JP2009543352A - ウェハプラットフォーム - Google Patents

Abstract

半導体ウェハを支持するためのプラットフォームを提供する。当該半導体ウェハを支持するためのプラットフォームはチャンネルを有するボディを備え、当該チャンネルは、ボディの上面と隣接しかつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有する。エッジマージンの少なくとも一方は、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って実質的に凸状である。

Description

本発明は、概して、ウェハを支持するためのプラットフォームに関し、より詳細には、少なくとも１つの端部が凸状であるチャンネルを備えるプラットフォームに関する。

ある所望の特性を達成するために半導体ウェハの高温熱処理（例えばアニーリング）が一般的に用いられている。

当該高温熱処理の間、７５０℃以上の温度、特に１１００℃以上の温度で、シリコンウェハはより可塑化する。熱処理の間シリコンウェハが適切に支持されていないと、ウェハは局所的な重力によるストレス及び熱ストレスによりスリップする可能性がある。当該技術分野においてよく知られているように、スリップにより、汚染物質がウェハのデバイス領域に導かれ、さらに、過剰のスリップにより、ウェハの可塑変形を引き起こす。これにより例えばフォトリソグラフオーバーレイの欠陥が発生しこれによってデバイス製造において歩留まり損失を引き起こすというような製造上の問題が引き起こされる。

アニールプロセスのため垂直炉を使用することができる。典型的には、垂直炉に比較的多数のウェハ（具体的には９０〜１３５のウェハ）を支持するためにウェハボートを使用する。ウェハボートはラックとして機能し、理想的にはウェハに掛かる局所的な重力によるストレス及び熱ストレスを抑制し、ウェハが熱処理される間スリップおよび可塑変形を防止する。垂直炉において使用される典型的な垂直ウェハボートは、ロッドと称される３以上の垂直レールを備える。当該ロッドは、典型的には、上記ウェハボートの垂直ロッド間に、ウェハホルダープラットフォーム、具体的にはリング若しくは連続板（solid plate）を支持するための溝部若しくは横方向に延在するフィンガーを有する。各ウェハは、ウェハに掛かる局所的な重力によるストレス及び熱ストレスの量を減少させる試みにおいて、処理の間ウェハを支持するための単一のウェハホルダープラットフォーム上に載置される。当該ウェハホルダープラットフォームは、プラットフォーム上面に溝部若しくはチャンネルを有し、当該ウェハがウェハ挿入の間にリング上において浮揚するのを防止し、そして非挿入時にはプラットフォームにウェハが吸着するのを防止する。

ある態様では、半導体ウェハを支持するためのプラットフォームは、ウェハを支持可能な大きさ及び形状を有する実質的に平面状の上面を有するボディを備える。当該ボディの上面に沿ってチャンネルが延在し、当該チャンネルは上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有する。当該チャンネルは、上記ボディの上面と隣接しかつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有する。当該エッジマージンの少なくとも一方は、チャンネルの少なくとも一部に沿って実質的に凸状となっている。

他の態様では、アニールプロセスの間半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持するためのサポートリングが、垂直ウェハボートに受容可能な大きさ及び形状を有し、下面と、上記ウェハを支持可能な大きさ及び形状を有する実質的に平面状の上面と、を備える実質的にリング状のボディを備える。当該ボディの上面に沿ってチャンネルが延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有する。当該チャンネルは、上記ボディの上面に隣接しかつ半径方向に関して離間された内部エッジマージンと外部エッジマージンとを有する。内部エッジマージンと外部エッジマージンの少なくとも一方は実質的に凸状である。

図１は、高温処理アニーリングの間半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持するための支持リングのある実施の形態の斜視図である。 図２は、複数の支持リングを保持する垂直ウェハボートの斜視図である。 図３は、図１の３--３ラインを含む支持リングの断面図であって、支持リングの溝部を通過するものである。 図４は、図３の支持リングのチャンネルの一部を拡大した図であって、チャンネルの左側エッジマージンが示されている。 図５は、断絶したエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングの一部の拡大断面図であって、チャンネルの左側のエッジマージンが示されている。 図６は、断絶したエッジマージンを有するチャンネルを備える図５と同様の支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。 図７は、角が形成されず、かつ研磨された２°のエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングの一部の拡大断面図であって、チャンネルの左側エッジマージンが示されている。 図８は、角が形成されず、かつ研磨された２°のエッジマージンを有するチャンネルを備える図８と同様の支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。 図９は、角が形成されず、かつ研磨されていない２°のエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。 図１０は、０．１ｍｍの曲率半径を有する凸状エッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングの一部の拡大断面図であって、チャンネルの左側エッジマージンが示されている。 図１１は、０．１の曲率半径を有するエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。 図１２は、０．５ｍｍの曲率半径を有するエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハにスリップが存在する若しくは存在しないことを図示したものである。対応する参照用文字は、当該図面を通して対応する部材を指し示す。

以下、図面、特に図１及び図２を参照する。ウェハサポートプラットフォームは、全体を通して参照番号１０で示されている。図２に示すように、例示されたウェハサポートプラットフォームは、全体を通して１２で示される垂直ウェハボートに受容される大きさ及び形状を有するタイプである。当該垂直ウェハボートは、高温アニールの間、半導体ウェハＷを垂直炉に支持するためのものである。プラットフォーム１０は、弓状であり、垂直ウェハボート１２のレール１４の間に受容されるような大きさ及び形状を有する。プラットフォーム１０の下面１６は、垂直ウェハボート１２のレール１４から延びるフィンガー１８上に載せられ、一方当該プラットフォーム１０の上面２０は、１つのウェハＷをその上で支持する。プラットフォーム１０の下面１６には、ウェハボート１２の対応するフィンガー１８を受容するための溝部２２（図１には、その内唯１つだけが示されている）が形成されていても良い。このような構成は、２００６年４月２５日に発行された米国特許第７,０３３,１６８号に詳細に記載されている。当該内容の全部を本願において引用して援用する。ウェハサポートプラットフォーム１０は、当該発明の技術的範囲を離れることなく、半導体ウェハのためのウェハボート及びホルダーの他のタイプに使用することができることは理解されよう。

再び図１を参照する。例示したプラットフォーム１０は、大きな中央ホール２４と、当該中央ホール２４からプラットフォームの外周まで延びる半径方向開口部２６と、を備える、オープンリングタイプである。当該タイプのプラットフォームは、本明細書において「サポートリング」とも称する。サポートリング１０は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）もしくは他のものを材料として作製しても良い。サポートリング１０は、その上に支持されるウェハのサイズに応じて、約２００ｍｍ若しくは約３００ｍｍ若しくはその他のサイズの直径を有していても良い。ウェハサポートプラットフォーム１０は、上記と異なる構成であってもよいことは理解されよう。例えば、プラットフォーム１０は、垂直炉以外の構造物において半導体を支持するタイプであってもよい。さらに、プラットフォーム１０は、オープンリングタイプ以外のその他のタイプであってもよい。例えば、当該プラットフォームは、クローズドリングタイプ（即ち、半径方向開口部を有さないタイプ）若しくは実質的に連続したプラットフォームであってもよい。

以下、図１、３及び４を参照する。ウェハサポートリング１０は、弓状の同心チャンネル２８を有する。当該チャンネル２８は、リングの上面２０に沿って延在する。図１に最も良く示されているが、チャンネル２８は、対向する開放端３８Ａ、３８Ｂを有する。これらは、それぞれ、半径方向開口部２６を規定するリング１０の対向端面上に延在している。図３を参照する。チャンネル２８は、全体としてそれぞれ３２Ａ、３２Ｂにより示される内側側面及び外側側面（即ち、リングの中央に関して内側及び外側）と、当該内側側面と外側側面との間に延在する実質的に平面状の底面３４とにより規定される。底面３４は平面状以外であってもよいことは理解されよう。それぞれの側面３２Ａ、３２Ｂは、底面３４に近接する実質的に凹状の部分、より詳細には底面３４に近接する実質的に凹状の下側部分（図４には外側側面の下側部分３６Ｂのみが示されている）を有する。位置の修飾語、例えば「下側」、「上側」、「内側」、「外側」等の使用は、図面に例示された実施の形態における位置にのみに対してのものであり、決して限定するためのものではない。

図４を参照する。チャンネル２８は、内側エッジマージン及び外側エッジマージン（図４においては、外側エッジマージン３８Ｂだけが示されている。内側エッジマージンは、実質的に鏡像の関係にある）を半径方向に関して離間している。内側エッジマージン及び外側エッジマージン３８Ｂは、上面２０及びチャンネル２８の内側側面３２Ａ及び外側側面３２Ｂのそれぞれと隣接した関係にある。内側エッジマージン及び外側エッジマージン３８Ｂは、上面２０及び／又はチャンネル２８の内側側面３２Ａ、外側側面３２Ｂのそれぞれを含んでいてもよいこと、そして最も多くの場合ではこれらを含むであろうことは理解されよう。これは、チャンネル２８の内側エッジマージン及び外側エッジマージン３８Ｂは、内側エッジ及び外側エッジ（すなわち、上面２０と各側面３２Ａ、３２Ｂとが交わるところ）と、当該エッジに直ぐに隣接する、上面及び／又は側面を含む表面を含むからである。

図３、４に最も良く示しているが、内側エッジマージン及び外側エッジマージン３８Ｂは実質的に凸状である。より詳細には、内側及び外側エッジマージン３８Ｂは、約０．５ｍｍの曲率半径を有する。内側及び外側エッジマージン３８Ｂは、当該発明の技術的範囲を離れない限り、０．５ｍｍ未満、若しくは０．５ｍｍより大きい曲率半径を有しても良いことは予想される。例えば、内側及び外側エッジマージンは、約０．１ｍｍの曲率半径を若しくは約１．０ｍｍの曲率半径を有していても良い。エッジマージンは、チャンネルの途中において凸状であってもよいが、各エッジマージン３８Ｂは、実質的にチャンネル２８の全体に亘って凸状である。さらにまた、曲率半径は当該チャンネルの途中で変化させてもよいが、内側及び外側エッジマージン３８Ｂは、それぞれは、実質的にチャンネルの全体にわたって実質的に均一な曲率半径（具体的には、０．５ｍｍ）を有する。

内側及び外側エッジマージン３８Ｂは、チャンネル２８の全体に沿って実質的に等距離で離間されている。例えば、これらのエッジマージンは、約１３ｍｍの距離で離間されていてもよい。チャンネル２８において、リング１０の上面２０とチャンネル２８の底面３４との間の深さが均一であっても良い。例えば、チャンネル２８の深さは、約０．２ｍｍであっても良い。エッジマージン３８Ｂ同士の距離及び／又はチャンネル２８の深さは所定のもの以外であっても良いことは理解されよう。また、エッジマージン３８Ｂ同士の間の距離及び／又はチャンネル２８の深さはチャンネルの途中で変更しても良いことは理解されよう。

以下により詳細に説明するが、チャンネル２８の内側及び外側エッジマージンが、凸状であることにより、処理されるウェハＷにおけるスリップの量は減少する。特別の理論によらなくとも、凸状のエッジマージン３８Ｂを有するチャンネル２８を備えるウェハサポートプラットフォーム１０が、断絶した(broken)エッジマージン（即ち、９０°のエッジ）若しくは角が形成されず均等なスロープを有するエッジマージンを有するチャンネルのそれぞれと対照的に、スリップを減少させ、ある場合においては排除すると考えられる。これは、エッジマージンが、ウェハサポートプラットフォーム上に載置されているウェハＷの下面から突然ではなく徐々に下降するからである。このように徐々に”下降する”ことは、チャンネル２８のエッジマージン３８ＢでウェハＷに対してより大きなサポートを与え、そのため、支持されたウェハにおける点塑性変形及びスリップを防止することができる。

チャンネル２８及び／又は当該チャンネルのエッジマージン３８Ｂ及び／又は当該チャンネルの側面３２Ａ、３２Ｂは、機械加工により若しくは他の適切なプロセスにより形成しても良い。

実質的に凸状のエッジマージンを有するチャンネルを備えることと別に若しくはこれに加えて、支持されたウェハにおいてスリップを実質的に防止するため、シリコン（Ｓｉ）ウェハに接触するシリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウェハサポートプラットフォームの少なくとも一部の上にシリコン酸化物層を形成しても良い。シリコン酸化物層は、酸化剤雰囲気中においてＳｉＣプラットフォームに熱処理を供することにより形成してもよい。例えば、ウェハだけでなくプラットフォームも備える垂直ウェハボートを酸化剤雰囲気下垂直炉に配置してシリコン酸化物層を形成しても良い。当該酸化物層を形成した後、その後ウェハを上記ボートに載置し、高温アニーリングに供しても良い。各高温アニールプロセスは、典型的には、新たに形成されたシリコン酸化物層の約２５ナノメートルから約７５ナノメートルまでを取り除く。これにより、シリコン酸化物層は、シリコン酸化物層の膜厚に応じて、数回のバッチ後補充しなければならない。シリコン酸化物層が、一回の高温アニールプロセスの間に完全に取り除かれないようにするため、シリコン酸化物層は少なくとも約２５ナノメートルの厚さであることが好ましく、少なくとも約５０ナノメートルの厚さであることがより好ましく、少なくとも約７５ナノメートルの厚さであることが最も好ましい。シリコン酸化物層を補充する前に、バッチの数を増加させるために、上記ウェハサポートプラットフォーム上に約５μｍ以下のシリコン酸化物層を形成してもよい。

ＳｉＣボート及びＳｉＣサポートプラットフォームの酸化は、ドライ酸化プロセス若しくはウェット酸化プロセスにより行うことができる。酸化剤雰囲気は、酸素を少なくとも約１モル％多くとも約１００モル％含有していてもよい。少なくとも必要不可欠な最小厚さ２５ナノメートルと約５μｍの厚さとの間の厚さのシリコン酸化物層は、酸素の濃度に応じて、シリコンカーバイド構造物を少なくとも１時間〜３６時間酸化物雰囲気にさらすことにより作製することができる。

特定の如何なる理論によらなくとも、加熱の間ＳｉＣウェハサポートプラットフォームの表面とウェハ表面が互いにずれるため、シリコン酸化物層は、これらの表面間の潤滑剤として作用しうると考えられる。この潤滑剤の存在により、熱プロセスの間、より硬いＳｉＣ材料は、より柔らかいＳｉウェハの裏面に傷をつけることはない。当該酸化物が存在しない場合は、ＳｉＣとＳｉとの間の熱拡散係数の差により、Ｓｉウェハにおいて転位の原因となるスクラッチングがプロセスの間発生する可能性があり、また最終的にスリップを引き起こす可能性がある。

次の実験例において、異なるウェハサポートプラットフォームを使用して、単一のアニールプロセスの間３００ｍｍのウェハを支持して、処理されたウェハにおけるスリップの量を比較した。各プラットフォームは、異なる側面形状を有するチャンネルを備えていた。各プラットフォームは、最初は３００ｍｍの直径を有する連続するＣＶＤ ＳｉＣリングであった。当該プラットフォームは、所望の側面形状を有する適切なチャンネルを形成するように加工した。当該プラットフォームは、高純度のＣＶＤ ＳｉＣフィルムを有する９０スロットのＳｉＣ垂直ウェハボート内に支持した。当該ウェハは、ＡＳＭインターナショナルにより製造され、東芝セラミックスにより提供された高純度ＴＳＱ−２０クオーツチューブを備えるＡ４１２垂直炉においてアニールした。アニールプロセスは、スリップを減少させるため、ランプ速度を用いて、アルゴンガス中で１時間１２００℃でアニールする工程からなる。アニール後、テンカーＳＰ−１表面検査ステーションを用いて、ウェハを表面スリップについてテストした。このプロセスは、分離処理の間、４つの分離されたウェハが各プラットフォームタイプについて処理されるように繰り返した。各プラットフォームタイプについて、処理されたウェハにおいて発生するスリップ若しくはスリップが発生しないことは実質的に同様であった。その点で、例示されたウェハのスリップのグラフは一例であり、同様のプラットフォームタイプにより処理された他の３つのウェハのスリップのグラフは、対応する具体的なグラフと実質的に同様である。

図５は、プラットフォームＡのチャンネル４０の一方側の側面の２次元的なプロファイルを図示している。チャンネル４０の他方側の側面は、実質的に鏡像の関係にある。プラットフォームＡは、断絶したエッジマージンを有する（全体を通して４４Ｂで示された外側エッジマージンだけ示している）。これにより、チャンネル４０を規定する側面４６Ｂは、上面と実質的に９０°で交差する。上記のアニールプロセスの間ウェハＡをプラットフォームＡ上に支持した。図６は、アニールプロセスの間に作製されたウェハＡにおけるスリップの配置を図示している。図６から容易に明らかなように、プラットフォームＡは、ウェハＡにおいて大きなスリップ量を発生させる。

図７は、プラットフォームＢのチャンネル５０の一方側の側面の２次元プロファイルを図示している。チャンネル５０の他方側の側面は、実質的に鏡像の関係にある。プラットフォームＢの側面（外側側面５２Ｂのみ例示している）には、角が形成されておらず、一定の２°のスロープを有する。側面５２Ｂは研磨されている。側面５２Ｂは、鈍角（即ち１７８°）でプラットフォームの上面と交差し、それにより、エッジマージン５６Ｂは、図５の断絶したエッジと比較して相対的にシャープでない。アニールプロセスの間、ウェハＢをプラットフォームＢ上に支持した。図８は、アニールプロセスの間作製されたウェハＢにおけるスリップの配置を図示している。図８から容易に明らかなように、ウェハＢにおいて、スリップはウェハＡにより引き起こされるものより実質的に少ないけれども、かなりの量のスリップが引き起こされる。

プラットフォームＣは、角が形成されておらず研磨されていない対向する２°の側面を有する。そのため、チャンネルのエッジマージンは、それらが研磨されていないことを除いて、プラットフォームＢと実質的に同様である。アニールプロセスの間ウェハＣをプラットフォームＣの上に支持した。図９は、アニールプロセスの間作製されたウェハＣにおけるスリップの配置を図示している。図９から容易に明らかなように、ウェハＣにおいては、ウェハＢに発生するスリップより少ないけれども、大きな量のスリップが引き起こされた。

図１０は、プラットフォームＤのチャンネル５８の一方側の側面の２次元プロファイルを図示している。チャンネルの他方側の側面は実質的に鏡像の関係にある。外側エッジマージンは概して６０Ｂで示されているが、チャンネル５８のエッジマージンは凸状であり、約０．１ｍｍの曲率半径を有する。ウェハＤは、アニールプロセスの間プラットフォームＤ上に支持される。図１１は、アニールプロセスの間に作製されたウェハＤにおけるスリップの配置を図示している。図１１から容易に明らかなように、プラットフォームＤによりウェハＤにおいて発生するスリップは上記プラットフォームより各ウェハにおいて発生するスリップより少ない。

プラットフォームＥは、図４に示すように、０．５ｍｍの曲率半径を有する凸状のエッジマージンを有する。アニールプロセスの間、ウェハＥをプラットフォームＥ上に支持した。図１２は、アニールプロセスの間に作製されるウェハＥにおけるスリップの配置を図示している。図１２から容易に明らかなように、プラットフォームＥでは、ウェハＥにおけるスリップはゼロであった。

実験の間、チャンネルのエッジマージンを除いて、全ての変数は一定に保った。各ウェハについてスリップの量が異なるので、スリップの量における相違は、エッジマージンの相違によることが合理的に推測することができる。そのため、約０．５ｍｍの曲率半径を有するエッジマージンを備えるチャンネルを有するプラットフォームＥでは、発生するスリップの量が最も少なく、より詳細には、支持されたウェハにおいてスリップが生じない。さらに、約０．１ｍｍの曲率半径を有するエッジマージンを有するチャンネルを備えるプラットフォームＤではいくらかのスリップが引き起こされ、さらに０．５ｍｍのものではスリップは引き起こされない。約０．５ｍｍより大きい若しくはこれと等しい曲率半径を有するエッジマージンを有するチャンネルは、関連するウェハにおいて発生するスリップの量は最も少ない若しくはゼロであることは合理的に推測される。

本発明の構成要素、若しくはその好ましい実施の形態の構成要素を説明する際、冠詞”ａ”、”ａｎ”、”ｔｈｅ”、および”上記（ｓａｉｄ）”は、当該構成要素が一若しくはそれ以上存在することを意味することが意図される。”含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ、ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）”、”有する（ｈａｖｉｎｇ）”の用語は、包括的であることを意味し、挙げられた構成要素以外の付加的な構成要素が存在しうることを意味する。

上記の観点から、本願のいくつかの目的は達成され、他の有利な効果が得られることは理解されよう。

本発明の技術的範囲から離れない限り、上記構造、製品、及び方法において、様々な変更を行うことができるため、上記の記載に含まれる、そして添付の図面において示される全ての事項は、例示であるものと解釈すべきであって、限定的な意味ではない。

Claims (20)

1. 半導体ウェハを支持するためのプラットフォームであって、
   上記半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有する実質的に平面状の上面を備えるボディと、
   上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
   上記チャンネルは、上記ボディの上面と隣接しかつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
   上記エッジマージンの少なくとも一方が、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って実質的に凸状であることを特徴とするプラットフォーム。
2. 上記チャンネルの上記第１エッジマージンと上記第２エッジマージンの両方が、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って、実質的に凸状であることを特徴とする請求項１記載のプラットフォーム。
3. 上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って、少なくとも約０．１ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項２記載のプラットフォーム。
4. 上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項３記載のプラットフォーム。
5. 上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、実質的に上記チャンネルの全体に沿って、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項４記載のプラットフォーム。
6. 上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記上面上に延在しないことを特徴とする請求項４記載のプラットフォーム。
7. 上記第１エッジマージンと上記第２エッジマージンとの間の距離が、実質的に上記チャンネルの全体に沿って、約１０ｍｍ〜約１５ｍｍであることを特徴とする請求項６記載のプラットフォーム。
8. 上記チャンネルの深さが約０．２ｍｍであることを特徴とする請求項７記載のプラットフォーム。
9. アニールプロセスの間、半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持する支持リングであって、
   当該支持リングは、
   上記垂直ウェハボートに受容可能な大きさ及び形状を有し、下面と、上記ウェハを支持可能な大きさ及び形状を有する実質的に平面状の上面と、を有する、実質的にリング状のボディと、
   上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
   上記チャンネルは、上記ボディの上面と隣接しかつ直径方向に関して離間された内側エッジマージンと外側エッジマージンとを有し、
   上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンの少なくとも１つが実質的に凸状であることを特徴とする支持リング。
10. 上記チャンネルの上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンの両方が実質的に凸状であることを特徴とする請求項９記載の支持リング。
11. 上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、少なくとも約０．１ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項１０記載の支持リング。
12. 上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項１１記載の支持リング。
13. 上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、実質的に上記チャンネルの全体に沿って、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項１２記載の支持リング。
14. 上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記上面上に延在しないことを特徴とする請求項１２記載の支持リング。
15. 上記チャンネルが、弓状であり、上記実質的にリング状のボディと実質的に同心円状にあることを特徴とする請求項１２記載の支持リング。
16. 上記実質的にリング状のボディが、上記ボディの中央開口部から延びる半径方向開口部を有し、上記チャンネルは、上記半径方向開口部にまで及ぶ対向する端部を有することを特徴とする請求項１５記載の支持リング。
17. 上記実質的にリング状のボディは、約３００ｍｍの直径を有することを特徴とする請求項１５記載の支持リング。
18. ウェハボートと組み合わされる支持リングであって、
    当該ウェハボートは、上記プラットフォームを支持するためのレールとフィンガーとを備え、
    上記ボディは、上記フィンガーを受容するための溝部を備えることを特徴とする請求項９記載の支持リング。
19. さらに、上記ウェハボディの上面上に形成されたシリコン酸化物層を有することを特徴とする請求項９記載の支持リング。
20. 上記シリコン酸化物層が、約２５ナノメートル〜５μｍの膜厚を有することを特徴とする請求項１９記載の支持リング。

Images