JP2007180417A - 半導体基板製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CVD炉2内のサセプタ3にシリコンウェハWを載置し、CVD炉2の上下に配置したランプヒータ5U、5Lによりサセプタ3並びにシリコンウェハWを加熱しつつ、シリコンウェハWの表面に材料ガスGを供給して半導体膜を成長させる際、サセプタ3の下部の温度がシリコンウェハWの表面部の温度よりも10度〜100度高くなるようにランプヒータ5U、5Lを制御する。サセプタ3内における熱拡散を利用してサセプタ3表面の温度分布を均一化できるので、サセプタ3上に載置されたシリコンウェハWの温度分布を均一化してその表面に膜厚の均一な半導体膜を形成することができる。
【選択図】図1
Description
しかし一方で集積回路の製造に際しては、歪結晶薄膜は可能な限り厚くすべきである。集積回路製造プロセスは幾つかの洗浄或いは酸化工程など、表面シリコン層をエッチングする工程を含む。歪シリコン層厚みが極端に薄いと、上記工程における製造条件を著しく束縛してしまうため、工程設計の自由度の観点からは厚膜化が望ましい。従って、歪結晶層は臨界膜厚を超えない範囲で、可能な限り厚い膜を均一に製膜することが重要である。
このような単結晶薄膜の成長方法の一つにCVD法が挙げられ、特にウェハ面内或いはウェハ間での均一性に優れるランプ加熱方式による枚葉CVDがよく用いられている。
J. W.Matthews,A.E.Blakeslee Journal of Crystal Growth 27(1974) pp.118-125
2 CVD炉
3 サセプタ
5L ランプヒータ(下側ランプヒータ)
5U ランプヒータ(上側ランプヒータ)
G 材料ガス
W ウェハ(基板)
Claims (3)
- CVD法により半導体膜をシリコンウェハの表面に形成する半導体基板製造方法であって、
CVD炉内のサセプタにシリコンウェハを載置し、当該CVD炉の上下に配置したランプヒータにより当該サセプタ並びに当該シリコンウェハを加熱しつつ、当該シリコンウェハの表面に材料ガスを供給して半導体膜を成長させる際、
当該サセプタの下部の温度が当該シリコンウェハの表面部の温度よりも10度〜100度高くなるように当該ランプヒータを制御するようにした、半導体基板製造方法。 - 前記サセプタは、その構成物質がグラファイト又は炭化珪素又はそれらの組み合わせであり且つその厚さが3mm〜10mmである、請求項1の半導体基板製造方法。
- 前記半導体膜が格子歪を有する半導体膜である、請求項1又は2の半導体基板製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005379460A JP2007180417A (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半導体基板製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007180417A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013536590A (ja) * | 2010-08-27 | 2013-09-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高放射率表面を有するガス分配シャワーヘッド |
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2005
- 2005-12-28 JP JP2005379460A patent/JP2007180417A/ja active Pending
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