JP2005203648A - シリコンウエーハの熱処理用縦型ボート及び熱処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】シリコンウエーハにスリップが発生するのを効果的に防止することができる熱処理用縦型ボート及び熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷを熱処理する際に、該ウェーハの裏面の周辺部を支持する熱処理用縦型ボートであって、天板２と、底板３と、前記天板と底板との間に固定された支柱４とを有し、該支柱に支持部５が形成されており、該支持部にシリコン製の板状の支持体７が配置されており、該支持体が前記ウェーハの裏面の周辺部と接して該ウェーハを支持するものであることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理用縦型ボート１。
【選択図】図１

Description

本発明は、スリップ転位を効果的に防ぐことができるシリコンウエーハの熱処理用縦型ボート及び熱処理方法に関する。

シリコンウェーハ製造工程や、半導体集積回路などの半導体デバイス製造工程において、ウェーハの熱処理が行われる場合がある。例えば、シリコンウエーハのｐ型やｎ型の導電型領域を形成するための不純物拡散、表面を保護する酸化膜の形成等においては、炉心管を水平に配置した横型の熱処理炉が使用されている。
このような横型熱処理炉の場合、シリコンウェーハは、石英ガラス製やＳｉＣ製のウェーハボートに立てかける形で横方向に多数並べて配置され、ボートごと熱処理炉へ搬入、搬出されている。

しかし、近年、シリコンウェーハの大口径化や半導体デバイスの高集積化に伴い、熱処理炉内部のパーティクルの減少、クリーンルームの床面積の減少などを図るため、縦型熱処理炉への移行が進められている。
縦型熱処理炉は、炉心管が鉛直方向に配置されており、そのため、ウェーハボートはシリコンウェーハを上下方向に複数枚載置することができる縦型の構造となっている。

図８は縦型熱処理炉の一例の概略を示し、図４は一般的な縦型ボートの概略を示している。
図４（Ａ）に示されているように、ボート１０は天板１６と底板１７との間に４本の支柱（ロッド）１４が固定されている。なお、ボート１０の材質は、シリコンウエーハ用であれば、一般的に石英ガラス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン等が用いられる。

各支柱１４には上下方向に等間隔で複数の溝１１が設けられており、これらの溝１１の間に形成された突部がウェーハＷを支持する支持部１２として機能する。シリコンウェーハＷは支柱１４の間からボート１０に出し入れすることができ、図４（Ｂ）に示されるように、ウェーハＷの裏面の周辺部がボート１０の各支柱１４の支持部１２により４点で支持されることになる。

支持部の形状は種々のものがあり、図５（Ａ）に示されるように円柱形状の支柱１４に半円形の支持部１２を形成したもののほか、図５（Ｂ）に示されるように角柱形状の支柱１５に長方形の支持部１３を形成したものなどがあり、この場合、図６に示したように、支持部１２，１３によりウェーハＷの外周端部から中心に向けて安定して支持することができる。

熱処理の際には、ボート１０に支持されたウエーハＷが熱処理炉２０の反応室２２の周囲に設けられたヒータ２４によって加熱されることになる。熱処理中は、反応室２２にはガス導入管２６を介してガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管２８から外部に排出される。使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ_２、Ｎ_２、Ｏ_２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。

このように縦型ボートを用いてシリコンウエーハの熱処理を行う場合、シリコンウェーハもボートもそれぞれの熱膨張係数に応じて熱膨張するが、ＳｉＣ等のシリコン以外を材質としたウェーハボートとシリコンウェーハとでは熱膨張係数が異なるため、熱膨張の際にウェーハと支持部との間に熱膨張差による摩擦が生じ、また、熱膨張によるウェーハの変形等に伴う応力のため、スリップとよばれる転位列からなる欠陥が発生することがある。
近年のシリコンウェーハＷの大口径化に伴い、支持箇所に応力が集中してスリップが発生し易くなっており、例えば３００ｍｍの直径を有するシリコンウエーハを１０００℃以上で熱処理すると、シリコンウェーハが自重により凹状に変形し、支持部との接触面積が小さくなり、スリップが特に発生し易くなる。

上記のような熱処理時の変形（熱変形）を防ぐため、図７に示すように円板状のサセプタ１８が用いられる場合がある。このようなサセプタ１８は、シリコンウエーハＷへの汚染が少なく、かつ高温でも変形し難いものとするため、一般的にＳｉＣから形成した円板状のものが使用される。このような円板状のサセプタ１８を支持部１３上に架け渡し、その上にシリコンウェーハＷを乗せる。これによりウェーハＷの下面全体が支持されるため、ウェーハＷの熱変形が抑制されることになる。なお、サセプタ１８は、円板状のもののほか、ウェーハＷの周辺部のみを支持するリング状のものもある。
このようなＳｉＣ製のサセプタ１８を用いてシリコンウエーハＷの熱処理を行えば、ウェーハＷの応力集中や熱変形を緩和することができるが、サセプタ（ＳｉＣ）とウエーハ（Ｓｉ）との熱膨張差により摩擦が生じ、また、サセプタの硬度が高く、表面粗さも大きいため、スリップやキズが生じるおそれがある。さらに、ＳｉＣ製であるため、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の重金属汚染を引き起こすおそれがある。

なお、ボート全体をシリコン製のものとすれば熱処理の際、ボートもシリコンウェーハと一緒に同じ熱膨張率で膨張するので、熱膨張率の差によるスリップの発生を防ぐことができるが、このようなシリコン製のボートは非常に高価であり、また、特に１２００℃以上の高温熱処理の場合にボート自体が変形してしまうおそれがある。

一方、支持部上にＳｉＣ等で形成した円筒状、球状等の回転可能な移動体（コロ）を配置し、コロを介してウェーハを支持することが提案されている（特許文献１参照）。
例えば円筒状のコロを支持部上に配置し、コロを介してウェーハを支持する。コロはウェーハの膨張に追従して移動するので、ウェーハとコロとの間に摩擦が生じず、熱膨張によるウェーハの変形があってもスリップが発生し難いとされている。

しかし、このような円筒状や球状の移動体は、ボートの支持部上で容易に動いて安定しないため、ウェーハを載置する際にコロが落下し易いなど取り扱い性に問題があるほか、ウェーハを一定の位置で保持することが難しいという問題がある。
また、ウェーハと円筒状のコロとでは線接触に、球状のコロとでは点接触になるので、接触部分に応力が集中してキズがつき易く、一旦キズがつくと、そこからスリップ転位が成長しやすいという問題点がある。

特開平９−１２９５６７号公報

本発明は上記のような問題に鑑みてなされたものであり、シリコンウエーハにスリップが発生するのを効果的に防止することができる熱処理用縦型ボート及び熱処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明によれば、シリコンウェーハを熱処理する際に、該ウェーハの裏面の周辺部を支持する熱処理用縦型ボートであって、天板と、底板と、前記天板と底板との間に固定された支柱とを有し、該支柱に支持部が形成されており、該支持部にシリコン製の板状の支持体が配置されており、該支持体が前記ウェーハの裏面の周辺部と接して該ウェーハを支持するものであることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理用縦型ボートが提供される（請求項１）。

このようにボートの支持部にシリコン製の板状の支持体が配置されており、支持体がシリコンウェーハの裏面の周辺部と接してウェーハを支持する縦型ボートとすれば、支持体とウェーハとが共にシリコンであり、熱膨張率が同じであるので、熱処理の際に支持体がウェーハの膨張に追従し、摩擦が生じるのを防ぐことができる。また、支持体が板状であるので安定しており、支持面が平坦であるので、ウェーハとの接触は面接触となり応力の集中が緩和される。さらに、支持体のシリコンは窒化シリコン等に比べて軟質であり、重金属汚染も少ない。
従って、このようなボートを用いてシリコンウエーハの熱処理を行えば、スリップが発生するのを極めて効果的に防ぐことができる。
また、このようなボートでは、支持体のみシリコン製とすれば良いので安価なものとなり、支持体が汚染された場合には容易に交換することができる。

この場合、熱処理用縦型ボートが、少なくとも２本の支柱を有し、各支柱の支持部ごとに支持体が配置されているものであることが好ましい（請求項２）。
このように複数の支柱を有するボートであれば製造が容易であるし、支持部ごとに支持体が配置されているので、高温熱処理の場合でも支持体は変形せずにウェーハを安定して支持することができる。また、支持部ごとに支持体を交換できるので、維持コストも低く抑えることができる。

また、ボートの少なくとも支柱が、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または酸化アルミニウムからなるものであることが好ましい（請求項３）。
少なくとも支柱がこれらの材質から構成されていれば、耐熱性に優れるので高温熱処理でも変形せず、また、シリコンウエーハに対する汚染も極力抑えることができる。

また、前記支持体が、熱処理されるべきウェーハの外周端部よりも内側の周辺部を支持するように前記支持部に配置されているものであることが好ましい（請求項４）。
シリコンウェーハの外周端部は酸素が析出し難くキズがつき易い傾向があるが、上記のように支持体がウェーハの外周端部よりも内側を支持するように配置されているものとすれば、ウェーハ外周端部にキズが発生することを確実に防ぐことができる。

前記ボートの支持部に凹状の嵌め込み部が形成されており、該嵌め込み部に前記支持体が配置されていて、該支持体の上面が前記支持部の上面より高くなっているものであることが好ましい（請求項５）。
このように、支持体が、支持部に形成した嵌め込み部に配置されていれば、支持体がより安定してウェーハの出し入れが容易となるし、従来のボートと同様のピッチ幅のボートとすることができるので、一度に多数のウェーハを熱処理することができるものとなる。

この場合、支持部の嵌め込み部と、該嵌め込み部に配置された支持体との間に間隙が設けられていることが好ましい（請求項６）。
このように嵌め込み部と支持体との間に間隙が設けられていれば、支持体が動けるのでウェーハの熱膨張に追従し易く、また支持体や支持部の破損を防止することができる。

また、支持体の上面における表面粗さを、０．１μｍ以下としても良い（請求項７）。
支持体の上面の表面粗さが０．１μｍ以下であれば、摩擦が小さく、ウェーハの接触面にキズがつくのをより確実に防ぐことができる。

支持体の上面に溝パターンが形成されているものとしても良い（請求項８）。
ウェーハと支持体がともにシリコンからつくられているので、特にウェーハの裏面が研磨されている場合に高温熱処理を行うと接触面が接着するおそれがある。そこで、支持体の上面に溝パターンを形成しておけば、ウェーハと支持体との接着を効果的に防ぐことができる。

支持体の金属不純物濃度が、１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい（請求項９）。
支持体中の金属不純物濃度が上記のように低ければ、高温熱処理の際に支持体とウェーハとの接触により生ずる金属不純物の固相拡散を確実に抑えることができ、ウェーハを汚染することもない。特に、シリコン製の支持体は、上記のような高純度のものを容易に得ることができる利点がある。

また、支持体が、ゲッタリング処理されたものであることが好ましい（請求項１０）。
支持体がゲッタリング処理されたものであれば、特に表層の金属不純物濃度が低くなり、ウェーハの汚染をより確実に防ぐことができる。

さらに本発明によれば、シリコンウエーハを熱処理する方法であって、前記熱処理用縦型ボートを用い、シリコンウエーハの裏面の周辺部が前記ボートの支持部に配置された支持体と接するようにして該ウェーハを支持して熱処理を行うことを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法が提供される（請求項１１）。
このように本発明に係る熱処理用縦型ボートを用い、支持体でシリコンウエーハを支持して熱処理を行えば、ウェーハを安定して支持することができ、また、スリップが発生するのを確実に防ぐことができる。

また、本発明では、シリコンウエーハを熱処理する方法であって、支柱に支持部が形成されており、該支持部にシリコン製の板状の支持体を配置した熱処理用縦型ボートを用い、前記ウェーハの裏面の周辺部を、外周端部よりも内側で前記支持体により支持して熱処理を行うことを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法が提供される（請求項１２）。
このようにシリコンウェーハの裏面の周辺部を、外周端部よりも内側でシリコン製の板状の支持体により支持して熱処理を行えば、ウェーハにキズやスリップが発生することをより確実に防ぐことができる。

本発明に係る熱処理用縦型ボートを用いれば、ボートの支持部に配置されたシリコン製の板状の支持体によりシリコンウェーハの裏面の周辺部を安定して支持することができる。また、ウェーハと支持体がともにシリコンから作られているので、熱膨張率の差による摩擦が抑制され、また、面接触により応力集中が緩和されるので、スリップの発生を効果的に防止することができる。そしてこのようなボートを用いて熱処理されたシリコンウェーハであれば、スリップ転位の発生がなく、高集積半導体デバイスの材料として好適なものとなる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明によるシリコンウエーハの熱処理用縦型ボートについてさらに詳しく説明する。
図１は本発明に係る熱処理用縦型ボートの一例の概略を示している。このボート１は、天板２と底板３との間に４本の支柱４が固定されている。これらの天板２、底板３、及び支柱４の材質は特に限定されるものではないが、１２００℃以上の高温熱処理にも耐えられるように耐熱性に優れたものが好ましい。特に支柱４は全てのウェーハＷと近接することになるので、耐熱性に優れるほか、シリコンウェーハを汚染しないものとすることが好ましく、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または酸化アルミニウム、特に炭化ケイ素が好ましい。

各支柱４には、上下方向に等間隔でウェーハＷの周辺部を挿入するための複数の溝（挿入溝）６が設けられており、これら挿入溝６の間にウェーハＷの周辺部を支持する支持部５が等間隔で形成されている。そして、支持部５ごとにシリコン製の板状の支持体７が配置されている。
図２は支持部５を拡大して示している。図２に見られるように、ボート１の各支持部５には凹状の嵌め込み部（切り欠き部）８が形成され、嵌め込み部８内に上下の面が平坦な板状の支持体７が配置されている。本発明に係るボートではこのような嵌め込み部８を設けることは必須ではないが、嵌め込み部内に支持体７を配置すれば支持体７がより安定し、ウエーハを搬入あるいは搬出する際に、支持体７が落下することを防止することができる。

嵌め込み部８の深さは支持体７の厚さより小さいため、嵌め込み部８内の支持体７はその上面７ａが支持部５の上面５ａよりも高くなる。従って、支持体７のみがウェーハＷの裏面と接して支持することができる。
なお、支持体７が高すぎると、直上の支持部５との間が狭くなり、ウェーハＷを移載し難くなるおそれがあるので、例えば支持体上面７ａが、支持部上面５ａよりも０．３〜２ｍｍ程度高くなるように設定すればよい。

支持体７や嵌め込み部８の位置は、熱処理するウェーハＷの大きさ等を考慮して適宜決めれば良いが、シリコンウエーハの外周端部は酸素が析出し難く、支持体７と接触するとキズが発生しやすい。従って、嵌め込み部８は、図１に示したように支持体７がウェーハＷの外周端部よりも内側の周辺部を支持するように形成することが好ましい。このようにして支持体７がウェーハ外周端部と接触せずに配置されるようにすれば、ウェーハ外周端部に接触キズが発生することを確実に防ぐことができる。例えば、支持体７がウェーハＷの外周端部よりも０．５ｍｍ以上、より好ましくは１ｍｍ以上内側の周辺領域と接して支持するようにすれば良い。

また、図２に見られるように、支持部５の嵌め込み部８と、嵌め込み部８に配置された支持体７との間に間隙９ａ，９ｂが設けられていることが好ましい。
嵌め込み部８と支持体７との間に間隙９ａ，９ｂが設けられていれば、支持部５と支持体７との熱膨張率が大きく異なっても、熱処理中、支持体７が嵌め込み部８内でウェーハＷの半径方向（水平方向）に移動することができるので、ウェーハＷの熱膨張に追従し易くなる。また、支持体７の膨張を確実に吸収することができ、支持体７や支持部５の破損を防ぐことができる。
支持体７と嵌め込み部８との間隙９ａ，９ｂは、支持部５（支柱４）の膨張率等を考慮して適宜設定すれば良いが、間隙９ａ，９ｂが大きいと支持体７が嵌め込み部８から外れるおそれがある。従って、嵌め込み部８を支持体７の外形寸法より大きくなるように形成し、間隙９ａ，９ｂが例えばそれぞれ０．１〜１ｍｍ程度となるようにすれば良い。

なお、支持体７や嵌め込み部８の寸法、位置、形状等は、支持体７がウェーハの裏面の周辺部を支持することができれば、図２や上記の例に限定されず、支持体７の厚みを薄いものとし、支持部５に嵌め込み部８を形成せずに支持部の上面に板状の支持体を配置したものとしても良い。

また、支持体７の上面７ａの表面粗さは、ウェーハＷの裏面の粗さ等を考慮して適宜調整すれば良いが、支持体７の上面７ａの表面粗さが大きいほどウエーハ裏面にキズが発生し易くなる。
従って、例えば研磨等により支持体上面７ａの表面粗さＲａを０．１μｍ以下とすれば、支持体７の上面７ａに急峻な凹凸がなく、ウェーハＷと支持体７とが確実に面接触となるので、応力が分散され、ウェーハＷの接触面におけるキズやスリップ転位の発生を効果的に防止することができる。この場合、支持体７がシリコン製であるので、その表面粗さは容易に高度に制御することができる。

なお、ウェーハの裏面が研磨されていなければ、支持体７とウェーハは接着し難いが、例えば両面研磨されているウェーハＷを１２００℃以上の高温熱処理をする際、支持体上面７ａの表面粗さが小さいと、支持体上面７ａとウェーハＷの裏面とが接着するおそれがある。従って、支持体上面７ａの表面粗さは、０．０１〜０．１μｍの範囲とすることが好ましい。
また、支持体７の下面の表面粗さも上面７ａと同様に小さくすれば、嵌め込み部８との接触抵抗が小さくなるため、支持体７は、ウェーハＷの半径方向（水平方向）への移動が滑らかになり、熱処理時におけるウェーハＷの熱膨張に追従しやすくなる。

また、接着防止のため、支持体７の上面７ａに溝パターンを形成したものとしても良い。
例えば、図３（Ａ）、（Ｂ）に示したような横溝１９ａや縦溝１９ｂであれば形成し易く、ウェーハＷとの接着を効果的に防止することができる。なお、溝はこれらのパターンに限定されず、網目状、円形状、ウェーハの外周形状に沿った円弧状等の溝パターンとしてもよい。

また、ウェーハの汚染を防ぐため、支持体７の金属不純物濃度は１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とすることが好ましい。
例えば、チョクラルスキー法により高純度のシリコン単結晶を製造し、この単結晶から支持体７の厚さ分の円板を切り出す。次いで、この円板にイントリンジック・ゲッタリング処理を施し、酸素析出物などのゲッタリングサイトに金属不純物をゲッタリングさせる。その後、ゲッタリグ処理した円板から支持体７を切り出し、エッチング、研磨等を行い、支持体７とする。このように作製した支持体７であれば、金属不純物濃度が極めて小さくなる。従って、高温熱処理下で支持体７がウェーハと接触しても金属不純物の固相拡散が非常に少なく、ウェーハの金属汚染の可能性が極めて小さくなる。
このように、支持体７がシリコン板であるので金属不純物の濃度は容易に低減させることができ、かつ、高度に制御することができる。

このような熱処理用縦型ボート１を用いてシリコンウエーハの熱処理を行う場合には、図１に示したようにウェーハＷの裏面の周辺部を外周端部よりも内側で支持体７により支持して縦型炉に搬入する。
なお、使用する縦型炉は特に限定されるものではなく、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ）の処理を行うＣＶＤ炉も適用することができる。

熱処理中、シリコンウエーハＷは、同じ材質であるシリコン製の板状の支持体７のみによって支持されるため、ウェーハＷと支持体７の接触状態は面接触となり応力は分散される。また、ウェーハＷと支持体７は同様に膨張するため、熱膨張率の差による摩擦の発生を防ぐことができる。さらに、キズが生じ易いウェーハの外周端部は支持体７と接触せずに支持されるため、スリップ転位の原因となるキズがつきにくく、スリップ転位の発生が効果的に抑制される。

以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
４本の支柱を持つＳｉＣ製のウェーハボートの各支持部に図２に示すような嵌め込み部を形成し、単結晶シリコン製の板状ウェーハ支持体を嵌め込むように配置した。そして、支持体の上に直径２００ｍｍのシリコンウェーハを載置し、ボート全体で１００枚のウェーハを載置した。
その後、ウェーハボートを縦型熱処理炉内に搬入し、１２５０℃、２時間の熱処理を実施した。
熱処理終了後、１００枚のシリコンウェーハのうちボートのほぼ中央に載置した２０枚のウェーハを抜き取ってスリップの発生を調査した。その結果、スリップが発生しているウェーハはなかった。

（比較例１）
４本の支柱を持つＳｉＣ製のウェーハボートのウェーハ支持部上に直径２００ｍｍのシリコンウェーハを直接載置した（ボート全体で１００枚）。その後、実施例１と同様の条件でシリコンウェーハを熱処理し、熱処理終了後ボートのほぼ中央に載置した２０枚のウェーハを抜き取ってスリップの発生を調査した。
その結果、支持部と接触していたウェーハの外周端部の２ヵ所以上で、長さ２ｃｍ以上のスリップが全てのウェーハで発生していた。

（比較例２）
４本の支柱を持つＳｉＣ製のウェーハボートのウェーハ支持部に円筒状のＳｉＣ製のコロを配置した。なお、支持部はボートの中心に向けて下方に傾斜するように形成し、また、コロが転落しないように支持部の先端には突起部（ストッパー）を設けた。
そして、コロの上に直径２００ｍｍのシリコンウェーハを直接載置し（合計１００枚）、実施例１と同様の条件で熱処理を行った。
熱処理終了後、ボートのほぼ中央に載置した２０枚のウェーハを抜き取ってスリップの発生を調査した。
その結果、２０枚中２枚のウェーハで、ＳｉＣ製のコロと接触していた部分の１ヶ所以上において長さ２ｃｍ以上のスリップが発生していた。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

例えば、本発明に係るボートでは、支柱の数は４本に限定されず、３本以下あるいは５本以上としても良い。
また、支持部の形状等も特に限定されず、例えば図９に示したように支持部３５に台形状の嵌め込み部３８を設け、断面が台形となる板状の支持体３７を配置するようにしても良い。このような形態であれば、支持体３７は支持部３５から落下し難い一方、外す際には、横方向から容易に取り外すことができる。

本発明に係る熱処理用縦型ボートの一例を示す概略正面図である。 支持部を拡大した概略斜視図である。 溝パターンの一例を示す概略図である。 （Ａ）横溝 （Ｂ）縦溝 従来の熱処理用縦型ボートの一例を示す概略図である。 （Ａ）正面図 （Ｂ）横方向断面図（ウエーハを支持した状態） 従来の熱処理用ボートにおけるウエーハ支持部を示す概略斜視図である。 （Ａ）半円形の支持部 （Ｂ）長方形の支持部 従来のボートでウェーハを支持した状態を示す概略図である。 円板状のサセプタを介してウェーハを支持した状態を示す概略図である。 縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。 本発明に係る熱処理用縦型ボートの他の例を示す部分概略図である。

符号の説明

１，１０…熱処理用縦型ボート、 ２…天板、 ３…底板、 ４…支柱、
５，３５…支持部、 ５ａ…支持部上面、 ６…溝、 ７，３７…支持体、
７ａ…支持体上面、 ８，３８…嵌め込み部、 ９ａ，９ｂ…間隙、
２０…縦型熱処理炉、 Ｗ…シリコンウェーハ

Claims (12)

1. シリコンウェーハを熱処理する際に、該ウェーハの裏面の周辺部を支持する熱処理用縦型ボートであって、天板と、底板と、前記天板と底板との間に固定された支柱とを有し、該支柱に支持部が形成されており、該支持部にシリコン製の板状の支持体が配置されており、該支持体が前記ウェーハの裏面の周辺部と接して該ウェーハを支持するものであることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理用縦型ボート。
2. 前記熱処理用縦型ボートが、少なくとも２本の支柱を有し、各支柱の支持部ごとに前記支持体が配置されているものであることを特徴とする請求項１に記載の熱処理用縦型ボート。
3. 前記ボートの少なくとも支柱が、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または酸化アルミニウムからなるものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱処理用縦型ボート。
4. 前記支持体が、熱処理されるべきウェーハの外周端部よりも内側の周辺部を支持するように前記支持部に配置されているものであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
5. 前記ボートの支持部に凹状の嵌め込み部が形成されており、該嵌め込み部に前記支持体が配置されていて、該支持体の上面が前記支持部の上面より高くなっているものであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
6. 前記支持部の嵌め込み部と、該嵌め込み部に配置された支持体との間に間隙が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の熱処理用縦型ボート。
7. 前記支持体の上面における表面粗さが、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
8. 前記支持体の上面に溝パターンが形成されているものであることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
9. 前記支持体の金属不純物濃度が、１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
10. 前記支持体が、ゲッタリング処理されたものであることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の熱処理用縦型ボート。
11. シリコンウエーハを熱処理する方法であって、前記請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載された熱処理用縦型ボートを用い、シリコンウエーハの裏面の周辺部が前記ボートの支持部に配置された支持体と接するようにして該ウェーハを支持して熱処理を行うことを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。
12. シリコンウエーハを熱処理する方法であって、支柱に支持部が形成されており、該支持部にシリコン製の板状の支持体を配置した熱処理用縦型ボートを用い、前記ウェーハの裏面の周辺部を、外周端部よりも内側で前記支持体により支持して熱処理を行うことを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

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