내에 수소 가스를 공급하는 도시하지 않은 수소 가스 공급 수단 및 실란 등의 원료 가스를 공급하는 도시하지 않는 원료 가스 공급 수단, 챔버 내로부터 각종 가스를 배출하는 가스 배출관(57), 챔버(52)의 외부에 구비된 가열 수단(58), 챔버 내에 실리콘 웨이퍼를 이송하고, 또한, 챔버(52) 내로부터 실리콘 웨이퍼를 이송하는 도시하지 않은 웨이퍼 이송 수단 등으로 구성된다.
또한, 서셉터(71)에는, 리프트 핀용 관통공(73)이 형성되어 있는 것이어도 된다. 리프트 핀용 관통공(73)에는, 리프트 핀(75)이 삽통된다.
또한, 챔버(52)의 내부에는 리프트 핀(75)을 서셉터에 대해서 상대적으로 상하 이동시킬 수 있는 리프트 핀 승강 수단을 설치해도 된다.
또한, 본 발명인 서셉터(71)의 확대 개략도를 도 2에 나타냈다. 도 2의 (a)는 하면도이며, 도 2의 (b)는 단면도이다. 또한, 도 2의 (c)는, 돌출부(76)의 한 부분을 확대한 도면이다.
서셉터(71)에는, 재치하는 실리콘 웨이퍼를 위치 결정하는 스폿 페이싱(72)이 형성되고, 해당 스폿 페이싱(72)은 웨이퍼(W)의 외주연부를 지지하는 상단 스폿 페이싱부(72a)와, 해당 상단 스폿 페이싱부보다도 하단이면서 또한 중심 측에 형성된 하단 스폿 페이싱부(72b)를 갖는 2단 구조를 이루고 있다. 또한, 하단 스폿 페이싱부(72b)의 실질적으로 모든면에 다수의 관통공(74)이 형성되어 있다.
또한, 서셉터 이면의 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에는 돌출부(76)(이하, 블록이라고 하는 경우도 있다)가 설치되어 있다.
또한, 돌출부(76)는, 서셉터 이면에 블록 형상의 돌기물을 밀착시키는 것에 의해 형성할 수도 있고, 서셉터 자체의 형성시에 이면 가공하여, 미리 서셉터 이면에 돌기물을 형성해도 된다.
상기 돌출부(76)를 설치한 것에 의해, 서셉터의 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치의 두께가 증대되는 것과 동시에 열용량도 증대되므로, 이 부분의 온도를 오르기 어렵게 하고, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼 주표면의 나노 토폴러지 품질이나 외주 저항률 분포 품질을 해치지 않고 이면 석출물의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 돌출부(76)의 두께가, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에서의, 상기 돌출부 이외의 서셉터의 두께의 3배 이하로 하는 것에 의해, 열용량 차이가 너무 커지는 것에 의한 가열시의 서셉터 파손을 방지할 수 있다.
또한, 도 2의 (c)에 나타난 바와 같이, 상기 돌출부에 홈(77)이 설치되어 있는 것을 이용할 수 있다. 또한, 상기 홈(77)이 격자 형상인 것을 이용할 수 있다. 또한, 상기 홈(77)의 깊이가, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치의 서셉터 두께의 1/10 이상인 것을 이용할 수 있다.
상기 돌출부(76)에 상기 홈(77)이 설치된 것에 의해, 램프 가열에 대해서 그림자가 되는 부분을 상기 돌출부상에 필연적으로 만들 수 있고, 또한 상기 홈(77)에 의해 표면적이 커져 방열하기 용이해지고, 그에 따라 상기 돌출부의 온도를 내릴 수 있기 때문에, 본 발명의 효과인 이면 석출물의 억제를 더욱 효과적으로 실시할 수 있다. 또한 상기 홈(77)이 격자 형상인 것을 이용하는 것이나, 상기 홈(77)의 깊이가, 상기 상단 스폿 페이싱부(72a)에 대응하는 위치의 서셉터의 두께의 1/10 이상인 것을 이용하는 것으로, 한층 더 효과적으로 이면 석출물을 억제할 수 있다.
이러한 서셉터(71)를 구비한 에피택셜 성장 장치(51)를 이용하여, 이하와 같이 하여, 실리콘 웨이퍼 표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시킨다.
우선, 공정 (c)에 있어서, 도시하지 않은 웨이퍼 이송 수단을 이용하여 챔버(52) 내에 실리콘 웨이퍼를 이송하고, 서셉터(71)의 스폿 페이싱부(72)에 재치한다. 실리콘 웨이퍼의 서셉터(71)로의 재치 방법은, 리프트 핀(75)을 이용하는 방법 외에, 통상 이용되는 재치 방법을 적용할 수 있다.
다음으로, 자연 산화막 제거 공정 (d)에서는, 챔버(52) 내에, 수소 가스 공급 수단으로부터 가스 도입관(55)을 통해, 챔버(52) 내에 수소 가스를 도입하고, 가열 수단(58)에 의해 가열하여 수소 처리를 실시하고, 실리콘 웨이퍼 표면에 발생한 자연 산화막을 제거한다.
다음으로, 공정 (e)에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 표면에, 에피택셜층의 기상 성장을 실시한다. 이 에피택셜층의 기상 성장은, 모노실란이나 트리클로로실란, 사염화규소 등의 원료 가스와, 캐리어 가스가 되는 수소 가스를 챔버(52) 내에 도입 하여, 가열하는 것에 의해 실시한다.
이와 같이 하여, 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜층이 형성된 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다. 여기서 이용된 에피택셜 성장 장치에 있어서, 서셉터 이면의 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 부분에는 돌출부가 설치되어 있어, 서셉터의 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치의 두께가 증대되는 것과 동시에 열용량도 증대되므로, 웨이퍼 외주부와 내주부의 열적 조건을 일정하게 할 수 있어 웨이퍼 주표면의 나노 토폴러지 품질이나 외주 저항률 분포 품질을 해치지 않고 이면 석출물의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 실험예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
(실험예)
서셉터의 스폿 페이싱에 실리콘 웨이퍼를 재치하고, 원료 가스를 흘리면서 상기 실리콘 웨이퍼 표면 상에 에피택셜층의 기상 성장을 실시하는 에피택셜 성장 장치에 있어서, 도 4에 나타난 바와 같이, 하나의 서셉터 이면의, 두께가 4mm인 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 부분의 원주 방향 위에, 두께 3.8mm의 블록, 두께 7.6mm의 블록, 깊이 3.8mm의 홈이 설치된 두께 7.6mm의 블록 및 블록을 설치하지 않은 부분을 균등하게 준비하여 반응 압력을 상압, 반응 온도를 1100℃, 성장 속도를 2.7μm/min으로 하여, 직경 300mm의 실리콘 웨이퍼 표면 상에 두께 5μm의 에피택셜층의 기상 성장을 실시했다. 이와 같이 함으로써, 서셉터 이면의 돌출부의 유무 등 이외의 조건을 완전하게 일치시켜, 본 발명의 효과를 검증할 수 있다.
이때, 실리콘 웨이퍼 이면의 중심으로부터 반경 145mm 내지 149mm 정도의 범위, 즉, 실리콘 웨이퍼 이면에 있어서, 본 발명인 돌출부가 설치되어 있는 서셉터의 이면 부분에 대응하는 범위를 각각 평가 장치인 웨이퍼 사이트(파나소닉(주) 제ㅈ조및 UA3P(KLA-TencorCorporation 제조)를 이용하여 평가하고, 이면 석출물의 높이를 측정했다. 이때의 웨이퍼 사이트에 의한 측정 결과를 도 3에, UA3P에 의한 측정 결과를 도 4에, 또한 이 실험 결과를 하기의 표 1에 나타낸다.
여기서, 웨이퍼 사이트란, 웨이퍼에 빛을 입사시키고, 웨이퍼로부터의 반사광과 기준면으로부터의 반사광의 광학 간섭에 의해 발생하는 간섭 무늬의 수와 폭으로부터, 웨이퍼 표면의 변위량을 계측하는 것을 원리로 하는 측정기이다. 실제 측정에 있어서는, 웨이퍼 양면에 전술한 계측을 실시하고, 미리 측정해 둔, 어느 특정의 한점의 두께로부터 전체의 두께 변화를 산출한다.
또한, UA3P는 촉침식 표면 변위량에 의해 측정을 실시하는 측정기이다. 탐침을 미약한 일정 하중으로 대상에 가압 접촉하고, 대상의 요철에 따라 움직이는 바늘의 변위량을 레이저로 계측하는 것을 원리로 한다.
7.6mm 블록 및 홈 7.6mm 블록 3.8mm 블록 종래 서셉터
이면 석출물 높이(WS) 0.108 0.109 0.156 0.225
이면 석출물 높이(UA3P) 0.054 0.068 0.104 0.126
단위: μm
도 3, 도 4 및 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 이면의 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 부분에 블록이 설치되지 않은 종래 서셉터 부분에 비해, 블록이 설치되어 있는 본 발명의 서셉터 부분의 쪽에 이면 석출물의 높이가 낮아지고 있다. 또한, 서셉터 이면에 블록을 설치한 경우에도, 해당 블록의 두께가, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에서의 상기 돌출부 이외의 서셉터의 두께의 3배 이하이면, 열용량 차이가 너무 커지는 것에 의한 가열시의 서셉터의 파손을 방지할 수 있다. 또한 블록에 홈이 설치되어 있으면, 램프 가열에 대해서 그림자가 되는 부분을 블록 위에 필연적으로 만들 수 있고, 또한 표면적이 커지는 것에 의해 방열도 용이해져서 블록의 온도를 내릴 수 있기 때문에, 이면 석출물의 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 이때, 블록을 설치하지 않는 부분에서의 실험 결과는, 상기 에피택셜 성장 조건과 같은 조건으로, 전체 주변에 돌출부가 설치되지 않은 종래 서셉터를 이용하여 에피택셜층의 기상 성장을 실시한 경우와 같은 결과가 되었다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 지니는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (6)

  1. 에피택셜층의 기상 성장을 실시할 때에 반도체 기판을 지지하는 서셉터에 있어서,
    상기 서셉터의 상면에는, 내부에 상기 반도체 기판이 배치되는 스폿 페이싱이 형성되고,
    상기 스폿 페이싱은, 상기 반도체 기판의 외주연부를 지지하는 상단 스폿 페이싱부와, 상기 상단 스폿 페이싱부보다 하단이면서 또한 중심 측에 형성된 하단 스폿 페이싱부를 갖는 2단 구조를 이루고,
    상기 하단 스폿 페이싱부에는, 상기 서셉터의 이면까지 관통하고, 상기 기상 성장을 실시할 때에도 개방 상태가 되는 구멍부가 형성되어 있고,
    상기 서셉터의 이면 측에는, 적어도 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에 돌출부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는,
    서셉터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부의 두께는, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치에서의, 상기 돌출부 이외의 서셉터의 두께의 3배 이하인 것을 특징으로 하는,
    서셉터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌출부에 홈이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는,
    서셉터.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 홈은, 격자 형상인 것을 특징으로 하는,
    서셉터.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 홈의 깊이가, 상기 상단 스폿 페이싱부에 대응하는 위치의 서셉터의 두께의 1/10 이상인 것을 특징으로 하는,
    서셉터.
  6. 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에 있어서,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 한에 기재된 서셉터를 이용하여, 상기 서셉터의 스폿 페이싱에 웨이퍼를 재치하고, 원료 가스를 흘리면서 상기 웨이퍼 상에 에피택셜층의 기상 성장을 실시하는 것을 특징으로 하는,
    에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
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