KR20120051968A - 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치 - Google Patents
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Abstract
실시예는 서셉터 및 이를 구비한 화학기상 증착 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 서셉터는, 웨이퍼의 가장자리를 지지하는 안착부와, 안착부에 대하여 하방향으로 단차를 가지고, 웨이퍼의 하부와 소정거리 이격되어 배치되는 캐비티와, 안착부의 상면에 배치되며, 웨이퍼를 둘러싸는 가이드부를 포함한다. 이에 의해, 불균일한 온도분포에 의한 웨이퍼의 휨(Bowing)현상을 방지할 수 있다.
Description
실시예는 열확산 가이드를 구비한 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
반도체, 및 질화물 발광소자를 제조하는데 이용되는 유기 금속 화학 기상증착 장치(Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD)는 화학 반응을 이용하여 웨이퍼에 금속 산화막을 형성하는 박막 형성 장치로서, 진공으로 이루어진 챔버(Chamber) 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속의 유기 화합물 증기를 보내어 그 금속의 막을 기판에 성장시키도록 한다.
MOCVD 장비에서 웨이퍼에 박막을 형성할 때, 웨이퍼는 서셉터(Susceptor)에 수용된 상태로 RF 코일에서 생성된 열에 의해 가열된다. RF 코일에서 생성된 열이 서셉터에 수용된 웨이퍼에 가해질 때, 기판의 테두리는 서셉터와 접촉한 상태로 가열되므로 웨이퍼의 테두리가 중심부에 비해 더 가열되어 웨이퍼의 온도 균일도가 틀어지며, 웨이퍼에는 휨(Bowing)이 발생할 수 있다.
웨이퍼에 휨이 발생할 때, 웨이퍼에 성장되는 박막 또한, 균일하게 성장되지 않게 되므로 웨이퍼에 생성되는 질화물 반도체의 품질이 저하될 수 있다.
더욱이, 웨이퍼의 직경이 커질수록 웨이퍼의 중심부와 테두리의 온도차에 따른 휨 현상이 가속화되며, 6인치급 이상의 대구경 웨이퍼에서 휨 현상이 더욱 두드러지고 있다.
이에, 대구경 웨이퍼에서 휨 현상을 최소화하는 서셉터가 요구되고 있으며, 휨 현상을 최소화하는 서셉터 구조와 그 치수가 중요 이슈로 대두되고 있다.
실시예는 대구경 웨이퍼(Wafer)의 휨 현상을 최소화시키기 위한 가이드(Guide)부를 구비한 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 서셉터는, 기판의 가장자리를 지지하는 안착부와 안착부에 대하여 하방향으로 단차를 가지고, 기판의 하부와 소정거리 이격되어 배치되는 캐비티를 포함하여, 기판을 수용하는 적어도 하나의 포켓부와, 안착부의 상면에 배치되며, 기판을 둘러싸는 가이드부를 포함한다.
실시예에 따르면, 모서리 효과(Edge effect)에 의한 웨이퍼의 국지적인 부분의 온도상승 혹은 감소를 방지할 수 있다.
또한, 불균일한 온도분포에 의한 웨이퍼의 휨(Bowing)현상을 방지할 수 있다.
웨이퍼의 휘어짐을 예상하여 공정상의 난점을 갖는 곡면을 포함하는 서셉터 대신 포켓 캐비티의 바닥면을 평평한 면으로 만들 수 있어, 가공상의 공차를 최소화시키고 공정변화를 최소화 시킬 수 있다.
웨이퍼가 휘어짐에 따라 웨이퍼와 서셉터가 접촉되는 현상을 방지하여, 웨이퍼에 결함이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 가이드부를 구비한 서셉터의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 가이드부를 구비한 서셉터의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 서셉터를 구비한 화학기상 증착장치의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 가이드부를 구비한 서셉터의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 서셉터를 구비한 화학기상 증착장치의 단면도이다.
실시예에 대한 설명에서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴이나 타 구조물의 "위(on)"에, "아래(under)"에, 상측(upper)에, 또는 하측(lower)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)", "아래(under)", 상측(upper), 및 하측(lower)은 "직접(directly)" 또는 "다른 층, 또는 구조물을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장, 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하에서는, 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 3을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
도 1은, 실시예에 따른 가이드부를 구비하는 서셉터를 도시한다. 실시예에 따른 서셉터(100)는, 기판(130)의 양 가장자리를 지지하는 안착부(110), 안착부(110)에 대하여 하방향으로 단차를 가지고, 기판(130)의 하부와 소정거리 이격되어 배치되는 캐비티(120), 안착부(110)의 상면에 배치되며, 기판(130)을 둘러싸는 가이드부(140), 기판(130) 및 가이드부(140)의 이탈을 방지하는 격벽(150)을 포함할 수 있다. 포켓부(160)는 격벽(150) 사이의 오목한 부분에 기판(130)을 수용하며, 안착부(110)와 캐비티(120)를 포함할 수 있다.
서셉터(100)는 증착 대상물인 기판(130)이 올려지고, 챔버 내부에 회전가능하게 배치되어, 히터에서 제공되는 열을 기판(130)쪽으로 전달하는 기판 지지 구조물이다. 본 발명에 따른 서셉터(100)는 하나의 기판(130)을 수용하도록 하나의 포켓부(160)가 구비되는 경우뿐만 아니라 둘 이상의 기판(130)을 수용할 수 있도록 둘 이상의 포켓부(160)가 구비되는 경우를 모두 포함한다.
안착부(110)는, 성장시킬 기판(130)의 양 가장자리를 지지할 수 있다. 구체적으로 기판(130)의 외측 테두리를 따라서 일정 부분만이 안착부(110)에 놓여져 배치되게 되며, 그 이외의 부분은 캐비티(120)에 의해 이격된 상태로 위치하게 된다.
안착부(110)와 기판(130)이 접촉됨에 따라, 안착부(110)가 RF 코일(미도시)에 의해 가열되면 그 열을 기판(130)으로 전달하여 기판(130)의 측면 영역의 온도를 상승시킬 수 있다. 격벽(150)은 기판(130)과 이격되어 열을 전달하지 않도록 하며, 기판(130)의 가장자리를 직접 지지하는 안착부(110)의 폭은 1.1㎜ ? 1.5㎜으로 형성되도록 함으로써 기판(130)과 최소한만 접촉하도록 할 수 있다.
포켓부(160)의 지름을 넓힘으로써, 안착부(110)의 면적을 넓힐 수 있다. 따라서 기판(130)을 지지하는 안착부(110)의 상부면에, 기판(130)과 격벽(150)사이에 위치하는 가이드부(140)를 배치할 수 있다. 안착부(110)의 일부분은 기판(130)을, 일부분은 가이드부(140)를 지지할 수 있다.
캐비티(120)는, 포켓부(160)내부의 양측면에 형성된 안착부(110)의 사이에 위치할 수 있으며, 안착부(110)에 대하여 하방향으로 단차를 가지고, 기판(130)의 하부와 소정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 기판(130)의 양 가장자리가 안착부(110)에 의해 지지됨에 따라, 기판(130)의 바닥면에 대응하는 캐비티(120)의 평탄면을 구비할 수 있다. 평탄면과 기판(130)은 소정거리 이격되어 배치될 수 있다.
캐비티(120)는, 평탄면으로 구비될 경우 포켓부의 바닥면을 가공해야 하는 어려움을 줄일 수 있다. 따라서 가공 공차의 차이로 인한 공정상의 문제를 방지할 수 있다.
실시예와 같은 평평한 바닥면을 구비하는 캐비티(120) 대신에, 기존에 곡면을 갖는 만곡부를 형성하는 이유는, 기판(130)위로의 박막증착과정에서 기판(130)의 휨 현상이 발생하더라도 기판(130)의 중심부 부분으로부터 가장자리까지 골고루 열이 전달될 수 있어 온도의 균일도를 향상시킬 수 있고, 이는 박막의 균일도 향상으로 이어지며, 기판(130)에 휨현상이 발생하더라도 포켓부(160)의 바닥면과 접촉으로 인한 결함발생을 막을 수 있다는 것에 있다. 그러나, 최적의 포켓부(160) 디자인을 얻기 위해서는 실제 각기 다른 포켓부(160)별로 공정을 진행하여야 한다.
실시예에 따른 서셉터(100)는, 기존의 곡률을 갖는 바닥면을 구비하는 만곡부를 형성하는 공정을 삭제하고, 평탄한 바닥면을 갖는 캐비티(120)를 구비함으로써 공정상의 어려움을 해소할 수 있고, 이는 기판(130)에 열이 균일하게 전달되어 휨현상의 발생을 방지함으로써 실현 가능해진 것이다.
기판(130)에 박막을 증착하는 과정에서 열을 가할 때, 모서리 효과(Edge effect)가 발생한다. 기판(130)이 가열되면 온도 상승시 모서리 부분의 온도가 먼저 증가되고, 온도 하강시 모서리 부분의 온도가 먼저 감소되는 현상이 나타나는 데 이를 모서리 효과(Edge effect)라 한다. 이러한 모서리 효과(Edge effect)와 안착부(110)로부터의 열전달에 의해 기판(130)의 가장자리부분의 온도가 더 높아지게 되어, 기판(130)상의 온도분포가 불균일하게 될 수 있다.
이를 방지하기 위해 실시예에 따른 서셉터(100)는, 기판(130)의 가장자리 부분에 기판(130)의 원주를 따라 링 형상으로 기판(130)을 둘러싸는 가이드부(140)를 구비할 수 있다.
가이드부(140)는, 그라파이트(Graphite), SiC, 사파이어 또는 Si 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 가이드부(140)의 형상은 링 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 약간의 단차를 가지는 등 다양한 형상으로 기판(130)의 외부를 따라 배치될 수 있다.
가이드부(140)는 기판(130)과 소정의 간격을 가지고 기판(130)의 원주둘레를 따라 배치된다. 소정의 간격은 가이드부(140)와 기판(130)이 동시에 열팽창할 경우를 고려하여 설계될 수 있다. 따라서, 가이드부(140)와 기판(130)을 구성하는 물질의 열팽창계수와 기판(130)위의 박막을 증착시킬 때의 성장온도, 가이드부(140)와 기판(130)을 구성하는 물질의 겉면의 격자구성이 a-plane인지 c-plane인지 여부, 기판(130)의 지름, 가이드부(140)와 기판(130)을 구성하는 물질의 격자상수 등에 의해 영향을 받아 설계될 수 있다.
구체적으로, 가이드부(140)와 기판(130)의 간격(d)은 기판(130)과 가이드부(140)의 열팽창계수가 클수록, 기판(130)위에 증착되는 박막의 성장온도가 클수록 넓어질 수 있다. 또한, 기판(130)의 지름에 따라, 기판(130)을 구성하는 셀의 개수가 증가하여, 열팽창정도가 달라지게 되어, 간격이 넓어질 수 있다. 즉, 간격(d)은, 상기 기판 및 상기 가이드부의 열팽창계수와 상기 기판의 지름에 비례할 수 있다.
구체적으로, 열팽창에 의해 늘어난 총 길이의 변화는 물질의 총길이, 열팽창계수 및 온도변화량의 곱으로 계산할 수 있다. 단측을 기준으로 기판(130) 및 가이드부(140) 각각의 열팽창을 고려하여 간격을 계산할 수 있다. 따라서, 일예로 6인치 기판의 경우, 최대온도를 1373K로 계산하였을때 61.6㎛의 간격을 구할 수 있다. 이는 기판(130)의 다양한 크기나, 박막 증착시의 성장온도, 온도에 따른 열팽창계수의 변화에 따라 결정될 수 있다.
참고로, 기판(130) 중 사파이어(Al2O3)기판의 경우, 온도에 따라 가변하는 열팽창계수는 1100℃~1200℃정도의 온도에서 9E-06/℃ 정도가 되며, a-plane 방향으로의 열팽창계수는 7.5E-6/K이고, c-plane 방향으로의 열팽창계수는 8.5E-06/K 이다. 또한, 격자상수는 a-plane 방향으로 2.744Å이며, c-plane 방향으로 12.99Å이다.
기판(130)과 가이드부(140) 사이의 간격은 이후, 박막증착 공정시의 성장온도중에 가장 높은 온도일때의 경우로 가정을 하고 계산할 수 있다. 온도가 높아짐에 따라 열팽창의 정도가 증가하여, 가이드부(140)와 기판(130)과의 간격이 더 필요한 경우가 생길 수 있음을 방지하기 위함이다.
따라서, 최대온도를 약 1373K 정도로 설정하였을때를 기준으로 간격을 설정할 수 있다. 또한, 기판(130)과 가이드부(140)간의 간격(d)는, 기판(130)의 로딩 혹은 업로딩 등의 핸들링 작업의 용이성을 감안하여 공정상의 영향이 없는 범위 내에서 1~2mm 까지도 변화할 수 있다.
가이드부(140)가 기판(130)과 일정 간격을 가지고 고정되어 있도록 하기위하여, 가이드부(140)가 배치되는 안착부(110)상면에 홈을 파서 접합시킬 수도 있다. 이러한 경우, 안착부(110)는 그 상부면에 가이드부(140)의 단면 너비에 해당하는 너비를 갖는 홈을 추가로 구비할 수 있다.
일예로, 가이드부(140)의 너비를 5mm내외로 설계한다고 할 경우, 안착부(110)의 상부면에 기판(130)과 일정 간격을 갖고 5mm 내외의 너비를 갖는 홈을 안착부(110)의 상부면에 기판의 둘레를 따라 형성할 수 있다. 뿐만 아니라, 고정의 역할을 할 수 있는 어떠한 구조물이나, 간헐적으로 배치되는 홈도 포함할 수 있다.
가이드부(140)가 배치됨에 따라, 기존의 기판(130)의 모서리 혹은 가장자리에 집중되었던 열을 가이드부(140) 전달하여, 기판(130)상의 온도를 기판(130)전반에 균일하게 형성시킬 수 있고, 이에 따라, 기판(130)의 휘어짐(Bowing)을 방지할 수 있다. 기판(130)의 휘어짐을 방지할 수 있음에 따라서, 서셉터(100)의 포켓부(160) 내부의 캐비티(120)의 바닥면을 평평하게 구현할 수 있다. 평탄한 캐비티(120)의 바닥면을 구현함에 따라, 곡률을 계산하여 곡면을 구현해야 하는 공정상의 문제를 해결할 수 있다.
또한, 온도 분포를 균일하게 할 수 있어, 기판(130)상에서 성장되는 물질의 농도를 변화시킴으로써 발광 소자의 성장시 에피택셜층의 파장 불균일도를 높이는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 가이드부(140)의 상부면과 기판(130)의 상부면은 수평으로 배치될 수 있다. 따라서 가이드부(140)와 기판(130)의 두께는 동일할 수 있다. 다만, 안착부(110) 상부면에 가이드부(140)의 고정을 위해 홈을 구비하였다면, 가이드부(140)의 두께가 더 클 수 있다.
격벽(150)은, 서셉터(100)의 포켓부(160)내부의 안착부(110)에 의해 지지되는 기판(130) 및, 안착부(110) 상부면에 배치되는 가이드부(140)가 안착부(110)에서 이탈되지 않도록하며, 기판(130)이 안착부(110)에 수납될 때, 기판(130)과 동일하거나 더 높게 형성될 수 있다. 기판(130)보다 더 높게 형성됨이 바람직하다. 예컨대 격벽(150)은 안착부(110)의 상부면에서 상측으로 1.8㎜ ? 2㎜ 정도의 높이로 형성될 수 있다.
포켓부(160)는, 서셉터(100)에 구비되며, 챔버내에 회전가능하게 배치되어 증착대상물인 기판(130)을 올려놓는 곳으로, 기판(130)과 마찬가지로 원반형태로 구비될 수 있다. 포켓부(160)의 내경은 증착하고자 하는 기판(130)의 크기보다 크게 형성되어야 한다. 포켓부(160)의 직경은 실시예에 따라 가이드부(140)를 추가로 안착부(110)의 상부면에 배치함에 따라서, 기존 서셉터에 구비되었던 포켓부보다 더 넓은 직경을 가질 수 있다.
구체적으로 실시예에 따르면, 포켓부(160)의 직경은 가이드부(140)와 기판(130)과의 간격 및 가이드부(140)의 너비만큼 증가할 수 있다.
또한 기판(130)의 크기에 따라서 포켓부(160)의 직경은 가변할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 평면도이다.
서셉터(100)는 기판(130), 안착부(110), 가이드부(140) 및 격벽(150)이 각각 동일한 간격으로 기판(130)의 원주를 따라 배치될 수 있다.
기판(130)과 가이드부(140)의 간격(d)는 일정할 수 있다. 이외의 설명은 도 1과 동일하므로 생략한다.
도 3은, 실시예에 따른 서셉터를 구비한 화학 기상 증착 장치의 단면을 도시한 단면도이다.
화학 기상 증착 장치(300)는 실시예에 따른 서셉터(100), 반응챔버(320), 가스공급부(310)를 포함할 수 있다.
반응챔버(320)는 가스공급부(310)를 통해 내부로 유입된 반응가스와 증착 대상물인 기판(130)간의 화학적 기상 반응이 이루어져 에피택셜층이 기판(130)의 상부면에 증착 및 성장되도록 소정 크기의 내부 공간을 제공하는 수직 원통형 구조물이다.
반응챔버(320)는 내마모성 및 내부식성이 우수한 메탈 재질로 이루어지며, 내부면에는 고온 분위기를 견딜 수 있도록 단열재가 구비될 수도 있다.
또한, 적어도 하나의 기판(130)이 장착되는 서셉터(100) 및 가열수단을 내부에 구비하며, 기판(130)과의 화학적 기상 반응이 종료된 폐가스를 외부로 배출하기 위한 배기구(미도시)를 구비할 수 있다.
도시한 바와 같이 가스공급부(310)는 반응챔버(320)의 상부측에 구비되어 하부측에서 회전하는 서셉터(100)위로 반응가스를 수직 분사하는 샤워헤드 형 구조로 구비될 수 있다.
서셉터(100)는 한번의 증착 사이클(Cycle)에서 여러장의 기판상에 동시에 증착을 실행하는 것이 가능하도록 포켓부(160)를 상부면에 복수개를 구비할 수 있다.
상기 기판(130)과 포켓부(160) 및 포켓부(160)를 상부면에 구비하는 서셉터(100)는 도 1 내지 도 2에서 도시하는 실시예와 실질적으로 동일하며, 구체적인 구조 및 기능에 대한 설명은 생략한다.
가열수단(미도시)은 기판(130)이 탑재되는 서셉터(100)의 하부측 근방에 배치되어 기판(130)을 가열하기 위한 열을 서셉터(100)에 제공한다.
반응챔버(320)는 서셉터(100)의 외부면이나 가열수단(미도시)에 근접하도록 배치되어 반응챔버(320)의 내부 분위기 온도를 수시로 측정하고, 측정값을 근거로 하여 가열 온도를 조절할 수 있는 온도 센서(미도시)를 추가로 구비할 수 있다.
도 1 내지 도 2 에 따른 서셉터(100)를 화학 기상 증착 장치(300)에 채용하여 기판(130)의 표면에 질화갈륨(Gallium:GaN), 질화알루미늄(AIN), 질화인듐(InN) 또는 이러한 혼정의 에피텍셜층을 성장시켜 증착하고자 하는 경우, 먼저 증착 작업대상물인 기판(130)을 포켓부(160)에 올려 배치한다.
서셉터(100) 하부의 회전체는 미도시된 구동 모터의 회전 구동력에 의해서 일방향으로 회전 구동되고, 회전체가 배치되는 반응챔버(320)의 내부공간에는 트리메탈갈륨(TMGa), 트리에틸갈륨(TEGa), 트리메틸인듐(TMIn) 및 트리메틸알루미늄(TMAl)와 같은 3족 가스인 소스가스와 더불어 암모니아와 같은 캐리어 가스를 공급한다.
그리고 가열수단을 사용하여 높은 온도의 열을 제공하면, 회전체와 함께 일방향으로 회전하는 증착대상물인 기판(130)의 표면에는 캐리어 가스와 소스 가스가 혼합된 반응가스가 고르게 접촉하여 질화물이 성장된 박막이 균일하게 형성되고 미반응된 잔류 가스나 분산물은 반응챔버(320)의 벽면을 타고 하부로 배출될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 서셉터 130 : 기판
110 : 안착부 150 : 격벽
120 : 캐비티 140 : 가이드부
160 : 포켓부
110 : 안착부 150 : 격벽
120 : 캐비티 140 : 가이드부
160 : 포켓부
Claims (11)
- 기판의 가장자리를 지지하는 안착부와 상기 안착부에 대하여 하방향으로단차를 가지고, 상기 기판의 하부와 소정거리 이격되어 배치되는 캐비티를 포함하여, 상기 기판을 수용하는 적어도 하나의 포켓부;및
상기 안착부의 상면에 배치되며, 상기 기판을 둘러싸는 가이드부;를 포함하는 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 가이드부는, 그라파이트(Graphite), SiC, 사파이어 또는 Si 중 적어도 하나로 이루어진 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 캐비티는, 상기 기판의 바닥면에 대응하는 평탄면을 구비하는 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 가이드부는, 링 형상을 갖는 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 가이드부는, 상기 기판과 소정의 간격을 갖고 배치되는 서셉터. - 제 5항에 있어서,
상기 간격은, 상기 기판 및 상기 가이드부의 열팽창계수와 상기 기판의 지름에 비례하는 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 기판 및 상기 가이드부의 이탈을 방지하는 격벽을 구비하며,
상기 격벽은, 상기 기판 및 상기 가이드부의 장착 높이보다 높은 서셉터. - 제 7항에 있어서,
상기 가이드부는, 상기 격벽과 상기 기판사이에 배치되는 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 가이드부의 상부면은 상기 기판의 상부면과 수평인 서셉터. - 제 1항에 있어서,
상기 안착부는,
상부면의 일부에 홈이 형성된 서셉터. - 반응가스를 공급하는 반응챔버와, 상기 반응가스를 공급받아 상부면에 에피택셜층이 증착되는 기판과, 상기 기판이 안착되는 서셉터를 포함하는 화학 기상 증착 장치에 있어서,
상기 서셉터는 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 기재된 서셉터인 화학 기상 증착 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100113365A KR20120051968A (ko) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100113365A KR20120051968A (ko) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120051968A true KR20120051968A (ko) | 2012-05-23 |
Family
ID=46268827
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| KR1020100113365A KR20120051968A (ko) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120051968A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206400A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有改进的热特性的晶圆基座 |
-
2010
- 2010-11-15 KR KR1020100113365A patent/KR20120051968A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206400A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有改进的热特性的晶圆基座 |
| US9517539B2 (en) | 2014-08-28 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
| US10435811B2 (en) | 2014-08-28 | 2019-10-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
| US11773506B2 (en) | 2014-08-28 | 2023-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
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